JP2019211357A - Method for producing probe pin support - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、電子部品の電気的テスト時に電子部品の端子に接触するプローブピンを支持するプローブピン支持体の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method of manufacturing a probe pin support that supports a probe pin that contacts a terminal of an electronic component during an electrical test of the electronic component.
例えば、電子部品の半導体パッケージの一種であるQFP(Quad Flat Package)は、外形が四角形状のものが多く、四辺から複数の接続端子が突き出ており、各接続端子間の配置間隔が狭ピッチ化されている。 For example, QFP (Quad Flat Package), which is a kind of semiconductor package for electronic components, has a quadrangular outer shape, and a plurality of connection terminals protrude from the four sides, and the arrangement interval between the connection terminals is narrowed. Has been.
図12(a)は、このような電子部品100の電気的テストに使用されるICソケット101と電子部品100との関係を簡略化して示す図である。この図12(a)に示すように、ICソケット101は、電子部品100の端子102に接触するプローブピン103を絶縁性樹脂材料製のプローブピン支持体104のプローブピン収容孔105内に収容するようになっている(特許文献1参照)。
FIG. 12A is a diagram showing a simplified relationship between the
このような電子部品100の電気的テストに使用されるICソケット101は、電子部品100の電気的テスト時に電子部品100の端子102に接触するプローブピン103の配置間隔が狭ピッチ化すると共に、プローブピン103自体が細くなっており、プローブピン103を収容して支持するソケット本体104の加工が困難になっている。このようなICソケット101の製作上の問題を解決するためには、ソケット本体104を積層造形法の一つである光造形法によって製作することが考えられる。
In such an
従来から知られている積層造形法の一つである光造形法は、硬化工程において、容器内の液状の光硬化性樹脂に光(例えば、レーザー光)を照射し、光が当たった造形テーブル下の1層分の光硬化性樹脂を硬化させ、次に造形テーブルを移動させて硬化した1層目の光硬化性樹脂の下に2層目の液状の光硬化性樹脂を供給し、その2層目の液状の光硬化性樹脂に光を照射し、光が当たった2層目の光硬化性樹脂を硬化させ、このような作業をN層まで繰り返し行って、所望の光造形物(三次元構造物)を形作るようになっている。 An optical modeling method, which is one of the conventionally known layered modeling methods, is a modeling table in which light (for example, laser light) is applied to a liquid photocurable resin in a container in a curing process, and light is applied. The lower layer of the photo-curable resin is cured, and then the second-layer liquid photo-curable resin is supplied under the first layer of the photo-curable resin that is moved by moving the modeling table. Light is applied to the liquid photocurable resin of the second layer, the photocurable resin of the second layer exposed to light is cured, and such an operation is repeated up to the N layer to obtain a desired optically shaped article ( A three-dimensional structure) is formed.
図12(b)は、第1乃至第3プローブピン支持体104a〜cを有するソケット本体104のうちの第2プローブピン支持体104bを光造形法によって製作した場合の不具合発生状況を示す図である。この図12(b)に示すように、第2プローブピン支持体104bを光造形法によって製作した場合、プローブピン収容孔105が微細孔(例えば、直径0.1mmの丸孔)であるため、プローブピン収容孔105内に付着した液状の光硬化性樹脂が光の照射によって硬化し、プローブピン収容孔105内に余剰硬化物106が形成され、プローブピン収容孔105が余剰硬化物106で塞がってしまうという現象を生じることがある。
FIG. 12 (b) is a diagram illustrating a problem occurrence state when the second probe
そこで、このような微細孔(プローブピン収容孔105)が余剰硬化物106で塞がれるという不具合の発生を防止する技術として、図13に示すような微細孔201を有する光造形物200の光造形法が開発された。この図13に示す光造形法は、光造形物200の三次元CADデータを、微細孔201の延びる方向が積層面と平行になるように90°回転させた光造形用の等高線データ(第1層乃至第n層のスライスデータ)に変換し、その等高線データに基づいて第1層から第n層まで順次造形を進行するようになっている(特許文献2参照)。
Therefore, as a technique for preventing the occurrence of such a problem that such a fine hole (probe pin accommodation hole 105) is blocked by the excessively cured
しかしながら、図13に示す光造形法を適用して第2プローブピン支持体104bを製作した場合、微細孔201としてのプローブピン収容孔105は、余剰硬化物によって塞がれることは抑制されるが、積層方向において余剰硬化物が溜まりやすいため、プローブピン収容孔105の真円度が低下するという問題を有している。
However, when the second
そこで、本発明は、プローブピン収容孔を有するプローブピン支持体(三次元構造物)の三次元CADデータをそのまま使用して造形しても、プローブピン収容孔が余剰硬化物で塞がってしまうことがないプローブピン支持体の製造方法の提供を目的とする。 Therefore, according to the present invention, even if the 3D CAD data of the probe pin support (3D structure) having the probe pin accommodation hole is used as it is, the probe pin accommodation hole is blocked with an excessively hardened material. It is an object of the present invention to provide a method for producing a probe pin support having no gap.
