JP2020076899A - Inspection method of exposure device and exposure device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、露光装置の露光位置精度を検査する露光装置の検査方法及び露光装置に関する。 The present invention relates to an exposure apparatus inspection method and an exposure apparatus for inspecting the exposure position accuracy of an exposure apparatus.
近年、デジタルマイクロミラーデバイス(Digital Micromirror Device、DMD)を始めとする空間変調素子は、解像度が高く、微細なパターンの形成が可能であるため、画像形成素子として普及してきており、その一例として、空間変調素子を露光エンジンに搭載した露光装置がフォトリソグラフィーの分野で既に実用化されている。この種の露光装置は、半導体素子、液晶ディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネル等の回路パターンをフォトマスクを用いることなくフォトレジストに直接露光して形成することができるため、マスクレス露光装置と呼ばれる。また、フォトマスクの製造工程において、パターンの焼き付けを露光装置で行うことも行われている。 In recent years, spatial modulation elements such as digital micromirror devices (DMDs) have become popular as image forming elements because of their high resolution and the ability to form fine patterns, and one example is as follows. An exposure apparatus having a spatial modulation element mounted on an exposure engine has already been put to practical use in the field of photolithography. This type of exposure apparatus is called a maskless exposure apparatus because it can directly form a circuit pattern of a semiconductor element, a liquid crystal display panel, a plasma display panel or the like on a photoresist without using a photomask. Further, in the photomask manufacturing process, pattern exposure is also performed by an exposure device.
この種の露光装置は、例えば特許文献1に記載されており、図14に示す如く、露光エンジンを内蔵した露光ヘッド(DMDタイプであれば、光源、DMD及び光学系で構成される)10と、露光ヘッド10からの出力が投射されるステージ11とを備える。ステージ11は、互いに直交するx方向とy方向とに可動なxyテーブルであり、ステージ11上に、表面にフォトレジスト層が積層された被露光材としての基板12が載置される。
An exposure apparatus of this type is described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-284, and as shown in FIG. , A
基板12は、ステージ11が駆動して、y方向の主走査(スキャン)と、x方向の副走査(ステップ)とを繰り返すことにより、全面が露光され、所定のパターンが形成される。露光ヘッド10には、空間変調素子を一つ備えるシングル露光ヘッド(図14(a))と、空間変調素子をx方向に複数並べたマルチ露光ヘッド(同図(b))とがあるが、両者は、スキャン一回当たりの露光面積が違うだけで、いずれも、主走査(スキャン)と副走査(ステップ)とを繰り返して基板12の全面を露光するという点で同じである。
The
ステージ11の駆動機構は、ボールねじ、ガイドレール、モータ等を用いて構成される。そのため、露光装置1は必然的にこれらの要素の機械的誤差を含んでいる。そして、この機械的誤差が許容値を超えると、露光装置の露光位置精度が不良となり、製品の品質に問題が生じる。そのため、露光装置の露光位置精度を定期的に検査することは、製品の品質管理上、重要である。
The drive mechanism of the
検査方法の一つとして、図15(a)に示す如く、隣り合う主走査ラインに跨るように所定形状のパターンを出力して露光した後、基板を現像して顕像化したパターンを目視で確認する方法がある。もし、x方向の露光位置精度(副走査方向ピッチ精度)が悪いと、パターンは、分割されて形成されたり(同図(b))、あるいは、一部が重なって幅が狭くなって形成される。また、y方向の露光位置精度(主走査方向ピッチ精度や主走査方向送り精度)が悪いと、パターンは、y方向にずれて形成される(同図(c))。 As one of the inspection methods, as shown in FIG. 15A, after a pattern of a predetermined shape is output so as to straddle the adjacent main scanning lines and exposed, the pattern is visualized by developing the substrate. There is a way to check. If the exposure position accuracy in the x direction (pitch accuracy in the sub-scanning direction) is poor, the pattern may be divided and formed (FIG. 6B), or a part of the pattern may be overlapped and narrowed. It Further, if the exposure position accuracy in the y direction (main scanning direction pitch accuracy or main scanning direction feed accuracy) is poor, the pattern is formed shifted in the y direction ((c) in the figure).
しかし、これら像の歪みは、その箇所を特定して拡大観察しなければ確認することができないが、拡大観察すると、全体におけるその箇所の特定が困難となる。逆に、全体における箇所の特定がしやすくなるように拡大率を下げると、像の歪みを確認できなくなる。したがって、かかる検査方法は、検査に時間がかかるとともに、不正確である。 However, these image distortions cannot be confirmed unless the location is specified and magnified and observed, but when magnified and observed, it becomes difficult to specify the location in the whole. On the contrary, if the enlargement ratio is lowered so as to make it easier to identify the whole part, the image distortion cannot be confirmed. Therefore, such an inspection method is time-consuming and inaccurate.
そこで、本発明は、かかる事情に鑑みてなされたもので、比較的簡単な方法で露光装置の露光位置精度を精度良く検査することができる露光装置の検査方法及び露光装置を提供することを課題とする。 Therefore, the present invention has been made in view of such circumstances, and it is an object of the present invention to provide an exposure apparatus inspection method and an exposure apparatus capable of accurately inspecting the exposure position accuracy of an exposure apparatus with a relatively simple method. And
本発明に係る露光装置の検査方法は、
露光ヘッド及びステージの相対位置を変化させて主走査及び副走査を行うことで被露光材を露光する露光装置の検査方法であって、
ステージに検査用の被露光材を配置する配置工程と、
第1のスケールパターン及び第2のスケールパターンを、露光ヘッド及びステージの相対位置を異ならせて、別々に露光することを含む露光工程と、
被露光材に形成された像が潜像である場合に該潜像を顕像化する顕像工程と、
第1のスケールパターン及び第2のスケールパターンの位置相関性を確認することを含む確認工程とを備える
ものである。
An inspection method for an exposure apparatus according to the present invention is
A method for inspecting an exposure apparatus for exposing a material to be exposed by performing a main scan and a sub scan by changing a relative position of an exposure head and a stage,
An arranging step of arranging the exposed material for inspection on the stage,
An exposure step including exposing the first scale pattern and the second scale pattern separately, with different relative positions of the exposure head and the stage;
A visualizing step of visualizing the latent image when the image formed on the exposed material is a latent image,
And a confirmation step including confirmation of the positional correlation between the first scale pattern and the second scale pattern.
かかる構成によれば、確認工程において第1のスケールパターン及び第2のスケールパターンがあるべき位置相関性を示している場合は、露光ヘッド及びステージの相対位置を異ならせる両位置関係において、露光位置精度が良好であると判断し、他方、両スケールパターンがあるべき位置相関性を示していない場合は、露光ヘッド及びステージの相対位置を異ならせる前後の位置関係において、露光位置精度が良好でない可能性があると判断する。そして、この露光工程及び確認工程を少なくとも被露光材の露光面全体に行うことで、露光装置の露光位置精度を検査する。 According to this configuration, when the first scale pattern and the second scale pattern show the positional correlation that should be present in the confirmation step, the exposure position is changed in the two positional relations in which the relative positions of the exposure head and the stage are made different. If it is judged that the accuracy is good, and on the other hand, both scale patterns do not show the positional correlation that should be, the exposure position accuracy may not be good in the positional relationship before and after the relative positions of the exposure head and stage are made different. Judge that there is a property. Then, the exposure step accuracy of the exposure apparatus is inspected by performing the exposure step and the confirmation step at least on the entire exposed surface of the exposed material.
