JP2021143408A - マスク取付装置、成膜装置、マスク取付方法、成膜方法、電子デバイスの製造方法、マスク、基板キャリア、及び基板キャリアとマスクのセット - Google Patents
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Abstract
Description
を向上させることができる技術を提供することを目的とする。
基板を保持する基板キャリアの周縁部における、前記基板の周縁部をなす複数の辺のうち所定の方向に沿って配された一対の対向辺に対応した一対の周縁領域を支持する第1の支持部と第2の支持部とを有する基板キャリア支持手段と、
マスクの周縁部をなす複数の辺のうち前記所定の方向に沿って配された一対の対向辺に対応した前記マスクの一対の周縁領域を支持する第3の支持部と第4の支持部とを有するマスク支持手段と、
前記基板キャリア支持手段と前記マスク支持手段の少なくとも一方を移動させる移動手段と、
前記移動手段を制御し、前記基板キャリアと前記マスクとが離隔した離隔状態と、前記基板キャリアが前記マスクの上に載せられる取付状態と、にする制御手段と、
を備えるマスク取付装置であって、
前記基板キャリアが前記基板キャリア支持手段のみによって支持されているときの前記基板キャリアの撓み量dcは、前記マスクが前記マスク支持手段のみによって支持されているときの前記マスクの撓み量dmよりも大きい
ことを特徴とする。
以下に図面を参照して、この発明を実施するための形態を、実施例に基づいて例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは、特に特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
ては、電子デバイスを製造するための装置に備えられるマスク装着装置等を例にして説明する。また、電子デバイスを製造するための成膜方法として、真空蒸着法を採用した場合を例にして説明する。ただし、本発明は、成膜方法としてスパッタリング法を採用する場合にも適用可能である。また、本発明のマスク装着装置等は、成膜工程に用いられる装置以外においても、基板にマスクを装着する必要のある各種装置にも応用可能であり、特に大型基板が処理対象となる装置に好ましく適用できる。なお、本発明に適用される基板の材料としては、ガラスの他、半導体(例えば、シリコン)、高分子材料のフィルム、金属などの任意の材料を選ぶことができる。また、基板として、例えば、シリコンウエハ、又はガラス基板上にポリイミドなどのフィルムが積層された基板を採用することもできる。なお、基板上に複数の層を形成する場合においては、一つ前の工程までに既に形成されている層も含めて「基板」と称するものとする。また、以下で説明する各種装置等の同一図面内に同一もしくは対応する部材を複数有する場合には、図面中にa、bなどの添え字を付与して示す場合があるが、説明文において区別する必要がない場合には、a、bなどの添え字を省略して記述する場合がある。
図1は、本実施形態のインライン蒸着装置のアライメント機構部における全体構成を示すための模式的な断面図である。図1(a)は、蒸着装置のアライメント機構が有する各部位の配置、構成および関係を説明する図である。図1(b)はガラス基板を保持搬送するためのキャリア機構部とマスクの搭載状態を拡大した図である。図2は、本実施形態の蒸着装置におけるマスク保持部及び基板を斜め下方からみた斜視図である。
れていても良い。なお、本明細書における「真空」とは、大気圧より低い圧力の気体で満たされた空間内の状態をいい、典型的には、1atm(1013hPa)より低い圧力の気体で満たされた空間内の状態をいう。
0はマスク6を移動させてもよいし、基板5およびマスク6の両方を移動させてもよい。すなわち、位置合わせ機構60は基板5およびマスク6の少なくとも一方を移動させる機構であり、これにより、基板5とマスク6の相対的な位置を合わせることができる。
16に受け渡される。これにより、基板キャリア9とマスク6とが、上下方向に重なる配置で、それぞれ別々に支持された状態となる。そして、キャリア支持部8を前後左右の位置を調整しながら下降させることで、基板キャリア9をマスク6に対して位置合わせすることが可能である。
の剛性をできるだけ高くして撓まないようにすると、いくつかの不都合が生じることがわかった。以下、基板キャリア9の剛性をできるだけ高くして、キャリア自重撓み量dcがマスク自重撓み量dmよりも小さくなった場合(すなわち、dc<dmとなった場合)に生じる不都合について説明する。
間の隙間を十分に小さくすることができ、成膜時の膜ボケを抑制することができるようになる。
場合には、駆動ユニット21bと駆動ユニット21cのそれぞれにおいて+Y方向にスライドさせる力を駆動ユニットモータ25で発生させ、Z昇降ベース13にその力を伝えるとよい。
以下では、基板5を基板キャリア9にセットし、基板キャリア9上の基板5とマスク6とをアライメントし、基板キャリア9(基板5)をマスク6上に載置するまでの、蒸着装置の一連の動作を説明する。
