JP2021008665A5 - - Google Patents
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Description
［実験例１］
実施例３−１及び実施例３−２（何れも実施形態１のプロセスで製造されたアドバンスド電解銅箔を用いる）と、台湾特許出願第１０７１３３８２７号の電解銅箔（型番：ＲＧ３１１、以下ではＲＧ３１１と略称する）と、Ｃ社が製造した電解銅箔（型番：ＲＴＦ−３、以下ではＲＴＦ−３と略称する）とのそれぞれを、Ｉ社が製造した中程度損失（Ｍｉｄ−ｌｏｓｓ）のプリプレグ材料（型番：ＩＴ１７０ＧＲＡ１）に貼り合わせ硬化させた後、個々の単層銅張積層板を形成した。なかでも、ＲＧ３１１の表面粗さ（Ｒｚ ＪＩＳ Ｂ ０６０１−１９９４）は２．３ミクロンよりも小さい。傾斜角３５度、倍率１００００倍の走査型電子顕微鏡（型番：Ｈｉｔａｃｈｉ Ｓ−３４００Ｎ）以の観察下で示されるＲＴＦ−３の画像が図８に示すように、銅箔の表面に銅結晶が明らかに均一に分布している。すべての単層銅張積層板の剥離強度は使用の要件を満たしており、Ｉｎｔｅｌ社が提案しているＤｅｌｔａ Ｌ法を用いて、３ ｍｉｌｓ Ｃｏｒｅ （１ ｏｚ）、１０ ｍｉｌｓ ＰＰ、及び４．５ ｍｉｌｓ Ｔｒａｃｅ Ｗｉｄｔｈで信号品位をテストした。結果は下記の表３に表示される。
実施例３−１及び実施例３−２（何れも実施形態１のプロセスで製造されたアドバンスド電解銅箔を用いる）と、台湾特許出願第１０７１３３８２７号の電解銅箔（型番：ＲＧ３１１、以下ではＲＧ３１１と略称する）と、Ｃ社が製造した電解銅箔（型番：ＲＴＦ−３、以下ではＲＴＦ−３と略称する）とのそれぞれを、Ｉ社が製造した中程度損失（Ｍｉｄ−ｌｏｓｓ）のプリプレグ材料（型番：ＩＴ１７０ＧＲＡ１）に貼り合わせ硬化させた後、個々の単層銅張積層板を形成した。なかでも、ＲＧ３１１の表面粗さ（Ｒｚ ＪＩＳ Ｂ ０６０１−１９９４）は２．３ミクロンよりも小さい。傾斜角３５度、倍率１００００倍の走査型電子顕微鏡（型番：Ｈｉｔａｃｈｉ Ｓ−３４００Ｎ）以の観察下で示されるＲＴＦ−３の画像が図８に示すように、銅箔の表面に銅結晶が明らかに均一に分布している。すべての単層銅張積層板の剥離強度は使用の要件を満たしており、Ｉｎｔｅｌ社が提案しているＤｅｌｔａ Ｌ法を用いて、３ ｍｉｌｓ Ｃｏｒｅ （１ ｏｚ）、１０ ｍｉｌｓ ＰＰ、及び４．５ ｍｉｌｓ Ｔｒａｃｅ Ｗｉｄｔｈで信号品位をテストした。結果は下記の表３に表示される。
［実験例２］
実施例４−１及び実施例４−２（何れも実施形態１のプロセスで製造されたアドバンスド電解銅箔を用いる）と、台湾特許出願第１０７１３３８２７号の電解銅箔（型番：ＲＧ３１１、以下ではＲＧ３１１と略称する）と、Ｃ社が製造した電解銅箔（型番：ＲＴＦ−３、以下ではＲＴＦ−３と略称する）とのそれぞれを、Ｉ社が製造した低程度損失（Ｌｏｗ Ｌｏｓｓ）のプリプレグ材料（型番：ＩＴ９５８Ｇ）に貼り合わせて硬化した後、個々の単層銅張積層板を形成した。なかでも、ＲＧ３１１の表面粗さ（Ｒｚ ＪＩＳ Ｂ ０６０１−１９９４）は２．３ミクロンよりも小さい。傾斜角３５度、倍率３０００倍の走査型電子顕微鏡（型番：Ｈｉｔａｃｈｉ Ｓ−３４００Ｎ）以の観察下で示されるＲＴＦ−３の画像が図８に示すように、銅箔の表面に銅結晶が明らかに均一に分布している。すべての単層銅張積層板の剥離強度は使用の要件を満たしており、Ｉｎｔｅｌ社が提案しているＤｅｌｔａ Ｌ法を用いて、３ ｍｉｌｓ Ｃｏｒｅ （１ｏｚ）、１０ ｍｉｌｓ ＰＰ、及び４．５ ｍｉｌｓ Ｔｒａｃｅ Ｗｉｄｔｈで信号品位をテストした。結果は下記の表４に表示される。
