JP2021111760A - 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム - Google Patents

半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム Download PDF

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Abstract

【課題】成膜工程において選択的に膜を形成することを可能にする。【解決手段】（ａ）処理ガスの吸着に選択性を与えるインヒビタ層を一部に有する基板を収容する処理室へ処理ガスを供給して、基板に選択的に膜を形成する工程と、（ｂ）基板が存在しない処理室内へインヒビタ層に含まれる成分を有するクリーニングガスを供給する工程と、（ｃ）処理室内のクリーニングガスの残留成分を除去する工程と、を行う技術が提供される。【選択図】図１

Description

本開示は、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラムに関する。
半導体装置の製造工程の一工程として、基板を処理する処理室内にクリーニングガスを供給して、処理室内に付着した副生成物等を除去するクリーニング工程が行われる場合がある（例えば特許文献１参照）。
特開２００１−３４５２７８号公報
クリーニング工程が行われた後に、処理室内にクリーニングガスの残留成分が残ってしまう場合がある。クリーニングガスが、基板上に生成されたインヒビタ層に含まれる成分を有する場合には、処理室内にクリーニングガスの残留成分が残っていると、成膜処理工程において選択的に膜を形成できないおそれがある。
本開示は、成膜工程において選択的に膜を形成することを可能にする技術を提供する。
一態様によれば、
（ａ）処理ガスの吸着に選択性を与えるインヒビタ層を一部に有する基板を収容する処理室へ前記処理ガスを供給して、前記基板に選択的に膜を形成する工程と、
（ｂ）前記基板が存在しない前記処理室内へ前記インヒビタ層に含まれる成分を有するクリーニングガスを供給する工程と、
（ｃ）前記処理室内の前記クリーニングガスの残留成分を除去する工程と、
を行う技術が提供される。
本開示によれば、成膜工程において選択的に膜を形成することができる。
本開示の一態様に係る枚葉式の基板処理装置の概略構成図である。 本開示の一態様に係る基板処理工程の手順を示すフロー図である。 図２における成膜工程の詳細を示すフロー図である。 本開示の一態様における成膜工程の一部分を示す図である。 参考例における成膜工程の一部分を示す図である。 本開示の他の態様における基板処理装置の処理室の概略外観斜視図である。 本開示の他の態様における基板処理装置における要部の概略構成図である。 本開示の他の態様における成膜工程、クリーニング工程、およびクリーニングガス残留成分除去工程のフロー図である。
以下、本開示の一態様について、図面を参照しながら説明する。
以下の説明で例に挙げる基板処理装置は、半導体装置の製造工程で用いられるもので、処理対象となる基板に対して所定のプロセス処理を行うように構成されたものである。
処理対象となる基板は、例えば、半導体装置（半導体デバイス）が作り込まれる半導体基板としてのシリコンウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）である。なお、本明細書において「ウエハ」という言葉を用いた場合は、「ウエハそのもの」を意味する場合や、「ウエハとその表面に形成された所定の層や膜等との積層体（集合体）」を意味する場合（すなわち、表面に形成された所定の層や膜等を含めてウエハと称する場合）がある。また、本明細書において「ウエハの表面」という言葉を用いた場合は、「ウエハそのものの表面（露出面）」を意味する場合や、「ウエハ上に形成された所定の層や膜等の表面、すなわち、積層体としてのウエハの最表面」を意味する場合がある。本明細書において「基板」という言葉を用いた場合も、「ウエハ」という言葉を用いた場合と同義である。
ウエハに対して行う所定のプロセス処理（以下、単に「処理」ということもある。）としては、例えば、酸化処理、拡散処理、アニール処理、エッチング処理、プリクリーニング処理、チャンバクリーニング処理、成膜処理等がある。本態様では、特に成膜処理を行う場合を例に挙げる。
＜本開示の一態様＞
まず、本開示の一態様について、主に、図１〜図４を参照しながら説明する。
（１）基板処理装置の構成
以下、本態様に係る基板処理装置の構成について説明する。ここでは、処理対象となるウエハに対して一枚ずつ処理を行う枚葉式の基板処理装置を例に挙げる。
図１は、本態様に係る枚葉式の基板処理装置の概略構成図である。
（処理容器）
図１に示すように、基板処理装置１００は処理容器２０２を備えている。処理容器２０２は、例えば、横断面が円形であり扁平な密閉容器として、アルミニウム（Ａｌ）やステンレス（ＳＵＳ）等の金属材料により構成されている。処理容器２０２は、上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂで構成される。上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂの間には仕切り板２０４が設けられる。
処理容器２０２内には、ウエハ２００に対する処理が行われる処理空間である処理室２０１と、ウエハ２００を処理室２０１に搬送する際にウエハ２００が通過する搬送空間２０３と、が形成されている。
上部容器２０２ａの内部の外周端縁近傍には、排気バッファ室２０９が設けられている。排気バッファ室２０９は、処理室２０１内のガスを側方周囲に向かって排出する際のバッファ空間として機能するものである。そのために、排気バッファ室２０９は、処理室２０１の側方外周を囲むように設けられた空間を持つ。つまり、排気バッファ室２０９は、処理室２０１の外周側に平面視リング状（円環状）に形成された空間を有している。
下部容器２０２ｂの側面には、ゲートバルブ２０５に隣接した基板搬入出口２０６が設けられており、ウエハ２００は基板搬入出口２０６を介して図示しない搬送室との間を移動する。下部容器２０２ｂの底部には、リフトピン２０７が複数設けられている。さらに、下部容器２０２ｂは接地されている。
（基板支持部）
処理室２０１内には、ウエハ２００を支持する基板支持部２１０が設けられている。基板支持部２１０は、ウエハ２００を載置する基板載置面２１１を有した基板載置台２１２を備える。基板載置台２１２は、基板載置面２１１上のウエハ２００の温度を調整するヒータ２１３と、ウエハ２００等にバイアスがかかるようにするためのバイアス電極２２０と、を内蔵している。また、基板載置台２１２には、リフトピン２０７が貫通する貫通孔２１４が、リフトピン２０７と対応する位置にそれぞれ設けられている。
