JP2020016511A - 半導体集積回路および回転検出装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明の実施の形態1における半導体集積回路10を示すブロック図である。図1に示すように、半導体集積回路10は、外部制御装置20と通信可能に接続される。また、半導体集積回路10は、一般的な半導体集積回路に実装される各種機能を実現する主回路11と、後述する自己診断処理を実行する自己診断回路12と、電気的に書き換え可能な不揮発性メモリ13とを備える。外部制御装置20は、半導体集積回路10を外部から制御するための制御信号を半導体集積回路10に送信したり、半導体集積回路10によって出力される出力信号を半導体集積回路10から受信したりする。
本発明の実施の形態2では、先の実施の形態1の構成に対して、低電圧検出回路14をさらに備えた半導体集積回路10について説明する。なお、本実施の形態2では、先の実施の形態1と同様である点の説明を省略し、先の実施の形態1と異なる点を中心に説明する。
本発明の実施の形態3では、先の実施の形態2の構成に対して、電圧保持回路15をさらに備えた半導体集積回路10について説明する。なお、本実施の形態3では、先の実施の形態1および2と同様である点の説明を省略し、先の実施の形態1および2と異なる点を中心に説明する。
本発明の実施の形態4では、先の実施の形態1〜3の各構成に対して、不揮発性メモリ13が具備されていない半導体集積回路10について説明する。なお、本実施の形態4では、先の実施の形態1〜3と同様である点の説明を省略し、先の実施の形態1〜3と異なる点を中心に説明する。
本発明の実施の形態5では、先の実施の形態1〜4の各構成に対して、自己診断回路12が自己診断処理を複数回実行するように構成されている半導体集積回路10について説明する。なお、本実施の形態5では、先の実施の形態1〜4と同様である点の説明を省略し、先の実施の形態1〜4と異なる点を中心に説明する。
本発明の実施の形態6では、先の実施の形態2の構成に対して、物理量検出回路16をさらに備えた半導体集積回路10について説明する。なお、本実施の形態6では、先の実施の形態1〜5と同様である点の説明を省略し、先の実施の形態1〜5と異なる点を中心に説明する。
本発明の実施の形態7では、公知の回転検出装置を構成する半導体集積回路として、先の実施の形態1〜6のそれぞれにおける半導体集積回路10を適用する場合について説明する。なお、本実施の形態7では、先の実施の形態1〜6と同様である点の説明を省略し、先の実施の形態1〜6と異なる点を中心に説明する。
Claims (10)
- 主回路と、
不揮発性メモリと、
電源がオフされる際、前記主回路に対して診断を行って前記診断が完了したか否かを示す診断実行記録と、前記診断の結果を示す診断結果とを前記不揮発性メモリに記憶する自己診断処理を実行する自己診断回路と、
を備え、
前記自己診断回路は、
前記電源がオンされれば、前記不揮発性メモリから前記診断実行記録および前記診断結果を読み出すことによって、前記主回路が故障しているか否かを判定し、前記主回路が故障していると判定した場合には、前記主回路の状態を安全状態に移行させ、前記主回路が故障していないと判定した場合には、前記主回路に通常動作を開始させる
半導体集積回路。 - 主回路と、
電源がオフされる際、前記主回路に対して診断を行って前記診断が完了したか否かを示す診断実行記録と、前記診断の結果を示す診断結果とを、外部制御装置の不揮発性メモリに記憶する自己診断処理を実行する自己診断回路と、
を備え、
前記外部制御装置は、
前記電源がオンされれば、前記不揮発性メモリから前記診断実行記録および前記診断結果を読み出すことによって、前記主回路が故障しているか否かを判定し、前記主回路が故障していると判定した場合には、前記主回路の状態を安全状態に移行させる指令信号を前記主回路に与え、前記主回路が故障していないと判定した場合には、前記主回路に通常動作を開始させる指令信号を前記主回路に与える
半導体集積回路。 - 電源電圧が設定電圧に低下したことを検出すると、開始信号を出力する低電圧検出回路をさらに備え、
前記自己診断回路は、前記開始信号が入力されれば、前記自己診断処理の実行を開始する
請求項1または2に記載の半導体集積回路。 - 前記電源電圧の低下を抑制する電圧保持回路をさらに備えた
請求項3に記載の半導体集積回路。 - 前記低電圧検出回路は、前記電源電圧が前記設定電圧に低下したことを検出すると、前記開始信号とともに検出信号を出力し、
前記電圧保持回路は、前記検出信号が入力されれば、前記主回路の中の特定の回路の動作を停止させる
請求項4に記載の半導体集積回路。 - 前記電圧保持回路は、コンデンサによって構成される
請求項4に記載の半導体集積回路。 - センサから入力されるセンサ信号を処理し、処理後の前記センサ信号を出力信号として出力する物理量検出回路をさらに備え、
前記自己診断回路は、
前記開始信号が入力された後、前記物理量検出回路によって出力される前記出力信号が一定時間不変であれば、前記自己診断処理の実行を開始する
請求項3から6のいずれか1項に記載の半導体集積回路。 - 前記自己診断回路は、
前記自己診断処理を実行している途中に、前記物理量検出回路によって出力される前記出力信号が一定値以上変化すれば、前記自己診断処理を中断する
請求項7に記載の半導体集積回路。 - 前記自己診断回路は、前記自己診断処理を複数回繰り返し実行する
請求項1から8のいずれか1項に記載の半導体集積回路。 - 請求項1から9のいずれか1項に記載の半導体集積回路を備えた
回転検出装置。
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