JP2021056743A - マスフローコントローラ、流体制御装置、及び半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】エージング時間を短縮することで、稼働率を高めることができるマスフローコントローラを提供する【解決手段】流体が通過する流体流路１１と、流体流路１１を通過する流体の質量流量を測定する熱式の流量センサユニット２０と、流体流路１１を通過する流体の流量を調整する調整バルブ４０と、流量センサユニット２０で測定された流体の質量流量が所定値になるように調整バルブ４０の開度を制御する制御部３０と、を有する、マスフローコントローラであって、流量センサユニット２０を外部から加熱する加熱手段５０をさらに有し、制御部３０は、マスフローコントローラの起動直後のエージングにおいて、加熱手段５０により流量センサユニット２０を所定時間加熱する。【選択図】図１

Description

本発明は、マスフローコントローラ、流体制御装置、及び半導体製造装置に関する。

従来、半導体製造プロセスに用いられるプロセスガス等の質量流量制御装置として、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）が用いられており、特に精密な流量測定のために熱式ＭＦＣが多く用いられている。
この熱式ＭＦＣは、熱式の流量センサで測定した流量に基づいて調整弁をフィードバック制御し、一次側から供給された流体（ガス等）を、指示された流量だけ二次側へ送出する装置である。

熱式流量センサは、流量測定のためにＭＦＣを通過する流体の一部を流すセンサ流路を有し、その途中の上流側と下流側に設けた発熱抵抗体で通電加熱しつつ、両発熱抵抗体の抵抗値差として検出される温度差から、センサ流路を流れる流体の質量流量を測定する。
センサ流路は、他の大部分の流体を流すバイパス流路と並列に接続され、センサ流路とバイパス流路との流量の比率は既知で圧力によらずほぼ一定であるため、センサの検出流量から、ＭＦＣを流れる流体の質量流量が算出できる（たとえば特許文献１）。

特開２０１６−１６２０６４号公報

このようなＭＦＣは、起動直後に、該ＭＦＣの各部に通電して待機するエージング（暖気）を行う必要がある。その理由は、起動時に熱式の流量センサや制御部のＰＣＢなどが、通電することにより発熱するため、ＭＦＣ全体の温度が上昇するが、昇温中はＭＦＣの零点が安定せず、正確な質量流量の制御が行えないためである。
この零点変化の原因としては、ＭＦＣ全体の温度変化によって、流量センサの微小コイルからなる発熱抵抗体の抵抗値が変化するためと考えられている。

従来は、温度センサを搭載した一部のＭＦＣにおいて、エージング終点を判定する機構は無く、起動後に数十分間待機することでエージング完了としていた。
さらに、このエージングは、ＭＦＣを起動する際に毎回行う必要があるため、その間はＭＦＣを使用できないという問題があった。

本発明の目的は、このような課題を解決し、エージング終点の判定機構を備え、このエージング時間を短縮することで、稼働率を高めることができるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）を提供することにある。

本発明のマスフローコントローラは、
流体が通過する流体流路と、
前記流体流路を通過する流体の質量流量を測定する熱式の流量センサユニットと、
前記流体流路を通過する流体の流量を調整する調整バルブと、
前記流量センサユニットで測定された流体の質量流量が所定値になるように前記調整バルブの開度を制御する制御部と、
を有する、マスフローコントローラであって、
前記流量センサユニットを外部から加熱する加熱手段をさらに有し、
前記制御部は、前記マスフローコントローラの起動直後に、該マスフローコントローラの各部に通電して待機するエージングを実施し、該エージングにおいて、前記加熱手段により前記流量センサユニットを所定時間加熱することを特徴とする。

好ましくは、前記マスフローコントローラは、前記流量センサユニットの発熱抵抗体の抵抗値を測定する抵抗値測定回路をさらに有し、前記制御部は、測定された前記抵抗値が所定値になるまで前記加熱手段を作動させ、さらに前記抵抗値の変動が所定範囲内であることを確認してから、前記エージングを完了させる、構成を採用できる。

