JP2021190702A - 銅／セラミックス接合体、および、絶縁回路基板 - Google Patents

Abstract

【課題】銅又は銅合金からなる銅部材とセラミックス部材とが確実に接合され、超音波を付与した際にも接合信頼性に優れた銅／セラミックス接合体、および、絶縁回路基板を提供する。【解決手段】銅又は銅合金からなる銅部材と、セラミックス部材とが接合されてなる銅／セラミックス接合体であって、前記銅部材の積層方向に沿った断面を観察した結果、前記セラミックス部材との接合面から積層方向に５０μｍの位置における平均結晶粒径Ｄ１と前記銅部材の全体の平均結晶粒径Ｄ０との比Ｄ１／Ｄ０が０．６０以下である。【選択図】なし

Description

この発明は、銅又は銅合金からなる銅部材と、セラミックス部材とが接合されてなる銅／セラミックス接合体、および、セラミックス基板の表面に、銅又は銅合金からなる銅板が接合されてなる絶縁回路基板に関するものである。

パワーモジュール、ＬＥＤモジュールおよび熱電モジュールにおいては、絶縁層の一方の面に導電材料からなる回路層を形成した絶縁回路基板に、パワー半導体素子、ＬＥＤ素子および熱電素子が接合された構造とされている。
例えば、風力発電、電気自動車、ハイブリッド自動車等を制御するために用いられる大電力制御用のパワー半導体素子は、動作時の発熱量が多いことから、これを搭載する基板としては、例えば窒化ケイ素などからなるセラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面に導電性の優れた金属板を接合して形成した回路層と、を備えた絶縁回路基板が、従来から広く用いられている。なお、絶縁回路基板としては、セラミックス基板の他方の面に金属板を接合して金属層を形成したものも提供されている。

例えば、特許文献１には、セラミックス基板の一方の面および他方の面に、銅板を接合することにより回路層および金属層を形成した絶縁回路基板が提案されている。この絶縁回路基板においては、セラミックス基板の一方の面および他方の面に、Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系ろう材を介在させて銅板を配置し、加熱処理を行うことにより銅板が接合されている（いわゆる活性金属ろう付け法）。

また、特許文献２には、セラミックス基板の表面に、銅又は銅合金からなる銅板が接合されてなる絶縁回路基板が提案されている。この絶縁回路基板においては、銅板とセラミックス基板との間に活性金属の単体およびＭｇ単体を配置し、銅板とセラミックス基板とを積層方向に加圧した状態で加熱することで、セラミックス基板と銅板とを接合している。

特許第３２１１８５６号公報 特開２０１８−１４０９２９号公報

ところで、特許文献１に開示されているように、活性金属ろう付け法によってセラミックス基板と銅板とを接合する場合には、セラミックス基板と銅板との接合界面に、活性金属（Ｔｉ）の化合物層が形成される。例えば、活性金属としてＴｉを含む活性ろう材を用いて窒素を含むセラミックス基板を接合した場合には、セラミックス基板と銅板との接合界面にＴｉＮ層が形成される。
また、特許文献２においては、銅板とセラミックス基板との間においてセラミックス基板側に、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆから選択される１種又は２種以上の活性金属の窒化物を含む活性金属窒化物層が形成される。

ここで、上述の絶縁回路基板において、回路層（銅板）の表面に端子材等を超音波接合する際には、銅板が塑性変形し、硬いＴｉＮ層等の活性金属窒化物層が破壊され、接合信頼性が低下するおそれがあった。また、ＴｉＮ層の破壊を起点としてセラミックス基板に割れが生じるおそれがあった。

この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、銅又は銅合金からなる銅部材とセラミックス部材とが確実に接合され、超音波を付与した際にも接合信頼性に優れた銅／セラミックス接合体、および、絶縁回路基板を提供することを目的とする。

このような課題を解決して、前記目的を達成するために、本発明者らが鋭意検討した結果、以下のような知見を得た。
セラミックス基板と銅板とを接合するために加熱した際に、銅板の結晶粒が粗大化することにある。そして、ＴｉＮ層等の活性金属窒化物層に隣接する領域において結晶粒が粗大化している場合には、超音波付与時に銅板のうち接合界面近傍の領域が変形しやすくなり、ＴｉＮ層等の活性金属窒化物層が破壊されることが分かった。