本発明は、電子部品6の電気的テスト時に電子部品6の端子7に接触するプローブピン5を収容するプローブピン収容孔4が形成されたプローブピン支持体1bの製造方法に関するものである。本発明において、前記プローブピン支持体1bは、液状の光硬化性樹脂16に光27を照射することによって硬化した樹脂層8を積み重ねて形成される。また、前記プローブピン収容孔4には、前記プローブピン5を支持するリブ12,28,35,37,41,43が形成される。また、前記リブ12,28,35,37,41,43は、前記プローブピン5が当接するピン支持部11,13,34,38,44を有している。そして、前記ピン支持部11,13,34,38,44の周囲には、前記液状の光硬化性樹脂16の自重落下による流動を可能にする空間14,32,40,42,45が形成される。
The present invention relates to a method of manufacturing a
本発明に係るプローブピン支持体の製造方法によれば、プローブピン収容孔を有するプローブピン支持体の三次元CADデータをそのまま使用して造形しても、プローブピン収容孔が余剰硬化物で塞がってしまうことがなく、高精度のプローブピン収容孔を有するプローブピン支持体を容易に作成できる。 According to the method for manufacturing a probe pin support according to the present invention, even if the three-dimensional CAD data of the probe pin support having a probe pin accommodation hole is used as it is, the probe pin accommodation hole is blocked with an excessively hardened material. Therefore, it is possible to easily create a probe pin support body having a highly accurate probe pin housing hole.
[第1実施形態]
以下、本発明に係るプローブピン支持体の製造方法を図面に基づき詳述する。
[First Embodiment]
Hereinafter, a method for producing a probe pin support according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
(ICソケット)
図1は、本発明の第1実施形態に係るプローブピン支持体1の製造方法によって形成されるプローブピン支持体1を有するICソケット2の図(ICソケット2を簡略化して示す断面図)である。
(IC socket)
FIG. 1 is a diagram of an IC socket 2 having a
図1に示すように、ICソケット2は、絶縁性樹脂材料製のソケット本体3のプローブピン支持体1にプローブピン収容孔4を形成し、このプローブピン収容孔4内にプローブピン5を収容して、プローブピン5を電子部品6の端子7に接触させ、電子部品6の電気的テストを行うようになっている。ソケット本体3は、第1乃至第3プローブピン支持体1a〜1cを有している。そして、本実施形態に係るプローブピン支持体1の製造方法は、第2プローブピン支持体1bを例にして、その製造方法を説明する。なお、この第2プローブピン支持体1bの製造方法は、第1プローブピン支持体1a、及び第3プローブピン支持体1cの形成に適用できる。また、本実施形態において、ソケット本体3は、第1乃至第3プローブピン支持体1a〜1cの3ブロックによって構成するようになっているが、これに限定されるものではなく、単独(1ブロック)のプローブピン支持体や、複数ブロック(2ブロック、4ブロック、又は5ブロック等)のプローブピン支持体で構成してもよい。また、以下の説明において、第2プローブピン支持体1bは、単にプローブピン支持体1bと略称する。
As shown in FIG. 1, in the IC socket 2, a probe
(プローブピン支持体)
図2は、本発明の第1実施形態に係るプローブピン支持体1bの製造方法によって形成されたプローブピン支持体1bを説明する図である。なお、図2(a)は、プローブピン支持体1bの一部平面図である。また、図2(b)は、図2(a)のA1−A1線に沿って切断して示すプローブピン支持体1bの断面図である。また、図2(c)は、プローブピン支持体1bの一部裏面図である。
(Probe pin support)
FIG. 2 is a diagram illustrating the
図2に示すように、プローブピン支持体1bは、光照射によって硬化した樹脂層8を複数層(第1層から第n層まで)積み重ねて形成され、表裏反転した状態で使用される(図1参照)。このプローブピン支持体1bは、第1層から第n層までプローブピン収容孔4が形成されている。プローブピン収容孔4は、第1層から第n−1層まで形成されたプローブピン収容空間10と、第n層に形成されたガイド孔11とで構成されている。プローブピン収容空間10は、プローブピン5を十分な隙間をもって収容する孔径の円柱状空間であり、プローブピン収容孔4の中心CLの回りに複数のリブ12が等間隔で配置されている(90°の間隔で4箇所配置されている)。リブ12は、プローブピン収容空間10の内周面10aからプローブピン収容孔4の中心CLに向かって延び、且つ、樹脂層8の積層方向(図2(b)の−Z方向)に沿って延びるように、第1層から第n−1層まで形成されている。また、リブ12の先端(プローブピン収容孔4の中心CL側の先端)は、平面視した形状がプローブピン5の外周面に当接するように円弧状になっており、プローブピン5を正しい姿勢で支持するピン支持部13になっている。そして、ピン支持部13の周囲は、隣り合うリブ12,12間に位置する複数の扇状の空間14であり、これら複数の空間14が光造形時(プローブピン支持体1bの製造方法の実施時)における液状の光硬化性樹脂の自重落下による流動を可能にする。ガイド孔11は、プローブピン5と僅かな隙間をもって嵌合する丸孔である。なお、本実施形態は、リブ12をプローブピン収容孔4の中心CLの回りに等間隔で4箇所形成する構成を例示したが、これに限られず、2箇所、又は3箇所等の複数箇所に形成する構成でもよい。また、リブ12の先端は、平面視した形状が円弧状の場合に限られず、プローブピン5を支持できる形状であればよく、例えば、平面視した形状が直線状の場合でもよい。また、プローブピン収容空間10及びガイド孔11の形状は、プローブピン5の形状等に応じて変更してもよい。
