JP2019502263A - How to interconnect solar cells - Google Patents

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Abstract

光起電力モジュールは、その最上部上に複数の導電性相互接続部を有する後部基板を備える。導電性相互接続部は、第1の接触領域および第2の接触領域を含む。光起電力モジュールは、支持基板の最上部上の後部電極の最上部上の光起電力層の前部表面上に配置された前部電極を備える複数の光起電力セルをさらに備える。第1のセルの支持基板を貫いて伸長する複数の後部ビアは、後部電極と第2の接触領域の間で電気的接触を形成し、第2のセルの支持基板、後部電極、および光起電力層を貫いて伸長する複数の前部ビアは、前部電極と第1の接触領域の間で電気的接触を形成し、後部電極、および光起電力層のP側と電気的に接触しないように絶縁される。
【選択図】図1A
The photovoltaic module comprises a rear substrate having a plurality of conductive interconnects on its top. The conductive interconnect includes a first contact area and a second contact area. The photovoltaic module further comprises a plurality of photovoltaic cells comprising a front electrode disposed on the front surface of the photovoltaic layer on the top of the rear electrode on the top of the support substrate. A plurality of rear vias extending through the support substrate of the first cell form an electrical contact between the rear electrode and the second contact region, and the second cell support substrate, the rear electrode, and the photovoltaic cell. A plurality of front vias extending through the power layer form an electrical contact between the front electrode and the first contact region and are not in electrical contact with the rear electrode and the P side of the photovoltaic layer. So as to be insulated.
[Selection] Figure 1A

Description

[関連出願の相互参照]
本願は、2016年1月13日に提出された、「太陽電池を相互接続する方法」と題する米国特許出願公開第14/994,889号明細書の優先権を主張する。この先行出願の開示は、参照により全体が本明細書に組み込まれる。
[Cross-reference of related applications]
This application claims priority from US Patent Application Publication No. 14 / 994,889, filed January 13, 2016, entitled “Method of Interconnecting Solar Cells”. The disclosure of this prior application is incorporated herein by reference in its entirety.

本発明は、一般に光起電力セルに関し、より詳細には光起電力セルを光起電力モジュールに相互接続することに関する。   The present invention relates generally to photovoltaic cells, and more particularly to interconnecting photovoltaic cells to photovoltaic modules.

太陽電池は、光エネルギーを電気エネルギーに変換する、広く使用される技術になった。太陽電池のアレイを相互接続し、ソーラーモジュールまたはソーラーパネルに組み立てて、個々の太陽電池により発生した集合電流および集合電圧を達成することができる。太陽電池を相互接続する、1つの広く行われている取り組み方法は、電気接続を実現するために、2つの太陽電池、たとえば上部電池および下部電池を、重ね合わせることである。典型的な太陽電池構成では、上部電池の後部電極が、下部電池の前部電極と電気的に接続される。この手法では、複数の太陽電池が直列に相互接続される。   Solar cells have become a widely used technology for converting light energy into electrical energy. Arrays of solar cells can be interconnected and assembled into solar modules or solar panels to achieve the collective current and collective voltage generated by the individual solar cells. One widely approached approach to interconnecting solar cells is to superimpose two solar cells, such as an upper cell and a lower cell, to achieve an electrical connection. In a typical solar cell configuration, the rear electrode of the upper cell is electrically connected to the front electrode of the lower cell. In this technique, a plurality of solar cells are interconnected in series.

より具体的には、太陽電池の光起電力(PV)層の前部側および後部側上に配置された金属コンタクトは、それぞれ前部電極および後部電極を形成する。後部電極は、PV層と非導電性基板層の間に配置される。したがって、2つの電池が互いに部分的に重なり合うとき、非導電性基板は、上部電池の後部電極と下部電池の前部電極との間に配置される。2つの重なり合う電池の間に電気的導通を提供するために、基板上にビアを作成し、一般に充填処理中に樹脂、ペースト、またはインクの形をとり、かつ硬化処理後に硬化する導電性材料を、ビアに充填する。   More specifically, the metal contacts disposed on the front and rear sides of the photovoltaic (PV) layer of the solar cell form a front electrode and a rear electrode, respectively. The rear electrode is disposed between the PV layer and the non-conductive substrate layer. Thus, when the two batteries partially overlap each other, the non-conductive substrate is disposed between the rear electrode of the upper battery and the front electrode of the lower battery. To provide electrical continuity between two overlapping cells, create a via on the substrate, typically in the form of a resin, paste, or ink during the filling process, and a conductive material that cures after the curing process Fill the vias.

実際には、後部ビアは通常、潜在的に接触不良につながる可能性がある、ビアの内側の空所形成を防止するために、導電性材料を過充填しがちである。しかしながら、特に、2つの太陽電池を積み重ね、かつ一体化するために一緒に押しつけるとき、後部ビアに過剰な導電性材料を充填することにより、ビアから導電性材料の、制御されていない横からのオーバーフロー(スミア)が引き起こされる傾向がある。望ましくないことには、導電性材料オーバーフローは、別の太陽電池(たとえば、下部太陽電池)の前部電極および後部電極に到達し、ブリッジし、短絡を引き起こす可能性がある。   In practice, rear vias usually tend to overfill with conductive material to prevent void formation inside the via, which can potentially lead to poor contact. However, especially when two solar cells are stacked and pressed together to integrate, by filling the rear vias with excess conductive material, the conductive material from the vias is uncontrolled from the side. There is a tendency to cause overflow (smear). Undesirably, the conductive material overflow can reach the front and rear electrodes of another solar cell (eg, the lower solar cell), bridge, and cause a short circuit.

従来、この問題を解決するために、太陽電池の周辺に絶縁材料を堆積させ、次に硬化手順が続く。ソーラーモジュールの機械的完全性のために、重なり合っている太陽電池を両方とも接合するために、および上述の導電性材料オーバーフローが短絡を引き起こさないように、絶縁用接着剤を塗布することができる。   Conventionally, to solve this problem, an insulating material is deposited around the solar cell, followed by a curing procedure. For the mechanical integrity of the solar module, an insulating adhesive can be applied to join both the overlapping solar cells and so that the conductive material overflow described above does not cause a short circuit.

さらに、ソーラーモジュールの一続きの太陽電池は、相互接続された太陽電池のエネルギー生成能力が消散しないように、相互接続された太陽電池の特性が不整合にならないように保護する必要がある。重なり合う構造で太陽電池が配列されたとき、1つの方法は、いくつかの太陽電池に対応する場所にリボン状導体を配置することにより、ソーラーモジュールの1群の太陽電池に、バイパスダイオードとも呼ばれるダイオードを接続することである。リボン状導体は、ダイオードの接触端子と、バイパスすべき一続きの太陽電池の接触端子との間に電気的接触を提供する。   Furthermore, a series of solar cells in a solar module needs to be protected from mismatching of the characteristics of the interconnected solar cells so that the energy generation capabilities of the interconnected solar cells are not dissipated. When solar cells are arranged in an overlapping structure, one method is to place a ribbon-like conductor in a location corresponding to several solar cells, so that a group of solar cells in a solar module is also referred to as a bypass diode. Is to connect. The ribbon conductor provides electrical contact between the contact terminals of the diode and the series of solar cell contact terminals to be bypassed.

したがって、太陽電池と個々の太陽電池の関連する絶縁材との間の重なり合いを除去し、太陽電池と、関連する絶縁材との重なり合いに起因する、ソーラーパネル全体の厚さを低減し、ソーラーモジュールの一続きの太陽電池とダイオードを都合よく接続する必要がある。   Therefore, it eliminates the overlap between the solar cell and the associated insulation of the individual solar cells, reduces the overall thickness of the solar panel due to the overlap between the solar cell and the associated insulation, and the solar module A series of solar cells and diodes need to be conveniently connected.

本開示による代表的一実施形態では、光起電力セルは、光エネルギーを電気エネルギーに変換するように構成された光起電力層と、光起電力層の第1の側に配置された前部導電層と、光起電力層の第2の側に配置された後部導電層とを含む。第2の側は、第1の側の反対側にあり、前部導電層および後部導電層は、光起電力層から発生する電流を外部回路に伝導するように構成される。光起電力セルは、後部導電層の下に配置された支持基板をさらに含み、後部ビアは、支持基板を貫いて伸長し、導電性材料を分配され、後部導電層と電気的接触を形成し、前部ビアは、支持基板層、後部導電層、および光起電力層を貫いて伸長し、導電性材料および絶縁材料を分配される。絶縁材料は、後部導電層、および光起電力層のP側と電気的に接触しないように導電性材料を絶縁し、導電性材料は、前部導電層と電気的接触を形成する。   In an exemplary embodiment according to the present disclosure, a photovoltaic cell includes a photovoltaic layer configured to convert light energy into electrical energy, and a front portion disposed on a first side of the photovoltaic layer. A conductive layer and a rear conductive layer disposed on the second side of the photovoltaic layer. The second side is opposite the first side, and the front conductive layer and the rear conductive layer are configured to conduct current generated from the photovoltaic layer to an external circuit. The photovoltaic cell further includes a support substrate disposed below the back conductive layer, and the back via extends through the support substrate and is distributed with conductive material to form electrical contact with the back conductive layer. The front via extends through the support substrate layer, the rear conductive layer, and the photovoltaic layer to distribute the conductive and insulating materials. The insulating material insulates the conductive material from electrical contact with the rear conductive layer and the P side of the photovoltaic layer, and the conductive material makes electrical contact with the front conductive layer.

