JP2020025089A - Led device, manufacturing method thereof, and laminate - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 38
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 99
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 36
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 63
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 63
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 48
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 25
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 25
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 15
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 13
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 12
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 claims description 10
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 claims description 7
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 29
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 26
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 17
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 15
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 15
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 12
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 9
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 8
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 8
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 5
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 5
- -1 perfluoro group Chemical group 0.000 description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CHDVXKLFZBWKEN-UHFFFAOYSA-N C=C.F.F.F.Cl Chemical compound C=C.F.F.F.Cl CHDVXKLFZBWKEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 3
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229960005323 phenoxyethanol Drugs 0.000 description 2
- 125000000286 phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000004344 phenylpropyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 2
- CUVLMZNMSPJDON-UHFFFAOYSA-N 1-(1-butoxypropan-2-yloxy)propan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)OCC(C)O CUVLMZNMSPJDON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYKNTXVAUYWFFE-UHFFFAOYSA-N 1-(1-hexoxypropan-2-yloxy)propan-2-ol Chemical compound CCCCCCOCC(C)OCC(C)O XYKNTXVAUYWFFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWOZZTWBWQMEPD-UHFFFAOYSA-N 1-(2-ethoxypropoxy)propan-2-ol Chemical compound CCOC(C)COCC(C)O QWOZZTWBWQMEPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWPAALSUQKGDBR-UHFFFAOYSA-N 1-hexoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCCCOCC(C)O BWPAALSUQKGDBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIHCHRKDSFIIPE-UHFFFAOYSA-N 1-octan-3-yloxypropan-2-ol Chemical compound CCCCCC(CC)OCC(C)O HIHCHRKDSFIIPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBLKWZIFZMJLFL-UHFFFAOYSA-N 1-phenoxypropan-2-ol Chemical compound CC(O)COC1=CC=CC=C1 IBLKWZIFZMJLFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJBPYIUAQLPHJG-UHFFFAOYSA-N 1-phenylmethoxypropan-2-ol Chemical compound CC(O)COCC1=CC=CC=C1 KJBPYIUAQLPHJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hexoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCOCCOCCO GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JARYONIMGOLFHM-UHFFFAOYSA-N 2-(2-octan-3-yloxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCC(CC)OCCOCCO JARYONIMGOLFHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUAURMBNZUCEAF-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenoxyethoxy)ethanol Chemical compound OCCOCCOC1=CC=CC=C1 ZUAURMBNZUCEAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJVNVNLFZQFJHU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenylmethoxyethoxy)ethanol Chemical compound OCCOCCOCC1=CC=CC=C1 LJVNVNLFZQFJHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODMJMGLKCFIXGS-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenylmethoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound OCC(C)OCC(C)OCC1=CC=CC=C1 ODMJMGLKCFIXGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRWADRITRNUCIY-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propan-2-yloxyethoxy)ethanol Chemical compound CC(C)OCCOCCO HRWADRITRNUCIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HUFRRBHGGJPNGG-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propan-2-yloxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CC(C)OC(C)COC(C)CO HUFRRBHGGJPNGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 2-hexoxyethanol Chemical compound CCCCCCOCCO UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANKIUPGAZUYELN-UHFFFAOYSA-N 2-hexoxyethyl acetate Chemical compound CCCCCCOCCOC(C)=O ANKIUPGAZUYELN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NYMYNNQZRSELLV-UHFFFAOYSA-N 2-octan-3-yloxyethanol Chemical compound CCCCCC(CC)OCCO NYMYNNQZRSELLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQWAHYNAELDSMU-UHFFFAOYSA-N 2-octan-3-yloxyethyl acetate Chemical compound C(C)(=O)OCCOC(CCCCC)CC ZQWAHYNAELDSMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HHKRKUHUUKNPAJ-UHFFFAOYSA-N 2-phenylmethoxyethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCOCC1=CC=CC=C1 HHKRKUHUUKNPAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCGFUIQPSOCUHI-UHFFFAOYSA-N 2-propan-2-yloxyethanol Chemical compound CC(C)OCCO HCGFUIQPSOCUHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCDJVEYJSSTYSW-UHFFFAOYSA-N 2-propan-2-yloxyethyl acetate Chemical compound CC(C)OCCOC(C)=O HCDJVEYJSSTYSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBSGXZBOFKJGMG-UHFFFAOYSA-N 3-propan-2-yloxypropan-1-ol Chemical compound CC(C)OCCCO GBSGXZBOFKJGMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006310 Asahi-Kasei Polymers 0.000 description 1
- WIIQXBSSDLUJAE-UHFFFAOYSA-N C(CCCC)C(CC)OC(C)COC(C)CO Chemical compound C(CCCC)C(CC)OC(C)COC(C)CO WIIQXBSSDLUJAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000563 Verneuil process Methods 0.000 description 1
- 229920004482 WACKER® Polymers 0.000 description 1
- 125000000218 acetic acid group Chemical group C(C)(=O)* 0.000 description 1
- 238000012644 addition polymerization Methods 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005037 alkyl phenyl group Chemical group 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- MHDVGSVTJDSBDK-UHFFFAOYSA-N dibenzyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1COCC1=CC=CC=C1 MHDVGSVTJDSBDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000001782 photodegradation Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- B32B7/02—Physical, chemical or physicochemical properties
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- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73253—Bump and layer connectors
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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Abstract
Description
本発明は、LEDデバイス、LEDデバイスの製造方法および積層体に関する。 The present invention relates to an LED device, a method for manufacturing an LED device, and a laminate.
LED(Light Emitting Diode)素子を備えたLEDデバイスとして、LED素子を樹脂製の封止材で封止した構造を有する装置が知られている。このような構成のLEDデバイスにおいて、封止材は物理的な衝撃からLED素子を守る。また、封止材はLED素子や電極を劣化させる酸素や水蒸気などの気体を遮蔽する。そのため、LED素子を樹脂製の封止材で封止したLEDデバイスは、破損しにくく信頼性が高い装置となる。 As an LED device including an LED (Light Emitting Diode) element, a device having a structure in which an LED element is sealed with a resin sealing material is known. In the LED device having such a configuration, the sealing material protects the LED element from physical impact. Further, the sealing material shields a gas such as oxygen or water vapor that deteriorates the LED element or the electrode. Therefore, an LED device in which an LED element is sealed with a resin sealing material is a device which is hardly damaged and has high reliability.
このようなLEDデバイスとして、例えば、LED素子と、LED素子を収容するケースと、ケース内に充填された封止材と、封止材を覆うようにケースに載置された無機ガラスレンズとを備えるデバイスが知られている(例えば、特許文献1参照)。 As such an LED device, for example, an LED element, a case accommodating the LED element, a sealing material filled in the case, and an inorganic glass lens placed on the case so as to cover the sealing material are used. A device including the same is known (for example, see Patent Document 1).
しかしながら、高出力の光を射出するLEDデバイスでは、LED素子から射出される光により封止材が劣化(光劣化)する場合がある。特に、紫外線を射出するUV−LED素子を備えたUV−LEDデバイスにおいては、封止材の光劣化が進みやすく、改善が求められていた。 However, in an LED device that emits high-output light, the light emitted from the LED element may cause deterioration of the sealing material (light deterioration). In particular, in a UV-LED device provided with a UV-LED element that emits ultraviolet light, the photodegradation of the sealing material is apt to progress, and improvement has been demanded.
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、封止部の光劣化を抑制可能なLEDデバイスを提供することを目的とする。また、上述のようなLEDデバイスを容易に製造可能なLEDデバイスの製造方法を提供することを併せて目的とする。また、上述のようなLEDデバイスを容易に製造可能とする部品である積層体を提供することを併せて目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and has as its object to provide an LED device capable of suppressing light deterioration of a sealing portion. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing an LED device that can easily manufacture the above-described LED device. Another object of the present invention is to provide a laminate that is a component that enables the above-described LED device to be easily manufactured.
上記の課題を解決するため、本発明の一態様は、基板と、前記基板上に配置されたLED素子と、前記LED素子の光射出面を覆って設けられた封止部と、を有し、前記封止部は、第1封止部と第2封止部とを有し、前記第1封止部は、前記光射出面に融着し、前記第2封止部は、平面視において、前記LED素子および前記第1封止部の周囲を囲み、前記第1封止部において前記光射出面に融着する部分の形成材料は、結晶性フッ素樹脂であるLEDデバイスを提供する。 In order to solve the above problem, one embodiment of the present invention includes a substrate, an LED element provided over the substrate, and a sealing portion provided over a light exit surface of the LED element. The sealing portion has a first sealing portion and a second sealing portion, the first sealing portion is fused to the light emitting surface, and the second sealing portion is a plan view. The present invention provides an LED device which surrounds the periphery of the LED element and the first sealing portion, and a material for forming a portion of the first sealing portion fused to the light emitting surface is a crystalline fluororesin.
本発明の一態様においては、前記第2封止部は、縮合重合型シリコーン樹脂を形成材料とする構成としてもよい。 In one aspect of the present invention, the second sealing portion may be formed using a condensation polymerization type silicone resin as a forming material.
本発明の一態様においては、前記第1封止部は、光透過性の光学部材と、前記結晶性フッ素樹脂を形成材料とする樹脂層との積層体であり、前記樹脂層は、前記光射出面に融着している構成としてもよい。 In one embodiment of the present invention, the first sealing portion is a laminate of a light-transmitting optical member and a resin layer formed of the crystalline fluororesin, and the resin layer is It may be configured to be fused to the emission surface.
本発明の一態様においては、前記第1封止部は、結晶性フッ素樹脂からなる構成としてもよい。 In one aspect of the present invention, the first sealing portion may be made of a crystalline fluororesin.
