JP2019211611A - Method for manufacturing halftone mask - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は液晶ディスプレイ及び有機ELディスプレイに代表されるフラットパネルディスプレイの製造に用いるフォトマスクの製造方法に関する。 The present invention relates to a method of manufacturing a photomask used for manufacturing a flat panel display represented by a liquid crystal display and an organic EL display.
本発明は特にフラットパネルディスプレイの製造に用いるフォトマスクの内、透過領域、遮光領域及び半透過領域を有するハーフトーンマスクの製造方法に関する。 The present invention particularly relates to a method of manufacturing a halftone mask having a transmissive region, a light-shielding region, and a semi-transmissive region among photomasks used for manufacturing a flat panel display.
液晶ディスプレイ及び有機ELディスプレイに代表されるフラットパネルディスプレイの製造においては、フォトマスク上に形成されたパターンを露光装置を用いてフラットパネルディスプレイ上に複写するフォトリソグラフィ技術が採用されている。特許文献１には、透過領域、遮光領域及び半透過領域を有するハーフトーンマスクの製造方法が記載されており、ハーフトーンマスクを使用することでフォトリソグラフィ技術の使用回数を削減する事が可能となる。 In the manufacture of a flat panel display typified by a liquid crystal display and an organic EL display, a photolithography technique for copying a pattern formed on a photomask onto the flat panel display using an exposure apparatus is employed. Patent Document 1 describes a method for manufacturing a halftone mask having a transmissive region, a light-shielding region, and a semi-transmissive region, and the use of the halftone mask can reduce the number of times the photolithography technique is used. Become.
特許文献１に示されるハーフトーンマスクは図３（Ｌ）に示すように透過領域と遮光領域を有する第１追加形成パターン２２と半透過領域を有する第２パターン４１より形成されるが、第１追加形成パターン２２と第２パターン４１の形成は光学特性の異なる材料を用いて行われる事が知られている。以下に具体的に説明する。 As shown in FIG. 3L, the halftone mask disclosed in Patent Document 1 is formed by a first additional formation pattern 22 having a transmission region and a light-shielding region and a second pattern 41 having a semi-transmission region. It is known that the additional pattern 22 and the second pattern 41 are formed using materials having different optical characteristics. This will be specifically described below.
図３（Ａ）に示すように、透明基板１０の一方の面に遮光膜２０を形成する。次に図３（Ｂ）に示すように遮光膜２０の上に第１フォトレジスト３０を連続で形成する。 As shown in FIG. 3A, a light shielding film 20 is formed on one surface of the transparent substrate 10. Next, as shown in FIG. 3B, a first photoresist 30 is continuously formed on the light shielding film 20.
次に形成した第１フォトレジスト３０に対して、図３（Ｃ）に示すように描画機にてレーザー光を照射し、第１フォトレジスト３０が感光した領域と感光していない領域を有する描画後第１フォトレジスト３１を形成する。更に図３（Ｄ）に示すように現像処理を行うことで第１フォトレジストパターン３２を形成する。このとき使用したフォトレジストの種類によって、描画機のレーザー光で感光した領域が溶けてなくなるか（ポジ型フォトレジスト）、感光していない領域が溶けてなくなるか（ネガ型フォトレジスト）を決定する事ができる。 Next, as shown in FIG. 3C, the formed first photoresist 30 is irradiated with a laser beam by a drawing machine, and a drawing having a region where the first photoresist 30 is exposed and a region where the first photoresist 30 is not exposed is drawn. Thereafter, a first photoresist 31 is formed. Further, a first photoresist pattern 32 is formed by performing a development process as shown in FIG. Depending on the type of photoresist used at this time, it is determined whether the region exposed by the laser beam of the lithography machine is not melted (positive type photoresist) or the region not exposed is not melted (negative type photoresist). I can do things.
次に図３（Ｅ）に示すように第１フォトレジストパターン３２を遮蔽材としてエッチング処理を行い、続けて図３（Ｆ）に示すように第１フォトレジストパターン３２を除去する事で第１パターン２１を形成する。このとき第１パターン２１は光を１００％透過する透過領域と１００％遮光する遮光領域を備える。 Next, etching is performed using the first photoresist pattern 32 as a shielding material as shown in FIG. 3E, and then the first photoresist pattern 32 is removed as shown in FIG. A pattern 21 is formed. At this time, the first pattern 21 includes a transmission region that transmits 100% of light and a light-shielding region that blocks 100% of light.
