JP2021031358A5 - - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010431 corundum Substances 0.000 claims description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims 1
- 125000005594 diketone group Chemical group 0.000 claims 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims 1
Description
本発明は、上記目的を達成するためになされたものであり、下地基板と、コランダム構造を有する結晶性酸化物膜とを有する積層構造体であって、前記結晶性酸化物膜が、不純物として少なくとも炭素(C)を含み、前記結晶性酸化物膜の二乗平均平方根粗さ(RMS)が0.1μm以下である積層構造体を提供する。
本発明者らは、上記課題について鋭意検討を重ねた結果、下地基板と、コランダム構造を有する結晶性酸化物膜とを有する積層構造体であって、前記結晶性酸化物膜が、不純物として少なくとも炭素(C)を含み、前記結晶性酸化物膜の二乗平均平方根粗さ(RMS)が0.1μm以下である積層構造体により、表面が平滑な結晶性酸化物膜を有し、半導体装置に適用した場合に半導体特性の優れた積層構造体となることを見出し、本発明を完成した。
Claims (12)
- 下地基板と、コランダム構造を有する結晶性酸化物膜とを有する積層構造体であって、
前記結晶性酸化物膜が、不純物として少なくとも炭素(C)を含み、
前記結晶性酸化物膜の二乗平均平方根粗さ(RMS)が0.1μm以下であることを特徴とする積層構造体。 - 前記結晶性酸化物膜中のC濃度が2×1017〜2×1020/cm3であることを特徴とする請求項1に記載の積層構造体。
- 前記結晶性酸化物膜の膜厚が1μm以上であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の積層構造体。
- 前記下地基板がc面サファイア基板であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の積層構造体。
- 前記結晶性酸化物膜の面積が100mm2以上であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の積層構造体。
- 原料溶液を微粒子化して生成される原料微粒子を、キャリアガスによって基板へ搬送し、前記基板上で前記原料微粒子を熱反応させて、コランダム構造を有する結晶性酸化物膜を成膜する積層構造体の製造方法であって、
前記原料溶液に少なくとも炭素(C)を含む表面平滑剤を混合することで、前記結晶性酸化物膜へのCのドーピング処理を行い、前記結晶性酸化物膜の表面の二乗平均平方根粗さ(RMS)を0.1μm以下とすることを特徴とする積層構造体の製造方法。 - 前記表面平滑剤として、アルコール類又はジケトン類のいずれか1つ以上を用いることを特徴とする請求項6に記載の積層構造体の製造方法。
- コランダム構造を有する第一の結晶性酸化物膜と、コランダム構造を有する第二の結晶性酸化物膜とを含む積層構造体であって、
前記第二の結晶性酸化物膜の上に前記第一の結晶性酸化物膜を有し、
前記第二の結晶性酸化物膜が、不純物として少なくとも炭素(C)を含むものであることを特徴とする積層構造体。 - 前記第二の結晶性酸化物膜中のC濃度が2×1017〜2×1020/cm3であることを特徴とする請求項8に記載の積層構造体。
- 前記第一の結晶性酸化物膜の膜厚が1μm以上であることを特徴とする請求項8又は請求項9に記載の積層構造体。
- 前記第一の結晶性酸化物膜の面積が100mm2以上であることを特徴とする請求項8〜10のいずれか1項に記載の積層構造体。
- 請求項1〜5、8〜11のいずれか1項に記載の積層構造体を含むことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019156145A JP7045014B2 (ja) | 2019-08-28 | 2019-08-28 | 積層構造体の製造方法 |
JP2022033298A JP7306640B2 (ja) | 2019-08-28 | 2022-03-04 | 結晶性酸化物膜 |
JP2023100733A JP2023112045A (ja) | 2019-08-28 | 2023-06-20 | 積層構造体、半導体装置及び積層構造体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019156145A JP7045014B2 (ja) | 2019-08-28 | 2019-08-28 | 積層構造体の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022033298A Division JP7306640B2 (ja) | 2019-08-28 | 2022-03-04 | 結晶性酸化物膜 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021031358A JP2021031358A (ja) | 2021-03-01 |
JP2021031358A5 true JP2021031358A5 (ja) | 2021-07-26 |
JP7045014B2 JP7045014B2 (ja) | 2022-03-31 |
Family
ID=74675335
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019156145A Active JP7045014B2 (ja) | 2019-08-28 | 2019-08-28 | 積層構造体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7045014B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20240124974A1 (en) * | 2021-05-04 | 2024-04-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of producing raw material solution, method of film-forming and production lot |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10090388B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-10-02 | Flosfia Inc. | Crystalline multilayer structure and semiconductor device |
EP2927934B1 (en) | 2014-03-31 | 2017-07-05 | Flosfia Inc. | Crystalline multilayer structure and semiconductor device |
-
2019
- 2019-08-28 JP JP2019156145A patent/JP7045014B2/ja active Active
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