本発明の一態様においては、前記結晶性フッ素樹脂の融点は、100℃以上278℃以下である構成としてもよい。 In one embodiment of the present invention, the crystalline fluororesin may have a melting point of 100 ° C. or more and 278 ° C. or less.
本発明の一態様においては、前記結晶性フッ素樹脂は、置換基として塩素原子を含む構成としてもよい。 In one embodiment of the present invention, the crystalline fluororesin may have a structure containing a chlorine atom as a substituent.
本発明の一態様においては、前記結晶性フッ素樹脂の屈折率は、1.36以上である構成としてもよい。 In one embodiment of the present invention, the crystalline fluororesin may have a refractive index of 1.36 or more.
本発明の一態様は、光透過性の光学部材と、フッ素樹脂を形成材料とする樹脂層との積層体を形成する工程と、前記積層体の前記樹脂層側の面を、LED素子の光射出面に接触させて加熱し、前記樹脂層を前記LED素子に熱融着させる工程と、前記LED素子の側面を封止樹脂で封止する工程と、を有するLEDデバイスの製造方法を提供する。 One embodiment of the present invention is a step of forming a laminate of a light-transmitting optical member and a resin layer using a fluororesin as a forming material; Provided is a method for manufacturing an LED device, comprising: a step of heating while being brought into contact with an emission surface to thermally fuse the resin layer to the LED element; and a step of sealing a side surface of the LED element with a sealing resin. .
本発明の一態様においては、前記封止樹脂はシリコーン樹脂である製造方法としてもよい。 In one embodiment of the present invention, the manufacturing method may be such that the sealing resin is a silicone resin.
本発明の一態様は、光透過性を有する光学部材と、フッ素樹脂を形成材料とする樹脂層との積層体であって、前記樹脂層の厚さは10μm以上100μm以下であり、前記光学部材の形成材料の融点およびガラス転移点のうち低い温度は、前記フッ素樹脂の融点より高く、250nm以上700nm以下の波長帯域における前記積層体の全光線透過率は、全範囲で70%以上である積層体を提供する。 One embodiment of the present invention is a laminate of an optical member having a light-transmitting property and a resin layer formed using a fluororesin, and the resin layer has a thickness of 10 μm or more and 100 μm or less. The lower temperature of the melting point and the glass transition point of the forming material is higher than the melting point of the fluororesin, and the total light transmittance of the laminate in the wavelength band of 250 nm or more and 700 nm or less is 70% or more in the entire range. Provide body.
本発明によれば、封止部の光劣化を抑制可能なLEDデバイスを提供することができる。また、上述のようなLEDデバイスを容易に製造可能なLEDデバイスの製造方法を提供することができる。また、上述のようなLEDデバイスを容易に製造可能とする部品である積層体を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the LED device which can suppress the optical degradation of a sealing part can be provided. Further, it is possible to provide an LED device manufacturing method capable of easily manufacturing the above-described LED device. In addition, it is possible to provide a laminate that is a component that can easily manufacture the above-described LED device.
以下、図1〜図6を参照しながら、本実施形態に係るLEDデバイスについて説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の寸法や比率などは適宜異ならせてある。 Hereinafter, the LED device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. In all of the following drawings, dimensions, ratios, and the like of the components are appropriately changed in order to make the drawings easy to see.
図1は、本実施形態のLEDデバイス1を示す概略断面図である。図に示すように、本実施形態のLEDデバイス1は、基板10、LED素子20、封止部30Aを有している。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing an LED device 1 according to the present embodiment. As shown in the drawing, the LED device 1 of the present embodiment has a
(基板)
基板10は、電極11や不図示の配線を有する基板である。基板10が有する電極11や配線は、実装するLED素子20と電気的に接続されるために用いられる。
(substrate)
The
基板10は、LEDデバイスの基板として一般的に用いられるものであれば、特に限定されず使用可能である。基板10としては、例えば、ナイロン樹脂、LCP(Liquid Crystal Polymer、液晶ポリマー)などの熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、アルミナ、窒化アルミニウム、LTCC(Low−Temperature Co−fired Ceramics、低温同時焼成セラミックス)などのセラミックスで構成されたものが好適に用いられる。
The
基板10は、光反射性を有していてもよく、光反射性がなくてもよい。基板10の光学特性については、装置の設計に応じて適宜選択することができる。
The
(LED素子)
LED素子20は、光射出面20aを基板10とは反対側に向けて、基板10の上に配置されている。
(LED element)
The
LED素子20の「光射出面20a」とは、フリップチップ方式で接続されているLED素子20の、電極21が設けられた面とは反対側の面である。LED素子20は、単結晶基板上にn型半導体層およびp型半導体層などが順次積層した構造を基本構造とする。LED素子20において、単結晶基板の表面が光射出面20aに該当する。
The “
LED素子20は、一般的に知られた構造のものであれば、特に限定されず使用可能である。LED素子20としては、例えば、青色LED、赤色LED、緑色LED、紫外線LEDなどが挙げられる。
なお、本明細書において、紫外線とは400nm以下の波長の光を意味する。
The
In this specification, the term “ultraviolet light” means light having a wavelength of 400 nm or less.
LED素子20は、基板10にフリップチップ方式で接続されている。LED素子20は、基板10上の電極11とはんだで接続されている。
LED素子20は、一つの基板10上に1個または複数個設置される。
The
One or
(封止部)
封止部30Aは、LED素子20の光射出面20aを覆って設けられている。封止部30Aは、基板10と共にLED素子20を封止している。
(Sealing part)
The sealing
本明細書において「封止」とは、対象物であるLED素子20を外気から遮断することを指す。すなわち、LEDデバイス1において、封止部30Aは、基板10と共にLED素子20を外気から遮断している。
In this specification, “sealing” refers to shielding the
封止部30Aは、第1封止部31と、第2封止部32とを有する。
The sealing
(第1封止部)
第1封止部31は、樹脂層38と、光学部材39とを有する。第1封止部31は、光射出面20aの上に配置されている。
(First sealing part)
The
(樹脂層)
樹脂層38は、結晶性フッ素樹脂を形成材料とし、光射出面20aに対向する面38aで光射出面20aに熱融着している。樹脂層38は、光射出面20aに隙間なく接している。樹脂層38の形成材料が結晶性フッ素樹脂であることは、X線回折測定(XRD)を用いた分析により確認することができる。
(Resin layer)
The
樹脂層38と光射出面20aとの界面には、拡大観察したときに気泡が確認できない。樹脂層38と光射出面20aとの界面は、顕微鏡を用いて50倍に拡大した像を用いて観察する。
At the interface between the
樹脂層38の厚さは、10μm以上100μm以下であることが好ましい。
The thickness of the
樹脂層38の形成材料としては、結晶性フッ素樹脂を用いることができる。このような結晶性フッ素樹脂は、分子構造中にC−H結合の存在割合が低い樹脂が好ましい。分子構造中におけるC−H結合の存在割合が低いことで、樹脂層38の耐光性を高くし易くなる。例えば、分子鎖中の−CH2−ユニットの存在割合は、分子主鎖全体に対して、好ましくは30mol%以下であり、より好ましくは20mol%以下であり、さらに好ましくは10mol%であり、ことさら好ましくは実質的に0mol%である。
As a material for forming the
また、結晶性フッ素樹脂は、置換基として塩素原子を含む樹脂が好ましい。結晶性フッ素樹脂が塩素原子を含むと、全ての置換基がフッ素原子であるフッ素樹脂と比べて屈折率が高くなりやすい。 Further, the crystalline fluororesin is preferably a resin containing a chlorine atom as a substituent. When the crystalline fluororesin contains a chlorine atom, the refractive index tends to be higher than that of the fluororesin in which all the substituents are fluorine atoms.
結晶性フッ素樹脂の屈折率は、1.36以上であると好ましく、1.42以上であるとより好ましい。結晶性フッ素樹脂の屈折率は、発明の効果を損なわない範囲において高いほど好ましい。なお、上述の結晶性フッ素樹脂の屈折率は、波長589nmの光に対する屈折率である。 The refractive index of the crystalline fluororesin is preferably 1.36 or more, more preferably 1.42 or more. The refractive index of the crystalline fluororesin is preferably as high as possible without impairing the effects of the invention. Note that the refractive index of the above-mentioned crystalline fluororesin is a refractive index for light having a wavelength of 589 nm.
結晶性フッ素樹脂の屈折率が高いほど、第1封止部31においてLED素子20と接する面を構成する材料と、LED素子20の光射出面20aを構成する材料との屈折率差が小さくなる。これにより、LED素子20と第1封止部31との界面での全反射を抑制し、LED素子20で生じた光の取出し効率を向上させることができる。
The higher the refractive index of the crystalline fluororesin, the smaller the difference in the refractive index between the material forming the surface of the
なお、「光取出し効率」とは、LED素子20で生じた光の強度に対する、LED素子20から取り出された光の強度の割合を指す。LED素子20の光射出面20aにおける光の反射を抑制し、LED素子20の内部から外部に取り出される量が増えると、光取出し効率が向上することになる。
The “light extraction efficiency” indicates the ratio of the intensity of light extracted from the
また、結晶性フッ素樹脂の置換基は、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、炭素数1〜3のアルキル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。 Further, the substituent of the crystalline fluororesin is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and further preferably a methyl group.