は、ステップS108で取得した基板5とマスク6の相対位置情報に基づいて、アライメント装置1が備える位置合わせ機構を駆動する。すなわち、制御部70は、基板5の基板マーク37とマスク6のマスクマーク38とがより近接する位置関係になるように、基板5をXYθz方向に移動させて位置を調整する。
基板、マスクの形状は矩形に限定されるものでなく、基板やマスクの周縁部をなす複数辺のうち所定の方向に沿って配された一対の対向辺に対応した一対の周縁領域を支持する構成とすることができる。
次に、本発明に係る他の実施形態について説明する。実施形態1では基板とマスクのアライメントと成膜の両方を1つのチャンバ内で行う蒸着装置について説明した。本実施形態では、少なくとも2つのチャンバを用い、マスク取付室としての第1チャンバで基板とマスクのアライメントを行って基板にマスクを装着し、マスクを装着した基板を、成膜室としての第2チャンバに搬送して第2チャンバでマスクを介して基板に成膜を行う。すなわち、本実施形態に係る成膜装置は、基板とマスクのアライメントを行うアライメント室と、基板に成膜を行う成膜室と、を有している。なお、実施形態2の説明において実施形
態1と共通する構成については同じ符号を用いるものとして、実施形態2において実施形態1と共通する内容については再度の説明を省略する。実施形態2において特段説明のない事項は、実施形態1と同様である。
<電子デバイスの製造方法>
上記の基板処理装置を用いて、電子デバイスを製造する方法について説明する。ここでは、電子デバイスの一例として、有機EL表示装置のようなディスプレイ装置などに用いられる有機EL素子の場合を例にして説明する。なお、本発明に係る電子デバイスはこれに限定はされず、薄膜太陽電池や有機CMOSイメージセンサであってもよい。本実施例においては、上記の成膜方法を用いて、基板5上に有機膜を形成する工程を有する。また、基板5上に有機膜を形成させた後に、金属膜または金属酸化物膜を形成する工程を有する。このような工程により得られる有機EL表示装置600の構造について、以下に説明する。
6Bのいずれかと、電子輸送層67と、第2電極(陰極)68と、を備える有機EL素子を有している。これらのうち、正孔輸送層65、発光層66R,66G,66B、電子輸送層67が有機層に当たる。また、本実施形態では、発光層66Rは赤色を発する有機EL層、発光層66Gは緑色を発する有機EL層、発光層66Bは青色を発する有機EL層である。なお、上述のようにカラーフィルタまたは量子ドットカラーフィルタを用いる場合には、各発光層の光出射側、すなわち、図13(b)の上部または下部にカラーフィルタまたは量子ドットカラーフィルタが配置されるが、図示は省略する。
程)、有機EL表示装置600が完成する。なお、ここでは保護層PをCVD法によって形成するものとしたが、これに限定はされず、ALD法やインクジェット法によって形成してもよい。
基板を保持する基板キャリアを支持する基板キャリア支持手段と、
マスクを支持するマスク支持手段と、
前記基板キャリアが前記マスクから離隔している離隔状態と、前記基板キャリアが前記マスクの上に載っている取付状態と、を切り替えるように、前記基板キャリア支持手段と前記マスク支持手段の少なくとも一方を移動させる移動手段と、を備えるマスク取付装置であって、
基板キャリア支持手段は、
前記基板キャリアの第1方向に沿った第1の辺の周縁部を支持する第1の基板キャリア支持部と、
前記基板キャリアの前記第1方向に沿った第2の辺の周縁部を支持する第2の基板キャリア支持部と、を有し、
前記マスク支持手段は、
前記マスクの前記第1方向に沿った第1のマスク辺の周縁部を支持する第1のマスク支持部と、
前記マスクの前記第1方向に沿った第2のマスク辺の周縁部を支持する第2のマスク支持部と、を有し
前記離隔状態において、前記基板キャリアの撓み量dcが第1の撓み量となるように、前記第1の基板キャリア支持部及び前記第2の基板キャリア支持部が前記基板キャリアを支持し、
前記離隔状態において、前記マスクの撓み量dmが前記第1の撓み量より小さい第2の撓み量となるように、前記第1のマスク支持部及び前記第2のマスク支持部が前記マスクを支持することを特徴とする。
Claims (27)
- 基板を保持する基板キャリアの周縁部における、前記基板の周縁部をなす複数の辺のうち所定の方向に沿って配された一対の対向辺に対応した一対の周縁領域を支持する第1の支持部と第2の支持部とを有する基板キャリア支持手段と、
マスクの周縁部をなす複数の辺のうち前記所定の方向に沿って配された一対の対向辺に対応した前記マスクの一対の周縁領域を支持する第3の支持部と第4の支持部とを有するマスク支持手段と、
前記基板キャリア支持手段と前記マスク支持手段の少なくとも一方を移動させる移動手段と、
前記移動手段を制御し、前記基板キャリアと前記マスクとが離隔した離隔状態と、前記基板キャリアが前記マスクの上に載せられる取付状態と、にする制御手段と、
を備えるマスク取付装置であって、
