JP2020034480A - 半導体装置の評価装置および半導体装置の評価方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の実施の形態1について、図面を用いて以下に説明する。図1は、実施の形態1に係る半導体装置の評価装置100が備えるプローブピン1が半導体装置20に接触していない状態を示す断面図である。図2は、プローブピン1が半導体装置20に接触している状態を示す断面図である。
次に、実施の形態2に係る半導体装置の評価装置について説明する。図6は、実施の形態2に係る半導体装置の評価装置が備えるプローブピン1Bの先端部を示す拡大断面図である。なお、実施の形態2において、実施の形態1で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
Claims (7)
- 半導体装置の測定箇所に接触可能な先端面を有する複数のプランジャーと、複数の前記プランジャーの基端部を内包し複数の前記プランジャーを前記半導体装置側に押圧するバーレルとを有するプローブピンを備え、
複数の前記プランジャーの前記先端面の外周縁部は円状を形成し、
複数の前記プランジャーは、前記先端面の前記外周縁部が内周側よりも前記半導体装置側に突出する突起部を有する、半導体装置の評価装置。 - 半導体装置の測定箇所に接触可能な先端面を有する複数のプランジャーと、複数の前記プランジャーの基端部を内包し複数の前記プランジャーを前記半導体装置側に押圧するバーレルとを有するプローブピンを備え、
複数の前記プランジャーの前記先端面の外周縁部は円状を形成し、
複数の前記プランジャーは、前記先端面の前記外周縁部が内周側よりも前記半導体装置側に突出するように、前記バーレルの中心線に対して傾斜した状態で配置された、半導体装置の評価装置。 - 複数の前記プランジャーの前記先端面はすり鉢状を形成する、請求項1または請求項2記載の半導体装置の評価装置。
- 複数の前記プランジャーの前記先端面は複数層に分割され、
複数の前記プランジャーは、前記先端面の前記外周縁部が同心円状を形成するように配置された、請求項1または請求項2記載の半導体装置の評価装置。 - 複数の前記プランジャーの内周側に配置されるボールをさらに備えた、請求項2記載の半導体装置の評価装置。
- 複数の前記プランジャーの前記外周縁部に、直径Φが0.5mm以上1.5mm以下の丸め部が設けられた、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の半導体装置の評価装置。
- 請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の半導体装置の評価装置を用いて半導体装置の評価を行う、半導体装置の評価方法。
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