JP2020047875A - Processing method of wafer - Google Patents

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Abstract

To achieve street reduction and processing time reduction while segmenting a die attach layer efficiently, when segmenting a wafer laminating a die attach layer on the rear surface.SOLUTION: A processing method includes a step of plasma etching a wafer W via a mask J1 having an opening along a scheduled division line S and forming a chip C by dividing the wafer W, a step of laminating a die attach layer T2 on the wafer rear surface Wb before and after execution of the wafer division step, and sticking the wafer W to an expand sheet T1 via the die attach layer T2, a solvent supply step of supplying a solvent for deteriorating the die attach layer T2 between an adjoining chip C from the wafer surface Wa side, after executing the wafer division step and the sheet sticking step, and a step of extending the expand sheet T1 and fracturing the die attach layer T2 along an etching groove M, after executing the solvent supply step.SELECTED DRAWING: Figure 6

Description

本発明は、裏面にダイアタッチ層を積層したウェーハの加工方法に関する。   The present invention relates to a wafer processing method in which a die attach layer is laminated on a back surface.

表面にストリート（分割予定ライン）として設定される幅を縮小して（ストリートリダクションして）ウェーハ毎のチップの数を増やすため、及び加工時間を短縮するために、プラズマエッチングを利用して被加工物であるウェーハを分割する所謂プラズマダイシング（例えば、特許文献１参照）が従来から用いられている。   In order to increase the number of chips per wafer by reducing the width set as streets (planned division lines) on the surface (by performing street reduction), and to shorten the processing time, processing is performed using plasma etching. So-called plasma dicing (see, for example, Patent Literature 1) for dividing an object wafer has been conventionally used.

また、半導体ウェーハを分割して形成された半導体チップを実装基板に実装するために、あらかじめ半導体ウェーハの裏面にＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ）と呼ばれるダイボンド用の接着フィルムを貼着しておき、分割後のチップの裏面の接着フィルムを介してチップを実装基板に接着する技術がある（例えば、特許文献２参照）。この技術は、ウェーハの分割前にウェーハにＤＡＦを貼着するため、一括でチップの裏面にＤＡＦを配設でき効率がよい。   Also, in order to mount a semiconductor chip formed by dividing the semiconductor wafer on a mounting substrate, an adhesive film for die bonding called DAF (Die Attach Film) is previously attached to the back surface of the semiconductor wafer, and There is a technique of bonding a chip to a mounting substrate via an adhesive film on the back surface of the chip (for example, see Patent Document 2). According to this technique, the DAF is attached to the wafer before the wafer is divided, so that the DAF can be arranged on the back surface of the chip at a time, which is efficient.

特開２０１６−２０７７３７号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-207737 特開２０００−１８２９９５号公報JP-A-2000-182959 特許４０９０４９２号公報Japanese Patent No. 4090492 特開２０１０−２０６１３６号公報JP 2010-206136 A

プラズマエッチングにおいては、ウェーハの垂直な深掘りを高速かつ所望のアスペクト比で実現するのに適した所謂ボッシュ法（例えば、特許文献３参照）が広く採用されているが、ボッシュ法で使用されるエッチングガスでは、ＤＡＦがエッチングされ難い又はされないという問題がある。   In the plasma etching, a so-called Bosch method (for example, see Patent Document 3) suitable for realizing vertical deep digging of a wafer at a high speed and a desired aspect ratio is widely used, but is used in the Bosch method. The etching gas has a problem that DAF is hardly etched or not etched.

また、ＤＡＦをエキスパンドで破断する装置（例えば、特許文献４参照）が提案されているが、チップサイズが例えば数ミリ以下と小さくなると、エキスパンドでは分割が難しいという問題がある。
ＤＡＦをレーザ加工装置で分断することも考えられるが、チップサイズが小さいウェーハではレーザ加工すべきラインが多く加工時間がかかり効率が悪いという問題がある。 Further, an apparatus for breaking DAF by expanding (for example, see Patent Document 4) has been proposed. However, when the chip size is reduced to, for example, several millimeters or less, there is a problem that division is difficult in expanding.
Although it is conceivable that the DAF is divided by a laser processing apparatus, there is a problem that a wafer having a small chip size has many lines to be laser-processed, requires a long processing time, and is inefficient.

よって、裏面にダイアタッチ層（ＤＡＦ）を積層したウェーハを分割する場合には、ストリートリダクションと加工時間の短縮とを達成するとともにダイアタッチ層を効率よく分断できるようにするという課題がある。   Therefore, when dividing a wafer having a die attach layer (DAF) laminated on the back surface, there is a problem that a street reduction and a reduction in processing time are achieved, and the die attach layer can be efficiently divided.

上記課題を解決するための本発明は、交差する複数の分割予定ラインが表面に設定されたウェーハの加工方法であって、該分割予定ラインに沿った開口を有したマスクを介してウェーハにプラズマエッチングを施し、該分割予定ラインに沿ってウェーハを分割して複数のチップを形成するウェーハ分割ステップと、該ウェーハ分割ステップを実施する前または後に、ウェーハの裏面にダイアタッチ層を積層し、該ダイアタッチ層を介してウェーハをエキスパンドシートに貼着するシート貼着ステップと、該ウェーハ分割ステップと該シート貼着ステップとを実施した後、該ダイアタッチ層を劣化させる溶剤をウェーハの該表面側から隣接するチップ間に供給し、隣接するチップ間に露出した該ダイアタッチ層を劣化させる溶剤供給ステップと、該溶剤供給ステップを実施した後、該エキスパンドシートを拡張してエッチング溝に沿って該ダイアタッチ層を破断する破断ステップと、を備えた加工方法である。   The present invention for solving the above-mentioned problem is a method for processing a wafer having a plurality of intersecting lines to be divided set on the surface, wherein plasma is applied to the wafer via a mask having an opening along the lines to be divided. Performing etching, a wafer dividing step of dividing the wafer along the dividing line to form a plurality of chips, and before or after performing the wafer dividing step, laminating a die attach layer on the back surface of the wafer, A sheet attaching step of attaching the wafer to the expanded sheet via the die attach layer, and after performing the wafer dividing step and the sheet attaching step, a solvent for deteriorating the die attach layer is applied to the front side of the wafer. A solvent supply step of supplying between adjacent chips from the above and deteriorating the die attach layer exposed between adjacent chips. After carrying out the solvent supply step, a processing method and a breaking step of breaking the die-attach layer along the etched grooves extend the expanded sheet.

前記シート貼着ステップは前記ウェーハ分割ステップを実施する前に実施され、該ウェーハ分割ステップでは、ウェーハの表面に前記マスクを形成し、ウェーハの該表面側からプラズマエッチングを施すと好ましい。   Preferably, the step of attaching the sheet is performed before the step of dividing the wafer. In the step of dividing the wafer, it is preferable that the mask is formed on the surface of the wafer, and plasma etching is performed from the front side of the wafer.

前記ウェーハ分割ステップでは、ウェーハの裏面に前記マスクを形成し、ウェーハの該裏面側からプラズマエッチングを施し、該ウェーハ分割ステップを実施した後、該マスクを除去するマスク除去ステップを備え、前記シート貼着ステップは、該マスク除去ステップを実施した後に実施すると好ましい。   In the wafer dividing step, the mask is formed on the back surface of the wafer, plasma etching is performed from the back surface side of the wafer, and after performing the wafer dividing step, a mask removing step of removing the mask is provided. The attaching step is preferably performed after performing the mask removing step.

前記ウェーハの表面に形成したマスクは水溶性樹脂からなり、前記破断ステップを実施した後、ウェーハを洗浄して該マスクと前記溶剤とを除去する洗浄ステップを更に備えると好ましい。   Preferably, the mask formed on the surface of the wafer is made of a water-soluble resin, and further includes a cleaning step of cleaning the wafer to remove the mask and the solvent after performing the breaking step.

本発明に係るウェーハの加工方法は、分割予定ラインに沿った開口を有したマスクを介してウェーハにプラズマエッチングを施し、分割予定ラインに沿ってウェーハを分割して複数のチップを形成するウェーハ分割ステップと、ウェーハ分割ステップを実施する前または後に、ウェーハの裏面にダイアタッチ層を積層し、ダイアタッチ層を介してウェーハをエキスパンドシートに貼着するシート貼着ステップと、ウェーハ分割ステップとシート貼着ステップとを実施した後、ダイアタッチ層を劣化させる溶剤をウェーハの表面側から隣接するチップ間に供給し、隣接するチップ間に露出したダイアタッチ層を劣化させる溶剤供給ステップと、溶剤供給ステップを実施した後、エキスパンドシートを拡張してエッチング溝に沿って劣化したダイアタッチ層を破断する破断ステップと、を備えていることで、ストリートリダクションと加工時間の短縮とを達成するとともにダイアタッチ層を効率良く破断できる。   The wafer processing method according to the present invention includes a step of performing plasma etching on a wafer through a mask having an opening along a division line, and dividing the wafer along the division line to form a plurality of chips. Before and after performing the wafer dividing step, a die attaching layer is laminated on the back surface of the wafer, and a sheet attaching step of attaching the wafer to the expanded sheet via the die attaching layer is provided. After performing the attaching step, a solvent for deteriorating the die attach layer is supplied between adjacent chips from the front surface side of the wafer, and a solvent supplying step for deteriorating the die attach layer exposed between adjacent chips is provided. After expanding the expanded sheet, expand the expanded sheet and By it includes a breaking step of breaking the touch layer and can be efficiently broken die attach layer while achieving the shortening of the street reduction and processing time.

ウェーハの一例を示す斜視図である。It is a perspective view showing an example of a wafer. ダイアタッチ層が裏面に積層され、かつ、エキスパンドシートに貼着されたウェーハを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the wafer in which the die attach layer was laminated | stacked on the back surface, and was affixed on the expanded sheet. 水溶性樹脂膜をウェーハの表面に形成している状態を説明する断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a state where a water-soluble resin film is formed on the surface of a wafer. レーザビーム照射によりウェーハの表面にマスクを形成している状態を説明する斜視図である。FIG. 3 is a perspective view illustrating a state where a mask is formed on the surface of the wafer by laser beam irradiation. 分割予定ラインに沿った開口を有したマスクを介して表面側からウェーハにプラズマエッチングを施し、分割予定ラインに沿ってウェーハを分割して複数のチップを形成している状態を説明する断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a state where plasma etching is performed on a wafer from the front side through a mask having an opening along a division line to form a plurality of chips by dividing the wafer along the division line. is there. プラズマエッチングが施されたウェーハを拡大して示す断面図である。It is sectional drawing which expands and shows the wafer which performed the plasma etching. 溶剤をウェーハの表面側から隣接するチップ間に供給し、隣接するチップ間に露出したダイアタッチ層を劣化させている状態を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing a state in which a solvent is supplied between adjacent chips from the front surface side of the wafer to deteriorate the die attach layer exposed between the adjacent chips. エキスパンド装置にウェーハがセットされた状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state in which the wafer was set to the expansion apparatus. エキスパンドシートを拡張してエッチング溝に沿って劣化したダイアタッチ層を破断している状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state which expanded the expanded sheet and fractured the die attach layer deteriorated along the etching groove. ウェーハを洗浄してウェーハの表面に形成されたマスクとチップの側面等に付着している溶剤とを除去している状態を説明する断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a state in which the wafer is cleaned to remove a mask formed on the surface of the wafer and a solvent adhering to side surfaces of the chips and the like. ウェーハの裏面に水溶性樹脂膜を形成している状態を説明する断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a state in which a water-soluble resin film is formed on the back surface of a wafer. レーザビーム照射によりウェーハの裏面にマスクを形成している状態を説明する斜視図である。FIG. 3 is a perspective view illustrating a state in which a mask is formed on the back surface of the wafer by laser beam irradiation. 分割予定ラインに沿った開口を有したマスクを介して裏面側からウェーハにプラズマエッチングを施し、分割予定ラインに沿ってウェーハを分割して複数のチップを形成している状態を説明する断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a state in which plasma etching is performed on a wafer from the back side through a mask having an opening along a division line to form a plurality of chips by dividing the wafer along the division line. is there. ウェーハの裏面に形成されたマスクを除去している状態を説明する断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a state where a mask formed on the back surface of the wafer is removed. 裏面からマスクが除去されたウェーハの裏面にダイアタッチ層を積層し、ダイアタッチ層を介してウェーハをエキスパンドシートに貼着した状態を説明する斜視図である。It is a perspective view explaining the state where the die attach layer was laminated on the back of the wafer from which the mask was removed from the back, and the wafer was stuck on the expanded sheet via the die attach layer. 溶剤をウェーハの表面側から隣接するチップ間に供給し、隣接するチップ間に露出したダイアタッチ層を劣化させている状態を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing a state in which a solvent is supplied between adjacent chips from the front surface side of the wafer to deteriorate the die attach layer exposed between the adjacent chips. エキスパンドシートを拡張してエッチング溝に沿って劣化したダイアタッチ層を破断している状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state which expanded the expanded sheet and fractured the die attach layer deteriorated along the etching groove.