本発明は、上述の知見に基づいてなされたものであって、本発明の銅／セラミックス接合体は、銅又は銅合金からなる銅部材と、セラミックス部材とが接合されてなる銅／セラミックス接合体であって、前記銅部材の積層方向に沿った断面を観察した結果、前記セラミックス部材との接合面から積層方向に５０μｍの位置における平均結晶粒径Ｄ１と前記銅部材の全体の平均結晶粒径Ｄ０との比Ｄ１／Ｄ０が０．６０以下であることを特徴としている。

この構成の銅／セラミックス接合体においては、前記銅部材の積層方向に沿った断面を観察した結果、前記セラミックス部材との接合面から積層方向に５０μｍの位置における平均結晶粒径Ｄ１と前記銅部材の全体の平均結晶粒径Ｄ０との比Ｄ１／Ｄ０が０．６０以下とされているので、接合界面近傍における結晶粒径が比較的小さく抑えられており、超音波付与時に銅部材のうち接合界面近傍の領域における変形を抑制でき、ＴｉＮ層等の活性金属窒化物層の破壊を抑制することができる。また、銅部材全体と接合界面近傍で大きく結晶粒径が異なっておらず、銅部材全体が硬くなることを抑制できる。

ここで、本発明の銅／セラミックス接合体においては、前記銅部材のうち前記セラミックス部材の接合面から積層方向に少なくとも５０μｍまでの領域には、Ｍｇが拡散しており、前記接合面から離間するにしたがいＭｇ濃度が減少していることが好ましい。
この場合、前記銅部材のうち前記セラミックス部材の接合面から積層方向に少なくとも５０μｍまでの領域に十分にＭｇが拡散しており、接合界面近傍における結晶粒径を比較的小さくすることが可能となる。

本発明の絶縁回路基板は、セラミックス基板の表面に、銅又は銅合金からなる銅板が接合されてなる絶縁回路基板であって、前記銅板の積層方向に沿った断面を観察した結果、前記セラミックス基板との接合面から積層方向に５０μｍの位置における平均結晶粒径Ｄ１と前記銅部材の全体の平均結晶粒径Ｄ０との比Ｄ１／Ｄ０が０．６０以下であることを特徴としている。

この構成の絶縁回路基板においては、前記銅板の積層方向に沿った断面を観察した結果、前記セラミックス基板との接合面から積層方向に５０μｍの位置における平均結晶粒径Ｄ１と前記銅部材の全体の平均結晶粒径Ｄ０との比Ｄ１／Ｄ０が０．６０以下とされているので、接合界面近傍における結晶粒径が比較的小さく抑えられており、超音波付与時に銅板のうち接合界面近傍の領域における変形を抑制でき、ＴｉＮ層等の活性金属窒化物層の破壊を抑制することができる。また、銅板全体と接合界面近傍で大きく結晶粒径が異なっておらず、銅板全体が硬くなることを抑制できる。

ここで、本発明の絶縁回路基板においては、前記銅板のうち前記セラミックス基板の接合面から積層方向に少なくとも５０μｍまでの領域には、Ｍｇが拡散しており、前記接合面から離間するにしたがいＭｇ濃度が減少していることが好ましい。
この場合、前記銅板のうち前記セラミックス基板の接合面から積層方向に少なくとも５０μｍまでの領域に十分にＭｇが拡散しており、接合界面近傍における結晶粒径を比較的小さくすることが可能となる。

本発明によれば、銅又は銅合金からなる銅部材とセラミックス部材とが確実に接合され、超音波を付与した際にも接合信頼性に優れた銅／セラミックス接合体、および、絶縁回路基板を提供することが可能となる。

本発明の実施形態である絶縁回路基板を用いたパワーモジュールの概略説明図である。 本発明の実施形態である絶縁回路基板の回路層（銅部材）および金属層（銅部材）とセラミックス基板（セラミックス部材）との接合界面の模式図である。 本発明の実施形態である絶縁回路基板の製造方法を示すフロー図である。 本発明の実施形態である絶縁回路基板の製造方法を示す説明図である。 実施例における銅板の結晶粒径の観察結果を示す図である。

以下に、本発明の実施形態について添付した図面を参照して説明する。

本発明の実施形態について、図１から図４を参照して説明する。
本実施形態に係る銅／セラミックス接合体は、セラミックス部材であるセラミックス基板１１と、銅部材である銅板２２（回路層１２）および銅板２３（金属層１３）とが接合されることにより構成された絶縁回路基板１０とされている。
図１に本発明の実施形態である絶縁回路基板１０およびこの絶縁回路基板１０を用いたパワーモジュール１を示す。