次に図３（Ｇ）に示すように、図３（Ｆ）で形成した第１パターン２１の上に任意の透過率で光を透過する半透過膜４０を形成する。次に図３（Ｈ）に示すように半透過膜４０の上に第２フォトレジスト５０を連続で形成する。 Next, as shown in FIG. 3G, a semi-transmissive film 40 that transmits light at an arbitrary transmittance is formed on the first pattern 21 formed in FIG. Next, as shown in FIG. 3H, a second photoresist 50 is continuously formed on the semi-transmissive film 40.
図３（Ｉ）に示すレーザー光による描画処理、（Ｊ）に示す現像処理、（Ｋ）に示すエッチング処理を連続で行うことで第２パターン４１と第１パターン２１に追加工した第１追加形成パターン２２が形成される。このとき、第１追加形成パターン２２は透過領域と遮光領域を備えており、第２パターン４１は半透過領域と透過領域を備えている。最後に、図３（Ｌ）に示すように第２フォトレジストパターン５２を除去することで、ハーフトーンマスクが完成する。 The first addition that is additionally processed to the second pattern 41 and the first pattern 21 by continuously performing the drawing process with the laser beam shown in FIG. 3I, the developing process shown in FIG. 3J, and the etching process shown in FIG. A formation pattern 22 is formed. At this time, the first additional formation pattern 22 includes a transmission region and a light shielding region, and the second pattern 41 includes a semi-transmission region and a transmission region. Finally, as shown in FIG. 3L, the second photoresist pattern 52 is removed to complete the halftone mask.
ここで説明したハーフトーンマスクは、後付けタイプもしくはトップコートタイプと呼ばれ、フラットパネルディスプレイの製造に用いるハーフトーンマスクの代表的な製造方法として知られている。 The halftone mask described here is called a retrofitting type or a top coat type, and is known as a typical manufacturing method of a halftone mask used for manufacturing a flat panel display.
しかしながら、上記で説明した方法では、半透過膜の形成をフォトマスク製造の途中で行う必要があり、特に自社内で半透過膜を形成できなければ外部に依頼する工程が生じ、長納期化及び高コスト化の課題が生じる事が確認されている。 However, in the method described above, it is necessary to form a semi-transmissive film in the middle of manufacturing a photomask. In particular, if a semi-transmissive film cannot be formed in-house, a process of requesting the outside occurs, and a longer delivery time and It has been confirmed that there is a problem of high cost.
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、最初に形成した遮光膜２０より透過領域、半透過領域及び遮光領域を形成することを特徴とするハーフトーンマスクの製造方法である。 The present invention has been made in view of the above problems, and is a method of manufacturing a halftone mask, characterized in that a transmission region, a semi-transmission region, and a light-shielding region are formed from the light-shielding film 20 formed first.
上記課題を解決するための請求項１に係る発明は、透明基板上に所定の波長帯の光を完全に遮光する遮光膜と第１フォトレジストを形成し、描画、現像、エッチング工程を順に行って光が完全に透過する透過領域と光を遮光する遮光領域とを形成する段階と、前記第１フォトレジストを除去する段階と、前記透過領域と遮光領域を有する遮光膜上に第２フォトレジストを形成し、将来半透過領域となる部位が外部に露出されるように前記第２フォトレジストを描画、現像する段階と、前記外部に露出した将来半透過領域となる部位をハーフエッチングする段階と、前記第２フォトレジストを除去する段階と、により構成されるハーフトーンマスクの製造方法である。 According to a first aspect of the present invention for solving the above-described problem, a light-shielding film and a first photoresist are formed on a transparent substrate to completely shield light in a predetermined wavelength band, and drawing, developing, and etching steps are sequentially performed. Forming a transmissive region through which light is completely transmitted and a light shielding region for shielding light, removing the first photoresist, and forming a second photoresist on the light shielding film having the transmissive region and the light shielding region. Forming and developing the second photoresist so that a portion that will become a translucent region in the future is exposed to the outside, and half-etching a portion that becomes the semitransparent region in the future that is exposed to the outside , Removing the second photoresist, and a halftone mask manufacturing method.