前記基板キャリアが前記基板キャリア支持手段のみによって支持されているときの前記基板キャリアの撓み量dcは、前記マスクが前記マスク支持手段のみによって支持されているときの前記マスクの撓み量dmよりも大きい
ことを特徴とするマスク取付装置。 - 前記基板キャリアの撓み量dcは、前記基板キャリアが前記基板キャリア支持手段のみによって支持されているときの、前記所定の方向に垂直な断面における前記基板キャリアの撓み量であり、
前記マスクの撓み量dmは、前記マスクが前記マスク支持手段のみによって支持されているときの、前記所定の方向に垂直な断面における前記マスクの撓み量である
ことを特徴とする請求項1に記載のマスク取付装置。 - 前記基板および前記マスクは矩形状であることを特徴とする請求項1または2に記載のマスク取付装置。
- 前記所定の方向を第1の方向とし、
前記第1の支持部から前記第2の支持部へと向かう方向を第2の方向とし、
前記第1の方向と前記第2の方向とに直交する方向を第3の方向としたときに、
前記基板キャリアの撓み量は、前記第3の方向における前記基板キャリアの撓み量であり、
前記マスクの撓み量は、前記第3の方向における前記マスクの撓み量である
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のマスク取付装置。 - 前記基板キャリアの撓み量は、前記基板キャリアにおける、前記基板キャリア支持手段に支持された前記周縁領域の高さと、前記周縁領域から前記第3の方向に高さの変化が最も大きい部分の高さと、の差の絶対値であり、
前記マスクの撓み量は、前記マスクにおける、前記マスク支持手段に支持された前記周縁領域の高さと、前記周縁領域から前記第3の方向に高さの変化が最も大きい部分の高さと、の差の絶対値である
ことを特徴とする請求項4に記載のマスク取付装置。 - 前記制御手段は、前記基板キャリアと前記マスクを前記離隔状態から前記取付状態へ移行させる際に、前記基板キャリアと前記マスクの相対位置が、前記第3の方向に沿って変化するように、前記基板キャリア支持手段と前記マスク支持手段の少なくとも一方を前記移動手段によって移動させることを特徴とする請求項4または5に記載のマスク取付装置。
- 前記基板キャリアと前記マスクは、前記離隔状態から前記取付状態へ移行する際に、前記基板キャリアにおいて前記第3の方向に撓みが最も大きい部分と、前記マスクにおいて前記第3の方向に撓みが最も大きい部分と、から接触し始めることを特徴とする請求項4〜6のいずれか1項に記載のマスク取付装置。
- 前記基板キャリアは、前記基板を保持する保持面の外側に、前記保持面から前記基板よりも突出するように設けられた着座部材を有することを特徴とする請求項4〜7のいずれか1項に記載のマスク取付装置。
- 前記着座部材は複数設けられており、
複数の前記着座部材は、少なくとも、前記基板キャリアにおいて撓みが最も大きい部分に対応する位置に配置された着座部材を含むことを特徴とする請求項8に記載のマスク取付装置。 - 前記基板キャリアと前記マスクが前記離隔状態から前記取付状態へ移行する際に、最初に、前記基板キャリアにおいて前記第3の方向に撓みが最も大きい部分と、前記マスクにおいて前記第3の方向に撓みが最も大きい部分と、が、前記着座部材を介して接触することを特徴とする請求項8または9に記載のマスク取付装置。
- 前記基板キャリア支持手段は、前記離隔状態から前記取付状態への移行において前記基板キャリアと前記マスクが互いに接触した際に、前記第3の方向と直交する方向において、前記基板キャリアの前記マスクに対する滑りやすさよりも前記基板キャリアの前記基板キャリア支持手段に対する滑りやすさが大きくなるように、前記基板キャリアを支持することを特徴とする請求項8〜10のいずれか1項に記載のマスク取付装置。
- 前記着座部材が前記マスクと接触する接触面積は、前記基板キャリアが前記基板キャリア支持手段と接触する接触面積よりも大きいことを特徴とする請求項11に記載のマスク取付装置。
- 前記基板キャリアと前記マスクが前記離隔状態から前記取付状態へ移行する際において、前記着座部材と前記マスクとの接触部の摩擦係数は、前記基板キャリアと前記マスクとが接触を開始した初期から、前記基板キャリアと前記基板キャリア支持手段との接触部の摩擦係数よりも大きいことを特徴とする請求項11または12に記載のマスク取付装置。
- 前記着座部材と、前記マスクの少なくとも前記着座部材との接触部とは、金属製の部材で構成されていることを特徴とする請求項8〜13のいずれか1項に記載のマスク取付装置。
- 前記着座部材と前記マスクとの接触部は、研磨加工面または研削加工面で構成されていることを特徴とする請求項8〜14のいずれか1項に記載のマスク取付装置。
- 前記マスクは、枠状のマスクフレームと、該マスクフレームに支持されたマスク箔と、を有し、
前記基板キャリアが前記離隔状態から前記取付状態へ移行する際に、前記基板キャリアにおいて前記第3の方向に撓みが最も大きい部分と、前記マスクにおいて前記第3の方向に撓みが最も大きい部分に対応する前記マスクフレームの部分と、から接触し始めることを特徴とする請求項4〜15のいずれか1項に記載のマスク取付装置。 - 前記基板キャリアは、アルミニウムまたはアルミニウム合金製の面板部材を含み、
