JP2021157693A - Operation assisting device, operation assisting program, operation assisting method and polishing device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、操業支援装置、操業支援プログラム、操業支援方法及び研磨装置に関する。 The present invention relates to an operation support device, an operation support program, an operation support method, and a polishing device.
従来から下記特許文献1に記載された半導体製造装置の制御システムが知られている。当該制御システムは、EESパラメータ群およびQC値データ群に基づいてPLS回帰を用いてQC値データの予測式を作成する。次に、当該制御システムは、半導体製造装置により最後に処理されたロットの次に新たに処理された第一のロット内のウェーハに対応する第一のEESパラメータを該予測式に入力し、この第一のロット内のウェーハの第一のQC値データを予測する。そして、当該制御システムは、この予測された第一のQC値データに基づいて半導体製造装置にこのウェーハの処理を命令する。
Conventionally, a control system for a semiconductor manufacturing apparatus described in
しかし、例えば、半導体製造装置に不具合が生じている場合、半導体製造装置の部品が消耗している場合、EESパラメータ及びQC値データの少なくとも一方に異常な値が含まれてしまうことがある。このため、上述した制御システムは、QC値データの好適な予測式を作成し得ず、半導体製造装置にウェーハの好適な処理を命令し得ないことがある。 However, for example, when a defect occurs in the semiconductor manufacturing apparatus, or when the parts of the semiconductor manufacturing apparatus are worn out, at least one of the EES parameter and the QC value data may contain an abnormal value. Therefore, the control system described above may not be able to create a suitable prediction formula for the QC value data, and may not be able to instruct the semiconductor manufacturing apparatus to perform suitable processing of the wafer.
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、半導体製造装置に生じた異常をより確実に検知することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to more reliably detect an abnormality occurring in a semiconductor manufacturing apparatus.
本発明の一態様に係る操業支援装置は、半導体製造装置に関するデータであり、所定の基準を満たしているか否かの判定の対象となる判定対象データを取得する判定対象データ取得部と、半導体製造装置に関するデータであり、前記所定の基準を満たしている第一データ及び半導体製造装置に関するデータであり、前記所定の基準を満たしていない第二データを学習データとして機械学習装置に入力することにより生成された学習済モデルを使用して前記判定対象データが前記所定の基準を満たしているか否かを判定するデータ判定部と、前記データ判定部が判定した結果を示す判定結果データを出力する判定結果データ出力部と、を備える。 The operation support device according to one aspect of the present invention is data related to a semiconductor manufacturing device, and is a judgment target data acquisition unit that acquires judgment target data to be determined whether or not it satisfies a predetermined criterion, and a semiconductor manufacturing unit. Data related to the device, the first data that meets the predetermined criteria and the data related to the semiconductor manufacturing device, which are generated by inputting the second data that does not meet the predetermined criteria into the machine learning device as training data. A determination result that outputs a determination result data indicating the result of determination by the data determination unit and a data determination unit that determines whether or not the determination target data satisfies the predetermined criteria using the trained model. It is equipped with a data output unit.
また、上記操業支援装置において、前記データ判定部は、前記判定対象データが前記所定の基準を満たしていないと判定した場合、前記第一データ、前記第二データ及び前記第二データが取得された要因を示す要因データを学習データとして機械学習装置に入力することにより生成された学習済モデルを使用して前記判定対象データが取得された要因を判定してもよい。 Further, in the operation support device, when the data determination unit determines that the determination target data does not satisfy the predetermined criteria, the first data, the second data, and the second data are acquired. The factor for which the determination target data has been acquired may be determined using a trained model generated by inputting factor data indicating the factor into the machine learning device as training data.
また、上記操業支援装置において、前記データ判定部は、前記判定対象データが前記所定の基準を満たしていないと判定した場合、前記第一データ、前記第二データ及び前記第二データが取得された場合に必要な対応を示す対応データの少なくとも一つを学習データとして機械学習装置に入力することにより生成された学習済モデルを使用して前記判定対象データが取得された場合に必要な対応を判定してもよい。 Further, in the operation support device, when the data determination unit determines that the determination target data does not satisfy the predetermined criteria, the first data, the second data, and the second data are acquired. Judgment of the necessary correspondence when the judgment target data is acquired using the trained model generated by inputting at least one of the correspondence data indicating the necessary correspondence in the case into the machine learning device as training data. You may.
また、上記操業支援装置において、前記判定対象データ取得部は、半導体製造装置に関するデータを可視化した静止画像データ及び動画像データの少なくとも一方を前記判定対象データとして取得してもよい。 Further, in the operation support device, the determination target data acquisition unit may acquire at least one of the still image data and the moving image data that visualize the data related to the semiconductor manufacturing apparatus as the determination target data.
また、上記操業支援装置において、前記データ判定部は、前記判定対象データが前記第一データと一致している割合が所定の閾値未満である場合、前記判定対象データが所定の基準を満たしていないと判定してもよい。 Further, in the operation support device, when the ratio of the determination target data matching the first data is less than a predetermined threshold value, the data determination unit does not satisfy the predetermined criterion. May be determined.
また、上記操業支援装置において、前記データ判定部は、前記判定対象データが前記第二データと一致している割合が所定の閾値を超えている場合、前記判定対象データが所定の基準を満たしていないと判定してもよい。 Further, in the operation support device, when the ratio of the determination target data matching the second data exceeds a predetermined threshold value, the data determination unit satisfies the determination target data. It may be determined that there is no such thing.
本発明の一態様に係る操業支援プログラムは、半導体製造装置に関するデータであり、所定の基準を満たしているか否かの判定の対象となる判定対象データを取得する判定対象データ取得機能と、半導体製造装置に関するデータであり、前記所定の基準を満たしている第一データ及び半導体製造装置に関するデータであり、前記所定の基準を満たしていない第二データを学習データとして機械学習装置に入力することにより生成された学習済モデルを使用して前記判定対象データが前記所定の基準を満たしているか否かを判定するデータ判定機能と、前記データ判定機能が判定した結果を示す判定結果データを出力する判定結果データ出力機能と、を実現させる。 The operation support program according to one aspect of the present invention is data related to a semiconductor manufacturing apparatus, and has a judgment target data acquisition function for acquiring judgment target data to be judged whether or not it satisfies a predetermined standard, and semiconductor manufacturing. Data related to the device, the first data that meets the predetermined criteria and the data related to the semiconductor manufacturing device, which are generated by inputting the second data that does not meet the predetermined criteria into the machine learning device as training data. A data judgment function for judging whether or not the judgment target data satisfies the predetermined criteria using the trained model, and a judgment result for outputting judgment result data indicating the judgment result by the data judgment function. Realize the data output function.
本発明の一態様に係る操業支援方法は、半導体製造装置に関するデータであり、所定の基準を満たしているか否かの判定の対象となる判定対象データを取得する判定対象データ取得ステップと、半導体製造装置に関するデータであり、前記所定の基準を満たしている第一データ及び半導体製造装置に関するデータであり、前記所定の基準を満たしていない第二データを学習データとして機械学習装置に入力することにより生成された学習済モデルを使用して前記判定対象データが前記所定の基準を満たしているか否かを判定するデータ判定ステップと、前記データ判定ステップにおいて判定された結果を示す判定結果データを出力する判定結果データ出力ステップと、を含む。 The operation support method according to one aspect of the present invention is data related to a semiconductor manufacturing apparatus, and includes a determination target data acquisition step for acquiring determination target data to be determined whether or not a predetermined criterion is satisfied, and a semiconductor manufacturing. Data related to the device, the first data that meets the predetermined criteria and the data related to the semiconductor manufacturing device, which are generated by inputting the second data that does not meet the predetermined criteria into the machine learning device as training data. A data determination step for determining whether or not the determination target data satisfies the predetermined criteria using the trained model, and a determination for outputting determination result data indicating the result determined in the data determination step. Includes a result data output step.
本発明の一態様に係る研磨装置は、上述した操業支援装置のいずれか一つを備える。 The polishing device according to one aspect of the present invention includes any one of the above-mentioned operation support devices.