（実施形態１）
以下に、本発明に係るウェーハの加工方法（実施形態１の加工方法とする。）を実施して、図１に示すウェーハＷをデバイスＤを備えるチップへと分割する場合の、加工方法の各ステップについて説明していく。
ウェーハＷは、例えば、シリコンを母材とする外形が円形の半導体ウェーハであり、その表面Ｗａは、直交差する複数の分割予定ラインＳで格子状に区画されており、格子状に区画された各領域にはＩＣ等のデバイスＤがそれぞれ形成されている。また、例えば、分割予定ラインＳ上には、金属からなる回路層と回路間を絶縁する絶縁層（例えば、ｌｏｗ−ｋ膜）とから構成されたデバイス層Ｄ１が積層されている。
なお、ウェーハＷはシリコン以外にガリウムヒ素、サファイア、窒化ガリウム又はシリコンカーバイド等で構成されていてもよい。 (Embodiment 1)
Hereinafter, each of the processing methods in the case where the wafer processing method according to the present invention (hereinafter referred to as the processing method of Embodiment 1) is performed to divide the wafer W illustrated in FIG. The steps will be described.
The wafer W is, for example, a semiconductor wafer having a circular outer shape made of silicon as a base material, and its surface Wa is partitioned in a grid by a plurality of planned dividing lines S orthogonally different from each other, and partitioned in a grid. A device D such as an IC is formed in each area. Further, for example, a device layer D1 including a circuit layer made of metal and an insulating layer (for example, a low-k film) that insulates between circuits is stacked on the division line S.
The wafer W may be made of gallium arsenide, sapphire, gallium nitride, silicon carbide, or the like in addition to silicon.

（１）シート貼着ステップ
本実施形態１のウェーハの加工方法においては、まず、ウェーハＷの裏面Ｗｂにダイアタッチ層を積層し、ダイアタッチ層を介してウェーハＷをエキスパンドシートに貼着する。
図２に示すエキスパンドシートＴ１は、例えば、ウェーハＷよりも大径の円形のシートであり、例えばポリオレフィン系樹脂等からなる基材と、基材上の粘着力のある糊層とからなる。エキスパンドシートＴ１の糊層上には、予め、円形のダイアタッチ層Ｔ２（ＤＡＦＴ２）が貼着されて一体となっている。ダイアタッチ層Ｔ２は、図示の例においてはウェーハＷよりも大径となっているが、ウェーハＷと同径のものであってもよい。 (1) Sheet attaching step In the wafer processing method of the first embodiment, first, a die attach layer is laminated on the back surface Wb of the wafer W, and the wafer W is attached to the expanded sheet via the die attach layer.
The expanded sheet T1 shown in FIG. 2 is, for example, a circular sheet having a larger diameter than the wafer W, and includes a base made of, for example, a polyolefin-based resin and an adhesive layer on the base having an adhesive force. On the glue layer of the expanded sheet T1, a circular die attach layer T2 (DAFT2) is previously adhered and integrated. The die attach layer T2 has a larger diameter than the wafer W in the illustrated example, but may have the same diameter as the wafer W.

例えば、図示しない貼り付けテーブル上に載置されたウェーハＷの中心と図２に示す環状フレームＦの開口の中心とが略合致するように、ウェーハＷに対して環状フレームＦが位置付けられる。そして、貼り付けテーブル上でプレスローラー等によりウェーハＷの裏面Ｗｂにダイアタッチ層Ｔ２が押し付けられて貼着され、裏面Ｗｂに積層される。同時に、エキスパンドシートＴ１の糊層の外周部を環状フレームＦにも貼着することで、ウェーハＷは、エキスパンドシートＴ１を介して環状フレームＦに支持され、環状フレームＦによるハンドリングが可能な状態になる。   For example, the annular frame F is positioned with respect to the wafer W such that the center of the wafer W placed on the attachment table (not shown) substantially matches the center of the opening of the annular frame F shown in FIG. Then, the die attach layer T2 is pressed and attached to the back surface Wb of the wafer W by a press roller or the like on the attachment table, and is laminated on the back surface Wb. At the same time, by attaching the outer peripheral portion of the adhesive layer of the expanded sheet T1 to the annular frame F, the wafer W is supported by the annular frame F via the expanded sheet T1 and can be handled by the annular frame F. Become.

なお、単体のダイアタッチ層Ｔ２をウェーハＷの裏面Ｗｂに貼着した後、次いで、エキスパンドシートＴ１にダイアタッチ層Ｔ２が積層されたウェーハＷを貼着してもよい。また、テープロールから引き出された長尺状のエキスパンドシートＴ１とダイアタッチ層Ｔ２とからなるテープが環状フレームＦとウェーハＷとに貼着された後、カッターで該テープが環状フレームＦに合わせて円形に切断されるものとしてもよい。
例えば、環状フレームＦ及びエキスパンドシートＴ１は、後のウェーハ分割ステップで使用されるエッチングガス（例えば、ＳＦ６ガスやＣ４Ｆ８ガス）に対する耐性を備えていると好ましい。即ち、例えば、環状フレームＦはＳＵＳで形成されており、エキスパンドシートＴ１はポリオレフィン等で形成されていると好ましい。 After attaching the single die attach layer T2 to the back surface Wb of the wafer W, the wafer W having the die attach layer T2 laminated on the expanded sheet T1 may be attached. Further, after a tape composed of the elongated expanded sheet T1 and the die attach layer T2 drawn from the tape roll is attached to the annular frame F and the wafer W, the tape is aligned with the annular frame F with a cutter. It may be cut into a circle.
For example, it is preferable that the annular frame F and the expanded sheet T1 have resistance to an etching gas (for example, SF 6 gas or C 4 F 8 gas) used in a later wafer dividing step. That is, for example, the annular frame F is preferably formed of SUS, and the expanded sheet T1 is preferably formed of polyolefin or the like.

（２−１）ウェーハ分割ステップにおける水溶性樹脂のウェーハに対する塗布
環状フレームＦによるハンドリングが可能となったウェーハＷは、例えば、図３に示すスピンコータ４に搬送される。スピンコータ４は、例えば、ウェーハＷを保持する保持テーブル４０と、保持テーブル４０を回転させる回転手段４２と、上端側に円形の開口を備え保持テーブル４０を収容する有底円筒状のケーシング４４とを備えている。 (2-1) Application of Water-Soluble Resin to Wafer in Wafer Dividing Step The wafer W that can be handled by the annular frame F is transferred to, for example, the spin coater 4 shown in FIG. The spin coater 4 includes, for example, a holding table 40 that holds the wafer W, a rotating unit 42 that rotates the holding table 40, and a bottomed cylindrical casing 44 that has a circular opening at the upper end and houses the holding table 40. Have.

保持テーブル４０は、例えば円形状であり、ポーラス部材等からなり図示しない吸引源に連通する保持面４０ａを備えている。保持テーブル４０の周囲には、環状フレームＦを固定する固定クランプ４０１が周方向に均等に配設されている。固定クランプ４０１は、保持テーブル４０の回転による遠心力によって振り子が移動することで環状フレームＦを固定するものであってもよいし、メカニカルクランプであってもよい。保持テーブル４０は、ウェーハＷが載置される際には上昇して搬入・搬出高さに位置付けられ、また、吸引保持したウェーハＷに液状の水溶性樹脂が塗布される際には、ケーシング４４内における塗布高さまで下降する。保持テーブル４０は、下方に配設された回転手段４２によりＺ軸方向の軸心周りに回転可能である。   The holding table 40 is, for example, circular and has a holding surface 40a made of a porous member or the like and communicating with a suction source (not shown). Around the holding table 40, fixing clamps 401 for fixing the annular frame F are evenly arranged in the circumferential direction. The fixed clamp 401 may be one that fixes the annular frame F by moving the pendulum by centrifugal force due to rotation of the holding table 40, or may be a mechanical clamp. When the wafer W is placed, the holding table 40 rises and is positioned at the loading / unloading height. When the liquid water-soluble resin is applied to the wafer W held by suction, the casing 44 is Down to the application height within. The holding table 40 is rotatable around an axis in the Z-axis direction by rotating means 42 provided below.

ケーシング４４は、保持テーブル４０を囲繞する外側壁４４０と、外側壁４４０の下部に連接し中央に回転手段４２の回転軸が挿通される開口を有する底板４４１と、底板４４１の開口の内周縁から立設する内側壁４４２とから構成されている。保持テーブル４０の下面と内側壁４４２の上端面との間には、回転手段４２の回転軸に挿嵌され該回転軸と底板４４１の開口との隙間への異物の入り込みを防ぐカバー部材４４４が配設されている。   The casing 44 includes an outer wall 440 surrounding the holding table 40, a bottom plate 441 connected to a lower portion of the outer wall 440 and having an opening in the center through which the rotation shaft of the rotating unit 42 is inserted, and an inner peripheral edge of the opening of the bottom plate 441. And an inner wall 442 erected. Between the lower surface of the holding table 40 and the upper end surface of the inner wall 442, there is provided a cover member 444 which is inserted into the rotating shaft of the rotating means 42 and prevents foreign substances from entering the gap between the rotating shaft and the opening of the bottom plate 441. It is arranged.

ケーシング４４内には、保持面４０ａで吸引保持されたウェーハＷに水溶性樹脂を滴下するノズル４５が配設されている。ノズル４５は、底板４４１から立設しており、側面視略Ｌ字状の外形を備え、回転駆動源４５３によりＺ軸方向の軸心周りに旋回可能である。ノズル４５の先端部分に形成された供給口４５０は、保持テーブル４０の保持面４０ａに向かって開口している。   In the casing 44, a nozzle 45 for dropping a water-soluble resin onto the wafer W sucked and held by the holding surface 40a is provided. The nozzle 45 is provided upright from the bottom plate 441, has a substantially L-shaped outer shape in a side view, and is rotatable around an axis in the Z-axis direction by a rotary drive source 453. The supply port 450 formed at the tip of the nozzle 45 opens toward the holding surface 40 a of the holding table 40.

