JP2021182555A - 有機el表示装置及びその製造方法 - Google Patents
有機el表示装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021182555A JP2021182555A JP2021128133A JP2021128133A JP2021182555A JP 2021182555 A JP2021182555 A JP 2021182555A JP 2021128133 A JP2021128133 A JP 2021128133A JP 2021128133 A JP2021128133 A JP 2021128133A JP 2021182555 A JP2021182555 A JP 2021182555A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- organic
- insulating film
- electrode
- organic light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 260
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 17
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 16
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 122
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 17
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 239000002585 base Substances 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 2
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- -1 boron ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
次に、図1に示される有機EL表示装置及びその製造方法について具体的に説明がされる。
実施例1
次に、図1に示される有機EL表示装置の第2無機絶縁膜33のない有機EL表示装置の製造方法が、図2A〜2Bのフローチャート及び図3A〜3Gの製造工程の図を参照しながら説明される。
図2A〜2B及び図3A〜3Gに示される実施例1の製造方法は、平坦化膜30が第1無機絶縁膜31と有機絶縁膜32によって形成されていた(図1の構造の第2無機絶縁膜33が無い構造)。このような構造でも、有機絶縁膜32の表面が研磨されており、その表面に第1電極41が形成されている。そのため、平坦化膜30の表面は平坦になっていて問題はない。しかし、コンタクト孔30aを形成する際に、ウェットエッチングなどを行うと水分などが有機絶縁膜32に浸入しやすく、ドライエッチングで行っても、エッチングガスなどが浸入しやすいという問題がある。水分などが浸入すると、発光素子が形成されて動作しているときに、浸み出してくると有機発光層43又は第2電極44の材料を劣化させる恐れがある。そのため、第2無機絶縁膜33が有機絶縁膜32の表面に形成されることが好ましく、図1にはその構造が示されている。その製造方法が図4A〜4Eを参照しながら説明される。
(1)本発明の一実施形態に係る有機EL表示装置は、薄膜トランジスタを含む駆動回路が形成された表面を有する基板と、前記駆動回路を覆うことによって前記基板の前記表面を平坦化する平坦化膜と、前記平坦化膜の表面上に形成され、前記駆動回路と接続された第1電極、前記第1電極の上に形成された有機発光層、及び前記有機発光層の上に形成された第2電極を有する有機発光素子と、を備え、前記平坦化膜は、前記駆動回路の上に積層された第1無機絶縁膜及び有機絶縁膜を含んでおり、前記有機絶縁膜の表面が、算術平面粗さRaで50nm以下に形成されている。
20 TFT
21 半導体層
30 平坦化膜
31 第1無機絶縁膜
32 有機絶縁膜
33 第2無機絶縁膜
40 有機発光素子
41 第1電極(陽極)
43 有機発光層
44 第2電極(陰極)
Claims (8)
- 薄膜トランジスタを含む駆動回路が形成された表面を有する基板と、
前記駆動回路を覆うことによって前記基板の前記表面を平坦化する平坦化膜と、
前記平坦化膜に形成され、前記薄膜トランジスタに達するコンタクト孔内に埋め込まれた導体層と、
前記平坦化膜の表面上に形成され、前記導体層と接続する第1電極、前記第1電極の上に形成された有機発光層、及び前記有機発光層の上に形成された第2電極を有する有機発光素子と、
を備え、
前記平坦化膜は、第1無機絶縁膜、及び、前記第1無機絶縁膜の上に形成された有機絶縁膜を含み、
前記有機絶縁膜における前記第1無機絶縁膜と反対の表面は、算術平均粗さRaで20nm以上、50nm以下の表面粗さを有しており、
前記有機発光素子の前記第1電極及び前記有機発光層の表面が前記平坦化膜の表面形状及び表面粗さとほぼ同じ表面形状及び表面粗さになるように前記第1電極及び前記有機発光層が形成されることによって、前記有機発光層の厚さが各画素内においてほぼ均一になっている、
有機EL表示装置。 - 前記薄膜トランジスタは低温ポリシリコン層を有しており、
前記有機発光素子が前記第2電極側から光を取り出すトップエミッション型の発光素子である、請求項1に記載の有機EL表示装置。 - 薄膜トランジスタを含む駆動回路が形成された表面を有する基板と、
前記駆動回路を覆うことによって前記基板の前記表面を平坦化する平坦化膜と、
前記平坦化膜に形成され、前記薄膜トランジスタに達するコンタクト孔内に埋め込まれた導体層と、
前記平坦化膜の表面上に形成され、前記導体層と接続する第1電極、前記第1電極の上に形成された有機発光層、及び前記有機発光層の上に形成された第2電極を有する有機発光素子と、
を備え、
前記平坦化膜は、第1無機絶縁膜、及び、前記第1無機絶縁膜の上に形成された有機絶縁膜を含み、
前記有機絶縁膜における前記第1無機絶縁膜と反対の表面は、算術平均粗さRaで20nm以上、50nm以下の表面粗さを有しており、
前記薄膜トランジスタを含む駆動回路が前記有機発光層の発光領域の下方の投影領域の全面に亘って形成され、前記有機発光素子が前記第2電極側から光を取り出すトップエミッション型の発光素子である、有機EL表示装置。 - 前記薄膜トランジスタはアモルファスシリコン層を有している、請求項3に記載の有機EL表示装置。
- 基板の上に、薄膜トランジスタを含む駆動回路を形成する工程と、
前記駆動回路の表面に第1無機絶縁膜及び有機絶縁膜を形成する工程と、
前記有機絶縁膜の表面を算術平均粗さRaで20nm以上、50nm以下になるように研磨する工程と、
前記有機絶縁膜及び前記第1無機絶縁膜に、前記薄膜トランジスタに達するコンタクト孔を形成する工程と、
前記コンタクト孔の内部に金属を埋め込むと共に、前記有機絶縁膜の表面で、かつ、前記コンタクト孔の形成されていない所定の領域に、前記コンタクト孔の内部に埋め込まれた前記金属と連続して物理的蒸着によって前記有機絶縁膜の表面形状及び表面粗さとほぼ同じ表面形状及び表面粗さを有し、各画素における厚さがほぼ均一の第1電極を形成する工程と、
前記第1電極の上に前記第1電極の表面形状及び表面粗さとほぼ同じ表面形状及び表面粗さを有する有機発光層を真空蒸着法で形成することによって、前記有機発光層の厚さを各画素においてほぼ均一にする工程と、
