JP2019212841A - Imprint device, imprint method and article manufacturing method - Google Patents

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Abstract

To provide an imprint device in which alignment accuracy of the shot region of a board and the pattern region of a mold is improved, while suppressing the decrease in throughput.SOLUTION: An imprint device comprises an adjustment mechanism for adjusting the relative position of a shot region and a pattern region, an imaging section for detecting an image formed by the mark of a board and the mark of a mold, and a control section for controlling the adjustment mechanism so that the relative position of the shot region and the pattern region is adjusted based on a signal provided from the imaging section. In the control section, first operation for controlling the adjustment mechanism on the basis of an image signal provided from the imaging section in a state where the resolution of the imaging section is set to a first resolution is executed, followed by execution of second operation for controlling the adjustment mechanism on the basis of an image signal provided from the imaging section in a state where the resolution of the imaging section is set to a second resolution higher than the first resolution.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法に関する。   The present invention relates to an imprint apparatus, an imprint method, and an article manufacturing method.

インプリント装置は、基板のショット領域の上のインプリント材と型のパターン領域とを接触させ該インプリンント材を硬化させることによって該ショット領域の上に該インプリント材の硬化物からなるパターンを形成する。このような処理において、ショット領域と型のパターン領域とを位置合わせするために、ショット領域が有するマークとパターン領域が有するマークとの相対位置がアライメント検出系を使って検出されうる(特許文献1参照)。   The imprint apparatus comprises a pattern made of a cured product of the imprint material on the shot area by bringing the imprint material on the shot area of the substrate into contact with the pattern area of the mold and curing the imprint material. Form. In such a process, in order to align the shot area and the pattern area of the mold, the relative position between the mark of the shot area and the mark of the pattern area can be detected using an alignment detection system (Patent Document 1). reference).

特開2013−219331号公報JP 2013-219331 A

基板のショット領域と型のパターン領域との位置合わせ精度は、基板のショット領域が有するマークと型のパターン領域が有するマークとの相対位置の検出精度に依存し、該検出精度は、アライメント検出系が有する撮像素子の解像度に依存しうる。高い解像度を有する撮像素子を使用すれば、高い検出精度を得ることができる。しかし、高い解像度を有する撮像素子を使った撮像によって得られる画像信号は、画素数が多いので、該画像信号を転送する処理、および、該画像信号を処理することによって相対位置を検出する処理に長時間を要しうる。したがって、基板のショット領域と型のパターン領域との位置合わせ精度を向上させるためにショット領域が有するマークと型のパターン領域が有するマークとの相対位置の検出精度を向上させようとすると、パターンを形成する処理のスループットが低下しうる。   The alignment accuracy between the shot area of the substrate and the pattern area of the mold depends on the detection accuracy of the relative position between the mark included in the shot area of the substrate and the mark included in the pattern area of the mold. This may depend on the resolution of the image pickup device included. If an image sensor having a high resolution is used, high detection accuracy can be obtained. However, since an image signal obtained by imaging using an image sensor having a high resolution has a large number of pixels, the image signal is transferred and the relative position is detected by processing the image signal. It can take a long time. Therefore, in order to improve the alignment accuracy between the shot area of the substrate and the pattern area of the mold, if the detection accuracy of the relative position between the mark of the shot area and the mark of the mold pattern area is improved, the pattern is changed. The throughput of the process to be formed can be reduced.

本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、スループットの低下を抑えながら基板のショット領域と型のパターン領域との位置合わせ精度を向上させるために有利な技術を提供することを目的とする。   The present invention has been made in recognition of the above problems, and provides an advantageous technique for improving the alignment accuracy between a shot region of a substrate and a pattern region of a mold while suppressing a decrease in throughput. Objective.

本発明の1つの側面は、基板のショット領域の上のインプリント材と型のパターン領域とを接触させ該インプリント材を硬化させることによって前記ショット領域の上にパターンを形成するインプリント装置に係り、前記インプリント装置は、前記ショット領域と前記パターン領域との相対位置を調整する調整機構と、前記基板のマークと前記型のマークとによって形成される像を検出する撮像部と、前記撮像部から提供される信号に基づいて前記ショット領域と前記パターン領域との相対位置が調整されるように前記調整機構を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記撮像部の解像度が第1解像度に設定された状態で前記撮像部から提供される画像信号に基づいて前記調整機構を制御する第1動作を実行した後に、前記撮像部の解像度が前記第1解像度より高い第2解像度に設定された状態で前記撮像部から提供される画像信号に基づいて前記調整機構を制御する第2動作を実行する。   One aspect of the present invention is an imprint apparatus that forms a pattern on a shot area by bringing the imprint material on the shot area of the substrate into contact with the pattern area of the mold and curing the imprint material. In particular, the imprint apparatus includes an adjustment mechanism that adjusts a relative position between the shot area and the pattern area, an imaging unit that detects an image formed by the mark on the substrate and the mark on the mold, and the imaging A control unit that controls the adjustment mechanism so that a relative position between the shot region and the pattern region is adjusted based on a signal provided from the unit, and the control unit has a resolution of the imaging unit. After executing the first operation of controlling the adjustment mechanism based on the image signal provided from the imaging unit in the state set to the first resolution, the solution of the imaging unit is set. Degrees executes a second operation for controlling the adjusting mechanism based on an image signal provided from the imaging unit in a state of being set to the first higher resolution second resolution.

本発明によれば、スループットの低下を抑えながら基板のショット領域と型のパターン領域との位置合わせ精度を向上させるために有利な技術が提供される。   According to the present invention, an advantageous technique is provided for improving the alignment accuracy between a shot region of a substrate and a pattern region of a mold while suppressing a decrease in throughput.

本発明の一実施形態のインプリント装置の構成を示す図。The figure which shows the structure of the imprint apparatus of one Embodiment of this invention. 制御部の構成のうち、基板のショット領域と型のパターン領域との位置合わせ(アライメント)に関する動作を制御する部分の構成例を示す図。The figure which shows the structural example of the part which controls the operation | movement regarding alignment (alignment) with the shot area | region of a board | substrate, and the pattern area | region of a type | mold among the structures of a control part. 本発明の一実施形態のインプリント装置の動作を示す図。The figure which shows operation | movement of the imprint apparatus of one Embodiment of this invention. 型のパターン領域に対して設けられたマークAMMと、基板のショット領域に対して設けられたマークAMWと、マークAMMの像とマークAMWの像とによって合成されたマーク像AMを例示する図。6 is a diagram illustrating a mark AMM provided for a pattern area of a mold, a mark AMW provided for a shot area of a substrate, and a mark image AM synthesized by an image of the mark AMM and an image of the mark AMW. FIG. 基板に提示された複数のショット領域、および、各ショット領域に設けられたマークを例示する図。The figure which illustrates the several shot area | region presented on the board | substrate, and the mark provided in each shot area | region. 第1解像度(低解像)の画像および高い第2解像度(高解像度)の画像を模式的に示す図。The figure which shows typically a 1st resolution (low-resolution) image and a high 2nd resolution (high-resolution) image. 位置合わせ誤差の変化と第1動作から第2動作への移行とを模式的に示す図。The figure which shows typically the change of a positioning error, and the transfer from 1st operation | movement to 2nd operation | movement. 物品製造方法を例示する図。The figure which illustrates an article manufacturing method.

以下、添付図面を参照しながら本発明をその例示的な実施形態を通して説明する。   Hereinafter, the present invention will be described through exemplary embodiments thereof with reference to the accompanying drawings.

図1には、本発明の一実施形態のインプリント装置100の構成が示されている。インプリント装置100は、基板Sのショット領域の上のインプリント材IMと型Mのパターン領域PRとを接触させインプリンント材IMを硬化させることによって該ショット領域の上にインプリント材IMの硬化物からなるパターンを形成する。   FIG. 1 shows a configuration of an imprint apparatus 100 according to an embodiment of the present invention. The imprint apparatus 100 contacts the imprint material IM on the shot area of the substrate S with the pattern area PR of the mold M to harden the imprint material IM, so that the imprint material IM is formed on the shot area. A pattern made of a cured product is formed.

インプリント材としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物(未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある)が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられうる。電磁波は、例えば、その波長が10nm以上1mm以下の範囲から選択される光、例えば、赤外線、可視光線、紫外線などでありうる。硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物でありうる。これらのうち、光の照射により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。インプリント材は、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に配置されうる。インプリント材の粘度(25℃における粘度)は、例えば、1mPa・s以上100mPa・s以下でありうる。基板の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられうる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。基板は、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスである。   As the imprint material, a curable composition (which may be referred to as an uncured resin) that cures when energy for curing is applied is used. As the energy for curing, electromagnetic waves, heat, or the like can be used. The electromagnetic wave can be, for example, light having a wavelength selected from a range of 10 nm to 1 mm, for example, infrared rays, visible rays, ultraviolet rays, and the like. The curable composition may be a composition that is cured by light irradiation or by heating. Among these, the photocurable composition that is cured by light irradiation contains at least a polymerizable compound and a photopolymerization initiator, and may further contain a non-polymerizable compound or a solvent as necessary. The non-polymerizable compound is at least one selected from the group consisting of a sensitizer, a hydrogen donor, an internal release agent, a surfactant, an antioxidant, and a polymer component. The imprint material can be disposed on the substrate in the form of droplets or in the form of islands or films formed by connecting a plurality of droplets. The viscosity of the imprint material (viscosity at 25 ° C.) can be, for example, 1 mPa · s or more and 100 mPa · s or less. As the material of the substrate, for example, glass, ceramics, metal, semiconductor, resin, or the like can be used. If necessary, a member made of a material different from the substrate may be provided on the surface of the substrate. The substrate is, for example, a silicon wafer, a compound semiconductor wafer, or quartz glass.