好ましくは、前記加熱手段は、通電により発熱する発熱線と、該発熱線を両側から挟む絶縁性のシートとを含むものである構成を採用できる。

前記加熱手段は、前記流量センサユニットの上面に貼り付けられている構成を採用できる。センサカバー上面部がセンサコイル部の近傍であり、上面中心部に昇温体の配置行えばコイルに対して均等な昇温を行える。

前記加熱手段は、前記流量センサユニットの上半分の前後左右の各側面に貼り付けられている構成を採用できる。前後左右に昇温体を配置することにより、昇温の均等性の向上と昇温効率の向上を図ることができる。

前記加熱手段は、前記流量センサユニットの前面の上部分に貼り付けられている構成を採用できる。カバー前面の上部分はセンサコイル近傍であり、後部に配置されているPCBによる放熱と相まってセンサコイルを前後面の両側から挟むようにして昇温することができる。

本発明の流体制御装置は、複数の流体機器が配列された流体制御装置であって、前記複数の流体機器は、上記いずれかに記載マスフローコントローラを含むものである。

本発明の半導体製造装置は、密閉されたチャンバ内においてプロセスガスによる処理工程を要する半導体の製造プロセスにおいて、前記プロセスガスの制御に上記いずれかに記載のマスフローコントローラを用いるものである。

本発明によれば、流量センサを外部から加熱する加熱手段を設け、マスフローコントローラの起動直後の所定時間、前記加熱手段により前記流量センサを加熱させることとしたので、起動直後のエージングの時間を短縮でき、稼働率が向上したマスフローコントローラを提供することができる。

特に、前記流量センサの前記発熱抵抗体の抵抗値を測定する抵抗値測定回路を有し、測定された抵抗値が一定になり、機器が安定したことを確認してエージングを完了できるので、流量測定精度がさらに向上したマスフローコントローラを提供することができる。

本発明の実施形態に係るＭＦＣを概念的に示す縦断面図。 加熱手段の取り付け位置の一例を示す斜視図。 加熱手段の取り付け位置の他の一例を示す斜視図。 加熱手段の取り付け位置のさらに他の一例を示す斜視図。 加熱手段としてのラバーシートの一例を示す説明図。 流量センサのブリッジ回路の一例を示す説明図。 エージングのシーケンスの一例を示すフローチャート。 エージング時の抵抗値変化の一例を示す説明図。 エージング時の抵抗値変化の他の一例を示す説明図。 本発明の実施形態に係る流体制御装置を示す概略斜視図。 本発明の実施形態に係る半導体製造装置を示すブロック図。

（第１の実施形態）
以下、本発明の実施形態のＭＦＣについて図面を参照して説明する。本実施形態は、加熱手段としてラバーヒータを用い、流量センサの上面に取りつけた実施形態である。
図１は、本実施形態のＭＦＣを概念的に示す縦断面図である。

ＭＦＣ１は、ボディ１０と、流量センサユニット２０と、制御部３０と、流量調整バルブ４０とを主に備える。

ボディ１０は、ステンレス等の鋼材により構成され、外形が直方体形状をなし、その両端面には継手が取り付けられている。ボディ１０には、流入路１１ａと、センサ流入路１３ａと、バイパス流路１２と、センサ流出路１３ｂと、弁室１４と、流出路１１ｂとが形成されている。

バイパス流路１２へは、流入路１１ａを通過した流体が流入する。センサ流入路１３ａは、バイパス流路１２の上流から分岐し、流量センサユニット２０へ流体を流す。センサ流出路１３ｂは、流量センサユニット２０を通過した流体を流出させ、バイパス流路１２の下流で合流する。

バイパス流路１２およびセンサ流入路１３ａは、所定の流量比（例えば、１：２〜１：１０００）で流体が流れるように構成されている。バイパス流路１２内には、複数枚のバイパスシートが設けられている。弁室１４内には、流量調整バルブ４０のバルブ本体が配置されている。

流量センサユニット２０は、熱式の流量センサユニットであり、センサベース本体２１と、細管からなるセンサ流路２２と、該センサ流路２２の途中の上流側及び下流側に巻き付けられた発熱コイルからなる一対の発熱抵抗体２３ａ，２３ｂと、出力部であるブリッジ回路２８を主に備える。