上記課題を解決するための請求項２に係る発明は、透明基板上に所定の波長帯の光を完全に遮光する遮光膜と第１フォトレジストを形成し、将来半透過領域となる部位が外部に露出されるように前記第１フォトレジストを描画、現像する段階と、前記外部に露出した将来半透過領域となる部位をハーフエッチングする段階と、前記第１フォトレジストを除去する段階と、前記半透過領域を有する遮光膜上に第２フォトレジストを形成し、描画、現像、エッチング工程を順に行って光が完全に透過する領域と光を遮光する領域とを形成する段階と、前記第２フォトレジストを除去する段階と、により構成されるハーフトーンマスクの製造方法である。 According to a second aspect of the present invention for solving the above-described problem, a light-shielding film and a first photoresist are formed on a transparent substrate to completely shield light in a predetermined wavelength band, and a portion that will become a transflective region in the future is external. Drawing and developing the first photoresist so as to be exposed to the surface, half-etching a portion that will be a future semi-transmissive region exposed to the outside, removing the first photoresist, and Forming a second photoresist on a light-shielding film having a semi-transmissive region, and sequentially performing drawing, developing, and etching steps to form a region where light is completely transmitted and a region where light is shielded; And a step of removing the photoresist.
請求項３に係る発明は、前記ハーフエッチング処理が異方性エッチング特性を持たせたドライエッチング処理により前記遮光膜を任意の膜厚まで減膜させ、任意の半透過領域を形成することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のハーフトーンマスク製造方法である。 The invention according to claim 3 is characterized in that the light-shielding film is reduced to an arbitrary film thickness by a dry etching process in which the half-etching process has anisotropic etching characteristics to form an arbitrary semi-transmissive region. The halftone mask manufacturing method according to claim 1 or 2.
請求項１または請求項２の発明によれば、フォトマスクの製造途中で半透過膜を形成する事なく、最初に形成した遮光膜から前記の透過領域、半透過領域及び遮光領域を有するハーフトーンマスクを製造することができる。また、半透過膜を形成する工程を削減することで納期の短縮及び製造コストを削減することができる。 According to the first or second aspect of the present invention, the halftone having the transmissive region, the semi-transmissive region, and the light-shielding region from the first light-shielding film without forming the semi-transmissive film during the production of the photomask. A mask can be manufactured. In addition, by reducing the number of steps for forming the semipermeable membrane, the delivery time can be shortened and the manufacturing cost can be reduced.
また、請求項３の発明によれば、異方性エッチング特性を持たせたドライエッチング処理により、最初に形成した遮光膜を任意の膜厚までエッチング処理することで透過率を選択し、半透過領域を形成することができる。 According to a third aspect of the present invention, the transmittance is selected by etching the light-shielding film formed first to an arbitrary film thickness by a dry etching process having anisotropic etching characteristics. Regions can be formed.
以下、図１に基づいて本発明の第１実施形態を具体的に説明する。 Hereinafter, the first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG.
本第１実施形態では図１（L）に示すように、透明基板１０の一方の面に第１パターン２１及び第１追加形成パターン２２が順次形成されてなるハーフトーンマスクであって、フォトマスクの製造途中で半透過膜４０を形成することなく、最初に形成した遮光膜２０より異方性エッチング特性を持たせたドライエッチング処理により、透過領域、半透過領域及び遮光領域を形成することを特徴としている。以下に本発明の第１実施形態のハーフトーンマスクの製造方法について詳細に説明する。 In this first embodiment, as shown in FIG. 1 (L), a halftone mask in which a first pattern 21 and a first additional formation pattern 22 are sequentially formed on one surface of a transparent substrate 10, The transmissive region, the semi-transmissive region, and the light-shielding region are formed by dry etching treatment having anisotropic etching characteristics from the light-shielding film 20 formed first without forming the semi-transmissive film 40 during the manufacturing process. It is a feature. The method for manufacturing the halftone mask according to the first embodiment of the present invention will be described in detail below.
図１（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、合成石英に代表される透明基板１０の一方の面に、クロムまたは酸化クロム、窒化クロムで構成される遮光膜２０をスパッタ法により形成し、その上に第１フォトレジスト３０を連続で形成する。このとき、遮光膜２０の膜厚は一般に１０００オングストロームから１５００オングストロームである。 As shown in FIGS. 1A and 1B, a light shielding film 20 made of chromium, chromium oxide, or chromium nitride is formed on one surface of a transparent substrate 10 typified by synthetic quartz by a sputtering method. A first photoresist 30 is continuously formed thereon. At this time, the thickness of the light shielding film 20 is generally 1000 angstroms to 1500 angstroms.