本明細書および添付図面では、基板Sの表面に平行な方向をXY平面とするXYZ座標系において方向を示す。XYZ座標系におけるX軸、Y軸、Z軸にそれぞれ平行な方向をX方向、Y方向、Z方向とし、X軸周りの回転、Y軸周りの回転、Z軸周りの回転をそれぞれθX、θY、θZとする。X軸、Y軸、Z軸に関する制御または駆動は、それぞれX軸に平行な方向、Y軸に平行な方向、Z軸に平行な方向に関する制御または駆動を意味する。また、θX軸、θY軸、θZ軸に関する制御または駆動は、それぞれX軸に平行な軸の周りの回転、Y軸に平行な軸の周りの回転、Z軸に平行な軸の周りの回転に関する制御または駆動を意味する。また、位置は、X軸、Y軸、Z軸の座標に基づいて特定されうる情報であり、姿勢は、θX軸、θY軸、θZ軸の値で特定されうる情報である。位置決めは、位置および/または姿勢を制御することを意味する。位置合わせは、基板および型の少なくとも一方の位置および/または姿勢の制御を含みうる。また、位置合わせ(アライメント)は、基板および型の少なくとも一方の形状を補正あるいは変更するための制御を含みうる。   In this specification and the accompanying drawings, directions are shown in an XYZ coordinate system in which a direction parallel to the surface of the substrate S is an XY plane. In the XYZ coordinate system, the directions parallel to the X, Y, and Z axes are the X, Y, and Z directions, respectively, and rotation around the X axis, rotation around the Y axis, and rotation around the Z axis are θX and θY, respectively. , ΘZ. The control or drive related to the X axis, Y axis, and Z axis means control or drive related to the direction parallel to the X axis, the direction parallel to the Y axis, and the direction parallel to the Z axis, respectively. The control or drive related to the θX axis, θY axis, and θZ axis relates to rotation around an axis parallel to the X axis, rotation around an axis parallel to the Y axis, and rotation around an axis parallel to the Z axis. Means control or drive. The position is information that can be specified based on the coordinates of the X axis, the Y axis, and the Z axis, and the posture is information that can be specified by the values of the θX axis, the θY axis, and the θZ axis. Positioning means controlling position and / or attitude. The alignment may include control of the position and / or attitude of at least one of the substrate and the mold. The alignment (alignment) can include a control for correcting or changing the shape of at least one of the substrate and the mold.

インプリント装置100は、インプリントサイクルを繰り返すことによって基板の複数のショット領域にパターンを形成するように構成されうる。ここで、1つのインプリントサイクルは、接触工程、位置合わせ工程(アライメント工程)、硬化工程および分離工程を含みうる。接触工程では、基板Sの1つのショット領域の上のインプリント材IMと型Mのパターン領域PRとを接触させる。位置合わせ工程では、ショット領域とパターン領域PRとの位置合わせがなされる。硬化工程では、ショット領域の上のインプリント材IMが硬化されて、インプリント材IMの硬化物からなるパターンが形成される。分離工程では、インプリント材IMの硬化物からなるパターンと型Mのパターン領域PRとが分離される。   The imprint apparatus 100 can be configured to form a pattern in a plurality of shot areas of a substrate by repeating an imprint cycle. Here, one imprint cycle may include a contact process, an alignment process (alignment process), a curing process, and a separation process. In the contact step, the imprint material IM on one shot region of the substrate S and the pattern region PR of the mold M are brought into contact with each other. In the alignment process, the shot region and the pattern region PR are aligned. In the curing step, the imprint material IM on the shot region is cured, and a pattern made of a cured product of the imprint material IM is formed. In the separation step, the pattern made of a cured product of the imprint material IM and the pattern region PR of the mold M are separated.

インプリント装置100は、例えば、硬化部120と、調整機構RDMと、計測器150と、アライメント検出系170と、供給部(ディスペンサ)180と、観察スコープ190と、制御部110とを備えうる。硬化部120は、基板Sのパターン形成対象のショット領域の上のインプリント材IMに硬化用のエネルギーを照射し、インプリント材IMを硬化させる。硬化部120は、例えば、型Mを介して、ショット領域と型Mのパターン領域PRとの間のインプリント材IMに硬化用のエネルギーを照射するように構成されうる。硬化用のエネルギーは、例えば、紫外光(例えば、i線、g線)でありうる。この場合、硬化部120は、紫外光を発生する光源と、光源からの光をインプリント材IMに照射するための1又は複数の光学素子(例えば、紫外光を集光する楕円鏡、インテグレータ等)を含みうる。図1に示された例では、硬化部120が発生した硬化用のエネルギーは、ハーフミラーHMを介してインプリント材IMに照射される。   The imprint apparatus 100 can include, for example, a curing unit 120, an adjustment mechanism RDM, a measuring instrument 150, an alignment detection system 170, a supply unit (dispenser) 180, an observation scope 190, and a control unit 110. The curing unit 120 irradiates the imprint material IM on the pattern formation target shot region of the substrate S with curing energy to cure the imprint material IM. For example, the curing unit 120 may be configured to irradiate the imprint material IM between the shot region and the pattern region PR of the mold M with curing energy via the mold M. The energy for curing can be, for example, ultraviolet light (eg, i-line, g-line). In this case, the curing unit 120 includes a light source that generates ultraviolet light, and one or a plurality of optical elements for irradiating the imprint material IM with light from the light source (for example, an elliptical mirror that collects ultraviolet light, an integrator, or the like). ). In the example shown in FIG. 1, the curing energy generated by the curing unit 120 is applied to the imprint material IM through the half mirror HM.

調整機構RDMは、制御部110からの指令に従って基板Sと型Mとの相対位置を調整する。より詳しくは、調整機構RDMは、制御部110からの指令に従って基板Sのショット領域と型Mのパターン領域PRとの相対位置を調整する。調整機構RDMは、基板Sのショット領域と型Mのパターン領域PRとの位置合わせ(アライメント)を行う位置合わせ機構として理解されてもよい。型位置決め機構MPMは、型Mを複数の軸(例えば、Z軸、θX軸、θY軸の3軸、好ましくは、X軸、Y軸、Z軸、θX軸、θY軸、θZ軸の6軸)について駆動するように構成されうる。調整機構RDMは、型M(のパターン領域PR)を位置決めする型位置決め機構MPMと、基板S(のショット領域)を位置決めする基板位置決め機構SPMとを含みうる。型位置決め機構MPMは、型Mを保持する型保持部132と、型保持部132を駆動することによって型Mを駆動(位置決め)する型駆動機構134とを含みうる。型駆動機構134は、支持構造130によって支持されうる。   The adjustment mechanism RDM adjusts the relative position between the substrate S and the mold M in accordance with a command from the control unit 110. More specifically, the adjustment mechanism RDM adjusts the relative position between the shot area of the substrate S and the pattern area PR of the mold M in accordance with a command from the control unit 110. The adjustment mechanism RDM may be understood as an alignment mechanism that performs alignment between the shot region of the substrate S and the pattern region PR of the mold M. The mold positioning mechanism MPM includes a mold M that has a plurality of axes (for example, three axes of Z axis, θX axis, and θY axis, preferably six axes of X axis, Y axis, Z axis, θX axis, θY axis, and θZ axis). ). The adjustment mechanism RDM may include a mold positioning mechanism MPM that positions the mold M (pattern area PR thereof) and a substrate positioning mechanism SPM that positions the substrate S (shot area thereof). The mold positioning mechanism MPM can include a mold holding unit 132 that holds the mold M and a mold driving mechanism 134 that drives (positions) the mold M by driving the mold holding unit 132. The mold driving mechanism 134 can be supported by the support structure 130.

インプリント装置100が、型Mの形状を補正する形状補正部140を備えていてもよい。形状補正部140は、型位置決め機構MPMの一部として理解されてもよい。形状補正部140は、型Mの側面に力を加えることによってパターン領域PRの形状を補正しうる。   The imprint apparatus 100 may include a shape correction unit 140 that corrects the shape of the mold M. The shape correction unit 140 may be understood as a part of the mold positioning mechanism MPM. The shape correction unit 140 can correct the shape of the pattern region PR by applying a force to the side surface of the mold M.