基板載置台２１２に内蔵されたバイアス電極２２０には、印加するバイアス電圧を調整するためのインピーダンス調整部２７０およびインピーダンス調整電源２７１が、それぞれに個別に接続されている。
基板載置台２１２は、シャフト２１７によって支持される。シャフト２１７は、処理容器２０２の底部を貫通しており、さらには処理容器２０２の外部で昇降部２１８に接続されている。
昇降部２１８はシャフト２１７を支持する支持軸２１８ａと、支持軸２１８ａを昇降させたり回転させたりする作動部２１８ｂを主に有する。作動部２１８ｂは、例えば昇降を実現するためのモータを含む昇降機構２１８ｃと、支持軸２１８ａを回転させるための歯車等の回転機構２１８ｄを有する。
昇降部２１８には、昇降部２１８の一部として、作動部２１８ｂに昇降・回転指示するための指示部２１８ｅを設けても良い。指示部２１８ｅはコントローラ２６０に電気的に接続される。指示部２１８ｅはコントローラ２６０の指示に基づいて、作動部２１８ｂを制御する。
昇降部２１８を作動させてシャフト２１７および基板載置台２１２を昇降させることにより、基板載置面２１１上に載置されるウエハ２００を昇降させることが可能となっている。なお、シャフト２１７の下端部の周囲はベローズ２１９により覆われており、処理容器２０２内は気密に保持されている。
基板載置台２１２は、ウエハ２００の搬送時には、基板載置面２１１が基板搬入出口２０６に対向する位置（ウエハ搬送位置）まで下降し、ウエハ２００の処理時には、図１に示すように、ウエハ２００が処理室２０１内の処理位置（ウエハ処理位置）となるまで上昇する。
具体的には、基板載置台２１２をウエハ搬送位置まで下降させた時には、リフトピン２０７の上端部が基板載置面２１１の上面から突出して、リフトピン２０７がウエハ２００を下方から支持するようになっている。また、基板載置台２１２をウエハ処理位置まで上昇させたときには、リフトピン２０７は基板載置面２１１の上面から埋没して、基板載置面２１１がウエハ２００を下方から支持するようになっている。
（シャワーヘッド）
処理室２０１の上部（ガス供給方向上流側）には、ガス分散機構としてのシャワーヘッド２３０が設けられている。シャワーヘッド２３０の蓋２３１にはガス導入口２４１が設けられる。当該ガス導入口２４１は後述するガス供給系が連通するよう構成される。ガス導入口２４１から導入されるガスは、シャワーヘッド２３０のバッファ空間２３２に供給される。
シャワーヘッド２３０の蓋２３１は、導電性のある金属で形成され、バッファ空間２３２または処理室２０１内でプラズマを生成するための電極として用いられる。蓋２３１と上部容器２０２ａとの間には絶縁ブロック２３３が設けられ、蓋２３１と上部容器２０２ａの間を絶縁している。
シャワーヘッド２３０は、ガス導入口２４１を介してガス供給系から供給されるガスを分散させるための分散板２３４を備えている。この分散板２３４の上流側がバッファ空間２３２であり、下流側が処理室２０１である。分散板２３４には、複数の貫通孔２３４ａが設けられている。分散板２３４は、基板載置面２１１と対向するように配置されている。
（プラズマ生成部）
シャワーヘッド２３０の蓋２３１には、整合器２５１、高周波電源２５２が接続されている。そして、高周波電源２５２、整合器２５１でインピーダンスを調整することで、シャワーヘッド２３０、処理室２０１にプラズマが生成されるようになっている。
（ガス供給系）
シャワーヘッド２３０の蓋２３１には、ガス導入口２４１と連通するよう共通ガス供給管２４２が接続されている。共通ガス供給管２４２は、ガス導入口２４１を介して、シャワーヘッド２３０内のバッファ空間２３２に連通する。また、共通ガス供給管２４２には、第１のガス供給管２４３ａと、第２のガス供給管２４４ａと、第３のガス供給管２４５ａと、第４のガス供給管２４９ａと、第５のガス供給管２５０ａと、が接続されている。
これらのうち、第１のガス供給管２４３ａを含む原料ガス供給系２４３からは処理ガスの一つである原料ガスが主に供給され、第２のガス供給管２４４ａを含む反応ガス供給系２４４からは主に処理ガスの他の一つである反応ガスが供給される。第３のガス供給管２４５ａを含むパージガス供給系２４５からは、ウエハ２００を処理する際には主にパージガスとしての不活性ガスが供給され、シャワーヘッド２３０や処理室２０１をクリーニングする際はクリーニングガスが主に供給される。第４のガス供給管２４９ａを含むインヒビタ層形成ガス供給系２４９からはインヒビタ層形成ガスが主に供給される。第５のガス供給管２５０ａを含むクリーニングガス残留成分除去ガス供給系（以下、単に「残留成分除去ガス供給系」ということもある。）２５０からはクリーニングガス残留成分除去ガスが（以下、単に「残留成分除去ガス」ということもある。）主に供給される。なお、ガス供給系から供給されるガスについては、原料ガスを第１のガス、反応ガスを第２のガス、不活性ガスを第３のガス、クリーニングガス（処理室２０１用）を第４のガス、インヒビタ層形成ガスを第５のガス、残留成分除去ガスを第６のガスと呼ぶこともある。
このように、共通ガス供給管２４２には、第１のガス供給管２４３ａ、第２のガス供給管２４４ａ、第３のガス供給管２４５ａ、第４のガス供給管２４９ａおよび第５のガス供給管２５０ａが接続されている。これにより、共通ガス供給管２４２は、処理ガスとしての原料ガス（第１のガス）もしくは反応ガス（第２のガス）、パージガスとしての不活性ガス（第３のガス）またはクリーニングガス（第４のガス）、インヒビタ層形成ガス（第５のガス）、残留成分除去ガス（第６のガス）を、シャワーヘッド２３０のバッファ空間２３２を通じて処理室２０１に選択的に供給することになる。つまり、共通ガス供給管２４２は、処理室２０１に処理ガス、パージガスまたはクリーニングガス、インヒビタ層形成ガス、残留成分除去ガスを供給する「第１供給管」として機能する。
（原料ガス供給系）
第１のガス供給管２４３ａには、上流方向から順に、原料ガス供給源２４３ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４３ｃ、および、開閉弁であるバルブ２４３ｄが設けられている。そして、第１のガス供給管２４３ａからは、原料ガスが、ＭＦＣ２４３ｃ、バルブ２４３ｄ、共通ガス供給管２４２を介して、シャワーヘッド２３０内に供給される。