ブリッジ回路２８は、図３に示すように、前記発熱抵抗体２３ａ，２３ｂと基準抵抗Ｒ１，Ｒ２とをこの順にダイヤモンド状に接続した回路であり、接続点Ｐ１〜Ｐ２間に入力電圧を加え、接続点Ｐ３〜Ｐ４間から出力電圧を得るようになっている。なお、ブリッジ回路２８は、物理的には、制御部３０のボードに設けられているが、機能的には流量センサユニット２０の出力部と考えられるので、本明細書では、流量センサユニット２０の構成要素として取り扱う。
なお、本実施形態では、接続点Ｐ１の上流に抵抗値測定回路としての電流測定部２５を設けている。これらの機能は後述する。

制御部３０は、流量センサユニット２０からの信号に基づいて流体の流量を算出し、バイパス流路１２を流れる流体が所定の流量となるように流量調整バルブ４０へ制御信号を出力するフィードバック制御を行う。制御部３０は、図４に示すように、増幅器３１，ＡＤ変換器（図示省略），比較制御部３２，ＤＡ変換器（図示省略）、増幅器（図示省略）を含む。なお、比較制御部３２は、マイコンＣＰＵにより実行されるプログラムであり、物理的なユニットではない。

流量調整バルブ４０は、制御部３０からの制御信号に基づいて流体の流路を開閉するバルブであり、バルブ本体と駆動アクチュエータとからなる。

ここで、本実施形態では、図２Ａに示すように、加熱手段としてラバーヒータ５０が、流量センサユニット２０の上面に取りつけられている。流量センサユニット２０の起動時の温度上昇を加速してエージング時間を短縮するためである。流量センサユニット２０の上面部にラバーヒータ５０を配置すれば、その近傍にある発熱抵抗体２３ａ，２３ｂに対して均等な加熱を行うことができる。

ラバーヒータ５０は、一例を図２Ｄに示すように、２枚の絶縁性のラバーシート５１ａ，５１ｂの間に発熱線５２をで挟んたもので、一端部からリード線５３が２本延出している。これらのリード線２本の間に電源を供給することにより、発熱線５２が発熱するようになっている。このラバーヒータ５０は、全体の厚さが１〜１．５ｍｍ程度と薄く、柔軟性があり、様々なものに貼り付け可能である。市販のものが利用できる。特に、加熱可能範囲の広いシリコーンラバーヒータが好ましい。
このラバーヒータ５０のリード線５３は、制御部３０のＰＣＢに接続され、電源の供給を受けている。但し、制御部３０の電源容量が足りないときは、別電源から供給し、制御部３０はそのＯＮ／ＯＦＦ制御のみを行うようにしてもよい。
尚、加熱手段としては、ラバーヒータに限られず、コイルヒータ等の各種ヒータや、ペルチェ素子等を用いてもよい。

本実施形態では、流量センサユニット２０の各発熱抵抗体２３ａ，２３ｂの抵抗値Ｒａ，Ｒｂを測定する抵抗値測定回路（２５）が設けられている。
具体的には、図３に示すように、ブリッジ回路２８の接続点Ｐ１の上流に、抵抗値測定回路して、電流測定部２５が設けられ、ブリッジ回路２８全体を流れる電流を検出している。この電流測定部２５は、例えば、被測定回路に挿入されたシャント抵抗に加わる電圧を測定する方式のものでもよい。
ブリッジ回路２８に電圧を供給する定電圧電源（図示省略）の電圧がV0で電流測定部２５による検出電流がIのとき、電流測定部２５の電圧降下が無視できるとすると、ブリッジ回路全体（接続点Ｐ１〜Ｐ２間）の抵抗値Ｒは以下の式で与えられる。