ここで、本発明に係る露光装置の検査方法の第1の態様として、
露光工程は、第2のスケールパターン及び第3のスケールパターンを、同時に露光すること、及び、第1のスケールパターン及び第4のスケールパターンを、露光ヘッド及びステージの相対位置を副走査方向において異ならせて、別々に露光することを含み、
確認工程は、第1のスケールパターン及び第2のスケールパターンの位置相関性、及び、第3のスケールパターン及び第4のスケールパターンの位置相関性のそれぞれを確認することを含み、
露光装置の副走査方向ピッチ精度を検査する
との構成を採用することができる。
Here, as a first aspect of the inspection method of the exposure apparatus according to the present invention,
In the exposure step, the second scale pattern and the third scale pattern are exposed at the same time, and the first scale pattern and the fourth scale pattern are different from each other in the relative position of the exposure head and the stage in the sub-scanning direction. And exposing separately,
The confirmation step includes confirming each of the positional correlation between the first scale pattern and the second scale pattern, and the positional correlation between the third scale pattern and the fourth scale pattern,
A configuration for inspecting the pitch accuracy in the sub-scanning direction of the exposure apparatus can be adopted.
また、本発明に係る露光装置の検査方法の第2の態様として、
露光工程は、第1のスケールパターン及び第2のスケールパターンを、露光ヘッド及びステージの相対位置を主走査方向において異ならせた後、露光ヘッド及びステージの相対位置を副走査方向において異ならせて、別々に露光することを含み、
露光装置の主走査方向ピッチ精度を検査する
との構成を採用することができる。
Further, as a second aspect of the inspection method of the exposure apparatus according to the present invention,
In the exposure step, the first scale pattern and the second scale pattern are made to have different relative positions in the main scanning direction with respect to the exposure head and the stage, and then have different relative positions in the sub scanning direction with respect to the exposure head and the stage. Including exposing separately,
A configuration for inspecting the pitch accuracy in the main scanning direction of the exposure apparatus can be adopted.
また、本発明に係る露光装置の検査方法の第3の態様として、
露光工程は、第2のスケールパターン及び第3のスケールパターンを、同時に露光すること、及び、第1のスケールパターン及び第4のスケールパターンを、露光ヘッド及びステージの相対位置を主走査方向において異ならせて、別々に露光することを含み、
確認工程は、第1のスケールパターン及び第2のスケールパターンの位置相関性、及び、第3のスケールパターン及び第4のスケールパターンの位置相関性のそれぞれを確認することを含み、
露光装置の主走査方向ピッチ精度を検査する
との構成を採用することができる。
Further, as a third aspect of the inspection method of the exposure apparatus according to the present invention,
In the exposure step, the second scale pattern and the third scale pattern are exposed at the same time, and the first scale pattern and the fourth scale pattern are different from each other when the relative position of the exposure head and the stage is different in the main scanning direction. And exposing separately,
The confirmation step includes confirming each of the positional correlation between the first scale pattern and the second scale pattern, and the positional correlation between the third scale pattern and the fourth scale pattern,
A configuration for inspecting the pitch accuracy in the main scanning direction of the exposure apparatus can be adopted.
また、本発明に係る露光装置の検査方法の第4の態様として、
露光工程は、第1のスケールパターンを、主走査しながら露光することを含み、
露光装置の主走査方向送り精度を検査する
との構成を採用することができる。
As a fourth aspect of the inspection method of the exposure apparatus according to the present invention,
The exposing step includes exposing the first scale pattern while performing main scanning,
A configuration for inspecting the main scanning direction feed accuracy of the exposure apparatus can be adopted.
これらの態様において、
位置相関性は、本尺と副尺の関係によるものである
との構成を採用することができる。
In these aspects,
The positional correlation may be based on the relationship between the main scale and the vernier scale.
かかる構成によれば、露光位置精度の良/不良を確認することができるのみならず、不良である場合にどの程度不良であるのかを定量的に確認することができ、露光装置の露光位置精度を精度良く検査することができる。 According to such a configuration, not only can the quality of the exposure position accuracy be confirmed, but also if the defect is defective, it can be quantitatively confirmed how bad the exposure position accuracy is. Can be inspected with high accuracy.
また、本発明に係る露光装置は、
上記検査方法の各スケールパターンを露光する
ものである。
Further, the exposure apparatus according to the present invention,
Each scale pattern of the above inspection method is exposed.
以上の如く、本発明に係る露光装置の検査方法及び露光装置によれば、スケールパターンを露光するという比較的簡単な方法で露光装置の露光位置精度を精度良く検査することができることができる。 As described above, according to the inspection method of the exposure apparatus and the exposure apparatus of the present invention, the exposure position accuracy of the exposure apparatus can be accurately inspected by the relatively simple method of exposing the scale pattern.
以下、本発明に係る露光装置の検査方法及び露光装置の一実施形態について、図面を参酌しつつ説明する。なお、本実施形態に係る露光装置の基本構成は、従来の露光装置(図15参照)と同様なので、その説明は割愛する。 Hereinafter, an embodiment of an inspection method for an exposure apparatus and an exposure apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings. The basic configuration of the exposure apparatus according to the present embodiment is the same as that of the conventional exposure apparatus (see FIG. 15), and the description thereof will be omitted.
本実施形態に係る露光装置の検査方法、すなわち、露光ヘッド10及びステージ11の相対位置を変化させて主走査及び副走査を行うことで被露光材12を露光する露光装置の露光位置精度の検査方法は、大きく分けると、四つある。
The inspection method of the exposure apparatus according to the present embodiment, that is, the inspection of the exposure position accuracy of the exposure apparatus that exposes the exposed
<第1の検査方法>
第1の検査方法は、
ステージ11に検査用の被露光材12を配置する配置工程と、
第1のスケールパターン及び第2のスケールパターンを、露光ヘッド10及びステージ11の相対位置を異ならせて、別々に露光すること、第2のスケールパターン及び第3のスケールパターンを、同時に露光すること、及び、第1のスケールパターン及び第4のスケールパターンを、露光ヘッド10及びステージ11の相対位置を副走査方向において異ならせて、別々に露光することを含む露光工程と、
被露光材12を現像して第1のパターンないし第4のパターンを顕像化する現像工程と、
第1のスケールパターン及び第2のスケールパターンの位置相関性、及び、第3のスケールパターン及び第4のスケールパターンの位置相関性のそれぞれを確認することを含む確認工程とを備え、
露光装置の副走査方向ピッチ精度を検査する方法である。
<First inspection method>
The first inspection method is
An arranging step of arranging the exposed
Exposing the first scale pattern and the second scale pattern separately by making the relative positions of the
A developing step of developing the exposed
And a confirmation step including confirming each of the positional correlation of the first scale pattern and the second scale pattern, and the positional correlation of the third scale pattern and the fourth scale pattern,
This is a method of inspecting the pitch accuracy of the exposure apparatus in the sub-scanning direction.