原料ガス（第１のガス）は、処理ガスの一つであり、例えば、第１元素としてのシリコン（Ｓｉ）元素を含むガスである。具体的には、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２，ｄｉｃｈｌｏｒｏｓｉｌａｎｅ：ＤＣＳ）ガスやテトラエトキシシラン（Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４，Ｔｅｔｒａｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ：ＴＥＯＳ）ガス等が用いられる。以下の説明では、ＤＣＳガスを用いた例について説明する。
主に、第１のガス供給管２４３ａ、ＭＦＣ２４３ｃ、バルブ２４３ｄにより、原料ガス供給系２４３が構成される。なお、原料ガス供給系２４３は、原料ガス供給源２４３ｂ、後述する第１の不活性ガス供給系を含めて考えてもよい。また、原料ガス供給系２４３は、処理ガスの一つである原料ガスを供給するものであることから、処理ガス供給系の一つに該当することになる。
第１のガス供給管２４３ａのバルブ２４３ｄよりも下流側には、第１の不活性ガス供給管２４６ａの下流端が接続されている。第１の不活性ガス供給管２４６ａには、上流方向から順に、不活性ガス供給源２４６ｂ、ＭＦＣ２４６ｃ、および、バルブ２４６ｄが設けられている。そして、第１の不活性ガス供給管２４６ａからは、不活性ガスが、ＭＦＣ２４６ｃ、バルブ２４６ｄ、第１のガス供給管２４３ａを介して、シャワーヘッド２３０内に供給される。
不活性ガスは、原料ガスのキャリアガスとして作用するもので、原料とは反応しないガスを用いることが好ましい。具体的には、例えば、窒素（Ｎ２）ガスを用いることができる。また、Ｎ２ガスのほか、例えばヘリウム（Ｈｅ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス等の希ガスを用いることができる。
主に、第１の不活性ガス供給管２４６ａ、ＭＦＣ２４６ｃおよびバルブ２４６ｄにより、第１の不活性ガス供給系が構成される。なお、第１の不活性ガス供給系は、不活性ガス供給源２４６ｂ、第１のガス供給管２４３ａを含めて考えてもよい。また、第１の不活性ガス供給系は、原料ガス供給系２４３に含めて考えてもよい。
（反応ガス供給系）
第２のガス供給管２４４ａの上流には、上流方向から順に、反応ガス供給源２４４ｂ、ＭＦＣ２４４ｃ、および、バルブ２４４ｄが設けられている。そして、第２のガス供給管２４４ａからは、反応ガスが、ＭＦＣ２４４ｃ、バルブ２４４ｄ、共通ガス供給管２４２を介して、シャワーヘッド２３０内に供給される。
反応ガス（第２のガス）は、処理ガスの他の一つであり、原料ガスが含有する第１元素（例えばＳｉ）とは異なる第２元素（例えば窒素）を含むガスである。具体的には、例えば、Ｎ含有ガスであるアンモニア（ＮＨ３）ガスが用いられる。
主に、第２のガス供給管２４４ａ、ＭＦＣ２４４ｃ、バルブ２４４ｄにより、反応ガス供給系２４４が構成される。なお、反応ガス供給系２４４は、反応ガス供給源２４４ｂ、後述する第２の不活性ガス供給系を含めて考えてもよい。また、反応ガス供給系２４４は、処理ガスの一つである反応ガスを供給するものであることから、処理ガス供給系の他の一つに該当することになる。
第２のガス供給管２４４ａのバルブ２４４ｄよりも下流側には、第２の不活性ガス供給管２４７ａの下流端が接続されている。第２の不活性ガス供給管２４７ａには、上流方向から順に、不活性ガス供給源２４７ｂ、ＭＦＣ２４７ｃ、および、バルブ２４７ｄが設けられている。そして、第２の不活性ガス供給管２４７ａからは、不活性ガスが、ＭＦＣ２４７ｃ、バルブ２４７ｄ、第２のガス供給管２４４ａを介して、シャワーヘッド２３０内に供給される。
不活性ガスは、反応ガスのキャリアガスまたは希釈ガスとして作用するものである。具体的には、例えば、Ｎ２ガスを用いることができる。また、Ｎ２ガスのほか、例えばＨｅガス、Ｎｅガス、Ａｒガス等の希ガスを用いてもよい。
主に、第２の不活性ガス供給管２４７ａ、ＭＦＣ２４７ｃおよびバルブ２４７ｄにより、第２の不活性ガス供給系が構成される。なお、第２の不活性ガス供給系は、不活性ガス供給源２４７ｂ、第２のガス供給管２４４ａを含めて考えてもよい。また、第２の不活性ガス供給系は、反応ガス供給系２４４に含めて考えてもよい。
（パージガス供給系）
第３のガス供給管２４５ａには、上流方向から順に、パージガス供給源２４５ｂ、ＭＦＣ２４５ｃ、および、バルブ２４５ｄが設けられている。そして、第３のガス供給管２４５ａからは、基板処理工程では、パージガスとしての不活性ガスが、ＭＦＣ２４５ｃ、バルブ２４５ｄ、共通ガス供給管２４２を介して、シャワーヘッド２３０内に供給される。また、処理空間クリーニング工程では、必要に応じて、クリーニングガスのキャリアガスまたは希釈ガスとしての不活性ガスが、ＭＦＣ２４５ｃ、バルブ２４５ｄ、共通ガス供給管２４２を介して、シャワーヘッド２３０内に供給される。
パージガス供給源２４５ｂから供給される不活性ガスは、基板処理工程では、処理容器２０２やシャワーヘッド２３０内に留まったガスをパージするパージガスとして作用する。また、処理空間クリーニング工程では、クリーニングガスのキャリアガス或いは希釈ガスとして作用しても良い。具体的には、不活性ガスとして、例えば、Ｎ２ガスを用いることができる。また、Ｎ２ガスのほか、例えばＨｅガス、Ｎｅガス、Ａｒガス等の希ガスを用いてもよい。
主に、第３のガス供給管２４５ａ、ＭＦＣ２４５ｃ、バルブ２４５ｄにより、パージガス供給系２４５が構成される。なお、パージガス供給系２４５は、パージガス供給源２４５ｂ、後述する処理空間クリーニングガス供給系２４８を含めて考えてもよい。
（処理空間クリーニングガス供給系）
第３のガス供給管２４５ａのバルブ２４５ｄよりも下流側には、処理空間クリーニングガス供給管２４８ａの下流端が接続されている。処理空間クリーニングガス供給管２４８ａには、上流方向から順に、処理空間クリーニングガス供給源２４８ｂ、ＭＦＣ２４８ｃ、および、バルブ２４８ｄが設けられている。そして、第３のガス供給管２４５ａは、処理空間クリーニング工程では、クリーニングガスが、ＭＦＣ２４８ｃ、バルブ２４８ｄ、共通ガス供給管２４２を介して、シャワーヘッド２３０内に供給される。
処理空間クリーニングガス供給源２４８ｂから供給されるクリーニングガス（第４のガス）は、処理空間クリーニング工程ではシャワーヘッド２３０や処理容器２０２に付着した副生成物等を除去するクリーニングガスとして作用する。具体的には、クリーニングガスとして、例えば三フッ化窒素（ＮＦ３）ガス、フッ化水素（ＨＦ）ガス、三フッ化塩素（ＣｌＦ３）ガス、フッ素（Ｆ２）ガスなどのＦ含有ガスが用いられる。以下の説明では、ＮＦ３ガスを用いた例について説明する。