基板位置決め機構SPMは、基板Sを保持する基板保持部162と、基板保持部162を駆動することによって基板Sあるいは基板Sのショット領域を駆動(位置決め)する基板駆動機構164とを含みうる。基板駆動機構164は、基板Sを複数の軸(例えば、X軸、Y軸、θZ軸の3軸、好ましくは、X軸、Y軸、Z軸、θX軸、θY軸、θZ軸の6軸)について駆動するように構成されうる。基板駆動機構164は、支持構造160によって支持されうる。   The substrate positioning mechanism SPM can include a substrate holding unit 162 that holds the substrate S, and a substrate driving mechanism 164 that drives (positions) the substrate S or a shot area of the substrate S by driving the substrate holding unit 162. The substrate driving mechanism 164 moves the substrate S into a plurality of axes (for example, three axes of X axis, Y axis, and θZ axis, preferably six axes of X axis, Y axis, Z axis, θX axis, θY axis, and θZ axis). ). The substrate driving mechanism 164 can be supported by the support structure 160.

計測器150は、基板Sの位置および姿勢を計測する。計測器150は、例えば、基板Sを保持する基板保持部162の位置および姿勢を計測することによって基板Sの位置および姿勢を計測するように構成されうる。インプリント装置100は、更に、基板保持部162に設けられた不図示の基準マークと基板Sに設けられた不図示のマークとの相対位置を検出する検出系、例えば、オフアクシススコープ(オフアクシス検出系)を有しうる。   The measuring instrument 150 measures the position and orientation of the substrate S. The measuring instrument 150 can be configured to measure the position and orientation of the substrate S by measuring the position and orientation of the substrate holding unit 162 that holds the substrate S, for example. The imprint apparatus 100 further detects a relative position between a reference mark (not shown) provided on the substrate holding unit 162 and a mark (not shown) provided on the substrate S, for example, an off-axis scope (off-axis scope). Detection system).

アライメント検出系170は、例えば、撮像部172と、撮像部172を位置決めする位置決め機構174とを含みうる。図1には、1つのアライメント検出系170のみが示されているが、インプリント装置100は、複数のアライメント検出系170を備えうる。撮像部172は、CCDイメージセンサまたはMOSイメージセンサ等のイメージセンサと、観察対象であるマークの像をイメージセンサの撮像面に形成するスコープとを含みうる。また、撮像部172は、型に形成されたマークと基板に形成されたマークからの光(例えば、モアレ縞)を検出することができる。位置決め機構174は、観察対象の位置に応じて撮像部172を位置決めしうる。   The alignment detection system 170 can include, for example, an imaging unit 172 and a positioning mechanism 174 that positions the imaging unit 172. Although only one alignment detection system 170 is shown in FIG. 1, the imprint apparatus 100 can include a plurality of alignment detection systems 170. The imaging unit 172 can include an image sensor such as a CCD image sensor or a MOS image sensor, and a scope that forms an image of a mark to be observed on the imaging surface of the image sensor. In addition, the imaging unit 172 can detect light (for example, moire fringes) from a mark formed on the mold and a mark formed on the substrate. The positioning mechanism 174 can position the imaging unit 172 according to the position of the observation target.

撮像部172(のイメージセンサ)は、設定された解像度で撮像を行う機能を有する。より具体的には、撮像部172は、第1解像度で撮影を行う機能、および、第1解像度よりも解像度が高い第2解像度で撮像を行う機能を有しうる。撮像部172は、例えば、画素の間引き機能を有し、該間引き機能を使って撮像部172の解像度が変更されうる。画素の間引き機能は、例えば、撮像部172のイメージセンサにおけるn×m個の画素からなる各画素グループから1つの画素を出力する機能である。設定された解像度で撮像を行う機能は、ビニング機能によって実現されてもよい。ビニング機能は、例えば、撮像部172のイメージセンサにおけるn×m個の画素からなる各画素グループのn×m個の画素から演算(平均、加算等)によって1つの画素の信号を生成し出力する機能である。   The imaging unit 172 (image sensor thereof) has a function of imaging at a set resolution. More specifically, the imaging unit 172 may have a function of performing imaging at a first resolution and a function of performing imaging at a second resolution that is higher than the first resolution. The imaging unit 172 has, for example, a pixel thinning function, and the resolution of the imaging unit 172 can be changed using the thinning function. The pixel thinning function is a function of outputting one pixel from each pixel group including n × m pixels in the image sensor of the imaging unit 172, for example. The function of performing imaging at the set resolution may be realized by a binning function. For example, the binning function generates and outputs a signal of one pixel by calculation (average, addition, etc.) from n × m pixels of each pixel group including n × m pixels in the image sensor of the imaging unit 172. It is a function.

供給部(ディスペンサ)180は、基板Sの1又は複数のショット領域の上にインプリント材IMを供給あるいは配置する。一例において、基板位置決め機構SPMによって基板Sが駆動されながら、それに同期して供給部IMからインプリント材IMが吐出され、これによって基板Sの1又は複数のショット領域の上にインプリント材IMが供給あるいは配置されうる。供給部180によって複数のショット領域に対してインプリント材IMが連続的に供給あるいは配置される場合、その後に、該複数のショット領域に対して連続的にインプリントサイクルが実行されうる。基板Sに対するインプリント材IMの供給あるいは配置は、インプリント装置100の外部に配置された装置によってなされてもよい。   The supply unit (dispenser) 180 supplies or arranges the imprint material IM on one or a plurality of shot regions of the substrate S. In one example, while the substrate S is driven by the substrate positioning mechanism SPM, the imprint material IM is discharged from the supply unit IM in synchronization with the substrate S, and thereby the imprint material IM is placed on one or a plurality of shot regions of the substrate S. Can be supplied or arranged. When the imprint material IM is continuously supplied or arranged to the plurality of shot areas by the supply unit 180, thereafter, the imprint cycle can be continuously executed on the plurality of shot areas. The supply or arrangement of the imprint material IM with respect to the substrate S may be performed by an apparatus arranged outside the imprint apparatus 100.

観察スコープ190は、基板Sのショット領域の全部または一部を観察する視野を有し、例えば、インプリントサイクルの進行、パターン領域PRの凹部に対するインプリント材IMの充填の進行等を検出、確認あるいは観察するために使用されうる。   The observation scope 190 has a field of view for observing all or part of the shot area of the substrate S. For example, the observation scope 190 detects and confirms the progress of the imprint cycle, the progress of filling the imprint material IM into the concave portion of the pattern area PR, and the like Or it can be used to observe.

制御部110は、硬化部120、調整機構RDM、計測器150、アライメント検出系170、供給部(ディスペンサ)180および観察スコープ190を制御するように構成されうる。制御部110は、例えば、FPGA(Field Programmable Gate Arrayの略。)などのPLD(Programmable Logic Deviceの略。)、又は、ASIC(Application Specific Integrated Circuitの略。)、又は、プログラムが組み込まれた汎用又は専用のコンピュータ、又は、これらの全部または一部の組み合わせによって構成されうる。   The control unit 110 may be configured to control the curing unit 120, the adjustment mechanism RDM, the measuring instrument 150, the alignment detection system 170, the supply unit (dispenser) 180, and the observation scope 190. The control unit 110 is, for example, a PLD (abbreviation of programmable logic device) such as FPGA (abbreviation of field programmable gate array), or an ASIC (abbreviation of application specific integrated circuit). Alternatively, it may be configured by a dedicated computer, or a combination of all or part of them.

図2には、制御部110の構成のうち、基板Sのショット領域と型Mのパターン領域PRとの位置合わせ(アライメント)に関する動作を制御する部分の構成例が示されている。制御部110は、基板S(のショット領域)を計測器150による計測結果に基づいて位置決めを行う第1モードと、基板S(のショット領域)をアライメント検出系170による計測結果に基づいて位置決め(位置合わせ)を行う第2モードとを有しうる。   FIG. 2 shows a configuration example of a portion of the configuration of the control unit 110 that controls an operation related to alignment (alignment) between the shot region of the substrate S and the pattern region PR of the mold M. The control unit 110 positions the substrate S (the shot area) based on the measurement result by the measuring device 150, and positions the substrate S (the shot area) based on the measurement result by the alignment detection system 170 (see FIG. A second mode for performing (alignment).

制御部110は、例えば、目標値発生器112、補償器116、スイッチ113、誤差演算器114および減算器115を含みうる。目標値発生器112は、基板Sを位置決めするための基板保持部162の目標位置を発生する。誤差演算器114は、アライメント検出系170の撮像部172から提供される画像信号に基づいて、基板Sのショット領域と型Mのパターン領域PRとの位置合わせ誤差を演算し、スイッチ113を介して減算器115に提供する。計測器150によって計測された基板保持部162の位置(例えば、基準位置に対する相対位置)は、スイッチ113を介して減算器115に提供される。減算器115は、目標値発生器112から提供される基板保持部162の目標位置から、スイッチ113を介して提供される信号を減じた偏差信号を発生して補償器116に提供する。補償器116は、減算器115から提供される偏差信号に基づいて調整機構RDMに与える指令値(例えば、基板駆動機構164に与える指令値)を発生する。補償器116は、例えば、PID演算器およびフィルタを含みうる。PID演算器は、提供される信号(偏差信号)に対してPID演算を行って、その結果を出力する。   The control unit 110 can include, for example, a target value generator 112, a compensator 116, a switch 113, an error calculator 114, and a subtractor 115. The target value generator 112 generates a target position of the substrate holding part 162 for positioning the substrate S. The error calculator 114 calculates the alignment error between the shot area of the substrate S and the pattern area PR of the mold M based on the image signal provided from the imaging unit 172 of the alignment detection system 170, and passes through the switch 113. Provide to the subtractor 115. The position of the substrate holder 162 measured by the measuring instrument 150 (for example, a relative position with respect to the reference position) is provided to the subtractor 115 via the switch 113. The subtractor 115 generates a deviation signal obtained by subtracting the signal provided via the switch 113 from the target position of the substrate holder 162 provided from the target value generator 112 and provides the deviation signal to the compensator 116. The compensator 116 generates a command value to be given to the adjustment mechanism RDM (for example, a command value to be given to the substrate driving mechanism 164) based on the deviation signal provided from the subtractor 115. The compensator 116 can include, for example, a PID calculator and a filter. The PID calculator performs a PID calculation on the provided signal (deviation signal) and outputs the result.

