JP2020137337A - 振動発電素子および振動発電素子の製造方法 - Google Patents
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- 238000010248 power generation Methods 0.000 title claims abstract description 65
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 27
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003306 harvesting Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- -1 Sulfuric acid Peroxide Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0018—Structures acting upon the moving or flexible element for transforming energy into mechanical movement or vice versa, i.e. actuators, sensors, generators
- B81B3/0021—Transducers for transforming electrical into mechanical energy or vice versa
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N1/00—Electrostatic generators or motors using a solid moving electrostatic charge carrier
- H02N1/06—Influence generators
- H02N1/08—Influence generators with conductive charge carrier, i.e. capacitor machines
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- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0035—Constitution or structural means for controlling the movement of the flexible or deformable elements
- B81B3/0056—Adjusting the distance between two elements, at least one of them being movable, e.g. air-gap tuning
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- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0064—Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
- B81B3/0089—Chemical or biological characteristics, e.g. layer which makes a surface chemically active
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G7/00—Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture
- H01G7/02—Electrets, i.e. having a permanently-polarised dielectric
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N1/00—Electrostatic generators or motors using a solid moving electrostatic charge carrier
- H02N1/002—Electrostatic motors
- H02N1/006—Electrostatic motors of the gap-closing type
- H02N1/008—Laterally driven motors, e.g. of the comb-drive type
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Abstract
Description
本発明の態様による振動発電素子の製造方法は、絶縁層を介して第1Si層と第2Si層とが設けられた基板を加工して形成される振動発電素子の製造方法であって、前記第1Si層に固定電極を形成し、前記第2Si層に前記固定電極と対向する可動電極を形成し、前記固定電極と前記可動電極との間に介在する前記絶縁層を削除する。
図4〜図7は振動発電素子1の製造方法の一例を示す図である。なお、図4〜図7に示す断面図は、図1のC−C断面を示している。図4(a)に示す工程では、SOI基板10の表裏両面に、LP−CVDによりSiN膜201およびPoly−Si膜202を成膜する。SOI基板10は、Si層10aと、絶縁層10bと、Si層10cの3層から成る。
図8は比較例を示す図であり、固定電極と可動電極とをSOI基板のSi層10c(活性層)に形成する構成の振動発電素子の一例を示したものである。図8(a)は振動発電素子100の平面図であり、図8(b)はD−D断面図である。振動発電素子100は、支持部12,固定電極13a,13b,可動部14,可動電極15a,15bおよび弾性支持部16を備えている。負荷8は、図示左側の固定電極13aと図示右側の固定電極13bとに接続されている。可動部14は一対の弾性支持部16により弾性支持され、各弾性支持部16の他端は支持部12に固定されている。
(1)振動発電素子1は、図2に示すように、絶縁層10bを介してSi層10aとSi層10cとが設けられたSOI基板10を加工して形成され、Si層10aに形成された固定電極3と、Si層10cに形成され、絶縁層10bに形成されたギャップ空間Gを介して固定電極3と対向し、固定電極3に対して相対移動する可動電極5とを備える。絶縁層10bに形成されたギャップ空間Gは絶縁層10bが削除された領域であるので、ギャップ寸法gを絶縁層10bの厚さ寸法L0と同一とすることができ、Si層をエッチングする際のアスペクト比限界とは関係なくギャップ寸法gを小さくすることができる。その結果、固定電極3と可動電極5との間の静電容量をより大きくすることができ、発電量の増加を図ることが可能となる。
Claims (6)
- 絶縁層を介して第1Si層と第2Si層とが設けられた基板を加工して形成される振動発電素子であって、
前記第1Si層に形成された固定電極と、
前記第2Si層に形成され、前記絶縁層に形成されたギャップ空間を介して前記固定電極と対向し、前記固定電極に対して相対移動する可動電極とを備える、振動発電素子。 - 請求項1に記載の振動発電素子において、