主に、処理空間クリーニングガス供給管２４８ａ、ＭＦＣ２４８ｃおよびバルブ２４８ｄにより、処理空間クリーニングガス供給系２４８が構成される。なお、処理空間クリーニングガス供給系２４８は、処理空間クリーニングガス供給源２４８ｂ、第３のガス供給管２４５ａを含めて考えてもよい。また、処理空間クリーニングガス供給系２４８は、パージガス供給系２４５に含めて考えてもよい。
（インヒビタ層形成ガス供給系）
第４のガス供給管２４９ａには、上流方向から順に、インヒビタ層形成ガス供給源２４９ｂ、ＭＦＣ２４９ｃ、および、バルブ２４９ｄが設けられている。そして、第４のガス供給管２４９ａからは、インヒビタ層形成ガスが、ＭＦＣ２４９ｃ、バルブ２４９ｄ、共通ガス供給管２４２を介して、シャワーヘッド２３０内に供給される。
インヒビタ層形成ガス（第５のガス）は、後述する成膜工程において供給されるＤＣＳのウエハ２００への吸着を阻害するインヒビタ層をウエハ２００上に形成するガスである。具体的には、インヒビタ層形成ガスとして、例えば四フッ化炭素（ＣＦ４）ガス、ＮＦ３ガス、Ｆ２ガスなどのＦ含有ガスが用いられる。以下の説明では、ＣＦ４ガスを用いた例について説明する。
（クリーニングガス残留成分除去ガス供給系）
第５のガス供給管２５０ａには、上流方向から順に、クリーニングガス残留成分除去ガス供給源（以下、単に「残留成分除去ガス供給源」ということもある。）２５０ｂ、ＭＦＣ２５０ｃ、および、バルブ２５０ｄが設けられている。そして、第５のガス供給管２５０ａからは、残留成分除去ガスが、ＭＦＣ２５０ｃ、バルブ２５０ｄ、共通ガス供給管２４２を介して、シャワーヘッド２３０内に供給される。
残留成分除去ガス供給源２５０ｂから供給される残留成分除去ガス（第６のガス）は、クリーニング工程の終了後に処理室２０１内に残っているクリーニングガスの残留成分を除去するガスである。具体的には、残留成分除去ガスとして、例えば、水素（Ｈ２）ガスを用いることができる。
（排気系）
排気配管２２２は、排気バッファ室２０９の上面または側方に設けられた排気口２２１を介して、排気バッファ室２０９内に接続される。これにより、排気配管２２２は、処理室２０１内と連通することになる。
排気配管２２２には、排気バッファ室２０９に連通する処理室２０１内を所定の圧力に制御する圧力制御器であるＡＰＣ（Auto Pressure Controller）バルブ２２３が設けられる。ＡＰＣバルブ２２３は、開度調整可能な弁体（図示せず）を有し、後述するコントローラ２６０からの指示に応じて排気配管２２２のコンダクタンスを調整する。以下、排気配管２２２に設けられたＡＰＣバルブ２２３を、単にバルブ２２３ということもある。
また、排気配管２２２において、ＡＰＣバルブ２２３の下流側には、真空ポンプ２２４が設けられる。真空ポンプ２２４は、排気配管２２２を介して、排気バッファ室２０９およびこれに連通する処理室２０１の雰囲気を排気する。これにより、排気配管２２２は、処理室２０１からのガス排気を行う排気配管として機能することになる。
主に、排気配管２２２、ＡＰＣバルブ２２３、および、真空ポンプ２２４によって、ガス排気系が構成される。
（コントローラ）
基板処理装置１００は、基板処理装置１００の各部の動作を制御する制御部としてのコントローラ２６０を有している。コントローラ２６０は、演算部２６１および記憶部２６２を少なくとも有する。コントローラ２６０は、上記した各構成に接続され、上位装置や使用者の指示に応じて記憶部２６２からプログラムやレシピを呼び出し、その内容に応じて各構成の動作を制御する。具体的には、コントローラ２６０は、ゲートバルブ２０５、昇降部２１８、ヒータ２１３、高周波電源２５２、整合器２５１、ＭＦＣ２４３ｃ〜２５０ｃ、バルブ２４３ｄ〜２５０ｄ、ＡＰＣバルブ２２３、インピーダンス調整部２７０、インピーダンス調整電源２７１、真空ポンプ２２４等の動作を制御する。
なお、コントローラ２６０は、専用のコンピュータとして構成してもよいし、汎用のコンピュータとして構成してもよい。例えば、上述のプログラムを格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）を用意し、その外部記憶装置を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすることにより、本態様に係るコントローラ２６０を構成することができる。
また、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置を介して供給する場合に限らない。例えば、インターネットや専用回線等の通信手段を用い、外部記憶装置を介さずにプログラムを供給するようにしてもよい。なお、記憶部２６２や外部記憶装置は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶部２６２単体のみを含む場合、外部記憶装置単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。
（２）基板処理工程
次に、半導体製造工程の一工程として、上述した構成の基板処理装置１００を用いて、ウエハ２００に対する処理を行う基板処理工程について説明する。
ここでは、基板処理工程として、ウエハ２００上に薄膜を形成する場合を例に挙げる。特に、本態様においては、原料ガス（第１のガス）としてＤＣＳガスを用い、反応ガス（第２の理ガス）としてＮＨ３ガスを用いて、これらのガスを交互に供給してウエハ２００上にＳｉ含有膜としてのＳｉＮ（シリコン窒化）膜を形成する例について説明する。
なお、以下の説明において、基板処理装置１００を構成する各部の動作は、コントローラ２６０により制御される。
図２は、本態様に係る基板処理工程の手順を示すフロー図である。図３は、図２における成膜工程の詳細を示すフロー図である。
（基板搬入・加熱工程：Ｓ１０２）
基板処理装置１００において、基板処理工程に際しては、図２に示すように、まず、基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）を行う。基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）では、処理容器２０２内にウエハ２００を搬入する。そして、処理容器２０２内にウエハ２００を搬入したら、図示せぬ真空搬送ロボットを処理容器２０２の外へ退避させ、ゲートバルブ２０５を閉じて処理容器２０２内を密閉する。その後、基板載置台２１２を上昇させることにより、基板載置台２１２に設けられた基板載置面２１１上にウエハ２００を載置させ、さらに基板載置台２１２を上昇させることにより、処理室２０１内の処理位置（ウエハ処理位置）までウエハ２００を上昇させる。