第1モードにおける制御部110の動作を説明する。第1モードでは、計測器150によって計測された基板保持部162の位置がスイッチ113を介して減算器115に提供される。減算器115は、目標値発生器112から提供される基板保持部162の目標位置(例えば、基準位置に対する相対位置)から、スイッチ113を介して計測器150から提供される計測結果(位置を示す信号)を減じた偏差信号を発生し、補償器116に提供する。補償器116は、減算器115から提供される偏差信号に応じて、調整機構RDMに与える指令値(例えば、基板駆動機構164に与える指令値)を発生する。つまり、第1モードでは、目標値発生器112が発生する目標位置と計測器150による計測結果とに基づいて調整機構RDM(基板位置決め機構SPM)がフィードバック制御されうる。   The operation of the control unit 110 in the first mode will be described. In the first mode, the position of the substrate holder 162 measured by the measuring instrument 150 is provided to the subtractor 115 via the switch 113. The subtractor 115 measures the measurement result (indicating the position) provided from the measuring instrument 150 via the switch 113 from the target position (for example, a relative position to the reference position) of the substrate holder 162 provided from the target value generator 112. A deviation signal obtained by subtracting the signal is generated and provided to the compensator 116. The compensator 116 generates a command value to be given to the adjustment mechanism RDM (for example, a command value to be given to the substrate driving mechanism 164) in accordance with the deviation signal provided from the subtractor 115. That is, in the first mode, the adjustment mechanism RDM (substrate positioning mechanism SPM) can be feedback-controlled based on the target position generated by the target value generator 112 and the measurement result by the measuring instrument 150.

第2モードにおける制御部110の動作を説明する。第2モードでは、誤差演算器114によって演算された位置合わせ誤差がスイッチ113を介して減算器115に提供される。目標値発生器112は、基板Sのショット領域と型Mのパターン領域PRとの目標相対位置を減算器115に提供する。減算器115は、目標値発生器112から提供される目標相対位置から、アライメント検出系170から提供される画像信号に基づいて誤差演算器114によって演算された位置合わせ誤差を減じた偏差信号を発生し、補償器116に提供する。補償器116は、減算器115から提供される偏差信号に応じて、調整機構RDMに与える指令値(例えば、基板駆動機構164に与える指令値)を発生する。つまり、第2モードでは、アライメント検出系170を使って検出された位置合わせ誤差に基づいて調整機構RDM(基板位置決め機構SPM)がフィードバック制御されうる。   The operation of the control unit 110 in the second mode will be described. In the second mode, the alignment error calculated by the error calculator 114 is provided to the subtractor 115 via the switch 113. The target value generator 112 provides the target relative position between the shot area of the substrate S and the pattern area PR of the mold M to the subtractor 115. The subtractor 115 generates a deviation signal obtained by subtracting the alignment error calculated by the error calculator 114 based on the image signal provided from the alignment detection system 170 from the target relative position provided from the target value generator 112. And provided to the compensator 116. The compensator 116 generates a command value to be given to the adjustment mechanism RDM (for example, a command value to be given to the substrate driving mechanism 164) in accordance with the deviation signal provided from the subtractor 115. That is, in the second mode, the adjustment mechanism RDM (substrate positioning mechanism SPM) can be feedback-controlled based on the alignment error detected using the alignment detection system 170.

以下、図3を参照しながらインプリント装置100の動作を説明する。この動作は、1枚の基板Sに対するインプリントサイクル(インプリント方法)の繰り返しを含む。この動作は、制御部110によって制御される。工程S1002では、制御部110は、型Mが型保持部132に搬送されるように不図示の型搬送機構を制御し、型保持部132に型Mを保持させる。工程S1004では、基板Sが基板保持部162に搬送されるように不図示の基板搬送機構に制御し、基板保持部162に基板Sを保持させる。ここでは、基板Sには、複数のショット領域が既に定義され、ショット領域にはマークが設けられているものとする。換言すると、基板Sには、リソグラフィ工程を経て形成された少なくとも1つの層を有する。   Hereinafter, the operation of the imprint apparatus 100 will be described with reference to FIG. This operation includes repetition of an imprint cycle (imprint method) for one substrate S. This operation is controlled by the control unit 110. In step S <b> 1002, the control unit 110 controls a mold conveyance mechanism (not shown) so that the mold M is conveyed to the mold holding unit 132, and causes the mold holding unit 132 to hold the mold M. In step S <b> 1004, a substrate transport mechanism (not shown) is controlled so that the substrate S is transported to the substrate holder 162, and the substrate S is held by the substrate holder 162. Here, it is assumed that a plurality of shot areas are already defined on the substrate S, and marks are provided in the shot areas. In other words, the substrate S has at least one layer formed through a lithography process.

図4には、型Mのパターン領域PRに対して設けられたマーク(アライメントマーク)AMMと、基板Sのショット領域に対して設けられたマーク(アライメントマーク)AMWと、が例示されている。アライメント検出系170の撮像部172は、例えば、マークAMMの像とマークAMWの像とによって合成されたマーク像AMを検出する。図5には、基板Sに定義された複数のショット領域SRが例示されている。各ショット領域SRには、複数のマークAMWが設けられうる。複数のマークAMWは、ショット領域SRの外縁の内側に配置されうる。ショット領域SRに隣接するショット領域の間にスクライブラインが設定される場合には、スクライブラインにマークAMWが配置されてもよい。   FIG. 4 illustrates a mark (alignment mark) AMM provided for the pattern region PR of the mold M and a mark (alignment mark) AMW provided for the shot region of the substrate S. The imaging unit 172 of the alignment detection system 170 detects, for example, a mark image AM synthesized from the mark AMM image and the mark AMW image. FIG. 5 illustrates a plurality of shot regions SR defined on the substrate S. Each shot area SR can be provided with a plurality of marks AMW. The plurality of marks AMW can be arranged inside the outer edge of the shot region SR. When a scribe line is set between shot areas adjacent to the shot area SR, the mark AMW may be arranged on the scribe line.

工程S1006〜工程S1032は、1つのインプリントサイクルに相当する。工程S1006は、インプリント材IMが塗布されていない基板Sがインプリント装置100にロードされる場合に実行される。ここでは、簡単化のために、工程S1006において1つのショット領域SRの上に供給部180によってインプリント材IMが供給されるものとする。工程S1006では、制御部110は、基板Sの複数のショット領域SRのうちパターン形成対象のショット領域SRに対してインプリント材IMが供給されるように供給部180および基板位置決め機構SPMを制御する。工程S1006における基板Sの位置決めは、図2を参照して説明された第1モードでなされる。工程S1008では、制御部110は、パターン形成対象のショット領域SRが型Mのパターン領域PRの下に位置決めされるように基板位置決め機構SPMを制御する。工程S1006における基板Sの位置決めは、図2を参照して説明された第1モードでなされる。   Steps S1006 to S1032 correspond to one imprint cycle. Step S1006 is executed when the substrate S to which the imprint material IM is not applied is loaded into the imprint apparatus 100. Here, for simplification, it is assumed that the imprint material IM is supplied by the supply unit 180 onto one shot region SR in step S1006. In step S1006, the control unit 110 controls the supply unit 180 and the substrate positioning mechanism SPM so that the imprint material IM is supplied to the pattern formation target shot region SR among the plurality of shot regions SR of the substrate S. . The positioning of the substrate S in step S1006 is performed in the first mode described with reference to FIG. In step S1008, the control unit 110 controls the substrate positioning mechanism SPM so that the pattern formation target shot region SR is positioned below the pattern region PR of the mold M. The positioning of the substrate S in step S1006 is performed in the first mode described with reference to FIG.