上記本発明の一態様によれば、半導体製造装置に生じた異常をより確実に検知することができる。 According to the above aspect of the present invention, it is possible to more reliably detect an abnormality that has occurred in a semiconductor manufacturing apparatus.
図1から図16を参照しながら、実施形態に係る基板処理システム100の一例を説明する。図1は、実施形態に係る基板処理システムの一例を示す図である。図1に示すように、基板処理システム100は、基板処理装置1と、操業支援装置6とを備える。なお、基板処理装置1と、操業支援装置6とが一体の装置として形成されていてもよい。
An example of the
図2は、実施形態に係る基板処理装置の一例を示す図である。図2に示した基板処理装置1は、シリコンウェハ等の基板Wの表面を平坦に研磨する化学機械研磨(CMP: Chemical Mechanical Polishing)装置である。
FIG. 2 is a diagram showing an example of the substrate processing apparatus according to the embodiment. The
基板処理装置1は、矩形箱状のハウジング2を備える。ハウジング2は、平面視で略長方形に形成されている。ハウジング2は、その中央に長手方向に延在する基板搬送路3を備える。基板搬送路3の長手方向の一端部には、ロード/アンロード部10が配設されている。基板搬送路3の幅方向、すなわち平面視で長手方向と直交する方向の一方側には、研磨部20が配設され、他方側には、洗浄部30が配設されている。基板搬送路3には、基板Wを搬送する基板搬送部40が設けられている。また、基板処理装置1は、ロード/アンロード部10、研磨部20、洗浄部30及び基板搬送部40の動作を統括的に制御する制御部50を備える。
The
ロード/アンロード部10は、基板Wを収容するフロントロード部11を備える。フロントロード部11は、ハウジング2の長手方向の一方側の側面に複数設けられている。複数のフロントロード部11は、ハウジング2の幅方向に配列されている。フロントロード部11は、例えば、オープンカセット、SMIF(Standard Manufacturing Interface)ポッド又はFOUP(Front Opening Unified Pod)が搭載されている。SMIF及びFOUPは、いずれも内部に基板Wのカセットが収納され、隔壁で覆われている密閉容器であり、外部空間とは独立した環境を保つことができる。
The load /
また、ロード/アンロード部10は、フロントロード部11から基板Wを出し入れする二台の搬送ロボット12と、各搬送ロボット12をフロントロード部11の並びに沿って走行させる走行機構13とを備える。各搬送ロボット12は、上下に二つのハンドを備えており、基板Wの処理前と基板Wの処理後とこれら二つのバンドを使い分けている。例えば、各搬送ロボット12は、フロントロード部11に基板Wを戻す場合には、上側のハンドを使用し、フロントロード部11から処理前の基板Wを取り出す場合には、下側のハンドを使用する。
Further, the load / unload
研磨部20は、基板Wを研磨する複数の研磨装置21(21A,21B,21C,21D)を備える。複数の研磨装置21は、基板搬送路3の長手方向に配列されている。研磨装置21は、研磨面を有する研磨パッド22を回転させる研磨テーブル23と、基板Wを保持し、かつ、基板Wを研磨テーブル23上の研磨パッド22に押圧しながら研磨するためのトップリング24と、研磨パッド22に研磨液、ドレッシング液等を供給するための研磨液供給ノズル25と、研磨パッド22の研磨面のドレッシングを行うためのドレッサ26と、純水等の液体と窒素ガス等の気体の混合流体又は純水等の液体を霧状にして研磨面に噴射するアトマイザ27とを備える。
The polishing
研磨装置21は、研磨液供給ノズル25から研磨液を研磨パッド22上に供給しながら、トップリング24により基板Wを研磨パッド22に押し付け、トップリング24と研磨テーブル23とを相対的に移動させることにより、基板Wを研磨して基板Wの表面を平坦にする。また、トップリング24は、同心円状に配置されている複数の加減圧エリアを備えている。トップリング24は、これら複数の加減圧エリア内の圧力を調整することにより、研磨パッド22への基板Wの押し付け具合を調整する。
The polishing
ドレッサ26は、研磨パッド22に接触する先端の回転部にダイヤモンド粒子やセラミック粒子等の硬質な粒子が固定され、当該回転部を回転させつつ揺動させることにより、研磨パッド22の研磨面全体を均一にドレッシングし、平坦な研磨面を形成する。
In the
アトマイザ27は、研磨パッド22の研磨面に残留する研磨屑、砥粒等を高圧の流体により洗い流すことにより、研磨面の浄化及びドレッサ26による研磨面の目立て作業、すなわち研磨面の再生を実行する。
The
洗浄部30は、基板Wを洗浄する複数の洗浄装置31(31A,31B)と、洗浄した基板Wを乾燥させる基板乾燥装置32とを備える。複数の洗浄装置31及び基板乾燥装置32は、基板搬送路3の長手方向に配列されている。洗浄装置31Aと洗浄装置31Bとの間には、第一搬送室33が設けられている。第一搬送室33には、基板搬送部40、洗浄装置31A及び洗浄装置31Bの間で基板Wを搬送する搬送ロボット35が設けられている。また、洗浄装置31Bと基板乾燥装置32との間には、第ニ搬送室34が設けられている。第ニ搬送室34には、洗浄装置31Bと基板乾燥装置32との間で基板Wを搬送する搬送ロボット36が設けられている。
The
洗浄装置31は、ロールスポンジ型の洗浄モジュールを備え、この洗浄モジュールを使用して基板Wを洗浄する。なお、洗浄装置31A及び洗浄装置31Bは、同一のタイプであってもよいし、異なるタイプの洗浄モジュールであってもよい。また、洗浄装置31A及び洗浄装置31Bは、ロールスポンジ型の洗浄モジュールの代わりに、例えば、ペンシルスポンジ型の洗浄モジュール、二流体ジェット型の洗浄モジュールを備えていてもよい。
The
基板乾燥装置32は、例えば、イソプロピルアルコール(IPA:Iso-Propyl Alcohol)を使用したロタゴニ乾燥を実行する乾燥モジュールを備える。基板Wは、ロタゴニ乾燥が実行された後、基板乾燥装置32とロード/アンロード部10との間の隔壁に設けられたシャッタ1aが開かれ、搬送ロボット12によって基板乾燥装置32から搬出される。
The
基板搬送部40は、リフター41と、第一リニアトランスポータ42と、第ニリニアトランスポータ43と、スイングトランスポータ44とを備える。基板搬送路3には、ロード/アンロード部10側から順番に第一搬送位置TP1、第ニ搬送位置TP2、第三搬送位置TP3、第四搬送位置TP4、第五搬送位置TP5、第六搬送位置TP6、第七搬送位置TP7が設定されている。
The
リフター41は、第一搬送位置TP1において基板Wを上下に搬送する機構である。リフター41は、第一搬送位置TP1においてロード/アンロード部10の搬送ロボット12から基板Wを受け取る。そして、リフター41は、搬送ロボット12から受け取った基板Wを第一リニアトランスポータ42に受け渡す。第一搬送位置TP1とロード/アンロード部10との間の隔壁には、シャッタ1bが設けられており、基板Wの搬送時にはシャッタ1bが開かれて搬送ロボット12からリフター41に基板Wが受け渡される。
The
第一リニアトランスポータ42は、第一搬送位置TP1、第ニ搬送位置TP2、第三搬送位置TP3及び第四搬送位置TP4のうちの二つの間で基板Wを搬送する機構である。第一リニアトランスポータ42は、複数の搬送ハンド45(45A,45B,45C,45D)と、各搬送ハンド45を複数の高さで水平方向に移動させるリニアガイド機構46とを備える。
The first
搬送ハンド45Aは、リニアガイド機構46によって、第一搬送位置TP1から第四搬送位置TP4の間を移動する。搬送ハンド45Aは、リフター41から基板Wを受け取り、当該基板Wを第ニリニアトランスポータ43に受け渡すためのパスハンドである。
The
搬送ハンド45Bは、リニアガイド機構46によって、第一搬送位置TP1と第ニ搬送位置TP2との間を移動する。搬送ハンド45Bは、第一搬送位置TP1でリフター41から基板Wを受け取り、第ニ搬送位置TP2で研磨装置21Aに基板Wを受け渡す。搬送ハンド45Bには、昇降駆動部が設けられており、基板Wを研磨装置21Aのトップリング24に受け渡すときは上昇し、トップリング24に基板Wを受け渡した後は下降する。なお、搬送ハンド45C及び搬送ハンド45Dにも、同様の昇降駆動部が設けられている。
The
搬送ハンド45Cは、リニアガイド機構46によって、第一搬送位置TP1と第三搬送位置TP3との間を移動する。搬送ハンド45Cは、第一搬送位置TP1でリフター41から基板Wを受け取り、第三搬送位置TP3で研磨装置21Bに基板Wを受け渡す。また、搬送ハンド45Cは、第ニ搬送位置TP2で研磨装置21Aのトップリング24から基板Wを受け取り、第三搬送位置TP3で研磨装置21Bに基板Wを受け渡すアクセスハンドとしても機能する。
The
搬送ハンド45Dは、リニアガイド機構46によって、第ニ搬送位置TP2と第四搬送位置TP4との間を移動する。搬送ハンド45Dは、第ニ搬送位置TP2又は第三搬送位置TP3で、研磨装置21A又は研磨装置21Bのトップリング24から基板Wを受け取り、第四搬送位置TP4でスイングトランスポータ44に基板Wを受け渡すためのアクセスハンドとして機能する。
The