ウエハ２００が搬送空間２０３に搬入された後、処理室２０１内のウエハ処理位置まで上昇すると、ＡＰＣバルブ２２３を稼働させて排気バッファ室２０９とＡＰＣバルブ２２３と真空ポンプ２２４の間を連通させる。ＡＰＣバルブ２２３は、排気配管２２２のコンダクタンスを調整することで、真空ポンプ２２４による排気バッファ室２０９の排気流量を制御し、排気バッファ室２０９に連通する処理室２０１を所定の圧力に維持する。
また、ウエハ２００を基板載置台２１２の上に載置する際は、基板載置台２１２の内部に埋め込まれたヒータ２１３に電力を供給し、ウエハ２００の表面が所定の処理温度となるよう制御される。この際、ヒータ２１３の温度は、図示しない温度センサにより検出された温度情報に基づいてヒータ２１３への通電具合を制御することによって調整される。
このようにして、基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）では、処理室２０１内を所定の処理圧力となるように制御するとともに、ウエハ２００の表面温度が所定の処理温度となるように制御する。ここで、所定の処理温度、処理圧力とは、後述するインヒビタ層形成工程（Ｓ１０４）、成膜工程（Ｓ１０６）において、膜等を形成可能な処理温度、処理圧力である。具体的には、処理温度は室温以上１０００℃以下、好ましくは室温以上８００℃以下、処理圧力は１０〜２０００Ｐａとすることが考えられる。この処理温度、処理圧力は、後述するインヒビタ層形成工程（Ｓ１０４）、成膜工程（Ｓ１０６）においても維持されることになる。
（インヒビタ層形成工程：Ｓ１０４）
基板搬入・載置工程（Ｓ１０２）の後は、インヒビタ層形成工程（Ｓ１０４）を行う。インヒビタ層形成工程（Ｓ１０４）では、インヒビタ層形成ガス供給系２４９から処理室２０１内にインヒビタ層形成ガス（第５のガス）としてＣＦ４ガスを供給する。
ここで、ウエハ２００は、ウエハ２００のａ領域の表面にはＦが吸着可能な構成であり、ウエハ２００のｂ領域の表面にはＦが吸着しない構成である。例えば、ｂ領域上には図示しないマスクが設けられ、ａ領域上には図示しないマスクが設けられない構成である。ａ領域、ｂ領域は、シリコンで構成される。
従って、ウエハ２００に対してＣＦ４ガスが供給されると、ａ領域のＳｉとＣＦ４ガスとが反応することにより、ａ領域にはＦ終端（ＳｉＦ終端）されたインヒビタ層が形成される（図４（ａ）参照）。なお、インヒビタ層が形成された後のａ領域の最表面に存在する原子に着目した場合、ａ領域はＦ終端された表面を有するということができる。
ＣＦ４ガスの供給を開始してから所定時間経過後、バルブ２４９ｄを閉じて、ＣＦ４ガスの供給を停止する。
（成膜工程：Ｓ１０６）
インヒビタ層形成工程（Ｓ１０４）の後は、次に、成膜工程（Ｓ１０６）を行う。以下、図３を参照し、成膜工程（Ｓ１０６）について詳細に説明する。なお、成膜工程（Ｓ１０４）は、異なる処理ガスを交互に供給する工程を繰り返すサイクリック処理である。
（第１処理ガス供給工程：Ｓ２０２）
（ａ）工程に相当する成膜工程（Ｓ１０４）では、まず、第１処理ガス（原料ガス）供給工程（Ｓ２０２）を行う。第１処理ガス供給工程（Ｓ２０２）では、原料ガス供給系２４３から、インヒビタ層を一部に有するウエハ２００を収容する処理室２０１へ、原料ガス（第１のガス）としてＤＣＳガスを供給する。処理室２０１内に供給されたＤＣＳガスは、ウエハ処理位置にあるウエハ２００の面上に到達する。これにより、インヒビタ層を有さないウエハ２００のｂ領域の表面には、塩素（Ｃｌ）を含むＳｉ含有膜が形成される。Ｃｌを含むＳｉ含有膜は、ｂ領域の表面への、ＤＣＳの物理吸着や、ＤＣＳの一部が分解した物質の化学吸着や、ＤＣＳの熱分解によるＳｉの堆積等により形成される。Ｓｉ含有膜は、例えば、処理容器２０２内の圧力、ＤＣＳガスの流量、基板載置台２１２の温度、処理室２０１の通過にかかる時間等に応じて、所定の厚さおよび所定の分布で形成される。
第１処理ガス供給工程（Ｓ２０２）では、インヒビタ層を有するウエハ２００のａ領域の表面へのＳｉ含有膜の形成を抑制しつつ、インヒビタ層を有さないウエハ２００のｂ領域の表面にＳｉ含有膜を選択的に形成することが可能である。このようなＳｉ含有膜の選択的な形成が可能となるのは、ａ領域に存在するＦ終端されたインヒビタ層が、ａ領域の表面へのＳｉ含有膜の形成（Ｓｉの吸着）を阻害する要因、すなわち、インヒビタ（ｉｎｈｉｂｉｔｏｒ）として作用するためである。このように、インヒビタ層は、処理ガスの吸着を阻害するなど、処理ガスの吸着に選択性を与えるものである。
ＤＣＳガスの供給を開始してから所定時間経過後、バルブ２４３ｄを閉じて、ＤＣＳガスの供給を停止する。なお、第１処理ガス供給工程（Ｓ２０２）では、ＡＰＣバルブ２２３によって処理室２０１の圧力が所定圧力となるように制御される。
（パージ工程：Ｓ２０４）
第１処理ガス供給工程（Ｓ２０２）の後は、次に、パージガス供給系２４５からＮ２ガスを供給し、処理室２０１およびシャワーヘッド２３０のパージを行う。これにより、第１処理ガス供給工程（Ｓ２０２）でウエハ２００に結合できなかったＤＣＳガスは、真空ポンプ２２４により処理室２０１から除去される。
（第２処理ガス供給工程：Ｓ２０６）
パージ工程（Ｓ２０４）の後は、次に、反応ガス供給系２４４から処理室２０１内に反応ガス（第２のガス）としてＮＨ３ガスを供給する。これにより、ウエハ２００のｂ領域の表面に形成されたＳｉ含有膜の少なくとも一部が窒化（改質）される。Ｓｉ含有膜が改質されることで、ｂ領域の表面に、ＳｉおよびＮを含む膜、すなわち、ＳｉＮ膜が形成される（図４（ｂ）参照）。ＳｉＮ膜を形成する際、Ｓｉ含有膜に含まれていたＣｌ等の不純物は、ＮＨ３ガスによるＳｉ含有膜の改質反応の過程において、少なくともＣｌを含むガス状物質を構成し、処理室２０１内から排出される。これにより、ＳｉＮ膜は、第１処理ガス供給工程（Ｓ２０２）で形成されたＳｉ含有膜に比べてＣｌ等の不純物が少ない膜となる。なお、ａ領域の表面は、第２処理ガス供給工程（Ｓ２０６）を実施する際も、改質されることなく維持される。すなわち、ａ領域の表面は、改質（ＮＨ終端）されることなく、Ｆ終端されたまま安定的に維持される。
なお、ＮＨ３ガスは、整合器２５１および高周波電源２５２によりプラズマ状態とされ、ウエハ２００の面上に照射されるようにしてもよい。また、ＮＨ３ガスを供給する際に、バイアス電極２２０に電圧を印加してウエハ２００にバイアスがかかるようにしてもよい。このとき、バイアス電極２２０への印加電圧をインピーダンス調整部２７０で調整する。
そして、所定時間の経過後、バルブ２４４ｄを閉じて、ＮＨ３ガスの供給を停止する。なお、第２処理ガス供給工程（Ｓ２０６）においても、上述した第１処理ガス供給工程（Ｓ２０２）と同様に、ＡＰＣバルブ２２３によって処理室２０１の圧力が所定圧力となるように制御される。
（パージ工程：Ｓ２０８）