ノズル４５は、水溶性樹脂（例えば、ポリビニルピロリドン又はポリビニルアルコール等）を蓄えた水溶性樹脂供給源４７に配管４７ａ及び図示しないロータリージョイントを介して連通している。なお、ノズル４５には水溶性樹脂供給源４７の代わりに非水溶性樹脂供給源が連通していてもよく、非水溶性樹脂供給源には例えばレジスト液が蓄えられていてもよい。   The nozzle 45 communicates with a water-soluble resin supply source 47 storing a water-soluble resin (for example, polyvinyl pyrrolidone or polyvinyl alcohol) via a pipe 47a and a rotary joint (not shown). In addition, a water-insoluble resin supply source may be connected to the nozzle 45 instead of the water-soluble resin supply source 47, and a resist solution may be stored in the water-insoluble resin supply source, for example.

ウェーハＷが、エキスパンドシートＴ１側を下にして保持テーブル４０により吸引保持され、また、各固定クランプ４０１により環状フレームＦが固定される。次いで、ウェーハＷを保持した保持テーブル４０がケーシング４４内の塗布高さ位置まで下降する。また、ノズル４５が旋回し、供給口４５０がウェーハＷの中央上方に位置付けられる。   The wafer W is suction-held by the holding table 40 with the expanded sheet T1 side down, and the annular frame F is fixed by each fixing clamp 401. Next, the holding table 40 holding the wafer W is lowered to the coating height position in the casing 44. Further, the nozzle 45 turns, and the supply port 450 is positioned above the center of the wafer W.

次いで、水溶性樹脂供給源４７が水溶性樹脂をノズル４５に供給し、供給口４５０からウェーハＷの表面Ｗａに所定量の水溶性樹脂が滴下される。そして、保持テーブル４０が回転することで、滴下された水溶性樹脂が表面Ｗａの中心側から外周側に流れて全面にいきわたり、ほぼ一様な厚さの水溶性樹脂膜Ｊが形成される。その後、回転を継続して水溶性樹脂膜Ｊを回転乾燥させる。なお、水溶性樹脂膜Ｊの乾燥は、保持テーブル４０の上方に位置付けたヒータやキセノンフラッシュランプを用いた加熱によって行われてもよい。   Next, the water-soluble resin supply source 47 supplies the water-soluble resin to the nozzle 45, and a predetermined amount of the water-soluble resin is dropped from the supply port 450 onto the surface Wa of the wafer W. Then, by rotating the holding table 40, the dropped water-soluble resin flows from the center side of the surface Wa to the outer peripheral side and spreads over the entire surface, and the water-soluble resin film J having a substantially uniform thickness is formed. After that, the rotation is continued and the water-soluble resin film J is rotated and dried. The drying of the water-soluble resin film J may be performed by heating using a heater or a xenon flash lamp positioned above the holding table 40.

（２−２）ウェーハ分割ステップにおけるマスクの形成
表面Ｗａに水溶性樹脂膜Ｊが形成されたウェーハＷは、例えば、図４に示すレーザ加工装置６に搬送される。レーザ加工装置６は、ウェーハＷを吸引保持するチャックテーブル６０と、ウェーハＷの水溶性樹脂膜Ｊに対して吸収性を有する波長のレーザビームを照射するレーザビーム照射手段６１とを少なくとも備えている。 (2-2) Formation of Mask in Wafer Dividing Step The wafer W having the water-soluble resin film J formed on the surface Wa is transferred to, for example, the laser processing apparatus 6 shown in FIG. The laser processing apparatus 6 includes at least a chuck table 60 that holds the wafer W by suction and a laser beam irradiation unit 61 that irradiates the water-soluble resin film J of the wafer W with a laser beam having a wavelength that has absorptivity. .

ウェーハＷを保持するチャックテーブル６０は、ポーラス部材等で構成されウェーハＷを吸引保持する円形の平坦な保持面（上面）を備えており、保持面には、図示しない吸引源が連通している。チャックテーブル６０は、鉛直方向（Ｚ軸方向）の軸心周りに回転可能であると共に、図示しない移動手段によってＸ軸方向及びＹ軸方向に往復移動可能となっている。   The chuck table 60 for holding the wafer W has a circular flat holding surface (upper surface) made of a porous member or the like for sucking and holding the wafer W, and a suction source (not shown) communicates with the holding surface. . The chuck table 60 is rotatable around an axis in a vertical direction (Z-axis direction), and is reciprocally movable in X-axis direction and Y-axis direction by moving means (not shown).

レーザビーム照射手段６１は、例えば、チャックテーブル６０の上方において水平にＹ軸方向に延在する円柱状のハウジング６１０を備えており、ハウジング６１０外にはＹＡＧ等のレーザビーム発振器６１１が配設されている。
ハウジング６１０の先端部には、内部に集光レンズ６１２ａを備えるレーザヘッド６１２が配設されている。レーザビーム照射手段６１は、レーザビーム発振器６１１から発振されたレーザビームを、ハウジング６１０及びレーザヘッド６１２の内部に備えた図示しないミラーで反射させ集光レンズ６１２ａに入光させることで、−Ｚ方向に向かうレーザビームをチャックテーブル６０で保持されたウェーハＷに正確に集光して照射できる。なお、レーザヘッド６１２によって集光されるレーザビームの集光点位置は、図示しない集光点位置調整手段によってＺ軸方向に調整可能である。 The laser beam irradiation means 61 includes, for example, a cylindrical housing 610 extending horizontally in the Y-axis direction above the chuck table 60, and a laser beam oscillator 611 such as YAG is provided outside the housing 610. ing.
At the tip of the housing 610, a laser head 612 including a condenser lens 612a is provided. The laser beam irradiating means 61 reflects the laser beam oscillated from the laser beam oscillator 611 by a mirror (not shown) provided inside the housing 610 and the laser head 612 so as to enter the condenser lens 612a, thereby causing the laser beam to enter the -Z direction. The laser beam traveling toward the wafer W can be accurately focused and irradiated on the wafer W held by the chuck table 60. The focal point position of the laser beam focused by the laser head 612 can be adjusted in the Z-axis direction by a focal point position adjusting means (not shown).

レーザヘッド６１２の近傍（例えば、ハウジング６１０の外側面）には、ウェーハＷの分割予定ラインＳを検出するアライメント手段６４が配設されている。アライメント手段６４は、撮像光照射手段と、ウェーハＷからの反射光を捉える光学系及び受光量に対応した電気信号を出力する撮像素子等で構成されたカメラ６４０とを備えており、カメラ６４０により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の画像処理によってウェーハＷの表面Ｗａの分割予定ラインＳを検出できる。   In the vicinity of the laser head 612 (for example, on the outer surface of the housing 610), an alignment means 64 for detecting the planned dividing line S of the wafer W is provided. The alignment unit 64 includes an imaging light irradiation unit, a camera 640 including an optical system that captures reflected light from the wafer W, and an imaging device that outputs an electric signal corresponding to the amount of received light, and the like. Based on the acquired image, the planned dividing line S on the front surface Wa of the wafer W can be detected by image processing such as pattern matching.

まず、ウェーハＷが、エキスパンドシートＴ１側を下にしてチャックテーブル６０の保持面上で吸引保持される。そして、レーザビームをウェーハＷに照射するための基準となる分割予定ラインＳの位置がアライメント手段６４によって検出される。
分割予定ラインＳの位置が検出されるのに伴って、チャックテーブル６０がＹ軸方向に移動し、分割予定ラインＳとレーザヘッド６１２との位置合わせがなされる。次いで、集光レンズ６１２ａにより集光されるレーザビームの集光点位置が水溶性樹脂膜Ｊの高さ位置に合わせられる。そして、レーザビーム発振器６１１が水溶性樹脂膜Ｊに吸収性を有する波長のレーザビームを発振し、レーザビームを水溶性樹脂膜Ｊに集光し照射する。また、ウェーハＷが往方向である−Ｘ方向に所定の加工送り速度で送られ、レーザビームが分割予定ラインＳに沿って水溶性樹脂膜Ｊに照射されていくことで、分割予定ラインＳに沿って水溶性樹脂膜Ｊが溶融し除去される。 First, the wafer W is suction-held on the holding surface of the chuck table 60 with the expanded sheet T1 side down. Then, the alignment unit 64 detects the position of the planned division line S which is a reference for irradiating the wafer W with the laser beam.
As the position of the line to be divided S is detected, the chuck table 60 moves in the Y-axis direction, and the position of the line to be divided S and the laser head 612 are aligned. Next, the focal point position of the laser beam focused by the focusing lens 612a is adjusted to the height position of the water-soluble resin film J. Then, the laser beam oscillator 611 oscillates a laser beam having a wavelength that is absorptive to the water-soluble resin film J, and focuses and irradiates the laser beam to the water-soluble resin film J. Further, the wafer W is sent at a predetermined processing feed speed in the forward direction -X direction, and the laser beam is irradiated on the water-soluble resin film J along the planned division line S, thereby forming the planned division line S. Along the way, the water-soluble resin film J is melted and removed.

分割予定ラインＳに沿ってレーザビームを照射し終える所定の位置までウェーハＷが−Ｘ方向に進行すると、レーザビームの照射を停止するとともチャックテーブル６０がＹ軸方向に移動され、−Ｘ方向での加工送りにおいて基準となった分割予定ラインＳの隣の分割予定ラインＳとレーザヘッド６１２とのＹ軸方向での位置合わせが行われる。ウェーハＷが復方向である＋Ｘ方向へ加工送りされ、レーザビーム照射により水溶性樹脂膜Ｊが分割予定ラインＳに沿って除去される。順次同様のレーザビーム照射をＸ軸方向に延びる全分割予定ラインＳに沿って行った後、チャックテーブル６０を９０度回転させてから同様のレーザビーム照射を行うと、ウェーハＷの表面Ｗａの分割予定ラインＳに対応する領域以外の領域に図５に示すマスクＪ１が形成された状態になる。   When the wafer W advances in the −X direction to the predetermined position where the laser beam irradiation is completed along the division line S, the chuck table 60 is moved in the Y-axis direction when the irradiation of the laser beam is stopped, and in the −X direction. The laser head 612 is aligned with the scheduled dividing line S adjacent to the scheduled dividing line S which is the reference in the processing feed in the Y-axis direction. The wafer W is processed and fed in the + X direction, which is the backward direction, and the water-soluble resin film J is removed along the scheduled division line S by laser beam irradiation. After sequentially performing the same laser beam irradiation along all the planned division lines S extending in the X-axis direction, and then rotating the chuck table 60 by 90 degrees and then performing the same laser beam irradiation, the surface Wa of the wafer W is divided. The mask J1 shown in FIG. 5 is formed in a region other than the region corresponding to the scheduled line S.

なお、レーザビームの集光点位置を例えば分割予定ラインＳ上のデバイス層Ｄ１の高さ位置に合わせて、レーザビーム発振器６１１からデバイス層Ｄ１に吸収性を有する波長のレーザビームを発振させ、レーザビームをデバイス層Ｄ１に集光し照射することで、マスクＪ１を形成すると共にデバイス層Ｄ１を分割予定ラインＳ上から除去してもよい。   The laser beam oscillator 611 oscillates a laser beam having a wavelength that is absorptive to the device layer D1 by adjusting the focal point of the laser beam to, for example, the height position of the device layer D1 on the dividing line S. By focusing and irradiating the device layer D1 with the beam, the mask J1 may be formed, and the device layer D1 may be removed from the dividing line S.