前記第2Si層に形成され、かつ、一端が前記可動電極に接続され、他端が前記絶縁層を介して前記第1Si層に固定される弾性支持部を備える、振動発電素子。 - 請求項1または2に記載の振動発電素子において、
前記第1Si層は前記第2Si層より厚い、振動発電素子。 - 請求項1または2に記載の振動発電素子において、
前記第2Si層は前記第1Si層より厚い、振動発電素子。 - 請求項1から請求項4までのいずれか一項に記載の振動発電素子において、
前記固定電極および前記可動電極は振動停止状態において平面視における重なりが無い、振動発電素子。 - 絶縁層を介して第1Si層と第2Si層とが設けられた基板を加工して形成される振動発電素子の製造方法であって、
前記第1Si層に固定電極を形成し、
前記第2Si層に前記固定電極と対向する可動電極を形成し、
前記固定電極と前記可動電極との間に介在する前記絶縁層を削除する、振動発電素子の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019030950A JP2020137337A (ja) | 2019-02-22 | 2019-02-22 | 振動発電素子および振動発電素子の製造方法 |
PCT/JP2020/005888 WO2020170988A1 (ja) | 2019-02-22 | 2020-02-14 | 振動発電素子および振動発電素子の製造方法 |
CN202080009824.9A CN113316891A (zh) | 2019-02-22 | 2020-02-14 | 振动发电元件以及振动发电元件的制造方法 |
EP20759790.7A EP3896837A4 (en) | 2019-02-22 | 2020-02-14 | VIBRATING POWER-GENERATING ELEMENT AND PRODUCTION PROCESS FOR VIBRATING POWER-GENERATING ELEMENT |
US17/369,555 US20210331913A1 (en) | 2019-02-22 | 2021-07-07 | Vibration-Driven Energy Harvesting Element, Method of Manufacturing Vibration-Driven Energy Harvesting Element, Capacitive Element, and Method of Manufacturing Capacitive Element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019030950A JP2020137337A (ja) | 2019-02-22 | 2019-02-22 | 振動発電素子および振動発電素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020137337A true JP2020137337A (ja) | 2020-08-31 |
Family
ID=72144934
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019030950A Pending JP2020137337A (ja) | 2019-02-22 | 2019-02-22 | 振動発電素子および振動発電素子の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210331913A1 (ja) |
EP (1) | EP3896837A4 (ja) |
JP (1) | JP2020137337A (ja) |
CN (1) | CN113316891A (ja) |
WO (1) | WO2020170988A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022130809A1 (ja) * | 2020-12-17 | 2022-06-23 | 株式会社鷺宮製作所 | 振動発電素子およびその製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP6993951B2 (ja) * | 2018-10-15 | 2022-01-14 | 株式会社鷺宮製作所 | 振動発電素子 |
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JP2017070163A (ja) * | 2015-10-02 | 2017-04-06 | 株式会社鷺宮製作所 | 振動発電素子 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5627130B2 (ja) | 1974-03-29 | 1981-06-23 | ||
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JP2018088780A (ja) | 2016-11-29 | 2018-06-07 | 国立大学法人 東京大学 | 振動発電素子 |
JP7022403B2 (ja) | 2017-08-09 | 2022-02-18 | グラドコジャパン株式会社 | ステープル除去装置 |
-
2019
- 2019-02-22 JP JP2019030950A patent/JP2020137337A/ja active Pending
-
2020
- 2020-02-14 EP EP20759790.7A patent/EP3896837A4/en active Pending
- 2020-02-14 WO PCT/JP2020/005888 patent/WO2020170988A1/ja unknown
- 2020-02-14 CN CN202080009824.9A patent/CN113316891A/zh active Pending
-
2021
- 2021-07-07 US US17/369,555 patent/US20210331913A1/en active Pending
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JP7329493B2 (ja) | 2020-12-17 | 2023-08-18 | 株式会社鷺宮製作所 | 振動発電素子およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2020170988A1 (ja) | 2020-08-27 |
US20210331913A1 (en) | 2021-10-28 |
CN113316891A (zh) | 2021-08-27 |
EP3896837A4 (en) | 2022-08-03 |
EP3896837A1 (en) | 2021-10-20 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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