第２処理ガス供給工程（Ｓ２０６）の後は、パージ工程（Ｓ２０８）を実行する。パージ工程（Ｓ２０８）における各部の動作は、上述したパージ工程（Ｓ２０４）の場合と同様であるので、ここではその説明を省略する。
（判定工程：Ｓ２１０）
パージ工程（Ｓ２０８）を終えると、続いて、コントローラ２６０は、上述した一連の処理（Ｓ２０２〜Ｓ２０８）を１つのサイクルとし、その１サイクルを所定回数（ｎ ｃｙｃｌｅ）実施したか否かを判定する。そして、所定回数実施していなければ、第１処理ガス供給工程（Ｓ２０２）からパージ工程（Ｓ２０８）までの１サイクルを繰り返す。一方、所定回数実施したときには、成膜工程（Ｓ１０６）を終了する。
このように、成膜工程（Ｓ１０６）では、第１処理ガス供給工程（Ｓ２０２）からパージ工程（Ｓ２０８）までの各工程を順次行うことで、図４（ｂ）に示すように、ウエハ２００のａ領域およびｂ領域のうちｂ領域の表面にＳｉＮ膜を選択的に形成することができる。そして、これらの各工程を１サイクルとし、その１サイクルを所定回数繰り返すことで、ウエハ２００の面上に形成されるＳｉＮ膜が所望の膜厚に制御される。
（基板搬入出工程：Ｓ１０８）
以上のような成膜工程（Ｓ１０６）の終了後、基板処理装置１００では、図２に示すように、基板搬入出工程（Ｓ１０８）を行う。基板搬入出工程（Ｓ１０８）では、上述した基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）と逆の手順にて、処理済みのウエハ２００を処理容器２０２の外へ搬出する。そして、基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）と同様の手順にて、次に待機している未処理のウエハ２００を処理容器２０２内に搬入する。その後、搬入されたウエハ２００に対しては、成膜工程（Ｓ１０６）が実行されることになる。
（判定工程：Ｓ１１０）
基板搬入出工程（Ｓ１０８）を終えると、基板処理装置１００では、上述した一連の処理（Ｓ１０２〜Ｓ１０８）を１つのサイクルとし、その１サイクルを所定回数実施したか否か、すなわち成膜工程（Ｓ１０６）で処理したウエハ２００が所定の枚数に到達したか否かを判定する。そして、所定回数実施していなければ、処理したウエハ２００が所定の枚数に到達していないので、基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）から基板搬入出工程（Ｓ１０８）までの１サイクルを繰り返す。一方、所定回数実施したときには、基板処理工程を終了する。
基板処理工程が終了すると、処理容器２０２内は、ウエハ２００が存在しない状態となる。
（３）処理室のクリーニング工程
次に、半導体装置の製造方法の一工程として、基板処理装置１００の処理容器２０２内に対するクリーニング処理を行う工程について説明する。
上述した基板処理工程を繰り返し行うと、処理容器２０２内（特に、処理室２０１内）では、副生成物等の不要な反応物が壁面に付着してしまうおそれがある。そのため、基板処理装置１００は、所定のタイミング（例えば、所定回数の基板処理工程の実行後、所定枚数のウエハ２００を処理した後、前回のクリーニング処理から所定の時間が経過した後等）で、処理室２０１のクリーニング工程を行う。
（ｂ）工程に相当する処理室２０１のクリーニング工程では、バルブ２４３ｄ〜２４７ｄ，２４９ｄ，２５０ｄを閉とした状態で、バルブ２４８ｄを開状態とする。このようにすることで、ウエハ２００が存在しない状態の処理室２０１には、処理空間クリーニングガス供給源２４８ｂから、第３のガス供給管２４５ａおよび共通ガス供給管２４２を介して、クリーニングガスが供給される。本態様では、クリーニングガスとして、インヒビタ層に含まれる成分であるＦ分子を有する、ＮＦ３ガスが供給される。そして、供給されたＮＦ３ガスは、バッファ空間２３２内や処理室２０１内の付着物（反応副生成物等）を除去する。
これにより、処理室２０１内では、例えば副生成物等が壁面に付着した場合であっても、所定のタイミングで行うクリーニング処理によって、その副生成物等が除去されることになる。
所定の時間が経過し、処理室２０１内のクリーニングが完了した後、バルブ２４８ｄを閉じ、処理室２０１内へのＮＦ３ガスの供給をそれぞれ停止する。そして、成膜処理のパージ工程と同様の処理手順により、処理室２０１内をパージする（アフターパージ）。
（４）クリーニングガス残留成分除去工程
次に、半導体装置の製造方法の一工程として、基板処理装置１００の処理室２０１内に残留するクリーニングガスの残留成分を除去する工程について説明する。
上述した処理室２０１のクリーニング工程を行うと、ＮＦ３ガスの残留成分であるＮ分子やＦ分子が、処理室２０１内に残ってしまうおそれがある。処理室２０１内にＮ分子やＦ分子が残っていると、成膜工程においてインヒビタ層を一部に有するウエハ２００に選択的に膜を形成する際に、処理室２０１内に収容されているウエハ２００上のインヒビタ層を有しない部分に、これらの分子が付着してしまう場合がある（図５（ａ），（ｂ）参照）。
上述したように、ＮＦ３ガスが有するＦ分子は、インヒビタ層に含まれる成分であり、ウエハ２００上のＳｉＮ膜の形成を阻害するインヒビタとして作用する。従って、処理室２０１内に残留するＦ分子がウエハ２００上のインヒビタ層を有しない部分に付着した場合には、意図せぬ部分でＳｉＮ膜が形成されなくなってしまうおそれがある（図５（ｃ）参照）。このように、処理室２０１内に、インヒビタ層に含まれる成分を有するクリーニングガスの残留成分が存在すると、成膜工程において選択的に膜を形成できなくなる場合がある。
このことから、本態様においては、成膜処理工程において選択的に膜を形成するために、処理室２０１のクリーニング工程を行った後に、処理室２０１内にあるクリーニングガスの残留成分を除去する、クリーニングガス残留成分除去工程（以下、単に「残留成分除去工程」ということもある。）を行う。
具体的には、（ｃ）工程に相当する残留成分除去工程では、残留成分除去ガス供給系２５０から処理室２０１内に残留成分除去ガス（第６のガス）としてＨ２ガスを供給する。そして、整合器２５１および高周波電源２５２を利用して処理室２０１内に高周波電力等を供給する。これにより、処理室２０１内のＨ２ガスをプラズマ化し、水素プラズマを生成させる。
水素プラズマが生成されると、水素分子は活性化されて、処理室２０１内やシャワーヘッド２３０内に存在するＮＦ３ガスの残留成分であるＦ分子と反応してフッ化水素（ＨＦ）が生じる。その後、排気バッファ室２０９および排気配管２２２を介してＨＦを処理容器２０２外に排気し、クリーニングガスの残留成分を除去する。
なお、成膜工程においてバイアス電極２２０に電圧が印加されている場合には、残留成分除去工程において発生した水素プラズマは、バイアス方向に沿うように規制されるので、ウエハ２００の面上に集中しやすい状態となっている。これに対して、ＮＦ３ガスの残留成分であるＦ分子は、ヒータ２１３から離れた角部など、ウエハ２００よりも上方にある温度の低い箇所に吸着しやすい性質を有する。従って、処理室２０１内のＦ分子を効率的に除去するためには、水素プラズマをウエハ２００の面上から上方へ移動させることが好ましい。言い換えると、処理ガスのプラズマを生成するウエハ２００の面上（第１位置）よりも上方の位置（第２位置）に水素プラズマを生成することが好ましい。
水素プラズマを第２位置に生成する方法として、例えば、バイアス電極２２０への電圧の印加を停止することが挙げられる。バイアス電極２２０への電圧の印加が停止されれば、水素プラズマを構成する水素分子の移動方向が規制されず、水素分子が等方的に拡散し、第２位置にも到達することができるからである。
このように、残留成分除去工程を行って、クリーニングガスの残留成分であるＦ分子を除去することにより、その後に行われる成膜工程において、選択的に膜を形成することが可能となる。
（５）本態様にかかる効果
本態様によれば、以下に示す１つまたは複数の効果を奏する。
（ａ）本態様では、半導体装置の製造方法の一工程として、クリーニングガスの残留成分を除去する残留成分除去工程を行う。従って、インヒビタ層に含まれる成分を有するクリーニングガスの残留成分を除去することができる。これにより、成膜工程において、インヒビタとして作用するクリーニングガスの残留成分がウエハ２００上に付着することを防ぐことができるので、選択的に膜を形成することが可能になる。
（ｂ）本態様では、残留成分除去工程において、処理室２０１内に水素含有ガスのプラズマを発生させるので、水素分子を活性化させることができる。これにより、効率的にクリーニングガスの残留成分を除去することができる。
（ｃ）本態様では、残留成分除去工程において生成される水素含有ガスのプラズマの位置は、成膜工程において生成される処理ガスのプラズマの位置よりも、上方の位置にある。これにより、クリーニングガスの残留成分が吸着しやすい、ウエハ２００よりも上方の箇所に水素含有ガスのプラズマを生成させることができるので、より効率的にクリーニングガスの残留成分を除去することができる。
＜本開示の他の態様＞
以上に、本開示の態様を具体的に説明したが、本開示が上述の態様に限定されることはなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更が可能である。
（ａ）上述した態様では、（ａ）工程に相当する成膜工程、（ｂ）工程に相当する処理室のクリーニング工程、（ｃ）工程に相当する残留成分去工程の行われる順番について特に限定しなかった。しかしながら、図８に示すように、（ａ）工程を繰り返し行ったことにより処理室２０１内に付着した副生成物等を（ｂ）工程を行って除去する。そして、（ｂ）工程を行った後の処理室２０１内に残留するクリーニングガスの残留成分を（ｃ）工程を行って除去する。このように、（ｃ）工程において、クリーニングガスの残留成分を除去することで、次に行われる（ａ）工程において、インヒビタとして作用するクリーニングガスの残留成分がウエハ２００上に付着することを確実に防止することができる。従って、（ｂ）工程、（ｃ）工程、（ａ）工程の順に行うと、より確実に選択的に膜を形成することが可能となる。
（ｂ）また、上述した態様では、インヒビタ層形成ガスとして、Ｆ含有ガスを例に挙げたが、本開示がこれに限定されることはなく、例えば、Ｃｌ含有ガスを用いることができる。この場合には、ウエハ２００のａ領域にはＣｌ終端されたインヒビタ層が形成されるので、クリーニングガスもＣｌ含有ガスが用いられる。
（ｃ）また、上述した態様では、処理室２０１内においてインヒビタ層を形成する工程を行うことを例に挙げたが、本開示がこれに限定されることはない。すなわち、別の基板処理装置でインヒビタ層の形成が行われたウエハを処理室２０１内に搬入して成膜処理を行ってもよい。このようにすることで、工場の仕様に合わせて半導体装置を製造することが可能となる。
（ｄ）また、上述した態様では、水素プラズマを、ウエハ２００の面上である第１位置よりも上方に位置する第２位置に生成する方法として、バイアス電極２２０への電圧の印加を停止することを例に挙げた。しかしながら、本開示がこれに限定されることはない。例えば、リングバイアス電極３００を用いてもよい。
図６に示すように、リングバイアス電極３００は、処理室２０１の外周面を複数回巻回するように形成されている。従って、リングバイアス電極３００に電圧を印加することにより、リングバイアス電極３００に対応する位置の処理室２０１の内壁面に水素プラズマを生成することができる。リングバイアス電極３００をウエハ２００の面上（第１位置）よりも上方の位置（第２位置）で設けることにより、水素プラズマが第２位置に生成されるので、ウエハ２００の面上よりも上方の内壁面にリング状に吸着するクリーニングガスの残留成分を効率的に除去することができる。
なお、リングバイアス電極３００への印加電圧は、リングバイアス電極３００に接続された不図示のインピーダンス調整部で調整されるように構成されている。また、成膜工程においてバイアス電極２２０に電圧が印加されている場合には、バイアス電極２２０への電圧の印加を停止してから、リングバイアス電極３００へ電圧を印加することが好ましい。
（ｅ）さらに、水素プラズマを、ウエハ２００の面上である第１位置よりも上方に位置する第２位置に生成する方法として、図７に示すように、スイッチング機構４００を用いて２つのバイアス電極４０１，４０２の間で印加の切り替えを行ってもよい（図７参照）。
バイアス電極４０１からバイアス電極４０２へ印加を切り替えて、ウエハ２００の面上の位置（第１位置）よりも上方の位置（第２位置）に水素プラズマの水素分子が生成するようにする。このように、スイッチング機構４００を使用することにより、処理室２０１内の上方の箇所に吸着しているクリーニングガスの残留成分を効率的に除去することができる。
（ｆ）また、上述した態様では、基板処理工程において、原料ガス（第１のガス）としてＤＣＳガスを用い、反応ガス（第２の理ガス）としてＮＨ３ガスを用いて、これらのガスを交互に供給してウエハ上にＳｉＮ膜を形成する場合を例に挙げたが、本開示がこれに限定されることはない。すなわち、成膜処理に用いる処理ガスは、ＤＣＳガスやＮＨ３ガス等に限られることはなく、他の種類のガスを用いて他の種類の薄膜を形成しても構わない。さらには、３種類以上の処理ガスを用いる場合であっても、本開示を適用することが可能である。