また、分割予定ラインＳに沿った開口を有したマスクＪ１の形成は本実施形態に限定されるものではない。一般的には、図１に示すウェーハＷのデバイスＤを形成する際に、デバイスＤが形成された表面Ｗａ側の全域には、汚染や不純物等の進入からデバイスＤを保護するパシベーション膜（二酸化ケイ素膜等）がプラズマＣＶＤ法等で積層されるが、デバイスＤの最表層となるパシベーション膜を分割予定ラインＳに対応した領域を抜いておくように予め形成して、デバイスＤを個々に保護する該パシベーション膜をプラズマエッチング用のマスクにしてもよい。   Further, the formation of the mask J1 having the opening along the dividing line S is not limited to the present embodiment. Generally, when the device D of the wafer W shown in FIG. 1 is formed, a passivation film (dioxide) that protects the device D from intrusion of contamination, impurities, and the like is formed on the entire surface Wa side on which the device D is formed. A silicon film or the like is laminated by a plasma CVD method or the like, but a passivation film, which is the outermost layer of the device D, is formed in advance so as to cut out a region corresponding to the dividing line S to protect the device D individually. The passivation film may be used as a mask for plasma etching.

（２−３）ウェーハ分割ステップにおけるプラズマエッチング
マスクＪ１が形成されたウェーハＷは、図５に示すプラズマエッチング装置９に搬送される。プラズマエッチング装置９は、ウェーハＷを保持する保持手段９０と、ガスを噴出するガス噴出ヘッド９１と、保持手段９０及びガス噴出ヘッド９１を内部に収容したチャンバ９２とを備えている。なお、プラズマエッチング装置は、誘電コイルにプラズマ発生用の高周波電力を印加し、誘電コイルに形成された磁場との相互作用によりエッチングガスをプラズマ化する誘導結合型プラズマ方式のエッチング装置であってもよい。 (2-3) Plasma Etching in Wafer Dividing Step The wafer W on which the mask J1 is formed is transferred to the plasma etching apparatus 9 shown in FIG. The plasma etching apparatus 9 includes a holding unit 90 for holding the wafer W, a gas ejection head 91 for ejecting gas, and a chamber 92 containing the holding unit 90 and the gas ejection head 91 therein. Note that the plasma etching apparatus is an inductively coupled plasma type etching apparatus that applies high frequency power for plasma generation to a dielectric coil and turns an etching gas into plasma by interaction with a magnetic field formed in the dielectric coil. Good.

例えば、保持手段９０は、静電チャックであり、セラミック等の誘電体で形成されており、支持部材９００により下方から支持されている。保持手段９０の内部には、電圧の印加により電荷を発生する円板状の電極９０１が保持手段９０の保持面９０ａと平行に配設されており、電極９０１は整合器９４ａ及びバイアス高周波電源９５ａに接続されている。
例えば、保持手段９０の内部には、図示しない通水路が形成されており、該通水路を循環する冷却水により保持手段９０が内部から所定温度に冷却される。また、保持面９０ａと保持面９０ａで保持されたウェーハＷとの間には、冷却水によるウェーハＷの吸熱効率を向上させるために、Ｈｅガス等の熱伝達ガスが所定の圧力で流れるようになっている。
なお、例えば、保持手段９０は、図例の単極型の静電チャックに限定されるものではなく、双極型の静電チャックであってもよい。 For example, the holding unit 90 is an electrostatic chuck, is formed of a dielectric material such as ceramic, and is supported by a support member 900 from below. Inside the holding means 90, a disk-shaped electrode 901 that generates electric charges by applying a voltage is disposed in parallel with the holding surface 90a of the holding means 90. It is connected to the.
For example, a water passage (not shown) is formed inside the holding means 90, and the holding means 90 is cooled to a predetermined temperature from the inside by the cooling water circulating through the water passage. Further, between the holding surface 90a and the wafer W held by the holding surface 90a, a heat transfer gas such as He gas flows at a predetermined pressure in order to improve heat absorption efficiency of the wafer W by the cooling water. Has become.
In addition, for example, the holding means 90 is not limited to the monopolar electrostatic chuck in the illustrated example, but may be a bipolar electrostatic chuck.

チャンバ９２の上部に軸受け９１９を介して昇降自在に配設されたガス噴出ヘッド９１の内部には、ガス拡散空間９１０が設けられており、ガス拡散空間９１０の上部にはガス導入口９１１が連通し、ガス拡散空間９１０の下部にはガス吐出口９１２が複数連通している。各ガス吐出口９１２の下端は保持手段９０の保持面９０ａに向かって開口している。
ガス導入口９１１に接続されたガス供給部９３には、例えばＳＦ６、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８等のフッ素系ガスが蓄えられている。 A gas diffusion space 910 is provided inside the gas ejection head 91 which is disposed above and below the chamber 92 via a bearing 919 so as to be movable up and down. A gas introduction port 911 communicates with the gas diffusion space 910. A plurality of gas discharge ports 912 communicate with a lower part of the gas diffusion space 910. The lower end of each gas discharge port 912 opens toward the holding surface 90a of the holding means 90.
The gas supply unit 93 connected to the gas inlet 911 stores, for example, fluorine-based gas such as SF 6 , CF 4 , C 2 F 6 , and C 4 F 8 .

ガス噴出ヘッド９１には、整合器９４を介して高周波電源９５が接続されている。高周波電源９５から整合器９４を介してガス噴出ヘッド９１に高周波電力を供給することで、ガス吐出口９１２から吐出されたエッチングガスをプラズマ化できる。
プラズマエッチング装置９は、図示しない制御部を備えており、該制御部によりガスの吐出量や時間、高周波電力等の条件が制御される。 A high frequency power supply 95 is connected to the gas ejection head 91 via a matching unit 94. By supplying high-frequency power from the high-frequency power supply 95 to the gas ejection head 91 via the matching device 94, the etching gas discharged from the gas discharge port 912 can be turned into plasma.
The plasma etching apparatus 9 includes a control unit (not shown), and the control unit controls conditions such as a gas discharge amount, time, and high-frequency power.

チャンバ９２の底には排気口９６が形成されており、この排気口９６には排気装置９７が接続されている。排気装置９７を作動させることで、チャンバ９２内部を減圧し真空雰囲気とすることができる。また、チャンバ９２の側部には、搬入出口９２０と、この搬入出口９２０を開閉するゲートバブル９２１とが設けられている。   An exhaust port 96 is formed at the bottom of the chamber 92, and an exhaust device 97 is connected to the exhaust port 96. By operating the exhaust device 97, the inside of the chamber 92 can be decompressed to a vacuum atmosphere. In addition, a loading / unloading port 920 and a gate bubble 921 that opens and closes the loading / unloading port 920 are provided on the side of the chamber 92.

チャンバ９２の内部には、プラズマエッチング中の環状フレームＦの加熱を防ぐためのフレーム加熱防止ガード９８が配設されている。フレーム加熱防止ガード９８は、例えば、エッチングガスに対する耐性を備えるＳＵＳ等を環状の平板状に形成したものであり、チャンバ９２の内側壁に径方向内側に延出するように配設されている。   Inside the chamber 92, a frame heating prevention guard 98 for preventing heating of the annular frame F during plasma etching is provided. The frame heating prevention guard 98 is formed of, for example, SUS or the like having resistance to an etching gas in the shape of an annular flat plate, and is provided on the inner wall of the chamber 92 so as to extend radially inward.

分割予定ラインＳに沿ってウェーハＷを分割するためのエッチング溝の形成は、例えば、ＳＦ６ガスによるプラズマエッチングとＣ４Ｆ８ガスによる溝側壁等に対する保護膜堆積（デポジション）とを交互に繰り返すボッシュ法により行うと好ましい。なお、ＳＦ６ガス単体によるプラズマエッチングでウェーハＷを分割してもよい。 The formation of the etching groove for dividing the wafer W along the division line S is performed, for example, by alternately performing plasma etching using SF 6 gas and depositing a protective film (deposition) on the groove side wall and the like using C 4 F 8 gas. It is preferable to carry out by the repeated Bosch method. Note that the wafer W may be divided by plasma etching using only SF 6 gas.

まず、搬入出口９２０からウェーハＷをチャンバ９２内に搬入し、マスクＪ１側を上側に向けてウェーハＷを保持手段９０の保持面９０ａ上に載置する。そして、ゲートバブル９２１を閉じ、排気装置９７によりチャンバ９２内を真空雰囲気となるように減圧する。ウェーハＷを支持する環状フレームＦの上方は、フレーム加熱防止ガード９８で覆われる。   First, the wafer W is loaded into the chamber 92 from the loading / unloading port 920, and the wafer W is placed on the holding surface 90a of the holding means 90 with the mask J1 side facing upward. Then, the gate bubble 921 is closed, and the pressure in the chamber 92 is reduced to a vacuum atmosphere by the exhaust device 97. The upper part of the annular frame F supporting the wafer W is covered with a frame heating prevention guard 98.

ガス噴出ヘッド９１を所定高さ位置まで下降させ、ガス供給部９３からＳＦ６ガスをガス拡散空間９１０に供給し、ガス吐出口９１２から下方に噴出させる。また、高周波電源９５からガス噴出ヘッド９１に高周波電力を印加して、ガス噴出ヘッド９１と保持手段９０との間に高周波電界を生じさせ、ＳＦ６ガスをプラズマ化させる。これに並行して、電極９０１にバイアス高周波電源９５ａから電圧を印加して、保持手段９０の保持面９０ａとウェーハＷとの間に誘電分極現象を発生させ、電荷の分極により生じる静電吸着力によってウェーハＷを保持面９０ａ上でエキスパンドシートＴ１を介して吸着保持する。 The gas ejection head 91 is lowered to a predetermined height position, SF 6 gas is supplied from the gas supply unit 93 to the gas diffusion space 910, and is ejected downward from the gas discharge port 912. Further, a high-frequency power is applied from the high-frequency power supply 95 to the gas ejection head 91 to generate a high-frequency electric field between the gas ejection head 91 and the holding means 90, thereby turning the SF 6 gas into plasma. In parallel with this, a voltage is applied to the electrode 901 from the bias high-frequency power supply 95a to cause a dielectric polarization phenomenon between the holding surface 90a of the holding means 90 and the wafer W, and an electrostatic attraction force generated by polarization of electric charges. Thus, the wafer W is suction-held on the holding surface 90a via the expanded sheet T1.

プラズマ化したＳＦ６ガスは、ウェーハＷの表面ＷａのマスクＪ１が形成されている領域はほとんどエッチングせず、ウェーハＷの分割予定ラインＳに対応する領域を等方性エッチングしていく。プラズマ化したＳＦ６ガスによる環状フレームＦに対する熱影響は、環状フレームＦの上方を覆うフレーム加熱防止ガード９８によって抑えられる。 The plasma-converted SF 6 gas hardly etches the region of the surface Wa of the wafer W where the mask J1 is formed, but isotropically etches the region of the wafer W corresponding to the dividing line S. The thermal influence on the annular frame F due to the plasmated SF 6 gas is suppressed by the frame heating prevention guard 98 covering the upper part of the annular frame F.

