JP2020107646A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020107646A JP2020107646A JP2018242485A JP2018242485A JP2020107646A JP 2020107646 A JP2020107646 A JP 2020107646A JP 2018242485 A JP2018242485 A JP 2018242485A JP 2018242485 A JP2018242485 A JP 2018242485A JP 2020107646 A JP2020107646 A JP 2020107646A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- ion irradiation
- interface
- hydrogen
- wiring layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
Claims (8)
- p型の半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成される配線層とを備える半導体装置にイオン照射して前記半導体基板内にイオン照射前よりも抵抗率の高い高抵抗領域を形成することと、
前記イオン照射中および前記イオン照射後の少なくとも一方において前記半導体装置を250℃以上300℃以下の温度で加熱処理することと、を備え、
前記イオン照射は、
前記半導体基板と前記配線層の界面から10μm以内の前記半導体基板内の第1深さ位置に向けて、前記配線層の上から第1の水素イオン照射をすることと、
前記界面から20μm以上離れた前記半導体基板内の第2深さ位置に向けて、前記配線層の上から第2の水素イオン照射をすることと、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の水素イオン照射は、前記第1深さ位置の水素密度が5×1016cm−3以上となるようになされ、
前記第2の水素イオン照射は、前記第1深さ位置から前記第2深さ位置までの範囲の欠陥密度が8×1017cm−3以上となるようになされることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の水素イオン照射のエネルギーは、2MeV以上5MeV以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の水素イオン照射のエネルギーは、4MeV以上であることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の水素イオン照射後であって前記第2の水素イオン照射前に前記半導体装置を300℃以上400℃未満の温度でアニールすることをさらに備えることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板の前記イオン照射前の抵抗率は10Ω・cm以下であり、前記高抵抗領域の抵抗率が100Ω・cm以上であることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2深さ位置の抵抗率が500Ω・cm以上であることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- p型の半導体基板と、
前記半導体基板の表面に形成される配線層と、
前記半導体基板と前記配線層の界面から10μm以内の前記半導体基板内の第1深さ位置に設けられ、前記半導体基板よりも高抵抗率のn型高抵抗領域と、
前記界面から20μm以上離れた前記半導体基板内の第2深さ位置に設けられ、前記半導体基板よりも高抵抗率のp型高抵抗領域と、を備えることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018242485A JP7169872B2 (ja) | 2018-12-26 | 2018-12-26 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
TW108133550A TWI727422B (zh) | 2018-12-26 | 2019-09-18 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018242485A JP7169872B2 (ja) | 2018-12-26 | 2018-12-26 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020107646A true JP2020107646A (ja) | 2020-07-09 |
JP7169872B2 JP7169872B2 (ja) | 2022-11-11 |
Family
ID=71449423
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018242485A Active JP7169872B2 (ja) | 2018-12-26 | 2018-12-26 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7169872B2 (ja) |
TW (1) | TWI727422B (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62169368A (ja) * | 1985-09-10 | 1987-07-25 | Tdk Corp | 縦形半導体装置の製造方法 |
WO2003061009A1 (fr) * | 2002-01-16 | 2003-07-24 | Sanken Electric Co., Ltd. | Procede de fabrication de dispositif semi-conducteur |
JP2011049300A (ja) * | 2009-08-26 | 2011-03-10 | Toyota Motor Corp | 半導体装置とその製造方法 |
JP2015119039A (ja) * | 2013-12-18 | 2015-06-25 | 住重試験検査株式会社 | 半導体装置の製造方法、及び半導体装置 |
JP2017041598A (ja) * | 2015-08-21 | 2017-02-23 | 住重試験検査株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
WO2017064949A1 (ja) * | 2015-10-16 | 2017-04-20 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2018093184A (ja) * | 2016-12-02 | 2018-06-14 | 住重アテックス株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7851318B2 (en) * | 2007-11-01 | 2010-12-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor substrate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing semiconductor device |
CN105931967B (zh) * | 2011-04-27 | 2019-05-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
WO2013157183A1 (ja) * | 2012-04-18 | 2013-10-24 | 住重試験検査株式会社 | 半導体装置の製造方法、及び半導体装置 |
TWI602293B (zh) * | 2016-10-14 | 2017-10-11 | S H I Examination & Inspection Ltd | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
-
2018
- 2018-12-26 JP JP2018242485A patent/JP7169872B2/ja active Active
-
2019
- 2019-09-18 TW TW108133550A patent/TWI727422B/zh active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62169368A (ja) * | 1985-09-10 | 1987-07-25 | Tdk Corp | 縦形半導体装置の製造方法 |
WO2003061009A1 (fr) * | 2002-01-16 | 2003-07-24 | Sanken Electric Co., Ltd. | Procede de fabrication de dispositif semi-conducteur |
JP2011049300A (ja) * | 2009-08-26 | 2011-03-10 | Toyota Motor Corp | 半導体装置とその製造方法 |
JP2015119039A (ja) * | 2013-12-18 | 2015-06-25 | 住重試験検査株式会社 | 半導体装置の製造方法、及び半導体装置 |
JP2017041598A (ja) * | 2015-08-21 | 2017-02-23 | 住重試験検査株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
WO2017064949A1 (ja) * | 2015-10-16 | 2017-04-20 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2018093184A (ja) * | 2016-12-02 | 2018-06-14 | 住重アテックス株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI727422B (zh) | 2021-05-11 |
TW202025387A (zh) | 2020-07-01 |
JP7169872B2 (ja) | 2022-11-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107408576B (zh) | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | |
JP6078961B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
EP0076161B1 (en) | Process for manufacturing a multi-layer semiconductor device | |
KR100935567B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
JP6281642B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US20080079119A1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JP7125257B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
CN107068564A (zh) | 形成半导体器件的方法 | |
TWI682520B (zh) | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 | |
JP6099553B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6654189B2 (ja) | 薄い半導体ウェハを備える半導体デバイスの製造方法 | |
JP6057534B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP7169872B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP6557134B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP7169871B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP7094840B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN110892514A (zh) | 半导体装置的制造方法以及半导体装置 | |
JP2004039842A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2006228772A (ja) | ショットキバリアダイオードとその製造方法 | |
TW201227931A (en) | Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof | |
US5556793A (en) | Method of making a structure for top surface gettering of metallic impurities | |
JP2006108346A (ja) | チップ型半導体素子とその製造方法 | |
JP6385488B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20230317456A1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A625 | Written request for application examination (by other person) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A625 Effective date: 20210917 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220726 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220729 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220920 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221018 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221031 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7169872 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |