JP2020056430A - ダイヤフラムバルブ及び流量制御装置 - Google Patents

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【課題】ダイヤフラムをより確実にシールできるダイヤフラムバルブを提供する。【解決手段】内部に流体の流路16a、16bを有し、一面にダイヤフラム配置部16dが設けられたバルブボディ16と、前記ダイヤフラム配置部16dに配置され、弾性変形により前記流路の開閉及び開度の調節が可能なダイヤフラム17と、前記バルブボディ16に取りつけられ、アクチュエータ2で駆動されて前記ダイヤフラム17を弾性変形させるステム8を含む駆動部12と、を有するダイヤフラムバルブ1において、前記ダイヤフラム配置部16dは、内周部にねじが形成された有底穴状の凹部であり、前記ダイヤフラム配置部16dの内周部に外周部が螺合されて端部で前記ダイヤフラム17を固定するとともに、内周部が前記ステム8を軸方向に変位可能に保持する、略円筒状のインナーボンネット11をさらに有する。【選択図】図1

Description

本発明は、ダイヤフラムバルブ、流量制御装置、流体制御装置、及び半導体製造装置に関する。
半導体製造プロセス等に用いられるプロセスガスの流量制御には、質量流量装置(マスフローコントローラ)が広く用いられている。この質量流量制御装置は、例えば圧力式の質量流量制御装置の場合、流路に設けられたオリフィスの前後の圧力を用いて質量流量を測定し、この質量流量が目標値になるように制御バルブで調節している。このような制御バルブとして、ダイヤフラムバルブが広く用いられている。
ダイヤフラムバルブは、例えば、図7に示すように、金属の薄板等からなるダイヤフラム17を、駆動部12により押圧して弾性変形させ、流路の開閉及び開度の調節を行う構造になっている。このダイヤフラム17は、中央部を上方へ膨出させた球殻状の部材で、バルブボディ16上面に形成されているバルブシート16eを密閉するように配置されている。ダイヤフラム17の外周縁部の上に円環状の押えアダプタ18が配置され、これをボンネット10と呼ばれる部材で上から抑えることにより、流路16aが気密に密封されている。このボンネット10は、支持プレート3と共にバルブボディ16に2本のボルト13で共締めされており、ダイヤフラム17を駆動するステム8のガイドとしての機能も持っている。
国際公開番号WO2017/033423A1
しかし、上記機構では、ボンネット10と支持プレート3を共締めする際の2本のボルト13の締め付け力のバランスによっては、ボンネット10が傾いて押えアダプタ18を適切に押圧できず、その結果、ダイヤフラム17の外周縁から流体が漏れる恐れがあった。
本発明の目的は、上記課題を解決し、ダイヤフラムをより確実にシールできるダイヤフラムバルブを提供することにある。
本発明のダイヤフラムバルブは、
内部に流路を有し、一面にダイヤフラム配置部が設けられたバルブボディと、前記ダイヤフラム配置部に配置され、弾性変形により前記流路の開閉及び開度の調節が可能なダイヤフラムと、前記バルブボディに取りつけられ、アクチュエータで駆動されて前記ダイヤフラムを弾性変形させるステムとを含む駆動部と、を有するダイヤフラムバルブにおいて、
前記ダイヤフラム配置部は、ねじが形成された内周面を有する凹部であり、
前記ダイヤフラム配置部の内周面に螺合された略円筒状のインナーボンネットをさらに有し、前記インナーボンネットは端部で前記ダイヤフラムを押圧固定するとともに、内周部が前記ステムを軸方向に変位可能に保持することを特徴とする。
好適には、前記インナーボンネットは、樹脂製のスリーブを介して前記ステムをガイドする、構成を採用できる。
代替的には、前記インナーボンネットは、Oリングを介して前記ステムをガイドする、構成を採用できる。
本発明の流量制御装置は、上記構成のダイヤフラムバルブを用いたものである。
本発明の流体制御装置は、上流から下流に向かって複数の流体機器が配列された流体制御装置であって、
前記複数の流体機器は、上記構成のダイヤフラムバルブ又は流量制御装置を含むものである。
本発明の半導体製造装置は、密閉されたチャンバ内においてプロセスガスによる処理工程を要する半導体装置の製造プロセスにおいて、前記プロセスガスの制御に上記構成のダイヤフラムバルブ又は流量制御装置を用いる。
本発明によれば、ボンネットを2本のねじで締め付け、そのボンネットによりダイヤフラムを固定する構造の代わりに、円筒状のインナーボンネットをダイヤフラム配置部の内周面と螺合してダイヤフラムを固定する構造にしたので、締め付けバランスの不備によるダイヤフラム周縁部からの流体漏れの問題を解決したダイヤフラムバルブが実現する。
本発明の第1の実施形態に係るダイヤフラムバルブの概略断面図。 図1のダイヤフラム押え機構を示す拡大断面図。 本発明の第2の実施形態に係るダイヤフラムバルブのダイヤフラム押え機構を示す拡大断面図。 本発明の一実施形態に係る流量制御装置の概略断面図。 本発明の一実施形態に係る流体制御装置の概略斜視図。 本発明の一実施形態に係る半導体製造装置のブロック図。 従来のダイヤフラムバルブのダイヤフラム押え機構を示す拡大断面図。
(第1の実施形態)
以下、本発明の第1の実施形態のダイヤフラムバルブについて図面を参照して説明する。図1に本実施形態に係るダイヤフラムバルブ1の概略断面図、図2にそのダイヤフラム押え機構の拡大断面図を示す。
図1に示すように、本実施形態のダイヤフラムバルブ1は、バルブボディ16と、ダイヤフラム17と、駆動部12とを含んで構成される。
バルブボディ16は、略ブロック形状を成し、内部に上流側流路16aと下流側流路16bとを有する。図2に示すように、上流側流路16aは、バルブボディ16の上面に形成された円柱状の窪みであるダイヤフラム配置部16dの底面の中央部に開口し、この開口の周囲は環状に盛り上がってバルブシート16eを形成している。一方、下流側流路16bは、ダイヤフラム配置部16dの底面の周辺部に開口している。
ダイヤフラム17は、本実施形態では、特殊ステンレス鋼等の金属製薄板やニッケル・コバルト合金薄板の中央部を上方へ膨出させた球殻状の部材で、バルブボディ16上面におけるダイヤフラム配置部16dに嵌め込まれてダイヤフラム配置部16dを密閉するように配置されている。ダイヤフラム17の外周縁部の上に円環状の抑えアダプタ18が配置され、その上から後述するインナーボンネット11の下端部が当接し、押圧することで、ダイヤフラム17は固定され、流路が気密に密封されている。
ダイヤフラム17とバルブシート16eとの間には、所定量の隙間があり、上流側流路16aからこの隙間を通ってダイヤフラム17で封止されたダイヤフラム配置部16dに連通し、さらに下流側流路16bへ連通する流路が形成されている。ダイヤフラム17が駆動部12により押圧されてバルブシート16eに当接すると、流路16aと流路16bとの連通が遮断され、ダイヤフラム17がバルブシート16eから離隔することにより、流路16aと流路16bとが連通する。これにより、流路の開閉及び開度の調節が可能になっている。
駆動部12は、図1に示すように、支持プレート3と、圧電アクチュエータ2と、変位伝達機構(4,7,6,5,5b)と、ステム8と、ダイヤフラム押え19と、ばね9とを有する。
支持プレート3は、圧電アクチュエータ2と変位伝達機構(4,7,6,5,5b)を軸方向に変位可能に保持するもので、2本のボルト13で、バルブボディ16に固定されている。
圧電アクチュエータ2は、円筒状のケース2cに図示しない積層された圧電素子を内蔵している。ケース2cは、ステンレス合金等の金属製で、半球状の先端部2a側の端面および基端部2b側の端面が閉塞している。ケース2cは、積層された圧電素子に電圧を印加して伸長させることで、ケース2cの先端部2a側の端面が弾性変形し、半球状の先端部2aが長手方向において変位する。すなわち、ケース2cは、積層された圧電素子に電圧を印可することで、先端部2aから基端部2bまでの全長が伸びる。