工程S1010では、制御部110は、パターン形成対象のショット領域SRのマークAMWと型Mのパターン領域PRのマークAMMが撮像部172の観察視野に入るように位置決め機構174を制御する。工程S1012では、制御部110は、アライメント検出系170の撮像部172の解像度を第1解像度(低解像度)に設定する。図6(a)には、第1解像度(低解像)に設定された撮像部172によって撮像され撮像部172から制御部110に転送される画像(画像信号)が模式的に示されている。図6(b)には、第1解像度(低解像)よりも解像度が高い第2解像度(高解像度)に設定された撮像部172によって撮像され撮像部172から制御部110に転送される画像(画像信号)が模式的に示されている。   In step S <b> 1010, the control unit 110 controls the positioning mechanism 174 so that the mark AMW of the shot area SR to be patterned and the mark AMM of the pattern area PR of the pattern M are in the observation field of view of the imaging unit 172. In step S1012, the control unit 110 sets the resolution of the imaging unit 172 of the alignment detection system 170 to the first resolution (low resolution). FIG. 6A schematically shows an image (image signal) captured by the imaging unit 172 set to the first resolution (low resolution) and transferred from the imaging unit 172 to the control unit 110. . FIG. 6B shows an image captured by the imaging unit 172 set to the second resolution (high resolution) higher than the first resolution (low resolution) and transferred from the imaging unit 172 to the control unit 110. (Image signal) is schematically shown.

第1解像度(低解像度)に設定された撮像部172から制御部110に転送される画像信号の1フレーム当たりの画素数は、第2解像度(高解像度)に設定された撮像部172から制御部110に転送される画像信号の1フレーム当たりの画素数よりも少ない。また、第1解像度に設定された撮像部172から制御部110に転送される画像信号の1フレーム当たりのデータサイズは、第2解像度に設定された撮像部172から制御部110に転送される画像信号の1フレーム当たりのデータサイズより小さい。よって、第1解像度に設定された撮像部172から制御部110に転送される画像信号の1フレーム当たりの転送時間は、第2解像度(高解像度)に設定された撮像部172からら制御部110に転送される画像信号の1フレーム当たりの転送時間よりも短い。一方、撮像部172から制御部110に転送される画像信号に基づいて制御部110の誤差演算器114によって演算される位置合わせ誤差の検出精度は、第1解像度(低解像度)の場合の方が第2解像度(高解像度)の場合よりも低い。   The number of pixels per frame of the image signal transferred from the imaging unit 172 set to the first resolution (low resolution) to the control unit 110 is changed from the imaging unit 172 set to the second resolution (high resolution) to the control unit. This is less than the number of pixels per frame of the image signal transferred to 110. The data size per frame of the image signal transferred from the imaging unit 172 set to the first resolution to the control unit 110 is an image transferred from the imaging unit 172 set to the second resolution to the control unit 110. It is smaller than the data size per frame of the signal. Therefore, the transfer time per frame of the image signal transferred from the imaging unit 172 set to the first resolution to the control unit 110 is controlled by the control unit 110 from the imaging unit 172 set to the second resolution (high resolution). Is shorter than the transfer time per frame of the image signal transferred to. On the other hand, the detection accuracy of the alignment error calculated by the error calculator 114 of the control unit 110 based on the image signal transferred from the imaging unit 172 to the control unit 110 is higher in the case of the first resolution (low resolution). Lower than in the case of the second resolution (high resolution).

工程S1014では、制御部110は、ショット領域SRの上のインプリント材IMと型Mのパターン領域PRとが接触するように調整機構RDMを制御する。この動作は、型駆動機構134によって型Mを下降させること、又は、基板駆動機構164によって基板Sを上昇されること、又は、それらの双方によってなされうる。ショット領域SRの上のインプリント材IMと型Mのパターン領域PRとが接触した状態で、パターン領域PRの凹部にインプリント材IMが充填される。   In step S1014, the control unit 110 controls the adjustment mechanism RDM so that the imprint material IM on the shot region SR and the pattern region PR of the mold M are in contact with each other. This operation can be performed by lowering the mold M by the mold driving mechanism 134, raising the substrate S by the substrate driving mechanism 164, or both. In a state where the imprint material IM on the shot region SR and the pattern region PR of the mold M are in contact with each other, the concave portion of the pattern region PR is filled with the imprint material IM.

工程S1016〜S1028では、制御部110は、第1動作を実行した後に第2動作を実行する。工程S1016〜S1028は、図2を参照して説明した第2モードでショット領域SRとパターン領域PRとの位置合わせがなされる。第1動作は、工程S1016〜S1020を含む。第2動作は、工程S1022〜S1028を含む。第1動作では、制御部110は、撮像部172の解像度が第1解像度に設定された状態で撮像部172から提供(転送)される画像信号に基づいて調整機構RDMを制御する。第2動作では、制御部110は、撮像部172の解像度が第2解像度に設定された状態で撮像部172から提供(転送)される画像信号に基づいて調整機構RDMを制御する。   In steps S1016 to S1028, control unit 110 executes the second operation after executing the first operation. In steps S1016 to S1028, the shot region SR and the pattern region PR are aligned in the second mode described with reference to FIG. The first operation includes steps S1016 to S1020. The second operation includes steps S1022 to S1028. In the first operation, the control unit 110 controls the adjustment mechanism RDM based on an image signal provided (transferred) from the imaging unit 172 in a state where the resolution of the imaging unit 172 is set to the first resolution. In the second operation, the control unit 110 controls the adjustment mechanism RDM based on an image signal provided (transferred) from the imaging unit 172 in a state where the resolution of the imaging unit 172 is set to the second resolution.

以下、工程S1016〜S1028をより具体的に説明する。まず、工程S1016〜S1020の第1動作について説明する。工程S1016では、制御部110は、アライメント検出系170の撮像部172によって図4に例示されるようなマーク像AMが検出(撮像)されるようにアライメント検出系170を制御する。撮像部172は、マーク像AMを検出して、それによって得られた画像信号を制御部110に転送する。また、工程S1016では、制御部110の誤差演算器114は、アライメント検出系170の撮像部172から制御部110に転送される画像信号に基づいて位置合わせ誤差を演算する。位置合わせ誤差は、例えば、パターン形成対象のショット領域SRと型Mのパターン領域PRとの相対的な位置および回転、および、パターン形成対象のショット領域SRと型Mのパターン領域PRと形状差を含みうる。形状差は、例えば、倍率成分、台形成分、菱型成分等を含みうる。   Hereinafter, steps S1016 to S1028 will be described more specifically. First, the first operation in steps S1016 to S1020 will be described. In step S1016, the control unit 110 controls the alignment detection system 170 so that the image image 172 of the alignment detection system 170 detects (images) a mark image AM illustrated in FIG. The imaging unit 172 detects the mark image AM and transfers an image signal obtained thereby to the control unit 110. In step S1016, the error calculator 114 of the control unit 110 calculates the alignment error based on the image signal transferred from the imaging unit 172 of the alignment detection system 170 to the control unit 110. The alignment error includes, for example, a relative position and rotation between the pattern formation target shot region SR and the pattern region PR of the mold M, and a shape difference between the pattern formation target shot region SR and the pattern region PR of the mold M. May be included. The shape difference can include, for example, a magnification component, a trapezoidal component, a rhombus component, and the like.

工程S1018では、制御部110は、位置合わせ誤差が低減されるように調整機構RDMおよび形状補正部140を制御する。工程S1020では、制御部110は、位置合わせ誤差が第1基準値に収まったかどうかを判断する。そして、制御部110は、位置合わせ誤差が第1基準値に収まっていないと判断した場合には、工程S1016に処理を戻し、位置合わせ誤差が第1基準値に収まった判断した場合には、工程S1022に処理を進める。工程S1016〜S1020は、工程S1020においてアライメント検出系170(撮像部172)を使って検出される位置合わせ誤差が第1基準値に収まったと判断されるまで繰り返される。   In step S1018, the control unit 110 controls the adjustment mechanism RDM and the shape correction unit 140 so that the alignment error is reduced. In step S1020, control unit 110 determines whether or not the alignment error falls within the first reference value. When the controller 110 determines that the alignment error does not fall within the first reference value, the control unit 110 returns the process to step S1016, and when it determines that the alignment error falls within the first reference value, The process proceeds to step S1022. Steps S1016 to S1020 are repeated until it is determined that the alignment error detected using alignment detection system 170 (imaging unit 172) in step S1020 falls within the first reference value.

工程S1016〜S1020の第1動作では、位置合わせ誤差が第1基準値に収まっていないので、位置合わせ誤差が大きい(調整機構RDMによって基板Sおよび型Mを相対駆動すべき量、および/または、形状補正部140による変形量)が大きい。一方で、工程S1016〜S1020の第1動作では、位置合わせ誤差が第1基準値に収まっていないので、位置合わせ誤差の検出精度は低くてもよい。したがって、工程S1016〜S1020の第1動作では、撮像部172の解像度を第1解像度(低解像度)に設定し、撮像部172から制御部110に転送される画像信号の1フレーム当たりの転送時間を短くすることが有利である。ここで、転送時間を短くすることは、アライメント検出系170(撮像部172)を使って位置合わせ誤差を検出する動作の繰り返し周波数を高くすることを意味する。   In the first operation of steps S1016 to S1020, since the alignment error does not fall within the first reference value, the alignment error is large (the amount that the substrate S and the mold M should be relatively driven by the adjustment mechanism RDM, and / or The amount of deformation by the shape correcting unit 140 is large. On the other hand, in the first operation in steps S1016 to S1020, since the alignment error does not fall within the first reference value, the alignment error detection accuracy may be low. Therefore, in the first operation of steps S1016 to S1020, the resolution of the imaging unit 172 is set to the first resolution (low resolution), and the transfer time per frame of the image signal transferred from the imaging unit 172 to the control unit 110 is set. It is advantageous to shorten it. Here, shortening the transfer time means increasing the repetition frequency of the operation of detecting the alignment error using the alignment detection system 170 (imaging unit 172).