本開示による別の代表的実施形態では、光起電力モジュールは、後部基板と、後部基板の外面の最上部に配置された複数の導電性相互接続部とを含む。導電性相互接続部は、第1の接触領域および第2の接触領域を有する。光起電力モジュールは、後部基板の外面の最上部で互いに電気的に結合した複数の光起電力セルをさらに含む。光起電力セルは、支持基板の最上部上の後部電極の最上部上の光起電力層の前部表面上に配置された前部電極を備える。光起電力セルはまた、支持基板を貫いて伸長して、後部電極と電気的接触を形成する複数の後部ビアと、支持基板、後部電極、および光起電力層を貫いて伸長して、前部電極と電気的接触を形成し、後部電極、および光起電力層のP側と電気的に接触しないように絶縁される複数の前部ビアとを備える。複数の導電性相互接続部のうちの1つの導電性相互接続部の第1の接触領域は、複数の光起電力セルのうちの第1の光起電力セルの複数の前部ビアに電気的に結合し、導電性相互接続部の第2の領域は、複数の光起電力セルのうちの第2の光起電力セルの複数の後部ビアに電気的に結合する。   In another exemplary embodiment according to the present disclosure, a photovoltaic module includes a rear substrate and a plurality of conductive interconnects disposed on top of the outer surface of the rear substrate. The conductive interconnect has a first contact area and a second contact area. The photovoltaic module further includes a plurality of photovoltaic cells electrically coupled together at the top of the outer surface of the rear substrate. The photovoltaic cell comprises a front electrode disposed on the front surface of the photovoltaic layer on the top of the back electrode on the top of the support substrate. The photovoltaic cell also extends through the support substrate to form a plurality of rear vias that form electrical contact with the rear electrode, and extends through the support substrate, the rear electrode, and the photovoltaic layer to provide a front end. A plurality of front vias that form electrical contact with the partial electrodes and are insulated so as not to be in electrical contact with the rear electrode and the P side of the photovoltaic layer. The first contact region of one of the plurality of conductive interconnects is electrically connected to the plurality of front vias of the first photovoltaic cell of the plurality of photovoltaic cells. And the second region of the conductive interconnect is electrically coupled to a plurality of rear vias of the second photovoltaic cell of the plurality of photovoltaic cells.

本開示によるさらに別の代表的実施形態では、光起電力セルを相互接続する方法を提供する。光起電力セルは、支持基板上の後部電極上に配置された光起電力層上に配置された前部電極と、支持基板を貫いて伸長して、後部電極と電気的接触を形成する複数の後部ビアと、支持基板、後部電極、および光起電力層を貫いて伸長して、前部電極と電気的接触を形成し、後部電極、および光起電力層のP側と電気的に接触しないように絶縁される複数の前部ビアとを含む。方法は、後部基板の外面上に導電性相互接続部を取り付けるステップを含み、導電性相互接続部は、第1の接触領域および第2の接触領域を有する。方法はまた、導電性相互接続部の第1の接触領域と重なるように第1の光起電力セルを取り付けるステップを含み、そこでは、第1の光起電力セルの複数の前部ビアは、導電性相互接続部の第1の接触領域と第1の光起電力セルの前部電極との間で電気的に結合される。方法は、導電性相互接続部の第2の接触領域と重なるように第2の光起電力セルを取り付けるステップをさらに含み、そこでは、第2の光起電力セルの複数の後部ビアは、導電性相互接続部の第2の接触領域と第2の光起電力セルの後部電極との間で電気的に結合される。   In yet another exemplary embodiment according to the present disclosure, a method for interconnecting photovoltaic cells is provided. The photovoltaic cell includes a front electrode disposed on the photovoltaic layer disposed on the rear electrode on the support substrate, and a plurality extending through the support substrate to form electrical contact with the rear electrode. Extending through the rear via and the support substrate, rear electrode, and photovoltaic layer to form electrical contact with the front electrode and in electrical contact with the rear electrode and the P side of the photovoltaic layer And a plurality of front vias that are insulated so as not to be insulated. The method includes attaching a conductive interconnect on the outer surface of the back substrate, the conductive interconnect having a first contact area and a second contact area. The method also includes attaching the first photovoltaic cell to overlap the first contact region of the conductive interconnect, wherein the plurality of front vias of the first photovoltaic cell include: Electrically coupled between the first contact region of the conductive interconnect and the front electrode of the first photovoltaic cell. The method further includes attaching a second photovoltaic cell to overlap the second contact region of the conductive interconnect, wherein the plurality of rear vias of the second photovoltaic cell are electrically conductive. Electrically coupled between the second contact region of the conductive interconnect and the rear electrode of the second photovoltaic cell.

類似の参照文字が類似の要素を指定する添付図面と併せて解釈されたとき、以下の詳細な説明を読むことにより、本発明の実施形態は、よりよく理解されるであろう。   Embodiments of the present invention will be better understood by reading the following detailed description when taken in conjunction with the accompanying drawings, in which like reference characters designate like elements.

本開示の一実施形態による、それぞれのビア構造物を通して導電性相互接続部にそれぞれ電気的に結合した2つの代表的光起電力セルの一体化構成の平面図である。2 is a plan view of an integrated configuration of two exemplary photovoltaic cells each electrically coupled to a conductive interconnect through a respective via structure according to an embodiment of the present disclosure. FIG. 線A−Aに沿って得られる、図1Aの一体化構成の断面図である。1B is a cross-sectional view of the integrated configuration of FIG. 1A taken along line AA. FIG. 線B−Bに沿って得られる、図1Aの一体化構成の断面図である。1B is a cross-sectional view of the integrated configuration of FIG. 1A taken along line BB. FIG. 本開示の一実施形態による、PVセルの前部表面からの、複数の前部ビアおよび複数の後部ビアを有する代表的PVセルの平面図である。2 is a plan view of an exemplary PV cell having a plurality of front vias and a plurality of rear vias from the front surface of the PV cell, according to one embodiment of the present disclosure. FIG. 線A−Aに沿って得られる、図2AのPVセルの断面図である。2B is a cross-sectional view of the PV cell of FIG. 2A taken along line AA. FIG. 線B−Bに沿って得られる、図2AのPVセルの断面図である。2B is a cross-sectional view of the PV cell of FIG. 2A taken along line BB. FIG. 本開示の一実施形態による、絶縁材料で絶縁された前部ビアを示す、代表的PVセルの一部分の断面図である。2 is a cross-sectional view of a portion of an exemplary PV cell showing a front via insulated with an insulating material, according to one embodiment of the present disclosure. FIG. 本開示の一実施形態による、絶縁材料で絶縁された前部ビアを示す、別の代表的PVセルの一部分の断面図を示す。FIG. 6 shows a cross-sectional view of a portion of another exemplary PV cell showing a front via insulated with an insulating material, according to one embodiment of the present disclosure. 本開示の一実施形態による、絶縁材料で絶縁された前部ビアを示す、別の代表的PVセルの一部分の断面図を示す。FIG. 6 shows a cross-sectional view of a portion of another exemplary PV cell showing a front via insulated with an insulating material, according to one embodiment of the present disclosure. 本開示の一実施形態による、導電性材料を分配された、絶縁された前部ビアを示す、代表的PVセルの一部分の断面図である。1 is a cross-sectional view of a portion of an exemplary PV cell showing an insulated front via with a conductive material dispensed, according to one embodiment of the present disclosure. FIG. 本開示の一実施形態による、導電性材料を分配された後部ビアを示す、代表的PVセルの一部分の断面図である。2 is a cross-sectional view of a portion of an exemplary PV cell showing a rear via that has been distributed with conductive material, in accordance with an embodiment of the present disclosure. FIG. 本開示の一実施形態による、導電性材料を分配された、別様に絶縁された前部ビアを示す、代表的PVセルの一部分の断面図である。2 is a cross-sectional view of a portion of an exemplary PV cell showing a differently insulated front via distributed with conductive material, according to one embodiment of the present disclosure. FIG. 本開示の一実施形態による、複数の前部ビアおよび複数の後部ビアを示す、PVセルの後部表面からの平面図である。FIG. 3 is a plan view from the rear surface of a PV cell showing a plurality of front vias and a plurality of rear vias according to an embodiment of the present disclosure. 本開示の一実施形態による、複数の導電性相互接続部を示す、後部基板の平面図である。2 is a plan view of a rear substrate showing a plurality of conductive interconnects according to an embodiment of the present disclosure. FIG. 本開示の一実施形態による、図7Aの後部基板の最上部上の導電性相互接続部に結合している第1および第2のPVセルを示す。FIG. 7B illustrates first and second PV cells coupled to conductive interconnects on the top of the rear substrate of FIG. 7A, according to one embodiment of the present disclosure. 本開示の一実施形態による、図7Aの複数の導電性相互接続部により相互接続された複数のPVセルを示す、代表的PVモジュールの平面図である。FIG. 7B is a plan view of an exemplary PV module illustrating a plurality of PV cells interconnected by the plurality of conductive interconnects of FIG. 7A according to one embodiment of the present disclosure. 本開示の一実施形態による、相互接続拡張部分に電気的に結合したダイオードを示す、代表的PVモジュールの平面図である。1 is a plan view of an exemplary PV module showing a diode electrically coupled to an interconnect extension according to one embodiment of the present disclosure. FIG.

次に、添付図面に例が示されている、本発明の好ましい実施形態を詳細に参照する。本発明について、好ましい実施形態と併せて説明するが、好ましい実施形態は、これらの実施形態に本発明を限定するものではないことが理解されよう。それどころか、本発明は、添付の特許請求の範囲により規定されるような本発明の精神および範囲に含まれてもよい代替形態、修正形態、および均等物を包含することが意図される。さらに、本発明の実施形態についての、以下の詳細な説明では、本明細書を完全に理解できるように、数多くの具体的な詳細を記載する。しかしながら、本発明は、これら特定の詳細なしに実施されてもよいことを当業者は認識されよう。他の場合には、本発明の実施形態の態様を不必要に曖昧にしないように、周知の方法、手順、構成要素、および回路について詳細に説明しない。明確にするために、番号付ステップのシーケンスとして方法について表現する場合があるが、番号付けは、ステップの順序を必ずしも規定しなくてもよい。ステップのいくつかをスキップしても、並列に遂行しても、シーケンスの順序を厳密に維持するという要件なしに遂行してもよいことを理解されたい。本発明の実施形態を示す図面は、半図解式であり、縮尺通りではなく、詳細には、寸法のいくつかは、明確に提示するためのものであり、描いている図では誇張して示されている。同様に、説明を容易にするために、図面の視線は、一般に類似の向きで示すが、図のこの描写は、大部分は任意である。一般に、本発明を、任意の向きで動作させることができる。   Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings. While the invention will be described in conjunction with the preferred embodiments, it will be understood that the preferred embodiments are not intended to limit the invention to these embodiments. On the contrary, the invention is intended to cover alternatives, modifications, and equivalents, which may be included within the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. Furthermore, in the following detailed description of embodiments of the present invention, numerous specific details are set forth in order to provide a thorough understanding of the specification. However, one skilled in the art will recognize that the invention may be practiced without these specific details. In other instances, well-known methods, procedures, components, and circuits have not been described in detail as not to unnecessarily obscure aspects of the embodiments of the present invention. For clarity, the method may be expressed as a sequence of numbered steps, but numbering does not necessarily define the order of the steps. It should be understood that some of the steps may be skipped, performed in parallel, or performed without the requirement to maintain strict sequence order. The drawings illustrating embodiments of the present invention are semi-schematic, not to scale, and in particular, some of the dimensions are for clarity and are exaggerated in the drawings. Has been. Similarly, for ease of explanation, the line of sight of the drawing is generally shown in a similar orientation, although this depiction of the drawing is largely arbitrary. In general, the present invention can be operated in any orientation.