次に図１（Ｃ）に示すように、形成した第１フォトレジスト３０に対して最終的に透過領域となる箇所に描画機でレーザー光を照射し、第１フォトレジスト３０が感光した領域と感光していない領域を有する描画後第１フォトレジスト３１を形成する。このとき照射されるレーザー光は描画機によってその波長帯が異なるので特に制限されるものではなく、一般に３６５ｎｍ〜４３６ｎｍ波長帯が使用される。 Next, as shown in FIG. 1 (C), a laser beam is irradiated with a drawing machine to a portion that finally becomes a transmission region with respect to the formed first photoresist 30, and the region where the first photoresist 30 is exposed A first photoresist 31 is formed after drawing having an unexposed region. The wavelength of the laser light irradiated at this time is not particularly limited because the wavelength band varies depending on the drawing machine, and a wavelength band of 365 nm to 436 nm is generally used.
次に図１（Ｄ）及び（Ｅ）に示すように現像処理及びエッチング処理を連続して行うことで第１パターン２１を形成する。続けて図１（Ｆ）に示すように第１フォトレジストパターン３２を除去する。 Next, as shown in FIGS. 1D and 1E, the first pattern 21 is formed by successively performing development processing and etching processing. Subsequently, as shown in FIG. 1F, the first photoresist pattern 32 is removed.
図１（Ｈ）に示すように第１パターン２１上に第２フォトレジスト５０を形成する。続けて図１（Ｉ）に示すように最終的に半透過領域となる箇所に描画機でレーザー光を照射し、第２フォトレジスト５０が感光した領域と感光していない領域を有する描画後第２フォトレジスト５１を形成する。 As shown in FIG. 1H, a second photoresist 50 is formed on the first pattern 21. Subsequently, as shown in FIG. 1 (I), a laser beam is irradiated by a drawing machine to a portion which finally becomes a semi-transmissive region, and after drawing, the second photoresist 50 has a region exposed and a region not exposed. 2 Photoresist 51 is formed.
次に図１（Ｊ）に示すように現像処理を行い、第２フォトレジストパターン５２を形成する。このとき、図４に示すようにフォトレジストの断面角度θが８５度〜９０度を維持していることが好ましく、前記レーザー光にて感光していないフォトレジストの領域が現像処理にて減膜しないことが好ましい。 Next, development processing is performed as shown in FIG. 1J to form a second photoresist pattern 52. At this time, as shown in FIG. 4, it is preferable that the cross-sectional angle θ of the photoresist is maintained at 85 to 90 degrees, and the region of the photoresist not exposed to the laser beam is reduced by the development process. Preferably not.
続けて図１（Ｋ）に示すように異方性エッチング特性を持たせたドライエッチング処理を用いて遮光膜のハーフエッチング処理を行い、第１追加形成パターン２２を形成する。一般に、遮光膜のジャストエッチング時間は５０sec〜２００secであり、エッチング処理の処理条件及び遮光膜の膜厚及び組成によって異なる。このため、実施するハーフエッチング処理は、エッチング処理の処理条件と遮光膜の膜厚及び組成を鑑みて、エッチング処理時間により制御する必要があり、予めデータベース化する事が好ましい。 Subsequently, as shown in FIG. 1K, the first additional formation pattern 22 is formed by performing a half-etching process of the light shielding film using a dry etching process having anisotropic etching characteristics. In general, the just etching time of the light shielding film is 50 sec to 200 sec, and varies depending on the processing conditions of the etching process and the film thickness and composition of the light shielding film. For this reason, the half etching process to be performed needs to be controlled by the etching process time in view of the processing conditions of the etching process and the film thickness and composition of the light shielding film, and it is preferable to create a database in advance.
最後に、図１（Ｌ）に示すように第２フォトレジストパターン５２を除去し、透過領域、半透過領域及び遮光領域を有するハーフトーンマスクが完成する。 Finally, as shown in FIG. 1L, the second photoresist pattern 52 is removed, and a halftone mask having a transmissive region, a semi-transmissive region, and a light-shielding region is completed.
以下、図２に基づいて本発明の第２実施形態を具体的に説明する。 The second embodiment of the present invention will be specifically described below with reference to FIG.