<第2の検査方法>
第2の検査方法は、
ステージ11に検査用の被露光材12を配置する配置工程と、
第1のスケールパターン及び第2のスケールパターンを、露光ヘッド10及びステージ11の相対位置を主走査方向において異ならせた後、露光ヘッド10及びステージ11の相対位置を副走査方向において異ならせて、別々に露光することを含む露光工程と、
被露光材12を現像して第1のパターン及び第2のパターンを顕像化する現像工程と、
第1のスケールパターン及び第2のスケールパターンの位置相関性を確認することを含む確認工程とを備え、
露光装置の主走査方向ピッチ精度を検査する方法である。
<Second inspection method>
The second inspection method is
An arranging step of arranging the exposed
After changing the relative positions of the
A developing step of developing the exposed
And a confirmation step including confirming the positional correlation between the first scale pattern and the second scale pattern,
This is a method of inspecting the pitch accuracy of the exposure apparatus in the main scanning direction.
<第3の検査方法>
第3の検査方法は、
ステージ11に検査用の被露光材12を配置する配置工程と、
第1のスケールパターン及び第2のスケールパターンを、露光ヘッド10及びステージ11の相対位置を異ならせて、別々に露光すること、第2のスケールパターン及び第3のスケールパターンを、同時に露光すること、及び、第1のスケールパターン及び第4のスケールパターンを、露光ヘッド10及びステージ11の相対位置を主走査方向において異ならせて、別々に露光することを含む露光工程と、
被露光材12を現像して第1のパターンないし第4のパターンを顕像化する現像工程と、
第1のスケールパターン及び第2のスケールパターンの位置相関性、及び、第3のスケールパターン及び第4のスケールパターンの位置相関性のそれぞれを確認することを含む確認工程とを備え、
露光装置の主走査方向ピッチ精度を検査する方法である。
<Third inspection method>
The third inspection method is
An arranging step of arranging the exposed
Exposing the first scale pattern and the second scale pattern separately by making the relative positions of the
A developing step of developing the exposed
And a confirmation step including confirming each of the positional correlation of the first scale pattern and the second scale pattern, and the positional correlation of the third scale pattern and the fourth scale pattern,
This is a method of inspecting the pitch accuracy of the exposure apparatus in the main scanning direction.
<第4の検査方法>
第4の検査方法は、
ステージ11に検査用の被露光材12を配置する配置工程と、
第1のスケールパターン及び第2のスケールパターンを、露光ヘッド10及びステージ11の相対位置を異ならせて、別々に露光すること、及び、第1のスケールパターンを、主走査しながら露光することを含む露光工程と、
被露光材12を現像して第1のパターン及び第2のパターンを顕像化する現像工程と、
第1のスケールパターン及び第2のスケールパターンの位置相関性を確認することを含む確認工程とを備え、
露光装置の主走査方向送り精度を検査する方法である。
<Fourth inspection method>
The fourth inspection method is
An arranging step of arranging the exposed
The first scale pattern and the second scale pattern are separately exposed by changing the relative positions of the
A developing step of developing the exposed
And a confirmation step including confirming the positional correlation between the first scale pattern and the second scale pattern,
This is a method of inspecting the feeding accuracy of the exposure apparatus in the main scanning direction.
<検査方法A>
図1及び図2に示す検査方法Aは、シングル露光ヘッドの露光装置の副走査方向ピッチ精度を検査するものであり、第1の検査方法に該当するものである。
<Inspection method A>
The inspection method A shown in FIGS. 1 and 2 is for inspecting the pitch accuracy in the sub-scanning direction of the exposure apparatus having a single exposure head, and corresponds to the first inspection method.
露光工程においては、まず最初の主走査ラインの所定位置でステージ11の動作を停止させて、当該位置で面露光(ショット露光)を行う(第1の露光、図1(a))。図1では、主走査ラインの先頭位置で面露光を行うが、主走査ラインの途中位置であってもよい。次に、ステージ11を+y方向に移動させて、通常の露光処理と同じ主走査の動作を行った後、ステージ11を+x方向に移動させながら−y方向に原点復帰させて、通常の露光処理と同じ副走査の動作を行い、第1の露光位置から副走査方向に1ピッチずれた位置でステージ11の動作を停止させて、当該位置で面露光(ショット露光)を行う(第2の露光、図1(b))。そして、最後に、ステージ11を−x方向に半ピッチ戻すとともに、+y方向に1ピッチ移動させて、第1の露光位置及び第2の露光位置から主走査方向に1ピッチ、副走査方向に半ピッチずれた位置でステージ11の動作を停止させて、当該位置で面露光(ショット露光)を行う(第3の露光、図1(c))。これにより、第2の露光領域21は、第1の露光領域20と副走査方向において隣接し、第3の露光領域22は、第1の露光領域20及び第2の露光領域21に跨るとともに、第1の露光領域20及び第2の露光領域21と主走査方向において隣接する。
In the exposure process, the operation of the
図2(a)に示す如く、第1の露光では、本尺目盛からなるスケールパターン30が露光され、第2の露光では、同じく本尺目盛からなるスケールパターン30が露光され、第3の露光では、副尺(バーニア)目盛からなる一対のスケールパターン31,31が、第1の露光領域20及び第2の露光領域21の各スケールパターン30に対応して露光される。第2の露光領域21の右下のスケールパターン30は、第1の検査方法の第1のスケールパターンに該当し、第1の露光領域20の左下のスケールパターン30は、第1の検査方法の第4のスケールパターンに該当し、第3の露光領域22の左上のスケールパターン31は、第1の検査方法の第2のスケールパターンに該当し、第3の露光領域22の右上のスケールパターン31は、第1の検査方法の第3のスケールパターンに該当する。
As shown in FIG. 2A, in the first exposure, the
スケールパターン30,31は、JIS B7507:2016(ISO13385−1:2011)に準拠しており、副尺目盛は、本尺目盛19mmを20等分した目盛とし、最小読取値を0.05mmとする。また、副尺目盛値は、上段の、「→」、「1」、「2」、「3」、「4」、「5」、「6」、「7」、「8」、「9」、「10」の昇順の目盛値と、下段の、「←」、「9」、「8」、「7」、「6」、「5」、「4」、「3」、「2」、「1」、「0」の降順の目盛値とある。「→」と「←」の意味は、副尺スケールパターン31の基準目盛31aが本尺スケールパターン30の0(ゼロ)の目盛よりも右側にずれていれば、「→」の段の目盛値を用い、反対に、副尺スケールパターン31の基準目盛31aが本尺スケールパターン30の0(ゼロ)の目盛よりも左側にずれていれば、「←」の段の目盛値を用いるという意味である。
The