次いで、位置合わせ誤差が第1基準値に収まったと判断された後に実行される動作、即ち工程S1022〜S1028の第2動作について説明する。図7には、位置合わせ誤差の変化と第1動作から第2動作への移行とが模式的に示されている。まず、工程S1022では、制御部110は、アライメント検出系170の撮像部172の解像度を第2解像度(高解像度)に設定する。   Next, an operation performed after it is determined that the alignment error has fallen within the first reference value, that is, the second operation in steps S1022 to S1028 will be described. FIG. 7 schematically shows a change in alignment error and a transition from the first operation to the second operation. First, in step S1022, the control unit 110 sets the resolution of the imaging unit 172 of the alignment detection system 170 to the second resolution (high resolution).

工程S1024では、制御部110は、アライメント検出系170の撮像部172によって図4に例示されるようなマーク像AMが検出(撮像)されるようにアライメント検出系170を制御する。撮像部172は、マーク像AMを検出して、それによって得られた画像信号を制御部110に転送する。また、工程S1024では、制御部110の誤差演算器114は、アライメント検出系170の撮像部172から制御部110に転送される画像信号に基づいて位置合わせ誤差を演算する。   In step S1024, the control unit 110 controls the alignment detection system 170 so that the image pickup unit 172 of the alignment detection system 170 detects (images) a mark image AM illustrated in FIG. The imaging unit 172 detects the mark image AM and transfers an image signal obtained thereby to the control unit 110. In step S1024, the error calculator 114 of the control unit 110 calculates the alignment error based on the image signal transferred from the imaging unit 172 of the alignment detection system 170 to the control unit 110.

工程S1026では、制御部110は、位置合わせ誤差が低減されるように調整機構RDMおよび形状補正部140を制御する。工程S1020では、制御部110は、位置合わせ誤差が第2基準値に収まったかどうかを判断する。そして、制御部110は、位置合わせ誤差が第2基準値に収まっていないと判断した場合には、工程S1022に処理を戻し、位置合わせ誤差が第2基準値に収まった判断した場合には、工程S1030に処理を進める。工程S1022〜S1028は、工程S1028においてアライメント検出系170(撮像部172)を使って検出される位置合わせ誤差が第2基準値に収まったと判断されるまで繰り返される。   In step S1026, the control unit 110 controls the adjustment mechanism RDM and the shape correction unit 140 so that the alignment error is reduced. In step S1020, control unit 110 determines whether or not the alignment error falls within the second reference value. If the controller 110 determines that the alignment error does not fall within the second reference value, the control unit 110 returns the process to step S1022, and if the controller 110 determines that the alignment error falls within the second reference value, The process proceeds to step S1030. Steps S1022 to S1028 are repeated until it is determined that the alignment error detected using alignment detection system 170 (imaging unit 172) in step S1028 falls within the second reference value.

工程S1022〜S1028の第2動作では、位置合わせ誤差が第1基準値に収まっているので、位置合わせ誤差が小さい(調整機構RDMによって基板Sおよび型Mを相対駆動すべき量、および/または、形状補正部140による変形量)が小さい。一方で、工程S1022〜S1028の第2動作は、最終的な位置合わせ誤差を決定する動作である。したがって、工程S1022〜S1028の第2動作では、位置合わせ誤差の検出精度を高くするために、撮像部172の解像度が第2解像度(高解像度)に設定される。   In the second operation of steps S1022 to S1028, since the alignment error is within the first reference value, the alignment error is small (the amount by which the substrate S and the mold M should be relatively driven by the adjustment mechanism RDM, and / or The deformation amount by the shape correction unit 140 is small. On the other hand, the second operation in steps S1022 to S1028 is an operation for determining a final alignment error. Therefore, in the second operation in steps S1022 to S1028, the resolution of the imaging unit 172 is set to the second resolution (high resolution) in order to increase the detection accuracy of the alignment error.

位置合わせ誤差が第2基準値に収まった判断されると、工程S1030において、制御部110は、パターン形成対象のショット領域SRとパターン領域PRとの間のインプリント材IMが硬化するように硬化部120を制御する。工程S1032では、硬化したインプリント材IMと型Mのパターン領域PRとが分離されるように調整機構RDMを制御する。この動作は、型駆動機構134によって型Mを上昇させること、又は、基板駆動機構164によって基板Sを下降されること、又は、それらの双方によってなされうる。   When it is determined that the alignment error falls within the second reference value, in step S1030, the control unit 110 cures so that the imprint material IM between the shot region SR and the pattern region PR to be patterned is cured. The unit 120 is controlled. In step S1032, the adjustment mechanism RDM is controlled so that the cured imprint material IM and the pattern region PR of the mold M are separated. This operation can be performed by raising the mold M by the mold driving mechanism 134, lowering the substrate S by the substrate driving mechanism 164, or both.

工程S1034では、制御部110は、基板Sの複数のショット領域の全てに対するパターンの形成が終了したかどうかを判断する。そして、制御部110は、基板Sの複数のショット領域の全てに対するパターンの形成が終了していないと判断した場合には、パターンが形成されていないショット領域を新たなパターン形成対象に設定し工程S1006〜S1032を実行する。一方、基板Sの複数のショット領域の全てに対するパターンの形成が終了したと判断した場合、制御部110は、工程S1036において、不図示の基板搬送機構に基板Sを基板保持部162から取り除かせる。   In step S1034, the control unit 110 determines whether or not the pattern formation for all of the plurality of shot regions of the substrate S has been completed. If the controller 110 determines that the pattern formation for all of the plurality of shot areas of the substrate S has not been completed, the control unit 110 sets a shot area in which no pattern is formed as a new pattern formation target. S1006 to S1032 are executed. On the other hand, when determining that the formation of the pattern for all of the plurality of shot regions of the substrate S has been completed, the control unit 110 causes the substrate transport mechanism (not shown) to remove the substrate S from the substrate holding unit 162 in step S1036.

以上のように、本実施形態によれば、撮像部172によって第1解像度で撮像を行う第1動作が実行された後に撮像部172によって第2解像度で撮像を行う第2動作が実行される。これにより、第1動作における画像信号の転送および処理に要する時間を短縮しつつ、第2動作において基板のショット領域と型のパターン領域との位置合わせ誤差に関して所望の検出精度を得ることができる。したがって、スループットの低下を抑えながら位置合わせ誤差の検出精度を向上させることができる。そして、位置合わせ誤差の検出精度を向上させることによって、最終的な位置合わせ精度を向上させることができる。   As described above, according to the present embodiment, after the first operation for imaging at the first resolution is executed by the imaging unit 172, the second operation for imaging at the second resolution is executed by the imaging unit 172. Accordingly, it is possible to obtain a desired detection accuracy with respect to the alignment error between the shot region of the substrate and the pattern region of the mold in the second operation while reducing the time required for the transfer and processing of the image signal in the first operation. Therefore, it is possible to improve the accuracy of detecting the alignment error while suppressing a decrease in throughput. The final alignment accuracy can be improved by improving the detection accuracy of the alignment error.

上記の実施形態において、第1動作から第2動作への移行、即ち、第1解像度(低解像度)から第2解像度(高解像度)への撮像部172の解像度の変更に応じて、撮像部172が有するスコープの倍率を低倍率から高倍率に変更してもよい。   In the above embodiment, in accordance with the transition from the first operation to the second operation, that is, according to the change in the resolution of the imaging unit 172 from the first resolution (low resolution) to the second resolution (high resolution), the imaging unit 172. You may change the magnification of the scope which has from low magnification to high magnification.

上記の実施形態において、制御部110は、第1動作から第2動作への移行に応じて補償器116の特性を変更してもよい。第1動作から第2動作への移行に応じて変更される補償器116の特性は、例えば、ゲイン(例えば、比例ゲイン、積分ゲインおよび微分ゲインの少なくとも1つ)を含みうる。例えば、第1動作(第1解像度(低解像度))における比例ゲインを第2動作(第2解像度(高解像度))における比例ゲインより大きくことが有利である。この場合、第1動作においては、偏差信号に基づいて相対的に大きな指令値が調整機構RDMに提供され、相対的に大きな駆動力で位置合わせがなされる。一方、第2動作においては、大きな駆動力は不要であるので、偏差信号に基づいて相対的に小さい指令値が調整機構RDMに提供される。あるいは、第1動作から第2動作への移行に応じて変更される補償器116の特性は、フィルタ特性の変更(例えば、ノッチフィルタの周波数およびローパスフィルタのカットオフ周波数の少なくとも1つ)を含んでもよい。   In the above embodiment, the control unit 110 may change the characteristics of the compensator 116 in accordance with the transition from the first operation to the second operation. The characteristic of the compensator 116 that is changed in response to the transition from the first operation to the second operation can include, for example, a gain (eg, at least one of a proportional gain, an integral gain, and a derivative gain). For example, it is advantageous that the proportional gain in the first operation (first resolution (low resolution)) is larger than the proportional gain in the second operation (second resolution (high resolution)). In this case, in the first operation, a relatively large command value is provided to the adjustment mechanism RDM based on the deviation signal, and alignment is performed with a relatively large driving force. On the other hand, in the second operation, since a large driving force is unnecessary, a relatively small command value is provided to the adjustment mechanism RDM based on the deviation signal. Alternatively, the characteristic of the compensator 116 that is changed in response to the transition from the first operation to the second operation includes a change in the filter characteristic (for example, at least one of the frequency of the notch filter and the cutoff frequency of the low-pass filter). But you can.

