JP2020517128A - ハイサイドスイッチ用のゲートドライバ回路 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2017年4月10日に出願されたインド特許出願第201711012739号に対する優先権を主張し、その内容全体が本明細書に組み込まれる。
Claims (23)
- ハイサイドスイッチを駆動するためのゲートドライバ回路であって、
前記ハイサイドスイッチに接続されたサンプル及びレベルシフト回路と、
少なくとも1つの増幅器の出力電圧をサンプリングするように構成されたサンプリングコンデンサと、
前記少なくとも1つの増幅器に接続された少なくとも1つの電圧源と、を備え、
前記サンプリングコンデンサが、前記ハイサイドスイッチのゲート容量を充電するように更に構成されており、
前記少なくとも1つの増幅器が、ハイサイドスイッチ出力電流を制限するように構成されている、ゲートドライバ回路。 - 前記ハイサイドスイッチが、nチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(nMOSトランジスタ)である、請求項1に記載のゲートドライバ回路。
- 回路負荷を更に備え、前記回路負荷が、前記nMOSトランジスタのソース側に接続されている、請求項2に記載のゲートドライバ回路。
- 前記少なくとも1つの増幅器が、前記電圧源に対する第2の電圧のコモンモード電圧範囲内で機能するように構成されており、前記第2の電圧が、前記電圧源未満である、請求項1〜3のいずれか一項に記載のゲートドライバ回路。
- 前記サンプリングコンデンサが、2pF〜250pFの容量範囲内である、請求項1〜4のいずれか一項に記載のゲートドライバ回路。
- 前記ゲートドライバ回路が、単一チップ上の集積回路である、請求項1〜5のいずれか一項に記載のゲートドライバ回路。
- トランジスタと直列に接続された電流検知抵抗器を更に備え、前記電流検知抵抗器及び前記トランジスタが、前記ハイサイドスイッチと並列に接続されている、請求項1〜6のいずれか一項に記載のゲートドライバ回路。
- ハイサイドスイッチを駆動するための方法であって、
少なくとも1つの電圧を少なくとも1つの増幅器に供給することと、
前記ハイサイドスイッチの出力電流を、少なくとも1つの増幅器を介して制限することと、
前記少なくとも1つの増幅器の出力電圧を、前記出力電圧のサンプリングのために構成されたサンプリングコンデンサを用いてサンプリングすることと、
前記少なくとも1つの増幅器の前記出力電圧をレベルシフトすることと、
前記サンプリングコンデンサを使用して、前記ハイサイドスイッチのゲート容量を充電することと、を含む、方法。 - 前記ハイサイドスイッチがオンになったときに、入力電圧を負荷に供給することを更に含む、請求項8に記載の方法。
- 前記ハイサイドスイッチが、nチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(nMOSトランジスタ)である、請求項8又は9に記載の方法。
- 回路負荷を前記nMOSトランジスタのソース側に接続することを更に含む、請求項10に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの増幅器を、前記少なくとも1つの電圧を供給する電圧源に対する第2の電圧のコモンモード電圧範囲内で動作させることを更に含み、前記第2の電圧が前記電圧源未満である、請求項8〜11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記サンプリングコンデンサが、2pF〜250pFの容量範囲内である、請求項8〜12のいずれか一項に記載の方法。
- 前記工程が、単一チップ上の集積回路から行われる、請求項8〜13のいずれか一項に記載の方法。
- トランジスタと直列に接続された電流検知抵抗器を提供するステップを更に含み、前記電流検知抵抗器及び前記トランジスタが、前記ハイサイドスイッチと並列に接続されている、請求項8〜14のいずれか一項に記載の方法。
- 回路であって、
ハイサイドスイッチと、
ハイサイドスイッチを駆動するためのゲートドライバ回路と、を備え、前記ゲートドライバ回路が、
前記ハイサイドスイッチに接続されたサンプル及びレベルシフト回路と、
少なくとも1つの増幅器の出力電圧をサンプリングするように構成されたサンプリングコンデンサと、
前記少なくとも1つの増幅器に接続された少なくとも1つの電圧源と、を備え、
前記サンプリングコンデンサが、前記ハイサイドスイッチのゲート容量を充電するように更に構成されており、
前記少なくとも1つの増幅器が、ハイサイドスイッチ出力電流を制限するように構成されている、回路。 - 前記ハイサイドスイッチが、nチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(nMOSトランジスタ)である、請求項16に記載のゲートドライバ回路。
- 回路負荷を更に備え、前記回路負荷が、前記nMOSトランジスタのソース側に接続されている、請求項17に記載のゲートドライバ回路。
- 前記少なくとも1つの増幅器が、前記電圧源に対する第2の電圧のコモンモード電圧範囲内で機能するように構成されており、前記第2の電圧が、前記電圧源未満である、請求項16〜18のいずれか一項に記載のゲートドライバ回路。
- 前記サンプリングコンデンサが、2pF〜250pFの容量範囲内である、請求項16〜19のいずれか一項に記載のゲートドライバ回路。
- 前記ゲートドライバ回路が、単一チップ上の集積回路である、請求項16〜20のいずれか一項に記載のゲートドライバ回路。
- トランジスタと直列に接続された電流検知抵抗器を更に備え、前記電流検知抵抗器及び前記トランジスタが、前記ハイサイドスイッチと並列に接続されている、請求項16〜21のいずれか一項に記載のゲートドライバ回路。
- 請求項16〜22に記載のゲートドライバ回路のうちのいずれかを含む、マイクロコントローラ。
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