[専門用語の注釈]
しかしながら、これらおよび類似の用語は、適当な物理量と関連づけられるべきものであり、これらの量に適用された単に便利なラベルであることを心に留めておかれたい。以下の議論から明白なように、特に指定のない限り、本発明を通じて、「処理する」または「アクセスする」または「実行する」または「記憶する」または「レンダリングする」などの用語を利用する議論は、コンピュータシステムまたは類似の電子計算機器の活動および処理を指すことが認識され、このコンピュータシステムまたは類似の電子計算機器は、コンピュータシステムのレジスタおよびメモリ、ならびに他のコンピュータ可読媒体内部で、物理(電気)量として表現されたデータを操作し、コンピュータシステムのメモリもしくはレジスタ、または他のそのような情報の記憶装置、伝送機器、または表示機器の内部の物理量として同様に表現された他のデータに変換する。構成要素がいくつかの実施形態で出現するとき、同じ参照番号を使用することは、その構成要素が元の実施形態で示されるのと同じ構成要素であることを意味する。
[Explanation of technical terms]
However, it should be borne in mind that these and similar terms are to be associated with the appropriate physical quantities and are merely convenient labels applied to these quantities. As will be apparent from the following discussion, unless otherwise specified, discussions that utilize terms such as "process" or "access" or "execute" or "store" or "render" throughout the present invention Is recognized as referring to the activities and processing of a computer system or similar electronic computing device, which is physically (inside the registers and memory of the computer system and other computer readable media) Manipulating data expressed as electrical) quantities and into other data similarly expressed as physical quantities within a computer system memory or register, or other such information storage, transmission equipment, or display equipment Convert. When a component appears in some embodiments, using the same reference number means that the component is the same component as shown in the original embodiment.

[太陽電池を相互接続する方法]
本発明の実施形態について、太陽電池をソーラーモジュールまたはソーラー・サブ・モジュールに相互接続することに関して説明する。そのような太陽電池の例は、光起電力デバイス、オプトエレクトロニクスデバイス、半導体デバイス、および任意の電子デバイス(たとえば、ダイオード、発光ダイオード(LED)など)を含むが、それらに限定されない。オプトエレクトロニクスデバイスのそのような金属コンタクトの例は、フィンガー・バス・バー構成を含むが、それに限定されない、オプトエレクトロニクスデバイスの任意の電極パターンを含む。
[Method of interconnecting solar cells]
Embodiments of the present invention are described with respect to interconnecting solar cells to solar modules or solar sub-modules. Examples of such solar cells include, but are not limited to, photovoltaic devices, optoelectronic devices, semiconductor devices, and any electronic device (eg, diode, light emitting diode (LED), etc.). Examples of such metal contacts for optoelectronic devices include any electrode pattern of optoelectronic devices, including but not limited to finger bus bar configurations.

本明細書では、用語「ソーラーモジュール」および「光起電力(PV)モジュール」を交換可能に使用し、用語「太陽電池」および「PVセル」を交換可能に使用する。本明細書では、PVセルがエネルギー変換のために定位置に据え付けられたときの、PVセルの意図する向きを基準にして、用語「前部」、「後部」、「最上部」、および「下部」を使用する。たとえば、PVセルの前部側は、太陽光の方へ向くことが意図される。   In this specification, the terms “solar module” and “photovoltaic (PV) module” are used interchangeably, and the terms “solar cell” and “PV cell” are used interchangeably. As used herein, the terms “front”, “rear”, “top”, and “relative to the intended orientation of the PV cell when the PV cell is installed in place for energy conversion” Use "bottom". For example, the front side of the PV cell is intended to face toward sunlight.

本開示は、太陽電池の任意の具体的な構成、構造、寸法、幾何形状、材料組成、製作プロセス、または用途に限定されない。いくつかの実施形態では、太陽電池のPV層は、GaAs、銅・インジウム・ガリウム・セレン(CIGS)、テルル化カドミウム(CdTe)、アモルファスシリコン、アモルファス微結晶タンデム、薄膜多結晶シリコンなどに基づく、1つまたは複数の薄膜サブ層を含んでもよい。太陽電池の基板は、可撓性があっても、剛性を有してもよく、ポリマー、シリコン、ガラスなどから作られてもよい。たとえば、基板は、可撓性があり、感圧接着剤(PSA)層およびポリエチレンテレフタレート(PET)層を含む。   The present disclosure is not limited to any specific configuration, structure, dimensions, geometry, material composition, fabrication process, or application of solar cells. In some embodiments, the PV cell PV layer is based on GaAs, copper-indium-gallium-selenium (CIGS), cadmium telluride (CdTe), amorphous silicon, amorphous microcrystalline tandem, thin film polycrystalline silicon, etc. One or more thin film sub-layers may be included. The substrate of the solar cell may be flexible or rigid, and may be made from a polymer, silicon, glass or the like. For example, the substrate is flexible and includes a pressure sensitive adhesive (PSA) layer and a polyethylene terephthalate (PET) layer.

いくつかの実施形態では、PVセルのアレイは、より高い電力発生を達成するために、電気的に直列に結合され、そこではたとえば、それぞれのPVセルの前部電極は、別のPVセルの後部電極と接続される。図1Aは、本開示の一実施形態による、導電性相互接続部130にそれぞれ電気的に結合された、2つの代表的PVセル110および120の一体化構成を示す平面図である。PVセル110およびPVセル120はそれぞれ、最上部表面および後部表面(図示せず)を有する。導電性相互接続部130はまた、最上部表面130−1および後部表面(図示せず)を有する。PVセル110および120は、相互接続部130と部分的に重なり合うことにより、PVセル110および120の後部表面で導電性相互接続部130の最上部表面130−1に結合する。PVセル110の複数の後部ビア内に分配された導電性材料により、PVセル110と相互接続部130との間に電気的接触が提供され、PVセル120の複数の前部ビア内に分配された導電性材料により、PVセル120と相互接続部130との間の電気的接触が提供される。   In some embodiments, an array of PV cells is electrically coupled in series to achieve higher power generation, where, for example, the front electrode of each PV cell is connected to another PV cell. Connected to the rear electrode. FIG. 1A is a plan view illustrating an integrated configuration of two representative PV cells 110 and 120, each electrically coupled to a conductive interconnect 130, according to one embodiment of the present disclosure. PV cell 110 and PV cell 120 each have a top surface and a back surface (not shown). The conductive interconnect 130 also has a top surface 130-1 and a back surface (not shown). PV cells 110 and 120 partially overlap with interconnect 130 to couple to the top surface 130-1 of conductive interconnect 130 at the rear surface of PV cells 110 and 120. Conductive material distributed in the plurality of rear vias of the PV cell 110 provides electrical contact between the PV cell 110 and the interconnect 130 and is distributed in the plurality of front vias of the PV cell 120. The electrically conductive material provides electrical contact between the PV cell 120 and the interconnect 130.

図1Bは、線A−Aに沿って得られる、図1Aの一体化構成の断面図である。PVセル110は、前部金属層111、PV層112、後部金属層113、および非導電支持基板層114を含む。PVセル110は、支持基板層114内に複数の後部ビア115をさらに含む。後部ビア115は、基板層114を貫いて伸長し、PVセル110の後部金属層113の一部分を露出する。後部ビア115は、PVセル110の後部金属層113と相互接続部130との間に電気接続を提供する導電性材料を分配される。   FIG. 1B is a cross-sectional view of the integrated configuration of FIG. 1A taken along line AA. The PV cell 110 includes a front metal layer 111, a PV layer 112, a rear metal layer 113, and a non-conductive support substrate layer 114. The PV cell 110 further includes a plurality of rear vias 115 in the support substrate layer 114. The rear via 115 extends through the substrate layer 114 and exposes a portion of the rear metal layer 113 of the PV cell 110. The rear via 115 is distributed with a conductive material that provides electrical connection between the rear metal layer 113 of the PV cell 110 and the interconnect 130.

図1Cは、線B−Bに沿って得られる、図1Aの一体化構成の断面図である。PVセル120は、前部金属層121、PV層122、後部金属層123、および非導電支持基板層124を含む。PVセル120は、複数の前部ビア126をさらに含む。前部ビア126は、基板層124、後部金属層123、およびPV層122からなる積層内で伸長し、PVセル120の前部金属層121の一部分を露出する。前部ビア126は、PVセル120の前部金属層121と相互接続部130との間で電気的接続を提供する導電性材料を分配され、それにより、PVセル110に電気的に直列に相互接続する。前部ビア126はまた、後部金属層123およびPV層122と電気的に接続しないように導電性材料を電気的に絶縁する絶縁材料(図示せず)を分配される。   1C is a cross-sectional view of the integrated configuration of FIG. 1A taken along line BB. The PV cell 120 includes a front metal layer 121, a PV layer 122, a rear metal layer 123, and a nonconductive support substrate layer 124. The PV cell 120 further includes a plurality of front vias 126. The front via 126 extends within the stack of the substrate layer 124, the rear metal layer 123, and the PV layer 122 and exposes a portion of the front metal layer 121 of the PV cell 120. The front via 126 is distributed conductive material that provides electrical connection between the front metal layer 121 of the PV cell 120 and the interconnect 130, thereby interconnecting the PV cell 110 electrically in series. Connecting. The front via 126 is also distributed with an insulating material (not shown) that electrically insulates the conductive material so that it is not electrically connected to the rear metal layer 123 and the PV layer 122.