たとえば、図2(b)の例では、右側のスケールパターン30,31においては、副尺スケールパターン31の基準目盛31aが本尺スケールパターン30の0の目盛と一致しているので、読取値は0であり、他方、左側のスケールパターン30,31においては、副尺スケールパターン31の基準目盛31aが本尺スケールパターン30の0の目盛よりも左側にずれているので、上段の目盛値を用いるとし、そして、副尺スケールパターン31の0.5の目盛が本尺スケールパターン30の目盛と一致しているので、読取値は0.05である。よって、第1の露光に係る主走査ラインと第2の露光に係る主走査ライン(隣り合う主走査ライン)には、副走査方向ピッチに−0.05mmのピッチ誤差があるということになる。
For example, in the example of FIG. 2B, in the
また、図2(c)の例では、右側のスケールパターン30,31においては、副尺スケールパターン31の基準目盛31aが本尺スケールパターン30の0の目盛よりも左側にずれているので、下段の目盛値を用いるとし、そして、副尺スケールパターン31の0.5の目盛が本尺スケールパターン30の目盛と一致しているので、読取値は0.05であり、他方、左側のスケールパターン30,31においては、副尺スケールパターン31の基準目盛31aが本尺スケールパターン30の0の目盛よりも左側にずれているので、上段の目盛値を用いるとし、そして、副尺スケールパターン31の1の目盛が本尺スケールパターン30の目盛と一致しているので、読取値は0.10であり、よって、第1の露光に係る主走査ラインと第2の露光に係る主走査ライン(隣り合う主走査ライン)には、副走査方向ピッチに−0.05mmのピッチ誤差があるということになる。
In the example of FIG. 2C, in the
なお、第1の露光領域20の右上及び第2の露光領域21の左上にもスケールパターン30が露光されているが、これは、それぞれさらに隣の主走査ラインとの副走査方向ピッチを確認するためのものである。これを、少なくとも被露光材12を全面露光するための全主走査ライン、好ましくは、露光装置の全主走査ラインに対して行うことで、露光装置の必要範囲ないし全体の副走査方向ピッチ精度を検査することができる。
The
このように、検査方法Aによれば、本尺スケールパターン30と副尺スケールパターン31を露光し、これを顕像化させて読み取ることで、比較的簡単な方法で露光装置の副走査方向ピッチ精度を精度良く検査することができる。
As described above, according to the inspection method A, the main-
なお、右側のスケールパターン30,31を露光せず、あるいは露光しても用いずに、左側のスケールパターン30,31だけを用いて、副走査方向ピッチ精度を検査することもできる。
It is also possible to inspect the pitch accuracy in the sub-scanning direction by using only the
<検査方法B>
図3に示す検査方法Bは、検査方法Aと同じく、シングル露光ヘッドの露光装置の副走査方向ピッチ精度を検査するものであり、第1の検査方法に該当するものである。
<Inspection method B>
The inspection method B shown in FIG. 3 is, like the inspection method A, for inspecting the pitch accuracy in the sub-scanning direction of the exposure apparatus of the single exposure head, and corresponds to the first inspection method.
露光工程の手順は、検査方法Aと同じであるが、異なる点は、検査方法Bでは、検査方法Aのスケールパターン30,31を逆に露光する。
The procedure of the exposure process is the same as that of the inspection method A, except that the inspection method B exposes the
図3(a)に示す如く、第1の露光では、副尺スケールパターン31が露光され、第2の露光では、同じく副尺スケールパターン31が露光され、第3の露光では、一対の本尺スケールパターン30,30が、第1の露光領域20及び第2の露光領域21の各スケールパターン31に対応して露光される。第2の露光領域21の右下のスケールパターン31は、第1の検査方法の第1のスケールパターンに該当し、第1の露光領域20の左下のスケールパターン31は、第1の検査方法の第4のスケールパターンに該当し、第3の露光領域22の左上のスケールパターン30は、第1の検査方法の第2のスケールパターンに該当し、第3の露光領域22の右上のスケールパターン30は、第1の検査方法の第3のスケールパターンに該当する。
As shown in FIG. 3A, the
たとえば、図3(b)の例では、右側のスケールパターン30,31においては、副尺スケールパターン31の基準目盛31aが本尺スケールパターン30の0の目盛と一致しているので、読取値は0であり、他方、左側のスケールパターン30,31においては、副尺スケールパターン31の基準目盛31aが本尺スケールパターン30の0の目盛よりも右側にずれているので、上段の目盛値を用いるとし、そして、副尺スケールパターン31の0.5の目盛が本尺スケールパターン30の目盛と一致しているので、読取値は0.05である。よって、第1の露光に係る主走査ラインと第2の露光に係る主走査ライン(隣り合う主走査ライン)には、副走査方向ピッチに−0.05mmのピッチ誤差があるということになる。
For example, in the example of FIG. 3B, in the
また、図3(c)の例では、右側のスケールパターン30,31においては、副尺スケールパターン31の基準目盛31aが本尺スケールパターン30の0の目盛よりも右側にずれているので、下段の目盛値を用いるとし、そして、副尺スケールパターン31の0.5の目盛が本尺スケールパターン30の目盛と一致しているので、読取値は0.05であり、他方、左側のスケールパターン30,31においては、副尺スケールパターン31の基準目盛31aが本尺スケールパターン30の0の目盛よりも右側にずれているので、上段の目盛値を用いるとし、そして、副尺スケールパターン31の1の目盛が本尺スケールパターン30の目盛と一致しているので、読取値は0.10である。よって、第1の露光に係る主走査ラインと第2の露光に係る主走査ライン(隣り合う主走査ライン)には、副走査方向ピッチに−0.05mmのピッチ誤差があるということになる。
Further, in the example of FIG. 3C, in the
このように、検査方法Bによっても、本尺スケールパターン30と副尺スケールパターン31を露光し、これを顕像化させて読み取ることで、比較的簡単な方法で露光装置の副走査方向ピッチ精度を精度良く検査することができる。
As described above, according to the inspection method B as well, the
なお、右側のスケールパターン30,31を露光せず、あるいは露光しても用いずに、左側のスケールパターン30,31だけを用いて、副走査方向ピッチ精度を検査することもできる。
It is also possible to inspect the pitch accuracy in the sub-scanning direction by using only the
また、第3の露光領域22の一対のスケールパターン30,30は、連続した一体的なスケールパターンとしてもよい。この場合、第3の露光領域22のスケールパターンは、第1の検査方法の第2のスケールパターン及び第3のスケールパターンに該当する。
Further, the pair of
また、右側のスケールパターン30,31は、検査方法Bによる露光パターンとし、左側のスケールパターン30,31は、検査方法Aによる露光パターンとしたり、その逆に、右側のスケールパターン30,31は、検査方法Aによる露光パターンとし、左側のスケールパターン30,31は、検査方法Bによる露光パターンとすることもできる。
The
<検査方法C>
図4及び図5に示す検査方法Cは、マルチ露光ヘッドの露光装置の副走査方向ピッチ精度を検査するものであり、第1の検査方法に該当するものである。検査方法Cは、マルチ露光ヘッド用であるか、シングル露光ヘッド用であるかの違いがある以外は、基本的には、検査方法Aと同じである。
<Inspection method C>
The inspection method C shown in FIGS. 4 and 5 is for inspecting the pitch accuracy in the sub-scanning direction of the exposure apparatus of the multi-exposure head, and corresponds to the first inspection method. The inspection method C is basically the same as the inspection method A, except that it is for a multiple exposure head or for a single exposure head.
