JP2021144974A - 電子デバイス、電子機器、及び移動体 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性に優れた電子デバイス、電子機器、及び移動体を提供する。【解決手段】電子デバイスは、パッド１２を有する半導体装置１０と、半導体装置１０が固定され、配線２９が設けられているベース３１と、パッド１２と配線２９とを電気的に接続するバンプ４０と、を備え、半導体装置１０は、パッド１２が一方の面１１ａに設けられている半導体基板１１と、半導体基板１１の面１１ａに配置されているインダクター１３と、インダクター１３を覆い、且つ、パッド１２が露出するように、半導体基板１１の面１１ａに形成されている絶縁層１４と、絶縁層１４の半導体基板１１と反対側の面に配置されている樹脂層１５と、パッド１２と電気的に接続された第１部分１７と、樹脂層１５の絶縁層１４と反対側の面に配置された第２部分１８と、を有する再配置配線１６と、を含み、第２部分１８とベース３１の配線２９とがバンプ４０により接合されている。【選択図】図４

Description

本発明は、電子デバイス、電子機器、及び移動体に関する。

水晶振動子等の振動子を発振させて所望の周波数の信号を出力する発振器は、様々な電子機器やシステムに広く使用されている。小型化の要求を満たすため、振動子と振動子を発振させるための集積回路素子（ＩＣ：Integrated Circuit）とが積層された発振器が知られている。例えば、特許文献１には、インダクターを含む電圧制御発振回路を備えたＩＣ上に、セラミックパッケージに収納された振動子を搭載した構造の発振器が記載されている。また、特許文献２には、低背化を図るために、セラミックパッケージ内で、ＩＣをＦＣＢ（Flip-chip Bonding）実装した構造の発振器が記載されている。

特開２０１９−９７１４９号公報 特開２０１７−５５２８０号公報

しかしながら、特許文献１のように、ＩＣ上に電圧制御発振回路用のインダクターを構成する際には、ＩＣの最上層のアルミ配線の厚さを厚くすることが考えられる。アルミが厚いほど、直列抵抗が小さくなり、インダクターのＱ値が向上する。また、インダクターとＩＣとの距離を離すほど寄生容量やＩＣで発生する渦電流損失が小さくなるので、インダクターは最上層配線で構成される。結果として、インダクターを搭載したＩＣのアルミＰＡＤは厚いものとなってしまう。その厚いアルミＰＡＤを備えたＩＣを、特許文献２のようにＦＣＢ実装する場合、実装時の圧力によってアルミＰＡＤが押し潰され、変形する虞があるという課題があった。

電子デバイスは、パッドを有する半導体装置と、前記半導体装置が固定され、配線が設けられているベースと、前記半導体装置の前記パッドと前記ベースの前記配線とを電気的に接続するバンプと、を備え、前記半導体装置は、前記パッドが一方の面に設けられている半導体基板と、金属配線により形成され、前記半導体基板の前記一方の面に配置されているインダクターと、前記インダクターを覆い、且つ、前記パッドが露出するように、前記半導体基板の前記一方の面に形成されている絶縁層と、前記絶縁層の前記半導体基板と反対側の面に配置されている樹脂層と、前記パッドと電気的に接続された第１部分と、前記樹脂層の前記絶縁層と反対側の面に配置された第２部分と、を有する再配置配線と、を含み、前記第２部分と前記ベースの前記配線とが前記バンプにより接合されている。

電子機器は、上記の電子デバイスを備えている。

移動体は、上記の電子デバイスを備えている。

第１実施形態に係る電子デバイスの概略構成を示す平面図。 図１のＡ−Ａ線での断面図。 半導体装置の概略構成を示す平面図。 図３のＢ−Ｂ線での断面図。 半導体装置の概略構成を示す平面図。 電子デバイスの概略構成を示すブロック図。 第２実施形態に係る電子デバイスの半導体装置の概略構成を示す断面図。 第３実施形態に係る電子デバイスを備える電子機器としてのスマートフォンの概略構成を示す斜視図。 第４実施形態に係る電子デバイスを備える移動体としての自動車の概略構成を示す斜視図。

１．第１実施形態
先ず、第１実施形態に係る電子デバイスの一例として、発振器１を挙げて図１〜図６を参照して説明する。
なお、図１において、発振器１の内部の構成を説明する便宜上、リッド３９を取り外した状態を図示している。また、図２において、半導体装置１０の断面は、半導体装置１０の実装構造を説明する便宜上、図４の断面を図示している。