圧電アクチュエータ2は、先端部2aが支持プレート3に当接するように垂直方向に配置されている。先端部2aの先端は半球状を成し、本実施形態では支持プレートの上面に形成された円錐状の窪みに落ち込むようになっている。圧電アクチュエータ2の基端部2bは、変位伝達機構(4,7,6,5,5b)の受け部である押圧部材4に嵌合保持されている。
押圧部材4の上面は、上部連結部材6のねじ穴に螺合された調整ねじ7の先端に当接している。前記上部連結部材6は、有底円筒を伏せて両側をカットした略コの字型を有し、その内側に一対の変位伝達部材5が、ねじで連結されている。
一対の変位伝達部材5は、熱膨張係数の小さいインバー材等の金属材料で形成され、圧電アクチュエータ2の外周面に沿う円筒状部材を長手方向に沿って二つに分割した形態を呈している。これらの一対の変位伝達部材5は、それぞれの開口部5aに支持プレート3を挿通させてその下側に伸び、先端部に係止部5bが形成されている。
一方、ステム8は、支持プレート3の下側に、前記圧電アクチュエータ2と同軸に配置され、軸方向に可動に設けられている。ステム8は、一対の変位伝達部材5の下端部に形成された各係止部5bがそれぞれ係合するアーム部8aを備えている。ステム8は、ばね9により下方向に付勢されている。圧電アクチュエータ2が伸長すると、ステム8もばね9の付勢力に抗して一対の変位伝達部材5により上方向に引き上げられる。このように、圧電アクチュエータ2の長さの変位が、一連の変位伝達機構(4,7,6,5,5b)を通してステムに伝達され、ステムが軸方向に変位するようになっている。
ステム8の先端(下端)には、ダイヤフラム押え19が取り付けられてダイヤフラム17に当接している。
ここで本発明では、従来のボンネット10(図7参照)の代わりに、インナーボンネット11を用いている。すなわち、図2に示すように、ダイヤフラム配置部16dを内周面にねじが形成された凹部とし、このダイヤフラム配置部16dの内周面に、外周部にねじが形成された略円筒状のインナーボンネット11を螺合させている。インナーボンネット11は下端部で押えアダプタ18を押圧してダイヤフラム17を固定するとともに、インナーボンネット11の内周部でステム8を軸方向に変位可能に保持する構造にした。
ダイヤフラム17と略同心円状の1つのねじにより押圧する構造なので、締め方によってバランスが崩れることがなく、ダイヤフラム17の周囲を均等に押圧でき、シール性を向上することができる。
また、本実施形態では、インナーボンネット11の内周に樹脂製のスリーブ15の外周を嵌合固定し、その内周がステム8を軸方向に変位可能に保持している。スリーブ15は、ポリアセタール、超高分子量ポリエチレン、フッ素樹脂、フェノール樹脂などの自己潤滑性樹脂で形成されているので、ガイドされるステンレス鋼製のステム8との摩擦係数が小さく、ステム8を良好にガイドできる。
次に、このように構成された本実施形態のダイヤフラムバルブ1の動作について、図1を参照して説明する。
まず、圧電アクチュエータ2への印加電圧がゼロである初期状態では、圧電アクチュエータ2の長さは初期長さで最小であり、変位伝達部機構(4,7,6,5,5b)とこれに係合されたステム8は、ばね9に押し下げられて最下位置にある。したがって、ダイヤフラム17はステム8に押圧されて、バルブシート16eに密着し、バルブ1は全閉状態になる。
次に、圧電アクチュエータ2に電圧を印加すると、圧電アクチュエータ2の長さは大きくなるため、ばね9の付勢力に打ち勝って、変位伝達部機構(4,7,6,5,5b)とステム8は押し上げられ、ダイヤフラム17とバルブシート16eの間に隙間ができて、バルブ1は開き、流体がダイヤフラムバルブ1を通過できるようになる。圧電アクチュエータ2への印可電圧を調節することにより、ダイヤフラム17とバルブシート16eとの隙間を調節でき、流体の流量を調節できる。
以上のように、本実施形態では、従来のボンネット10(図7参照)が有していたステム8のガイド機能を保持しつつ、ダイヤフラム17のシール性を向上することができる。
(第2の実施形態)
第2の実施形態は、第1の実施形態において、インナーボンネット11が、樹脂製のスリーブの代わりに、従来と同様にOリング14を介してステム8を軸方向に変位可能に保持するする実施形態である。