また、結晶性フッ素樹脂の置換基は、上記アルキル基の水素原子がそれぞれ独立にハロゲン原子に置換されているハロアルキル基が好ましく、上記アルキル基の水素原子すべてがフッ素樹脂に置換されているパーフルオロアルキル基がより好ましく、トリフルオロメチル基がさらに好ましい。 Further, the substituent of the crystalline fluororesin is preferably a haloalkyl group in which a hydrogen atom of the alkyl group is independently substituted with a halogen atom, and a perfluoro group in which all of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with a fluororesin. Alkyl groups are more preferred, and trifluoromethyl groups are even more preferred.
結晶性フッ素樹脂がアルキル基またはハロアルキル基を含むと、全ての置換基がフッ素原子であるフッ素樹脂と比べて透明性が高くなりやすい。 When the crystalline fluororesin contains an alkyl group or a haloalkyl group, the transparency tends to be higher than a fluororesin in which all the substituents are fluorine atoms.
このような結晶性フッ素樹脂としては、四フッ化エチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体(PFA、融点310℃)、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体(FEP、融点275℃)、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン−フッ化ビニリデン共重合体(THV、融点120〜225℃)、三フッ化塩化エチレン重合体(PCTFE、融点220℃)を挙げることができる。
これらの結晶性フッ素樹脂を用い、10μm以上100μm以下の厚さに設けた樹脂層38は、LEDデバイスに必要な光透過性と、樹脂層38の耐久性とを両立することができる。
Examples of such crystalline fluororesins include ethylene tetrafluoride-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer (PFA,
The
中でも、結晶性フッ素樹脂としては、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体または三フッ化塩化エチレン重合体が好ましく、三フッ化塩化エチレン重合体がより好ましい。 Above all, as the crystalline fluororesin, an ethylene tetrafluoride-propylene hexafluoride copolymer or an ethylene trifluoride chloride polymer is preferable, and an ethylene trifluoride chloride polymer is more preferable.
本明細書において「融点」「ガラス転移点」「屈折率」などの物理量は、文献値を採用することができる。また、各物理量が不明である場合には、定法に従って測定した値を採用することができる。 In the present specification, literature values can be adopted for physical quantities such as “melting point”, “glass transition point”, and “refractive index”. When each physical quantity is unknown, a value measured according to a standard method can be adopted.
(光学部材)
光学部材39は、平面視において樹脂層38と重なって配置された光透過性の部材である。
(Optical members)
The
光学部材39の形成材料の融点およびガラス転移点のうち、いずれか低い方の温度は、樹脂層38の形成材料である結晶性フッ素樹脂の融点よりも高い。光学部材39の形成材料としては、シリカガラス、ホウケイ酸ガラスなどが挙げられる。
The lower one of the melting point and the glass transition point of the forming material of the
シリカガラスの種類としては、電気溶融・火炎溶融によって作られる溶融石英ガラス、気相法または液相法によって作られる合成石英ガラスなどが挙げられる。 Examples of the type of silica glass include fused silica glass produced by electric melting and flame fusion, and synthetic quartz glass produced by a gas phase method or a liquid phase method.
ホウケイ酸ガラスは、SiO2を主成分(即ち、SiO2を50%以上含む)としてB2O3を含み、さらに必要に応じてAl2O3、MgO、CaO、アルカリ金属酸化物成分(Li2O、Na2O、K2O)などで構成されるガラスである。ホウケイ酸ガラスには、紫外領域まで良好な透過率を示すものが知られており(例えば、特許第3192013号公報を参照。)、本実施形態のLEDデバイスに好適に用いることができる。 The borosilicate glass contains B 2 O 3 with SiO 2 as a main component (that is, contains 50% or more of SiO 2 ), and further contains Al 2 O 3 , MgO, CaO, an alkali metal oxide component (Li 2 O, Na 2 O, K 2 O) is a glass composed like. As borosilicate glass, those exhibiting good transmittance up to the ultraviolet region are known (for example, see Japanese Patent No. 3192013), and can be suitably used for the LED device of the present embodiment.
光学部材39は、LED素子20に対向する面39aが平面であってもよい。面39aが平面である場合、光学部材39と樹脂層38との界面における光の散乱が抑制され、LED素子20から射出される光について、光取出し効率を向上させることができる。
The
また、光学部材39は、LED素子20から射出される光の取出しを阻害しない範囲において、面39aが凹凸を有していてもよい。この場合、面39aが平面である場合と比べて光学部材39と樹脂層38との接触面積が増大するため、光学部材39と樹脂層38との剥離を抑制することができる。
The
図に示す光学部材39はレンズ状部材であるが、これに限らず、光学部材39は、板状であってもよく、円錐台状、円柱状、半球状、半楕円球状などの形状であってもよい。
The
(第2封止部)
第2封止部32は、平面視において、LED素子20および第1封止部31の周囲を囲むように配置されている。本明細書において「平面視」とは、基板10の上面10aの法線方向から基板10を見た状態を指す。
(2nd sealing part)
The
詳しくは、第2封止部32は、基板10の上面10a、LED素子20の側面20b、樹脂層38の端部38bおよび光学部材39の側面39bに隙間なく接している。
Specifically, the
第2封止部32は、シリコーン樹脂組成物の硬化物を形成材料とする。シリコーン樹脂としては付加重合型シリコーン樹脂および縮合重合型シリコーン樹脂が使用可能である。耐光性が高いことから、第2封止部32の形成材料は、縮合重合型シリコーン樹脂が好ましい。
The
(縮合重合型シリコーン樹脂)
縮合重合型シリコーン樹脂としては、下記式(1)で表されるモノマー化合物を加水分解および重縮合させて得られたシリコーン樹脂を主成分とする樹脂が挙げられる。
R1 nSi(OR2)(4−n) (1)
(Condensation polymerization type silicone resin)
Examples of the condensation polymerization type silicone resin include a resin containing a silicone resin obtained by hydrolysis and polycondensation of a monomer compound represented by the following formula (1) as a main component.
R 1 n Si (OR 2 ) (4-n) (1)
ここで「主成分とする」とは、固形分換算で、上記のシリコーン樹脂を、縮合重合型シリコーン樹脂の固形分の総質量に対して、例えば50質量%以上、例えば60質量%以上、例えば70質量%以上、例えば80質量%以上、例えば90質量%以上含有し、100質量%であってもよいことを意味する。 Here, the term “main component” means that the above-mentioned silicone resin is, for example, 50% by mass or more, for example, 60% by mass or more, based on the total mass of the solid content of the condensation-polymerized silicone resin, in terms of solid content. 70% by mass or more, for example, 80% by mass or more, for example, 90% by mass or more, which means that it may be 100% by mass.
式(1)中、R1は置換基を有していてもよい炭素数1〜10のアルキル基または置換基を有していてもよい炭素数6〜10のアリール基を表し、R2はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1〜10のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数6〜10のアリール基または水素原子を表し、nは0〜3の整数を表す。 In Formula (1), R 1 represents an alkyl group or an optionally substituted aryl group having 6 to 10 carbon atoms having 1 to 10 carbon atoms which may have a substituent, R 2 is Each independently represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may have a substituent, an aryl group having 6 to 10 carbon atoms which may have a substituent, or a hydrogen atom; Represents an integer.
R1またはR2がアルキル基である場合、アルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよく、環状構造を有していてもよい。また、アルキル基の炭素数は特に限定されるものではなく、例えば炭素数1〜10であればよく、炭素数1〜6が好ましく、炭素数1〜3がより好ましい。 When R 1 or R 2 is an alkyl group, the alkyl group may be linear, branched, or have a cyclic structure. The number of carbon atoms of the alkyl group is not particularly limited, and may be, for example, 1 to 10 carbon atoms, preferably 1 to 6 carbon atoms, and more preferably 1 to 3 carbon atoms.
アルキル基は、アルキル基を構成する1または2以上の水素原子が、他の基で置換されていてもよい。アルキル基の置換基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基などの炭素数6〜10のアリール基、フッ素原子、塩素原子などのハロゲン原子などが挙げられる。 In the alkyl group, one or more hydrogen atoms constituting the alkyl group may be substituted with another group. Examples of the substituent of the alkyl group include an aryl group having 6 to 10 carbon atoms such as a phenyl group and a naphthyl group, and a halogen atom such as a fluorine atom and a chlorine atom.
R1またはR2で表されるアルキル基としては、具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基などの無置換のアルキル基、フェニルメチル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基などのアラルキル基が挙げられる。 Specific examples of the alkyl group represented by R 1 or R 2 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, and an n-pentyl group. And an unsubstituted alkyl group such as a neopentyl group, a hexyl group, an octyl group, a nonyl group, and a decyl group, and an aralkyl group such as a phenylmethyl group, a phenylethyl group, and a phenylpropyl group.
R1またはR2がアリール基である場合、アリール基としては、例えば炭素数6〜10のアリール基が挙げられる。また、アリール基は、アリール基を構成する1または2以上の水素原子が、他の基で置換されていてもよい。アリール基の置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などの炭素数1〜6のアルキル基、フッ素原子、塩素原子などのハロゲン原子などが挙げられる。 When R 1 or R 2 is an aryl group, examples of the aryl group include an aryl group having 6 to 10 carbon atoms. In the aryl group, one or more hydrogen atoms constituting the aryl group may be substituted with another group. Examples of the substituent of the aryl group include an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a butyl group, and a halogen atom such as a fluorine atom and a chlorine atom.
R1またはR2で表されるアリール基としては、具体的には、フェニル基、ナフチル基などの無置換のアリール基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、プロピルフェニル基などのアルキルフェニル基のようなアルキルアリール基などが挙げられる。 Specific examples of the aryl group represented by R 1 or R 2 include an unsubstituted aryl group such as a phenyl group and a naphthyl group, and an alkylphenyl group such as a methylphenyl group, an ethylphenyl group, and a propylphenyl group. Alkylaryl group and the like.