典型的には、導電性材料は、後部金属層113が基板114と一体化された後、基板114の後部表面118から後部ビア115の中に分配される。導電性材料、および前部ビア126の壁の周囲にある絶縁材料は同じく、後部金属123が支持基板124と一体化された後、基板124の後部表面128から前部ビア126の中に分配される。ビアを通る、空所のない電気的接触を確実にするために、過剰な量の導電性材料をビアの中に分配することは実際に役立つ。導電性材料はまた、接着剤とすることができ、PVセル110およびPVセル120を相互接続部130に結合する。   Typically, the conductive material is distributed from the back surface 118 of the substrate 114 into the back via 115 after the back metal layer 113 is integrated with the substrate 114. The conductive material and the insulating material around the walls of the front via 126 are also distributed into the front via 126 from the rear surface 128 of the substrate 124 after the rear metal 123 is integrated with the support substrate 124. The It is actually helpful to distribute an excess amount of conductive material into the via to ensure a void-free electrical contact through the via. The conductive material can also be an adhesive that couples the PV cell 110 and the PV cell 120 to the interconnect 130.

図1に示すようなPVセルの各構成層は、さまざまな適切な材料組成を有してもよく、当技術分野で周知の任意の適切な手法で製作されても、PVセルに一体化されてもよいことを認識されよう。また、さまざまな構成層を一体化する順序は、特定の実施形態に応じて変わる。支持基板層はまた、支持基板を後部金属層に結合する1つまたは複数の接着材料層を含むことができる。たとえば、PSA層は、基板層を後部金属層に接合することができる。   Each component layer of a PV cell as shown in FIG. 1 may have a variety of suitable material compositions, and can be integrated into the PV cell, whether fabricated by any suitable technique known in the art. Recognize that you may. Also, the order in which the various constituent layers are integrated varies depending on the particular embodiment. The support substrate layer can also include one or more adhesive material layers that bond the support substrate to the back metal layer. For example, the PSA layer can bond the substrate layer to the back metal layer.

図2Aは、本開示の一実施形態による、複数の前部ビアおよび複数の後部ビアを有する代表的PVセルの平面図である。PVセル200の前部表面202上には、バスバー201Aおよび複数のフィンガー201Bを含むように櫛形前部電極を示す。複数の前部ビア203は、横方向に並んでバスバー201Aの真下に配置され、PVセル200の後部表面(図示せず)に複数の対応する開口部(破線の円で示す)有する。複数の後部ビア204は、横方向に並んでフィンガー電極間に配置され、PVセル200の後部表面(図示せず)に複数の対応する開口部(破線の円で示す)有する。   FIG. 2A is a plan view of an exemplary PV cell having a plurality of front vias and a plurality of rear vias according to one embodiment of the present disclosure. A comb-shaped front electrode is shown on the front surface 202 of the PV cell 200 to include a bus bar 201A and a plurality of fingers 201B. The plurality of front vias 203 are arranged in the horizontal direction and directly below the bus bar 201 </ b> A, and have a plurality of corresponding openings (indicated by broken circles) on the rear surface (not shown) of the PV cell 200. The plurality of rear vias 204 are arranged in the lateral direction between the finger electrodes and have a plurality of corresponding openings (shown by dashed circles) on the rear surface (not shown) of the PV cell 200.

図2Bは、前部ビア構造物を示す、線A−Aに沿って得られる、図2AのPVセルの一部分の断面図である。後部から前部へ、PVセル200は、支持基板層212、後部金属層210、PV層208、および前部金属層201Aを含む。支持基板層212は、PSA層212BおよびPET層212Aを含むように示されている。前部ビア203は、支持基板層212、後部金属層210、およびPV層208からなる積層を貫いて伸長して、前部電極の一部分を露出する。この例では、露出した前部金属層は、バスバー201Aの一部である。   FIG. 2B is a cross-sectional view of a portion of the PV cell of FIG. 2A taken along line AA showing the front via structure. From rear to front, the PV cell 200 includes a support substrate layer 212, a rear metal layer 210, a PV layer 208, and a front metal layer 201A. Support substrate layer 212 is shown to include a PSA layer 212B and a PET layer 212A. Front via 203 extends through the stack of support substrate layer 212, rear metal layer 210, and PV layer 208 to expose a portion of the front electrode. In this example, the exposed front metal layer is part of the bus bar 201A.

図2Cは、後部ビア構造物を示す、線B−Bに沿って得られる、図2AのPVセルの一部分の断面図である。後部から前部へ、PVセル200は、支持基板層212、後部金属層210、PV層208、および前部金属層201Bを含む。支持基板層212は、PSA層212BおよびPET層212Aを含むように示されている。後部ビア204は、支持基板層212を貫いて伸長して、後部金属層210の一部分を露出する。   2C is a cross-sectional view of a portion of the PV cell of FIG. 2A taken along line BB showing the rear via structure. From rear to front, the PV cell 200 includes a support substrate layer 212, a rear metal layer 210, a PV layer 208, and a front metal layer 201B. Support substrate layer 212 is shown to include a PSA layer 212B and a PET layer 212A. The rear via 204 extends through the support substrate layer 212 to expose a portion of the rear metal layer 210.

レーザーアブレーション、または当技術分野で公知の任意の適切な技法により、支持基板層212を貫いて穴をあけることにより、後部ビア204を形成することができる。レーザーアブレーションに続きウェットエッチングにより支持基板層212を貫いて穴をあけて、後部金属層210およびPV層208を貫いて伸長することにより、または当技術分野で公知の任意の適切な技法により、前部ビア203を形成することができる。いくつかの実施形態では、レーザーを使用して、支持基板層212、および後部金属層210の一部分を貫いて除去することができる。このとき、ウェットエッチングは、任意の残っている後部金属層210を取り除き、PV層208を貫いて伸長するように使用することができる。本明細書に示す前部ビアおよび後部ビアの形状、寸法、パターン、および数は、代表的なものでしかない。   The back via 204 can be formed by drilling through the support substrate layer 212 by laser ablation or any suitable technique known in the art. Laser ablation followed by wet etching through the support substrate layer 212 and extending through the back metal layer 210 and PV layer 208, or by any suitable technique known in the art. A partial via 203 can be formed. In some embodiments, a laser can be used to remove through the support substrate layer 212 and a portion of the back metal layer 210. At this time, wet etching can be used to remove any remaining back metal layer 210 and extend through the PV layer 208. The shapes, dimensions, patterns, and number of front and rear vias shown herein are only representative.

図3Aは、本開示の一実施形態による、絶縁材料を分配された代表的前部ビアの断面図である。図3Aに示すように、PVセル300の前部ビア304は、PVセル300の支持基板、後部金属層、およびPV層からなる積層302により囲まれた内面306を有する。絶縁壁308が、積層302の高さ全体を被覆して形成され、かつ空所307が、絶縁壁308により取り囲まれた前部ビア304の内側に形成されるように、内面306にわたり絶縁材料を分配する。絶縁材料308は、空所304の内側で導電性コンタクトと電気的に接触しないように、後部金属層、およびPV層のP側を絶縁する。絶縁壁308の厚さは、前部ビア304により露出した前部金属層303の一部分を被覆するが、露出した前部金属層303の一部分305を絶縁材料により被覆されないままにする。   FIG. 3A is a cross-sectional view of an exemplary front via with an insulating material dispensed according to one embodiment of the present disclosure. As shown in FIG. 3A, the front via 304 of the PV cell 300 has an inner surface 306 surrounded by a stack 302 comprised of the support substrate, rear metal layer, and PV layer of the PV cell 300. The insulating wall 308 is formed over the entire height of the laminate 302 and the insulating material is applied over the inner surface 306 such that the void 307 is formed inside the front via 304 surrounded by the insulating wall 308. Distribute. Insulating material 308 insulates the rear metal layer and the P side of the PV layer so as not to make electrical contact with the conductive contacts inside void 304. The thickness of the insulating wall 308 covers a portion of the front metal layer 303 exposed by the front via 304, but leaves the exposed portion 305 of the front metal layer 303 uncovered by the insulating material.

図3Bおよび図3Cは、本開示の別の実施形態による、絶縁材料を分配された代表的前部ビアの断面図である。図3Bに示すように、PVセル350の前部ビア352は、前部ビア352の内面356が絶縁材料360により被覆されるように、絶縁材料360を充填される。絶縁材料360は、前部ビア352により露出した前部金属層353の一部、または全部分を被覆することができる。図3Cに示すように、たとえば、レーザーを用いて絶縁材料360を貫いて除去して、絶縁材料の中央部分を取り除き、前部金属層353の一部分355を露出することにより、空所354を形成することができる。絶縁材料360の残りの部分は、絶縁壁358を形成して、空所354の内側の導電性コンタクトが、後部金属層、およびPVセル350のPV層のP側と電気的接触を形成しないようにする。   3B and 3C are cross-sectional views of representative front vias with distributed insulating material according to another embodiment of the present disclosure. As shown in FIG. 3B, the front via 352 of the PV cell 350 is filled with an insulating material 360 such that the inner surface 356 of the front via 352 is covered with the insulating material 360. Insulating material 360 may cover part or all of front metal layer 353 exposed by front via 352. As shown in FIG. 3C, a void 354 is formed, for example, by using a laser to remove through the insulating material 360 to remove the central portion of the insulating material and expose a portion 355 of the front metal layer 353. can do. The remaining portion of the insulating material 360 forms an insulating wall 358 so that the conductive contact inside the cavity 354 does not make electrical contact with the rear metal layer and the P side of the PV layer of the PV cell 350. To.

