JP2022029691A - Cleaning mechanism and processing device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、洗浄機構および加工装置に関する。 The present invention relates to a cleaning mechanism and a processing apparatus.
半導体ウェーハのような板状物を分割してチップ化する装置として、高速回転する切削ブレードを板状物に当接させ、切削液を供給しながら切削する切削装置が知られている。このような切削装置は、切削中に生じた加工屑によってウェーハが汚染されるのを防止するため、加工後のウェーハを洗浄する洗浄機構を有している(特許文献1参照)。ウェーハの洗浄機構は、洗浄領域を区画するケース内に、ウェーハを保持するスピンナーテーブルとウェーハに洗浄液を供給する洗浄ノズルとを備え、洗浄水を供給しつつスピンナーテーブルを高速回転させることで切削加工後のウェーハを洗浄する。 As a device for dividing a plate-shaped object such as a semiconductor wafer into chips, a cutting device in which a cutting blade rotating at high speed is brought into contact with the plate-shaped object and cutting while supplying a cutting fluid is known. Such a cutting device has a cleaning mechanism for cleaning the wafer after processing in order to prevent the wafer from being contaminated by the processing chips generated during cutting (see Patent Document 1). The wafer cleaning mechanism is equipped with a spinner table that holds the wafer and a cleaning nozzle that supplies cleaning liquid to the wafer in a case that partitions the cleaning area, and the spinner table is rotated at high speed while supplying cleaning water for cutting. Clean the later wafer.
しかしながら、上記の洗浄機構では、洗浄水によってウェーハ上から除去されたコンタミがケース内で舞ってウェーハに再付着するという問題があった。 However, the above-mentioned cleaning mechanism has a problem that the contamination removed from the wafer by the cleaning water flies in the case and reattaches to the wafer.
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、洗浄領域の排気効率を向上させ、洗浄時のウェーハへのコンタミ再付着を防止することができる洗浄機構および加工装置を提供することである。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a cleaning mechanism and a processing apparatus capable of improving the exhaust efficiency of a cleaning region and preventing contamination reattachment to a wafer during cleaning. To provide.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の洗浄機構は、ウェーハを回転可能に保持するスピンナーテーブルと、該スピンナーテーブルに保持されたウェーハに対して洗浄液を供給する洗浄ノズルと、上面に開口部を有し該スピンナーテーブルおよび該洗浄ノズルを収容するケースと、ウェーハを搬送する搬送ユニットと、を有する洗浄機構であって、該搬送ユニットは、ウェーハを保持する保持部と、該ケースの開口部を覆うカバー部と、を有し、該カバー部は、該スピンナーテーブルと対面する領域に配設された多孔質部材と、該多孔質部材と気体供給源とを連通する配管と、を含み、該スピンナーテーブルに保持されたウェーハに対して該洗浄ノズルから洗浄液を供給しつつ、該カバー部で該開口部を覆い、該多孔質部材から気体を噴出させることで、該ウェーハの洗浄中に該ケース内にダウンフローを形成することを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems and achieve the object, the cleaning mechanism of the present invention includes a spinner table that rotatably holds a wafer and a cleaning nozzle that supplies a cleaning liquid to the wafer held on the spinner table. A cleaning mechanism having an opening on the upper surface for accommodating the spinner table and the cleaning nozzle, and a transfer unit for conveying the wafer, wherein the transfer unit has a holding portion for holding the wafer. It has a cover portion that covers the opening of the case, and the cover portion is a pipe that communicates a porous member disposed in a region facing the spinner table, and the porous member and a gas supply source. By covering the opening with the cover portion and ejecting gas from the porous member while supplying the cleaning liquid from the cleaning nozzle to the wafer held on the spinner table. It is characterized by forming a downflow in the case during cleaning.
また、本発明の加工装置は、ウェーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウェーハに対して加工を施す加工ユニットと、該洗浄機構と、を備える。 Further, the processing apparatus of the present invention includes a chuck table for holding the wafer, a processing unit for processing the wafer held on the chuck table, and the cleaning mechanism.