スイングトランスポータ44は、第四搬送位置TP4と第五搬送位置TP5との間を移動可能なハンドを有しており、第一リニアトランスポータ42から第ニリニアトランスポータ43へ基板Wを受け渡す。また、スイングトランスポータ44は、研磨部20で研磨された基板Wを洗浄部30に受け渡す。スイングトランスポータ44の側方には、基板Wの仮置き台47が設けられている。スイングトランスポータ44は、第四搬送位置TP4又は第五搬送位置TP5で受け取った基板Wを上下反転して仮置き台47に載置する。仮置き台47に載置された基板Wは、洗浄部30の搬送ロボット35によって第一搬送室33に搬送される。
The
第ニリニアトランスポータ43は、第五搬送位置TP5、第六搬送位置TP6及び第七搬送位置TP7のうちの二つの間で基板Wを搬送する機構である。第ニリニアトランスポータ43は、複数の搬送ハンド48(48A,48B,48C)と、各搬送ハンド45を複数の高さで水平方向に移動させるリニアガイド機構49とを備える。搬送ハンド48Aは、リニアガイド機構49によって、第五搬送位置TP5から第六搬送位置TP6の間を移動する。搬送ハンド45Aは、スイングトランスポータ44から基板Wを受け取り、当該基板Wを研磨装置21Cに受け渡すアクセスハンドとして機能する。
The second
搬送ハンド48Bは、第六搬送位置TP6と第七搬送位置TP7との間を移動する。搬送ハンド48Bは、研磨装置21Cから基板Wを受け取り、当該基板Wを研磨装置21Dに受け渡すためのアクセスハンドとして機能する。搬送ハンド48Cは、第七搬送位置TP7と第五搬送位置TP5との間を移動する。搬送ハンド48Cは、第六搬送位置TP6又は第七搬送位置TP7において研磨装置21C又は研磨装置21Dのトップリング24から基板Wを受け取り、第五搬送位置TP5でスイングトランスポータ44に基板Wを受け渡すためのアクセスハンドとして機能する。なお、説明は省略するが、搬送ハンド48の基板Wの受け渡し時の動作は、上述した第一リニアトランスポータ42の動作と同様である。
The
図1に示すように、操業支援装置6は、判定対象データ取得部61と、データ判定部62と、判定結果データ出力部63とを備える。
As shown in FIG. 1, the operation support device 6 includes a determination target
判定対象データ取得部61は、所定の基準を満たしているか否かの判定の対象となる判定対象データを記憶装置又はネットワークを介して取得する。ここで言う記憶装置は、例えば、USB(Universal Serial Bus)メモリ、ソリッドステートドライブ(SSD:Solid State Drive)である。また、ここで言うネットワークは、例えば、イントラネット、LAN(Local Area Network)である。なお、判定対象データ取得部61は、ネットワークを介して判定対象データを取得する場合、ファイル転送又はウェブブラウザを使用する。
The determination target
判定対象データは、基板処理装置1に関するデータ、例えば、基板処理装置1を構成している各部品に関する物理量を示すデータ、基板処理装置1の運転に関する物理量を示すデータ、基板処理装置1が基板Wを研磨する場合に使用する薬剤等の量を示すデータである。また、判定対象データは、これらの物理量を示す数値データだけではなく、基板処理装置1に関するデータを可視化した静止画像データ及び動画像データも含んでいる。さらに、判定対象データは、例えば、基板処理装置1を製造元で立ち上げる時、基板処理装置1を販売先又はリース先で立ち上げる時、基板処理装置1の性能を販売先又はリース先で確認する時、販売先又はリース先で基板処理装置1を使用して基板Wを通常通りに処理する時に取得される。或いは、判定対象データは、例えば、販売先又はリース先で基板処理装置1を使用して基板Wを処理中に移譲が発生した時、基板処理装置1がメンテナンスされる時、基板Wが変更され、基板処理装置1の運転方法が変更された時に取得される。判定対象データは、例えば、ミリメートル(mm)、ニュートン(N)、パスカル(Pa)、分(min)等の物理系単位で表されていてもよいし、アンペア(A)、ボルト(V)、ビット(Bit)等の電気系単位で表されていてもよい。所定の基準は、例えば、判定対象データに対して設定されている上限、下限、閾値、後述する第一データ又は第二データと一致している割合である。
The determination target data includes data relating to the
データ判定部62は、第一データ及び第二データを学習データとして機械学習装置に入力することにより生成された学習済モデルを使用して判定対象データが上述した所定の基準を満たしているか否かを判定する。機械学習装置は、例えば、ニューラルネットワーク(NN:Neural Network)を含んでいる。また、ここで言うニューラルネットワークは、畳み込みニューラルネットワーク(CNN:Convolutional Neural Network)、リカレントニューラルネットワーク(RNN:Recurrent Neural Network)である。機械学習装置は、例えば、深層学習、強化学習等を実行することにより学習済モデルを生成する。
The
第一データは、上述した所定の基準を満たしているデータ、例えば、基板処理装置1が正常に稼働している場合に取得されるデータである。一方、第二データは、上述した所定の基準を満たしていないデータ、例えば、基板処理装置1が正常に稼働していない場合、基板処理装置1をメンテナンスする必要がある場合、基板処理装置1の部品が消耗している場合等に取得されるデータである。
The first data is data that satisfies the above-mentioned predetermined criteria, for example, data that is acquired when the
また、データ判定部62は、判定対象データが所定の基準を満たしていないと判定した場合、判定対象データが取得された要因を判定してもよい。この判定には、第一データ、第二データ及び第二データが取得された要因を示す要因データを学習データとして機械学習装置に入力することにより生成された学習済モデルが使用される。なお、ここで言う機械学習装置は、上述した機械学習装置と同じであってもよいし、異なっていてもよい。また、ここで言う学習済モデルは、上述した学習済モデルと同じであってもよいし、異なっていてもよい。
Further, when the
また、データ判定部62は、判定対象データが所定の基準を満たしていないと判定した場合、判定対象データが取得された場合に必要な対応を判定してもよい。この判定には、第一データ、第二データ及び第二データが取得された場合に必要な対応を示す対応データの少なくとも一つを学習データとして機械学習装置に入力することにより生成された学習済モデルが使用される。
Further, when the
また、対応データは、例えば、基板処理装置1の運転のマニュアルに記載されている対応を示すデータであり、基板処理装置1の運転に習熟している者が過去に実施した対応を示すデータであることが好ましい。具体的には、対応データは、基板処理装置1の運転のマニュアルに記載されている対応を示すデータであり、基板処理装置1の運転に習熟している者、例えば、同機種の装置について販売先又はリース先での基板処理装置1の運転を熟知している者が監督した場合のデータであることが好ましい。例えば、図3に示されている加減圧エリアの圧力の最大値が所定の閾値未満となった場合、基板Wがトップリング24から剥がれ難くなる。また、基板Wがトップリング24から剥がれなかった場合、基板処理装置1は、基板Wがトップリング24から剥がれなかった現象を上述した静止画像データ又は動画像データ等から検知し、この現象が発生したことを示す警報を出力する。
Further, the correspondence data is, for example, data indicating the correspondence described in the operation manual of the
判定結果データ出力部63は、データ判定部62が判定した結果を示す判定結果データを出力する。判定結果データは、判定対象データが取得された要因及び判定対象データが取得された場合に必要な対応が判定されていない場合、判定対象データが所定の基準を満たしているか否かを示すデータとなる。また、判定結果データは、判定対象データが取得された要因が判定されており、判定対象データが取得された場合に必要な対応が判定されていない場合、判定対象データが所定の基準を満たしているか否か及び当該要因を示すデータとなる。また、判定結果データは、判定対象データが取得された要因が判定されておらず、判定対象データが取得された場合に必要な対応が判定されている場合、判定対象データが所定の基準を満たしているか否か及び当該必要な対応を示すデータとなる。
The determination result
判定結果データは、例えば、ディスプレイに出力され、判定対象データが所定の基準を満たしているか否か、判定対象データが取得された要因及び判定対象データが取得された場合に必要な対応の少なくとも一つを表示するために使用される。また、判定結果データは、他の機器に転送されてもよい。 The judgment result data is output to the display, for example, whether or not the judgment target data satisfies a predetermined criterion, the factor from which the judgment target data is acquired, and at least one of the measures required when the judgment target data is acquired. Used to display one. Further, the determination result data may be transferred to another device.