また、説明の便宜上、図１〜図５には互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸を図示している。また、Ｘ軸に沿う方向を「Ｘ方向」、Ｙ軸に沿う方向を「Ｙ方向」、Ｚ軸に沿う方向を「Ｚ方向」とし、矢印の方向がプラス方向である。また、Ｚ方向のプラス方向を「上」、Ｚ方向のマイナス方向を「下」として説明する。

本実施形態に係る発振器１は、図１及び図２に示すように、半導体装置１０と、振動素子としての水晶振動子２０と、半導体装置１０と水晶振動子２０とを収容するパッケージ３０と、を含む。

半導体装置１０は、ＩＣ（Integrated Circuit）と呼ばれる集積回路装置である。例えば半導体装置１０は、半導体プロセスにより製造されるＩＣであり、半導体基板上に回路素子が形成された半導体チップである。

水晶振動子２０は、電気的な信号により機械的な振動を発生する圧電振動素子であり、水晶基板により実現できる。具体的には水晶振動子２０は、カット角がＡＴカットやＳＣカットなどの厚みすべり振動する水晶基板により実現できる。なお、水晶振動子２０を有する発振器１は、ＳＰＸＯ（Simple Packaged Crystal Oscillator）であってもよいし、恒温槽を備えない温度補償型発振器（ＴＣＸＯ）や、恒温槽を備える恒温槽型発振器（ＯＣＸＯ）であってもよい。

パッケージ３０は、例えばセラミック等により形成されているベース３１と、ベース３１の上面に形成された接合材３２と、ベース３１の下面に形成された実装端子３３と、を含み、その内側に収容空間Ｓを有している。この収容空間Ｓに半導体装置１０及び水晶振動子２０が収容される。収容空間Ｓは、ベース３１上面に接合材３２を介してリッド３９を接合することで気密封止されており、窒素（Ｎ₂）、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）等の不活性ガスが封入された大気圧状態又は真空に近い状態である減圧状態になっている。このパッケージ３０により、半導体装置１０及び水晶振動子２０を衝撃、埃、熱、湿気等から好適に保護することができる。

ベース３１は、図２に示すように、その内側に、上面に開口する第１凹部３４と、第１凹部３４の底面３５に開口する第２凹部３６を有する。
第１凹部３４の底面３５には、接続端子３８が配置されており、接続端子３８上に導電性接着剤等の接合部材４２によって水晶振動子２０が固定されている。
第２凹部３６の底面３７には、配線２９が設けられており、配線２９上に導電性のバンプ４０によって、半導体装置１０が固定されている。なお、バンプ４０は、金属で形成された金属バンプであり、例えば、金バンプ、銀バンプ、又は銅バンプ等である。

第１凹部３４の底面３５に設けられた接続端子３８は、ベース３１に設けられた図示しない貫通配線や内部配線により、第２凹部３６の底面３７に設けられた配線２９と電気的に接続されている。また、第２凹部３６の底面３７に設けられた配線２９の幾つかは、ベース３１に設けられた図示しない貫通配線や内部配線により、ベース３１の下面に設けられた実装端子３３と電気的に接続されている。

水晶振動子２０は、圧電体としての水晶基板２１と、水晶基板２１の上下両主面に設けられた励振電極２２と、水晶基板２１のＸ方向の一方の端部で上下両主面に設けられた電極パッド２４と、励振電極２２と電極パッド２４とを電気的に接続するリード電極２３と、を含む。水晶基板２１の上下両主面に設けられた電極パッド２４は、図示しない側面電極で上面の電極パッド２４と下面の電極パッド２４とが電気的に接続されている。水晶基板２１の上面に設けられた励振電極２２は、水晶基板２１の上面に設けられたリード電極２３を介して電極パッド２４と電気的に接続され、水晶基板２１の下面に設けられた励振電極２２は、水晶基板２１の下面に設けられたリード電極２３を介して電極パッド２４と電気的に接続されている。従って、接続端子３８等を介して、半導体装置１０と電気的に接続され、後述する半導体装置１０に設けられた発振回路５０と電気的に接続されるようになり、発振回路５０による水晶振動子２０の発振動作が可能になる。