露光工程においては、まず最初の主走査ラインの所定位置でステージ11の動作を停止させて、当該位置で面露光(ショット露光)を行う(第1の露光、図4(a))。図4では、主走査ラインの先頭位置で面露光を行うが、主走査ラインの途中位置であってもよい。次に、ステージ11を+y方向に移動させて、通常の露光処理と同じ主走査の動作を行った後、ステージ11を+x方向に移動させながら−y方向に原点復帰させて、通常の露光処理と同じ副走査の動作を行い、第1の露光位置から副走査方向に1ピッチずれた位置でステージ11の動作を停止させて、当該位置で面露光(ショット露光)を行う(第2の露光、図4(b))。そして、最後に、ステージ11を−x方向に半ピッチ戻すとともに、+y方向に1ピッチ移動させて、第1の露光位置及び第2の露光位置から主走査方向に1ピッチ、副走査方向に半ピッチずれた位置でステージ11の動作を停止させて、当該位置で面露光(ショット露光)を行う(第3の露光、図4(c))。これにより、第2の露光領域21は、第1の露光領域20と副走査方向において隣接し、第3の露光領域22は、第1の露光領域20及び第2の露光領域21に跨るとともに、第1の露光領域20及び第2の露光領域21と主走査方向において隣接する。
In the exposure step, first, the operation of the
図5に示す如く、第1の露光では、本尺スケールパターン30が露光され、第2の露光では、同じく本尺スケールパターン30が露光され、第3の露光では、副尺スケールパターン31,31が、第1の露光領域20及び第2の露光領域21の各スケールパターン30に対応して露光される。第2の露光領域21の右下のスケールパターン30は、第1の検査方法の第1のスケールパターンに該当し、第1の露光領域20の左下のスケールパターン30は、第1の検査方法の第4のスケールパターンに該当し、第3の露光領域22の左上のスケールパターン31は、第1の検査方法の第2のスケールパターンに該当し、第3の露光領域22の右上のスケールパターン31は、第1の検査方法の第3のスケールパターンに該当する。
As shown in FIG. 5, the
スケールパターン30,31は、JIS B7507:2016(ISO13385−1:2011)に準拠しており、副尺目盛は、本尺目盛49mmを50等分した目盛とし、最小読取値を0.02mmとする。目盛の見方は、検査方法Aと同じである。
The
このように、検査方法Cによっても、本尺スケールパターン30と副尺スケールパターン31を露光し、これを顕像化させて読み取ることで、比較的簡単な方法で露光装置の副走査方向ピッチ精度を精度良く検査することができる。
As described above, according to the inspection method C as well, the
なお、右側のスケールパターン30,31を露光せず、あるいは露光しても用いずに、左側のスケールパターン30,31だけを用いて、副走査方向ピッチ精度を検査することもできる。
It is also possible to inspect the pitch accuracy in the sub-scanning direction by using only the
<検査方法D>
図6に示す検査方法Dは、検査方法Cと同じく、マルチ露光ヘッドの露光装置の副走査方向ピッチ精度を検査するものであり、第1の検査方法に該当するものである。検査方法Dは、マルチ露光ヘッド用であるか、シングル露光ヘッド用であるかの違いがある以外は、基本的には、検査方法Bと同じである。
<Inspection method D>
The inspection method D shown in FIG. 6 is, like the inspection method C, for inspecting the pitch accuracy in the sub-scanning direction of the exposure apparatus of the multi-exposure head, and corresponds to the first inspection method. The inspection method D is basically the same as the inspection method B, except that it is for a multi-exposure head or for a single exposure head.
露光工程の手順は、検査方法Cと同じであるが、異なる点は、検査方法Dでは、検査方法Cのスケールパターン30,31を逆に露光する。
The procedure of the exposure process is the same as that of the inspection method C, except that the inspection method D exposes the
第1の露光では、副尺スケールパターン31が露光され、第2の露光では、同じく副尺スケールパターン31が露光され、第3の露光では、一対の本尺スケールパターン30,30が、第1の露光領域20及び第2の露光領域21の各スケールパターン31に対応して露光される。第2の露光領域21の右下のスケールパターン31は、第1の検査方法の第1のスケールパターンに該当し、第1の露光領域20の左下のスケールパターン31は、第1の検査方法の第4のスケールパターンに該当し、第3の露光領域22の左上のスケールパターン30は、第1の検査方法の第2のスケールパターンに該当し、第3の露光領域22の右上のスケールパターン30は、第1の検査方法の第3のスケールパターンに該当する。
In the first exposure, the
このように、検査方法Dによっても、本尺スケールパターン30と副尺スケールパターン31を露光し、これを顕像化させて読み取ることで、比較的簡単な方法で露光装置の副走査方向ピッチ精度を精度良く検査することができる。
As described above, according to the inspection method D, the
なお、右側のスケールパターン30,31を露光せず、あるいは露光しても用いずに、左側のスケールパターン30,31だけを用いて、副走査方向ピッチ精度を検査することもできる。
It is also possible to inspect the pitch accuracy in the sub-scanning direction by using only the
また、第3の露光領域22の一対のスケールパターン30,30は、連続した一体的なスケールパターンとしてもよい。この場合、第3の露光領域22のスケールパターンは、第1の検査方法の第2のスケールパターン及び第3のスケールパターンに該当する。
Further, the pair of
また、右側のスケールパターン30,31は、検査方法Dによる露光パターンとし、左側のスケールパターン30,31は、検査方法Cによる露光パターンとしたり、その逆に、右側のスケールパターン30,31は、検査方法Cによる露光パターンとし、左側のスケールパターン30,31は、検査方法Dによる露光パターンとすることもできる。
The
<検査方法E>
図7及び図8に示す検査方法Eは、シングル露光ヘッド及びマルチ露光ヘッドの各露光装置の主走査方向ピッチ精度を検査するものであり、第2の検査方法に該当するものである。
<Inspection method E>
The inspection method E shown in FIGS. 7 and 8 is for inspecting the pitch accuracy in the main scanning direction of each of the exposure devices of the single exposure head and the multiple exposure head, and corresponds to the second inspection method.