図4Aは、本開示の一実施形態による、図3A〜図3Cに示すように絶縁された後、導電性材料を分配された代表的前部ビアの断面図である。PVセル400は、基板層410、後部金属層412、PV層414、および前部金属416を含む。導電性材料406は、PVセル400の前部ビア402の絶縁壁404の内側に分配され、部分408で前部金属層416と電気的に接触する。導電性材料406は、一方の端部で前部金属層416と、基板層410に向かって他方の端部で導電性コンタクト(図示せず)との間で、電気的接続を提供する。   FIG. 4A is a cross-sectional view of an exemplary front via that has been insulated as shown in FIGS. 3A-3C and then distributed conductive material according to one embodiment of the present disclosure. PV cell 400 includes a substrate layer 410, a rear metal layer 412, a PV layer 414, and a front metal 416. The conductive material 406 is distributed inside the insulating wall 404 of the front via 402 of the PV cell 400 and makes electrical contact with the front metal layer 416 at a portion 408. The conductive material 406 provides electrical connection between the front metal layer 416 at one end and a conductive contact (not shown) at the other end toward the substrate layer 410.

図4Bは、本開示の一実施形態による、導電性材料を分配された、図2Cに示すような代表的後部ビアの断面図である。導電性材料456は、PVセル400の後部ビア452の内側に分配され、部分458で後部金属層412と電気的に接触する。導電性材料456は、一方の端部で後部金属層412と、基板層410に向かって他方の端部で導電性コンタクト(図示せず)との間で、電気的接続を提供する。導電性材料406および456は、同じ材料または異なる材料とすることができる。注入、堆積、蒸着、または当技術分野で公知の任意の他の適切な分配処理により、後部ビアおよび前部ビアの中に導電性材料を分配することができる。   FIG. 4B is a cross-sectional view of an exemplary rear via as shown in FIG. 2C with a conductive material dispensed, according to one embodiment of the present disclosure. The conductive material 456 is distributed inside the rear via 452 of the PV cell 400 and makes electrical contact with the rear metal layer 412 at a portion 458. The conductive material 456 provides electrical connection between the back metal layer 412 at one end and a conductive contact (not shown) at the other end toward the substrate layer 410. Conductive materials 406 and 456 can be the same material or different materials. Conductive material can be dispensed into the back and front vias by implantation, deposition, evaporation, or any other suitable dispensing process known in the art.

図5は、本開示の一実施形態による、導電性材料を分配され、かつ絶縁材料で絶縁された代表的前部ビアの断面図である。絶縁材料は、後部金属層、およびPV層のP側と電気的に接触しないように、前部ビアの内側に分配された導電性材料を絶縁し、かつ支持基板層は、非導電性材料から作られるので、前部ビアの内側に分配された導電性材料は、後部金属層、およびPV層のP側から絶縁されている限りは、支持基板層と接触することができる。図5に示すように、PVセル500の前部ビア502は、PV層514を貫き、後部金属層512を通過し、基板層510の中に伸長する絶縁壁504を有する。この例では、絶縁壁504は、PV層514、後部金属層512、および支持基板層510からなる積層全体に伸長せず、PV層514および後部金属層512からなる積層、あるいは支持基板層510の一部分だけを被覆する。導電性材料506は、絶縁壁504により絶縁され、かつ部分508で前部金属層516と電気的に接触する前部ビア502の内側に分配される。導電性材料506は、一方の端部で前部金属層516と、基板層510に向かって他方の端部で導電性コンタクト(図示せず)との間で、電気的接続を提供する。   FIG. 5 is a cross-sectional view of an exemplary front via distributed with conductive material and insulated with insulating material, according to one embodiment of the present disclosure. The insulating material insulates the back metal layer and the conductive material distributed inside the front via so that it does not make electrical contact with the P side of the PV layer, and the support substrate layer is made of non-conductive material. As it is made, the conductive material distributed inside the front via can contact the back metal layer and the support substrate layer as long as it is insulated from the P side of the PV layer. As shown in FIG. 5, the front via 502 of the PV cell 500 has an insulating wall 504 that extends through the PV layer 514, through the rear metal layer 512, and into the substrate layer 510. In this example, the insulating wall 504 does not extend to the entire stack of the PV layer 514, the rear metal layer 512, and the support substrate layer 510, but the stack of the PV layer 514 and the rear metal layer 512, or the support substrate layer 510. Cover only a portion. The conductive material 506 is distributed inside the front via 502 that is insulated by the insulating wall 504 and in electrical contact with the front metal layer 516 at the portion 508. Conductive material 506 provides electrical connection between the front metal layer 516 at one end and a conductive contact (not shown) at the other end toward the substrate layer 510.

層、前部ビア、および後部ビアの厚さのサイズおよび様態は、太陽電池の構成だけではなく相互接続処理の必要性にも基づき決定されることが認識されよう。たとえば、基板の厚さは、約100μmであり、後部金属層の厚さは、約3μm〜20μmの範囲であり、PV層の厚さは、約2μm〜約5μmの範囲であり、後部ビアの直径は、約300μm〜約400μmの範囲であり、前部ビアの直径は、必要性に応じて約1mm以下である。   It will be appreciated that the size and mode of thickness of the layers, front vias, and rear vias are determined not only by the configuration of the solar cells but also by the need for interconnect processing. For example, the thickness of the substrate is about 100 μm, the thickness of the rear metal layer is in the range of about 3 μm to 20 μm, the thickness of the PV layer is in the range of about 2 μm to about 5 μm, and the thickness of the rear via The diameter ranges from about 300 μm to about 400 μm, and the diameter of the front via is about 1 mm or less as required.

しかしながら、本開示は、各PVセルの前部電極および後部電極の材料組成、構成、および配列により限定されない。たとえば、前部電極は、たとえば主に厚さ約5μmのCuから構成される金属ストリップから作られる。PV層は、典型的には全体の厚さが10μmよりもはるかに薄い、単一層、または薄膜の積層を含む。   However, the present disclosure is not limited by the material composition, configuration, and arrangement of the front and rear electrodes of each PV cell. For example, the front electrode is made, for example, from a metal strip mainly composed of Cu having a thickness of about 5 μm. The PV layer typically comprises a single layer or a stack of thin films, with an overall thickness much less than 10 μm.

いくつかの実施形態では、導電性材料は、PVセルと導電性相互接続部との間で電気的接触および/または機械的接合を提供するために使用される導電性接着剤である。導電性材料は、インク、ペースト、または樹脂の形をとることができ、Ag−エポキシから構成されてもよい。しかしながら、本開示は、前部ビアおよび後部ビア内に分配されるどんな具体的材料組成にも限定されない。   In some embodiments, the conductive material is a conductive adhesive used to provide electrical contact and / or mechanical bonding between the PV cell and the conductive interconnect. The conductive material can take the form of an ink, paste, or resin and may be composed of Ag-epoxy. However, the present disclosure is not limited to any specific material composition distributed in the front and rear vias.

いくつかの実施形態では、絶縁材料は、PSAまたはエチレン酢酸ビニル(EVA)である。たとえば、PSAを加熱して液体状態にして、次いで、前部ビアの内側の側壁に対して分配して絶縁壁を形成し、絶縁壁の内側に空所を残すことができる。また、前部ビアの内側の側壁が被覆されるように、前部ビアの空間全体内に液体PSAを分配することができる。UV光または熱を使用する硬化処理により、PSAを硬化することができる。   In some embodiments, the insulating material is PSA or ethylene vinyl acetate (EVA). For example, the PSA can be heated to a liquid state and then distributed to the inner sidewalls of the front via to form an insulating wall, leaving a void inside the insulating wall. Further, the liquid PSA can be distributed in the entire space of the front via so that the inner side wall of the front via is covered. The PSA can be cured by a curing process using UV light or heat.

図6は、複数の前部ビアおよび複数の後部ビアを有する代表的PVセル600の後部表面602からの平面図である。PVセル600の反対側に配置されたバスバーおよび複数のフィンガーを破線で示す。前部ビア604は、円形の形状を有し、絶縁壁604−2により囲まれた、内部の導電性材料604−1を含む。後部表面602で外部相互接続(図示せず)にPVセル600を接合するために、複数の前部ビア604の間に複数の接合接着領域608を構成することができる。後部ビア606はまた、円形の形状を有し、後部ビア606の内側に分配された導電性材料606−1を含む。後部表面602で外部相互接続(図示せず)にPVセル600を接合するために、同じく複数の後部ビア606の間に複数の接合接着領域608を構成することができる。   FIG. 6 is a plan view from the rear surface 602 of an exemplary PV cell 600 having a plurality of front vias and a plurality of rear vias. A bus bar and a plurality of fingers arranged on the opposite side of the PV cell 600 are indicated by broken lines. The front via 604 has a circular shape and includes an internal conductive material 604-1 surrounded by an insulating wall 604-2. In order to bond the PV cell 600 to the external interconnect (not shown) at the rear surface 602, a plurality of bonding adhesive regions 608 can be configured between the plurality of front vias 604. The rear via 606 also has a circular shape and includes a conductive material 606-1 distributed inside the rear via 606. In order to bond the PV cell 600 to the external interconnect (not shown) at the rear surface 602, a plurality of bonding adhesion regions 608 can also be configured between the plurality of rear vias 606.

前部ビア604および後部ビア606の内側に分配された導電性材料は、別の導電性コンタクトにPVセル600を電気的に接続するだけではなく、導電性コンタクトにPVセル600を機械的にも結合するように、導電性接着剤とすることができる。いくつかの実施形態では、前部ビア604および後部ビア606の一部は、非導電性であってもよく、かつ主にセル間の機械的接合を提供するために使用してもよい接合接着材料を分配されることができる。いくつかの他の実施形態では、接合接着剤を含有するための前部ビアおよび後部ビアの一部は、前部金属層または後部金属層まで伸長する必要がない場合がある。前部ビア、後部ビア、接合接着領域、バスバー、および導電性フィンガーの形状、サイズ、パターン、および数は、代表的でしかなく、後部表面でPVセルを相互接続するのに適した任意の形状、サイズ、パターン、または数で構成されることができる。   The conductive material distributed inside the front via 604 and the rear via 606 not only electrically connects the PV cell 600 to another conductive contact, but also mechanically connects the PV cell 600 to the conductive contact. It can be a conductive adhesive to bond. In some embodiments, a portion of the front via 604 and rear via 606 may be non-conductive and may be used primarily to provide a mechanical bond between cells. Material can be dispensed. In some other embodiments, a portion of the front and back vias for containing the bonding adhesive may not need to extend to the front or back metal layer. The shape, size, pattern, and number of front vias, rear vias, bonding adhesion areas, bus bars, and conductive fingers are only representative and are any shape suitable for interconnecting PV cells at the rear surface , Size, pattern, or number.