本願発明は、洗浄領域の排気効率を向上させ、洗浄時のウェーハへのコンタミ再付着を防止することができる。 INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, it is possible to improve the exhaust efficiency of the cleaning region and prevent contamination reattachment to the wafer during cleaning.
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。更に、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。 An embodiment (embodiment) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the contents described in the following embodiments. In addition, the components described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Further, the configurations described below can be combined as appropriate. Further, various omissions, substitutions or changes of the configuration can be made without departing from the gist of the present invention.
〔実施形態〕
本発明の実施形態に係る加工装置1を図面に基づいて説明する。まず、実施形態に係る加工装置1の構成について説明する。図1は、実施形態に係る加工装置1の構成例を示す斜視図である。図2は、図1に示された加工装置1の洗浄ユニット40の構成例を示す斜視図である。図3は、図1に示された加工装置1の搬送ユニット60の構成例を示す斜視図である。図4は、図3に示す搬送ユニット60を一部断面で示す側面図である。
[Embodiment]
The
図1に示すように、加工装置1は、チャックテーブル10と、加工ユニット20と、カセット載置台30と、洗浄機構2と、搬送ユニット80と、表示ユニット90と、制御ユニット100と、を備える。洗浄機構2は、洗浄ユニット40と、搬送ユニット60と、を含む。以下の説明において、X軸方向は、水平面における一方向である。Y軸方向は、水平面において、X軸方向に直交する方向である。Z軸方向は、X軸方向およびY軸方向に直交する方向である。実施形態の加工装置1は、加工送り方向がX軸方向であり、割り出し送り方向がY軸方向であり、切り込み送り方向がZ軸方向である。
As shown in FIG. 1, the
加工装置1は、実施形態において、チャックテーブル10に保持されたウェーハ200を切削する切削装置である。切削装置は、切削ユニットである加工ユニット20を備える。なお、加工装置1によるウェーハ200の加工は、実施形態の切削装置による切削加工に限定されず、本発明では、例えば、レーザー加工装置によってウェーハ200の内部に改質層を形成する改質層形成加工、ウェーハ200の表面に溝を形成する溝加工等であってもよい。
The
ウェーハ200は、シリコン(Si)、サファイア(Al2O3)、ガリウムヒ素(GaAs)または炭化ケイ素(SiC)等を基板201とする円板状の半導体ウェーハ、光デバイスウェーハ等のウェーハである。なお、ウェーハ200は実施形態に限定されず、本発明では円板状でなくともよい。ウェーハ200は、基板201の表面202に形成される複数の分割予定ライン203と、格子状に交差する複数の分割予定ライン203によって区画された各領域に形成されるデバイス204とを有する。
The
デバイス204は、例えば、IC(Integrated Circuit)、あるいやLSI(Large Scale Integration)等の集積回路、CCD(Charge Coupled Device)、あるいはCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)等のイメージセンサ、またはMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)等である。ウェーハ200は、分割予定ライン203に沿って分割されることによって、個々のデバイスチップに製造される。
The