次に、ガス供給部９３からＣ４Ｆ８ガスをガス拡散空間９１０に供給し、ガス吐出口９１２から下方に噴出させる。高周波電源９５からガス噴出ヘッド９１に高周波電力を印加し、さらに、電極９０１にバイアス高周波電源９５ａから高周波電力を印加して、Ｃ４Ｆ８ガスをプラズマ化させ、プラズマ化したＳＦ６ガスによる等方性エッチングで形成されたエッチング溝の側壁と底とに保護膜（フルオロカーボン膜）を堆積させる。
再び、ＳＦ６ガスをチャンバ９２内に供給しプラズマ化させ、エッチング溝の底の保護膜のみを除去する異方性エッチングを行い、次いで、エッチング溝の底に露出したウェーハＷの等方性エッチングを再び行う。上記等方性エッチングと保護膜堆積と異方性エッチングとを１サイクルとし、例えば数十サイクル実施して、ウェーハＷの垂直な深掘りを高速かつ所望のアスペクト比で実現し、図６に示す分割予定ラインＳに沿った格子状のエッチング溝ＭをウェーハＷに形成していく。 Next, C 4 F 8 gas is supplied from the gas supply unit 93 to the gas diffusion space 910, and is ejected downward from the gas discharge port 912. High-frequency power is applied to the gas ejection head 91 from the high-frequency power supply 95, and high-frequency power is further applied to the electrode 901 from the bias high-frequency power supply 95a to convert the C 4 F 8 gas into plasma and to use the plasma-converted SF 6 gas, etc. A protective film (fluorocarbon film) is deposited on the side walls and the bottom of the etching groove formed by the isotropic etching.
Again, SF 6 gas is supplied into the chamber 92 to be turned into plasma, anisotropic etching is performed to remove only the protective film at the bottom of the etching groove, and then isotropic etching of the wafer W exposed at the bottom of the etching groove. Do again. The above-described isotropic etching, protective film deposition, and anisotropic etching are defined as one cycle, for example, several tens of cycles are performed to realize vertical deep digging of the wafer W at a high speed and a desired aspect ratio. A lattice-shaped etching groove M is formed in the wafer W along the dividing line S.

フッ素系のエッチングガスは、ダイアタッチ層Ｔ２をエッチングしない。そのため、図６に示すように、エッチング溝Ｍの底にダイアタッチ層Ｔ２が露出するまでマスクＪ１を介してウェーハＷに対するプラズマエッチングを行った後、プラズマエッチングを終了させる。即ち、図５に示すチャンバ９２内へのエッチングガス等の導入及びガス噴出ヘッド９１への高周波電力の供給を停止し、また、チャンバ９２内のエッチングガスを排気口９６から排気装置９７に排気し、チャンバ９２内部にエッチングガスが存在しない状態とする。その結果、図６に示すように、分割予定ラインＳに沿ったエッチング溝Ｍ（フルカット溝）がウェーハＷに形成され、分割予定ラインＳに沿ってウェーハＷが複数のチップＣに分割された状態になる。   The fluorine-based etching gas does not etch the die attach layer T2. Therefore, as shown in FIG. 6, after performing plasma etching on the wafer W via the mask J1 until the die attach layer T2 is exposed at the bottom of the etching groove M, the plasma etching is terminated. That is, the introduction of the etching gas or the like into the chamber 92 shown in FIG. 5 and the supply of the high-frequency power to the gas ejection head 91 are stopped, and the etching gas in the chamber 92 is exhausted from the exhaust port 96 to the exhaust device 97. , No etching gas is present inside the chamber 92. As a result, as shown in FIG. 6, an etching groove M (full cut groove) is formed on the wafer W along the dividing line S, and the wafer W is divided into a plurality of chips C along the dividing line S. State.

なお、マスクＪ１が水溶性樹脂からなるものでない場合（例えば、レジスト膜である場合）には、例えば、後述する（４）溶剤供給ステップを実施した後に、プラズマエッチング装置９によるアッシング等によりマスクＪ１をチップＣから除去してもよい。   When the mask J1 is not made of a water-soluble resin (for example, when it is a resist film), for example, after performing a solvent supply step (4) described later, the mask J1 is subjected to ashing by the plasma etching apparatus 9 or the like. May be removed from the chip C.

なお、先に説明した（１）シート貼着ステップは、本ウェーハ分割ステップを実施した後に行ってもよいが、本実施形態のようにウェーハ分割ステップを実施する前に行うことで、ウェーハ分割ステップにおけるウェーハＷのハンドリングが容易になる。   Note that the (1) sheet attaching step described above may be performed after performing the wafer dividing step, but is performed before performing the wafer dividing step as in the present embodiment. , The handling of the wafer W is facilitated.

（４）溶剤供給ステップ
ウェーハ分割ステップを実施した後、ダイアタッチ層Ｔ２を劣化させる溶剤をウェーハＷの表面Ｗａ側から隣接するチップＣ間に供給し、隣接するチップＣ間に露出したダイアタッチ層Ｔ２を劣化させる。
チップＣに分割されたウェーハＷは、例えば、図７に示す保持テーブル２０に搬送される。ウェーハＷが表面Ｗａを上側に向けた状態で、保持テーブル２０の円形状の載置面２０ａ（例えば、ポーラス部材等からなる吸引保持面）に載置され吸引保持される。なお、載置面２０ａでウェーハＷを吸引保持しなくてもよい。 (4) Solvent supply step After the wafer dividing step, a solvent that degrades the die attach layer T2 is supplied between the adjacent chips C from the front surface Wa side of the wafer W, and the die attach layer exposed between the adjacent chips C is provided. Degrades T2.
The wafer W divided into chips C is transferred to, for example, the holding table 20 shown in FIG. The wafer W is placed on the circular mounting surface 20a (for example, a suction holding surface made of a porous member or the like) of the holding table 20 with the surface Wa facing upward, and is held by suction. Note that the wafer W need not be suction-held on the mounting surface 20a.

図７に示すように、保持テーブル２０の上方には、溶剤供給ノズル２１が配設されており、例えば、溶剤供給ノズル２１と保持テーブル２０とは相対的にＹ軸方向及びＸ軸方向へ移動可能となっている。溶剤供給ノズル２１は、溶剤を蓄える溶剤供給源２２に連通している。溶剤供給ノズル２１は、保持テーブル２０の載置面２０ａに向く供給口２１ａをその先端に有している。   As shown in FIG. 7, a solvent supply nozzle 21 is provided above the holding table 20. For example, the solvent supply nozzle 21 and the holding table 20 move relatively in the Y-axis direction and the X-axis direction. It is possible. The solvent supply nozzle 21 communicates with a solvent supply source 22 that stores a solvent. The solvent supply nozzle 21 has a supply port 21a at the tip thereof facing the mounting surface 20a of the holding table 20.

溶剤供給ノズル２１からウェーハＷに積層されたダイアタッチ層Ｔ２に供給される溶剤とは、ダイアタッチ層Ｔ２を劣化させる溶剤である。なお、劣化とは、ダイアタッチ層Ｔ２の膨潤や溶解、及びダイアタッチ層Ｔ２におけるクラックの発生等を含む。そして、溶剤として、例えば、マスクＪ１、デバイスＤ、及びエキスパンドシートＴ１を損傷させず、ダイアタッチ層Ｔ２を劣化させる溶剤が選定される。
ダイアタッチ層Ｔ２は、一般に熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）と熱可塑性樹脂（アクリル樹脂）とを主構成としている。そして、アクリル樹脂はアルコール（メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、又はアミルアルコール等）、アセトン、又はイソプロピルエーテル等によって膨潤やクラック等が発生する。また、エポキシ樹脂は、アルコール（メタノール、エタノール、又はイソプロピルアルコール等）やアセトン等によって膨潤やクラック等が発生する。したがって、選定されるダイアタッチ層Ｔ２を劣化させる溶剤は、各有機溶剤単体や各有機溶剤を混合させたもの（例えば、日本アルコール販売株式会社製のソルミックス）である。なお、選定される溶剤は上記例に限定されるものではない。 The solvent supplied from the solvent supply nozzle 21 to the die attach layer T2 stacked on the wafer W is a solvent that deteriorates the die attach layer T2. Note that the deterioration includes swelling and dissolution of the die attach layer T2, generation of cracks in the die attach layer T2, and the like. As the solvent, for example, a solvent that does not damage the mask J1, the device D, and the expanded sheet T1 and that deteriorates the die attach layer T2 is selected.
The die attach layer T2 generally has a thermosetting resin (epoxy resin) and a thermoplastic resin (acrylic resin) as main components. The acrylic resin is swelled or cracked by alcohol (such as methanol, ethanol, isopropyl alcohol, or amyl alcohol), acetone, or isopropyl ether. Further, the epoxy resin causes swelling, cracks, and the like due to alcohol (such as methanol, ethanol, or isopropyl alcohol) or acetone. Therefore, the selected solvent that degrades the die attach layer T2 is an organic solvent alone or a mixture of the organic solvents (for example, Solmix manufactured by Japan Alcohol Sales Co., Ltd.). The solvent to be selected is not limited to the above example.

例えば、溶剤供給ステップにおいては、溶剤をダイアタッチ層Ｔ２に噴射するための基準となる分割予定ラインＳに沿って形成されたエッチング溝Ｍの位置が、図示しないアライメント手段によって検出される。図示しないアライメント手段は、ウェーハＷのエッチング溝Ｍが写った撮像画像に基づき、パターンマッチング等の画像処理を行い、ウェーハＷのエッチング溝Ｍの座標位置を検出する。   For example, in the solvent supply step, the position of the etching groove M formed along the planned dividing line S serving as a reference for injecting the solvent onto the die attach layer T2 is detected by an alignment unit (not shown). An alignment unit (not shown) performs image processing such as pattern matching based on a captured image of the etched groove M of the wafer W, and detects the coordinate position of the etched groove M of the wafer W.

エッチング溝Ｍが検出されるのに伴って、溶剤供給ノズル２１と保持テーブル２０とが相対的にＹ軸方向に移動し、ウェーハＷのエッチング溝Ｍと溶剤供給ノズル２１との位置合わせがなされる。そして、溶剤供給ノズル２１の供給口２１ａから下方に向かって供給（スプレー状に噴射又は液滴状に滴下）された溶剤が、エッチング溝Ｍに沿って隣接するチップＣ間に露出したダイアタッチ層Ｔ２に供給される。その結果、図７に示す二点鎖線で囲った領域が劣化する。また、ウェーハＷを保持する保持テーブル２０が−Ｘ方向（紙面奥側）に移動する。   As the etching groove M is detected, the solvent supply nozzle 21 and the holding table 20 relatively move in the Y-axis direction, and the etching groove M of the wafer W and the solvent supply nozzle 21 are aligned. . Then, the solvent supplied downward (sprayed or dropped in the form of a spray) from the supply port 21a of the solvent supply nozzle 21 exposes the die attach layer exposed between the adjacent chips C along the etching groove M. It is supplied to T2. As a result, the region surrounded by the two-dot chain line shown in FIG. 7 is deteriorated. Further, the holding table 20 holding the wafer W moves in the −X direction (the back side of the paper).