図7Aは、本開示の一実施形態による、複数の相互接続部を示す、後部基板の平面図である。後部基板700は、PVモジュールに相互接続された複数のPVセルを収容するための前部表面701を有する。複数の導電性相互接続部702は、外面701上に配置される。後部基板700の上側および底部側に、PVモジュール全体のための端部コネクタとして、コネクタ704を配置することができる。また代わりに、相互接続部704を、PVモジュールの端部コネクタとして構成することができる。   FIG. 7A is a plan view of a rear substrate showing a plurality of interconnects according to one embodiment of the present disclosure. The back substrate 700 has a front surface 701 for receiving a plurality of PV cells interconnected to the PV module. A plurality of conductive interconnects 702 are disposed on the outer surface 701. A connector 704 can be disposed on the upper side and the bottom side of the rear substrate 700 as an end connector for the entire PV module. Alternatively, the interconnect 704 can be configured as an end connector of the PV module.

図7Bは、本開示の一実施形態による、後部基板700の外面701上で、第2のPVセル720への導電性相互接続部に結合した第1のPVセル710を示す。相互接続部702は、その下部に第1の接触領域702−aを、およびその上部に第2の接触領域702−bを有する。第1のPVセル710は、前部表面714および後部表面712、最上部側716および底部側718を有する。後部表面712は、複数の前部ビア(図示せず)および複数の後部ビア(図示せず)の複数の開口部を収容する。最上部側716は、前部表面714上にバスバーが配置される側であり、対応する前部ビアは、バスバーの真下に構成される。底部側718は、複数の後部ビアが構成される側である。   FIG. 7B shows a first PV cell 710 coupled to a conductive interconnect to a second PV cell 720 on the outer surface 701 of the back substrate 700, according to one embodiment of the present disclosure. Interconnect 702 has a first contact region 702-a at the bottom and a second contact region 702-b at the top. The first PV cell 710 has a front surface 714 and a rear surface 712, a top side 716 and a bottom side 718. The rear surface 712 houses a plurality of openings for a plurality of front vias (not shown) and a plurality of rear vias (not shown). The top side 716 is the side on which the bus bar is placed on the front surface 714, and the corresponding front via is configured directly below the bus bar. The bottom side 718 is the side on which a plurality of rear vias are configured.

第2のPVセル720は、第1のPVセルと同じ構造を有することができる、すなわち、第2のPVセル720は、前部表面724、後部表面722、最上部側726、および底部側728を有することができる。後部表面722は、複数の前部ビア(図示せず)および複数の後部ビア(図示せず)の複数の開口部を収容する。最上部側726は、前部表面724上にバスバーが配置される側であり、対応する前部ビアは、バスバーの真下に構成される。底部側728は、複数の後部ビアが構成される側である。   The second PV cell 720 can have the same structure as the first PV cell, ie, the second PV cell 720 has a front surface 724, a rear surface 722, a top side 726, and a bottom side 728. Can have. The rear surface 722 houses a plurality of openings for a plurality of front vias (not shown) and a plurality of rear vias (not shown). The top side 726 is the side on which the bus bar is placed on the front surface 724, and the corresponding front via is configured directly below the bus bar. The bottom side 728 is the side on which a plurality of rear vias are configured.

図7Bに示すように、PVセル710の後部表面712に接して後部基板700の外面701の最上部に配置された第1のPVセル710は、相互接続部702の第1のコンタクト領域702−aの最上部に接して最上部側716で相互接続部702と部分的に重なるように向きを合わせられる。第2のPVセル720は、後部基板700の外面701およびPVセル720の後部表面722の最上部上に配置されるように示されている。第2のPVセル720は、相互接続部702の第2のコンタクト領域702−bの最上部に接して底部側728で相互接続部702と部分的に重なるように向きを合わせられる。   As shown in FIG. 7B, the first PV cell 710 disposed on the top of the outer surface 701 of the rear substrate 700 in contact with the rear surface 712 of the PV cell 710 is a first contact region 702-of the interconnect 702. Oriented to abut the top of a and partially overlap the interconnect 702 on the top side 716. The second PV cell 720 is shown to be disposed on the outer surface 701 of the rear substrate 700 and the top of the rear surface 722 of the PV cell 720. The second PV cell 720 is oriented to contact the top of the second contact region 702-b of the interconnect 702 and partially overlap the interconnect 702 on the bottom side 728.

接触すると、複数の前部ビア内に分配された導電性材料は、第1のPVセル710の前部金属(図示せず)と導電性相互接続部702の第1の接触領域702−aとの間で電気的接続を形成する。接触すると、複数の後部ビア内に分配された導電性材料は、第2のPVセル720の後部金属(図示せず)と導電性相互接続部702の第2の接触領域702−bとの間で電気的接続を形成する。したがって、第1のPVセル710の前部金属は、導電性相互接続部702を通して第2のPVセル720の後部金属に電気的に結合し、第1のPVセル710と第2のPVセル720との間で直列接続を達成する。   Upon contact, the conductive material dispensed into the plurality of front vias is a front metal (not shown) of the first PV cell 710 and a first contact region 702-a of the conductive interconnect 702. An electrical connection is formed between the two. Upon contact, the conductive material distributed in the plurality of rear vias is between the rear metal (not shown) of the second PV cell 720 and the second contact area 702-b of the conductive interconnect 702. To make an electrical connection. Accordingly, the front metal of the first PV cell 710 is electrically coupled to the rear metal of the second PV cell 720 through the conductive interconnect 702, and the first PV cell 710 and the second PV cell 720. To achieve a series connection.

相互接続部702を、PVセルを接続するのに適した任意の導電性材料とすることができる。たとえば、相互接続部702を、Cu、Au、Al、または合金から作ることができる。いくつかの実施形態では、TPUなどの接着剤を接合することにより、後部基板700の外面701に、相互接続部702のストリップを結合することができる。他の実施形態では、Cu、Au、Al、またはそれらの複合材料の導電性ペーストを後部基板700の外面701の最上部に塗布することにより、相互接続部702を形成することができる。典型的には、相互接続の厚さは、約20μmである。   Interconnect 702 can be any conductive material suitable for connecting PV cells. For example, the interconnect 702 can be made from Cu, Au, Al, or an alloy. In some embodiments, the strip of interconnect 702 can be bonded to the outer surface 701 of the back substrate 700 by bonding an adhesive such as TPU. In other embodiments, the interconnect 702 can be formed by applying a conductive paste of Cu, Au, Al, or a composite thereof to the top of the outer surface 701 of the rear substrate 700. Typically, the interconnect thickness is about 20 μm.

後部基板700は、PVモジュールを支持するのに適した任意の材料とすることができる。後部基板700はまた、PVモジュールの複数のPVセルが、後部基板の外面に機械的に接合されるような、サーマルプラスチックまたは複合プラスチックとすることができる。たとえば、後部基板700を、PVB、PVE、もしくはPE、または当技術分野で公知の任意の適切な材料から製造することができる。   The back substrate 700 can be any material suitable for supporting the PV module. The rear substrate 700 can also be a thermal plastic or composite plastic such that the PV cells of the PV module are mechanically bonded to the outer surface of the rear substrate. For example, the back substrate 700 can be made from PVB, PVE, or PE, or any suitable material known in the art.

図7Cは、本開示の一実施形態による、複数の導電性相互接続部により相互接続された複数のPVセルにより形成された代表的PVモジュールの平面図である。この代表的PVモジュール750では、水平方向に沿って、導電性相互接続部702の第1の接触領域および第2の接触領域はそれぞれ、同じ向きで2つのPVセルと重なる。垂直方向に沿って、PVセルは、そのそれぞれの最上部側(前部ビア側)および底部側(後部ビア側)で2つの相互接続部に接続される。この例では、2つのコネクタ704はそれぞれ、PVモジュール750のp−コンタクトコネクタおよびn−コンタクトコネクタとして配置される。コネクタ704は、PVモジュールの境界で、1つのコンタクト領域だけでPVセルに結合するので、コネクタ704の幅は、相互接続部702の半分である。   FIG. 7C is a plan view of an exemplary PV module formed by a plurality of PV cells interconnected by a plurality of conductive interconnects, according to one embodiment of the present disclosure. In this exemplary PV module 750, along the horizontal direction, the first contact region and the second contact region of the conductive interconnect 702 each overlap two PV cells in the same orientation. Along the vertical direction, the PV cell is connected to two interconnects on its respective top side (front via side) and bottom side (rear via side). In this example, the two connectors 704 are each arranged as a p-contact connector and an n-contact connector of the PV module 750. Since the connector 704 couples to the PV cell at only one contact area at the PV module boundary, the width of the connector 704 is half of the interconnect 702.

図7Dは、本開示の一実施形態による、PVモジュールに電気的に結合したダイオードを有する代表的PVモジュールの平面図である。この例では、PVモジュール760の相互接続部702は、相互接続部702にダイオード762の一方の端子端部(n−型端部)を電気的に接続するための拡張タブ764を有するように示されている。ダイオード762の他方の端子端部(p−型端部)は、PVモジュール760の最上部側でコネクタ704−1に電気的に接続される。ダイオード762は、コネクタ704−1と相互接続部702との間で接続された1つまたは複数のPVセルが遮光または他の不整合の影響により逆バイアスになったとき、電流を伝導する。はんだ付けもしくは導電性接着剤、またはダイオードに拡張タブ764を、およびコネクタ704−1にダイオードを電気的に結合する中間の導電性ストリップもしくは材料により、または当技術分野で公知の任意の適切な技法により、ダイオード762を、拡張タブ764およびコネクタ704−1と電気的に結合することができる。後部基板に導電性相互接続部を結合するのと同じ方法で、PVモジュール760の後部基板の外面761に拡張タブ764を結合することができる。遮光の損傷からPVセルを保護するのに適した任意の数で、拡張タブおよびダイオードの数を構成することができる。   FIG. 7D is a plan view of an exemplary PV module having a diode electrically coupled to the PV module, according to one embodiment of the present disclosure. In this example, the interconnect 702 of the PV module 760 is shown as having an extension tab 764 for electrically connecting one terminal end (n-type end) of the diode 762 to the interconnect 702. Has been. The other terminal end (p-type end) of the diode 762 is electrically connected to the connector 704-1 on the uppermost side of the PV module 760. The diode 762 conducts current when one or more PV cells connected between the connector 704-1 and the interconnect 702 are reverse-biased due to light shielding or other mismatch effects. Soldering or conductive adhesive, or expansion tab 764 to the diode and intermediate conductive strip or material to electrically couple the diode to connector 704-1 or any suitable technique known in the art Thus, the diode 762 can be electrically coupled to the expansion tab 764 and the connector 704-1. An expansion tab 764 can be coupled to the outer surface 761 of the rear substrate of the PV module 760 in the same manner that the conductive interconnect is coupled to the rear substrate. The number of expansion tabs and diodes can be configured with any number suitable to protect the PV cell from shading damage.

図7Dは、コネクタ704−1とコネクタ704−2との間で所望の電圧を提供するために、PVセルを直列に接続したPVモジュールを示すが、相互接続部702はまた、所望の電流を提供するために並列で、または直並列の組合せで接続を形成するPVセルを提供することができる。後部基板の最上部上でPVモジュールのために構成された導電性相互接続部の形状、相対的サイズ、および数は、PVモジュールを組み立てるのに適した任意の形状、サイズ、または数とすることができる。さらに、外部回路への、PVセルのp−コンタクトおよびn−コンタクトは、両方ともPVセルの後部側にある、すなわち、PVセルの、光が入射しない側にあるので、PVセルと相互接続の接触領域との間で重なり合うより広い領域に関して、より大きな許容度を達成することができる。重なり合う領域が広いほど、それだけ相互接続を薄くすることができ、導電性相互接続部上へのPVセルの配置に関するずれ許容度を高くすることができる。   FIG. 7D shows a PV module with PV cells connected in series to provide the desired voltage between connector 704-1 and connector 704-2, but interconnect 702 also provides the desired current. PV cells can be provided that form connections in parallel to provide or in series-parallel combinations. The shape, relative size, and number of conductive interconnects configured for the PV module on the top of the back substrate should be any shape, size, or number suitable for assembling the PV module Can do. Furthermore, the p-contact and n-contact of the PV cell to the external circuit are both on the back side of the PV cell, i.e. on the non-incident side of the PV cell, so Greater tolerances can be achieved for larger areas that overlap with the contact area. The wider the overlapping region, the thinner the interconnect, and the higher the tolerance for displacement with respect to the placement of the PV cell on the conductive interconnect.

本明細書では、ある種の好ましい実施形態および方法について開示してきたが、本発明の精神および範囲を逸脱することなく、そのような実施形態および方法の変形および修正を行ってもよいことが、前述の開示から当業者には明らかであろう。本発明は、添付の特許請求の範囲、ならびに適用可能な法律の規則および原理により要求される範囲にだけ限定されることが意図される。   While certain preferred embodiments and methods have been disclosed herein, variations and modifications of such embodiments and methods may be made without departing from the spirit and scope of the invention. It will be apparent to those skilled in the art from the foregoing disclosure. It is intended that the present invention be limited only to the extent required by the appended claims and the rules and principles of applicable law.

Claims (20)

光起電力セルであって、
光エネルギーを電気エネルギーに変換するように構成された光起電力層と、
前記光起電力層の第1の側に配置された前部導電層と、
前記光起電力層の第2の側に配置された後部導電層であって、前記第2の側は前記第1の側の反対側にあり、前記前部導電層および前記後部導電層は、前記光起電力層から発生する電流を外部回路に伝導するように構成された後部導電層と、
前記光起電力層の下部に配置された支持基板層と、
を備え、
後部ビアは、前記支持基板を貫いて伸長し、導電性材料を分配され、前記後部導電層と電気的接触を形成し、
前部ビアは、前記支持基板層、前記後部導電層、および前記光起電力層を貫いて伸長し、導電性材料および絶縁材料を分配され、前記絶縁材料は、前記後部導電層、および前記光起電力層のP側と電気的に接触しないように前記導電性材料を絶縁し、前記導電性材料は、前記前部導電層と電気的接触を形成する、
光起電力セル。
A photovoltaic cell,
A photovoltaic layer configured to convert light energy into electrical energy;
A front conductive layer disposed on a first side of the photovoltaic layer;
A rear conductive layer disposed on a second side of the photovoltaic layer, wherein the second side is opposite the first side, and the front conductive layer and the rear conductive layer are: A rear conductive layer configured to conduct current generated from the photovoltaic layer to an external circuit;
A support substrate layer disposed below the photovoltaic layer;
With
A rear via extends through the support substrate, is distributed conductive material, and makes electrical contact with the rear conductive layer;
A front via extends through the support substrate layer, the rear conductive layer, and the photovoltaic layer, and distributes a conductive material and an insulating material, and the insulating material includes the rear conductive layer, and the light Insulating the conductive material so as not to be in electrical contact with the P side of the electromotive force layer, the conductive material forming electrical contact with the front conductive layer;
Photovoltaic cell.
絶縁壁を形成するために、前記前部ビアの前記光起電力層、前記後部導電層および前記支持基板層の側壁上に前記絶縁材料を分配し、前記絶縁壁の内側に前記導電性材料を分配する、請求項1に記載の光起電力セル。   In order to form an insulating wall, the insulating material is distributed on sidewalls of the photovoltaic layer, the rear conductive layer, and the support substrate layer of the front via, and the conductive material is disposed inside the insulating wall. The photovoltaic cell of claim 1, wherein the photovoltaic cell is distributed. 前記絶縁壁は、前記光起電力層および前記後部導電層の領域内で前記前部ビアの前記側壁を被覆する、請求項2に記載の光起電力セル。   The photovoltaic cell of claim 2, wherein the insulating wall covers the sidewall of the front via in the region of the photovoltaic layer and the rear conductive layer. 前記支持基板層を貫いて前記後部導電層までレーザーアブレーションし、前記光起電力層を貫いてウェットエッチングすることにより前記前部ビアを形成する、請求項1に記載の光起電力セル。   The photovoltaic cell of claim 1, wherein the front via is formed by laser ablating through the support substrate layer to the rear conductive layer and wet etching through the photovoltaic layer. 光起電力モジュールであって、
後部基板と、
前記後部基板の外面の最上部に配置された複数の導電性相互接続部であって、それぞれの導電性相互接続部は、第1の接触領域および第2の接触領域を備える複数の導電性相互接続部と、
互いに電気的に結合した複数の光起電力セルであって、それぞれの光起電力セルは、支持基板の最上部上の後部電極の最上部上の光起電力層の前部表面上に配置された前部電極を備え、複数の後部ビアは、前記支持基板を貫いて伸長し、前記後部電極と電気的接触を形成し、複数の前部ビアは、前記支持基板、前記後部電極および前記光起電力層を貫いて伸長し、前記前部電極と電気的接触を形成し、前記後部電極、および前記光起電力層のP側と電気的に接触しないように絶縁された、複数の光起電力セルと、
を備え、
複数の導電性相互接続部のうちの1つの導電性相互接続部の第1の接触領域は、前記複数の光起電力セルのうちの第1の光起電力セルの前記複数の前部ビアに電気的に結合し、前記導電性相互接続部の第2の接触領域は、前記複数の光起電力セルのうちの第2の光起電力セルの前記複数の後部ビアに電気的に結合する、
光起電力モジュール。
A photovoltaic module,
A rear substrate,
A plurality of conductive interconnects disposed on top of an outer surface of the rear substrate, each conductive interconnect comprising a plurality of conductive interconnects comprising a first contact region and a second contact region; A connection,
A plurality of photovoltaic cells electrically coupled together, each photovoltaic cell being disposed on the front surface of the photovoltaic layer on the top of the rear electrode on the top of the support substrate; A plurality of rear vias extending through the support substrate to form electrical contact with the rear electrode, and the plurality of front vias comprising the support substrate, the rear electrode, and the light A plurality of photovoltaic cells extending through the photovoltaic layer to form electrical contact with the front electrode and insulated from electrical contact with the rear electrode and the P side of the photovoltaic layer. A power cell;
With
A first contact region of one of the plurality of conductive interconnects is connected to the plurality of front vias of the first photovoltaic cell of the plurality of photovoltaic cells. Electrically coupled, and the second contact region of the conductive interconnect is electrically coupled to the plurality of rear vias of a second photovoltaic cell of the plurality of photovoltaic cells;
Photovoltaic module.
前記導電性相互接続部の前記第1の接触領域は、前記複数の前部ビア内に分配された導電性材料により前記複数の前部ビアに電気的に結合する、請求項5に記載の光起電力モジュール。   The light of claim 5, wherein the first contact region of the conductive interconnect is electrically coupled to the plurality of front vias by a conductive material distributed within the plurality of front vias. Electromotive force module. 前記導電性相互接続部の前記第2の接触領域は、前記複数の後部ビア内に分配された導電性材料により前記複数の後部ビアに電気的に結合する、請求項5に記載の光起電力モジュール。   The photovoltaic of claim 5, wherein the second contact region of the conductive interconnect is electrically coupled to the plurality of rear vias by a conductive material distributed in the plurality of rear vias. module. 前記支持基板層を貫いて前記後部電極までレーザーアブレーションし、前記光起電力層を貫いてウェットエッチングすることにより前記複数の前部ビアのうちの1つの前部ビアを形成する、請求項5に記載の光起電力モジュール。   6. The front via of the plurality of front vias is formed by laser ablating through the support substrate layer to the rear electrode and wet etching through the photovoltaic layer. The photovoltaic module as described. 絶縁壁を形成するために、前記複数の光起電力セルのうちの1つの光起電力セルの前部ビアの前記光起電力層、前記後部電極および前記支持基板の側壁上に絶縁材料を分配し、前記絶縁壁の内側に導電性材料を分配する、請求項5に記載の光起電力モジュール。   Distributing insulating material on the photovoltaic layer, the back electrode and the sidewall of the support substrate of the front via of one photovoltaic cell of the plurality of photovoltaic cells to form an insulating wall The photovoltaic module according to claim 5, wherein a conductive material is distributed inside the insulating wall. 前記絶縁壁は、前記光起電力層および前記後部電極の領域内で前記前部ビアの前記側壁を被覆する、請求項9に記載の光起電力モジュール。   The photovoltaic module according to claim 9, wherein the insulating wall covers the sidewall of the front via in a region of the photovoltaic layer and the rear electrode. 前記複数の導電性相互接続部のうちの1つの導電性相互接続部は、ダイオードに電気的に結合した拡張部分を備える、請求項5に記載の光起電力モジュール。   The photovoltaic module of claim 5, wherein one conductive interconnect of the plurality of conductive interconnects comprises an extension portion electrically coupled to a diode. 前記後部基板は、前記後部基板の前記外面に前記複数の光起電力セルを接合するサーマルプラスチックである、請求項5に記載の光起電力モジュール。   The photovoltaic module according to claim 5, wherein the rear substrate is a thermal plastic that joins the plurality of photovoltaic cells to the outer surface of the rear substrate. 光起電力セルを相互接続する方法であって、前記光起電力セルは、支持基板上の後部電極上に配置された光起電力層上に配置された前部電極を備え、複数の後部ビアは、前記支持基板を貫いて伸長し、前記後部電極と電気的接触を形成し、複数の前部ビアは、前記支持基板、前記後部電極、および前記光起電力層を貫いて伸長し、前記前部電極と電気的接触を形成し、前記後部電極および前記光起電力層のP側と電気的に接触しないように絶縁され、前記方法は、
後部基板の外面上に、第1の接触領域および第2の接触領域を備える導電性相互接続部を取り付けるステップと、
前記導電性相互接続部の前記第1の接触領域と重なるように第1の光起電力セルを取り付けるステップであって、前記第1の光起電力セルの複数の前部ビアは、前記導電性相互接続部の前記第1の接触領域と前記第1の光起電力セルの前記前部電極との間で電気的に結合される、ステップと、
前記導電性相互接続部の前記第2の接触領域と重なるように第2の光起電力セルを取り付けるステップであって、前記第2の光起電力セルの複数の後部ビアは、前記導電性相互接続部の前記第2の接触領域と前記第2の光起電力セルの前記後部電極との間で電気的に結合される、ステップと、
を含む、方法。
A method of interconnecting photovoltaic cells, the photovoltaic cell comprising a front electrode disposed on a photovoltaic layer disposed on a rear electrode on a support substrate, and comprising a plurality of rear vias Extends through the support substrate and forms electrical contact with the rear electrode, and a plurality of front vias extend through the support substrate, the rear electrode, and the photovoltaic layer, and Forming an electrical contact with the front electrode and insulated from electrical contact with the rear electrode and the P side of the photovoltaic layer, the method comprising:
Attaching a conductive interconnect comprising a first contact region and a second contact region on the outer surface of the rear substrate;
Attaching a first photovoltaic cell to overlap the first contact area of the conductive interconnect, wherein a plurality of front vias of the first photovoltaic cell are electrically conductive; Electrically coupled between the first contact region of the interconnect and the front electrode of the first photovoltaic cell;
Attaching a second photovoltaic cell to overlap the second contact area of the conductive interconnect, wherein a plurality of rear vias of the second photovoltaic cell are connected to the conductive interconnect. Electrically coupled between the second contact area of a connection and the rear electrode of the second photovoltaic cell;
Including a method.
前記導電性相互接続部の前記第1の接触領域は、前記複数の前部ビア内に分配された導電性材料により前記複数の前部ビアに電気的に結合する、請求項13に記載の方法。   The method of claim 13, wherein the first contact region of the conductive interconnect is electrically coupled to the plurality of front vias by a conductive material distributed within the plurality of front vias. . 前記導電性相互接続部の前記第2の接触領域は、前記複数の後部ビア内に分配された導電性材料により前記複数の後部ビアに電気的に結合する、請求項13に記載の方法。   The method of claim 13, wherein the second contact region of the conductive interconnect is electrically coupled to the plurality of rear vias by a conductive material distributed within the plurality of rear vias. 前記支持基板を貫いて前記後部電極までレーザーアブレーションし、前記光起電力層を貫いてウェットエッチングすることにより前部ビアを形成する、請求項13に記載の方法。   The method of claim 13, wherein a front via is formed by laser ablating through the support substrate to the back electrode and wet etching through the photovoltaic layer. 絶縁壁を形成するために、前記前部ビアの前記光起電力層、前記後部導電層および前記支持基板層の側壁上に絶縁材料を分配し、前記絶縁壁の内側に導電性材料を分配する、請求項13に記載の方法。   In order to form an insulating wall, an insulating material is distributed on sidewalls of the photovoltaic layer, the rear conductive layer, and the support substrate layer of the front via, and a conductive material is distributed inside the insulating wall. The method according to claim 13. 前記絶縁壁は、前記光起電力層および前記後部電極の領域内で前記前部ビアの前記側壁を被覆する、請求項17に記載の方法。   The method of claim 17, wherein the insulating wall covers the sidewall of the front via in the region of the photovoltaic layer and the rear electrode. 導電性相互接続部の拡張部分を形成するステップと、前記拡張部分にダイオードを電気的に結合するステップとをさらに備える、請求項13に記載の方法。   The method of claim 13, further comprising forming an extension portion of the conductive interconnect and electrically coupling a diode to the extension portion. 前記後部基板は、前記後部基板の前記外面に前記複数の光起電力セルを接合するサーマルプラスチックである、請求項13に記載の方法。   The method of claim 13, wherein the rear substrate is a thermal plastic that joins the plurality of photovoltaic cells to the outer surface of the rear substrate.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108987515B (en) * 2018-08-03 2024-08-09 浙江爱旭太阳能科技有限公司 Solar cell module with single-sided direct connection of segmented through holes and preparation method
EP3660927B1 (en) * 2018-11-30 2021-11-10 CSEM Centre Suisse D'electronique Et De Microtechnique SA Photovoltaic module
KR20210022391A (en) * 2019-08-20 2021-03-03 현대자동차주식회사 Photovoltaic panel mounting system for vehicle