ウェーハ200は、フレーム210およびシート211に支持される。フレーム210は、ウェーハ200の外径より大きな開口を有する環形状である。フレーム210は、金属や樹脂等の材質で構成される。シート211は、例えば、合成樹脂により構成された基材層と、基材層の表面および裏面の少なくともいずれかに積層された粘着性を有する糊層とを含む。シート211は、外周がフレーム210の裏面側に貼着される。ウェーハ200は、フレーム210の開口の所定の位置に位置決めされ、裏面205がシート211の表面に貼着されることによって、フレーム210およびシート211に固定される。
The
チャックテーブル10は、保持面11でウェーハ200を、表面202側を上方に向けて、裏面205側を保持する。チャックテーブル10は、凹部が形成された円盤状の枠体と、凹部内に嵌め込まれた円盤形状の吸着部と、を備える。吸着部は、多数のポーラス孔を備えたポーラスセラミック等から形成される。吸着部は、例えば、真空吸引経路を介して図示しない真空吸引源と接続されている。吸着部は、シート211を介して上面に載置されたウェーハ200を吸引保持する保持面11である。保持面11は、チャックテーブル10の枠体の上面と同一平面上に配置されている。保持面11は、実施形態において、水平面であるXY平面に平行に形成されている。チャックテーブル10は、不図示のX軸移動ユニットによりX軸方向に移動自在、かつ不図示の回転駆動源によりZ軸回りに回動自在に設けられている。チャックテーブル10の周囲には、ウェーハ200を支持するフレーム210を挟持するクランプ部12が複数配置されている。
The chuck table 10 holds the
加工ユニット20は、チャックテーブル10に保持されたウェーハ200に対して加工を施すユニットである。加工ユニット20は、実施形態において、ウェーハ200を切削して複数のチップに分割する切削ユニットである。加工ユニット20は、着脱自在に装着される切削ブレード21を有する。切削ブレード21は、略リング形状を有する極薄の切削砥石である。切削ブレード21は、実施形態において、いわゆるハブブレードであり、Y軸方向に平行な軸心回りに回転する円環状の円形基台と、円形基台の外周縁に配設される所定厚みの円環状の切り刃とを備える。円形基台は、導電性の金属で構成される。切り刃は、ダイヤモンドやCBN(Cubic Boron Nitride)等の砥粒と、金属や樹脂等のボンド材(結合材)とからなる。加工ユニット20は、チャックテーブル10に保持されたウェーハ200に対して、不図示のY軸移動ユニットによりY軸方向に移動自在、かつ不図示のZ軸移動ユニットによりZ軸方向に移動自在に設けられている。
The
カセット載置台30は、フレーム210およびシート211に支持された複数のウェーハ200を収容して半導体製造工程で用いられる各種の加工装置間で搬送するためのカセット31を上面に載置する台である。カセット載置台30は、Z軸方向に昇降自在である。カセット載置台30は、載置されたカセット31を、Z軸方向に移動させる。カセット31は、カセット載置台30に載置された状態で、搬送ユニット80によりウェーハ200が出し入れされる。カセット31にウェーハ200を出し入れする方向は、実施形態において、Y軸方向である。
The cassette mounting table 30 is a table on which a
洗浄ユニット40は、加工ユニット20により切削加工が施されたウェーハ200を洗浄し、ウェーハ200に付着した切削屑等の異物を除去するユニットである。図2に示すように、洗浄ユニット40は、スピンナーテーブル41と、軸部材44と、回転駆動源45と、昇降ユニット46と、カバー部材49と、ケース50と、洗浄ノズル55と、乾燥ノズル56(図5および図6参照)と、を含む。
The
スピンナーテーブル41は、フレーム210に支持されたウェーハ200を保持する保持面42を有する。スピンナーテーブル41は、凹部が形成された円盤状の枠体と、凹部内に嵌め込まれた円盤形状の吸着部と、を備える。吸着部は、多数のポーラス孔を備えたポーラスセラミック等から形成される。吸着部は、例えば、真空吸引経路を介して図示しない真空吸引源と接続されている。吸着部は、シート211を介して上面に載置されたウェーハ200を吸引保持する保持面42である。保持面42は、スピンナーテーブル41の枠体の上面と同一平面上に配置されている。保持面42は、実施形態において、水平面であるXY平面に平行に形成されている。
The spinner table 41 has a holding
スピンナーテーブル41の周囲には、ウェーハ200を支持するフレーム210を挟持するクランプ部43が複数配置されている。スピンナーテーブル41は、スピンナーテーブル41の回転軸である軸部材44の上端に連結している。軸部材44は、モータ等の回転駆動源45の出力軸に設けられる。回転駆動源45は、軸部材44を介してスピンナーテーブル41を回動自在に支持する。回転駆動源45は、Z軸方向に平行な軸心回りに回動する。スピンナーテーブル41は、回転駆動源45が駆動することによって、軸心回りに回動される。