As shown in FIG. 2, the
以上のような構造のプローブピン支持体1bは、例えば、第1層乃至第n−1層の樹脂層8におけるプローブピン収容空間10の直径d1が0.30mmであるとすると、第n層の樹脂層8におけるガイド孔11の孔径d2が0.1mmである。また、プローブピン支持体1bは、第1層〜第n層までの各樹脂層8の層厚tが0.05mmである。なお、このようなプローブピン支持体1bの各部の寸法は、本実施形態に係るプローブピン支持体1bの製造方法及びこの製造方法によって製造されるプローブピン支持体1bの理解を容易にするための例示であり、本発明に係るプローブピン支持体1bの製造方法を何ら限定するものではない。
For example, when the diameter d1 of the probe
(光造形法の硬化工程)
図3は、本発明の第1実施形態に係るプローブピン支持体1bの製造方法である光造形法の硬化工程を示す図である。この図3に示すように、本実施形態に係るプローブピン支持体1bの製造方法は、容器15内に液状の絶縁性を有する光硬化性樹脂16(例えば、ディーメック社のSCR712X、SCR735、SCR737、SCR780、SCR785、SCR955、KC1281、シーフォース社のDWS用樹脂であるDL360、シーメット社のTSR−883W、TSR−884B、TSR−832、DMS社のSomos NanoToolなど)を入れ、容器15内を昇降する造形テーブル17のサポート18の下に1層分の液状の光硬化性樹脂層16を位置させる(図3(a))。この図3において、プローブピン支持体1bの製造方法に使用される3Dプリンター(積層造形装置)20は、プローブピン支持体1bに対応する3Dデータ(三次元CADデータ)21が制御コントローラ(CPU)22に入力されると、その入力された3Dデータ21が制御コントローラ22内の作動制御ソフトによって処理され、制御コントローラ22から造形テーブル17の昇降用の第1ステッピングモータ23に制御信号が出力されると共に、制御コントローラ22から光照射手段24の移動案内手段25の駆動部となる第2ステッピングモータ26に制御信号が出力され、また、制御コントローラ22から光照射手段24に光27(例えば、レーザー光)の照射をコントロールするための制御信号が出力される。
(Curing process of stereolithography)
FIG. 3 is a diagram illustrating a curing process of an optical modeling method that is a method for manufacturing the
次に、本実施形態に係るプローブピン支持体1bの製造方法は、造形テーブル17のサポート18の下に位置する液状の光硬化性樹脂16に光照射手段24から光27を照射し、光27が当たった1層分の光硬化性樹脂層16a1を硬化させる(図3(b))。これにより、プローブピン収容空間10及び複数のリブ12を有する1層目の樹脂層8が形成される。
Next, in the method of manufacturing the
次に、本実施形態に係るプローブピン支持体1bの製造方法は、造形テーブル17を上昇させ、硬化した1層目の光硬化性樹脂層16a1の下に2層目の液状の光硬化性樹脂116を供給し、その2層目の液状の光硬化性樹脂16に光27を照射し、光27が当たった2層目の光硬化性樹脂層16a2を硬化させる(図3(c))。これにより、プローブピン収容空間10及び複数のリブ12を有する2層目の樹脂層8が形成される。このような作業をn−1層まで繰り返し実施される。
Next, in the method for manufacturing the
次に、本実施形態に係るプローブピン支持体1bの製造方法は、造形テーブル17を上昇させ、硬化したn−1層目の光硬化性樹脂層16a(n−1)の下にn層目の液状の光硬化性樹脂16を供給し、そのn層目の液状の光硬化性樹脂16に光27を照射し、光27が当たったn層目の光硬化性樹脂層16anを硬化させる(図3(c))。これにより、ガイド孔11を有するn層目の樹脂層8が形成される。
Next, in the method for manufacturing the
このような本実施形態に係るプローブピン支持体1bの製造方法は、第1層乃至第n−1層の樹脂層8の形成工程において、リブ12の先端に位置するピン支持部13の周囲の空間14が液状の光硬化性樹脂16の自重落下による流動を可能にするため、積層方向において余剰硬化物が溜まり難く、プローブピン収容孔4が余剰硬化物によって塞がれることがない。
In the method of manufacturing the
以上のようにして、本実施形態に係るプローブピン支持体1bの製造方法は、第1層乃至第n層の樹脂層8を順次積み重ねることにより、図2に示したプローブピン支持体1bを形成する。このプローブピン支持体1bの製造方法の硬化工程において、液状の光硬化性樹脂16に対する光27の照射範囲(光硬化させる範囲)は、図2に示したプローブピン支持体1bの3Dデータ21(従来例のような補正をしない3Dデータ)に基づいて定められる。
As described above, in the method for manufacturing the
(本実施形態の効果)