前記マスクフレームは、鉄または鉄合金で構成されていることを特徴とする請求項16
に記載のマスク取付装置。 - 前記第1の支持部および前記第2の支持部は、無機材料、フッ素系コート、セラミック系コート、DLCコートのいずれかにより被膜されていることを特徴とする請求項1〜17のいずれか1項に記載のマスク取付装置。
- 基板を保持する基板キャリアにマスクを取り付けるためのマスク取付室と、
前記マスク取付室において、前記基板キャリアの周縁部における、前記基板の周縁部をなす複数の辺のうち所定の方向に沿うように配された一対の対向辺に対応した一対の周縁領域を支持する第1の支持部と第2の支持部とを有する基板キャリア支持手段と、
前記マスク取付室において、前記マスクの周縁部をなす複数の辺のうち前記所定の方向に配された一対の対向辺に対応した前記マスクの一対の周縁領域を支持する第3の支持部と第4の支持部とを有するマスク支持手段と、
前記マスク取付室において、前記基板キャリア支持手段と前記マスク支持手段の少なくとも一方を移動させる移動手段と、
前記移動手段を制御し、前記基板キャリアと前記マスクとが離隔した離隔状態と、前記基板キャリアが前記マスクの上に載せられる取付状態と、にする制御手段と、
前記マスクが取り付けられた前記基板キャリアに保持された基板の成膜面に対し、前記マスクを介して成膜を行うための成膜手段を有する成膜室と、
前記マスク取付室において前記マスクが取り付けられた前記基板キャリアを、前記成膜室内で、前記所定の方向に沿って搬送する搬送手段と、
を備える成膜装置であって、
前記基板キャリアが前記基板キャリア支持手段のみによって支持されているときの前記基板キャリアの撓み量dcは、前記マスクが前記マスク支持手段のみによって支持されているときの前記マスクの撓み量dmよりも大きい
ことを特徴とする成膜装置。 - 基板を保持する基板キャリアと、
マスクと、
前記基板キャリアに前記マスクを取り付けるためのマスク取付室と、
前記マスク取付室において、前記基板キャリアの周縁部における、前記基板の周縁部をなす複数の辺のうち所定の方向に沿うように配された一対の対向辺に対応した一対の周縁領域を支持する第1の支持部と第2の支持部とを有する基板キャリア支持手段と、
前記マスク取付室において、前記マスクの周縁部をなす複数の辺のうち前記所定の方向に配された一対の対向辺に対応した前記マスクの一対の周縁領域を支持する第3の支持部と第4の支持部とを有するマスク支持手段と、
前記マスク取付室において、前記基板キャリア支持手段と前記マスク支持手段の少なくとも一方を移動させる移動手段と、
前記移動手段を制御し、前記基板キャリアと前記マスクとが離隔した離隔状態と、前記基板キャリアが前記マスクの上に載せられる取付状態と、にする制御手段と、
前記マスクが取り付けられた前記基板キャリアに保持された基板の成膜面に対し、前記マスクを介して成膜を行うための成膜手段を有する成膜室と、
前記マスク取付室において前記マスクが取り付けられた前記基板キャリアを、前記成膜室内で、前記所定の方向に沿って搬送する搬送手段と、
を備える成膜装置であって、
前記基板キャリアが前記基板キャリア支持手段のみによって支持されているときの前記基板キャリアの撓み量dcは、前記マスクが前記マスク支持手段のみによって支持されているときの前記マスクの撓み量dmよりも大きい
ことを特徴とする成膜装置。 - 基板を保持する基板キャリアにマスクを取り付けるマスク取付方法であって、
前記基板キャリアの周縁部における、前記基板の周縁部をなす複数の辺のうちの一対の対向辺に対応した一対の周縁領域を、該周縁領域が所定の方向に沿うように、基板キャリア支持手段によって支持するとともに、前記マスクの周縁部をなす複数の辺のうちの一対の対向辺に対応した前記マスクの一対の周縁領域を、該周縁領域が前記所定の方向に沿うように、マスク支持手段によって支持する支持工程と、
前記基板キャリア支持手段と前記マスク支持手段の少なくとも一方を移動させ、前記基板キャリアと前記マスクとが離れた離隔状態から、前記基板キャリアが前記マスクの上に載せられる取付状態へ移行させる取付工程と、
を有するマスク取付方法において、
前記支持工程において、前記基板キャリアが前記基板キャリア支持手段のみによって支持されているときの前記基板キャリアの撓み量dcは、前記マスクが前記マスク支持手段のみによって支持されているときの前記マスクの撓み量dmよりも大きい
ことを特徴とするマスク取付方法。 - 前記所定の方向を第1の方向とし、
前記基板キャリアの前記一対の周縁領域の一方から他方へ向かう方向を第2の方向とし、
前記第1の方向と前記第2の方向とに直交する方向を第3の方向としたときに、
前記基板キャリアの撓み量は、前記第3の方向における前記基板キャリアの撓み量であり、
前記マスクの撓み量は、前記第3の方向における前記マスクの撓み量である
ことを特徴とする請求項21に記載のマスク取付方法。 - 前記取付工程において、前記基板キャリアと前記マスクの相対位置が、前記第3の方向に沿って変化するように、前記基板キャリア支持手段と前記マスク支持手段の少なくとも一方を移動させることを特徴とする請求項22に記載のマスク取付方法。
