JP2020072202A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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- 半導体基板と、
前記半導体基板の上面に設けられたトレンチと、
前記トレンチの内面を覆っているゲート絶縁膜と、
前記トレンチ内に配置されており、前記ゲート絶縁膜によって前記半導体基板から絶縁されているゲート電極、
を備えており、
前記半導体基板が、
前記半導体基板の前記上面に露出しており、前記ゲート絶縁膜に接しているn型のソース領域と、
前記ソース領域の下側で前記ゲート絶縁膜に接しているp型のボディ領域と、
前記ボディ領域の下側で前記ゲート絶縁膜に接しており、前記ボディ領域によって前記ソース領域から分離されているn型のドリフト領域と、
前記トレンチの底面において前記ゲート絶縁膜に接しており、前記ドリフト領域によって前記ボディ領域から分離されているp型の底部領域、
を有しており、
前記ドリフト領域が、
前記ボディ領域と前記底部領域の間の範囲で前記ゲート絶縁膜に接している高濃度領域と、
前記底部領域に対して下側から接しており、前記高濃度領域に接しており、前記高濃度領域のn型不純物濃度よりも低いn型不純物濃度を有する低濃度領域、
を有している、
半導体装置。 - 請求項1の半導体装置の製造方法であって、
前記低濃度領域と、前記低濃度領域上に配置された前記ボディ領域を有する半導体基板を準備する工程と、
前記ボディ領域の一部に、複数の前記ソース領域を形成する工程と、
前記半導体基板の上面から前記低濃度領域の一部にマスクを介してn型不純物を注入して、前記高濃度領域を形成する工程、
を有しており、
前記半導体基板の上面を平面視したときに、複数の前記ソース領域が、前記高濃度領域を形成する工程におけるn型不純物の注入範囲内に位置し、前記注入範囲の輪郭が前記ソース領域の輪郭と重複しない、
製造方法。
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JP2018205850A JP2020072202A (ja) | 2018-10-31 | 2018-10-31 | 半導体装置及びその製造方法 |
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WO2015049815A1 (ja) * | 2013-10-04 | 2015-04-09 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
WO2018074425A1 (ja) * | 2016-10-17 | 2018-04-26 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
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