前記有機発光層の上に第2電極を形成することによって、前記第1電極及び前記有機発光層と共に有機発光素子を形成する工程と、を含む、有機EL表示装置の製造方法。 - 前記薄膜トランジスタは低温ポリシリコン層を有しており、
前記有機発光素子が前記第2電極側から光を取り出すトップエミッション型の発光素子に形成される、請求項5に記載の有機EL表示装置の製造方法。 - 基板の上に、薄膜トランジスタを含む駆動回路を形成する工程と、
前記駆動回路の表面に第1無機絶縁膜及び有機絶縁膜を形成する工程と、
前記有機絶縁膜の表面を算術平均粗さRaで20nm以上、50nm以下になるように研磨する工程と、
前記有機絶縁膜及び前記第1無機絶縁膜に、前記薄膜トランジスタに達するコンタクト孔を形成する工程と、
前記コンタクト孔の内部に金属を埋め込むと共に、前記有機絶縁膜の表面で、かつ、前記コンタクト孔の形成されていない所定の領域に、前記コンタクト孔の内部に埋め込まれた前記金属と連続して第1電極を形成する工程と、
前記第1電極の上に有機発光層を形成する工程と、
前記有機発光層の上に第2電極を形成することによって、前記第1電極及び前記有機発光層と共に有機発光素子を形成する工程と、を含み、
前記薄膜トランジスタを含む駆動回路が前記有機発光層の発光領域の下方の投影領域の全面に亘って形成され、前記有機発光素子が前記第2電極側から光を取り出すトップエミッション型の発光素子に形成される、有機EL表示装置の製造方法。 - 前記薄膜トランジスタはアモルファスシリコン層を有している、請求項7に記載の有機EL表示装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021128133A JP7139504B2 (ja) | 2019-10-11 | 2021-08-04 | 有機el表示装置及びその製造方法 |
JP2022142515A JP7410242B2 (ja) | 2019-10-11 | 2022-09-07 | 有機el表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019188070A JP6926169B2 (ja) | 2018-03-28 | 2019-10-11 | 有機el表示装置及びその製造方法 |
JP2021128133A JP7139504B2 (ja) | 2019-10-11 | 2021-08-04 | 有機el表示装置及びその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019188070A Division JP6926169B2 (ja) | 2018-03-28 | 2019-10-11 | 有機el表示装置及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022142515A Division JP7410242B2 (ja) | 2019-10-11 | 2022-09-07 | 有機el表示装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021182555A true JP2021182555A (ja) | 2021-11-25 |
JP7139504B2 JP7139504B2 (ja) | 2022-09-20 |
Family
ID=69619499
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019188070A Active JP6926169B2 (ja) | 2018-03-28 | 2019-10-11 | 有機el表示装置及びその製造方法 |
JP2021128133A Active JP7139504B2 (ja) | 2019-10-11 | 2021-08-04 | 有機el表示装置及びその製造方法 |
JP2022142515A Active JP7410242B2 (ja) | 2019-10-11 | 2022-09-07 | 有機el表示装置及びその製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019188070A Active JP6926169B2 (ja) | 2018-03-28 | 2019-10-11 | 有機el表示装置及びその製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022142515A Active JP7410242B2 (ja) | 2019-10-11 | 2022-09-07 | 有機el表示装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (3) | JP6926169B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111769137B (zh) * | 2020-06-17 | 2024-06-14 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示装置 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001356711A (ja) * | 2000-06-13 | 2001-12-26 | Sony Corp | 表示装置 |
JP2003114626A (ja) * | 2001-06-18 | 2003-04-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
JP2005336400A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | セリウム系研摩材 |
JP2006518864A (ja) * | 2003-02-24 | 2006-08-17 | イグニス イノベーション インコーポレーテッド | 有機発光ダイオードを有するピクセル、及びそのピクセルを作成する方法 |
JP2006331694A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機発光素子及び有機発光素子用基板 |
JP2007281155A (ja) * | 2006-04-06 | 2007-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜トランジスタ、及びその製造方法、並びにアクティブマトリクス型表示装置 |
WO2008035556A1 (fr) * | 2006-09-19 | 2008-03-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Écran électroluminescent organique et procédé de fabrication de celui-ci |
JP2009227893A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | セリウム系研摩材スラリー |
JP2012104474A (ja) * | 2010-10-15 | 2012-05-31 | Nitto Denko Corp | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置およびその製法 |
JP2012178268A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機電界発光素子、有機電界発光モジュール、有機電界発光表示装置、及び有機電界発光照明 |