LED素子20として、315nm以下の波長の光を射出するLED素子を採用する場合、R1、R2はアルキル基であると好ましい。R1、R2がアルキル基であるモノマー化合物から得られたシリコーン樹脂は、光吸収量が少なく、高い耐光性を期待できる。R1がメチル基であり、R2がメチル基またはエチル基であるモノマー化合物から得られたシリコーン樹脂がより好ましい。
When an LED element that emits light having a wavelength of 315 nm or less is used as the
ここで、上記式(1)で表されるモノマー化合物のnが1である場合は3個のオルガノポリシロキサン鎖による分岐鎖構造を構成し得る。このようなモノマー化合物を加水分解および重縮合させて得られたシリコーン樹脂は、網目構造を形成し得る。このため、上記の樹脂を硬化させて得られる硬化物は、硬度が高く、耐熱性に優れ、紫外線の照射を受けても劣化が少ないものとなる。 Here, when n of the monomer compound represented by the above formula (1) is 1, a branched structure of three organopolysiloxane chains can be formed. A silicone resin obtained by hydrolyzing and polycondensing such a monomer compound can form a network structure. For this reason, a cured product obtained by curing the above resin has high hardness, excellent heat resistance, and has little deterioration even when irradiated with ultraviolet rays.
一方で、上記式(1)で表されるモノマー化合物のnが2である場合には、上記の樹脂を硬化させて得られる硬化物は、柔軟性に優れ、加工しやすい硬化物となる。 On the other hand, when n of the monomer compound represented by the above formula (1) is 2, a cured product obtained by curing the above resin has excellent flexibility and is easily processed.
上記式(1)で表されるモノマー化合物を加水分解および重縮合させて得られたシリコーン樹脂は、下記式(2)で表される。
(R11R12R13SiO1/2)M(R14R15SiO2/2)D(R16SiO3/2)T(SiO4/2)Q (2)
The silicone resin obtained by hydrolysis and polycondensation of the monomer compound represented by the above formula (1) is represented by the following formula (2).
(R 11 R 12 R 13 SiO 1/2 ) M (R 14 R 15 SiO 2/2 ) D (R 16 SiO 3/2 ) T (SiO 4/2 ) Q (2)
式(2)中、R11〜R16は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基またはハロゲン原子である。 In the formula (2), R 11 to R 16 are each independently an alkyl group, an aryl group, or a halogen atom.
R11〜R16のアルキル基は、それぞれ独立して、炭素数1〜10のアルキル基が好ましく、炭素数1〜6のアルキル基がより好ましく、炭素数1〜3のアルキル基がさらに好ましい。 The alkyl groups of R 11 to R 16 are each independently preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and further preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms.
R11〜R16のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基などの無置換のアルキル基、フェニルメチル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基などの置換のアルキル基が挙げられる。
R11〜R16のアリール基としては、それぞれ独立して、炭素数6〜10のアリール基が好ましい。
Examples of the alkyl group of R 11 to R 16 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, an n-pentyl group, a neopentyl group, and a hexyl group. And an unsubstituted alkyl group such as octyl group, nonyl group and decyl group, and a substituted alkyl group such as phenylmethyl group, phenylethyl group and phenylpropyl group.
As the aryl group of R 11 to R 16, an aryl group having 6 to 10 carbon atoms is preferable independently.
R11〜R16のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基などの無置換のアリール基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、プロピルフェニル基などの置換のアリール基が挙げられる。
R11〜R16のハロゲン原子としては、それぞれ独立して、フッ素原子または塩素原子が好ましい。
Examples of the aryl group of R 11 to R 16 include an unsubstituted aryl group such as a phenyl group and a naphthyl group, and a substituted aryl group such as a methylphenyl group, an ethylphenyl group, and a propylphenyl group.
As the halogen atoms for R 11 to R 16 , each independently is preferably a fluorine atom or a chlorine atom.
式(2)において、M、D、TおよびQは構成比率を表しており、0以上1以下であり、かつM+D+T+Q=1を満たす数である。上記式(2)で表されるポリオルガノシロキサンを構成する繰り返し単位は、一官能型[R3SiO0.5](トリオルガノシルヘミオキサン)、二官能型[R2SiO](ジオルガノシロキサン)、三官能型[RSiO1.5](オルガノシルセスキオキサン)、四官能型[SiO2](シリケート)(但し、ここでは簡略化のため、R11〜R16をまとめてRと示している。)であり、これら4種の繰り返し単位の構成比率によって、上記式(2)で表されるシリコーン樹脂の組成が定まる。 In the formula (2), M, D, T, and Q represent constituent ratios, and are numbers from 0 to 1 and satisfy M + D + T + Q = 1. The repeating units constituting the polyorganosiloxane represented by the above formula (2) include monofunctional [R 3 SiO 0.5 ] (triorganosylhemioxane) and bifunctional [R 2 SiO] (diorgano Siloxane), trifunctional [RSiO 1.5 ] (organosilsesquioxane), tetrafunctional [SiO 2 ] (silicate) (however, for simplicity, R 11 to R 16 are collectively referred to as R The composition of the silicone resin represented by the above formula (2) is determined by the composition ratio of these four types of repeating units.
このような縮合重合型シリコーン樹脂としては、対応するモノマー化合物を重合させて製造することができる。また、縮合重合型シリコーン樹脂として市販品を使用することもできる。
縮合重合型シリコーン樹脂として市販品としては、例えば、Gelest社製の両末端シラノール型ジオルガノシリコーンであるDMS−12、DMS−21、DMS−27、DMS−35、モメンティブ社製のXC96−723、YF−3800、YF−3057、レジン状シリコーンオリゴマーであるXC96−B0446、XR31−B2230、信越化学社製のレジン状シリコーンであるKR−220L、KR−242A、KR−300、レジン状シリコーンオリゴマーであるX−40−9225、KR−500、KR−213,両末端シラノール型ジオルガノシリコーンであるX−21−5841、KF−9701、旭化成ワッカー社のSILRES MK、SILRES MSE 100、コルコート社のシリケート48、EMS−485が挙げられる。
これらの縮合重合型シリコーン樹脂は、単独で使用してもよく、混合させて使用してもよい。
Such a condensation polymerization type silicone resin can be produced by polymerizing a corresponding monomer compound. A commercially available product can also be used as the condensation-polymerized silicone resin.
Commercially available condensation polymerization type silicone resins include, for example, DMS-12, DMS-21, DMS-27, DMS-35 which are silanol type diorganosilicons manufactured by Gelest and XC96-723 manufactured by Momentive. YF-3800, YF-3057, resin-like silicone oligomers XC96-B0446, XR31-B2230, Shin-Etsu Chemical resin-like silicones KR-220L, KR-242A, KR-300, resin-like silicone oligomers X-40-9225, KR-500, KR-213, X-21-5841 which is a silanol type diorgano silicone at both ends, KF-9701, SILRES MK,
These condensation polymerization type silicone resins may be used alone or in combination.
(有機溶媒)
上述したようなシリコーン樹脂は、必要に応じて、適切な有機溶媒に溶解させて用いることができる。また、上述したようなシリコーン樹脂は、必要に応じて適切な有機溶媒に溶解させ、さらに蛍光体、無機粒子、硬化用触媒などを添加したシリコーン樹脂組成物とした後、例えば加熱することなどにより硬化させることができる。
(Organic solvent)
The silicone resin as described above can be used by dissolving it in an appropriate organic solvent as needed. Further, the silicone resin as described above is dissolved in an appropriate organic solvent as needed, and further a phosphor, an inorganic particle, a silicone resin composition to which a curing catalyst or the like is added, and then, for example, by heating, etc. Can be cured.
有機溶媒としては、沸点が100℃以上の有機溶媒が好ましい。有機溶媒としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノエチルヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノベンジルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノベンジルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノイソプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノエチルヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、プロピレングリコールモノベンジルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノヘキシルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルヘキシルエーテル、ジプロピレングリコールモノフェニルエーテル、ジプロピレングリコールモノベンジルエーテルなどのグリコールエーテル系溶媒;エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノイソプロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノヘキシルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルヘキシルエーテルアセテート、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、エチレングリコールモノベンジルエーテルアセテートなどの、上述のグリコールエーテル系溶媒に酢酸基を付加させた、グリコールエステル系溶媒などが挙げられる。 As the organic solvent, an organic solvent having a boiling point of 100 ° C. or higher is preferable. Examples of the organic solvent include ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monoisopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monohexyl ether, ethylene glycol monoethylhexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, and ethylene glycol monophenyl ether. Benzyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monoisopropyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monohexyl ether, diethylene glycol monoethylhexyl ether, diethylene glycol monophenyl ether, diethylene glycol Monobenzyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monoisopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monohexyl ether, propylene glycol monoethylhexyl ether, propylene glycol monophenyl ether, propylene glycol monobenzyl ether, Dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monoisopropyl ether, dipropylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monohexyl ether, dipropylene glycol monoethylhexyl ether, dipropylene glycol monophenyl Glycol ether solvents such as ether and dipropylene glycol monobenzyl ether; ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monoisopropyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, ethylene glycol monohexyl ether acetate, ethylene glycol monoethylhexyl ether acetate, ethylene Glycol ester solvents in which an acetic acid group is added to the above-mentioned glycol ether solvents such as glycol monophenyl ether acetate and ethylene glycol monobenzyl ether acetate.