このパワーモジュール１は、絶縁回路基板１０と、この絶縁回路基板１０の一方側（図１において上側）に第１はんだ層２を介して接合された半導体素子３と、絶縁回路基板１０の他方側（図１において下側）に第２はんだ層８を介して接合されたヒートシンク５１と、を備えている。

絶縁回路基板１０は、セラミックス基板１１と、このセラミックス基板１１の一方の面（図１において上面）に配設された回路層１２と、セラミックス基板１１の他方の面（図１において下面）に配設された金属層１３とを備えている。
セラミックス基板１１は、回路層１２と金属層１３との間の電気的接続を防止するものであって、絶縁性に優れたＡｌＮ（窒化アルミニウム）、Ｓｉ_３Ｎ_４（窒化ケイ素）、Ａｌ_２Ｏ_３（アルミナ）等で構成されている。本実施形態では、強度に優れたＳｉ_３Ｎ_４（窒化ケイ素）で構成されている。なお、セラミックス基板１１の厚さは、０．２〜１．５ｍｍの範囲内に設定されており、本実施形態では、０．３２ｍｍに設定されている。

回路層１２は、図４に示すように、セラミックス基板１１の一方の面に銅又は銅合金からなる銅板２２が接合されることにより形成されている。本実施形態においては、回路層１２を構成する銅板２２として、無酸素銅の圧延板が用いられている。この回路層１２には、回路パターンが形成されており、その一方の面（図１において上面）が、半導体素子３が搭載される搭載面とされている。ここで、回路層１２の厚さは０．１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下の範囲内に設定されており、本実施形態では０．６ｍｍに設定されている。

金属層１３は、図４に示すように、セラミックス基板１１の他方の面に銅又は銅合金からなる銅板２３が接合されることにより形成されている。本実施形態においては、金属層１３を構成する銅板２３として、無酸素銅の圧延板が用いられている。ここで、金属層１３の厚さは０．１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下の範囲内に設定されており、本実施形態では０．６ｍｍに設定されている。

ヒートシンク５１は、前述の絶縁回路基板１０を冷却するためのものであり、本実施形態においては、熱伝導性が良好な材質で構成された放熱板とされている。本実施形態においては、ヒートシンク５１は、熱伝導性に優れた銅又は銅合金で構成されている。なお、ヒートシンク５１と絶縁回路基板１０の金属層１３とは、第２はんだ層８を介して接合されている。

ここで、セラミックス基板１１と回路層１２（銅板２２）、および、セラミックス基板１１と金属層１３（銅板２３）とは、図４に示すように、Ｍｇ−Ｔｉ系接合材２５を介して接合されている。
セラミックス基板１１と回路層１２（銅板２２）との接合界面およびセラミックス基板１１と金属層１３（銅板２３）との接合界面においては、図２に示すように、ＴｉＮ層３１が形成されている。このＴｉＮ層３１は、Ｍｇ−Ｔｉ系接合材２５のＴｉとセラミックス基板１１の窒素（Ｎ）とが反応することにより生成したものである。

そして、本実施形態においては、回路層１２（銅板２２）および金属層１３（銅板２３）の積層方向に沿った断面を観察した結果、セラミックス基板１１との接合面から積層方向に５０μｍの位置における平均結晶粒径Ｄ１と回路層１２（銅板２２）および金属層１３（銅板２３）の全体の平均結晶粒径Ｄ０との比Ｄ１／Ｄ０が０．６０以下、好ましくは０．２５以上０．５６以下の範囲内とされている。すなわち、回路層１２（銅板２２）および金属層１３（銅板２３）のうちセラミックス基板１１の接合面から積層方向に５０μｍの位置の結晶粒径が局所的に小さくなっているのである。
本実施形態において、回路層１２のセラミックス基板１１との接合面は、積層方向におけるセラミックス基板１１の回路層１２側の最表面であるとする。
また、本実施形態において、金属層１３のセラミックス基板１１との接合面は、積層方向におけるセラミックス基板１１の金属層１３側の最表面であるとする。
セラミックス基板１１との接合面から積層方向に５０μｍまでの領域において、セラミックス基板１１と回路層１２の間、およびセラミックス基板１１と金属層１３の間に、ＴｉＮ層３１が挟まれているが、ＴｉＮ層３１は、回路層１２、金属層１３に比べて十分薄い。
回路層１２、金属層１３は、ＴｉＮ層３１を介してセラミックス基板１１に接合されている。
なお、本実施形態における平均結晶粒径Ｄ０、Ｄ１は、双晶を含む結晶粒の平均結晶粒径とする。