（ｇ）また、上述した態様では、残留成分除去工程において用いられる水素プラズマが処理室２０１内で生成される場合を例に挙げて説明したが、本開示がこれに限定されることはない。例えば、図示しない処理室２０１の外部に設けられたリモートプラズマユニットにおいて水素プラズマを生成してもよい。
（ｈ）また、上述した態様では、処理ガスの吸着に選択性を与えるインヒビタ層として、成膜工程において供給されるＤＣＳに含まれるＳｉの吸着を阻害する例について説明したが、本開示がこれに限定されることはない。すなわち、インヒビタ層がＤＣＳに含まれるＳｉの吸着を促進するものであってもよい。なお、この場合には、インヒビタ層を有さないウエハ２００の表面上おいて、ＤＣＳに含まれるＳｉの吸着が阻害される。
＜本開示の好ましい態様＞
以下に、本開示の好ましい態様について付記する。
［付記１］
本開示の一態様によれば、
（ａ）処理ガスの吸着に選択性を与えるインヒビタ層を一部に有する基板を収容する処理室へ前記処理ガスを供給して、前記基板に選択的に膜を形成する工程と、
（ｂ）前記基板が存在しない前記処理室内へ前記インヒビタ層に含まれる成分を有するクリーニングガスを供給する工程と、
（ｃ）前記処理室内の前記クリーニングガスの残留成分を除去する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
［付記２］
好ましくは、
前記（ｂ）工程と、前記（ｃ）工程と、前記（ａ）工程と、をこの順に行う、
付記１に記載の半導体装置の製造方法が提供される。
［付記３］
好ましくは、
前記インヒビタ層に含まれる成分は、フッ素または塩素を含む、
付記１または２に記載の半導体装置の製造方法が提供される。
［付記４］
好ましくは、
前記（ａ）工程の前に、前記処理室において前記インヒビタ層を形成する工程（ｄ）をさらに有する、
付記１〜３のいずれか１態様に記載の半導体装置の製造方法が提供される。
［付記５］
好ましくは、
前記（ｃ）工程は、前記処理室内で水素含有ガスのプラズマを生成する工程を含む、
付記１〜４のいずれか１態様に記載の半導体装置の製造方法。
［付記６］
好ましくは、
前記（ａ）工程では、第１位置に前記処理ガスのプラズマを生成し、
前記（ｃ）工程では、第２位置に前記水素含有ガスのプラズマを生成し、
前記第２位置は、前記第１位置よりも前記処理室の上方の位置である、
付記５に記載の半導体装置の製造方法が提供される。
［付記７］
本開示の他の一態様によれば、
処理ガスの吸着に選択性を与えるインヒビタ層を一部に有する基板を収容する処理室と、
前記処理室へ前記処理ガスを供給する処理ガス供給系と、
前記基板が存在しない前記処理室内へ前記インヒビタ層に含まれる成分を有するクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給系と、
前記処理室内の前記クリーニングガスの残留成分を除去するガスを供給するクリーニングガス残留成分除去ガス供給系と、
前記処理室へ前記処理ガスを供給した際に、前記基板に選択的に膜を形成させるように、前記処理ガス供給系、前記クリーニングガス供給系および前記クリーニングガス残留成分除去ガス供給系を制御するように構成される制御部と、
を備える基板処理装置が提供される。
［付記８］
本開示のさらに他の一態様によれば、
（ａ）処理ガスの吸着に選択性を与えるインヒビタ層を一部に有する基板を収容する処理室へ前記処理ガスを供給して、前記基板に選択的に膜を形成する手順と、
（ｂ）前記基板が存在しない前記処理室内へ前記インヒビタ層に含まれる成分を有するクリーニングガスを供給する手順と、
（ｃ）前記処理室内の前記クリーニングガスの残留成分を除去する手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラムが提供される。
１００…基板処理装置、２００…ウエハ（基板）、２０１…処理室、２６０…コントローラ

Claims (6)

  1. （ａ）処理ガスの吸着に選択性を与えるインヒビタ層を一部に有する基板を収容する処理室へ前記処理ガスを供給して、前記基板に選択的に膜を形成する工程と、
    （ｂ）前記基板が存在しない前記処理室内へ前記インヒビタ層に含まれる成分を有するクリーニングガスを供給する工程と、
    （ｃ）前記処理室内の前記クリーニングガスの残留成分を除去する工程と、
    を有する半導体装置の製造方法。
  2. 前記インヒビタ層に含まれる成分は、フッ素または塩素を含む、
    請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  3. 前記（ｃ）工程は、前記処理室内で水素含有ガスのプラズマを生成する工程を含む、
    請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
  4. 前記（ａ）工程では、第１位置に前記処理ガスのプラズマを生成し、
    前記（ｃ）工程では、第２位置に前記水素含有ガスのプラズマを生成し、
    前記第２位置は、前記第１位置よりも前記処理室の上方の位置である、
    請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
  5. 処理ガスの吸着に選択性を与えるインヒビタ層を一部に有する基板を収容する処理室と、
    前記処理室へ前記処理ガスを供給する処理ガス供給系と、
    前記基板が存在しない前記処理室内へ前記インヒビタ層に含まれる成分を有するクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給系と、
    前記処理室内の前記クリーニングガスの残留成分を除去するガスを供給するクリーニングガス残留成分除去ガス供給系と、
    前記処理室へ前記処理ガスを供給した際に、前記基板に選択的に膜を形成させるように、前記処理ガス供給系、前記クリーニングガス供給系および前記クリーニングガス残留成分除去ガス供給系を制御するように構成される制御部と、
    を備える基板処理装置。
  6. （ａ）処理ガスの吸着に選択性を与えるインヒビタ層を一部に有する基板を収容する処理室へ前記処理ガスを供給して、前記基板に選択的に膜を形成する手順と、
    （ｂ）前記基板が存在しない前記処理室内へ前記インヒビタ層に含まれる成分を有するクリーニングガスを供給する手順と、
    （ｃ）前記処理室内の前記クリーニングガスの残留成分を除去する手順と、
    をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。
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