縮合重合型シリコーン樹脂の含有量は、シリコーン樹脂組成物の総質量に対して、50〜100質量%であることが好ましく、60〜90質量%であることがより好ましく、65〜85質量%であることがさらに好ましい。 The content of the condensation polymerization type silicone resin is preferably 50 to 100% by mass, more preferably 60 to 90% by mass, and more preferably 65 to 85% by mass based on the total mass of the silicone resin composition. It is more preferred that there be.
第2封止部32の形成材料としては、上述のシリコーン樹脂組成物の他、エポキシ樹脂やフッ素樹脂を用いることもできる。
本実施形態のLEDデバイス1は、以上のような構成となっている。
As a material for forming the
The LED device 1 of the present embodiment has the above configuration.
上述のようなLEDデバイス1は、LED素子20の光射出面20aに接する樹脂層38が結晶性フッ素樹脂を形成材料としている。フッ素樹脂は、例えば第2封止部32の形成材料であるシリコーン樹脂の硬化物よりも耐光性が高い。さらに、結晶性フッ素樹脂は、フッ素樹脂の中でも相対的に密着性が高い。そのため、LEDデバイス1では、封止部30Aの剥離を抑制可能となる。
In the LED device 1 as described above, the
LED素子20から深紫外線を射出する深紫外LED素子を備えた深紫外LEDは、封止部の劣化が進みやすいことが知られている。ここで、本明細書において「深紫外線」とは、波長190nm以上315nm以下の紫外線を指す。上述したLEDデバイス1においては、LED素子20に深紫外LEDを採用したとしても、封止部30Aの光劣化が抑制され、装置の長寿命化が可能となる。
It is known that the deep ultraviolet LED including the deep ultraviolet LED element that emits the deep ultraviolet light from the
また、LEDデバイス1では、樹脂層38が光射出面20aに融着し、光射出面20aに隙間なく接している。すなわち、光射出面20aが空気層と接しないため、光射出面20aと空気層との界面における全反射を抑制し、LED素子20で生じた光の取出し効率を向上させることができる。そのため、LEDデバイス1では、封止部30Aの光劣化を抑制しながら、高出力とすることができる。
In the LED device 1, the
すなわち、以上のような構成のLEDデバイス1によれば、封止部30の光劣化を抑制可能なLEDデバイスとなる。 That is, according to the LED device 1 configured as described above, the LED device can suppress the light deterioration of the sealing unit 30.
(LEDデバイスの製造方法)
図2〜5は、本実施形態のLEDデバイス1の製造方法を示す工程図である。図2,3に示す工程は、本発明のLEDデバイスの製造方法における「積層体を形成する工程」に該当する。図4に示す工程は、本発明のLEDデバイスの製造方法における「熱融着させる工程」に該当する。図5に示す工程は、本発明のLEDデバイスの製造方法における「封止する工程」に該当する。
(Method of manufacturing LED device)
2 to 5 are process diagrams illustrating a method for manufacturing the LED device 1 of the present embodiment. The steps shown in FIGS. 2 and 3 correspond to the “step of forming a laminate” in the method for manufacturing an LED device of the present invention. The step shown in FIG. 4 corresponds to the “step of heat fusion” in the method for manufacturing an LED device of the present invention. The step shown in FIG. 5 corresponds to the “sealing step” in the method for manufacturing an LED device of the present invention.
まず、図2に示すように、光透過性の光学部材39と、上述の結晶性フッ素樹脂を形成材料とするフィルム380との積層体を形成する。
First, as shown in FIG. 2, a laminate of the optically transmissive
本工程では、光学部材39の面39aをフィルム380の第1面380aに接触させ、フィルム380を構成する結晶性フッ素樹脂の融点以上に加熱する。加熱の際、光学部材39側から適宜加圧してもよい。
In this step, the
フィルム380の厚さは、15μm以上120μm以下であることが好ましい。
The thickness of the
熱Hを加えることにより、フィルム380は溶融または軟化し、光学部材39に熱融着する。
By applying the heat H, the
次いで、図3に示すように、フィルム380のうち、光学部材39と重ならない部分381xを切り取り、フッ素樹脂層381と光学部材39との積層体300を得る。積層体300は、本発明の「積層体」に該当する。フッ素樹脂層381は、本発明の「フッ素樹脂を形成材料とする樹脂層」に該当する。
Next, as shown in FIG. 3, a
積層体300は、光透過性の光学部材39と、フッ素樹脂を形成材料とするフッ素樹脂層381との積層体である。
The laminate 300 is a laminate of a light-transmitting
フッ素樹脂層381の厚さは、10μm以上100μm以下である。 The thickness of the fluororesin layer 381 is 10 μm or more and 100 μm or less.
光学部材39の形成材料の融点およびガラス転移点のうち、いずれか低い方の温度は、フッ素樹脂層381の形成材料であるフッ素樹脂の融点よりも高い。
The lower one of the melting point and the glass transition point of the material for forming the
積層体300は、250nm以上700nm以下の波長帯域の全域で、積層体300の積層方向の全光線透過率が70%以上である。積層体300の積層方向の全光線透過率は80%以上が好ましく、85%以上がより好ましく、90%以上がさらに好ましい。
The laminate 300 has a total light transmittance of 70% or more in the stacking direction of the laminate 300 over the entire wavelength band of 250 nm or more and 700 nm or less. The total light transmittance of the
積層体300の全光線透過率は、光学部材39の材料、積層方向における厚さ、フッ素樹脂層381の材料、積層方向における厚さを制御することで調整可能である。また、光学部材39とフィルム380との熱融着の時間を延ばす、熱融着時の加圧圧力を高くするなどの条件変更により、光学部材39とフッ素樹脂層381との界面の乱れを低減し、全光線透過率を向上させることもできる。
The total light transmittance of the
次いで、図4に示すように、積層体300のフッ素樹脂層381側の面381aを、基板10に実装されたLED素子20の光射出面20aに接触させる。この状態で、基板10、LED素子20、積層体300を、フッ素樹脂層381を構成する結晶性フッ素樹脂の融点以上に加熱する。加熱の際、光学部材39側から適宜加圧してもよい。
Next, as shown in FIG. 4, the surface 381 a on the fluororesin layer 381 side of the laminate 300 is brought into contact with the
熱Hを加えることにより、フッ素樹脂層381は溶融または軟化し、LED素子20に熱融着する。これにより積層体300は、第1封止部31として機能する。フッ素樹脂層381は、樹脂層38を構成する。
By applying the heat H, the fluororesin layer 381 is melted or softened, and is thermally fused to the
このとき、フッ素樹脂層381の形成材料であるフッ素樹脂の融点が100℃以上278℃以下であると、LED素子20と基板10との接続に用いるはんだの融点以下の加熱温度で融着させやすく、製造が容易となる。用いるはんだとしては、例えばAu−20質量%Sn合金(融点:278℃)を挙げることができる。
At this time, if the melting point of the fluororesin which is the material for forming the fluororesin layer 381 is 100 ° C. or more and 278 ° C. or less, it is easy to fuse at a heating temperature equal to or lower than the melting point of the solder used to connect the
フッ素樹脂の融点は、好ましくは150℃以上、より好ましくは200℃以上である。また、フッ素樹脂の融点は、好ましくは250℃以下である。 The melting point of the fluororesin is preferably 150 ° C. or higher, more preferably 200 ° C. or higher. Further, the melting point of the fluororesin is preferably 250 ° C. or less.
次いで、図5に示すように、LED素子20の側面20bを覆うように、封止樹脂である液状のシリコーン樹脂組成物Lを滴下する。シリコーン樹脂組成物としては、上述したものを用いることができる。次いで、シリコーン樹脂組成物を加熱しシリコーン樹脂組成物を硬化させることにより、第2封止部32を形成する。
Next, as shown in FIG. 5, a liquid silicone resin composition L as a sealing resin is dropped so as to cover the
シリコーン樹脂組成物の加熱温度は、120〜200℃が好ましく、140〜200℃がより好ましい。加熱時間は0.5〜24時間が好ましく、1〜10時間がより好ましい。加熱温度および加熱時間をこれらの範囲内とすることで、実用上充分な強度を有する硬化物が得られる。 The heating temperature of the silicone resin composition is preferably from 120 to 200 ° C, more preferably from 140 to 200 ° C. The heating time is preferably 0.5 to 24 hours, more preferably 1 to 10 hours. By setting the heating temperature and the heating time within these ranges, a cured product having practically sufficient strength can be obtained.
積層体300と第2封止部32とは、一体となり封止部30Aを構成する。封止部30Aにおいては、第1封止部31のフッ素樹脂層381がLED素子20の光射出面20aに接し、第2封止部32がLED素子20の側面20bに接してLED素子20を封止する。
以上のようにして、LEDデバイス1を製造することができる。
The laminate 300 and the
As described above, the LED device 1 can be manufactured.
以上のようなLEDデバイスの製造方法によれば、フッ素樹脂製の固体のフィルム380を樹脂層38の形成材料とすることで、溶媒に起因する気泡が第1封止部31に混入しにくい。
According to the above-described method for manufacturing an LED device, since the
また、樹脂層38の形成材料としてフッ素樹脂を含む液状物を用いる場合、LED素子20の光射出面20aの大きさおよび位置に応じて、液状物の供給量や供給位置を正確に制御する必要があり、作業が困難となり易い。一方、上述の製造方法のように、予めフッ素樹脂層と光学部材との積層体を製造することにより、フッ素樹脂層381を形成することで、液状物としてフッ素樹脂を供給する場合と異なり、供給量や供給位置の制御が容易となる。
When a liquid material containing a fluororesin is used as the material for forming the
さらに、上記製造方法では、光学部材39に予めフッ素樹脂層381を積層させた積層体300を形成し、その後、積層体300をLED素子20の光射出面20aに融着させることとしている。そのため、光学部材39、フッ素樹脂層381、LED素子20を一度に熱融着させる場合と比べ、部材間の相互の位置ずれが生じ難く、位置合わせが容易となる。
Furthermore, in the above-described manufacturing method, the laminate 300 in which the fluororesin layer 381 is laminated on the
これらにより、上述したLEDデバイスの製造方法によれば、LEDデバイス1を容易に製造することができる。 Thus, according to the above-described LED device manufacturing method, the LED device 1 can be easily manufactured.