判定結果データは、記憶装置又はネットワークを介して取得された後、判定結果データにより示される物理量を参照するための専用のビューワがインストールされている操業支援装置6に取り込まれる。次に、判定結果データは、操業支援装置6により解析され、所定の基準を満たしているか否かの判定の結果の出力に使用される。この結果は、例えば、〇〇に異状があるので部品を交換して下さい」、「〇〇の値が異常なので、△△の設定値を〇〇に変更して下さい」、「〇〇を作業要領書に沿って調整して下さい」等のメッセージである。これらのメッセージは、ディスプレイに表示された文字又は画像として出力されてもよいし、スピーカから出力された音声として出力されてもよい。そして、この結果は、記憶装置又はネットワークを介してディスプレイに出力され、ディスプレイに表示される。ユーザは、この表示結果を視認した後、部品の交換、設定値の変更、基板処理装置1の機械的調整等の作業を実施する。その後、判定結果ディスプレイの取り込みから上述したメッセージの出力までが繰り返され、異常等が解消されていることが確認される。
After the determination result data is acquired via the storage device or the network, the determination result data is taken into the operation support device 6 in which a dedicated viewer for referring to the physical quantity indicated by the determination result data is installed. Next, the determination result data is analyzed by the operation support device 6 and used to output the result of determination as to whether or not the predetermined criteria are satisfied. This result is, for example, "There is something wrong with XX, so please replace the part.", "Since the value of XX is abnormal, change the set value of △△ to XX.", "Work XX. Please adjust according to the procedure. " These messages may be output as characters or images displayed on the display, or may be output as audio output from the speaker. Then, this result is output to the display via the storage device or the network, and is displayed on the display. After visually recognizing this display result, the user performs operations such as replacement of parts, change of set values, and mechanical adjustment of the
次に、図3から図16を参照しながら上述した判定対象データ、第一データ及び第二データとなるデータの例について説明する。 Next, examples of the above-mentioned determination target data, the first data, and the second data will be described with reference to FIGS. 3 to 16.
図3は、上述した判定対象データ及び第一データの一例を示している。図3は、実施形態に係る基板処理装置が備えるトップリングの加減圧エリアの圧力の時間変化を示すグラフの一例を示す図である。図3は、横軸が時間を示しており、縦軸がトップリング24の加減圧エリアの圧力を示している。また、図3のうちの0秒から80秒までの範囲が一枚の基板Wの研磨に要する時間である。
FIG. 3 shows an example of the above-mentioned determination target data and the first data. FIG. 3 is a diagram showing an example of a graph showing the time change of the pressure in the pressurizing / depressurizing area of the top ring included in the substrate processing apparatus according to the embodiment. In FIG. 3, the horizontal axis represents time, and the vertical axis represents the pressure in the pressurizing / depressurizing area of the
図4は、トップリングの各加減圧エリアの圧力のグラフを重ねた場合の一例を示す図である。図4は、横軸が時間を示しており、縦軸が複数の加減圧エリアのうちのいずれかの加減圧エリアの圧力を示している。なお、図3から図7に示した加減圧エリアの圧力は、例えば、基板処理装置1に取り付けられている拡散型半導体圧力トランスジューサにより測定される。図4に示すように、判定対象データ及び第一データの少なくとも一方は、複数の物理量のグラフを描出している静止画像を示す静止画像データ又は動画像を示す動画像データであってもよい。
FIG. 4 is a diagram showing an example in which graphs of pressure in each pressurization / depressurization area of the top ring are superimposed. In FIG. 4, the horizontal axis represents time, and the vertical axis represents the pressure in any of the plurality of pressurization / depressurization areas. The pressure in the pressurization / depressurization area shown in FIGS. 3 to 7 is measured by, for example, a diffusion type semiconductor pressure transducer attached to the
図5は、上述した判定対象データ及び第一データの一例を示している。図5は、実施形態に係る基板処理装置が備えるトップリングの回転数の時間変化を示すグラフの一例を示す図である。図5は、横軸が時間を示しており、縦軸がトップリング24の回転数を示している。また、図7のうちの0秒から65秒までの範囲が一枚の基板Wの研磨に要する時間である。図5に示した回転数は、例えば、トップリング24を駆動させる交流サーボモータに搭載されているセンサにより計測される。或いは、図5に示した回転数は、例えば、当該交流サーボモータの電流の計測値又は電圧の計測値から算出される。
FIG. 5 shows an example of the above-mentioned determination target data and the first data. FIG. 5 is a diagram showing an example of a graph showing a time change of the rotation speed of the top ring included in the substrate processing apparatus according to the embodiment. In FIG. 5, the horizontal axis represents time and the vertical axis represents the rotation speed of the
図6は、上述した判定対象データ及び第一データの一例を示している。図6は、実施形態に係る基板処理装置が備えるトップリングの回転トルクの時間変化を示すグラフの一例を示す図である。図6は、横軸が時間を示しており、縦軸がトップリング24の回転トルクを示している。また、図6のうちの0秒から60秒までの範囲が一枚の基板Wの研磨に要する時間である。図6に示した回転トルクは、例えば、トップリング24を駆動させる交流サーボモータに搭載されているセンサにより計測される。或いは、図6に示した回転トルクは、例えば、当該交流サーボモータの電流の計測値又は電圧の計測値から算出される。
FIG. 6 shows an example of the above-mentioned determination target data and the first data. FIG. 6 is a diagram showing an example of a graph showing a time change of the rotational torque of the top ring included in the substrate processing apparatus according to the embodiment. In FIG. 6, the horizontal axis represents time, and the vertical axis represents the rotational torque of the
図7は、上述した判定対象データ及び第一データの一例を示している。図7は、実施形態に係る基板処理装置が備える研磨液供給ノズルから供給される研磨液の流量の時間変化を示すグラフの一例を示す図である。図7は、横軸が時間を示しており、縦軸が研磨液の流量を示している。また、図7のうちの0秒から60秒までの範囲が一枚の基板Wの研磨に要する時間である。図7に示した研磨液の流量は、例えば、研磨液供給ノズル25に取り付けられている流量計により計測される。
FIG. 7 shows an example of the above-mentioned determination target data and the first data. FIG. 7 is a diagram showing an example of a graph showing a time change of the flow rate of the polishing liquid supplied from the polishing liquid supply nozzle included in the substrate processing apparatus according to the embodiment. In FIG. 7, the horizontal axis represents time and the vertical axis represents the flow rate of the polishing liquid. Further, the range from 0 seconds to 60 seconds in FIG. 7 is the time required for polishing one substrate W. The flow rate of the polishing liquid shown in FIG. 7 is measured by, for example, a flow meter attached to the polishing
図8は、図3から図7に示したグラフを重ねた場合の一例を示す図である。図8は、横軸が時間を示しており、図3から図7のいずれかの縦軸が示す物理量を示している。図8に示すように、判定対象データ及び第一データの少なくとも一方は、複数の物理量のグラフを描出している静止画像を示す静止画像データ又は動画像を示す動画像データであってもよい。なお、判定対象データ、第一データ及び第二データとなるデータは、研磨部20に関しては、例えば、研磨テーブル23のトルク値、トップリング24に供給される流体の流量、当該流体の圧力、トップリング24を研磨テーブル23に押し付ける際の荷重、研磨液供給ノズル25より吐出される砥液の流量、ドレッサ26を研磨テーブル23に押し付ける際の圧力及びドレッサ26を研磨テーブル23に押し付ける際のトルク値の少なくとも二つを複合的に重ね合わせたものであってもよい。