以上のように本実施形態に係るプローブピン支持体1bの製造方法によれば、第1層乃至第n−1層の樹脂層8の形成工程において、リブ12の先端に位置するピン支持部13の周囲に複数の空間14が形成され、これら複数の空間14が液状の光硬化性樹脂16の自重落下による流動を可能にするため、余剰硬化物がプローブピン収容孔4内及びリブ12のピン支持部13の周囲に溜まり難い。その結果、本実施形態に係るプローブピン支持体1bの製造方法は、光造形時において、プローブピン収容孔4及びリブ12のピン支持部13の周囲が余剰硬化物によって塞がれることがない(第1の効果)。
(Effect of this embodiment)
As described above, according to the method of manufacturing the
また、本実施形態に係るプローブピン支持体1bの製造方法によれば、プローブピン収容孔4を有するプローブピン支持体1bの3Dデータ(三次元CADデータ)21をそのまま使用して(従来例のような三次元CADデータを造形用の等高線データに変換することなく)造形しても、プローブピン収容孔4及びリブ12のピン支持部13の周囲が余剰硬化物で塞がってしまうことがなく、高精度のプローブピン収容孔4及び高精度のリブ12を有するプローブピン支持体1bを容易に作成できる(第2の効果)。
Further, according to the method for manufacturing the
また、本実施形態に係るプローブピン支持体1bの製造方法によれば、ガイド孔11が形成された第n層の樹脂層8をプローブピン収容空間10内の複数のリブ12によって補強することができる(第3の効果)。
Further, according to the method for manufacturing the
(第1実施形態の第1変形例)
図4は、第1実施形態に係るプローブピン支持体1bの製造方法によって形成されるプローブピン支持体1bの第1変形例を説明するための図である。なお、図4(a)は、第1変形例に係るプローブピン支持体1bの製造方法によって形成されるプローブピン支持体1bの一部平面図である。また、図4(b)は、図4(a)のA2−A2線に沿って切断して示すプローブピン支持体1bの断面図である。
(First modification of the first embodiment)
FIG. 4 is a view for explaining a first modification of the
図4に示すように、第1変形例に係るプローブピン支持体1bの製造方法によって形成されるプローブピン支持体1bは、第1層乃至第n−3の樹脂層8が図2に示したプローブピン支持体1bの第1層乃至第n−1層の樹脂層8と同様の構成であり、プローブピン収容空間10の内部に複数のリブ12が形成され、各リブ12の先端がプローブピン5に当接するピン支持部13になっている。そして、ピン支持部13の周囲には、液状の光硬化性樹脂の自重落下による流動を可能にする空間14が形成されている。
As shown in FIG. 4, the
また、本変形例に係るプローブピン支持体1bは、第n−2層の樹脂層8にガイド孔11が形成され、第n−1層及び第n層の樹脂層8にプローブピン収容空間10が形成されている。そして、プローブピン収容孔は、2箇所のプローブピン収容空間10,10とガイド孔11とによって構成されている。
In the
本変形例に係るプローブピン支持体1bの製造方法は、第1実施形態に係るプローブピン1bの効果と同様の効果を得ることができる。
The manufacturing method of the
(第1実施形態の第2変形例)
図5は、第1実施形態に係るプローブピン支持体1bの製造方法によって形成されるプローブピン支持体1bの第2変形例を説明するための図である。なお、図5(a)は、第2変形例に係るプローブピン支持体1bの製造方法によって形成されるプローブピン支持体1bの一部平面図である。また、図5(b)は、図5(a)のA3−A3線に沿って切断して示すプローブピン支持体1bの断面図である。
(Second modification of the first embodiment)
FIG. 5 is a view for explaining a second modification of the
図5に示すように、第2変形例に係るプローブピン支持体1bの製造方法によって形成されるプローブピン支持体1bは、上記第1変形例に係るプローブピン支持体1bの第n−1層及び第n層の樹脂層8のプローブピン収容空間10に、上記第1変形例に係るプローブピン支持体1bの第1層乃至第n−3層の樹脂層8のプローブピン収容空間10内に形成したリブ12と同様のリブ12を形成した構成が上記第1変形例に係るプローブピン支持体1bと相違するが、他の構成が上記第1変形例に係るプローブピン支持体1bと同様である。なお、図5に示すプローブピン支持体1bは、図4に示すプローブピン支持体1bと同一の構成部分に同一符号を付し、重複した説明を省略する。
As shown in FIG. 5, the
このような第2変形例に係るプローブピン支持体1bの製造方法は、第1変形例に係るプローブピン支持体1bの製造方法と同様の効果を得ることができることはもちろんのこと、ガイド孔11が形成された第n−2層の樹脂層8の強度をより一層強化することができ、プローブピン支持体1bの耐久性をより一層向上させることができる。
The method for manufacturing the
(第1実施形態の第3変形例)
図6は、第1実施形態に係るプローブピン支持体1bの製造方法によって形成されるプローブピン支持体1bの第3変形例を説明するための図である。なお、図6(a)は、第3変形例に係るプローブピン支持体1bの製造方法によって形成されるプローブピン支持体1bの一部平面図である。また、図6(b)は、図6(a)のA4−A4線に沿って切断して示すプローブピン支持体1bの断面図である。
(Third Modification of First Embodiment)
FIG. 6 is a view for explaining a third modification of the