ブリッジ回路２８の出力端子である接続点Ｐ３〜Ｐ４間を通過する電流は無視できると考えられるので、ブリッジ回路全体の抵抗値Ｒは、発熱抵抗体２３ａ，２３ｂ（抵抗値Ｒａ，Ｒｂ）を直列に繋いだ抵抗と、基準抵抗Ｒ１，Ｒ２を直列に繋いだ抵抗とを並列に接続した場合の抵抗値になり、以下の関係が成立つと考えられる。

したがって、発熱抵抗体２３ａ，２３ｂの抵抗値Ｒａ，Ｒｂの合計は、算出された抵抗値Ｒと公知の抵抗Ｒ１，Ｒ２から以下の式で求められる。

この合計値Ｒａ＋Ｒｂの変化を、エージング完了の指標として用いる。
尚、基準抵抗Ｒ１，Ｒ２が、抵抗値Ｒａ，Ｒｂより十分大きい場合、上記式（３）から、Ｒａ＋ＲｂはＲに略等しくなるので、ブリッジ回路全体の抵抗値Ｒの変化を、エージング完了の指標として用いてもよい。
尚、抵抗値測定回路（２５）は、上記のものに限らず、発熱抵抗体２３ａ，２３ｂの抵抗値Ｒａ，Ｒｂを測定できる公知の様々な回路を用いてもよい。

次に、このように構成された本実施形態のＭＦＣ１の動作について、図３及び図４を参照して説明する。
（通常動作）
各流量センサユニット２０において、ブリッジ回路２８の接続点Ｐ１〜Ｐ２間に電圧Ｖ_ｉｎ（図３ではＶ０と略等しい）を加え、上流側と下流側の発熱抵抗体２３ａ、２３ｂに通電して発熱させるとともに、これらの発熱抵抗体２３ａ、２３ｂの抵抗値Ｒａ，Ｒｂ（温度に比例する）を検出する。センサ流路２２内に流体が流れると、上流側の発熱抵抗体２３ａは、流れてくる流体で冷やされて温度の上昇が抑えられ、下流側の発熱抵抗体２３ｂは、上流側の発熱抵抗体２３ａで加熱された流体が流れてくるので、温度の上昇が大きく、その結果、両発熱抵抗体２３ａ、２３ｂの間で温度差が生ずる。この温度差は、ある流量の範囲では流体の質量流量に比例すると見なせる。ブリッジ回路２８は、この温度差の指標となる発熱抵抗体２３ａ、２３ｂの抵抗値差Ｒａ−Ｒｂを、接続点Ｐ３〜Ｐ４間の出力電圧Ｖ_ｏｕｔに変換して出力している。
（基準抵抗Ｒ１とＲ２が等しい場合、Ｖ_ｏｕｔ＝Ｖ_ｉｎ×（Ｒｂ−Ｒａ）/（Ｒａ＋Ｒｂ）となり、Ｖ_ｏｕｔはＲｂ−Ｒａにほぼ比例する。）

流量センサユニット２０のブリッジ回路２８からの出力側信号線は、図３及び図１のように、オペアンプからなる増幅器３１に入力される。増幅された出力信号は、ＡＤ変換器（図示省略）でデジタル化される。デジタル化された信号は、さらに処理されて流量値が算出される。算出された流量値は、比較制御部３２に入力される。
比較制御部３２は、算出された流量値と外部のコントローラ（図示省略）から入力された流量設定値とを比較し、制御信号を出力する。この制御信号は、算出された流量値と流量設定値との単なる差分信号でもよいが、差分とその積分と微分に基づくＰＩＤ制御信号であることが好ましい。
この制御信号は、ＤＡ変換器（図示省略）でアナログ電圧に変換され、さらにオペアンプからなる増幅器（図示省略）で増幅されて、流量調整バルブ４０を駆動する。
このような、フィードバック制御を行うことにより、ＭＦＣを流れる流体の質量流量が所定値になるように調整する。