露光工程においては、まず最初の主走査ラインの所定位置でステージ11の動作を停止させて、当該位置で面露光(ショット露光)を行う(第1の露光、図7(a))。図7では、主走査ラインの先頭位置で面露光を行うが、主走査ラインの途中位置であってもよい。次に、ステージ11を+y方向に移動させて、通常の露光処理と同じ主走査の動作を行った後、ステージ11を+x方向に移動させながら−y方向に原点復帰させて、通常の露光処理と同じ副走査の動作を行い、第1の露光位置から副走査方向に1ピッチずれた位置でステージ11の動作を停止させて、当該位置で面露光(ショット露光)を行う(第2の露光、図7(b))。これにより、第2の露光領域21は、第1の露光領域20と副走査方向において隣接する。
In the exposure process, the operation of the
図8(a)に示す如く、第1の露光では、副尺スケールパターン31が露光され、第2の露光では、本尺スケールパターン30が、第1の露光領域20のスケールパターン31に対応して露光される。第1の露光領域20のスケールパターン31は、第2の検査方法の第1のスケールパターンに該当し、第2の露光領域23のスケールパターン30は、第2の検査方法の第2のスケールパターンに該当する。
As shown in FIG. 8A, in the first exposure, the
たとえば、図8(b)の例では、副尺スケールパターン31の基準目盛31aが本尺スケールパターン30の0の目盛よりも下側にずれているので、右列の目盛値を用いるとし、そして、副尺スケールパターン31の0.5の目盛が本尺スケールパターン30の目盛と一致しているので、読取値は0.05である。よって、第1の露光に係る主走査ライン又は第2の露光に係る主走査ラインには、主走査方向ピッチに0.05mmのピッチ誤差があるということになる。
For example, in the example of FIG. 8B, since the
また、図8(c)の例では、副尺スケールパターン31の基準目盛31aが本尺スケールパターン30の0の目盛よりも上側にずれているので、左列の目盛値を用いるとし、そして、副尺スケールパターン31の0.5の目盛が本尺スケールパターン30の目盛と一致しているので、読取値は0.05である。よって、第1の露光に係る主走査ライン又は第2の露光に係る主走査ラインには、主走査方向ピッチに0.05mmのピッチ誤差があるということになる。
Further, in the example of FIG. 8C, since the
このように、検査方法Eによれば、本尺スケールパターン30と副尺スケールパターン31を露光し、これを顕像化させて読み取ることで、比較的簡単な方法で露光装置の主走査方向ピッチ精度を精度良く検査することができる。
As described above, according to the inspection method E, the main-
<検査方法F>
図9に示す検査方法Fは、シングル露光ヘッド及びマルチ露光ヘッドの各露光装置の主走査方向ピッチ精度を検査するものであり、第3の検査方法に該当するものである。検査方法Fは、主走査方向ピッチ精度の検査であるか、副走査方向ピッチ精度の検査であるかの違いがある以外は、基本的には、検査方法AないしDと考え方は同じである。
<Inspection method F>
The inspection method F shown in FIG. 9 is for inspecting the pitch accuracy in the main scanning direction of each exposure apparatus of a single exposure head and a multi-exposure head, and corresponds to the third inspection method. The inspection method F is basically the same as the inspection methods A to D except that there is a difference between the inspection in the main scanning direction pitch accuracy and the inspection in the sub scanning direction pitch accuracy.
露光工程においては、まず最初の主走査ラインの所定位置でステージ11の動作を停止させて、当該位置で面露光(ショット露光)を行う(第1の露光、図9(a))。図9では、主走査ラインの先頭位置で面露光を行うが、主走査ラインの途中位置であってもよい。次に、ステージ11を+y方向に1ピッチ移動させて、第1の露光位置から主走査方向に1ピッチずれた位置でステージ11の動作を停止させて、当該位置で面露光(ショット露光)を行う(第2の露光、図9(b))。そして、最後に、ステージ11を+y方向に移動させて、通常の露光処理と同じ主走査の動作を行った後、ステージ11を+x方向に移動させながら−y方向に原点復帰させて、通常の露光処理と同じ副走査の動作を行い、ステージ11を+y方向に半ピッチ移動させて、第1の露光位置及び第2の露光位置から副走査方向に1ピッチ、主走査方向に半ピッチずれた位置でステージ11の動作を停止させて、当該位置で面露光(ショット露光)を行う(第3の露光、図9(c))。これにより、第2の露光領域21は、第1の露光領域20と主走査方向において隣接し、第3の露光領域22は、第1の露光領域20及び第2の露光領域21に跨るとともに、第1の露光領域20及び第2の露光領域21と副走査方向において隣接する。
In the exposure step, the operation of the
スケールパターンは、図示しないが、検査方法Aや検査方法Bで説明したのと同じように露光される。第2の露光領域24のスケールパターン30又は31は、第3の検査方法の第1のスケールパターンに該当し、第1の露光領域20のスケールパターン30又は31は、第3の検査方法の第4のスケールパターンに該当し、第3の露光領域25の一対のスケールパターン30,30又は31,31のうち、第2の露光領域24のスケールパターン30又は31に対応するスケールパターン30又は31は、第3の検査方法の第2のスケールパターンに該当し、第1の露光領域20のスケールパターン30又は31に対応するスケールパターン30又は31は、第3の検査方法の第3のスケールパターンに該当する。
Although not shown, the scale pattern is exposed in the same manner as described in the inspection method A and the inspection method B. The
このように、検査方法Fによっても、本尺スケールパターン30と副尺スケールパターン31を露光し、これを顕像化させて読み取ることで、比較的簡単な方法で露光装置の主走査方向ピッチ精度を精度良く検査することができる。
As described above, according to the inspection method F as well, the main-
なお、第1の露光領域20のスケールパターン30又は31及びこれに対応する第3の露光領域25のスケールパターン30又は31を露光せず、あるいは露光しても用いずに、第2の露光領域24のスケールパターン30又は31及びこれに対応する第3の露光領域25のスケールパターン30又は31だけを用いて、主走査方向ピッチ精度を検査することもできる。
In addition, the
<検査方法G>
図10及び図11に示す検査方法Gは、シングル露光ヘッド及びマルチ露光ヘッドの各露光装置の主走査方向送り精度を検査するものであり、第4の検査方法に該当するものである。
<Inspection method G>
The inspection method G shown in FIGS. 10 and 11 is for inspecting the feeding accuracy in the main scanning direction of each exposure apparatus of the single exposure head and the multiple exposure head, and corresponds to the fourth inspection method.