WO2014126037A1 (ja) * | 2013-02-12 | 2014-08-21 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004303644A (ja) | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置、並びに電子機器 |
KR100899426B1 (ko) | 2007-09-14 | 2009-05-27 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 전계 발광표시장치 제조방법 |
JP5007246B2 (ja) | 2008-01-31 | 2012-08-22 | 三菱電機株式会社 | 有機電界発光型表示装置及びその製造方法 |
JP2009238725A (ja) | 2008-03-03 | 2009-10-15 | Sony Corp | 表示素子の製造方法 |
KR102090710B1 (ko) | 2013-06-26 | 2020-03-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 기판, 이를 구비하는 유기 발광 장치, 박막트랜지스터 기판 제조방법 및 유기 발광 장치 제조방법 |
JP2015230404A (ja) | 2014-06-05 | 2015-12-21 | 株式会社Joled | 表示パネルの製造方法 |
-
2019
- 2019-10-11 JP JP2019188070A patent/JP6926169B2/ja active Active
-
2021
- 2021-08-04 JP JP2021128133A patent/JP7139504B2/ja active Active
-
2022
- 2022-09-07 JP JP2022142515A patent/JP7410242B2/ja active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001356711A (ja) * | 2000-06-13 | 2001-12-26 | Sony Corp | 表示装置 |
JP2003114626A (ja) * | 2001-06-18 | 2003-04-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
JP2006518864A (ja) * | 2003-02-24 | 2006-08-17 | イグニス イノベーション インコーポレーテッド | 有機発光ダイオードを有するピクセル、及びそのピクセルを作成する方法 |
JP2005336400A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | セリウム系研摩材 |
JP2006331694A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機発光素子及び有機発光素子用基板 |
JP2007281155A (ja) * | 2006-04-06 | 2007-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜トランジスタ、及びその製造方法、並びにアクティブマトリクス型表示装置 |
WO2008035556A1 (fr) * | 2006-09-19 | 2008-03-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Écran électroluminescent organique et procédé de fabrication de celui-ci |
JP2009227893A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | セリウム系研摩材スラリー |
JP2012104474A (ja) * | 2010-10-15 | 2012-05-31 | Nitto Denko Corp | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置およびその製法 |
JP2012178268A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機電界発光素子、有機電界発光モジュール、有機電界発光表示装置、及び有機電界発光照明 |
WO2014126037A1 (ja) * | 2013-02-12 | 2014-08-21 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020024930A (ja) | 2020-02-13 |
JP2022177093A (ja) | 2022-11-30 |
JP7410242B2 (ja) | 2024-01-09 |
JP7139504B2 (ja) | 2022-09-20 |
JP6926169B2 (ja) | 2021-08-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6585322B1 (ja) | 有機el表示装置及びその製造方法 | |
US10693106B2 (en) | Display device | |
JP6603826B1 (ja) | 有機el表示装置及びその製造方法 | |
JP6606309B1 (ja) | 有機el表示装置及びその製造方法 | |
US20210225973A1 (en) | Organic el display device and manufacturing method for organic el display device | |
WO2019186809A1 (ja) | 有機el表示装置及び有機el表示装置の製造方法 | |
JP6564965B1 (ja) | 有機el表示装置及びその製造方法 | |
JP6802887B2 (ja) | 有機el表示装置及びその製造方法 | |
JP7410242B2 (ja) | 有機el表示装置及びその製造方法 | |
JP6694988B2 (ja) | 有機el表示装置及び有機el表示装置の製造方法 | |
JP6865249B2 (ja) | 有機el表示装置及び有機el表示装置の製造方法 | |
KR102361967B1 (ko) | 유기전계발광 표시장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210804 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220406 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220419 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220606 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220809 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220907 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7139504 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |