JP2020007575A5 - - Google Patents

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支持する基材を、第1の軸を中心に回転させる基材支持機構と、円筒状のターゲットが設置され、前記ターゲットを第2の軸を中心に回転させる第1のカソード部と、円筒状のターゲットが設置され、前記ターゲットを第3の軸を中心に回転させる第2のカソード部と、をチャンバ内に備え、前記第2の軸と前記第3の軸とは、前記第1の軸に対してねじれの位置に配置されており、前記第1の軸が伸びる方向における、第1の軸と前記基材支持機構の基材支持面との距離Maと第2の軸と前記基材支持機構の基材支持面との距離Maとが、Ma<Mbを満たし、前記第1の軸が伸びる方向からみたときの、前記第1の軸と前記第2の軸との距離Laと、前記第1の軸と前記第3の軸との距離Lbとが、La>Lbの関係を満たす、ことを特徴とする。

Claims (15)

  1. 支持する基材を、第1の軸を中心に回転させる基材支持機構と、
    筒状のターゲットが設置され、前記ターゲットを第2の軸を中心に回
    転させる第1のカソード部と、
    円筒状のターゲットが設置され、前記ターゲットを第3の軸を中心に回転させる第2のカソード部と、
    をチャンバ内に備え、
    前記第2の軸と前記第3の軸とは、前記第1の軸に対してねじれの位置に配置されており、
    前記第1の軸が伸びる方向における、第1の軸と前記基材支持機構の基材支持面との距離Maと第2の軸と前記基材支持機構の基材支持面との距離Maとが、Ma<Mbを満たし、
    前記第1の軸が伸びる方向からみたときの、前記第1の軸と前記第2の軸との距離Laと、前記第1の軸と前記第3の軸との距離Lbとが、La>Lbの関係を満たす、
    ことを特徴とする成膜装置。
  2. 前記第1の軸が伸びる方向からみたときの、前記基材支持機構に支持される基材の被成膜面のうち前記第1の軸から最も離れた点が描く円の半径をRとすると、前記第2の回転軸と前記第1の軸との距離はR以上であり、前記第2の軸と前記第1の軸との距離は1/2R以上かつ前記第2の軸と前記第1の軸との間の距離以下である、
    ことを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
  3. 前記第1および第2のカソード部それぞれの、回転の軸方向におけるターゲット設置領域の幅が、前記2Rよりも大きい、
    ことを特徴とする請求項2に記載の成膜装置。
  4. 前記第1および第2のカソード部それぞれの、回転の軸方向におけるターゲット設置領域の幅が、前記2Rよりも小さい、
    ことを特徴とする請求項2に記載の成膜装置。
  5. 前記第1および第2のカソード部は、それぞれ回転の軸に沿って、前記第1の軸に対する傾斜角が調整可能なマグネットを備えている、
    ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の成膜装置
  6. 前記1のカソード部が備えるマグネットの前記第1の軸に対する傾斜角と第2のカソード部が備えるマグネットの前記第1の軸に対する傾斜角が、それぞれ個別に調整可能であることを特徴とする請求項5に記載の成膜装置。
  7. 制御装置をさらに備えており、
    前記制御装置が、前記基材支持機構に設置される基材の配置および形状に応じて、前記1のカソード部が備えるマグネットの前記第1の軸に対する傾斜角と第2のカソード部が備えるマグネットの前記第1の軸に対する傾斜角を個別に制御する、
    ことを特徴とする請求項6に記載の成膜装置。
  8. 前記第1および第2のカソード部それぞれが備える前記マグネットは、それぞれのカソード部の回転の軸に沿って複数に分割して配置されており、分割されたそれぞれのマグネットの回転の径方向における位置を個別に制御する機構をさらに備える、
    ことを特徴とする請求項5乃至7のいずれか1項に記載の成膜装置。
  9. 前記第1および第2のカソード部それぞれにターゲットを設置された、請求項1乃至8のいずれか1項に記載の成膜装置を用いる成膜方法であって、
    記基材支持機構に設置する基材の形状および配置を取得する工程と、
    取得した前記前記基材の形状および配置に基づいて、前記1のカソード部が備えるマグネットの前記第1の軸に対する傾斜角と第2のカソード部が備えるマグネットの前記第1の軸に対する傾斜角を設定する工程と、
    前記第1および第2のカソード部に電圧を印加する工程と、
    を含むことを特徴とする成膜方法。
  10. 前記第1および第2のカソード部に電圧を印加する工程において、交流電源を用い、前記第1のカソード部と前記第2のカソード部に交互に電力を供給する、
    ことを特徴とする請求項9に記載の成膜方法。
  11. 前記基材が凹面または凸面を有し、その半開角が40°以上である、
    ことを特徴とする請求項9または10に記載の成膜方法。
  12. 基材の上に膜を有するレンズの製造方法であって、
    前記第1および第2のカソード部それぞれにターゲットを設置された、請求項1乃至8のいずれか1項に記載の成膜装置の前記基材支持機構に前記基材を設置する工程と、
    前記基材の形状および配置を取得する工程と、
    取得した前記基材の形状および配置に基づいて、前記1のカソード部が備えるマグネットの前記第1の軸に対する傾斜角と第2のカソード部が備えるマグネットの前記第1の軸に対する傾斜角を設定する工程と、