（エージング動作）
ＭＦＣの電源を入れた直後は、制御部３０は、加熱手段としてのラバーヒータ５０に通電し、流量センサユニット２０を加熱する。
このエージング動作のフローチャートを図４に示し、流量センサの抵抗値変化を図５に示す。
まず、ラバーヒータ５０を作動させない場合を考えると、図５の曲線Ａのように、通電により発熱抵抗体２３ａ，２３ｂの温度が上昇し、一定の温度で熱平衡状態になって安定する。これに従って、熱抵抗効果により抵抗値Ｒａ＋Ｒｂも初期値Ｒ_０から上昇し、所定値Ｒｓになって安定する（ＥＰ０点）。このように抵抗値Ｒａ＋Ｒｂが安定するには時間がかかる。

そこで、センサユニットへの通電開始と同時に、ラバーヒータをＯＮすると、図５の曲線Ｂのように、発熱抵抗体２３ａ，２３ｂの温度は急上昇し、抵抗値Ｒａ＋Ｒｂも急上昇する。
制御部３０は、前記のように、電流測定部２５の測定値Ｉから前記式（１）及び（３）に従って発熱抵抗体２３ａ，２３ｂの合計抵抗値Ｒａ＋Ｒｂを算出し、これが、前記ヒータなしでの安定した抵抗値である目標値Ｒｓになった時点で、ラバーヒータ５０をＯＦＦにする。
すると、発熱抵抗体２３ａ，２３ｂの温度は、ラバーヒータ５０からの余熱の伝導でオーバーシュートしたり、新たな熱の供給がなくなってアンダーシュートしたりして、新たな熱平衡状態になるまで変動する場合がある。
制御部３０は、合計抵抗値Ｒａ＋Ｒｂをさらにモニターし、その値が安定（例えば、所定時間内のＲａ＋Ｒｂの変動が目標値Ｒｓから所定範囲内）するのを確認した時点で、エージングを完了する（ＥＰ１点）。
エージングが完了すると、制御部３０は、ＭＦＣに流体を流さない状態での流量センサユニット２０の出力を読み込んで記憶するゼロ点調整を行い、それ以降、前記した通常動作を行う。

本実施形態では、加熱手段としてラバーヒータ５０を流量センサユニット２０の上面に取りつけ、ＭＦＣの起動直後の所定時間前記流量センサを加熱させることとしたので、起動直後のエージングの時間を短縮でき、稼働率を向上させるとこができる。特に、前記流量センサの前記発熱抵抗体の抵抗値を測定する抵抗値測定回路（５０）を設け、測定された抵抗値が一定になることを確認してエージングを完了することにしたので、機器が安定した状態で流量測定でき、精度がさらに向上したＭＦＣを提供することができる。

尚、本実施形態では、ラバーヒータ５０を流量センサユニット２０の上面に貼り付けた構成を採用したが、本発明のヒータ配置箇所はこれに限られない。
例えば、図２Ｂのように、加熱手段（ラバーヒータ５０）を、前記流量センサユニットの上半分の前後左右の各側面に貼り付けてもよい。前後左右に昇温体を配置することにより、昇温の均等性の向上と昇温効率の向上を図ることができる。
また、図２Ｃのように、加熱手段（ラバーヒータ５０）を、前記流量センサユニットの前面の上部分に貼り付けてもよい。カバー前面の上部分はセンサコイル近傍であり、後部に配置されているＰＣＢによる放熱と相まってセンサコイルを前後面の両側から挟むようにして昇温することができる。