露光工程においては、まず最初の主走査ラインの所定位置からステージ11を+y方向に2ピッチ分移動させながら、露光(スキャン露光)を行う(第1の露光、図10(a))。図10では、主走査ラインの先頭位置から露光を行うが、主走査ラインの途中位置からであってもよい。次に、ステージ11を+y方向に移動させて、通常の露光処理と同じ主走査の動作を行った後、ステージ11を+x方向に移動させながら−y方向に原点復帰させて、通常の露光処理と同じ副走査の動作を行い、第1の露光位置の最初の1ピッチ分から副走査方向に1ピッチずれた位置でステージ11の動作を停止させて、当該位置で面露光(ショット露光)を行う(第2の露光、図10(b))。そして、最後に、ステージ11を+y方向に1ピッチ移動させて、第2の露光位置から主走査方向に1ピッチずれた位置でステージ11の動作を停止させて、当該位置で面露光(ショット露光)を行う(第3の露光、図10(c))。これにより、第2の露光領域27及び第3の露光領域28は、第1の露光領域26と副走査方向において隣接する。
In the exposure step, first, exposure (scan exposure) is performed while moving the
図11(a)に示す如く、第1の露光では、通常のスケールパターン32が露光され、第2の露光では、同じく通常のスケールパターン33が、第1の露光領域26のスケールパターンの半分に対応して露光され、第3の露光では、同じく通常のスケールパターン33が、第1の露光領域26のスケールパターン30のもう半分に対応して露光される。第1の露光領域26のスケールパターン32は、第4の検査方法の第1のスケールパターンに該当し、第2の露光領域27のスケールパターン33及び第3の露光領域28のスケールパターン33は、第4の検査方法の第2のスケールパターンに該当する。
As shown in FIG. 11A, in the first exposure, the
たとえば、図11(b)の例では、第1の露光領域26のスケールパターン32は、第2の露光領域27のスケールパターン33及び第3の露光領域28のスケールパターン33よりも目盛の間隔が狭くなっている。また、図11(c)の例では、第1の露光領域26のスケールパターン32は、第2の露光領域27のスケールパターン33及び第3の露光領域28のスケールパターン33よりも目盛の間隔が広くなっている。よって、これらのいずれかの場合でも、第1の露光に係る主走査ラインには、主走査方向送り精度の不良があるということになる。
For example, in the example of FIG. 11B, the
このように、検査方法Gによれば、スケールパターン32とスケールパターン33を露光し、これを顕像化させて読み取ることで、比較的簡単な方法で露光装置の主走査方向送り精度を精度良く検査することができる。
As described above, according to the inspection method G, the
なお、第2の露光領域27のスケールパターン33を露光せず、あるいは露光しても用いずに、第3の露光領域28のスケールパターン33だけを用いて、主走査方向送り精度を検査することもできる。あるいはその逆に、第3の露光領域28のスケールパターン33を露光せず、あるいは露光しても用いずに、第2の露光領域27のスケールパターン33だけを用いて、主走査方向送り精度を検査することもできる。
It should be noted that the main-scanning direction feed accuracy is inspected using only the
また、第1の露光領域26のスケールパターン32は、分割して、第2の露光領域27のスケールパターン33及び第3の露光領域28のスケールパターン33のそれぞれに対応する一対のスケールパターンとしてもよい。この場合、いずれのスケールパターン32も、第4の検査方法の第1のスケールパターンに該当する。
The
<検査方法H>
図12(a)に示す検査方法Hは、シングル露光ヘッド及びマルチ露光ヘッドの各露光装置の副走査方向ピッチ精度を検査するものであり、第1の検査方法に該当するものである。
<Inspection method H>
The inspection method H shown in FIG. 12A is for inspecting the pitch accuracy in the sub-scanning direction of each exposure apparatus of a single exposure head and a multi-exposure head, and corresponds to the first inspection method.
露光工程の手順は、検査方法AないしDと同じであるが、異なる点は、検査方法Hでは、副尺スケールパターンを用いず、通常のスケールパターン34,35を用いる。
The procedure of the exposure process is the same as that of the inspection methods A to D, except that the inspection method H does not use the vernier scale pattern but uses the
このように、検査方法Hによっても、スケールパターン34とスケールパターン35を露光し、これを顕像化させて読み取ることで、比較的簡単な方法で露光装置の副走査方向ピッチ精度を精度良く検査することができる。
As described above, also by the inspection method H, the
<検査方法I>
図12(b)に示す検査方法Hは、シングル露光ヘッド及びマルチ露光ヘッドの各露光装置の主走査方向ピッチ精度を検査するものであり、第2の検査方法に該当するものである。
<Inspection method I>
The inspection method H shown in FIG. 12B is for inspecting the pitch accuracy in the main-scanning direction of each exposure apparatus of the single exposure head and the multi-exposure head, and corresponds to the second inspection method.
露光工程の手順は、検査方法Eと同じであるが、異なる点は、検査方法Iでは、副尺スケールパターンを用いず、通常のスケールパターン34,35を用いる。
The procedure of the exposure process is the same as that of the inspection method E, except that the inspection method I does not use the vernier scale pattern but uses the
このように、検査方法Iによっても、スケールパターン34とスケールパターン35を露光し、これを顕像化させて読み取ることで、比較的簡単な方法で露光装置の主走査方向ピッチ精度を精度良く検査することができる。
As described above, according to the inspection method I as well, the
<検査方法J>
図13(a)に示す検査方法Jは、シングル露光ヘッド及びマルチ露光ヘッドの各露光装置の副走査方向ピッチ精度を検査するものであり、第1の検査方法に該当するものである。
<Inspection method J>
The inspection method J shown in FIG. 13A is for inspecting the pitch accuracy in the sub-scanning direction of each exposure apparatus of a single exposure head and a multi-exposure head, and corresponds to the first inspection method.
露光工程の手順は、検査方法AないしDと同じであるが、異なる点は、検査方法Jでは、通常のスケールパターン35と、スケールパターン35の所定の目盛に対応した配置のマーク36との組み合わせを用いる。
The procedure of the exposure process is the same as that of the inspection methods A to D, except that the inspection method J is a combination of a
このように、検査方法Jによっても、スケールパターン35とマーク36を露光し、これを顕像化させて読み取ることで、比較的簡単な方法で露光装置の副走査方向ピッチ精度を精度良く検査することができる。
As described above, also by the inspection method J, the
<検査方法K>
図13(b)に示す検査方法Hは、シングル露光ヘッド及びマルチ露光ヘッドの各露光装置の主走査方向ピッチ精度を検査するものであり、第2の検査方法に該当するものである。
<Inspection method K>
The inspection method H shown in FIG. 13B is for inspecting the pitch accuracy in the main scanning direction of each of the exposure apparatuses of the single exposure head and the multiple exposure head, and corresponds to the second inspection method.
露光工程の手順は、検査方法Eと同じであるが、異なる点は、検査方法Kでは、通常のスケールパターン34と、スケールパターン34の所定の目盛に対応した配置のマーク36との組み合わせを用いる。
The procedure of the exposure process is the same as that of the inspection method E, except that the inspection method K uses a combination of a
このように、検査方法Kによっても、スケールパターン34とマーク36を露光し、これを顕像化させて読み取ることで、比較的簡単な方法で露光装置の主走査方向ピッチ精度を精度良く検査することができる。
As described above, also by the inspection method K, the
なお、本発明に係る露光装置の検査方法及び露光装置は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。 The exposure apparatus inspection method and exposure apparatus according to the present invention are not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.
