JP2021011412A - ガラスセラミックス焼結体および配線基板 - Google Patents
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Abstract
Description
前記結晶化ガラスの含有量は、50質量%〜80質量%であり、
前記アルミナフィラーの含有量は、Al2O3換算で15.6質量%〜31.2質量%であり、
前記シリカの含有量は、SiO2換算で0.4質量%〜4.8質量%であり、
前記チタン酸ストロンチウムの含有量は、SrTiO3換算で4質量%〜14質量%であるガラスセラミックス焼結体。
前記絶縁基体が、前記[1]または[2]に記載のガラスセラミックス焼結体からなる配線基板。
以下、本発明の一実施形態に係るガラスセラミックス焼結体を用いたガラスセラミックス配線基板とその製造方法を例に、本発明の一実施形態について説明する。
図1は、本実施形態のガラスセラミックス配線基板101の模式断面図である。図1においては、基板内に任意のピッチで配置された回路を構成する基本構造体の一つについて、中央付近の断面図を示してある。
上述の絶縁層1a〜1dは、本発明の一実施形態に係るガラスセラミックス焼結体1で構成されている。
本実施形態に係るガラスセラミックス焼結体に含まれる結晶化ガラスは、少なくともMg、CaおよびSiを含むディオプサイド型酸化物結晶相を析出する結晶化ガラスであることが好ましい。このようなディオプサイド型結晶相を主相とするガラス成分は、高周波領域において、ガラスセラミックス焼結体の誘電損失を小さくする、すなわちQ値を高くする。
本実施形態に係るガラスセラミックス焼結体はアルミナフィラー(Al2O3)を含む。
本実施形態に係るガラスセラミックス焼結体はシリカ(SiO2)を含む。このようなガラスセラミックス焼結体は、ディオプサイド型結晶相を主相とするガラス成分の結晶化を促進し、ガラスセラミックス焼結体の誘電損失の低減に寄与する。
本実施形態に係るガラスセラミックス焼結体はチタン酸ストロンチウム(SrTiO3)を含み、これにより、温度特性の向上に寄与する。
次に、本実施形態に係るガラスセラミックス配線基板の製造方法の好適な実施形態を、図面を参照して説明する。図2(S1)〜図2(S3)は、ガラスセラミックス配線基板の製造方法のフローを説明するための概略断面図である。特に、図2(S1)は、基板焼成前の各種パターンが形成されたガラスセラミックス配線基板用グリーンシートの模式断面図である。また、図2(S2)は、図2(S1)で準備されたガラスセラミックス配線基板用グリーンシートを積層した焼成前のガラスセラミックス配線基板用積層体の模式断面図である。さらに、図2(S3)は、図2(S2)を焼成することにより得られたガラスセラミックス配線基板の模式断面図である。
本実施形態のガラスセラミックス焼結体は、結晶化ガラス、アルミナフィラー、シリカおよびチタン酸ストロンチウムを含有するガラスセラミックス焼結体である。結晶化ガラスの含有量は、50質量%〜80質量%であり、アルミナフィラーの含有量は、Al2O3換算で15.6質量%〜31.2質量%であり、シリカの含有量は、SiO2換算で0.4質量%〜4.8質量%であり、チタン酸ストロンチウムの含有量は、SrTiO3換算で4質量%〜14質量%である。
次に、本発明に係るガラスセラミックス焼結体を用いたガラスセラミックス基板とその製造方法を例に、上記とは別の一形態を説明する。なお、以下に示す部分以外は、第1実施形態と同様な構成および作用効果を有し、重複する記載は一部省略する。
ガラス粉末(SiO2=45質量%、CaO=17質量%、MgO=15質量%、Al2O3=5質量%、SrO=18質量%となるディオプサイドを析出する結晶化ガラス粉末)、アルミナフィラー(高純度化学研究所製α−アルミナ3N)、シリカ(高純度化学研究所製SiO2 3N)およびチタン酸ストロンチウム(高純度化学研究所製チタン酸ストロンチウム2N)を準備し、各試料の組成比が表1〜表4に示す値となるように、それぞれの材料を秤量した。なお、比較例8においては、さらにB2O3、Li2O、CoOおよびAg2Oを準備し、表5に示す値となるように、それぞれの材料を秤量した。
得られたガラスセラミックス焼結体の組成を分析した。組成分析は蛍光X線分析装置(XRF)による分析方法で行った。その結果、各焼結体の組成が仕込み組成(表1〜表5の組成)と等しいことを確認した。
比誘電率(εr)および誘電損失(tanδ)については、遮断円筒導波管法(JIS R1660−1)により周波数約28GHzにおける特性を評価した。ガラスセラミックス焼結体を所定形状に加工して評価を行った。具体的には、10×10×0.7mm板状になるよう焼結基板から切り出し、その切り出された板状サンプルをTE011モード遮断円筒共振器に挟み込んで測定を行った。遮断円筒共振器の共振ピークの状態を測定するために、キーサイト・テクノロジー(株)製ネットワーク・アナライザネットワークアナライザN5247Aおよび解析のためのコンピューターに接続されており、それら一連のシステムにより、測定した。
温度係数τfは、JIS R1627に準拠し、11GHz〜15GHzの共振周波数において、共振周波数の−25〜85℃間における温度変化率を測定した。
PANalytical製X‘Pert Pro、X線(Cu−Kα線)回折装置により、2θ/θ=16〜40degの間を、X線発生条件が45kV−40mA、スキャン幅が0.033°、スキャン速度が0.13°/sとし、X線検出条件が、入射側光学系がNiフィルター10μm、ソーラースリット0.04rad、発散スリット1/2°、マスク10mm、散乱防止スリット1°、受入側光学系が、散乱防止スリット5.5mm、ソーラースリット0.04rad、Niフィルター20μmとした。
[ガラスセラミックス配線基板の作製]
実施例1と同様にして、基板用グリーンシート用塗料を調製した。
1a〜1d 絶縁層
3 ビア導体
4 実装用の表面端子
5 内部導体層
6 表面導体層
10 グリーンシート
11a〜11d 配線基板用グリーンシート
12a〜12d 基板用グリーンシート
13 ビア導体パターン
14 表面端子パターン
15 内部導体パターン
16 表面導体パターン
21 配線基板用積層体
22 基板用積層体
101 配線基板
102 基板
Claims (3)
- 結晶化ガラス、アルミナフィラー、シリカおよびチタン酸ストロンチウムを含有するガラスセラミックス焼結体であり、
前記結晶化ガラスの含有量は、50質量%〜80質量%であり、
前記アルミナフィラーの含有量は、Al2O3換算で15.6質量%〜31.2質量%であり、
前記シリカの含有量は、SiO2換算で0.4質量%〜4.8質量%であり、
前記チタン酸ストロンチウムの含有量は、SrTiO3換算で4質量%〜14質量%であるガラスセラミックス焼結体。 - 前記結晶化ガラスは、少なくともMg、CaおよびSiを含むディオプサイド型酸化物結晶相を析出する請求項1に記載のガラスセラミックス焼結体。
- 絶縁基体と、配線導体とを有し、
前記絶縁基体が、請求項1または2に記載のガラスセラミックス焼結体からなることを特徴とする配線基板。
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