FIG. 8 is a diagram showing an example in the case where the graphs shown in FIGS. 3 to 7 are superimposed. In FIG. 8, the horizontal axis indicates time, and the vertical axis of any of FIGS. 3 to 7 indicates the physical quantity. As shown in FIG. 8, at least one of the determination target data and the first data may be still image data showing a still image or moving image data showing a moving image drawing a graph of a plurality of physical quantities. Regarding the polishing
図9は、上述した判定対象データ及び第一データの一例を示している。図9は、実施形態に係る基板処理装置が備えるペンシルスポンジ型の洗浄モジュールの回転トルクの時間変化を示すグラフの一例を示す図である。図9は、横軸が時間を示しており、縦軸がペンシルスポンジ型の洗浄モジュールの回転トルクを示している。また、図9のうちの10秒から80秒までの範囲が一枚の基板Wの研磨に要する時間である。図9に示した回転トルクは、例えば、ペンシルスポンジ型の洗浄モジュールを駆動させる交流サーボモータに搭載されているセンサにより計測される。或いは、図9に示した回転トルクは、例えば、当該交流サーボモータの電流の計測値又は電圧の計測値から算出される。 FIG. 9 shows an example of the above-mentioned determination target data and the first data. FIG. 9 is a diagram showing an example of a graph showing a time change of the rotational torque of the pencil sponge type cleaning module included in the substrate processing apparatus according to the embodiment. In FIG. 9, the horizontal axis represents time, and the vertical axis represents the rotational torque of the pencil sponge type cleaning module. Further, the range from 10 seconds to 80 seconds in FIG. 9 is the time required for polishing one substrate W. The rotational torque shown in FIG. 9 is measured by, for example, a sensor mounted on an AC servomotor that drives a pencil sponge type cleaning module. Alternatively, the rotational torque shown in FIG. 9 is calculated from, for example, a measured value of the current or a measured value of the voltage of the AC servomotor.
図10は、上述した判定対象データ及び第一データの一例を示している。図10は、実施形態に係る基板処理装置が備える研磨液供給ノズルから供給されるドレッシング液の流量の時間変化を示すグラフの一例を示す図である。図10は、横軸が時間を示しており、縦軸がドレッシング液の流量を示している。また、図10のうちの10秒から80秒までの範囲が一枚の基板Wの研磨に要する時間である。図10に示したドレッシング液の流量は、研磨液供給ノズル25に取り付けられている流量計により計測される。なお、ドレッシング液は、例えば、純水であり、基板処理装置1に取り付けられている薬剤供給部から供給される。
FIG. 10 shows an example of the above-mentioned determination target data and the first data. FIG. 10 is a diagram showing an example of a graph showing a time change of the flow rate of the dressing liquid supplied from the polishing liquid supply nozzle included in the substrate processing apparatus according to the embodiment. In FIG. 10, the horizontal axis represents time and the vertical axis represents the flow rate of the dressing liquid. Further, the range from 10 seconds to 80 seconds in FIG. 10 is the time required for polishing one substrate W. The flow rate of the dressing liquid shown in FIG. 10 is measured by a flow meter attached to the polishing
図11は、図9に示したグラフ、図10に示したグラフ等を重ねた場合の一例を示す図である。図11は、横軸が時間を示しており、縦軸がペンシルスポンジ型の洗浄モジュールの回転トルク、ドレッシング液の流量等を示している。図11に示すように、判定対象データ及び第一データの少なくとも一方は、複数の物理量のグラフを描出している静止画像を示す静止画像データ又は動画像を示す動画像データであってもよい。なお、判定対象データ、第一データ及び第二データとなるデータは、洗浄部30に関しては、例えば、ロールスポンジ型の洗浄モジュールの回転トルク、ロールスポンジ型の洗浄モジュールの押付荷重、基板Wの回転数及び薬液の流量の少なくとも二つを複合的に重ね合わせたものであってもよい。また、判定対象データ、第一データ及び第二データとなるデータは、洗浄部30に関しては、例えば、ペンシルスポンジ型の洗浄モジュールの回転トルク、ペンシルスポンジ型の洗浄モジュールの押付荷重、基板Wの回転数及び薬液の流量の少なくとも二つを複合的に重ね合わせたものであってもよい。また、判定対象データ、第一データ及び第二データとなるデータは、基板乾燥装置32に関しては、例えば、基板Wの回転数及び薬液の流量の少なくとも二つを複合的に重ね合わせたものであってもよい。
FIG. 11 is a diagram showing an example in the case where the graph shown in FIG. 9 and the graph shown in FIG. 10 are superimposed. In FIG. 11, the horizontal axis represents time, and the vertical axis represents the rotational torque of the pencil sponge type cleaning module, the flow rate of the dressing liquid, and the like. As shown in FIG. 11, at least one of the determination target data and the first data may be still image data showing a still image or moving image data showing a moving image drawing a graph of a plurality of physical quantities. Regarding the
なお、図12及び図15に関して複数の物理量のグラフ等を複合的に重ね合わせたグラフを使用する理由は、次の通りである。例えば、研磨テーブル23のトルク値の異常信号がトップリング24と研磨テーブル23上の研磨パッド22との擦れが増大していたことによるものでもあっても、トップリング24が本来の位置関係である水平より傾きが増したこと、トップリング24の研磨パッド2と接する構成部品が割れたりひびが入ったりすること、又は基板Wが割れたこと等と理由は多岐にわたる。したがって、その他の関連データを更に時系列的に異常信号が検知された前後の値まで用意して比較することで、理由を同定し易くなる。また、重ね合わせるデータは、検知対象によっては、研磨部20内の各機構の要素データだけではなく、研磨部20以外の機構の要素データを含んでいてもよい。例えば、研磨部20以外の機構の要素データとして、第一リニアトランスポータ42及び第ニリニアトランスポータ43各々の昇降、走行軸のモータトルク、走行軸の速度、着座センサのインプット、着座センサのアウトプット、スイングトランスポータ44の昇降、旋回軸のモータトルク、旋回軸の速度、リミットセンサのインプット及びリミットセンサのアウトプットが挙げられる。さらに、これらのデータは、データ形式が揃っていてもよいし、データ形式が揃っていなくてもよい。同様に、重ね合わせるデータは、検知対象によっては、洗浄部30内の各機構の要素データを含んでいてもよい。
The reason for using a graph in which a plurality of physical quantity graphs and the like are superimposed with respect to FIGS. 12 and 15 is as follows. For example, even if the abnormal signal of the torque value of the polishing table 23 is due to the increased rubbing between the
また、図12及び図15に示すように、複数の物理量のグラフ等を複合的に重ね合わせたグラフを使用する場合、横軸の尺度及び縦軸の尺度の少なくとも一方が互いに一致しないことがある。横軸の尺度及び縦軸の尺度の少なくとも一方が互いに一致しない事態を避けるために、横軸の尺度及び縦軸の尺度を出来る限り揃えてもよい。一方、横軸の尺度及び縦軸の尺度の少なくとも一方が互いに一致しない事態が発生しても、そのまま使用され得る。ただし、横軸の尺度及び縦軸の尺度の少なくとも一方が互いに一致しない事態が発生した場合、複数の物理量のグラフ等を複合的に重ね合わせたグラフが動作に影響を及ぼさない条件が満たされている時のみ、複数の物理量のグラフ等を複合的に重ね合わせたグラフが使用される。 Further, as shown in FIGS. 12 and 15, when a graph in which a plurality of physical quantity graphs and the like are superimposed is used, at least one of the horizontal axis scale and the vertical axis scale may not match each other. .. In order to avoid a situation where at least one of the horizontal axis scale and the vertical axis scale does not match each other, the horizontal axis scale and the vertical axis scale may be aligned as much as possible. On the other hand, even if at least one of the horizontal axis scale and the vertical axis scale does not match each other, it can be used as it is. However, if at least one of the scale on the horizontal axis and the scale on the vertical axis do not match each other, the condition that the graph obtained by superimposing the graphs of a plurality of physical quantities in a complex manner does not affect the operation is satisfied. Only when there is, a graph in which a graph of a plurality of physical quantities is superimposed is used.