- 前記取付工程において、前記基板キャリアにおいて前記第3の方向に撓みが最も大きい部分と、前記マスクにおいて前記第3の方向に撓みが最も大きい部分と、から接触し始めるように、前記基板キャリア支持手段と前記マスク支持手段の少なくとも一方を移動させることを特徴とする請求項22または23に記載のマスク取付方法。
- 前記支持工程において、前記取付工程における前記離隔状態から前記取付状態への移行において前記基板キャリアと前記マスクが互いに接触した際に、前記第3の方向と直交する方向において、前記基板キャリアの前記マスクに対する滑りやすさよりも前記基板キャリアの前記基板キャリア支持手段に対する滑りやすさが大きくなるように、前記基板キャリアを前記基板キャリア支持手段で支持することを特徴とする請求項22〜24のいずれか1項に記載のマスク取付方法。
- 請求項21〜25のいずれか1項に記載のマスク取付方法によって、前記マスクが取り付けられた前記基板キャリアに保持された基板に対して成膜を行う
ことを特徴とする成膜方法。 - 請求項26に記載の成膜方法を用いて、基板上に有機膜を形成する工程を有する
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113652633A (zh) * | 2021-08-13 | 2021-11-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板框架、掩模板组件及其制备方法 |
WO2023084634A1 (ja) * | 2021-11-10 | 2023-05-19 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 蒸着装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20240033734A (ko) * | 2022-09-05 | 2024-03-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 스테이지 및 그것을 포함하는 마스크 제조 장치 |
CN117983565A (zh) * | 2024-03-29 | 2024-05-07 | 德沪涂膜设备(苏州)有限公司 | 一种掩膜板清洗装置以及掩膜板的清洗方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002075638A (ja) * | 2000-08-29 | 2002-03-15 | Nec Corp | マスク蒸着方法及び蒸着装置 |
JP2005256101A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 基板・マスク固定装置 |
JP2007224396A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Canon Inc | 成膜方法および成膜用マスク |
WO2014112512A1 (ja) * | 2013-01-15 | 2014-07-24 | 株式会社アルバック | アラインメント装置、及びアラインメント方法 |
WO2014132831A1 (ja) * | 2013-02-26 | 2014-09-04 | 東レエンジニアリング株式会社 | 基板処理装置、マスクのセット方法、膜形成装置および膜形成方法 |
JP2014177665A (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Panasonic Corp | 成膜マスクおよび成膜装置 |
US20150114293A1 (en) * | 2013-10-30 | 2015-04-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin-film depositing apparatus |
JP2019059966A (ja) * | 2017-09-25 | 2019-04-18 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3957173B2 (ja) * | 2002-06-20 | 2007-08-15 | Tdk株式会社 | 円板状基板用成膜装置に対する基板の受け渡し方法、当該方法に用いられる基板受け渡し機構および基板ホルダ、および当該方法を用いたディスク状記録媒体の製造方法 |
JP4773834B2 (ja) * | 2006-02-03 | 2011-09-14 | キヤノン株式会社 | マスク成膜方法およびマスク成膜装置 |
JP5297046B2 (ja) * | 2008-01-16 | 2013-09-25 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置 |