半導体装置１０は、図３及び図４に示すように、発振回路５０とＰＬＬ回路６０とが形成された半導体基板１１と、パッド１２と、インダクター１３と、絶縁層１４と、樹脂層１５と、再配置配線１６と、を含む。半導体装置１０は、再配置配線１６が配置された面をベース３１側に向け、バンプ４０によってベース３１上に固定されている。また、半導体装置１０は、水晶振動子２０とベース３１との間に配置され、Ｚ方向からの平面視で、水晶振動子２０と重なって配置されている。そのため、ＸＹ面の面積が小さい小型の発振器１を得ることができる。

半導体基板１１には、水晶振動子２０を発振させる発振回路５０と、発振回路５０の発振信号を基準信号として動作するＰＬＬ回路６０と、が形成されている。また、半導体基板１１には、図示を省略するが発振回路５０やＰＬＬ回路６０を構成する複数の回路素子同士を電気的に接続する複数の配線層が形成されている。

パッド１２は、半導体基板１１の一方の面１１ａに複数配置されており、その中の一つは、ＰＬＬ回路６０からのクロック信号が出力される出力パッドである。

インダクター１３は、パッド１２と同じアルミニウム（Ａｌ）等の金属配線で形成され、パッド１２と同じ半導体基板１１の一方の面１１ａに配置されている。つまり、インダクター１３は、上述した複数の配線層よりもベース３１に最も近い配線層である第１の配線層に設けられた金属配線により構成されている。そのため、半導体装置１０をベース３１にＦＣＢ実装することで、水晶振動子２０の励振電極２２と、インダクター１３の形成された半導体基板１１の一方の面１１ａと、の間の距離を確保できるので、励振電極２２によって遮られるインダクター１３の磁界が低減され、インダクター１３のＱ値を良くすることができる。

また、インダクター１３の金属配線の厚さは、インダクター１３の直列抵抗が小さくなり、Ｑ値が向上する１μｍ以上１０μｍ以下であり、好ましくは、より膜厚制御がし易く、成膜時間が短い２μｍ以上６μｍ以下である。また、インダクター１３は、後述するＰＬＬ回路６０に設けられた電圧制御発振回路６３と電気的に接続され、ＬＣ発振回路の回路構成を成し、電圧制御発振器（ＶＣＯ：Voltage controlled oscillator）として発振動作する。

酸化膜等の絶縁層１４は、インダクター１３を覆い、且つ、パッド１２を露出するように、半導体基板１１の一方の面１１ａに形成されている。
ポリイミド樹脂等の樹脂層１５は、絶縁層１４の半導体基板１１と反対側の面に配置されている。

再配置配線１６は、パッド１２と同数配置されており、パッド１２と電気的に接続された第１部分１７と、樹脂層１５の絶縁層１４と反対側の面に配置された第２部分１８と、を有している。なお、上述したＰＬＬ回路６０からのクロック信号が出力されるパッド１２の位置に設けられた再配置配線１６は、発振回路５０の発振信号とＰＬＬ回路６０のクロック信号との干渉を低減するために、Ｚ方向からの平面視で、発振回路５０と重ならない位置に配置されている。また、再配置配線１６は、銅（Ｃｕ）を主材料とし、バンプ４０が接合される面にニッケル（Ｎｉ）／パラジウム（Ｐｄ）／金（Ａｕ）メッキが施されている。

半導体装置１０は、樹脂層１５上に形成された再配置配線１６の第２部分１８を導電性のバンプ４０で接合することで、ベース３１上に固定されている。また、半導体装置１０のパッド１２は、再配置配線１６及びバンプ４０を介してベース３１に設けられた配線２９と電気的に接続されている。

本実施形態の発振器１は、バンプ４０が接合される再配置配線１６の第２部分１８が樹脂層１５上に形成されているため、半導体装置１０をベース３１にＦＣＢ実装する際の圧力が半導体装置１０のパッド１２に加わらないため、パッド１２の変形や破損を抑制することができる。また、ベース３１と半導体装置１０との線膨張係数の違いから環境温度の変化によりバンプ４０を介して生じる応力やＦＣＢ実装時の半導体装置１０に加わる応力や衝撃を樹脂層１５で吸収することができ、半導体装置１０の損傷をし難くすることができる。