上記の実施形態において、制御部110は、第1動作から第2動作への移行に応じて撮像部172における撮像のための蓄積時間を変更してもよい。例えば、制御部110は、第1動作における撮像部172における蓄積時間を第1時間とし、第2動作における撮像部172における蓄積時間を第1時間より長い第2時間としうる。   In the above embodiment, the control unit 110 may change the accumulation time for imaging in the imaging unit 172 in accordance with the transition from the first operation to the second operation. For example, the control unit 110 can set the accumulation time in the imaging unit 172 in the first operation as the first time, and the accumulation time in the imaging unit 172 in the second operation as the second time longer than the first time.

上記の実施形態では、位置合わせ誤差の大きさに基づいて第1動作から第2動作に移行するが、制御部110は、第1動作の開始からの経過時間に応じて第1動作から第2動作に移行してもよい。この場合においても、制御部110は、第1動作から第2動作への移行に応じて撮像部172における撮像のための蓄積時間を変更してもよい。   In the above-described embodiment, the control unit 110 shifts from the first operation to the second operation based on the magnitude of the alignment error. However, the control unit 110 changes from the first operation to the second operation according to the elapsed time from the start of the first operation. You may move to operation. Also in this case, the control unit 110 may change the accumulation time for imaging in the imaging unit 172 in accordance with the transition from the first operation to the second operation.

前述のように、インプリント装置100は、複数のアライメント検出系170を備えうる。一例において、撮像部172の解像度の変更には、数十ミリ秒から数百ミリ秒の時間を要しうる。複数のアライメント検出系170(撮像部172)の解像度を同時に変更すると、位置合わせ誤差の検出を行うことができない時間が生じうる。そこで、制御部110は、第1期間、第1期間の後の第2期間、第2期間の後の第3期間において、複数のアライメント検出系170(撮像部172)を以下のように制御しうる。第1期間では、制御部110は、複数の撮像部172の解像度が第1解像度に設定された状態で複数の撮像部172から提供される画像信号に基づいて調整機構RDMを制御する。第2期間では、制御部110は、複数の撮像部172のうちの一部の解像度が第1解像度に設定され、複数の撮像部172のうちの残りが第2解像度に設定された状態で複数の撮像部172から提供される画像信号に基づいて調整機構RDMを制御する。第3期間では、制御部110は、複数の撮像部172の解像度が第2解像度に設定された状態で複数の撮像部172から提供される画像信号に基づいて調整機構RDMを制御する。ここで、制御部110は、第2期間では、第1解像度から第2解像度への変更のタイミングが互いに異なるように複数の撮像部172の解像度の変更を制御しうる。   As described above, the imprint apparatus 100 can include a plurality of alignment detection systems 170. In one example, changing the resolution of the imaging unit 172 may require a time from several tens of milliseconds to several hundreds of milliseconds. If the resolutions of the plurality of alignment detection systems 170 (imaging units 172) are changed at the same time, a time during which an alignment error cannot be detected may occur. Therefore, the control unit 110 controls the plurality of alignment detection systems 170 (imaging units 172) as follows in the first period, the second period after the first period, and the third period after the second period. sell. In the first period, the control unit 110 controls the adjustment mechanism RDM based on image signals provided from the plurality of imaging units 172 in a state where the resolutions of the plurality of imaging units 172 are set to the first resolution. In the second period, the control unit 110 sets a plurality of resolutions in a state in which some of the plurality of imaging units 172 are set to the first resolution and the remaining ones of the plurality of imaging units 172 are set to the second resolution. The adjustment mechanism RDM is controlled based on the image signal provided from the image pickup unit 172. In the third period, the control unit 110 controls the adjustment mechanism RDM based on image signals provided from the plurality of imaging units 172 in a state where the resolutions of the plurality of imaging units 172 are set to the second resolution. Here, in the second period, the control unit 110 can control the change in the resolution of the plurality of imaging units 172 so that the timing of changing from the first resolution to the second resolution is different from each other.

インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、MEMS、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、MRAMのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、LSI、CCD、イメージセンサ、FPGAのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。   The pattern of the cured product formed using the imprint apparatus is used permanently on at least a part of various articles or temporarily used when manufacturing various articles. The article is an electric circuit element, an optical element, a MEMS, a recording element, a sensor, or a mold. Examples of the electric circuit elements include volatile or nonvolatile semiconductor memories such as DRAM, SRAM, flash memory, and MRAM, and semiconductor elements such as LSI, CCD, image sensor, and FPGA. Examples of the mold include an imprint mold.

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。   The pattern of the cured product is used as it is as a constituent member of at least a part of the article or temporarily used as a resist mask. After etching or ion implantation or the like is performed in the substrate processing step, the resist mask is removed.

次に、インプリント装置によって基板にパターンを形成し、該パターンが形成された基板を処理し、該処理が行われた基板から物品を製造する物品製造方法について説明する。図8(a)に示すように、絶縁体等の被加工材2zが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板1zを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材2zの表面にインプリント材3zを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材3zが基板上に付与された様子を示している。   Next, an article manufacturing method will be described in which a pattern is formed on a substrate by an imprint apparatus, the substrate on which the pattern is formed is processed, and an article is manufactured from the processed substrate. As shown in FIG. 8A, a substrate 1z such as a silicon wafer on which a workpiece 2z such as an insulator is formed is prepared. Subsequently, the substrate 1z is formed on the surface of the workpiece 2z by an inkjet method or the like. A printing material 3z is applied. Here, a state is shown in which the imprint material 3z in the form of a plurality of droplets is applied on the substrate.

図8(b)に示すように、インプリント用の型4zを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材3zに向け、対向させる。図8(c)に示すように、インプリント材3zが付与された基板1と型4zとを接触させ、圧力を加える。インプリント材3zは型4zと被加工材2zとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型4zを介して照射すると、インプリント材3zは硬化する。   As shown in FIG. 8B, the imprint mold 4z is opposed to the imprint material 3z on the substrate with the side having the concave / convex pattern formed thereon. As shown in FIG. 8C, the substrate 1 provided with the imprint material 3z is brought into contact with the mold 4z, and pressure is applied. The imprint material 3z is filled in a gap between the mold 4z and the workpiece 2z. In this state, when light is irradiated as energy for curing through the mold 4z, the imprint material 3z is cured.

図8(d)に示すように、インプリント材3zを硬化させた後、型4zと基板1zを引き離すと、基板1z上にインプリント材3zの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材3zに型4zの凹凸パターンが転写されたことになる。   As shown in FIG. 8D, when the imprint material 3z is cured and then the mold 4z and the substrate 1z are separated, a pattern of a cured product of the imprint material 3z is formed on the substrate 1z. This cured product pattern has a shape in which the concave portion of the mold corresponds to the convex portion of the cured product, and the convex portion of the mold corresponds to the concave portion of the cured product, that is, the concave / convex pattern of the die 4z is transferred to the imprint material 3z. It will be done.

図8(e)に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材2zの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝5zとなる。図8(f)に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材2zの表面に溝5zが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。   As shown in FIG. 8 (e), when etching is performed using the pattern of the cured product as an etching resistant mask, the portion of the surface of the workpiece 2z where there is no cured product or remains thin is removed, and the grooves 5z and Become. As shown in FIG. 8 (f), when the pattern of the cured product is removed, an article in which the groove 5z is formed on the surface of the workpiece 2z can be obtained. Although the cured product pattern is removed here, it may be used as, for example, a film for interlayer insulation contained in a semiconductor element or the like, that is, a constituent member of an article without being removed after processing.

以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変形及び変更が可能である。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to these embodiment, A various deformation | transformation and change are possible within the range of the summary.