（第２の実施形態）
第２の実施形態では、ＭＦＣの構成は第１の実施形態と同一であるが、エージングにおいて、目標値Ｒｓより低い抵抗値Ｒｓ２に到達した時点でヒータをＯＦＦにし、しかも、ＯＦＦにする際に、一気にゼロにしないで徐々に出力を下げることとした。
これにより、ヒータＯＦＦ後の抵抗値のオーバーシュートやその後のアンダーシュートを抑え、早く抵抗値が目標値Ｒｓから所定の範囲内に落ち着くようにしたものである。
図６において、本実施形態のエージングにおける抵抗値Ｒａ＋Ｒｂの変化を曲線Ｃに示す。比較のため、曲線Ａにヒータなしの場合の抵抗値Ｒａ＋Ｒｂの変化を示す。
制御部３０は、前記のように、電流測定部２５の測定値Ｉから前記式（１）及び（３）に従って発熱抵抗体２３ａ，２３ｂの合計抵抗値Ｒａ＋Ｒｂを算出し、合計抵抗値Ｒａ＋Ｒｂが目標値Ｒｓより低い抵抗値Ｒｓ２でヒータをＯＦＦにする。
すると、発熱抵抗体２３ａ，２３ｂの合計抵抗値Ｒａ＋Ｒｂは、ラバーヒータからの余熱の伝導のため上昇を継続するが、目標値Ｒｓを超えるオーバーシュート量は小さくなる。また、ヒータをＯＦＦするとき、徐々に出力を下げるようにしたので、新たな熱の供給の消失によるアンダーシュートが小さく、早く平衡状態になる。
制御部３０は、第１の実施形態と同様に、抵抗値Ｒａ＋Ｒｂをさらにモニターし、その値が安定（所定時間内のＲａ＋Ｒｂの変動が目標値Ｒｓから所定範囲内）するのを確認した時点で、エージングを完了する。これにより、第１の実施形態の場合より早くエージングを完了できる場合がある（ＥＰ２点）。

尚、上記各実施形態では、抵抗値の変化によってエージングの終点を判定する形態を記載したが、センサユニットの温度を測定する温度センサを設け、温度によってエージングの終点を判定してもよい。

次に、本発明の流体制御装置について説明する。
図７は、本発明の一実施形態に係る流体制御装置の概略斜視図である。
図７に示す流体制御装置には、幅方向Ｗ１、Ｗ２に沿って配列され長手方向Ｇ１、Ｇ２に延びる金属製のベースプレートＢＳが設けられている。なお、Ｗ１は正面側、Ｗ２は背面側、Ｇ１は上流側、Ｇ２は下流側の方向を示している。ベースプレートＢＳには、複数の流路ブロック９９２を介して各種流体機器９９１Ａ〜９９１Ｅが設置され、複数の流路ブロック９９２には、上流側Ｇ１から下流側Ｇ２に向かって流体が流通する図示しない流路がそれぞれ形成されている。

ここで、「流体機器」とは、流体の流れを制御する流体制御装置に使用される機器であって、流体流路を画定するボディを備え、このボディの表面で開口する少なくとも２つの流路ロを有する機器である。具体的には、開閉弁（２方弁）９９１Ａ、レギュレータ９９１Ｂ、プレッシャーゲージ９９１Ｃ、開閉弁（３方弁）９９１Ｄ、マスフローコントローラ９９１Ｅ等が含まれるが、これらに限定されるわけではない。なお、導入管９９３は、上記した図示しない流路の上流側の流路口に接続されている。
本発明は、上記したマスフローコントローラ９９１Ｅに適用可能である。

次に、本発明の半導体製造装置について説明する。
図８は、本発明の一実施形態に係る半導体製造装置のブロック図である。
図８に示す半導体製造装置９８０は、原子層堆積法（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉ ｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ 法）による半導体製造プロセスを実行するための装置であり、９８１はプロセスガス供給源、９８２はガスボックス、９８３はタンク、９８４は開閉バルブ、９８５は制御部、９８６は処理チャンバ、９８７は排気ポンプを示している。例えば、ＡＬＤ法等においては、基板に膜を堆積させる処理プロセスに使用する処理ガスをより大きな流量で安定的に供給することが求められている。
ガスボックス９８２は、正確に計量したプロセスガスを処理チャンバ９８６に供給するために、開閉バルブ、レギュレータ、マスフローコントローラ等の各種の流体機器を集積化してボックスに収容した集積化ガスシステム（流体制御装置）である。
タンク９８３は、ガスボックス９８２から供給される処理ガスを一時的に貯留するバッフアとして機能する。
開閉バルブ９８４は、上記した変位拡大機構を内蔵したダイヤフラムバルブである。
制御部９８５は、開閉バルブ９８４への操作ガスの供給制御による流量調整制御を実行する。
処理チャンバ９８６は、ＡＬＤ法による基板への膜形成のための密閉処理空間を提供する。
排気ポンプ９８７は、処理チャンバ９８６内を真空引きする。
本発明は、上記したガスボックス９８２（流体制御装置）の構成要素としてのマスフローコントローラに適用可能である。