図6に示すように、第3変形例に係るプローブピン支持体1bの製造方法によって形成されるプローブピン支持体1bは、図2に示した第1実施形態に係るプローブピン支持体1bの第1層乃至第n−1層の構成が第n層の樹脂層8まで延長されており、第n層の樹脂層8にガイド孔11が形成されない点において第1実施形態に係るプローブピン支持体1bと相違するが、他の構成が第1実施形態に係るプローブピン支持体1bと同様である。そして、第3変形例に係るプローブピン支持体1bは、プローブピン収容孔4がプローブピン収容空間10のみで構成されている。なお、図6に示すプローブピン支持体1bは、図2に示すプローブピン支持体1bと同一の構成部分に同一符号を付し、重複した説明を省略する。
As shown in FIG. 6, the
このような第3変形例に係るプローブピン支持体1bの製造方法は、第1実施形態に係るプローブピン支持体1bの製造方法における第1及び第2の効果と同様の効果を得ることができる。
The method for manufacturing the
[第2実施形態]
図7は、本発明の第2実施形態に係るプローブピン支持体1の製造方法によって形成されるプローブピン支持体1を説明するための図である。なお、図7(a)は、プローブピン支持体1bの一部平面図である。また、図7(b)は、図7(a)のA5−A5線に沿って切断して示すプローブピン支持体1bの断面図である。また、図7(c)は、プローブ支持体1bの一部裏面図である。
[Second Embodiment]
FIG. 7 is a view for explaining the
図7に示すように、プローブピン支持体1bは、光照射によって硬化した樹脂層8を複数層(第1層から第n層まで)積み重ねて形成され、第1層乃至第n層の樹脂層8にプローブピン収容空間10が形成されている。そして、樹脂層8の積層方向に間隔をあけて形成された第3層及び第n−2層のプローブピン収容空間10の内周面10aには、それぞれ一対のリブ28,28が形成されている。この一対のリブ28,28は、図7(a)に示すように、プローブ収容空間10の中心CLを通り且つX軸と平行な中心線30に沿って延びる先端面31を有し、先端面31同士の間隔がプローブピン5の外径寸法と同一に形成されている。これにより、一対のリブ28,28の間には、プローブピン5の外径寸法と同一の溝幅の空間32がプローブピン収容空間10の中心CLからプローブピン収容空間10の内周面10aまで中心線30に沿って延びている。そして、第3層の樹脂層8における一対のリブ28,28の間の空間32と第n−2層の樹脂層8における一対のリブ28,28の間の空間32は、プローブピン収容空間10の中心CLに対して直角に交差するように形成されている。その結果、プローブピン支持体1bは、図7(a)に示すように平面視した場合、第3層の樹脂層8における空間32と第n−2層の樹脂層8における空間32の交差する部分がプローブピン5に外接する四角形状になり、プローブピン5を正しい姿勢で支持することができる。
As shown in FIG. 7, the
また、図7(a)に示すように、第3層の樹脂層8における一対のリブ28,28は、先端面31のうちで、プローブピン収容空間10の中心CLを通り且つY軸と平行に延びる中心線33上に位置する部分がプローブピン5に当接するピン支持部34となり、このピン支持部34がプローブピン収容空間10の中心CL側の先端(リブ28の先端)になる。また、図7(b)に示すように、第n−2層の樹脂層8における一対のリブ28,28は、先端面31のうちで、プローブピン収容空間10の中心CLを通りX軸と平行に延びる中心線30上に位置する部分がプローブピン5に当接するピン支持部34となり、このピン支持部34がプローブピン収容空間10の中心CL側の先端(リブの先端)になる。そして、第3層及び第n−2層の樹脂層8における一対のリブ28,28のピン支持部34の周囲には、液状の光硬化性樹脂の自重落下による流動を可能にする空間32が形成されている。このような構成の本実施形態に係るプローブピン支持体1bは、図3に示した光造形法の硬化工程と同様にして形成される。なお、本実施形態に係るプローブピン支持体1bは、第1実施形態に係るプローブピン支持体1bのガイド孔11が形成されないため、プローブピン収容孔4がプローブピン収容空間10のみで構成される。また、本実施形態に係るプローブピン支持体1bは、第3層と第n−2層に一対のリブ28,28を形成する構成を例示したが、これに限られず、積層方向に離れて位置する任意の複数の樹脂層8にそれぞれ一対のリブ28,28を形成するようにしてもよい。
As shown in FIG. 7A, the pair of
以上のように本実施形態に係るプローブピン支持体1bの製造方法によれば、第3層及び第n−2層の樹脂層8における一対のリブ28,28のピン支持部34の周囲に空間32が形成され、この空間32が液状の光硬化性樹脂の自重落下による流動を可能にするため、余剰硬化物がプローブピン収容空間10内及び空間32内に溜まり難い。その結果、本実施形態に係るプローブピン支持体1bの製造方法は、光造形時において、プローブピン収容空間10及び空間32内が余剰硬化物によって塞がれることがない(第1の効果)。
As described above, according to the method for manufacturing the
また、本実施形態に係るプローブピン支持体1bの製造方法によれば、プローブピン収容空間10を有するプローブピン支持体1bの3Dデータ(三次元CADデータ)21をそのまま使用して(従来例のような三次元CADデータを造形用の等高線データに変換することなく)造形しても、プローブピン収容空間10及びピン支持部34の周囲の空間32が余剰硬化物で塞がってしまうことがなく、高精度のプローブピン収容空間10及び高精度の一対のリブ28,28を有するプローブピン支持体1bを容易に作成できる(第2の効果)。
Further, according to the method for manufacturing the
(第2実施形態の第1変形例)