    前記第1および第2のカソード部に電圧を印加する工程と、
    を含むことを特徴とするレンズの製造方法。
  13. 前記第1および第2のカソード部に電圧を印加する工程において、交流電源を用い、前記第1のカソード部と前記第2のカソード部に交互に電力を供給する、
    ことを特徴とする請求項12に記載のレンズの製造方法。
  14. 前記基材が凹面または凸面を有し、その半開角が40°以上である、
    ことを特徴とする、
    請求項12または13に記載のレンズの製造方法。
  15. 前記膜が反射防止膜である、
    ことを特徴とする請求項12乃至14のいずれか一項に記載のレンズの製造方法。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020112986A1 (de) 2020-05-13 2021-11-18 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Magnetronanordnung
WO2022074893A1 (ja) * 2020-10-08 2022-04-14 株式会社アルバック 回転式カソードユニット用の駆動ブロック
CN112251727B (zh) * 2020-10-22 2022-08-26 凯盛信息显示材料(黄山)有限公司 磁控溅射镀膜设备及ito玻璃的制备方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5108574A (en) * 1991-01-29 1992-04-28 The Boc Group, Inc. Cylindrical magnetron shield structure
JPH0835064A (ja) * 1994-07-20 1996-02-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd スパッタリング装置
JP2002220664A (ja) 2000-11-24 2002-08-09 Murata Mfg Co Ltd スパッタ粒子の放出角度分布計測方法、膜厚分布シミュレーション方法及びスパッタ装置
DE10145201C1 (de) * 2001-09-13 2002-11-21 Fraunhofer Ges Forschung Einrichtung zum Beschichten von Substraten mit gekrümmter Oberfläche durch Pulsmagnetron-Zerstäuben
CN2656432Y (zh) 2003-09-11 2004-11-17 深圳豪威真空光电子股份有限公司 旋转式磁控溅射靶
JP2005133110A (ja) 2003-10-28 2005-05-26 Konica Minolta Opto Inc スパッタリング装置
DE502004010804D1 (de) * 2004-05-05 2010-04-08 Applied Materials Gmbh & Co Kg Beschichtungsvorrichtung mit grossflächiger Anordnung von drehbaren Magnetronkathoden
US9175383B2 (en) * 2008-01-16 2015-11-03 Applied Materials, Inc. Double-coating device with one process chamber
US8057649B2 (en) 2008-05-06 2011-11-15 Applied Materials, Inc. Microwave rotatable sputtering deposition
US20120164051A1 (en) * 2009-05-07 2012-06-28 Stefan Bruns Method for the production of oxide and nitride coatings and its use
CN104350173A (zh) 2012-05-29 2015-02-11 应用材料公司 用于涂布基板的方法及涂布机
WO2013179544A1 (ja) * 2012-05-31 2013-12-05 東京エレクトロン株式会社 マグネトロンスパッタ装置
JP5921351B2 (ja) 2012-06-14 2016-05-24 キヤノン株式会社 成膜装置
JP6205520B2 (ja) 2015-02-24 2017-09-27 株式会社アルバック マグネトロンスパッタリング装置用の回転式カソードユニット
CN104878356B (zh) 2015-06-08 2017-11-24 光驰科技(上海)有限公司 一种磁控溅射靶材磁铁放置角度的确定方法
CN111733389A (zh) * 2015-06-16 2020-10-02 施耐德两合公司 用于镜片覆层的装置
KR20180137536A (ko) 2016-04-21 2018-12-27 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판을 코팅하기 위한 방법들 및 코터

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