また、複数の物理量のグラフ等を複合的に重ね合わせたグラフは、ディスプレイに表示されず、単に機械学習装置に入力されて機械学習に使用されるだけであってもよい。さらに、複数の物理量のグラフ等を複合的に重ね合わせたグラフを使用した機械学習においては、必ず各物理量の単位等に着目する必要があるわけではなく、複数の物理量のグラフ等を複合的に重ね合わせたグラフが画像として捉えられてもよい。 Further, a graph obtained by superimposing a graph of a plurality of physical quantities in a complex manner may not be displayed on the display, but may be simply input to the machine learning device and used for machine learning. Furthermore, in machine learning using a graph in which graphs of a plurality of physical quantities are superimposed in a complex manner, it is not always necessary to pay attention to the unit of each physical quantity, and the graphs of a plurality of physical quantities are compounded. The superimposed graph may be captured as an image.
図12は、基板処理装置の消耗品が交換された直後におけるトップリングの回転トルクの時間変化を示すグラフの一例及び基板処理装置の消耗品が消耗している場合におけるトップリングの回転トルクの時間変化を示すグラフの一例を示す図である。図12は、横軸が時間を示しており、縦軸がトップリングの回転トルクを示している。 FIG. 12 shows an example of a graph showing the time change of the rotational torque of the top ring immediately after the consumables of the substrate processing apparatus are replaced, and the time of the rotational torque of the top ring when the consumables of the substrate processing apparatus are consumed. It is a figure which shows an example of the graph which shows the change. In FIG. 12, the horizontal axis represents time and the vertical axis represents the rotational torque of the top ring.
図12に実線で描かれているグラフは、基板処理装置1の消耗品が交換された直後におけるトップリング24の回転トルクの時間変化を示すグラフであり、上述した判定対象データ及び第一データの一例である。
The graph drawn by the solid line in FIG. 12 is a graph showing the time change of the rotational torque of the
一方、図12に点線で描かれているグラフは、基板処理装置1の消耗品が消耗している場合におけるトップリング24の回転トルクの時間変化を示すグラフであり、上述した判定対象データ及び第二データの一例である。図12に点線で描かれているグラフは、図12に実線で描かれているグラフと比較すると、形状が類似しているものの、回転トルク値が約10%低くなっている。
On the other hand, the graph drawn by the dotted line in FIG. 12 is a graph showing the time change of the rotational torque of the
したがって、図12に実線で描かれているグラフが第一データであり、図12に点線で描かれているグラフが判定対象データである場合、両者が一致している割合は、90%となる。また、例えば、この割合が60%未満であった場合、判定結果データは、消耗品を交換する必要があることを示すデータを含むデータとなる。 Therefore, when the graph drawn by the solid line in FIG. 12 is the first data and the graph drawn by the dotted line in FIG. 12 is the judgment target data, the ratio of matching between the two is 90%. .. Further, for example, when this ratio is less than 60%, the determination result data is data including data indicating that the consumables need to be replaced.
図13は、実施形態に係る基板処理装置が備えるトップリングの正常時における各加減圧エリアの圧力の時間変化を示すグラフの一例を示す図である。図13は、横軸が時間を示しており、縦軸が各加減圧エリアの圧力を示している。具体的には、細い実線、細い破線、細い一点鎖線、太い実線及び太い破線がそれぞれ第一加減圧エリア、第二加減圧エリア、第三加減圧エリア及び第四加減圧エリアの時間変化を示している。図13に示したグラフは、いずれも判定対象データ及び第一データの一例である。 FIG. 13 is a diagram showing an example of a graph showing a time change of pressure in each pressurization / depressurization area when the top ring included in the substrate processing apparatus according to the embodiment is normal. In FIG. 13, the horizontal axis represents time, and the vertical axis represents the pressure in each pressurization / depressurization area. Specifically, the thin solid line, the thin broken line, the thin alternate long and short dash line, the thick solid line and the thick broken line indicate the time change of the first pressurization / decompression area, the second pressurization / decompression area, the third pressurization / decompression area and the fourth pressurization / decompression area, respectively. ing. The graphs shown in FIG. 13 are examples of the determination target data and the first data.
図14は、実施形態に係る基板処理装置が備えるトップリングの異常時における各加減圧エリアの圧力の時間変化を示すグラフの一例を示す図である。図14は、横軸が時間を示しており、縦軸が各加減圧エリアの圧力を示している。具体的には、細い実線、細い破線、細い一点鎖線、太い実線及び太い破線がそれぞれの加減圧エリアの時間変化を示している。図14に細い実線で描かれているグラフは、判定対象データ及び第二データの一例である。一方、図14に描かれている他のグラフは、いずれも判定対象データ及び第一データの一例である。 FIG. 14 is a diagram showing an example of a graph showing a time change of pressure in each pressurization / depressurization area when the top ring included in the substrate processing apparatus according to the embodiment is abnormal. In FIG. 14, the horizontal axis represents time, and the vertical axis represents the pressure in each pressurization / depressurization area. Specifically, a thin solid line, a thin broken line, a thin alternate long and short dash line, a thick solid line, and a thick broken line indicate the time change of each pressurization / depressurization area. The graph drawn by a thin solid line in FIG. 14 is an example of the determination target data and the second data. On the other hand, the other graphs drawn in FIG. 14 are examples of the determination target data and the first data.
図14に細い実線で描かれているグラフは、楕円で囲まれている特異点を含んでいる。この場合、判定結果データは、バルブを交換する必要があることを示すデータを含むデータとなる。 The graph drawn with a thin solid line in FIG. 14 contains a singular point surrounded by an ellipse. In this case, the determination result data is data including data indicating that the valve needs to be replaced.
図15は、上述した判定対象データ及び第一データの一例を示している。図15は、実施形態に係る基板処理装置が備えるペンシルスポンジ型の洗浄モジュールの正常時における荷重の時間変化を示すグラフの一例を示す図である。図15は、横軸が時間を示しており、縦軸がペンシルスポンジ型の洗浄モジュールの荷重を示している。 FIG. 15 shows an example of the above-mentioned determination target data and the first data. FIG. 15 is a diagram showing an example of a graph showing a time change of a load in a normal state of a pencil sponge type cleaning module included in the substrate processing apparatus according to the embodiment. In FIG. 15, the horizontal axis represents time, and the vertical axis represents the load of the pencil sponge type cleaning module.