A plurality of
昇降ユニット46は、スピンナーテーブル41をZ軸方向に昇降させるユニットである。昇降ユニット46は、油圧、空気圧等流体の圧力、または電動によって伸縮駆動するアクチュエータである。昇降ユニット46は、実施形態において、複数組(実施形態においては3組)のシリンダ47およびピストンロッド48を含むエアシリンダである。シリンダ47は、回転駆動源45の筐体の外周面に取り付けられる。回転駆動源45は、各シリンダ47から設置面に突き当てられたピストンロッド48によって支持されている。昇降ユニット46は、シリンダ47内のエアーの圧力を制御することによって、ピストンロッド48を伸縮させる。回転駆動源45は、ピストンロッド48の伸縮によって昇降駆動される。これにより、スピンナーテーブル41および回転駆動源45は、複数のシリンダ47によって昇降駆動される。カバー部材49は、軸部材44の周囲の一部を覆うように設けられている。
The elevating
ケース50は、スピンナーテーブル41の周囲に配置されて、スピンナーテーブル41を収容する。ケース50は、上面に開口部51を有し、例えば、円筒状の外壁と、外壁の内側に設けられる円筒状の内壁と、外壁の下端および内壁の下端を連結する底床と、を含んで環状に設けられる。底床は、カバー部62の下方に設けられ、ウェーハ200に供給した使用済みの洗浄液57を受け止める液受け部である。使用済みの洗浄液57は、底床に設けられた排水口52と、排水口52に接続された排水ダクト53とを介して外部に排出される。ケース50の外壁には、ケース50内から排気をする排気口54が形成される。
The
洗浄ノズル55は、スピンナーテーブル41に保持されたウェーハ200に対して洗浄液57を供給する(図6参照)。洗浄ノズル55は、供給口がスピンナーテーブル41の保持面42に向けられる供給位置と、スピンナーテーブル41の保持面42上から退避する退避位置との間で移動自在に設けられる。
The cleaning
乾燥ノズル56は、スピンナーテーブル41に保持されたウェーハ200に対して気体を供給して残留した洗浄液57を除去する。乾燥ノズル56は、供給口がスピンナーテーブル41の保持面42に向けられる供給位置と、スピンナーテーブル41の保持面42上から退避する退避位置との間で移動自在に設けられる。
The drying
搬送ユニット60は、図1に示す後述の搬送ユニット80により搬入出領域32まで搬送された切削加工前のウェーハ200を、チャックテーブル10上に搬送する。搬入出領域32は、カセット31のウェーハ200を出し入れする側に隣接する領域である。搬送ユニット60は、切削加工後のウェーハ200を、チャックテーブル10上から洗浄ユニット40のスピンナーテーブル41(図2参照)上に搬送する。図3に示すように、搬送ユニット60は、アーム部61と、カバー部62と、保持部63と、多孔質部材64と、配管65と、を備える。
The
アーム部61は、一端がカバー部62に接続し、他端が搬送ユニット60をX軸方向およびY軸方向の少なくとも一方に移動させる移動ユニットに接続する。カバー部62は、アーム部61の一端に接続する。カバー部62は、洗浄ユニット40のスピンナーテーブル41を収容するケース50の開口部51を覆う。カバー部62の下面側には、保持部63および多孔質部材64が設けられる。また、カバー部62の内部には、配管65が設けられる。
One end of the
保持部63は、加工ユニット20により加工が施されたウェーハ200を保持する。より詳しくは、保持部63は、実施形態において、吸着部を有する。保持部63の吸着部は、ウェーハ200を支持するフレーム210の上面に吸着する。保持部63は、吸着部がフレーム210に吸着保持することによって、ウェーハ200を保持する。
The holding
多孔質部材64は、カバー部62がケース50の開口部51を覆っている状態において、スピンナーテーブル41と対面する領域に設けられる。多孔質部材64は、配管65に接続する。多孔質部材64は、配管65を介して気体供給源66から気体67(図6参照)が供給されて、スピンナーテーブル41に向かって気体67を噴出させる。洗浄ノズル55から洗浄液57を供給する際に、カバー部62がケース50の開口部51を覆うと共に多孔質部材64から気体67を噴出させることによって、ケース50内にダウンフローを形成することができる。
The
搬送ユニット80は、切削加工前のウェーハ200を、カセット31から搬入出領域32に搬送する。搬送ユニット80は、洗浄後のウェーハ200を、洗浄ユニット40のスピンナーテーブル41上から搬入出領域32に搬送する。搬送ユニット80は、切削加工後のウェーハ200を搬入出領域32からカセット31に搬送する。