図8は、第2実施形態に係るプローブピン支持体1bの製造方法によって形成されるプローブピン支持体1bの第1変形例を説明するための図である。なお、図8(a)は、第1変形例に係るプローブピン支持体1bの一部平面図である。また、図8(b)は、図8(a)のA6−A6線に沿って切断して示すプローブピン支持体1bの断面図である。また、図8(c)は、第1変形例に係るプローブピン支持体1bの一部裏面図である。
(First Modification of Second Embodiment)
FIG. 8 is a view for explaining a first modification of the
図8に示すように、本変形例に係るプローブピン支持体1bの製造方法によって形成されるプローブピン支持体1bは、上記第2実施形態に係るプローブピン支持体1bの第1層及び第2層の樹脂層8におけるプローブピン収容空間10内に、プローブピン収容空間10の内周面10aからリブ28のピン支持部34まで中心線33に沿って延びる積層方向リブ35が形成されている。また、この本変形例に係るプローブピン支持体1bは、上記第2実施形態に係るプローブピン支持体1bの第n−1層及び第n層の樹脂層8におけるプローブピン収容空間10内に、プローブピン収容空間10の内周面10aからリブ28のピン支持部34まで中心線30に沿って延びる積層方向リブ35が形成されている。これら積層方向リブ35は、プローブピン収容空間10の中心CL側の先端がピン支持部36になっており、このピン支持部36がリブ28のピン支持部34と共にプローブピン5に当接して支持する。なお、本変形例に係るプローブピン支持体1bは、上記第2実施形態に係るプローブピン支持体1bと同一の構成部分に同一符号を付し、上記第2実施形態に係るプローブピンと重複する説明を省略する。
As shown in FIG. 8, the
このような本変形例に係るプローブピン支持体1bの製造方法は、第2実施形態に係るプローブピン支持体1bの製造方法と同様の効果を得ることができることはもちろんのこと、一対のリブ28,28の強度を積層方向リブ35,35で強化することができ、プローブピン支持体1bの耐久性をより一層向上させることができる。
The manufacturing method of the
(第2実施形態の第2変形例)
図9は、本発明の第2実施形態に係るプローブピン支持体1bの製造方法によって形成されるプローブピン支持体1bの第2変形例を説明するための図である。なお、図9(a)は、本変形例プローブピン支持体1bの一部平面図である。また、図9(b)は、図9(a)のA7−A7線に沿って切断して示すプローブピン支持体1bの断面図である。また、図9(c)は、図9(b)のA8−A8線に沿って切断して示すプローブピン支持体1bの断面図である。また、図9(d)は、図9(b)のA9−A9線に沿って切断して示すプローブピン支持体1bの断面図である。また、図9(e)は、図9(b)のA10−A10線に沿って切断して示すプローブピン支持体1bの断面図である。
(Second Modification of Second Embodiment)
FIG. 9 is a view for explaining a second modification of the
図9に示すように、本変形例に係るプローブピン支持体1bは、光照射によって硬化した第1層乃至第n層の樹脂層8が積み重ねられて形成されており、第2層、第5層、及び第n−2層の樹脂層8にリブ37が形成されている。これらリブ37は、樹脂層8の積層方向に間隔をあけて形成されており、プローブピン収容空間10の内周面10aからプローブピン収容空間10の中心CLに向かって延び、先端面38がプローブピン5の外周に当接する円弧面であって、一部が扇形の切り欠き部40によって切り欠かれている。また、第2層、第5層、及び第n−2層のリブ37は、切り欠き部40がプローブピン収容空間10の中心CLの回りに120°毎にずれて位置しており、ピン支持部としての先端面38がプローブピン収容空間10の中心CLの回りにずれて位置している。このような第2層、第5層、及び第n−2層の樹脂層8におけるリブ37の先端面38は、図9(a)に示すように、樹脂層8の積層方向に沿って重ねられた場合に丸孔となり、プローブピン5を正しい姿勢で支持することが可能になる。プローブピン収容孔4は、プローブピン収容空間12のみで構成されている。なお、本変形例に係るプローブピン支持体1bは、リブ37が第2層、第5層、及び第n−2層の樹脂層8に形成されるようになっているが、これに限定されず、第1層乃至第n層の任意の樹脂層8にリブ37を形成するようにしてもよい。
As shown in FIG. 9, the
以上のように本変形例に係るプローブピン支持体1bによれば、リブ37の先端面38がプローブピン5に当接するピン支持部であり、この先端面38の周囲に切り欠き部(空間)40が形成され、切り欠き部40が液状の光硬化性樹脂の自重落下による流動を可能にするため、余剰硬化物がプローブピン収容空間10内及び先端面38の周囲の切り欠き部40(空間)に溜まり難い。その結果、本実施形態に係るプローブピン支持体1bの製造方法は、光造形時において、プローブピン収容空間10及び先端面38の周囲の切り欠き部40(空間)が余剰硬化物によって塞がれることがない。
As described above, according to the
また、本変形例に係るプローブピン支持体1bの製造方法によれば、プローブピン収容空間10を有するプローブピン支持体1bの3Dデータ(三次元CADデータ)21をそのまま使用して(従来例のような三次元CADデータを造形用の等高線データに変換することなく)造形しても、プローブピン収容空間10及び先端面38の周囲の切り欠き部40(空間)が余剰硬化物で塞がってしまうことがなく、高精度のプローブピン収容空間10及び高精度のリブ37を有するプローブピン支持体1bを容易に作成できる。
Further, according to the method for manufacturing the
[第3実施形態]