ここで、本実施形態においては、回路層１２（銅板２２）および金属層１３（銅板２３）のうちセラミックス基板１１の接合面から積層方向に少なくとも５０μｍまでの領域には、Ｍｇが拡散しており、接合面から離間するにしたがいＭｇ濃度が減少していることが好ましい。すなわち、Ｍｇ−Ｔｉ系接合材２５のＭｇが回路層１２（銅板２２）および金属層１３（銅板２３）側に十分に拡散していることが好ましい。この領域におけるＭｇの濃度は０．１ｗｔ％以上であり、１０ｗｔ％以下であることが好ましい。

次に、上述した本実施形態である絶縁回路基板１０、およびパワーモジュール１の製造方法について、図３および図４を参照して説明する。

（積層工程Ｓ０１）
図４に示すように、回路層１２となる銅板２２とセラミックス基板１１との間、および、金属層１３となる銅板２３とセラミックス基板１１との間に、Ｍｇ−Ｔｉ系接合材２５を配置して、これらを積層する。なお、本実施形態では、Ｍｇ−Ｔｉ系接合材２５として、水素化チタン粉および水素化マグネシム粉を含むペースト材を用いている。チタン及びマグネシウムは活性な金属であるため、水素化チタン粉および水素化マグネシム粉を用いることで、チタンおよびマグネシウムの酸化等を抑制することが可能となる。
ここで、配置するＭｇ−Ｔｉ系接合材２５は、厚さ換算でＴｉ量を０．１μｍ以上５μｍ以下の範囲内、Ｍｇ量を１．５μｍ以上１０μｍ以下の範囲内とすることが好ましい。

（保持工程Ｓ０２）
次に、積層された銅板２２、セラミックス基板１１、銅板２３を、積層方向に加圧するとともに、加熱炉内に装入して加熱し、所定の保持温度において一定時間保持する。
ここで、本実施形態では、保持工程Ｓ０２における加圧荷重を０．０４９ＭＰａ以上３．４ＭＰａ以下の範囲内とすることが好ましい。また、加熱炉内は、Ａｒ等の不活性ガス雰囲気とすることが好ましい。
そして、保持温度を３００℃以上７３０℃以下の範囲内、保持温度での保持時間を１０分以上１２０分以下の範囲内とすることが好ましい。
この保持工程Ｓ０２により、Ｍｇ−Ｔｉ系接合材２５のＭｇが、回路層１２となる銅板２２および金属層１３となる銅板２３に向けて十分に拡散することになる。

（接合工程Ｓ０３）
次に、保持工程Ｓ０２後に、積層された銅板２２、セラミックス基板１１、銅板２３を、積層方向に加圧した状態で、さらに加熱して、銅板２２とセラミックス基板１１と銅板２３を接合する。この接合工程Ｓ０３においては、加熱炉内を真空雰囲気とすることが好ましい。
ここで、接合工程Ｓ０３における加圧荷重が０．０４９ＭＰａ以上３．４ＭＰａ以下の範囲内とされている。
また、接合工程Ｓ０３における加熱温度は、６５０℃以上１０５０℃以下の範囲内とすることが好ましい。
さらに、加熱温度での保持時間は、１０分以上２４０分以下の範囲内とすることが好ましい。
また、接合工程Ｓ０３における真空度は、１×１０^−６Ｐａ以上１×１０^−２Ｐａ以下の範囲内とすることが好ましい。

以上のように、積層工程Ｓ１２と、保持工程Ｓ０２と、接合工程Ｓ０３とによって、本実施形態である絶縁回路基板１０が製造される。

（ヒートシンク接合工程Ｓ０４）
次に、絶縁回路基板１０の金属層１３の他方の面側（セラミックス基板１１と反対側）にヒートシンク５１を接合する。本実施形態では、絶縁回路基板１０とヒートシンク５１とを、はんだ材を介して積層して加熱炉に装入し、第２はんだ層８を介して絶縁回路基板１０とヒートシンク５１とをはんだ接合する。