本第２実施形態では図２（L）に示すように、透明基板１０の一方の面に第１パターン２１及び第１追加形成パターン２２が順次形成されてなるハーフトーンマスクであって、フォトマスクの製造途中で半透過膜４０を形成することなく、最初に形成した遮光膜２０より異方性エッチング特性を持たせたドライエッチング処理により、透過領域、半透過領域及び遮光領域を形成することを特徴としている。以下に本発明の第２実施形態のハーフトーンマスクの製造方法について詳細に説明する。 In the second embodiment, as shown in FIG. 2 (L), the photomask is a halftone mask in which a first pattern 21 and a first additional formation pattern 22 are sequentially formed on one surface of a transparent substrate 10. The transmissive region, the semi-transmissive region, and the light-shielding region are formed by dry etching treatment having anisotropic etching characteristics from the light-shielding film 20 formed first without forming the semi-transmissive film 40 during the manufacturing process. It is a feature. The method for manufacturing the halftone mask according to the second embodiment of the present invention will be described in detail below.
図２（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、合成石英に代表される透明基板１０の一方の面に、クロムまたは酸化クロム、窒化クロムで構成される遮光膜２０をスパッタ法により形成し、その上に第１フォトレジスト３０を連続で形成する。このとき、遮光膜２０の膜厚は一般に１０００オングストロームから１５００オングストロームである。 As shown in FIGS. 2A and 2B, a light-shielding film 20 made of chromium, chromium oxide, or chromium nitride is formed on one surface of a transparent substrate 10 typified by synthetic quartz by a sputtering method. A first photoresist 30 is continuously formed thereon. At this time, the thickness of the light shielding film 20 is generally 1000 angstroms to 1500 angstroms.
次に図２（Ｃ）に示すように、形成した第１フォトレジスト３０に対して最終的に半透過領域となる箇所に描画機でレーザー光を照射し、第１フォトレジスト３０が感光した領域と感光していない領域を有する描画後第１フォトレジスト３１を形成する。このとき照射されるレーザー光は描画機によってその波長帯が異なるので特に制限されるものではなく、一般に３６５ｎｍ〜４３６ｎｍ波長帯が使用される。 Next, as shown in FIG. 2 (C), a region where the first photoresist 30 is finally irradiated with a laser beam is irradiated to a portion that finally becomes a semi-transmissive region, and the region where the first photoresist 30 is exposed. A first photoresist 31 is formed after drawing having an unexposed region. The wavelength of the laser light irradiated at this time is not particularly limited because the wavelength band varies depending on the drawing machine, and a wavelength band of 365 nm to 436 nm is generally used.
次に図２（Ｄ）に示すように現像処理を行うことで第１フォトレジストパターン３２を形成する。このとき、前記レーザー光にて感光していないフォトレジストの領域が現像処理にて減膜しないことが好ましく、図４に示すようにフォトレジストの断面角度θが８５度〜９０度を維持していることが好ましい。 Next, as shown in FIG. 2D, development processing is performed to form a first photoresist pattern 32. At this time, it is preferable that the region of the photoresist not exposed to the laser beam is not reduced by the development process, and the sectional angle θ of the photoresist is maintained at 85 to 90 degrees as shown in FIG. Preferably it is.
続けて図２（Ｅ）に示すように異方性エッチング特性を持たせたドライエッチング処理を用いて遮光膜のハーフエッチング処理を行い、第１パターン２１を形成する。一般に、遮光膜のジャストエッチング時間は５０sec〜２００secであり、エッチング処理の処理条件及び遮光膜の膜厚及び組成によって異なる。このため、実施するハーフエッチング処理は、エッチング処理の処理条件と遮光膜の膜厚及び組成を鑑みて、エッチング処理時間により制御する必要があり、予めデータベース化する事が好ましい。続けて図２（Ｆ）に示すように第１フォトレジストパターン３２を除去する。 Subsequently, as shown in FIG. 2E, the first pattern 21 is formed by performing a half-etching process of the light shielding film using a dry etching process having anisotropic etching characteristics. In general, the just etching time of the light shielding film is 50 sec to 200 sec, and varies depending on the processing conditions of the etching process and the film thickness and composition of the light shielding film. For this reason, the half etching process to be performed needs to be controlled by the etching process time in view of the processing conditions of the etching process and the film thickness and composition of the light shielding film, and it is preferable to create a database in advance. Subsequently, as shown in FIG. 2F, the first photoresist pattern 32 is removed.