たとえば、上記実施形態においては、空間変調素子として、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)タイプの空間変調素子であるDMDタイプの露光装置を対象とした。しかし、本発明において、電気光学効果により透過光を変調する光学素子(PLZT素子)、液晶光シャッタ(FLC)等、MEMSタイプ以外の空間変調素子を用いた露光装置であってもよく、また、MEMSタイプであっても、DMD以外に、反射回折格子型(GLV)、干渉型の露光装置であってもよい。 For example, in the above embodiment, the DMD type exposure apparatus, which is a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) type spatial modulation element, is used as the spatial modulation element. However, in the present invention, the exposure apparatus may use a spatial modulation element other than the MEMS type, such as an optical element (PLZT element) that modulates transmitted light by an electro-optical effect, a liquid crystal optical shutter (FLC), or the like. The exposure apparatus may be a MEMS type or a reflection diffraction grating type (GLV) or interference type exposure apparatus other than the DMD.
また、上記実施形態においては、ステージ11が可動することで、主走査及び副走査を行うものであった。しかし、本発明はこれに限定されず、露光ヘッドが動くタイプ、主走査は露光ヘッドが動き、副走査はステージが動くタイプ、主走査はステージが動き、副走査は露光ヘッドが動くタイプでもよい。
In addition, in the above-described embodiment, the main scan and the sub-scan are performed by moving the
また、上記実施形態においては、露光ヘッドが隣の主走査に移る場合、原点復帰して、同じ方向に主走査するものであった。しかし、本発明はこれに限定されず、例えば、主走査方向が交互に切り替わるようにしてもよい。 Further, in the above embodiment, when the exposure head moves to the next main scanning, the origin is returned and the main scanning is performed in the same direction. However, the present invention is not limited to this, and for example, the main scanning direction may be alternately switched.
また、上記実施形態においては、被露光材として、表面にフォトレジスト層が積層された基板が用いられた。しかし、本発明はこれに限定されず、たとえば、感光材料を用いるようにしてもよい。 Further, in the above-described embodiment, the substrate on which the photoresist layer is laminated is used as the exposed material. However, the present invention is not limited to this, and for example, a photosensitive material may be used.
このように、本発明においては、露光装置及び被露光材は、これまでに開示したものに限らず、公知の構成のもの全てが対象となる。 As described above, in the present invention, the exposure apparatus and the material to be exposed are not limited to those disclosed so far, but all of the known configurations are applicable.
また、上記実施形態においては、本尺スケールパターン及び副尺スケールパターンの尺度は、JIS(ISO)に準拠するものを用いた。しかし、本発明はこれに限定されず、目盛及び最小読取値は、自由に設定可能である。 In addition, in the above-described embodiment, the scales of the main scale pattern and the sub-scale scale pattern are based on JIS (ISO). However, the present invention is not limited to this, and the scale and the minimum reading value can be freely set.
1…露光装置、10…露光ヘッド、11…露光ステージ、12…基板(被露光材)、20…第1の露光領域、21…第2の露光領域、22…第3の露光領域、23…第2の露光領域、24…第2の露光領域、25…第3の露光領域、26…第1の露光領域、27…第2の露光領域、28…第3の露光領域、30…本尺スケールパターン、31…副尺スケールパターン、31a…基準目盛、32〜35…スケールパターン、36…マーク
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記ステージに検査用の被露光材を配置する配置工程と、
第1のスケールパターン及び第2のスケールパターンを、前記露光ヘッド及び前記ステージの相対位置を異ならせて、別々に露光することを含む露光工程と、
前記被露光材に形成された像が潜像である場合に該潜像を顕像化する顕像工程と、
前記第1のスケールパターン及び前記第2のスケールパターンの位置相関性を確認することを含む確認工程とを備える
露光装置の検査方法。 A method for inspecting an exposure apparatus for exposing a material to be exposed by performing a main scan and a sub scan by changing a relative position of an exposure head and a stage,
An arranging step of arranging an exposed material for inspection on the stage,
An exposure step including exposing the first scale pattern and the second scale pattern separately by changing the relative positions of the exposure head and the stage;
A visualizing step of visualizing the latent image when the image formed on the exposed material is a latent image,
An inspection method for an exposure apparatus, comprising: a confirmation step including confirmation of positional correlation between the first scale pattern and the second scale pattern.
前記確認工程は、前記第1のスケールパターン及び前記第2のスケールパターンの位置相関性、及び、前記第3のスケールパターン及び前記第4のスケールパターンの位置相関性のそれぞれを確認することを含み、
前記露光装置の副走査方向ピッチ精度を検査する
請求項1に記載の露光装置の検査方法。 In the exposure step, the second scale pattern and the third scale pattern are exposed at the same time, and the first scale pattern and the fourth scale pattern are exposed at the relative positions of the exposure head and the stage. Including different exposure in the sub-scanning direction,
The confirmation step includes confirming the positional correlation between the first scale pattern and the second scale pattern, and the positional correlation between the third scale pattern and the fourth scale pattern. ,
The inspection method for an exposure apparatus according to claim 1, wherein the pitch accuracy in the sub-scanning direction of the exposure apparatus is inspected.
前記露光装置の主走査方向ピッチ精度を検査する
請求項1に記載の露光装置の検査方法。 In the exposure step, the relative positions of the exposure head and the stage in the first scale pattern and the second scale pattern are different from each other in the main scanning direction, and then the relative position of the exposure head and the stage is subordinated. Including different exposure in the scanning direction,
The inspection method for an exposure apparatus according to claim 1, wherein the pitch accuracy in the main scanning direction of the exposure apparatus is inspected.
前記確認工程は、前記第1のスケールパターン及び前記第2のスケールパターンの位置相関性、及び、前記第3のスケールパターン及び前記第4のスケールパターンの位置相関性のそれぞれを確認することを含み、
前記露光装置の主走査方向ピッチ精度を検査する
請求項1に記載の露光装置の検査方法。 In the exposure step, the second scale pattern and the third scale pattern are exposed at the same time, and the first scale pattern and the fourth scale pattern are exposed at the relative positions of the exposure head and the stage. Including different exposure in the main scanning direction,
The confirming step includes confirming the positional correlation between the first scale pattern and the second scale pattern, and the positional correlation between the third scale pattern and the fourth scale pattern. ,
The inspection method for an exposure apparatus according to claim 1, wherein the pitch accuracy in the main scanning direction of the exposure apparatus is inspected.
前記露光装置の主走査方向送り精度を検査する
請求項1に記載の露光装置の検査方法。 The exposing step includes exposing the first scale pattern while performing main scanning,
The inspection method for the exposure apparatus according to claim 1, wherein the main-scanning direction feed accuracy of the exposure apparatus is inspected.
請求項1ないし5のいずれか1項に記載の検査方法。 The inspection method according to any one of claims 1 to 5, wherein the positional correlation is based on a relationship between a main scale and a vernier scale.
露光装置。 An exposure apparatus that exposes each scale pattern of the inspection method according to claim 1.
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