The
表示ユニット90は、加工装置1の加工条件の設定画面、加工処理の結果画面等を表示する。表示ユニット90は、実施形態において、液晶表示装置等により構成される。表示ユニット90は、実施形態において、表示面が入力ユニット91としてのタッチパネルを含む。入力ユニット91は、オペレータが加工内容情報を登録する等の各種操作を受付可能である。入力ユニット91は、キーボード等の外部入力装置であってもよい。表示ユニット90は、報知部を含んでもよい。報知部は、音および光の少なくとも一方を発して加工装置1のオペレータに予め定められた報知情報を報知する。報知部は、スピーカーまたは発光装置等の外部報知装置であってもよい。表示ユニット90は、制御ユニット100に接続している。
The
制御ユニット100は、加工装置1の上述した各構成要素をそれぞれ制御して、ウェーハ200に対する加工動作を加工装置1に実行させる。制御ユニット100は、演算手段としての演算処理装置と、記憶手段としての記憶装置と、通信手段としての入出力インターフェース装置と、を含むコンピュータである。演算処理装置は、例えば、CPU(Central Processing Unit)等のマイクロプロセッサを含む。記憶装置は、ROM(Read Only Memory)またはRAM(Random Access Memory)等のメモリを有する。演算処理装置は、記憶装置に格納された所定のプログラムに基づいて各種の演算を行う。演算処理装置は、演算結果に従って、入出力インターフェース装置を介して各種制御信号を上述した各構成要素に出力し、加工装置1の制御を行う。
The
次に、加工装置1の動作について説明する。図5は、図1に示された加工装置1における洗浄準備の一状態を一部断面で示す側面図である。図6は、図1に示された加工装置1における洗浄時の一状態を一部断面で示す側面図である。
Next, the operation of the
加工装置1は、ウェーハ200を洗浄する準備としては、図5に示すように、加工ユニット20によって加工が施されたウェーハ200を、搬送ユニット60が洗浄ユニット40へと搬送する。より詳しくは、まず、搬送ユニット60の保持部63が、チャックテーブル10上のウェーハ200を支持するフレーム210に吸着するように、搬送ユニット60を移動させる。次に、加工装置1は、保持部63にフレーム210を吸着保持した状態で、搬送ユニット60によってウェーハ200を洗浄ユニット40のスピンナーテーブル41の保持面42上へと搬送して載置する。
In preparation for cleaning the
次に、図6に示すように、加工装置1は、昇降ユニット46によってスピンナーテーブル41を下降させた後、スピンナーテーブル41の保持面42でウェーハ200を吸引保持すると共に、ウェーハ200を支持するフレーム210の外周縁をクランプ部43で固定する。加工装置1は、洗浄ノズル55の供給口を供給位置に移動させる。加工装置1は、ウェーハ200を搬送した後の搬送ユニット60のカバー部62によって、ケース50の開口部51を覆う。加工装置1は、回転駆動源45によってスピンナーテーブル41を軸心回りに回転させる。なお、クランプ部43は、スピンナーテーブル41の回転に伴って、遠心力によりフレーム210を抑えるように変形する押さえ振り子であってもよい。
Next, as shown in FIG. 6, in the
加工装置1は、スピンナーテーブル41を軸心回りに回転させている状態で、洗浄ノズル55をスピンナーテーブル41の保持面42と平行な方向に揺動させながら、洗浄ノズル55から洗浄液57を供給させ、多孔質部材64から気体67を噴出させる。これにより、洗浄液57がウェーハ200の全面に拡散してウェーハ200を洗浄すると共に、ケース50内にダウンフローが形成され、ケース50内から排気が行われる。
The
以上説明したように、実施形態の加工装置1は、搬送ユニット60のアーム部61に洗浄ユニット40の洗浄領域を覆うカバー部62を設け、カバー部62の洗浄領域と対面する位置に多孔質部材64を搭載している。また、加工装置1は、多孔質部材64から気体67を噴出させる。これにより、ウェーハ200に洗浄ノズル55から洗浄液57を供給して洗浄する際に、洗浄領域のケース50内にダウンフローを形成することができる。ダウンフローを形成することによって、加工装置1は、ケース50内から効率的に排気することができるので、ケース50内でコンタミが舞いウェーハ200へと再付着することを抑制することができるという効果を奏する。更に、洗浄中に気体67を噴出させるため、洗浄時に飛散した洗浄液57が搬送ユニット60のアーム部61に付着することや、アーム部61から洗浄液57が垂れてウェーハ200や加工装置1内を汚染することを抑制することができる。