また、再配置配線１６は、図３に示すように、複数設けられており、全ての再配置配線１６において、それぞれの第２部分１８は、第１部分１７より半導体装置１０の中心Ｏに近い位置に配置されている。つまり、第２部分１８と半導体装置１０の中心Ｏとの距離Ｗ１は、Ｚ方向からの平面視で、第１部分１７と半導体装置１０の中心Ｏとの距離Ｗ２より小さい。そのため、ベース３１とバンプ４０を介して接合される位置同士が近くなるため、ベース３１と半導体装置１０との線膨張係数の違いから環境温度の変化により生じる応力の影響を低減することができる。なお、半導体装置１０の中心Ｏとは、図３に示すように、半導体装置１０が矩形の場合、一番離れた２つの角部を結ぶ２本の対角線Ｌ１，Ｌ２の交点である。また、半導体装置１０が矩形でない場合には、半導体装置１０の重心を中心Ｏとする。

また、再配置配線１６は、Ｚ方向からの平面視で、インダクター１３と重ならない位置に配置される。そのため、再配置配線１６とインダクター１３との間に生じる寄生容量を低減することができる。

また、図５に示すように、インダクター１３を挟むように配置された再配置配線１６から等距離Ｗ３にある仮想直線Ｌ３を規定したときに、インダクター１３は、Ｚ方向からの平面視で、仮想直線Ｌ３と交差する位置に配置されている。そのため、インダクター１３を挟む再配置配線１６とインダクター１３との間に生じる寄生容量の影響を低減することができる。

次に、本実施形態の発振器１が備える半導体装置１０の回路構成について、図６を参照して説明する。
半導体装置１０は、図６に示すように、発振回路５０とＰＬＬ回路６０とを有し、半導体基板１１の一方の面１１ａに設けられた２つのパッド１２を介して、発振回路５０と水晶振動子２０とを電気的に接続し、発振回路５０で水晶振動子２０を発振させる。発振回路５０から出力した基準クロック信号ＲＦＣＫを、ＰＬＬ回路６０において、１／Ｎ分周したフィードバッククロック信号ＦＢＣＫと同期させることにより、基準クロック信号ＲＦＣＫのＮ倍の周波数を持つクロック信号ＣＫＱをパッド１２から出力する。

発振回路５０は、水晶振動子２０を発振させて発振信号である基準クロック信号ＲＦＣＫを生成する。例えば水晶振動子２０の発振の周波数をｆｘｔａｌとした場合に、基準クロック信号ＲＦＣＫの周波数もｆｘｔａｌになる。

ＰＬＬ回路６０は、基準クロック信号ＲＦＣＫが入力されるとＰＬＬ（Phase Locked Loop）の動作を行う。例えばＰＬＬ回路６０は、基準クロック信号ＲＦＣＫの周波数をＮ倍した周波数のクロック信号ＣＫＱを生成する。即ち基準クロック信号ＲＦＣＫに位相同期した高精度のクロック信号ＣＫＱを生成する。ＰＬＬ回路６０は、位相比較回路６１と、制御電圧生成回路６２と、電圧制御発振回路６３と、分周回路６４を含む。

位相比較回路６１は、基準クロック信号ＲＦＣＫとフィードバッククロック信号ＦＢＣＫとの間の位相比較を行う。例えば位相比較回路６１は、基準クロック信号ＲＦＣＫとフィードバッククロック信号ＦＢＣＫの位相を比較し、基準クロック信号ＲＦＣＫとフィードバッククロック信号ＦＢＣＫの位相差に応じた信号ＣＱを位相比較結果の信号として出力する。位相差に応じた信号ＣＱは、例えば位相差に比例したパルス幅のパルス信号である。

制御電圧生成回路６２は、位相比較回路６１での位相比較の結果に基づいて、制御電圧ＶＣを生成する。例えば制御電圧生成回路６２は、位相比較回路６１からの位相比較結果の信号ＣＱに基づいて、チャージポンプ動作やフィルター処理を行って、電圧制御発振回路６３の発振を制御する制御電圧ＶＣを生成する。