100:インプリント装置、110:制御部、120:硬化部、170:アライメント検出系、172:撮像部、RDM:調整機構、MPM:型位置決め機構、SPM:基板位置決め機構、S:基板、M:型、PR:パターン領域、IM:インプリント材 100: imprint apparatus, 110: control unit, 120: curing unit, 170: alignment detection system, 172: imaging unit, RDM: adjustment mechanism, MPM: mold positioning mechanism, SPM: substrate positioning mechanism, S: substrate, M: Mold, PR: Pattern area, IM: Imprint material

Claims (13)

基板のショット領域の上のインプリント材と型のパターン領域とを接触させ該インプリント材を硬化させることによって前記ショット領域の上にパターンを形成するインプリント装置であって、
前記ショット領域と前記パターン領域との相対位置を調整する調整機構と、
前記基板のマークと前記型のマークとによって形成される像を検出する撮像部と、
前記撮像部から提供される信号に基づいて前記ショット領域と前記パターン領域との相対位置が調整されるように前記調整機構を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記撮像部の解像度が第1解像度に設定された状態で前記撮像部から提供される画像信号に基づいて前記調整機構を制御する第1動作を実行した後に、前記撮像部の解像度が前記第1解像度より高い第2解像度に設定された状態で前記撮像部から提供される画像信号に基づいて前記調整機構を制御する第2動作を実行する、
ことを特徴とするインプリント装置。
An imprint apparatus for forming a pattern on the shot area by bringing the imprint material on the shot area of the substrate into contact with the pattern area of the mold and curing the imprint material,
An adjustment mechanism for adjusting a relative position between the shot area and the pattern area;
An imaging unit for detecting an image formed by the mark on the substrate and the mark on the mold;
A control unit that controls the adjustment mechanism so that a relative position between the shot region and the pattern region is adjusted based on a signal provided from the imaging unit;
The control unit performs a first operation of controlling the adjustment mechanism based on an image signal provided from the imaging unit in a state where the resolution of the imaging unit is set to the first resolution, and then Performing a second operation of controlling the adjustment mechanism based on an image signal provided from the imaging unit in a state where the resolution is set to a second resolution higher than the first resolution;
An imprint apparatus characterized by that.
前記制御部は、前記ショット領域の上のインプリント材と前記パターン領域とが接触した状態で、前記第1動作および前記第2動作を実行する、
ことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
The control unit performs the first operation and the second operation in a state where the imprint material on the shot region and the pattern region are in contact with each other.
The imprint apparatus according to claim 1.
前記制御部は、前記撮像部から提供される画像信号に基づいて前記ショット領域と前記パターン領域との位置合わせ誤差が第1基準値に収まったと判断された後に、前記第2動作の実行を開始する、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のインプリント装置。
The control unit starts executing the second operation after determining that an alignment error between the shot region and the pattern region is within a first reference value based on an image signal provided from the imaging unit. To
The imprint apparatus according to claim 1, wherein the imprint apparatus according to claim 1.
インプリント材を硬化させる硬化部を更に備え、
前記制御部は、前記第2動作において前記撮像部から提供される画像信号に基づいて前記ショット領域と前記パターン領域との位置合わせ誤差が第2基準値に収まったと判断された後に、前記ショット領域の上のインプリント材を硬化させるように前記硬化部を制御する、
ことを特徴とする請求項3に記載のインプリント装置。
It further comprises a curing part that cures the imprint material,
The control unit determines that an alignment error between the shot region and the pattern region falls within a second reference value based on an image signal provided from the imaging unit in the second operation. Controlling the curing part to cure the imprint material on the substrate;
The imprint apparatus according to claim 3.
前記制御部は、前記第1動作および前記第2動作において、前記位置合わせ誤差が低減されるように前記撮像部から提供される画像信号に基づいて前記ショット領域と前記パターン領域との相対位置をフィードバック制御する、
ことを特徴とする請求項3又は4に記載のインプリント装置。
In the first operation and the second operation, the control unit sets a relative position between the shot region and the pattern region based on an image signal provided from the imaging unit so that the alignment error is reduced. Feedback control,
The imprint apparatus according to claim 3 or 4, wherein
前記制御部は、前記位置合わせ誤差に基づいて、前記ショット領域と前記パターン領域との相対位置を調整するために前記調整機構に与える指令値を決定する補償器を含み、
前記制御部は、前記第1動作から前記第2動作への移行に応じて前記補償器の特性を変更する、
ことを特徴とする請求項5に記載のインプリント装置。
The control unit includes a compensator that determines a command value to be given to the adjustment mechanism to adjust a relative position between the shot area and the pattern area based on the alignment error,
The control unit changes the characteristics of the compensator in accordance with the transition from the first operation to the second operation.
The imprint apparatus according to claim 5.
前記制御部によって前記第1動作から前記第2動作への移行に応じて変更される前記補償器の特性は、ゲインを含む、
ことを特徴とする請求項6に記載のインプリント装置。
The characteristic of the compensator that is changed by the control unit in accordance with the transition from the first operation to the second operation includes a gain.
The imprint apparatus according to claim 6.
前記制御部は、前記第1動作の開始からの経過時間に応じて第1動作から前記第2動作に移行する、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のインプリント装置。
The control unit shifts from the first operation to the second operation according to an elapsed time from the start of the first operation.
The imprint apparatus according to claim 1, wherein the imprint apparatus according to claim 1.
前記制御部は、前記第1動作から前記第2動作への移行に応じて前記撮像部における撮像のための蓄積時間を変更する、
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載のインプリント装置。
The control unit changes an accumulation time for imaging in the imaging unit in accordance with the transition from the first operation to the second operation.
The imprint apparatus according to claim 1, wherein the apparatus is an imprint apparatus.
前記撮像部は、画素の間引き機能を有し、
前記制御部は、前記間引き機能を使って前記撮像部の前記解像度の変更を行う、
ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載のインプリント装置。
The imaging unit has a pixel thinning function,
The control unit changes the resolution of the imaging unit using the thinning function.
The imprint apparatus according to claim 1, wherein the apparatus is an imprint apparatus.
前記撮像部を含む複数の撮像部を備え、
前記制御部は、
第1期間では、前記複数の撮像部の解像度が前記第1解像度に設定された状態で前記複数の撮像部から提供される画像信号に基づいて前記調整機構を制御し、
前記第1期間の後の第2期間では、前記複数の撮像部のうちの一部の解像度が前記第1解像度に設定され、前記複数の撮像部のうちの残りが前記第2解像度に設定された状態で前記複数の撮像部から提供される画像信号に基づいて前記調整機構を制御し、
前記第2期間の後の第3期間では、前記複数の撮像部の解像度が前記第2解像度に設定された状態で前記複数の撮像部から提供される画像信号に基づいて前記調整機構を制御し、
前記制御部は、前記第2期間では、前記第1解像度から前記第2解像度への変更のタイミングが互いに異なるように前記複数の撮像部の解像度の変更を制御する、
ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載のインプリント装置。
A plurality of imaging units including the imaging unit;
The controller is
In the first period, the adjustment mechanism is controlled based on image signals provided from the plurality of imaging units in a state where the resolution of the plurality of imaging units is set to the first resolution,
In a second period after the first period, a part of the plurality of imaging units is set to the first resolution, and the remaining part of the plurality of imaging units is set to the second resolution. Controlling the adjustment mechanism based on image signals provided from the plurality of imaging units in a
In a third period after the second period, the adjustment mechanism is controlled based on image signals provided from the plurality of imaging units in a state where the resolution of the plurality of imaging units is set to the second resolution. ,
The control unit controls the change in the resolution of the plurality of imaging units so that the timing of the change from the first resolution to the second resolution is different from each other in the second period.
The imprint apparatus according to any one of claims 1 to 10, wherein the imprint apparatus includes:
基板のショット領域の上のインプリント材と型のパターン領域とを接触させ該インプリント材を硬化させることによって前記ショット領域の上にパターンを形成するインプリント装置によって前記ショット領域の上にパターンを形成するインプリント方法であって、
前記インプリント装置は、前記ショット領域と前記パターン領域との相対位置を調整する調整機構と、前記基板のマークと前記型のマークとによって形成される像を検出する撮像部と、インプリント材を硬化させる硬化部とを備え、
前記インプリント方法は、
前記撮像部の解像度が第1解像度に設定された状態で前記撮像部から提供される画像信号に基づいて、前記ショット領域と前記パターン領域との相対位置が調整されるように前記調整機構を制御する第1工程と、
前記第1工程の後に、前記撮像部の解像度が前記第1解像度より高い第2解像度に設定された状態で前記撮像部から提供される画像信号に基づいて前記調整機構を制御する第2工程と、
前記第2工程の後に、前記ショット領域の上のインプリント材を硬化させるように前記硬化部を制御する第3工程と、
を含むことを特徴とするインプリント方法。
A pattern is formed on the shot area by an imprint apparatus that forms a pattern on the shot area by bringing the imprint material on the shot area of the substrate into contact with the pattern area of the mold and curing the imprint material. An imprint method for forming,
The imprint apparatus includes an adjustment mechanism that adjusts a relative position between the shot area and the pattern area, an imaging unit that detects an image formed by the mark on the substrate and the mark on the mold, and an imprint material. A curing part for curing,
The imprint method is:
The adjustment mechanism is controlled so that the relative position between the shot area and the pattern area is adjusted based on an image signal provided from the imaging section with the resolution of the imaging section set to the first resolution. A first step of
A second step of controlling the adjustment mechanism based on an image signal provided from the imaging unit in a state where the resolution of the imaging unit is set to a second resolution higher than the first resolution after the first step; ,
After the second step, a third step of controlling the curing portion so as to cure the imprint material on the shot region;
An imprint method comprising:
請求項1乃至11のいずれか1項に記載のインプリント装置を用いて基板の上にパターンを形成する工程と、
前記工程において前記パターンが形成された基板の処理を行う工程と、
を含み、前記処理が行われた前記基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。
Forming a pattern on a substrate using the imprint apparatus according to claim 1;
Processing the substrate on which the pattern is formed in the step;
An article manufacturing method comprising manufacturing an article from the substrate that has been subjected to the treatment.
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