実施例４−１及び実施例４−２（何れも実施形態１のプロセスで製造されたアドバンスド電解銅箔を用いる）と、台湾特許出願第１０７１３３８２７号の電解銅箔（型番：ＲＧ３１１、以下ではＲＧ３１１と略称する）と、Ｃ社が製造した電解銅箔（型番：ＲＴＦ−３、以下ではＲＴＦ−３と略称する）とのそれぞれを、Ｉ社が製造した低程度損失（Ｌｏｗ Ｌｏｓｓ）のプリプレグ材料（型番：ＩＴ９５８Ｇ）に貼り合わせて硬化した後、個々の単層銅張積層板を形成した。なかでも、ＲＧ３１１の表面粗さ（Ｒｚ ＪＩＳ Ｂ ０６０１−１９９４）は２．３ミクロンよりも小さい。傾斜角３５度、倍率３０００倍の走査型電子顕微鏡（型番：Ｈｉｔａｃｈｉ Ｓ−３４００Ｎ）以の観察下で示されるＲＴＦ−３の画像が図８に示すように、銅箔の表面に銅結晶が明らかに均一に分布している。すべての単層銅張積層板の剥離強度は使用の要件を満たしており、Ｉｎｔｅｌ社が提案しているＤｅｌｔａ Ｌ法を用いて、３ ｍｉｌｓ Ｃｏｒｅ （１ｏｚ）、１０ ｍｉｌｓ ＰＰ、及び４．５ ｍｉｌｓ Ｔｒａｃｅ Ｗｉｄｔｈで信号品位をテストした。結果は下記の表４に表示される。
［実験例３］
実施例５−１及び実施例５−２（何れも実施形態１のプロセスで製造されたアドバンスド電解銅箔を用いる）と、台湾特許出願第１０７１３３８２７号の電解銅箔（型番：ＲＧ３１１、以下ではＲＧ３１１と略称する）と、Ｍ社が製造した電解銅箔（型番：ＨＳ１−Ｍ２−ＶＳＰ、以下ではＨＳ１−Ｍ２−ＶＳＰと略称する）とのそれぞれを、Ｉ社が製造した非常に低程度損失（Ｕｌｔｒａ Ｌｏｗ）のプリプレグ材料（型番：ＩＴ９６８）に貼り合わせ硬化させた後、個々の単層銅張積層板を形成した。なかでも、ＲＧ３１１の表面粗さ（Ｒｚ ＪＩＳ Ｂ ０６０１−１９９４）は２．３ミクロンよりも小さい。傾斜角３５度、倍率１００００倍の走査型電子顕微鏡（型番：Ｈｉｔａｃｈｉ Ｓ−３４００Ｎ）以の観察下で示されるＲＴＦ−３の画像が図８に示すように、銅箔の表面に銅結晶が明らかに均一に分布している。すべての単層銅張積層板の剥離強度は使用の要件を満たしており、Ｉｎｔｅｌ社が提案しているＤｅｌｔａ Ｌ法を用いて、３ ｍｉｌｓ Ｃｏｒｅ （１ ｏｚ）、１０ ｍｉｌｓ ＰＰ、及び４．５ ｍｉｌｓ Ｔｒａｃｅ Ｗｉｄｔｈで信号品位をテストした。結果は下記の表５に表示される。
実施例５−１及び実施例５−２（何れも実施形態１のプロセスで製造されたアドバンスド電解銅箔を用いる）と、台湾特許出願第１０７１３３８２７号の電解銅箔（型番：ＲＧ３１１、以下ではＲＧ３１１と略称する）と、Ｍ社が製造した電解銅箔（型番：ＨＳ１−Ｍ２−ＶＳＰ、以下ではＨＳ１−Ｍ２−ＶＳＰと略称する）とのそれぞれを、Ｉ社が製造した非常に低程度損失（Ｕｌｔｒａ Ｌｏｗ）のプリプレグ材料（型番：ＩＴ９６８）に貼り合わせ硬化させた後、個々の単層銅張積層板を形成した。なかでも、ＲＧ３１１の表面粗さ（Ｒｚ ＪＩＳ Ｂ ０６０１−１９９４）は２．３ミクロンよりも小さい。傾斜角３５度、倍率１００００倍の走査型電子顕微鏡（型番：Ｈｉｔａｃｈｉ Ｓ−３４００Ｎ）以の観察下で示されるＲＴＦ−３の画像が図８に示すように、銅箔の表面に銅結晶が明らかに均一に分布している。すべての単層銅張積層板の剥離強度は使用の要件を満たしており、Ｉｎｔｅｌ社が提案しているＤｅｌｔａ Ｌ法を用いて、３ ｍｉｌｓ Ｃｏｒｅ （１ ｏｚ）、１０ ｍｉｌｓ ＰＰ、及び４．５ ｍｉｌｓ Ｔｒａｃｅ Ｗｉｄｔｈで信号品位をテストした。結果は下記の表５に表示される。
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