図16は、上述した判定対象データ及び第二データの一例を示している。図16は、実施形態に係る基板処理装置が備えるペンシルスポンジ型の洗浄モジュールの異常時における荷重の時間変化を示すグラフの一例を示す図である。図16は、横軸が時間を示しており、縦軸がペンシルスポンジ型の洗浄モジュールの荷重を示している。 FIG. 16 shows an example of the above-mentioned determination target data and the second data. FIG. 16 is a diagram showing an example of a graph showing a time change of a load when an abnormality occurs in a pencil sponge type cleaning module included in the substrate processing apparatus according to the embodiment. In FIG. 16, the horizontal axis represents time, and the vertical axis represents the load of the pencil sponge type cleaning module.
図16に示したグラフは、楕円で囲まれている特異点を含んでいる。この場合、判定結果データは、基板処理装置1に搭載されているレギュレータを再調整する必要があることを示すデータを含むデータとなる。
The graph shown in FIG. 16 contains singular points surrounded by an ellipse. In this case, the determination result data is data including data indicating that the regulator mounted on the
次に、図17を参照しながら実施形態に係る操業支援装置が実行する処理の一例を説明する。図17は、実施形態に係る操業支援装置が実行する処理の一例を示すフローチャートである。また、図17に示した処理は、例えば、基板処理装置1のセットアップ又は保守点検が実施されるタイミングで実行される。
Next, an example of the process executed by the operation support device according to the embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 17 is a flowchart showing an example of processing executed by the operation support device according to the embodiment. Further, the process shown in FIG. 17 is executed, for example, at the timing when the setup or maintenance / inspection of the
ステップS10において、判定対象データ取得部61は、半導体製造装置に関するデータであり、所定の基準を満たしているか否かの判定の対象となる判定対象データを取得する。
In step S10, the determination target
ステップS20において、データ判定部62は、判定対象データが所定の基準を満たしているか否かを判定する。データ判定部62は、判定対象データが所定の基準を満たしていると判定した場合(ステップS20:YES)、処理をステップS30に進める。一方、データ判定部62は、判定対象データが所定の基準を満たしていないと判定した場合(ステップS20:NO)、処理をステップS40に進める。
In step S20, the
ステップS30において、判定結果データ出力部63は、ステップS20で判定された結果を示す判定結果データを出力する。
In step S30, the determination result
ステップS40において、データ判定部62は、判定対象データが取得された要因を判定する。
In step S40, the
ステップS50において、データ判定部62は、判定対象データが取得された場合に必要な対応を判定する。
In step S50, the
ステップS60において、判定結果データ出力部63は、ステップS20からステップS40で判定された結果を示す判定結果データを出力する。
In step S60, the determination result
なお、操業支援装置6は、ステップS40で実行される処理とステップS50で実行される処理との順序を入れ替えて実行してもよい。また、操業支援装置6は、ステップS40で実行される処理及びステップS50で実行される処理の少なくとも一方を実行しなくてもよい。 The operation support device 6 may be executed by changing the order of the process executed in step S40 and the process executed in step S50. Further, the operation support device 6 does not have to execute at least one of the process executed in step S40 and the process executed in step S50.
以上、実施形態に係る基板処理システム100について操業支援装置6を中心に説明した。操業支援装置6は、第一データ及び第二データを学習データとして機械学習装置に入力することにより生成された学習済モデルを使用して判定対象データが所定の基準を満たしているか否かを判定する。これにより、操業支援装置6は、判定対象データが所定の基準を満たしていないこと、すなわち基板処理装置1に異常が発生していること、基板処理装置1の部品が消耗していること等をより確実に検知することができる。
The
また、操業支援装置6は、判定対象データが所定の基準を満たしていないと判定した場合、第一データ、第二データ及び第二データが取得された要因を示す要因データを学習データとして機械学習装置に入力することにより生成された学習済モデルを使用して判定対象データが取得された要因を判定する。これにより、操業支援装置6は、判定対象データが所定の基準を満たしていない要因を基板処理装置1のユーザに通知し、基板処理装置1の状態をより的確に把握させることができる。
Further, when the operation support device 6 determines that the determination target data does not satisfy the predetermined criteria, the operation support device 6 uses the factor data indicating the factors for which the first data, the second data, and the second data are acquired as learning data for machine learning. The factor for which the determination target data was acquired is determined using the trained model generated by inputting to the device. As a result, the operation support device 6 can notify the user of the
また、操業支援装置6は、判定対象データが所定の基準を満たしていないと判定した場合、第一データ、第二データ及び第二データが取得された場合に必要な対応を示す対応データの少なくとも一つを学習データとして機械学習装置に入力することにより生成された学習済モデルを使用して判定対象データが取得された場合に必要な対応を判定する。これにより、操業支援装置6は、判定対象データが所定の基準を満たしていない場合に実施した方が好ましい対応、実施すべき対応等を基板処理装置1のユーザに通知し、基板処理装置1をより的確に使用することを可能にすることができる。
Further, when the operation support device 6 determines that the determination target data does not satisfy the predetermined criteria, at least the correspondence data indicating the necessary correspondence when the first data, the second data, and the second data are acquired. The required correspondence is determined when the determination target data is acquired using the trained model generated by inputting one as training data into the machine learning device. As a result, the operation support device 6 notifies the user of the
また、操業支援装置6は、半導体製造装置に関するデータを可視化した静止画像データ及び動画像データの少なくとも一方を判定対象データとして取得する。これにより、操業支援装置6は、グラフの複数の箇所を検討することにより初めて導かれる知見、グラフを総合的に検討することにより初めて導かれる知見等を判定結果データに反映させることができる。また、これにより、操業支援装置6は、複数のグラフが重なっていたり、グラフが細かな振る舞いを示していたりすることにより、ユーザがグラフを見て基板処理装置1で発生している現象を読み取ることが難しい場合であっても、当該現象を検知して判定結果データに反映させることができる。
Further, the operation support device 6 acquires at least one of the still image data and the moving image data, which is a visualization of the data related to the semiconductor manufacturing device, as the determination target data. As a result, the operation support device 6 can reflect the knowledge derived for the first time by examining a plurality of parts of the graph, the knowledge derived for the first time by comprehensively examining the graph, and the like in the determination result data. Further, as a result, the operation support device 6 reads the phenomenon occurring in the
なお、上述した実施形態では、操業支援装置6が基板処理装置1から判定対象データを取得する場合を例に挙げたが、これに限定されない。操業支援装置6は、例えば、基板処理装置1以外の半導体処理装置から判定対象データを取得してもよい。また、基板処理装置1以外の半導体処理装置は、例えば、他の化学機械研磨装置、基板処理装置1の前段又は後段に設置されているベベル研磨装置、基板処理装置1の前段又は後段に設置されているめっき装置である。また、判定対象データは、基板処理装置1が備える複数の研磨モジュールごと又は複数の洗浄モジュールごとに取得され、これらのモジュールごとに解析され、これらのモジュール間で比較されてもよい。
In the above-described embodiment, the case where the operation support device 6 acquires the determination target data from the
また、操業支援装置6が有する機能の少なくとも一部は、LSI(Large Scale Integration)、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)、FPGA(Field-Programmable Gate Array)、GPU(Graphics Processing Unit)等の回路部(circuitry)を含むハードウェアにより実現されてもよい。 Further, at least a part of the functions of the operation support device 6 is a circuit unit such as an LSI (Large Scale Integration), an ASIC (Application Specific Integrated Circuit), an FPGA (Field-Programmable Gate Array), and a GPU (Graphics Processing Unit). It may be realized by hardware including circuits).