さらに、以上のような積層体300を用いることで、上述のようなLEDデバイス1を容易に製造可能となる。
Further, by using the above-described
なお、本実施形態のLEDデバイス1においては、封止部30Aが光学部材39を有することとしたが、これに限らない。
In addition, in the LED device 1 of the present embodiment, the sealing
図6は、変形例のLEDデバイス2を示す概略断面図であり、図1に対応する図である。LEDデバイス2が有する封止部30Bは、第1封止部35と、第2封止部32とを有する。封止部30Bは、LED素子20の光射出面20aを覆って設けられている。封止部30Bは、基板10と共にLED素子20を封止している。
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing an
第1封止部35は、光射出面20aの上に配置されている。第1封止部35は、結晶性フッ素樹脂を形成材料とし、光射出面20aに熱融着している板状部材である。本変形例における第1封止部35は、結晶性フッ素樹脂からなる。結晶性フッ素樹脂としては、上述した樹脂層38の形成材料と同じ樹脂を採用することができる。
The
第1封止部35と光射出面20aとは、第1封止部35と光射出面20aとの界面を拡大観察したときに気泡が確認できない状態で融着している。第1封止部35とLED素子20とは、基板10上に実装されたLED素子20の光射出面20aの上に第1封止部35を配置した後、必要に応じて第1封止部35側から加圧した状態で加熱することで融着させることができる。
The
第2封止部32は、基板10の上面10a、LED素子20の側面20b、フィルム381の端部381bおよび光学部材39の側面39bに隙間なく接している。
The
以上のような構成のLEDデバイス2であっても、光射出面20aに接する第1封止部35が、耐光性の高いフッ素樹脂を形成材料としているため、封止部30の光劣化を抑制可能なLEDデバイスとなる。
Even in the
また、本実施形態のLEDデバイスの製造方法においては、積層体を形成する工程において、フィルム380を用いてフッ素樹脂層381を形成することとしたが、これに限らない。
Further, in the method for manufacturing an LED device of the present embodiment, in the step of forming the laminate, the fluororesin layer 381 is formed using the
図10、11は、積層体を形成する工程の変形例を示す工程図である。 10 and 11 are process diagrams showing modified examples of the process of forming a laminate.
まず、図10に示すように、光透過性の光学部材39の面39aにフッ素樹脂溶液Mを滴下する。
First, as shown in FIG. 10, the fluororesin solution M is dropped on the
次に、図11に示すように、フッ素樹脂溶液Mに含まれる溶媒Sを揮発させることにより、フッ素樹脂層385と光学部材39の積層体310を得る。フッ素樹脂層385は、本発明の「フッ素樹脂を形成材料とする樹脂層」に該当する。
Next, as shown in FIG. 11, the solvent S contained in the fluororesin solution M is volatilized to obtain a
フッ素樹脂溶液Mから溶媒Sを揮発させる方法は、送風、加熱および減圧、ならびにこれらの組み合わせを採用することができる。 As a method of volatilizing the solvent S from the fluororesin solution M, air blowing, heating and reduced pressure, and a combination thereof can be adopted.
フッ素樹脂層385の厚さは、10μm以上100μm以下である。
The thickness of the
積層体を形成する工程は、面39aに均一な厚みでフッ素樹脂層を形成しやすいため、フィルムを用いる方法が好ましい。
In the step of forming the laminate, a method using a film is preferable because a fluororesin layer having a uniform thickness is easily formed on the
また、積層体を形成する工程として、図10,11に示す変形例を採用すると、面39aの凹凸が大きい場合に、フィルムを用いる方法よりも面39aにフッ素樹脂層385を追従させやすく製造しやすい。
When the modified example shown in FIGS. 10 and 11 is adopted as a process of forming a laminated body, when the unevenness of the
上記方法で得られた積層体310は、図4,5において説明した各工程の積層体300の代わりに用いることで、LEDデバイスを製造することができる。これにより積層体310は、第1封止部31として機能する。フッ素樹脂層385は、樹脂層38を構成する。
An LED device can be manufactured by using the laminate 310 obtained by the above method in place of the laminate 300 in each step described with reference to FIGS. Thereby, the laminate 310 functions as the
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせなどは一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求などに基づき種々変更可能である。 As described above, the preferred embodiments of the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, but it is needless to say that the present invention is not limited to the embodiments. The shapes, combinations, and the like of the constituent members shown in the above-described examples are merely examples, and various changes can be made based on design requirements without departing from the spirit of the present invention.
以下に本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
以下の実施例、比較例においては、樹脂層の形成方法の違いによる結果の違いについて、モデルサンプルを用いて評価した。 In the following Examples and Comparative Examples, differences in results due to differences in the method of forming the resin layer were evaluated using model samples.
(実施例1)
石英ガラス板(25mm×25mm×1.1mm、融点1650℃、屈折率1.46)を2枚用意し、結晶性フッ素樹脂であるPCTFE製のフィルム(20mm×20mm×0.075mm、東邦化成株式会社製、融点220℃、屈折率1.42)を2枚の石英ガラス板で挟んだ。
(Example 1)
Two quartz glass plates (25 mm × 25 mm × 1.1 mm, melting point 1650 ° C., refractive index 1.46) are prepared, and a film (20 mm × 20 mm × 0.075 mm) made of crystalline fluororesin, PCTFE, Toho Kasei Co., Ltd. (Made by the company, melting point: 220 ° C., refractive index: 1.42) was sandwiched between two quartz glass plates.
次いで、フィルムを挟んだ一対の石英ガラス板のうち、一方の石英ガラス板を下にしてアルミカップ内に配置した。さらに、他方の石英ガラス板の上に荷重用のステンレスボールを入れたアルミカップを配置した。ステンレスボールの総量は100gであった。 Next, one of the pair of quartz glass plates sandwiching the film was placed in an aluminum cup with one of the quartz glass plates facing down. Further, an aluminum cup containing a stainless steel ball for load was placed on the other quartz glass plate. The total amount of the stainless steel balls was 100 g.
次いで、260℃で1時間加熱した後、室温まで冷却して、実施例1のサンプルを作製した。 Next, after heating at 260 ° C. for 1 hour, the sample was cooled to room temperature to produce a sample of Example 1.
光学顕微鏡を用い、50倍に拡大して観察したが、得られたサンプルには、気泡の噛みこみは見られなかった。 Observation was performed with an optical microscope at a magnification of 50 times, but no entrapment of bubbles was observed in the obtained sample.
(比較例1)
一方の石英ガラス板の表面に、濃度9質量%の非晶質フッ素樹脂溶液(Cytop、Sタイプ、旭硝子株式会社製)を50μg滴下した。非晶質フッ素樹脂溶液の上に他方の石英ガラス板を重ねた。
(Comparative Example 1)
50 μg of an amorphous fluororesin solution (Cytop, S type, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) having a concentration of 9% by mass was dropped on the surface of one quartz glass plate. The other quartz glass plate was overlaid on the amorphous fluororesin solution.
次いで、非晶質フッ素樹脂溶液を挟んだ一対の石英ガラス板のうち、一方の石英ガラス板を下にしてアルミカップ内に配置した。さらに、他方の石英ガラス板の上に荷重用のステンレスボールを入れたアルミカップを配置した。ステンレスボールの総量は100gであった。180℃で1時間加熱した後、室温まで冷却して、比較例1のサンプルを作製した。 Next, one of the pair of quartz glass plates sandwiching the amorphous fluororesin solution was placed in an aluminum cup with one of the quartz glass plates facing down. Further, an aluminum cup containing a stainless steel ball for load was placed on the other quartz glass plate. The total amount of the stainless steel balls was 100 g. After heating at 180 ° C. for 1 hour, the sample was cooled to room temperature to prepare a sample of Comparative Example 1.
光学顕微鏡を用い、50倍に拡大して観察したところ、得られたサンプルには樹脂層に樹脂が存在する部分と、樹脂が存在しない部分とが混在しており、ムラとして観察された。 Observation at an magnification of 50 times using an optical microscope revealed that the obtained sample had a portion where the resin was present in the resin layer and a portion where no resin was present, and was observed as unevenness.
図7は、実施例1のサンプルについて光透過率を測定した結果を示すグラフである。図7は、横軸が測定波長(単位:nm)、縦軸が光透過率(%)を示す。 FIG. 7 is a graph showing the results of measuring the light transmittance of the sample of Example 1. In FIG. 7, the horizontal axis indicates the measurement wavelength (unit: nm), and the vertical axis indicates the light transmittance (%).
なお、サンプルの光透過率は、下記条件で測定した。
<測定条件>
装置:島津製作所社製 UV−3600
アタッチメント:積分球 ISR−3100
測定波長:220〜800nm
バックグラウンド測定:大気
測定速度:中速
The light transmittance of the sample was measured under the following conditions.
<Measurement conditions>
Apparatus: UV-3600 manufactured by Shimadzu Corporation
Attachment: Integrating sphere ISR-3100
Measurement wavelength: 220-800 nm
Background measurement: Atmosphere Measurement speed: Medium speed
図7では、参考例として、実施例1のサンプルで用いた2枚の石英ガラスを重ねただけのサンプルについての測定結果を示す。 FIG. 7 shows, as a reference example, a measurement result of a sample in which only two sheets of quartz glass used in the sample of Example 1 are overlapped.