順次同様の溶剤の供給をＸ軸方向に延びる全てのエッチング溝Ｍに沿って隣接するチップＣ間に露出したダイアタッチ層Ｔ２に行った後、さらに、保持テーブル２０を９０度回転させてから同様の溶剤の供給を行って、溶剤供給ステップを終了する。なお、溶剤の供給を行った後、ダイアタッチ層Ｔ２が十分に劣化するまで時間をおいてから（例えば１分）、後述する破断ステップに進むと好ましい。
このように、エッチング溝Ｍに沿って隣接するチップＣ間に露出したダイアタッチ層Ｔ２に溶剤を供給すると、溶剤の供給量を抑えることができるので好ましい。 After sequentially supplying the same solvent to the die attach layer T2 exposed between the adjacent chips C along all the etching grooves M extending in the X-axis direction, the holding table 20 is further rotated by 90 degrees, and then the same. And the solvent supply step is completed. After supplying the solvent, it is preferable to proceed to a rupture step described later after a certain period of time (for example, one minute) until the die attach layer T2 is sufficiently deteriorated.
As described above, it is preferable to supply the solvent to the die attach layer T2 exposed between the adjacent chips C along the etching groove M because the supply amount of the solvent can be suppressed.

なお、溶剤の供給の仕方については、上記の形態に限定されない。例えば、図示しないアライメント手段によるエッチング溝Ｍの位置の検出を行うことなく、即ち、溶剤供給ノズル２１からの噴射方向を特に定めず溶剤をチップＣ間に露出したダイアタッチ層Ｔ２に供給してもよい。
または、溶剤供給ノズル２１の供給口２１ａをウェーハＷの中央上方に位置付ける。次いで、供給口２１ａから溶剤を滴下しつつ、保持テーブル２０を回転させることで、滴下された溶剤が表面Ｗａの中心側から外周側に流れて全面にいきわたり、各チップＣ間に露出したダイアタッチ層Ｔ２に供給されるものとしてもよい。
各チップＣ間に露出したダイアタッチ層Ｔ２に対する溶剤の供給は、作業者の手作業（スプレー噴射等）で行われてもよい。 Note that the method of supplying the solvent is not limited to the above embodiment. For example, the solvent may be supplied to the die attach layer T2 exposed between the chips C without detecting the position of the etching groove M by an alignment unit (not shown), that is, without determining the jetting direction from the solvent supply nozzle 21 in particular. Good.
Alternatively, the supply port 21a of the solvent supply nozzle 21 is positioned above the center of the wafer W. Next, by rotating the holding table 20 while dropping the solvent from the supply port 21a, the dropped solvent flows from the center side of the surface Wa to the outer peripheral side and spreads over the entire surface, and the die attach exposed between the respective chips C. It may be supplied to the layer T2.
The supply of the solvent to the die attach layer T2 exposed between the chips C may be performed manually by an operator (spray injection or the like).

（５）破断ステップ
貼着されているダイアタッチ層Ｔ２の隣接するチップＣ間に露出した領域が劣化せしめられたウェーハＷは、図８に示すエキスパンド装置５に搬送される。エキスパンド装置５は、例えば、エキスパンドシートＴ１の直径よりも大径の環状テーブル５０を具備しており、環状テーブル５０の開口５０ｃの直径はエキスパンドシートＴ１の直径よりも小さく形成されている。環状テーブル５０の外周部には、４つ（図示の例においては、２つのみ図示）の固定クランプ５２が均等に配設されている。固定クランプ５２は、バネ等によって回転軸５２ｃを軸に回動可能であり、環状テーブル５０の環状の保持面５０ａと固定クランプ５２の下面との間に環状フレームＦを挟み込む。環状テーブル５０は、例えば、エアシリンダ等からなる環状テーブル昇降手段５５によって上下動可能となっている。
なお、上記溶剤供給ステップは、本エキスパンド装置５内で行われてもよい。 (5) Breaking Step The wafer W in which the region exposed between the adjacent chips C of the attached die attach layer T2 has been deteriorated is transferred to the expanding device 5 shown in FIG. The expanding device 5 includes, for example, an annular table 50 having a diameter larger than the diameter of the expanded sheet T1, and the diameter of the opening 50c of the annular table 50 is formed smaller than the diameter of the expanded sheet T1. On the outer peripheral portion of the annular table 50, four (only two are shown in the illustrated example) fixed clamps 52 are uniformly arranged. The fixed clamp 52 is rotatable around a rotation shaft 52 c by a spring or the like, and sandwiches the annular frame F between the annular holding surface 50 a of the annular table 50 and the lower surface of the fixed clamp 52. The annular table 50 can be moved up and down by an annular table elevating means 55 composed of, for example, an air cylinder.
The solvent supply step may be performed in the expanding device 5.

環状テーブル５０の開口５０ｃ内には、円筒状の拡張ドラム５３が高さ位置を固定して配設されており、環状テーブル５０の中心と拡張ドラム５３の中心とは略合致している。拡張ドラム５３の外径は、例えば、ダイアタッチ層Ｔ２の直径よりも大径となっている。   In the opening 50c of the ring-shaped table 50, a cylindrical expansion drum 53 is disposed with a fixed height, and the center of the ring-shaped table 50 and the center of the expansion drum 53 substantially match. The outer diameter of the expansion drum 53 is, for example, larger than the diameter of the die attach layer T2.

まず、基準高さ位置に位置付けられた環状テーブル５０の保持面５０ａに、環状フレームＦが載置される。次いで、環状フレームＦが固定クランプ５２と環状テーブル５０の保持面５０ａとの間に挟持固定される。この状態においては、環状テーブル５０の保持面５０ａと拡張ドラム５３の環状の上端面とは同一の高さ位置にあり、拡張ドラム５３の上端面が、エキスパンドシートＴ１の環状フレームＦの内周縁とダイアタッチ層Ｔ２の外周縁との間の領域に、エキスパンドシートＴ１の下面側から当接する。   First, the annular frame F is placed on the holding surface 50a of the annular table 50 positioned at the reference height position. Next, the annular frame F is clamped and fixed between the fixed clamp 52 and the holding surface 50a of the annular table 50. In this state, the holding surface 50a of the annular table 50 and the annular upper end surface of the expansion drum 53 are at the same height position, and the upper end surface of the expansion drum 53 is in contact with the inner peripheral edge of the annular frame F of the expanded seat T1. The region between the die attach layer T2 and the outer peripheral edge is in contact with the lower surface side of the expanded sheet T1.

図９に示すように、環状テーブル昇降手段５５が、環状テーブル５０を−Ｚ方向に下降させることで、環状テーブル５０の保持面５０ａを拡張ドラム５３の上端面より下方のテープ拡張位置に位置付ける。その結果、エキスパンドシートＴ１は、拡張ドラム５３の上端面で押し上げられて径方向外側に向かって放射状にエキスパンドされる。そして、外力（拡張力）がエキスパンドシートＴ１を介してダイアタッチ層Ｔ２のエッチング溝Ｍに対応する領域に集中的に加わり、各チップＣ間に露出した劣化したダイアタッチ層Ｔ２がエッチング溝Ｍに沿って分断され、デバイスＤを備える各チップＣが個々にダイアタッチ層Ｔ２を備えた状態になる。
なお、環状テーブル５０を下降させるのではなく、環状テーブル５０を固定し拡張ドラム５３の上昇させることで、エキスパンドシートＴ１を拡張するものとしてもよい。また、溶剤がチップＣ間に露出したダイアタッチ層Ｔ２上に残っている状態で破断ステップは実施すると好ましい。 As shown in FIG. 9, the annular table elevating means 55 lowers the annular table 50 in the −Z direction, thereby positioning the holding surface 50 a of the annular table 50 at a tape extension position below the upper end surface of the extension drum 53. As a result, the expanded sheet T1 is pushed up at the upper end surface of the expansion drum 53 and is expanded radially outward. Then, an external force (expansion force) is intensively applied to the region corresponding to the etching groove M of the die attach layer T2 via the expanded sheet T1, and the deteriorated die attach layer T2 exposed between the chips C is applied to the etching groove M. Along each chip C, and each chip C including the device D is individually provided with the die attach layer T2.
Instead of lowering the annular table 50, the expandable sheet T1 may be expanded by fixing the annular table 50 and raising the expansion drum 53. Further, it is preferable that the breaking step is performed in a state where the solvent remains on the die attach layer T2 exposed between the chips C.

例えば、エキスパンドシートＴ１の拡張によってダイアタッチ層Ｔ２を破断した後、チップＣ間の間隔を維持させるために、エキスパンドシートＴ１に掛けられているテンションを解除して、エキスパンドシートＴ１の環状フレームＦの内周縁とダイアタッチ層Ｔ２の外周縁との間の弛みが発生した領域を、その領域上方で周回するヒータ等から熱を加えて熱収縮させてもよい。   For example, after the die attach layer T2 is broken by expansion of the expanded sheet T1, in order to maintain the interval between the chips C, the tension applied to the expanded sheet T1 is released, and the annular frame F of the expanded sheet T1 is released. A region where the slack has occurred between the inner peripheral edge and the outer peripheral edge of the die attach layer T2 may be thermally contracted by applying heat from a heater or the like orbiting above the region.

（６）洗浄ステップ
ダイアタッチ層Ｔ２が破断されたウェーハＷは、例えば、図１０に示すスピンコータ４に搬送され、洗浄によりマスクＪ１と溶剤供給ステップにおいてウェーハＷに付着した溶剤とが除去される。なお、ウェーハＷは、スピンコータ４とは別の洗浄装置によって洗浄されてもよい。 (6) Cleaning Step The wafer W from which the die attach layer T2 has been broken is transported, for example, to the spin coater 4 shown in FIG. 10, and the cleaning removes the mask J1 and the solvent attached to the wafer W in the solvent supply step. Note that the wafer W may be cleaned by a cleaning device different from the spin coater 4.

スピンコータ４は、保持面４０ａで吸引保持されたウェーハＷに洗浄水を噴射する洗浄ノズル４６を備えている。洗浄ノズル４６は、例えば、底板４４１から立設しており、側面視略Ｌ字状の外形を備える。洗浄ノズル４６は、回転駆動源４６１によってＺ軸方向の軸心周りに旋回でき、洗浄ノズル４６の先端部分に形成された噴射口４６０を保持面４０ａ上方に位置付け可能である。洗浄ノズル４６は、洗浄水を蓄えた洗浄水供給源４８に連通している。   The spin coater 4 includes a cleaning nozzle 46 that sprays cleaning water onto the wafer W suction-held on the holding surface 40a. The cleaning nozzle 46 is provided upright from the bottom plate 441, for example, and has a substantially L-shaped outer shape in side view. The cleaning nozzle 46 can be turned around the axis in the Z-axis direction by the rotation drive source 461, and the ejection port 460 formed at the tip of the cleaning nozzle 46 can be positioned above the holding surface 40a. The cleaning nozzle 46 is in communication with a cleaning water supply source 48 that stores cleaning water.

ウェーハＷが、エキスパンドシートＴ１を下にして保持テーブル４０の保持面４０ａに載置され吸引保持される。また、各固定クランプ４０１により環状フレームＦが固定される。次に、保持テーブル４０上のウェーハＷの表面Ｗａの中心部に洗浄ノズル４６から洗浄水が噴射されると共に、保持テーブル４０が所定の回転速度で回転する。これにより、各チップＣ上のマスクＪ１が洗浄水によって溶解し、保持テーブル４０の回転により発生する遠心力によって洗浄水と共に表面Ｗａ上を外周方向に向かって流れていき、チップＣから除去される。また、チップＣの側面等に付着している溶剤も同時に洗浄・除去される。
なお、保持テーブル４０を回転させつつ、洗浄水を噴射する洗浄ノズル４６を保持テーブル４０上で水平方向に往復移動させることで、マスクＪ１及び溶剤を除去してもよい。 The wafer W is placed on the holding surface 40a of the holding table 40 with the expanded sheet T1 facing down, and is suction-held. Further, the annular frame F is fixed by each fixing clamp 401. Next, cleaning water is jetted from the cleaning nozzle 46 to the center of the front surface Wa of the wafer W on the holding table 40, and the holding table 40 rotates at a predetermined rotation speed. As a result, the mask J1 on each chip C is dissolved by the cleaning water, flows with the cleaning water toward the outer peripheral direction along with the cleaning water by the centrifugal force generated by the rotation of the holding table 40, and is removed from the chip C. . Further, the solvent adhering to the side surface of the chip C is also washed and removed at the same time.
Note that the mask J1 and the solvent may be removed by rotating the holding table 40 and horizontally reciprocating the cleaning nozzle 46 for spraying the cleaning water on the holding table 40.