電圧制御発振回路６３は、半導体基板１１上に形成されたインダクター１３及び回路素子とともに形成されたコンデンサーと電気的に接続されているので、ＬＣの共振周波数で発振するＬＣ発振回路であり、制御電圧ＶＣに対応する周波数のクロック信号ＣＫＱを生成する。例えば制御電圧生成回路６２からの制御電圧ＶＣに基づいて発振動作を行って、クロック信号ＣＫＱを生成する。例えば電圧制御発振回路６３は、制御電圧ＶＣに応じて変化する周波数のクロック信号ＣＫＱを発振動作により生成する。一例としては、電圧制御発振回路６３は、バラクターなどの可変容量素子を有し、この可変容量素子の容量が制御電圧ＶＣに基づいて変化することで、電圧制御発振回路６３の発振動作により生成される発振信号であるクロック信号ＣＫＱの周波数が変化する。

分周回路６４は、クロック信号ＣＫＱを分周してフィードバッククロック信号ＦＢＣＫを出力する。例えば分周回路６４は、クロック信号ＣＫＱの周波数を、分周比データにより設定される分周比で分周した周波数の信号を、フィードバッククロック信号ＦＢＣＫとして出力する。例えば電圧制御発振回路６３の発振の周波数をｆｖｃｏとし、分周回路６４を分周動作の分周比をＮとした場合に、フィードバッククロック信号ＦＢＣＫの周波数は、ｆｖｃｏ／Ｎになる。なお、Ｎは、整数であってもよいし、小数部分を含む値であってもよい。

２．第２実施形態
次に、第２実施形態に係る電子デバイスとしての発振器１ａについて、図７を参照して説明する。

本実施形態の発振器１ａは、第１実施形態の発振器１に比べ、半導体装置１０ａの再配置配線１６ａの形状が異なること以外は、第１実施形態の発振器１と同様である。なお、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。

発振器１ａは、図７に示すように、パッド１２と電気的に接続する再配置配線１６ａの第１部分１７のＺ方向の長さが長い、つまり第１部分１７の再配置配線１６ａの厚みが厚い。そのため、パッド１２を露出する絶縁層１４及び樹脂層１５の開口部のエッジにおける再配置配線１６ａの厚みが厚くなり、エッジにおける再配置配線１６ａの断線の虞を低減することができる。

このような構成とすることで、再配置配線１６ａとパッド１２との電気的な接続信頼性が向上し、且つ、第１実施形態の発振器１と同様の効果を得ることができる。

３．第３実施形態
次に、第３実施形態に係る電子デバイスとしての発振器１，１ａを備えている電子機器の一例として、スマートフォン１２００を挙げて説明する。なお、以下の説明では、発振器１を適用した構成を例示して説明する。

スマートフォン１２００は、図８に示すように、上述した発振器１が組込まれている。スマートフォン１２００の制御部１２０１には、表示部１２０８の表示画像を制御するための基準クロック等として機能する発振器１が内蔵されている。
このような電子機器は、上述した発振器１を備えていることから、上記実施形態で説明した効果が反映され、性能に優れている。

なお、上述した発振器１を備えている電子機器としては、スマートフォン１２００以外に、例えば、インクジェットプリンターなどのインクジェット式吐出装置、携帯電話、ラップトップ型やモバイル型のパーソナルコンピューター、テレビ、デジタルスチルカメラ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、各種ナビゲーション装置、ページャー、通信機能付も含む電子手帳、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、魚群探知機、各種測定機器、計器類、フライトシミュレーターなどや電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡などの医療機器が挙げられる。いずれの場合にも、これらの電子機器は、上述した発振器１を備えていることから、上記実施形態で説明した効果が反映され、性能に優れている。

４．第４実施形態
次に、第４実施形態に係る電子デバイスとしての発振器１，１ａを備えている移動体の一例として、自動車１５００を挙げて説明する。なお、以下の説明では、発振器１を適用した構成を例示して説明する。

自動車１５００は、図９に示すように、上述した発振器１が組込まれている。自動車１５００の車体１５０１には、タイヤ１５０３を制御する電子制御ユニット１５０２の基準クロック等として機能する発振器１が搭載されている。また、発振器１は、他にもキーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム（ＴＰＭＳ：Tire Pressure Monitoring System）、エンジンコントロール、自動運転用慣性航法の制御機器、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター等の電子制御ユニット（ＥＣＵ：Electronic Control Unit）に広く適用できる。