KR102520693B1 (ko) * | 2016-03-03 | 2023-04-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자의 증착장치 |
JP6341434B2 (ja) * | 2016-03-29 | 2018-06-13 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 成膜マスク、その製造方法及び成膜マスクのリペア方法 |
KR101934621B1 (ko) | 2016-12-12 | 2019-01-02 | 주식회사 야스 | 마스크 스토커를 구비한 대면적 기판용 인라인 시스템 |
JP6448067B2 (ja) * | 2017-05-22 | 2019-01-09 | キヤノントッキ株式会社 | 基板載置方法、基板載置機構、成膜方法、成膜装置及び電子デバイスの製造方法 |
JP6461235B2 (ja) * | 2017-05-22 | 2019-01-30 | キヤノントッキ株式会社 | 基板載置装置、成膜装置、基板載置方法、成膜方法、および電子デバイスの製造方法 |
KR101993532B1 (ko) * | 2017-11-29 | 2019-06-26 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 성막장치, 성막방법, 및 전자 디바이스 제조방법 |
CN108878327B (zh) * | 2018-07-02 | 2020-07-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 承载机台及其控制方法 |
-
2020
- 2020-03-13 JP JP2020044094A patent/JP7113861B2/ja active Active
-
2021
- 2021-03-03 KR KR1020210028025A patent/KR102530431B1/ko active IP Right Grant
- 2021-03-12 CN CN202110267602.3A patent/CN113388806B/zh active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002075638A (ja) * | 2000-08-29 | 2002-03-15 | Nec Corp | マスク蒸着方法及び蒸着装置 |
JP2005256101A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 基板・マスク固定装置 |
JP2007224396A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Canon Inc | 成膜方法および成膜用マスク |
WO2014112512A1 (ja) * | 2013-01-15 | 2014-07-24 | 株式会社アルバック | アラインメント装置、及びアラインメント方法 |
WO2014132831A1 (ja) * | 2013-02-26 | 2014-09-04 | 東レエンジニアリング株式会社 | 基板処理装置、マスクのセット方法、膜形成装置および膜形成方法 |
JP2014177665A (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Panasonic Corp | 成膜マスクおよび成膜装置 |
US20150114293A1 (en) * | 2013-10-30 | 2015-04-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin-film depositing apparatus |
JP2019059966A (ja) * | 2017-09-25 | 2019-04-18 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113652633A (zh) * | 2021-08-13 | 2021-11-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板框架、掩模板组件及其制备方法 |
CN113652633B (zh) * | 2021-08-13 | 2023-10-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板框架、掩模板组件及其制备方法 |
WO2023084634A1 (ja) * | 2021-11-10 | 2023-05-19 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 蒸着装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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