上記のように本発明に係るウェーハの加工方法は、分割予定ラインＳに沿った開口を有したマスクＪ１を介してウェーハＷにプラズマエッチングを施し、分割予定ラインＳに沿ってウェーハＷを分割して複数のチップＣを形成するウェーハ分割ステップと、ウェーハ分割ステップを実施する前に、ウェーハＷの裏面Ｗｂにダイアタッチ層Ｔ２を積層し、ダイアタッチ層Ｔ２を介してウェーハＷをエキスパンドシートＴ１に貼着するシート貼着ステップと、ウェーハ分割ステップとシート貼着ステップとを実施した後、ダイアタッチ層Ｔ２を劣化させる溶剤をウェーハＷの表面Ｗａ側から隣接するチップＣ間に供給し、隣接するチップＣ間に露出したダイアタッチ層Ｔ２を劣化させる溶剤供給ステップと、溶剤供給ステップを実施した後、エキスパンドシートＴ１を拡張してエッチング溝Ｍに沿ってダイアタッチ層Ｔ２を破断する破断ステップと、備えていることで、ストリートリダクションと加工時間の短縮とを達成するとともにダイアタッチ層Ｔ２を効率良く破断できる。   As described above, in the wafer processing method according to the present invention, the wafer W is subjected to plasma etching through the mask J1 having an opening along the dividing line S, and the wafer W is divided along the dividing line S. Before performing the wafer dividing step of forming a plurality of chips C and the wafer dividing step, the die attach layer T2 is laminated on the back surface Wb of the wafer W, and the wafer W is formed into the expanded sheet T1 via the die attach layer T2. After performing the sheet attaching step for attaching, the wafer dividing step, and the sheet attaching step, a solvent for deteriorating the die attach layer T2 is supplied from the front surface Wa side of the wafer W to between the adjacent chips C, and the adjoining chip C is supplied. After performing the solvent supply step of deteriorating the die attach layer T2 exposed between the chips C and the solvent supply step, By providing a breaking step of expanding the bread sheet T1 and breaking the die attach layer T2 along the etching groove M, street reduction and shortening of processing time are achieved, and the die attach layer T2 is efficiently broken. it can.

本実施形態１のウェーハの加工方法のように、ウェーハＷの表面Ｗａに形成したマスクＪ１は水溶性樹脂からなり、破断ステップを実施した後、ウェーハＷを洗浄してマスクＪ１と溶剤とを除去する洗浄ステップを更に備えることで、破断ステップにおけるダイアタッチ層Ｔ２の破断がダイアタッチ層Ｔ２上に残存する溶剤により確実に行われる。   As in the wafer processing method of the first embodiment, the mask J1 formed on the surface Wa of the wafer W is made of a water-soluble resin, and after performing a breaking step, the wafer W is washed to remove the mask J1 and the solvent. By further providing a cleaning step, the breaking of the die attach layer T2 in the breaking step is reliably performed by the solvent remaining on the die attach layer T2.

（実施形態２）
以下に、本発明に係るウェーハの加工方法（実施形態２の加工方法とする。）を実施して、図１に示すウェーハＷをデバイスＤを備えるチップへと分割する場合の、加工方法の各ステップについて説明していく。 (Embodiment 2)
Hereinafter, each of the processing methods in the case where the wafer processing method according to the present invention (hereinafter referred to as the processing method of Embodiment 2) is performed to divide the wafer W illustrated in FIG. The steps will be described.

（１−１）ウェーハ分割ステップにおける水溶性樹脂のウェーハに対する塗布
本実施形態２のウェーハの加工方法においては、まず、図１に示すウェーハＷが、図１１に示すスピンコータ４に搬送される。なお、スピンコータ４に搬送される前に、ウェーハＷの表面Ｗａには、図示しない保護テープが貼着される。そして、ウェーハＷが、保護テープが貼着された表面Ｗａ側を下にして保持テーブル４０により吸引保持され、ウェーハＷを保持した保持テーブル４０が、ケーシング４４内の塗布高さ位置まで下降する。また、ノズル４５の供給口４５０がウェーハＷの中央上方に位置付けられる。 (1-1) Application of Water-soluble Resin to Wafer in Wafer Dividing Step In the wafer processing method of the second embodiment, first, the wafer W shown in FIG. 1 is transferred to the spin coater 4 shown in FIG. Before being transferred to the spin coater 4, a protective tape (not shown) is attached to the front surface Wa of the wafer W. Then, the wafer W is sucked and held by the holding table 40 with the front surface Wa side on which the protective tape is stuck, and the holding table 40 holding the wafer W is lowered to the application height position in the casing 44. Further, the supply port 450 of the nozzle 45 is positioned above the center of the wafer W.

次いで、水溶性樹脂供給源４７が水溶性樹脂をノズル４５に供給し、ウェーハＷの裏面Ｗｂに所定量の水溶性樹脂が滴下される。そして、保持テーブル４０が回転することで、滴下された水溶性樹脂が裏面Ｗｂ全面にいきわたり、ほぼ一様な厚さの水溶性樹脂膜Ｊ２が形成される。その後、回転を継続して水溶性樹脂膜Ｊ２を回転乾燥させる。なお、水溶性樹脂膜Ｊ２の乾燥は、ヒータ等による加熱によって行われてもよい。また、水溶性樹脂膜Ｊ２の代わりにレジスト膜を形成してもよい。   Next, the water-soluble resin supply source 47 supplies the water-soluble resin to the nozzle 45, and a predetermined amount of the water-soluble resin is dropped on the back surface Wb of the wafer W. Then, by rotating the holding table 40, the dropped water-soluble resin spreads over the entire rear surface Wb, and the water-soluble resin film J2 having a substantially uniform thickness is formed. After that, the rotation is continued and the water-soluble resin film J2 is rotated and dried. The drying of the water-soluble resin film J2 may be performed by heating with a heater or the like. Further, a resist film may be formed instead of the water-soluble resin film J2.

（１−２）ウェーハ分割ステップにおけるマスクの形成
次いで、ウェーハＷは、例えば、図１２に示すように、レーザ加工装置６に搬送される。そして、ウェーハＷが、表面Ｗａ側を下にしてチャックテーブル６０の保持面上で吸引保持される。レーザビームをウェーハＷに照射するための基準となる分割予定ラインＳの位置が、例えば赤外光を用いた裏面ＷｂからのウェーハＷの撮像等が行われることでアライメント手段６４によって検出される。チャックテーブル６０がＹ軸方向に移動し、分割予定ラインＳとレーザヘッド６１２との位置合わせがなされる。 (1-2) Formation of Mask in Wafer Dividing Step Next, the wafer W is transferred to the laser processing apparatus 6, for example, as shown in FIG. Then, the wafer W is suction-held on the holding surface of the chuck table 60 with the front surface Wa side down. The position of the planned dividing line S serving as a reference for irradiating the wafer W with the laser beam is detected by the alignment means 64 by, for example, imaging the wafer W from the back surface Wb using infrared light. The chuck table 60 moves in the Y-axis direction, and the alignment of the scheduled division line S and the laser head 612 is performed.

次いで、集光レンズ６１２ａにより集光されるレーザビームの集光点位置が水溶性樹脂膜Ｊ２の高さ位置に合わせられる。そして、レーザビーム照射手段６１が水溶性樹脂膜Ｊ２に吸収性を有するレーザビームを水溶性樹脂膜Ｊ２に集光し照射する。また、ウェーハＷが往方向である−Ｘ方向に所定の加工送り速度で送られ、レーザビームにより分割予定ラインＳに沿って水溶性樹脂膜Ｊ２が溶融・除去される。   Next, the focal point position of the laser beam focused by the focusing lens 612a is adjusted to the height position of the water-soluble resin film J2. Then, the laser beam irradiating means 61 converges and irradiates the water-soluble resin film J2 with a laser beam having absorptivity to the water-soluble resin film J2. Further, the wafer W is sent at a predetermined processing feed rate in the forward direction -X direction, and the water-soluble resin film J2 is melted and removed by the laser beam along the dividing line S.

レーザビーム照射をＸ軸方向に延びる全分割予定ラインＳに沿って行った後、チャックテーブル６０を９０度回転させてから同様のレーザビーム照射を行うと、ウェーハＷの裏面Ｗｂの分割予定ラインＳに対応する領域以外の領域に図１３に示すマスクＪ３が形成された状態になる。   After the laser beam irradiation is performed along all the division lines S extending in the X-axis direction, and the chuck table 60 is rotated 90 degrees and then the same laser beam irradiation is performed, the division lines S on the back surface Wb of the wafer W are obtained. 13 is formed in a region other than the region corresponding to.

（１−３）ウェーハ分割ステップにおけるプラズマエッチング
マスクＪ３が形成されたウェーハＷは、図１３に示すように、プラズマエッチング装置９に搬送される。まず、マスクＪ３側を上側に向けてウェーハＷを保持手段９０の保持面９０ａ上に載置してから、ゲートバブル９２１を閉じ、排気装置９７によりチャンバ９２内を真空雰囲気とする。ガス噴出ヘッド９１を所定高さ位置まで下降させ、ガス供給部９３からＳＦ６ガスをガス拡散空間９１０に供給し、ガス吐出口９１２から下方に噴出させる。また、高周波電源９５からガス噴出ヘッド９１に高周波電力を印加して、ＳＦ６ガスをプラズマ化させる。これに並行して、電極９０１にバイアス高周波電源９５ａから電圧を印加して、電荷の分極により生じる静電吸着力によってウェーハＷを保持面９０ａ上で吸着保持する。 (1-3) Plasma Etching in Wafer Dividing Step The wafer W on which the mask J3 is formed is transferred to the plasma etching apparatus 9 as shown in FIG. First, after placing the wafer W on the holding surface 90a of the holding means 90 with the mask J3 side facing upward, the gate bubble 921 is closed, and the inside of the chamber 92 is set to a vacuum atmosphere by the exhaust device 97. The gas ejection head 91 is lowered to a predetermined height position, SF 6 gas is supplied from the gas supply unit 93 to the gas diffusion space 910, and is ejected downward from the gas discharge port 912. In addition, high frequency power is applied from a high frequency power supply 95 to the gas ejection head 91 to convert the SF 6 gas into plasma. In parallel with this, a voltage is applied to the electrode 901 from the bias high-frequency power supply 95a, and the wafer W is suction-held on the holding surface 90a by an electrostatic suction force generated by polarization of electric charges.