図3に示すように、第1の実施形態と同様に、ダイヤフラム配置部16dを内周部にねじが形成された有底穴状の凹部とし、このダイヤフラム配置部16dの内周部に、外周部にねじが形成された略円筒状のインナーボンネット11を螺合させて、下端部で押えアダプタ18を押圧してダイヤフラム17を固定する。
但し、インナーボンネット11の内周には、樹脂製のスリーブを設けず、ステム8の外周部に設けた周溝8dに嵌合されたOリング14の外周とインナーボンネット11の内周を接触させている。
第2の実施形態のこの部分以外の構成および動作は第1の実施形態と同様なので、記載を省略する。
本実施形態の構成でも、従来のボンネットが有していたステム8のガイド機能を保持しつつ、ダイヤフラム17のシール性を向上させることができる。
尚、上記各実施形態では、インナーボンネット11の内周部は、樹脂製のスリーブ15又はOリング14を介してステムを軸方向に変位可能に保持する構造としたが、本願はこれらに限定されず、公知の適切な機構で変位可能に保持する構成にしてもよい。
また、実施形態1では樹脂製のスリーブ15の外周をインナーボンネット11の内周に嵌合させてステム8を軸方向に変位可能に保持する構成としたが、スリーブ15の内周をステム8の外周に嵌合させて、一体でインナーボンネット11の内周で軸方向に変位可能に保持される構成にしてもよい。
次に、本発明の流量制御装置について説明する。
図4は、本発明の一実施形態に係る流量制御装置の概略断面図であり、上記したダイヤフラムバルブ1が組み込まれた圧力式の流量制御装置20を示す。
図4において、流量制御装置20の全体を覆うカバーやフィードバック制御用の基板が実際には存在するが、説明の便宜上図示していない。
流量制御装置20は、上記したダイヤフラムバルブ1の構成要素に加えて、下流側ブロック25、圧力検出器22、オリフィス21、圧力検出器26、流路16c、25aを有する。
バルブボディ16の内部において、ダイヤフラム17の下流側の流路16b内にオリフィス21(本実施形態では、ガスケット型オリフィス)が設けられている。オリフィス21の上流側の流路16bの途中には、圧力を検出する上流側の圧力検出器22が流路16cを介して設けられている。
下流側ブロック25は、バルブボディ16にボルトにより連結され、バルブボディ16の下流側の流路16bに連通する下流側流路25aを有し、下流側流路25a内の圧力を検出する下流側の圧力検出器26が設けられている。
図示しない制御装置により、各圧力検出器22、26の検出値に基づいてダイヤフラムバルブ1がPID制御により開閉制御される。
本発明により、ダイヤフラム17のシール性の一層の向上が図られるので、流体の漏れのリスクが軽減される。
次に、本発明の流体制御装置について説明する。
図5は、本発明の一実施形態に係る流体制御装置の概略斜視図である。
図5に示す流体制御装置には、幅方向W1、W2に沿って配列され長手方向G1、G2に延びる金属製のベースプレートBSが設けられている。なお、W1は正面側、W2は背面側、G1は上流側、G2は下流側の方向を示している。ベースプレートBSには、複数の流路ブロック992を介して各種流体機器991A〜991Eが設置され、複数の流路ブロック992には、上流側G1から下流側G2に向かって流体が流通する図示しない流路がそれぞれ形成されている。
ここで、「流体機器」とは、流体の流れを制御する流体制御装置に使用される機器であって、流体流路を画定するボディを備え、このボディの表面で開口する少なくとも2つの流路ロを有する機器である。具体的には、開閉弁(2方弁)991A、レギュレータ991B、プレッシャーゲージ991C、開閉弁(3方弁)991D、マスフローコントローラ991E等が含まれるが、これらに限定されるわけではない。なお、導入管993は、上記した図示しない流路の上流側の流路口に接続されている。
本発明は、上記した開閉弁991A、991D、レギュレータ991B、マスフローコントローラ991E等の種々のダイヤフラムバルブに適用可能である。
次に、本発明の半導体製造装置について説明する。