また、操業支援装置6が有する機能の少なくとも一部は、これらのハードウェアとソフトウェアとの協働により実現されてもよい。当該ソフトウェアは、例えば、非一過性の記憶媒体を備える記憶装置に格納されており、操業支援装置6により読み出され、実行されてもよい。当該記憶装置は、例えば、ハードディスクドライブ(HDD:Hard Disk Drive)、ソリッドステートドライブ(SSD:Solid State Drive)である。或いは、当該ソフトウェアは、着脱可能な非一過性の記憶媒体を備える記憶装置に格納されており、操業支援装置6により読み出され、実行されてもよい。当該記憶装置は、例えば、DVD、CD−ROMである。 Further, at least a part of the functions of the operation support device 6 may be realized by the cooperation of these hardware and software. The software may be stored in, for example, a storage device including a non-transient storage medium, read by the operation support device 6, and executed. The storage device is, for example, a hard disk drive (HDD: Hard Disk Drive) or a solid state drive (SSD: Solid State Drive). Alternatively, the software may be stored in a storage device including a removable non-transient storage medium, read by the operation support device 6, and executed. The storage device is, for example, a DVD or a CD-ROM.
また、上述した実施形態では、基板処理装置1と、操業支援装置6とが別々の装置である場合を例に挙げて説明したが、これに限定されない。例えば、操業支援装置6の少なくとも一部は、基板処理装置1に含まれていてもよい。また、ここで言う操業支援装置6の少なくとも一部は、例えば、判定対象データ結果部63である。さらに、操業支援装置6は、図2に示した制御部50内に組み込まれていてもよい。また、操業支援装置6は、例えば、基板処理装置1の製造元、基板処理装置1の販売先又はリース先に設置される。
Further, in the above-described embodiment, the case where the
以上、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳述したが、本発明の実施形態は、上述した形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変形、置換及び設計変更の少なくとも一つが付加され得る。 Although the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the drawings, the embodiments of the present invention are not limited to the above-described embodiments, and various modifications and substitutions are made without departing from the gist of the present invention. And at least one of the design changes can be added.
100…基板処理システム、1…基板処理装置、6…操業支援装置、61…判定対象データ取得部、62…データ判定部、63…判定結果データ出力部 100 ... Board processing system, 1 ... Board processing device, 6 ... Operation support device, 61 ... Judgment target data acquisition unit, 62 ... Data judgment unit, 63 ... Judgment result data output unit
Claims (9)
半導体製造装置に関するデータであり、前記所定の基準を満たしている第一データ及び半導体製造装置に関するデータであり、前記所定の基準を満たしていない第二データを学習データとして機械学習装置に入力することにより生成された学習済モデルを使用して前記判定対象データが前記所定の基準を満たしているか否かを判定するデータ判定部と、
前記データ判定部が判定した結果を示す判定結果データを出力する判定結果データ出力部と、
を備える操業支援装置。 Judgment target data acquisition unit that acquires judgment target data that is data related to semiconductor manufacturing equipment and is the target of judgment as to whether or not it meets a predetermined standard.
The data relating to the semiconductor manufacturing apparatus, the first data relating to the predetermined criteria and the data relating to the semiconductor manufacturing apparatus, and the second data not satisfying the predetermined criteria are input to the machine learning apparatus as learning data. A data determination unit that determines whether or not the determination target data satisfies the predetermined criteria using the trained model generated by
A judgment result data output unit that outputs judgment result data indicating the judgment result of the data judgment unit, and
Operation support device equipped with.
請求項1に記載の操業支援装置。 When the data determination unit determines that the determination target data does not satisfy the predetermined criteria, the data determination unit learns the first data, the second data, and factor data indicating the factors from which the second data was acquired. The factor for which the determination target data was acquired is determined using the trained model generated by inputting the data into the machine learning device.
The operation support device according to claim 1.
請求項1又は請求項2に記載の操業支援装置。 When the data determination unit determines that the determination target data does not satisfy the predetermined criteria, the data determination unit indicates a response necessary when the first data, the second data, and the second data are acquired. Using the trained model generated by inputting at least one of the data as training data into the machine learning device, the necessary response when the determination target data is acquired is determined.
The operation support device according to claim 1 or 2.
請求項1から請求項3のいずれか一つに記載の操業支援装置。 The determination target data acquisition unit acquires at least one of the still image data and the moving image data that visualize the data related to the semiconductor manufacturing apparatus as the determination target data.
The operation support device according to any one of claims 1 to 3.
請求項1から請求項4のいずれか一つに記載の操業支援装置。 When the ratio of the determination target data matching the first data is less than a predetermined threshold value, the data determination unit determines that the determination target data does not satisfy the predetermined criteria.
The operation support device according to any one of claims 1 to 4.
請求項1から請求項5のいずれか一つに記載の操業支援装置。 When the ratio of the determination target data matching the second data exceeds a predetermined threshold value, the data determination unit determines that the determination target data does not satisfy the predetermined criteria.
The operation support device according to any one of claims 1 to 5.
半導体製造装置に関するデータであり、所定の基準を満たしているか否かの判定の対象となる判定対象データを取得する判定対象データ取得機能と、
半導体製造装置に関するデータであり、前記所定の基準を満たしている第一データ及び半導体製造装置に関するデータであり、前記所定の基準を満たしていない第二データを学習データとして機械学習装置に入力することにより生成された学習済モデルを使用して前記判定対象データが前記所定の基準を満たしているか否かを判定するデータ判定機能と、
前記データ判定機能が判定した結果を示す判定結果データを出力する判定結果データ出力機能と、
を実現させる操業支援プログラム。 On the computer
Judgment target data acquisition function that acquires judgment target data that is data related to semiconductor manufacturing equipment and is the target of judgment as to whether or not it meets a predetermined standard, and
The data relating to the semiconductor manufacturing apparatus, the first data relating to the predetermined criteria and the data relating to the semiconductor manufacturing apparatus, and the second data not satisfying the predetermined criteria are input to the machine learning apparatus as learning data. A data determination function for determining whether or not the determination target data satisfies the predetermined criteria using the trained model generated by
A judgment result data output function that outputs judgment result data indicating the judgment result by the data judgment function, and
Operation support program to realize.
半導体製造装置に関するデータであり、前記所定の基準を満たしている第一データ及び半導体製造装置に関するデータであり、前記所定の基準を満たしていない第二データを学習データとして機械学習装置に入力することにより生成された学習済モデルを使用して前記判定対象データが前記所定の基準を満たしているか否かを判定するデータ判定ステップと、
前記データ判定ステップにおいて判定された結果を示す判定結果データを出力する判定結果データ出力ステップと、
を含む操業支援方法。 Judgment target data acquisition step to acquire the judgment target data that is the data related to the semiconductor manufacturing equipment and is the target of the judgment of whether or not the predetermined criteria are satisfied, and the judgment target data acquisition step.
The data relating to the semiconductor manufacturing apparatus, the first data relating to the predetermined criteria and the data relating to the semiconductor manufacturing apparatus, and the second data not satisfying the predetermined criteria are input to the machine learning apparatus as learning data. A data determination step for determining whether or not the determination target data satisfies the predetermined criteria using the trained model generated by
A judgment result data output step that outputs judgment result data indicating the judgment result in the data judgment step, and
Operation support methods including.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020059667A JP2021157693A (en) | 2020-03-30 | 2020-03-30 | Operation assisting device, operation assisting program, operation assisting method and polishing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2020059667A JP2021157693A (en) | 2020-03-30 | 2020-03-30 | Operation assisting device, operation assisting program, operation assisting method and polishing device |
Publications (1)
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Family Applications (1)
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JP2020059667A Pending JP2021157693A (en) | 2020-03-30 | 2020-03-30 | Operation assisting device, operation assisting program, operation assisting method and polishing device |
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JP (1) | JP2021157693A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023189170A1 (en) * | 2022-03-30 | 2023-10-05 | 株式会社荏原製作所 | Information processing device, inference device, machine-learning device, information processing method, inference method, and machine-learning method |
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2020
- 2020-03-30 JP JP2020059667A patent/JP2021157693A/en active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2023189170A1 (en) * | 2022-03-30 | 2023-10-05 | 株式会社荏原製作所 | Information processing device, inference device, machine-learning device, information processing method, inference method, and machine-learning method |
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