図に示すように、実施例1のサンプルは、ほとんどの測定波長範囲で参考例のサンプルよりも高い透過率を示すことが分かった。また、実施例1のサンプルは、可視光領域から紫外領域まで充分に高い透過率を示すことが分かった。 As shown in the figure, it was found that the sample of Example 1 exhibited higher transmittance than the sample of the reference example in almost all measurement wavelength ranges. Further, it was found that the sample of Example 1 exhibited a sufficiently high transmittance from the visible light region to the ultraviolet region.
また、参考例のサンプルは干渉縞が観察され、2枚のガラス板の間に空気層が存在することが示唆された。
対して、実施例1のサンプルには干渉縞が観察されなかった。実施例1のサンプルには、干渉縞が形成されるほどの空気層が2枚のガラスの間に存在していないことが示唆された。
In addition, interference fringes were observed in the sample of the reference example, suggesting that an air layer was present between the two glass plates.
In contrast, no interference fringes were observed in the sample of Example 1. It was suggested that the sample of Example 1 did not have an air layer between the two glasses enough to form interference fringes.
本願発明の構成を採用するLEDデバイスでは、実施例1のサンプルと同様に、LED素子の光射出面とガラス製の光学部材との間に、干渉縞が形成されるほどの空気層が存在しない構成とすることができる。このような構成のLEDデバイスでは、空気層を内部に含むLEDデバイスと比べ、LED素子から射出された光が光学部材の光射出面側の面で全反射しにくく、光取り出し効率を向上させることができると考えられる。 In the LED device employing the configuration of the present invention, similarly to the sample of the first embodiment, there is no air layer between the light emitting surface of the LED element and the optical member made of glass such that interference fringes are formed. It can be configured. In the LED device having such a configuration, light emitted from the LED element is less likely to be totally reflected by the surface on the light emitting surface side of the optical member as compared to the LED device including an air layer therein, and the light extraction efficiency is improved. It is thought that it is possible.
(実施例2)
結晶性フッ素樹脂であるPCTFE製のフィルム(75μm厚、東邦化成株式会社製)の上に石英ガラス板(1.5mm×1.5mm×0.5mm)を配置し、12.5gの荷重を加えた状態で230℃で3時間加熱し、フィルムを石英ガラス板に融着させた。
(Example 2)
A quartz glass plate (1.5 mm × 1.5 mm × 0.5 mm) is placed on a film (75 μm thick, manufactured by Toho Kasei Co., Ltd.) made of PCTFE, which is a crystalline fluororesin, and a load of 12.5 g is applied. Then, the film was heated at 230 ° C. for 3 hours to fuse the film to a quartz glass plate.
次いで、フィルムの石英ガラス板に融着した部分を除き、周辺の余剰部分を切断して除去し、PCTFE製のフィルムと石英ガラス板との積層体を作製した。 Next, except for the portion of the film fused to the quartz glass plate, the surrounding surplus portion was cut and removed, thereby producing a laminate of a PCTFE film and the quartz glass plate.
次いで、深紫外LED素子(1.0mm×1.0mm、ピーク波長280nm、DOWAエレクトロニクス社製)をLTCC(Low−Temperature Co−fired Ceramics、低温同時焼成セラミックス)製の基板(株式会社ヨコオ社製)に、はんだを用いてフリップチップ方式でボンディングし、深紫外LEDパッケージを作製した。 Then, a deep ultraviolet LED element (1.0 mm × 1.0 mm, peak wavelength 280 nm, manufactured by DOWA Electronics Co., Ltd.) was used as a substrate (manufactured by Yokowo Co., Ltd.) made of LTCC (Low-Temperature Co-fired Ceramics, low-temperature co-fired ceramics). Then, a deep ultraviolet LED package was manufactured by bonding using a flip chip method using solder.
次いで、深紫外LEDパッケージの光射出面に、積層体のフィルム側を接触させて重ねて配置した。17.5gの荷重を加えた状態で、230℃で3時間加熱して、積層体をLEDパッケージに融着させ、実施例2のサンプルを作製した。 Next, the film side of the laminated body was placed in contact with the light emitting surface of the deep ultraviolet LED package and was placed in an overlapping manner. The laminate was heated at 230 ° C. for 3 hours while applying a load of 17.5 g to fuse the laminate to the LED package, thereby producing a sample of Example 2.
(比較例2)
実施例2と同様にして、PCTFE製フィルムと石英ガラス板の積層体を作製した。深紫外LEDパッケージの光射出面に積層体を重ね、比較例2のサンプルを作製した。積層体のフィルムは、LEDパッケージの光射出面に融着していない。
(Comparative Example 2)
In the same manner as in Example 2, a laminate of a PCTFE film and a quartz glass plate was produced. The laminate was superimposed on the light emitting surface of the deep ultraviolet LED package, and a sample of Comparative Example 2 was produced. The film of the laminate is not fused to the light exit surface of the LED package.
図8は、実施例2のサンプルから射出される光の強度を示すグラフ(放射束スペクトル)である。図9は、比較例2のサンプルから射出される光の強度を示すグラフ(放射束スペクトル)である。図8,9は、横軸が射出される光の波長(単位:nm)、縦軸が光強度(分光放射束)(単位:μW/nm)を示す。 FIG. 8 is a graph (radiant flux spectrum) showing the intensity of light emitted from the sample of Example 2. FIG. 9 is a graph (radiant flux spectrum) showing the intensity of light emitted from the sample of Comparative Example 2. 8 and 9, the horizontal axis indicates the wavelength of emitted light (unit: nm), and the vertical axis indicates light intensity (spectral radiant flux) (unit: μW / nm).
なお、サンプルの光強度は、下記条件で測定した。
<測定条件>
装置:OP−RADIANT−UV 紫外LED測定用積分球システム(オーシャンフォトニクス社製)
電流値:40mA
The light intensity of the sample was measured under the following conditions.
<Measurement conditions>
Apparatus: OP-RADIANT-UV Integrating sphere system for ultraviolet LED measurement (Ocean Photonics)
Current value: 40 mA
図8,9では、参考例として、実施例2のサンプルで用いた深紫外LEDパッケージそのものについての測定結果を示す。 8 and 9 show, as reference examples, measurement results of the deep ultraviolet LED package itself used in the sample of Example 2.
図8に示すように、実施例2のサンプルでは、LEDパッケージそのものよりも光強度が強く、光取出し効率が高まっていることが分かった。 As shown in FIG. 8, in the sample of Example 2, it was found that the light intensity was higher than that of the LED package itself, and the light extraction efficiency was increased.
対して、図9に示すように、比較例2のサンプルでは、LEDパッケージそのものよりも光強度が弱く、光取出し効率が低いことが分かった。 On the other hand, as shown in FIG. 9, the sample of Comparative Example 2 was found to have lower light intensity and lower light extraction efficiency than the LED package itself.
実施例2で作製したサンプルのLED素子、及び素子に融着した積層体の周囲に付加重合型シリコーン樹脂(例えばOE−6351、東レ・ダウコーニング社製)を流し込み、硬化させることにより、第1、および第2封止部で覆われたLEDデバイスを得ることができる。 By pouring and curing an addition-polymerizable silicone resin (for example, OE-6351, manufactured by Dow Corning Toray Co., Ltd.) around the LED element of the sample prepared in Example 2 and the laminate fused to the element, the first element was cured. , And the LED device covered with the second sealing portion.
(実施例3)
スライドガラス(松浪硝子工業株式会社製、品番:S1111)を2枚用意した。
一方のスライドガラスの長手方向の一端部に、25mm×25mm×75μmのPCTFEフィルムを設置した。PCTFEは結晶性フッ素樹脂である。
(Example 3)
Two slide glasses (manufactured by Matsunami Glass Industry Co., Ltd., product number: S1111) were prepared.
A 25 mm × 25 mm × 75 μm PCTFE film was placed at one longitudinal end of one slide glass. PCTFE is a crystalline fluororesin.
次に、PCTFEフィルムの上に他方のスライドガラスの長手方向の他端部を重ねて置き、100gの荷重をかけながら200℃で3時間加熱して融着させて、実施例3のサンプルを作製した。得られたサンプルは、一方のスライドガラスの一端部と、他方のスライドガラスの他端部とが、PCTFEフィルムの層で連結した積層体であった。 Next, the other end of the other slide glass in the longitudinal direction was placed on the PCTFE film, and heated and fused at 200 ° C. for 3 hours while applying a load of 100 g to produce a sample of Example 3. did. The obtained sample was a laminate in which one end of one slide glass and the other end of the other slide glass were connected by a layer of PCTFE film.
一方のスライドガラスは、本発明のLEDデバイスの製造方法における「光透過性の光学部材」のモデルである。
PCTFEフィルムの層は、本発明のLEDデバイスの製造方法における「フッ素樹脂を形成材料とする樹脂層」のモデルである。
他方のスライドガラスは、本発明のLEDデバイスの製造方法における「LED素子」のモデルである。
すなわち、実施例3の方法において、本発明のLEDデバイスの製造方法における「積層体を形成する工程」「熱融着させる工程」を良好に実施可能であることが分かった。
One slide glass is a model of the “light transmitting optical member” in the LED device manufacturing method of the present invention.
The PCTFE film layer is a model of the “resin layer using a fluororesin as a forming material” in the LED device manufacturing method of the present invention.
The other slide glass is a model of the “LED element” in the LED device manufacturing method of the present invention.