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08116081A (en) * 1994-10-19 1996-05-07 Fuji Electric Co Ltd Thin film solar cell
JP2009076849A (en) * 2007-08-24 2009-04-09 Sanyo Electric Co Ltd Solar cell and solar cell module
JP2011519182A (en) * 2008-04-29 2011-06-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Photovoltaic modules manufactured using monolithic module assembly techniques.
JP2011523211A (en) * 2008-06-04 2011-08-04 ソレクサント・コーポレイション Monolithic integrated thin film solar cell with back contact
JP2015506587A (en) * 2012-01-05 2015-03-02 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー Improved method of manufacturing two or more thin film based interconnected photovoltaic cells
CN104900737A (en) * 2015-06-12 2015-09-09 郑州塞恩电气有限公司 Spliceable thin-film solar cell

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0840381A3 (en) * 1996-10-31 1999-08-04 Sony Corporation Thin-film semiconductor device and its manufacturing method and apparatus and thin-film semiconductor solar cell module and its manufacturing method
AU5400501A (en) * 2000-06-27 2002-01-03 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic element, producing method therefor, and solar cell modules
CN100570905C (en) * 2005-03-16 2009-12-16 富士电机系统株式会社 Make the method for solar module
WO2008036769A2 (en) 2006-09-19 2008-03-27 Itn Energy Systems, Inc. Semi-transparent dual layer back contact for bifacial and tandem junction thin-film photovolataic devices
US20080115821A1 (en) * 2006-11-22 2008-05-22 Li Xu Multilayer transparent conductive oxide for improved chemical processing
US20090050190A1 (en) * 2007-08-24 2009-02-26 Sanyo Electric Co., Ltd. Solar cell and solar cell module
US20170194515A9 (en) 2007-10-17 2017-07-06 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc Dielectric coating for single sided back contact solar cells
JP2009176782A (en) * 2008-01-21 2009-08-06 Sanyo Electric Co Ltd Solar cell module
TWI492392B (en) 2010-08-27 2015-07-11 Ind Tech Res Inst Semiconductor device module package structure and series connection method thereof
JP5843564B2 (en) 2011-10-24 2016-01-13 ソーラーフロンティア株式会社 Manufacturing method of solar cell
JP6065009B2 (en) * 2012-06-29 2017-01-25 パナソニックIpマネジメント株式会社 Solar cell module
WO2014144120A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 First Solar, Inc. Method of manufacturing a photovoltaic device
US9331213B2 (en) * 2013-04-30 2016-05-03 First Solar, Inc. Integrated power connectors for PV modules and their methods of manufacture
WO2014184856A1 (en) 2013-05-13 2014-11-20 日立化成株式会社 Electrode-forming composition, solar-cell element, and solar cell

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08116081A (en) * 1994-10-19 1996-05-07 Fuji Electric Co Ltd Thin film solar cell
JP2009076849A (en) * 2007-08-24 2009-04-09 Sanyo Electric Co Ltd Solar cell and solar cell module
JP2011519182A (en) * 2008-04-29 2011-06-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Photovoltaic modules manufactured using monolithic module assembly techniques.
JP2011523211A (en) * 2008-06-04 2011-08-04 ソレクサント・コーポレイション Monolithic integrated thin film solar cell with back contact
JP2015506587A (en) * 2012-01-05 2015-03-02 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー Improved method of manufacturing two or more thin film based interconnected photovoltaic cells
CN104900737A (en) * 2015-06-12 2015-09-09 郑州塞恩电气有限公司 Spliceable thin-film solar cell

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
TAKANO AKIHIRO ET AL.: "Flexible thin film Si solar cells and modules", 2013 TWENTIETH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (AM-FPD), JPN6020042522, 3 October 2013 (2013-10-03), pages 87 - 90, ISSN: 0004384759 *

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