そして、ＳＦ６ガスによるプラズマエッチングとＣ４Ｆ８ガスによる溝側壁等に対する保護膜堆積（デポジション）とを交互に繰り返すボッシュ法により、図１４に示す分割予定ラインＳに沿った格子状のエッチング溝Ｍ１を裏面Ｗｂ側からウェーハＷに形成していく。その結果、図１４に示すように、分割予定ラインＳに沿ったエッチング溝Ｍ１（フルカット溝）がウェーハＷに形成され、ウェーハＷが複数のチップＣ２に分割された状態になる。その後、図１３に示すチャンバ９２内へのエッチングガス等の導入及びガス噴出ヘッド９１への高周波電力の供給を停止し、また、チャンバ９２内のエッチングガスを排気口９６から排気装置９７に排気し、チャンバ９２内部にエッチングガスが存在しない状態とする。 Then, the lattice etching along the scheduled dividing line S shown in FIG. 14 is performed by the Bosch method in which the plasma etching with the SF 6 gas and the deposition (deposition) of the protective film on the groove sidewalls and the like with the C 4 F 8 gas are alternately repeated. The groove M1 is formed in the wafer W from the back surface Wb side. As a result, as shown in FIG. 14, an etching groove M1 (full cut groove) is formed on the wafer W along the dividing line S, and the wafer W is divided into a plurality of chips C2. Thereafter, the introduction of the etching gas or the like into the chamber 92 shown in FIG. 13 and the supply of the high-frequency power to the gas ejection head 91 are stopped, and the etching gas in the chamber 92 is exhausted from the exhaust port 96 to the exhaust device 97. , No etching gas is present inside the chamber 92.

（２）マスク除去ステップ
チップＣ２に分割されたウェーハＷは、例えば、図１４に示すスピンコータ４に搬送され、表面Ｗａを下にして保持テーブル４０の保持面４０ａに載置され吸引保持される。次に、保持テーブル４０上のウェーハＷの裏面Ｗｂの中心部に洗浄ノズル４６から洗浄水が噴射されると共に、保持テーブル４０が所定の回転速度で回転する。これにより、各チップＣ２上のマスクＪ３が洗浄水によって溶解し、チップＣ２から除去される。 (2) Mask Removal Step The wafer W divided into the chips C2 is, for example, transferred to the spin coater 4 shown in FIG. 14, placed on the holding surface 40a of the holding table 40 with the front surface Wa down, and suction-held. Next, cleaning water is injected from the cleaning nozzle 46 to the center of the back surface Wb of the wafer W on the holding table 40, and the holding table 40 rotates at a predetermined rotation speed. Thereby, the mask J3 on each chip C2 is dissolved by the cleaning water and removed from the chip C2.

（３）シート貼着ステップ
マスクＪ３が除去されたウェーハＷに対して、図１５に示すようにウェーハＷの裏面Ｗｂにダイアタッチ層Ｔ２が積層され、ダイアタッチ層Ｔ２を介してウェーハＷがエキスパンドシートＴ１に貼着される。即ち、ウェーハＷの表面Ｗａには、図示しない保護テープが貼着されているため、該保護テープからチップＣ２に分割されたウェーハＷのエキスパンドシートＴ１上のダイアタッチ層Ｔ２に対する転写・貼着が行われ、ウェーハＷは、エキスパンドシートＴ１を介して環状フレームＦに支持され、環状フレームＦによるハンドリングが可能な状態になる。 (3) Sheet adhering step On the wafer W from which the mask J3 has been removed, a die attach layer T2 is laminated on the back surface Wb of the wafer W as shown in FIG. 15, and the wafer W is expanded via the die attach layer T2. Affixed to sheet T1. That is, since a protection tape (not shown) is attached to the front surface Wa of the wafer W, the transfer and attachment of the wafer W divided into chips C2 from the protection tape to the die attach layer T2 on the expanded sheet T1 is not performed. Then, the wafer W is supported by the annular frame F via the expanded sheet T1, and becomes ready for handling by the annular frame F.

実施形態２のウェーハの加工方法において、ウェーハ分割ステップでは、ウェーハＷの裏面ＷｂにマスクＪ３を形成し、ウェーハＷの裏面Ｗｂ側からプラズマエッチングを施し、ウェーハ分割ステップを実施した後、マスクＪ３を除去するマスク除去ステップを備え、シート貼着ステップは、マスク除去ステップを実施した後に実施することで、プラズマエッチング時のデバイスＤに対する影響が非常に小さくなり、デバイスＤがエッチングされてしまうといった事態を確実に防ぐことが可能となる。   In the wafer processing method according to the second embodiment, in the wafer dividing step, a mask J3 is formed on the rear surface Wb of the wafer W, plasma etching is performed from the rear surface Wb side of the wafer W, and the wafer dividing step is performed. A mask removing step for removing is provided, and the sheet attaching step is performed after the mask removing step is performed, so that the influence on the device D at the time of plasma etching becomes very small, and the device D is etched. It is possible to reliably prevent it.

（４）溶剤供給ステップ
シート貼着ステップを実施した後、図１６に示すように、ダイアタッチ層Ｔ２を劣化させる溶剤をウェーハＷの表面Ｗａ側から隣接するチップＣ間に供給し、隣接するチップＣ間に露出したダイアタッチ層Ｔ２を劣化させる。なお、溶剤供給ステップは、実施形態１の場合と同様に実施される。 (4) Solvent Supply Step After the sheet attaching step is performed, a solvent for deteriorating the die attach layer T2 is supplied between the adjacent chips C from the front surface Wa side of the wafer W as shown in FIG. The die attach layer T2 exposed between C is deteriorated. The solvent supply step is performed in the same manner as in the first embodiment.

（５）破断ステップ
貼着されているダイアタッチ層Ｔ２の隣接するチップＣ間に露出した領域が劣化せしめられたウェーハＷは、図１７に示すエキスパンド装置５に搬送され、実施形態１の場合と同様に、エキスパンドシートＴ１を拡張してエッチング溝Ｍ１に沿ってダイアタッチ層Ｔ２が破断される。このように、実施形態２のウェーハの加工方法においても、ストリートリダクションと加工時間の短縮とを達成するとともにダイアタッチ層Ｔ２を効率良く破断できる。 (5) Breaking Step The wafer W in which the region exposed between the adjacent chips C of the attached die attach layer T2 has been deteriorated is transferred to the expanding device 5 shown in FIG. Similarly, the die attach layer T2 is broken along the etching groove M1 by expanding the expanded sheet T1. As described above, also in the wafer processing method of the second embodiment, street reduction and reduction of processing time can be achieved, and the die attach layer T2 can be efficiently broken.

本発明に係るウェーハの加工方法は上述の実施形態１、２に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。また、添付図面に図示されている各装置の構成についても、これに限定されず、本発明の効果を発揮できる範囲内で適宜変更可能である。   The wafer processing method according to the present invention is not limited to the first and second embodiments described above, and it goes without saying that the method may be implemented in various forms within the scope of the technical idea. Further, the configuration of each device illustrated in the accompanying drawings is not limited thereto, and can be appropriately changed within a range in which the effects of the present invention can be exhibited.

Ｗ：ウェーハ Ｄ：デバイス Ｓ： 分割予定ライン Ｔ１エキスパンドシート
Ｔ２： ダイアタッチ層 Ｆ：環状フレーム
４：スピンコータ ４０：保持テーブル ４２：回転手段 ４４：ケーシング
４５：ノズル ４７：水溶性樹脂供給源 ４６：洗浄ノズル ４８：洗浄水供給源
６：レーザ加工装置 ６０：チャックテーブル ６１：レーザビーム照射手段 Ｊ１：マスク
９：プラズマエッチング装置
９０：保持手段 ９１：ガス噴出ヘッド ９２：チャンバ ９６：排気口 ９７：排気装置 ９８：フレーム加熱防止ガード Ｍ：エッチング溝
２０：保持テーブル ２１：溶剤供給ノズル
５：エキスパンド装置 ５０：環状テーブル ５２：固定クランプ ５３：拡張ドラム W: Wafer D: Device S: Planned dividing line T1 expanded sheet
T2: die attach layer F: annular frame 4: spin coater 40: holding table 42: rotating means 44: casing 45: nozzle 47: water-soluble resin supply 46: cleaning nozzle 48: cleaning water supply 6: laser processing device 60: Chuck table 61: Laser beam irradiation means J1: Mask 9: Plasma etching device 90: Holding means 91: Gas ejection head 92: Chamber 96: Exhaust port 97: Exhaust device 98: Frame heating prevention guard M: Etching groove 20: Holding table 21: Solvent supply nozzle 5: Expanding device 50: Annular table 52: Fixed clamp 53: Expansion drum

Claims (4)

交差する複数の分割予定ラインが表面に設定されたウェーハの加工方法であって、
該分割予定ラインに沿った開口を有したマスクを介してウェーハにプラズマエッチングを施し、該分割予定ラインに沿ってウェーハを分割して複数のチップを形成するウェーハ分割ステップと、
該ウェーハ分割ステップを実施する前または後に、ウェーハの裏面にダイアタッチ層を積層し、該ダイアタッチ層を介してウェーハをエキスパンドシートに貼着するシート貼着ステップと、
該ウェーハ分割ステップと該シート貼着ステップとを実施した後、該ダイアタッチ層を劣化させる溶剤をウェーハの該表面側から隣接するチップ間に供給し、隣接するチップ間に露出した該ダイアタッチ層を劣化させる溶剤供給ステップと、
該溶剤供給ステップを実施した後、該エキスパンドシートを拡張してエッチング溝に沿って該ダイアタッチ層を破断する破断ステップと、を備えた加工方法。 A method of processing a wafer in which a plurality of intersecting divided lines are set on a surface,
A wafer dividing step of performing plasma etching on the wafer through a mask having an opening along the dividing line to form a plurality of chips by dividing the wafer along the dividing line,
Before or after performing the wafer dividing step, laminating a die attach layer on the back surface of the wafer, a sheet attaching step of attaching the wafer to the expanded sheet through the die attach layer,
After performing the wafer dividing step and the sheet attaching step, a solvent for deteriorating the die attach layer is supplied between adjacent chips from the front side of the wafer, and the die attach layer exposed between adjacent chips is supplied. Solvent supply step to degrade the
A breaking step of expanding the expanded sheet and breaking the die attach layer along the etching groove after performing the solvent supply step. 前記シート貼着ステップは前記ウェーハ分割ステップを実施する前に実施され、
該ウェーハ分割ステップでは、ウェーハの表面に前記マスクを形成し、ウェーハの該表面側からプラズマエッチングを施す、請求項１に記載の加工方法。 The sheet attaching step is performed before performing the wafer dividing step,
2. The processing method according to claim 1, wherein, in the wafer dividing step, the mask is formed on a surface of the wafer, and plasma etching is performed from the surface side of the wafer. 3. 前記ウェーハ分割ステップでは、ウェーハの裏面に前記マスクを形成し、ウェーハの該裏面側からプラズマエッチングを施し、
該ウェーハ分割ステップを実施した後、該マスクを除去するマスク除去ステップを備え、
前記シート貼着ステップは、該マスク除去ステップを実施した後に実施する、請求項１に記載の加工方法。 In the wafer dividing step, the mask is formed on the back surface of the wafer, and plasma etching is performed from the back surface side of the wafer,
After performing the wafer dividing step, the method includes a mask removing step of removing the mask,
The processing method according to claim 1, wherein the sheet attaching step is performed after performing the mask removing step. 前記マスクは水溶性樹脂からなり、
前記破断ステップを実施した後、ウェーハを洗浄して該マスクと前記溶剤とを除去する洗浄ステップを更に備えた、請求項２に記載の加工方法。 The mask is made of a water-soluble resin,
The processing method according to claim 2, further comprising a cleaning step of cleaning the wafer to remove the mask and the solvent after performing the breaking step.
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