As described above, in the
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。すなわち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。 The present invention is not limited to the above embodiment. That is, it can be variously modified and carried out within a range that does not deviate from the gist of the present invention.
1 加工装置
2 洗浄機構
10 チャックテーブル
20 加工ユニット
40 洗浄ユニット
41 スピンナーテーブル
50 ケース
51 開口部
55 洗浄ノズル
57 洗浄液
60 搬送ユニット
62 カバー部
63 保持部
64 多孔質部材
65 配管
66 気体供給源
67 気体
200 ウェーハ
1
Claims (2)
該スピンナーテーブルに保持されたウェーハに対して洗浄液を供給する洗浄ノズルと、
上面に開口部を有し該スピンナーテーブルおよび該洗浄ノズルを収容するケースと、
ウェーハを搬送する搬送ユニットと、
を有する洗浄機構であって、
該搬送ユニットは、
ウェーハを保持する保持部と、
該ケースの開口部を覆うカバー部と、を有し、
該カバー部は、
該スピンナーテーブルと対面する領域に配設された多孔質部材と、
該多孔質部材と気体供給源とを連通する配管と、
を含み、
該スピンナーテーブルに保持されたウェーハに対して該洗浄ノズルから洗浄液を供給しつつ、該カバー部で該開口部を覆い、該多孔質部材から気体を噴出させることで、該ウェーハの洗浄中に該ケース内にダウンフローを形成することを特徴とする、洗浄機構。 A spinner table that holds the wafer rotatably,
A cleaning nozzle that supplies cleaning liquid to the wafer held on the spinner table, and
A case having an opening on the upper surface to accommodate the spinner table and the cleaning nozzle,
A transfer unit that conveys wafers and
It is a cleaning mechanism with
The transport unit is
A holding part that holds the wafer and
It has a cover portion that covers the opening of the case, and has.
The cover part is
A porous member disposed in the region facing the spinner table, and
A pipe that connects the porous member and the gas supply source,
Including
The cleaning liquid is supplied from the cleaning nozzle to the wafer held on the spinner table, the opening is covered with the cover portion, and gas is ejected from the porous member, whereby the wafer is cleaned during cleaning. A cleaning mechanism characterized by forming a downflow in the case.
該チャックテーブルに保持されたウェーハに対して加工を施す加工ユニットと、
請求項1に記載の洗浄機構と、
を備えることを特徴とする、加工装置。 A chuck table that holds the wafer and
A processing unit that processes the wafer held on the chuck table and
The cleaning mechanism according to claim 1 and
A processing device characterized by being provided with.
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