図２（Ｈ）に示すように第１パターン２１上に第２フォトレジスト５０を形成する。続けて図２（Ｉ）に示すように最終的に透過領域となる箇所に描画機でレーザー光を照射し、第２フォトレジスト５０が感光した領域と感光していない領域を有する描画後第２フォトレジスト５１を形成する。 As shown in FIG. 2H, a second photoresist 50 is formed on the first pattern 21. Subsequently, as shown in FIG. 2 (I), a laser beam is irradiated with a drawing machine to a portion that finally becomes a transmission region, and a second after drawing having a region where the second photoresist 50 is exposed and a region not exposed to light. A photoresist 51 is formed.
次に図２（Ｊ）及び（Ｋ）に示すように現像処理及びエッチング処理を連続して行うことで第１追加形成パターン２２を形成する。 Next, as shown in FIGS. 2J and 2K, the first additional formation pattern 22 is formed by successively performing the development process and the etching process.
最後に、図２（Ｌ）に示すように第２フォトレジストパターン５２を除去し、透過領域、半透過領域及び遮光領域を有するハーフトーンマスクが完成する。 Finally, as shown in FIG. 2L, the second photoresist pattern 52 is removed to complete a halftone mask having a transmissive region, a semi-transmissive region, and a light-shielding region.
本発明に係るハーフトーンマスクは、スマートフォンやタブレット等の携帯情報端末、バーチャルリアリティやインターネットオブシングス等の次世代技術を始め、様々な形態のディスプレイ製造に利用することができる。 The halftone mask according to the present invention can be used for manufacturing various forms of displays, such as portable information terminals such as smartphones and tablets, next-generation technologies such as virtual reality and Internet obstructions.
１０ 透明基板
２０ 遮光膜
２１ 第１パターン
２２ 第１追加形成パターン
３０ 第１フォトレジスト
３１ 描画後第１フォトレジスト
３２ 第１フォトレジストパターン
４０ 半透過膜
４１ 第２パターン
５０ 第２フォトレジスト
５１ 描画後第２フォトレジスト
５２ 第２フォトレジストパターン
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Transparent substrate 20 Light shielding film 21 1st pattern 22 1st additional formation pattern 30 1st photoresist 31 After drawing 1st photoresist 32 1st photoresist pattern 40 Semi-transmissive film 41 2nd pattern 50 2nd photoresist 51 After drawing Second photoresist 52 Second photoresist pattern
Claims (3)
前記第１フォトレジストを除去する段階と、
前記透過領域と遮光領域を有する遮光膜上に第２フォトレジストを形成し、将来半透過領域となる部位が外部に露出されるように前記第２フォトレジストを描画、現像する段階と、
前記外部に露出した将来半透過領域となる部位をハーフエッチングする段階と、
前記第２フォトレジストを除去する段階と、
により構成されるハーフトーンマスクの製造方法。 A light-blocking film and a first photoresist are formed on a transparent substrate to completely block light in a predetermined wavelength band, and a light-transmitting region and a light-blocking block for blocking light are formed by sequentially performing drawing, development, and etching processes. Forming a region; and
Removing the first photoresist;
Forming a second photoresist on a light-shielding film having the transmissive region and the light-shielding region, and drawing and developing the second photoresist so that a portion that will become a semi-transmissive region in the future is exposed to the outside;
Half-etching a portion to be a future semi-transmissive region exposed to the outside;
Removing the second photoresist;
The manufacturing method of the halftone mask comprised by these.
前記外部に露出した将来半透過領域となる部位をハーフエッチングする段階と、
前記第１フォトレジストを除去する段階と、
前記半透過領域を有する遮光膜上に第２フォトレジストを形成し、描画、現像、エッチング工程を順に行って光が完全に透過する領域と光を遮光する領域とを形成する段階と、
前記第２フォトレジストを除去する段階と、
により構成されるハーフトーンマスクの製造方法。 A light-shielding film and a first photoresist are formed on a transparent substrate to completely shield light in a predetermined wavelength band, and the first photoresist is drawn and developed so that a portion that will become a semi-transmissive region in the future is exposed to the outside. And the stage of
Half-etching a portion to be a future semi-transmissive region exposed to the outside;
Removing the first photoresist;
Forming a second photoresist on the light-shielding film having the semi-transmissive region, and sequentially performing drawing, developing, and etching steps to form a region where light is completely transmitted and a region that shields light;
Removing the second photoresist;
The manufacturing method of the halftone mask comprised by these.
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