図10は、本発明の第3実施形態に係るプローブピン支持体1bの製造方法によって形成されるプローブピン支持体1bを説明するための図である。なお、図10(a)は、本実施形態に係るプローブピン支持体1bの製造方法によって形成されるプローブピン支持体1bの一部平面図である。また、図10(b)は、図10(a)のA11−A11線に沿って切断して示すプローブピン支持体1bの断面図である。また、図10(c)は、本実施形態に係るプローブピン支持体1bの一部裏面図である。また、図10(d)は、本実施形態に係るプローブピン支持体1bの変形例を示す断面図である。
[Third Embodiment]
FIG. 10 is a view for explaining the
図10(a)〜(c)に示すように、本実施形態に係るプローブピン支持体1bの製造方法によって形成されるプローブピン支持体1bは、光照射によって硬化した第1層乃至第n層の樹脂層8が積み重ねられて形成されており、第1層乃至第n層の樹脂層8にプローブピン収容空間10が形成されている。そして、第3層乃至第n層の樹脂層8には、プローブピン収容空間10の内周面10aからプローブピン収容空間10の中心CLに向かって延びる十字状のリブ41が形成されている。この十字状のリブ41の中心には、プローブピン5と同径のガイド孔11が形成されている。このガイド孔11は、プローブピン5が当接するピン支持部となる。また、十字状のリブ41とプローブピン収容空間10の内周面10aとの間には、4箇所の扇状の空間42が形成されている。この4箇所の空間42は、ガイド孔11の周囲に位置しており、図3に示した光造形法の硬化工程において、液状の光硬化性樹脂16の自重落下による流動を可能にする。なお、プローブピン支持体1bは、第1層乃至第n層の樹脂層8におけるプローブピン収容空間10に十字状のリブ41を形成し、その十字状のリブ41の中心に第1層乃至第n層までを貫通するガイド孔11を形成し、ガイド孔11の周囲に第1層乃至第nまでを貫通する空間42を形成してもよい。また、プローブピン支持体1bは、第1層乃至第n層までの任意の樹脂層8に十字状のリブ41を設けるようにしてもよい。例えば、図10(d)に示すように、プローブピン支持体1bは、第3層及び第4層の樹脂層8のプローブピン収容空間10内に十字状のリブ41を形成し、第n−1層及び第n層の樹脂層8のプローブピン収容空間10内に十字状のリブ41を形成してもよい。また、プローブピン収容孔4は、プローブピン収容空間10とガイド孔11とで構成されている。
As shown in FIGS. 10A to 10C, the
以上のような本実施形態に係るプローブピン支持体1bの製造方法によれば、十字状リブ41のガイド孔11の周囲に4箇所の空間42が形成されているため、図3に示した光造形法の硬化工程において、液状の光硬化性樹脂14が空間42内を自重落下による流動をし、液状の光硬化性樹脂16がガイド孔11の近傍に滞留し難い。その結果、十字状のリブ41のガイド孔11及びプローブピン収容空間10は、余剰硬化物で塞がれることがない。
According to the method for manufacturing the
また、本実施形態に係るプローブピン支持体1bの製造方法によれば、ガイド孔11を有するプローブピン支持体1bの3Dデータ(三次元CADデータ)21をそのまま使用して(従来例のような三次元CADデータを造形用の等高線データに変換することなく)造形しても、ガイド孔11が余剰硬化物で塞がってしまうことがなく、高精度のガイド孔11を有するプローブピン支持体1bを容易に作成できる。
Further, according to the method for manufacturing the
[第4実施形態]
図11は、本発明の第4実施形態に係るプローブピン支持体1bの製造方法によって形成されるプローブピン支持体1bを説明するための図である。なお、図11(a)は、本変形例に係るプローブピン支持体1bの製造方法によって形成されるプローブピン支持体1bの一部平面図である。また、図11(b)は、図11(a)のA12−A12線に沿って切断して示すプローブピン支持体1bの断面図である。また、図11(c)は、プローブピン支持体1bの一部裏面図である。
[Fourth Embodiment]
FIG. 11 is a view for explaining the
図11に示すように、本実施形態に係るプローブピン支持体1bは、第7層の樹脂層8にプローブピン収容孔11が形成され、第4層の樹脂層8のプローブピン収容空間10の内周面10aから第7層の樹脂層8のガイド孔11の開口縁まで延びる斜めリブ43がプローブ収容孔4の中心CLの回りに等間隔で4箇所形成されている。この斜めリブ43は、第7層の樹脂層8側の端部がプローブピン5に当接するピン支持部44であり、ガイド孔11と共にプローブピン5を支持すると共に、ガイド孔11が形成された第7層の樹脂層8を補強する。斜めリブ43は、隣り合う他の斜めリブ43とプローブピン収容空間10の内周面10aとの間に空間45が設けられ、その空間45がピン支持部44の周囲に位置している。このピン支持部44の周囲に位置する空間45は、図3において示した光造形法の硬化工程において、液状の光硬化樹脂16の自重落下による流動を可能にする。
As shown in FIG. 11, in the
このような本実施形態に係るプローブピン支持体1bの製造方法によれば、第1実施形態に係るプローブピン支持体1bの製造方法の第1及び第2の硬化と同様の効果を得ることができる。なお、本実施形態に係るプローブピン支持体1bは、ガイド孔11を第7層の樹脂層8に形成したが、これに限定されず、任意の樹脂層8にガイド孔11を形成し、複数の斜めリブ43をガイド孔11よりも上方側に設け、液状の光硬化性樹脂16がガイド孔11及びその近傍に滞留しないようになっていればよい。
According to the method for manufacturing the
[その他の実施形態]
また、上記各実施形態及び各変形例に係るプローブピン支持体1bの説明において、ガイド孔11は、平面形状が円形状のものを例示したが、これに限られず、プローブピン5の断面形状に応じた形状(例えば、四角形状、楕円形状、Dカット形状、六角形状等)の平面形状にしてもよい。また、プローブピン収容空間10は、平面形状が円形状又は四角形状のものを例示したが、これに限られず、楕円形状、六角形状等の任意の平面形状にしてもよい。