図6は、本発明の一実施形態に係る半導体製造装置のブロック図である。
図6に示す半導体製造装置980は、原子層堆積法(ALD:Atomi c Layer Deposition 法)による半導体製造プロセスを実行するための装置であり、981はプロセスガス供給源、982はガスボックス(流体制御装置)、983はタンク、984は開閉バルブ、985は制御部、986は処理チャンバ、987は排気ポンプを示している。
本発明は、上記したガスボックス982およびガスボックス982を構成する流体機器、開閉バルブ984に適用可能である。
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されない。当業者であれば、本発明の範囲内で、種々の追加や変更等を行うことができる。例えば、上記適用例では、ALD法による半導体製造プロセスに用いる場合について例示したが、これに限定されるわけではなく、本発明は、例えば原子層エッチング法(ALE :At omi c Layer Etching 法)等、精密な流量調整が必要なあらゆる対象に適用可能である。
1 :ダイヤフラムバルブ
2 :圧電アクチュエータ
2a :先端部
2b :基端部
2c :ケース
3 :支持プレート
4 :押圧部材
5 :変位伝達部材
6 :上部連結部材
7 :調整ねじ
8 :ステム
9 :ばね
10 :ボンネット
10a :ガイド孔
11 :インナーボンネット
12 :駆動部
13 :ボルト
14 :Oリング
15 :スリーブ
16 :バルブボディ
16a :上流側流路
16b :下流側流路
16d :ダイヤフラム配置部
16e :バルブシート
17 :ダイヤフラム
18 :押えアダプタ
19 :ダイヤフラム押え
20 :流量制御装置
21 :オリフィス
22 :圧力検出器
25 :下流側ブロック
25a :下流側流路
26 :圧力検出器
980 :半導体製造装置
981 :プロセスガス供給源
982 :ガスボックス
983 :タンク
984 :開閉バルブ
985 :制御部
986 :処理チャンバ
987 :排気ポンプ
991A〜991E :流体機器
992 :流路ブロック
993 :導入管
BS :ベースプレート
GI、G2:長手方向
W1、W2:幅方向

Claims (6)

  1. 内部に流路を有し、一面にダイヤフラム配置部が設けられたバルブボディと、前記ダイヤフラム配置部に配置され、弾性変形により前記流路の開閉及び開度の調節が可能なダイヤフラムと、前記バルブボディに取りつけられ、アクチュエータとアクチュエータで駆動されて前記ダイヤフラムを弾性変形させるステムとを含む駆動部と、を有するダイヤフラムバルブにおいて、
    前記ダイヤフラム配置部は、ねじが形成された内周面を有する凹部であり、
    前記ダイヤフラム配置部の内周面に螺合された略円筒状のインナーボンネットをさらに有し、前記インナーボンネットは端部で前記ダイヤフラムを押圧固定するとともに、内周部が前記ステムを軸方向に変位可能に保持することを特徴とする、ダイヤフラムバルブ。
  2. 前記インナーボンネットは、樹脂製のスリーブを介して前記ステムを軸方向に変位可能に保持する、請求項1に記載のダイヤフラムバルブ。
  3. 前記インナーボンネットは、Oリングを介して前記ステムを軸方向に変位可能に保持する、請求項1に記載のダイヤフラムバルブ。
  4. 請求項1〜3のいずれかに記載のダイヤフラムバルブを有する流量制御装置。
  5. 複数の流体機器が配列された流体制御装置であって、
    前記複数の流体機器は、請求項1〜3のいずれかに記載のダイヤフラムバルブ又は請求項4に記載の流量制御装置を含む、流体制御装置。
  6. 密閉されたチャンバ内においてプロセスガスによる処理工程を要する半導体の製造プロセスにおいて、前記プロセスガスの制御に請求項1〜3のいずれかに記載のダイヤフラムバルブ又は請求項4に記載の流量制御装置を用いる、半導体製造装置。
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