（半導体素子接合工程Ｓ０５）
次に、絶縁回路基板１０の回路層１２の一方の面側（セラミックス基板１１と反対側）に、半導体素子３をはんだ付けにより接合する。
以上の工程により、図１に示すパワーモジュール１が製出される。

以上のような構成とされた本実施形態の絶縁回路基板１０（銅／セラミックス接合体）によれば、回路層１２および金属層１３の積層方向に沿った断面を観察した結果、セラミックス基板１１との接合面から積層方向に５０μｍの位置における平均結晶粒径Ｄ１と回路層１２および金属層１３の全体の平均結晶粒径Ｄ０との比Ｄ１／Ｄ０が０．６０以下とされているので、接合界面近傍における結晶粒径が比較的小さく抑えられており、超音波付与時に回路層１２および金属層１３のうち接合界面近傍の領域における変形を抑制でき、ＴｉＮ層３１の破壊を抑制することができる。また、回路層１２および金属層１３全体と接合界面近傍で結晶粒径が大きく異なっておらず、回路層１２および金属層１３の全体が硬くなることを抑制できる。

さらに、本実施形態において、回路層１２および金属層１３のうちセラミックス基板１１の接合面から積層方向に少なくとも５０μｍまでの領域には、Ｍｇが拡散しており、接合面から離間するにしたがいＭｇ濃度が減少している場合には、回路層１２および金属層１３のうちセラミックス基板１１の接合面から積層方向に少なくとも５０μｍまでの領域に十分にＭｇが拡散しており、回路層１２および金属層１３の接合界面近傍における結晶粒径を比較的小さくすることが可能となる。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、回路層又は金属層を構成する銅板を、無酸素銅の圧延板として説明したが、これに限定されることはなく、他の銅又は銅合金で構成されたものであってもよい。
また、接合材としては、ペースト材でなく、箔材を用いても製造可能である。

さらに、ヒートシンクとして放熱板を例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、ヒートシンクの構造に特に限定はない。例えば、ヒートシンクは、冷媒が流通する流路を有するものや冷却フィンを備えたものであってもよい。また、ヒートシンクとしてアルミニウムやアルミニウム合金を含む複合材（例えばＡｌＳｉＣ等）を用いることもできる。
また、ヒートシンクの天板部や放熱板と金属層との間に、アルミニウム又はアルミニウム合金若しくはアルミニウムを含む複合材（例えばＡｌＳｉＣ等）からなる緩衝層を設けてもよい。

また、本実施形態では、絶縁回路基板の回路層にパワー半導体素子を搭載してパワーモジュールを構成するものとして説明したが、これに限定されることはない。例えば、絶縁回路基板にＬＥＤ素子を搭載してＬＥＤモジュールを構成してもよいし、絶縁回路基板の回路層に熱電素子を搭載して熱電モジュールを構成してもよい。

本発明の有効性を確認するために行った確認実験について説明する。

表１に示すセラミックス基板（４０ｍｍ×４０ｍｍ、厚さ０．３２ｍｍ）の両面に、表１に示す接合材を用いて、銅板（３７ｍｍ×３７ｍｍ、厚さ０．８ｍｍ）を接合し、回路層及び金属層が形成された絶縁回路基板（銅／セラミックス接合体）を得た。なお、表１に示す条件で保持工程および接合工程を実施した。また、接合時の真空炉の真空度は５×１０^−３Ｐａとした。

このようにして得られた絶縁回路基板（銅／セラミックス接合体）について、積層方向に沿った断面観察を行い、回路層および金属層の結晶粒径を測定した。また、超音波を付与し、接合界面の剥離及びセラミックス基板のクラックを評価した。

（結晶粒径）
絶縁回路基板（回路層および金属層）の積層方向に沿った断面において、ＥＢＳＤ測定装置を用いて、回路層全体および金属層全体の平均結晶粒径Ｄ０を測定した。図５に、結晶組織の観察結果を示す。
また、セラミックス基板の最表面から回路層側および金属層側に５０μｍの位置における平均結晶粒径Ｄ１は、回路層および金属層のセラミックス基板の接合界面から積層方向に５０μｍに位置に、接合界面と平行に基準線を引き、この基準線に触れている粒子数Ｎと基準線長さＬから、以下の式を用いて算出した。基準線の長さＬは表２に示す通りとした。
Ｄ１＝１．５×Ｌ／Ｎ
この測定を回路層及び金属層でそれぞれ行い、その平均値を表２に示した。