[Other Embodiments]
Further, in the description of the
1b(1)……プローブピン支持体、4……プローブピン収容孔、5……プローブピン、6……電子部品、7……端子、8……樹脂層、12,28,35,37,41,43……リブ、11,13,34,38,44……ピン支持部、14,32,40,42,45……空間、16……光硬化性樹脂、27……光 1b (1): Probe pin support, 4: Probe pin receiving hole, 5: Probe pin, 6: Electronic component, 7: Terminal, 8 ... Resin layer, 12, 28, 35, 37, 41, 43 ... rib, 11, 13, 34, 38, 44 ... pin support, 14, 32, 40, 42, 45 ... space, 16 ... photo-curable resin, 27 ... light
Claims (5)
前記プローブピン支持体は、液状の光硬化性樹脂に光を照射することによって硬化した樹脂層を積み重ねて形成され、
前記プローブピン収容孔には、前記プローブピンを支持するリブが形成され、
前記リブは、前記プローブピンが当接するピン支持部を有し、
前記ピン支持部の周囲には、前記液状の光硬化性樹脂の自重落下による流動を可能にする空間が形成された、
ことを特徴とするプローブピン支持体の製造方法。 In the manufacturing method of the probe pin support body in which the probe pin accommodation hole for accommodating the probe pin that contacts the terminal of the electronic component during the electrical test of the electronic component is formed,
The probe pin support is formed by stacking resin layers cured by irradiating light to a liquid photocurable resin,
The probe pin housing hole is formed with a rib for supporting the probe pin,
The rib has a pin support portion with which the probe pin abuts,
Around the pin support portion, a space was formed that allowed the liquid photocurable resin to flow due to its own weight drop,
A method for manufacturing a probe pin support.
ことを特徴とする請求項1に記載のプローブピン支持体の製造方法。 A plurality of the ribs are formed around the center of the probe pin accommodation hole, and the tip on the center side of the probe pin accommodation hole is the pin support portion.
The method for producing a probe pin support according to claim 1.
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のプローブピン支持体の製造方法。 A plurality of the ribs are formed at intervals in the laminating direction of the resin layer, and the tip on the center side of the probe pin accommodation hole is the pin support portion.
The method for producing a probe pin support according to claim 1 or 2.
ことを特徴とする請求項2に記載のプローブピン支持体の製造方法。 The rib is formed so as to extend from the inner peripheral surface of the probe pin accommodation hole toward the center of the probe pin accommodation hole and along the lamination direction of the resin layer.
The method for producing a probe pin support according to claim 2.
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のプローブピン支持体の製造方法。 The pin support portions of the plurality of ribs are shifted around the center of the probe pin accommodation hole,
The method for manufacturing a probe pin support according to any one of claims 1 to 4.
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