上記のようなシステム構成によれば、制御部９８５から開閉バルブ９８４に制御指令を送れば、処理ガスの流量制御が可能になる。

なお、本発明は、上述した実施形態に限定されない。当業者であれば、本発明の範囲内で、種々の追加や変更等を行うことができる。

１ ：マスフローコントローラ（ＭＦＣ）
１０ ：ボディ
１１ ：流体流路
１１ａ ：流入路
１１ｂ ：流出路
１２ ：バイパス流路
１３ａ ：センサ流入路
１３ｂ ：センサ流出路
１４ ：弁室
２０ ：流量センサユニット
２１ ：センサベース本体
２２ ：センサ流路
２３ａ，２３ｂ：発熱抵抗体（発熱コイル）
２５ ：電流測定部（抵抗値測定回路）
２８ ：ブリッジ回路
３０ ：制御部
３１ ：増幅器
３２ ：比較制御部
４０ ：流量調整バルブ
５０ ：ラバーヒータ（加熱手段）
５１ａ，５１ｂ：ラバーシート
５２ ：発熱線
５３ ：リード線
９８０ ：半導体製造装置
９８１ ：プロセスガス供給源
９８２ ：ガスボックス
９８３ ：タンク
９８４ ：開閉バルブ
９８５ ：制御部
９８６ ：処理チャンバ
９８７ ：排気ポンプ
９９１Ａ〜９９１Ｅ ：流体機器
９９２ ：流路ブロック
９９３ ：導入管
ＢＳ ：ベースプレート
Ｐ１〜Ｐ４：接続点
Ｒ１，Ｒ２：基準抵抗Ｒ１，Ｒ２
Ｒａ，Ｒｂ：発熱抵抗体２３ａ，２３ｂの抵抗値

Claims (8)

1. 流体が通過する流体流路と、
   前記流体流路を通過する流体の質量流量を測定する熱式の流量センサユニットと、
   前記流体流路を通過する流体の流量を調整する調整バルブと、
   前記流量センサユニットで測定された流体の質量流量が所定値になるように前記調整バルブの開度を制御する制御部と、
   を有する、マスフローコントローラであって、
   前記流量センサユニットを外部から加熱する加熱手段をさらに有し、
   前記制御部は、前記マスフローコントローラの起動直後に、該マスフローコントローラの各部に通電して待機するエージングを実施し、該エージングにおいて、前記加熱手段により前記流量センサユニットを所定時間加熱する
   ことを特徴とする、マスフローコントローラ。
2. 前記流量センサユニットの発熱抵抗体の抵抗値を測定する抵抗値測定回路をさらに有し、前記制御部は、測定された前記抵抗値が所定値になるまで前記加熱手段を作動させ、さらに前記抵抗値の変動が所定範囲内であることを確認してから、前記エージングを完了させる、請求項１に記載のマスフローコントローラ。
3. 前記加熱手段は、通電により発熱する発熱線と、該発熱線を両側から挟む絶縁性のシートとを含むものである、請求項１に記載のマスフローコントローラ。
4. 前記加熱手段は、前記流量センサユニットの上面に貼り付けられている、請求項１に記載のマスフローコントローラ。
5. 前記加熱手段は、前記流量センサユニットの上半分の前後左右の各側面に貼り付けられている、請求項１に記載のマスフローコントローラ。
6. 前記加熱手段は、前記流量センサユニットの前面の上部分に貼り付けられている、請求項１に記載のマスフローコントローラ。
7. 複数の流体機器が配列された流体制御装置であって、
   前記複数の流体機器は、請求項１〜６のいずれかに記載マスフローコントローラを含む、流体制御装置。
8. 密閉されたチャンバ内においてプロセスガスによる処理工程を要する半導体の製造プロセスにおいて、前記プロセスガスの制御に請求項１〜６のいずれかに記載のマスフローコントローラを用いる、半導体製造装置。

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