That is, it was found that in the method of Example 3, the “step of forming a laminate” and the “step of heat-sealing” in the method of manufacturing an LED device of the present invention can be favorably performed.
また、得られたサンプルについて、一方のスライドガラスと他方のスライドガラスとを把持し、引張強度を測定したところ、引張強度は58.7MPaであった。引張強度の測定後のサンプルは、片方のスライドガラスにPCTFEフィルムの層が残り、他方には残っていなかった。測定後のサンプルは、PCTFEフィルムとスライドガラスとの界面で剥離していることが確認された。 In addition, when one of the slide glasses and the other slide glass was gripped on the obtained sample and the tensile strength was measured, the tensile strength was 58.7 MPa. In the sample after the measurement of the tensile strength, the layer of the PCTFE film remained on one of the slide glasses, and did not remain on the other. It was confirmed that the sample after the measurement was peeled off at the interface between the PCTFE film and the slide glass.
なお、引張強度は、同じサンプルを2つ用意し、各サンプルについて、島津製作所製「小型卓上試験機EZ−L」を用い、ロードセル500N、引張速度5mm/分の条件で破断させたときの強度を測定した。2回の測定結果の平均値をサンプルの引張強度とした。 In addition, the tensile strength is the strength when two identical samples were prepared, and each sample was broken using a Shimadzu "Small table test machine EZ-L" under the conditions of a load cell 500N and a tensile speed of 5 mm / min. Was measured. The average value of the two measurements was taken as the tensile strength of the sample.
(実施例4)
実施例3で用いたスライドガラスと同じスライドガラスを2枚用意した。
スライドガラス上の一端部に、耐熱テープを用いて耐熱テープで囲まれた26mm×25mmの領域を作った。次に、非晶性フッ素樹脂溶液(サイトップ(商標)、AGC株式会社製、濃度9質量%)を、耐熱テープで囲まれた26×25mmの領域に200μL塗布した。非晶性フッ素樹脂溶液を塗布したスライドガラスを200℃で3時間乾燥させ、スライドガラスの一端部に、フッ素樹脂層を形成した。
(Example 4)
Two slide glasses identical to the slide glasses used in Example 3 were prepared.
Using a heat-resistant tape, an area of 26 mm × 25 mm surrounded by the heat-resistant tape was formed at one end on the slide glass. Next, 200 μL of an amorphous fluororesin solution (Cytop (trademark), manufactured by AGC Co., Ltd., concentration: 9% by mass) was applied to a 26 × 25 mm region surrounded by a heat-resistant tape. The slide glass coated with the amorphous fluororesin solution was dried at 200 ° C. for 3 hours to form a fluororesin layer on one end of the slide glass.
続いて、フッ素樹脂層の上に他方のスライドガラスの長手方向の他端部を重ねて置き、100gの荷重をかけながら200℃で3時間加熱して融着させて、実施例4のサンプルを作製した。得られたサンプルは、一方のスライドガラスの一端部と、他方のスライドガラスの他端部とが、フッ素樹脂層で連結した積層体であった。 Subsequently, the other end in the longitudinal direction of the other slide glass was placed on the fluororesin layer, and heated and fused at 200 ° C. for 3 hours while applying a load of 100 g to obtain a sample of Example 4. Produced. The obtained sample was a laminate in which one end of one slide glass and the other end of the other slide glass were connected by a fluororesin layer.
一方のスライドガラスは、本発明のLEDデバイスの製造方法における「光透過性の光学部材」のモデルである。
フッ素樹脂層は、本発明のLEDデバイスの製造方法における「フッ素樹脂を形成材料とする樹脂層」のモデルである。
他方のスライドガラスは、本発明のLEDデバイスの製造方法における「LED素子」のモデルである。
すなわち、実施例4の方法において、本発明のLEDデバイスの製造方法における「積層体を形成する工程」「熱融着させる工程」を良好に実施可能であることが分かった。
One slide glass is a model of the “light transmitting optical member” in the LED device manufacturing method of the present invention.
The fluororesin layer is a model of the “resin layer using fluororesin as a forming material” in the LED device manufacturing method of the present invention.
The other slide glass is a model of the “LED element” in the LED device manufacturing method of the present invention.
That is, it was found that in the method of Example 4, the “step of forming a laminate” and “the step of heat-sealing” in the method of manufacturing an LED device of the present invention can be favorably performed.
また、得られたサンプルについて、実施例3と同様に引張強度を測定したところ、引張強度は14.3MPaであった。引張強度の測定後のサンプルは、片方のスライドガラスにフッ素樹脂層が残り、他方には残っていなかった。測定後のサンプルは、フッ素樹脂層とスライドガラスとの界面で剥離していることが確認された。 When the tensile strength of the obtained sample was measured in the same manner as in Example 3, the tensile strength was 14.3 MPa. In the sample after the measurement of the tensile strength, the fluororesin layer remained on one slide glass and the other did not. It was confirmed that the sample after measurement was peeled off at the interface between the fluororesin layer and the slide glass.
実施例3のサンプルの引張強度と、実施例4のサンプルの引張強度との比較から、実施例3のサンプルの方がスライドガラスとフッ素樹脂を形成材料とする樹脂層とが強固に密着していることが分かった。 From a comparison between the tensile strength of the sample of Example 3 and the tensile strength of the sample of Example 4, the sample of Example 3 shows that the slide glass and the resin layer using the fluororesin as the forming material are more firmly adhered. I knew it was there.
以上により、本発明が有用であることが分かった。 From the above, it was found that the present invention was useful.
1,2…LEDデバイス、10…基板、10a…上面、20…LED素子、20a…光射出面、20b,39b…側面、30,30A,30B…封止部、31,35…第1封止部、38…樹脂層、38b…端部、32…第2封止部、39…光学部材、38a,39a…面、300…積層体、310…フィルム、381…フッ素樹脂層、H…熱、M…フッ素樹脂溶液 1, 2, LED device, 10 board, 10a top surface, 20 LED element, 20a light emitting surface, 20b, 39b side surface, 30, 30A, 30B sealing part, 31, 35 first sealing Part, 38 ... resin layer, 38b ... end part, 32 ... second sealing part, 39 ... optical member, 38a, 39a ... surface, 300 ... laminate, 310 ... film, 381 ... fluororesin layer, H ... heat, M: Fluororesin solution
Claims (10)
前記基板上に配置されたLED素子と、
前記LED素子の光射出面を覆って設けられた封止部と、を有し、
前記封止部は、第1封止部と第2封止部とを有し、
前記第1封止部は、前記光射出面に融着し、
前記第2封止部は、平面視において、前記LED素子および前記第1封止部の周囲を囲み、
前記第1封止部において前記光射出面に融着する部分の形成材料は、結晶性フッ素樹脂であるLEDデバイス。 Board and
An LED element disposed on the substrate,
A sealing portion provided to cover the light exit surface of the LED element,
The sealing unit has a first sealing unit and a second sealing unit,
The first sealing portion is fused to the light exit surface,
The second sealing portion surrounds the periphery of the LED element and the first sealing portion in a plan view,
An LED device in which a material for forming a portion to be fused to the light emitting surface in the first sealing portion is a crystalline fluororesin.
前記樹脂層は、前記光射出面に融着している請求項1または2に記載のLEDデバイス。 The first sealing portion is a laminate of a light-transmitting optical member and a resin layer using the crystalline fluororesin as a forming material,
The LED device according to claim 1, wherein the resin layer is fused to the light exit surface.
前記積層体の前記樹脂層側の面を、LED素子の光射出面に接触させて加熱し、前記樹脂層を前記LED素子に熱融着させる工程と、
前記LED素子の側面を封止樹脂で封止する工程と、を有するLEDデバイスの製造方法。 A step of forming a laminate of a light-transmitting optical member and a resin layer using a fluororesin as a forming material,
A step of heating the surface of the laminate on the resin layer side in contact with the light emitting surface of the LED element, and thermally fusing the resin layer to the LED element;
Sealing the side surface of the LED element with a sealing resin.
前記樹脂層の厚さは10μm以上100μm以下であり、
前記光学部材の形成材料の融点およびガラス転移点のうち低い温度は、前記フッ素樹脂の融点より高く、
250nm以上700nm以下の波長帯域における前記積層体の全光線透過率は、全範囲で70%以上である積層体。 An optical member having a light transmitting property, a laminate of a resin layer using a fluororesin as a forming material,
The thickness of the resin layer is 10 μm or more and 100 μm or less,
The lower temperature of the melting point and the glass transition point of the material for forming the optical member is higher than the melting point of the fluororesin,
A laminate wherein the total light transmittance of the laminate in a wavelength band of 250 nm or more and 700 nm or less is 70% or more in the entire range.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018141569 | 2018-07-27 | ||
JP2018141569 | 2018-07-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020025089A true JP2020025089A (en) | 2020-02-13 |
JP6899412B2 JP6899412B2 (en) | 2021-07-07 |
Family
ID=69180424
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019127737A Active JP6899412B2 (en) | 2018-07-27 | 2019-07-09 | LED device manufacturing method |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6899412B2 (en) |
TW (1) | TW202013771A (en) |
WO (1) | WO2020022080A1 (en) |
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- 2019-07-09 JP JP2019127737A patent/JP6899412B2/en active Active
- 2019-07-11 WO PCT/JP2019/027467 patent/WO2020022080A1/en active Application Filing
- 2019-07-18 TW TW108125385A patent/TW202013771A/en unknown
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JP6899412B2 (en) | 2021-07-07 |
TW202013771A (en) | 2020-04-01 |
WO2020022080A1 (en) | 2020-01-30 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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