（超音波付与時の接合界面の剥離およびセラミックス基板のクラック）
接合面積３×３ｍｍ^２、接合時間約０．６秒、沈み込み量０．４５ｍｍの条件で端子材を超音波接合し、超音波探傷検査（ＳＡＴ）により、銅とセラミックス基板の接合界面の剥離およびセラミックス基板のクラック発生の有無を確認した。この確認を回路層及び金属層でそれぞれ行い、いずれかで接合界面の剥離およびセラミックス基板のクラック発生が確認された場合を「有」、いずれも確認されなかった場合を「無」とし、表２に記載した。

（Ｍｇの拡散距離）
絶縁回路基板（銅／セラミックス接合体）について、積層方向に沿った断面を、回路層（金属層）のうちセラミックス基板との接合面から回路層（金属層）の表面側に向かって、ＥＰＭＡを用いてＭｇのライン分析を行った。回路層（金属層）のうちセラミックス基板との接合面から、Ｍｇの濃度が０．１ｗｔ％となる箇所までの距離をＭｇの拡散距離とした。なお、この測定は回路層及び金属層で、それぞれ５か所で行い、その平均値を表２に記載した。

比較例においては、回路層および金属層のセラミックス基板の接合面から積層方向に５０μｍの位置における平均結晶粒径Ｄ１と路層および金属層全体の平均結晶粒径Ｄ０との比Ｄ１／Ｄ０が０．６５であり、超音波を付与した際に、接合界面にクラックが発生した。接合材としてＡｇ−Ｔｉペーストを用いており、接合界面近傍の結晶粒が十分に微細化せず、超音波付与時に回路層および金属層のうち接合界面近傍の領域における変形を抑制できなかったためと推測される。

本発明例１−４においては、回路層および金属層のセラミックス基板の接合面から積層方向に５０μｍの位置における平均結晶粒径Ｄ１と路層および金属層全体の平均結晶粒径Ｄ０との比Ｄ１／Ｄ０が０．６０以下であり、超音波を付与した際に、接合界面におけるクラック発生を抑制できた。接合材としてＭｇを含有するものを用いており、さらに表１に示す保持工程および接合工程を実施することで、Ｍｇが回路層および金属層側に拡散して、接合界面近傍の結晶粒が十分に微細化し、超音波付与時に回路層および金属層のうち接合界面近傍の領域における変形を抑制できたためと推測される。

以上のことから、本発明例によれば、銅又は銅合金からなる銅部材とセラミックス部材とが確実に接合され、超音波を付与した際にも接合信頼性に優れた銅／セラミックス接合体、および、絶縁回路基板を提供可能であることが確認された。

１０ 絶縁回路基板
１１ セラミックス基板
１２ 回路層
１３ 金属層
３１ ＴｉＮ層

Claims (4)

1. 銅又は銅合金からなる銅部材と、セラミックス部材とが接合されてなる銅／セラミックス接合体であって、
   前記銅部材の積層方向に沿った断面を観察した結果、前記セラミックス部材との接合面から積層方向に５０μｍの位置における平均結晶粒径Ｄ１と前記銅部材の全体の平均結晶粒径Ｄ０との比Ｄ１／Ｄ０が０．６０以下であることを特徴とする銅／セラミックス接合体。
2. 前記銅部材のうち前記セラミックス部材の接合面から積層方向に少なくとも５０μｍまでの領域には、Ｍｇが拡散しており、前記接合面から離間するにしたがいＭｇ濃度が減少していることを特徴とする請求項１に記載の銅／セラミックス接合体。
3. セラミックス基板の表面に、銅又は銅合金からなる銅板が接合されてなる絶縁回路基板であって、
   前記銅板の積層方向に沿った断面を観察した結果、前記セラミックス基板との接合面から積層方向に５０μｍの位置における平均結晶粒径Ｄ１と前記銅部材の全体の平均結晶粒径Ｄ０との比Ｄ１／Ｄ０が０．６０以下であることを特徴とする絶縁回路基板。
4. 前記銅板のうち前記セラミックス基板の接合面から積層方向に少なくとも５０μｍまでの領域には、Ｍｇが拡散しており、前記接合面から離間するにしたがいＭｇ濃度が減少していることを特徴とする請求項３に記載の絶縁回路基板。

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