また、移動体に適用される発振器１は、上記の例示の他にも、例えば、二足歩行ロボットや電車などの姿勢制御、ラジコン飛行機、ラジコンヘリコプター、及びドローンなどの遠隔操縦あるいは自律式の飛行体の姿勢制御、農業機械、もしくは建設機械などの姿勢制御において利用することができ、いずれの場合にも、上記実施形態で説明した効果が反映され、性能に優れた移動体を提供することができる。

１，１ａ…電子デバイスとしての発振器、１０…半導体装置、１１…半導体基板、１１ａ…面、１２…パッド、１３…インダクター、１４…絶縁層、１５…樹脂層、１６…再配置配線、１７…第１部分、１８…第２部分、２０…振動素子としての水晶振動子、２１…圧電体としての水晶基板、２２…励振電極、２３…リード電極、２４…電極パッド、２９…配線、３０…パッケージ、３１…ベース、３２…接合材、３３…実装端子、３４…第１凹部、３５…底面、３６…第２凹部、３７…底面、３８…接続端子、３９…リッド、４０…バンプ、４２…接合部材、５０…発振回路、６０…ＰＬＬ回路、６１…位相比較回路、６２…制御電圧生成回路、６３…電圧制御発振回路、６４…分周回路、１２００…電子機器としてのスマートフォン、１５００…移動体としての自動車、Ｌ１，Ｌ２…対角線、Ｌ３…仮想直線、Ｏ…中心、Ｓ…収容空間、Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３…距離。

Claims (11)

1. パッドを有する半導体装置と、
   前記半導体装置が固定され、配線が設けられているベースと、
   前記半導体装置の前記パッドと前記ベースの前記配線とを電気的に接続するバンプと、
   を備え、
   前記半導体装置は、
   前記パッドが一方の面に設けられている半導体基板と、
   金属配線により形成され、前記半導体基板の前記一方の面に配置されているインダクターと、
   前記インダクターを覆い、且つ、前記パッドが露出するように、前記半導体基板の前記一方の面に形成されている絶縁層と、
   前記絶縁層の前記半導体基板と反対側の面に配置されている樹脂層と、
   前記パッドと電気的に接続された第１部分と、前記樹脂層の前記絶縁層と反対側の面に配置された第２部分と、を有する再配置配線と、
   を含み、
   前記第２部分と前記ベースの前記配線とが前記バンプにより接合されている、
   電子デバイス。
2. 前記ベースに配置されており、前記半導体装置と電気的に接続されている振動素子をさらに備え、
   前記半導体基板に、前記振動素子を発振させる発振回路と、前記発振回路の発振信号を基準信号として動作するＰＬＬ回路と、が形成され、
   前記ＰＬＬ回路は、前記インダクターと電気的に接続されている電圧制御発振回路を含んでいる、
   請求項１に記載の電子デバイス。
3. 複数の前記再配置配線を備え、
   各々の前記再配置配線において、前記第２部分と前記半導体装置の中心との距離は、平面視で、前記第１部分と前記半導体装置の前記中心との距離より小さい、
   請求項１又は請求項２に記載の電子デバイス。
4. 前記インダクターを挟むように配置された前記再配置配線から等距離にある仮想直線を規定したとき、
   前記インダクターは、平面視で、前記仮想直線と交差する位置に配置されている、
   請求項３に記載の電子デバイス。
5. 前記再配置配線は、平面視で、前記インダクターと重ならない位置に配置される、
   請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の電子デバイス。
6. 前記インダクターの前記金属配線の厚さは、１μｍ以上１０μｍ以下である、
   請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の電子デバイス。
7. 前記インダクターの前記金属配線の厚さは、２μｍ以上６μｍ以下である、
   請求項６に記載の電子デバイス。
8. 前記振動素子は、圧電体及び励振電極を含み、
   前記半導体装置は、前記振動素子と前記ベースとの間に配置され、
   前記半導体装置は、複数の配線層を備え、
   前記インダクターは、前記ベースに最も近い配線層である第1の配線層に設けられた前記金属配線により形成されている、
   請求項２に記載の電子デバイス。
9. 前記パッドは、前記ＰＬＬ回路からのクロック信号が出力される出力パッドであり、
   前記再配置配線は、平面視で、前記発振回路と重ならない位置に設けられている、
   請求項２に記載の電子デバイス。
10. 請求項１乃至請求項９の何れか一項に記載の電子デバイスを備えている、
    電子機器。
11. 請求項１乃至請求項９の何れか一項に記載の電子デバイスを備えている、
    移動体。

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