JP2019195064A - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 343
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 108
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 90
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 9
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 35
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 16
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 722
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 71
- 230000008569 process Effects 0.000 description 43
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 42
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 37
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 description 26
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 22
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 16
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 16
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 15
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 2
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004129 HfSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 hafnium aluminate Chemical class 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
Description
程度の半導体薄膜により構成されるトランジスタが注目されている。トランジスタは、I
C(Integrated Circuit)および電気光学装置を始めとした電子デバ
イスに広く応用されている。また、トランジスタは、液晶表示装置および有機EL(El
ectroluminescence)素子を用いた発光装置に代表される、アクティブ
マトリクス型の表示装置および発光装置のスイッチング素子としても用いられている。
画面サイズの大面積化、高精細化および高開口率化の要求が高まっている。また、これら
の装置には高い信頼性が求められ、その生産方法には高い生産性および生産コストの削減
が求められている。
て、フォトリソグラフィ工程数の削減は、コスト削減のために重要である。例えば第8世
代のフォトマスクは1枚当たり数千万円、第10世代および第11世代のフォトマスクに
至っては1枚当たり数億円にもなる。また、作製工程におけるフォトリソグラフィ工程数
が1つ増加するだけで、関連する工程を含め工程数が大幅に増加する。そのため、フォト
リソグラフィ工程数を削減するために、数多くの技術開発がなされている。
手段として、多階調マスク(ハーフトーンマスクまたはグレートーンマスクとも呼ばれる
。)を用いた技術が広く知られている。多階調マスクを用いて作製工程を低減した例とし
ては、特許文献1乃至特許文献3が挙げられる。
とする。また、フォトリソグラフィ工程を削減することを目的の一とする。また、半導体
装置の製造時間を短縮することを目的の一とする。また、半導体装置の製造コストを低減
することを目的の一とする。
縁膜を形成し、第1の絶縁膜の上方に半導体膜を形成し、半導体膜の少なくとも一部をエ
ッチングしてチャネル領域を含む半導体膜を形成し、チャネル領域を含む半導体膜の上方
に、第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜の上方に、マスクを形成し、第2の絶縁膜の、
チャネル領域を含む半導体膜と重なりかつマスクと重ならない第1の部分を除去すること
と同時に、第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜の、マスクおよびチャネル領域を含む半導体膜
と重ならない第2の部分を除去する第1の工程を行い、第1の工程の後にマスクを除去し
、第2の絶縁膜の少なくとも一部の上方に、チャネル領域を含む半導体膜に電気的に接続
される第2の導電膜を形成することを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である
。
2の絶縁膜の一部を露出させ、第2の絶縁膜の一部を除去することが好ましい。
に第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜の上方に半導体膜を形成し、半導体膜の少なくと
も一部をエッチングしてチャネル領域を含む半導体膜を形成し、チャネル領域を含む半導
体膜の上方に、第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜の上方に、第1の領域と、第1の領
域における厚さよりも小さな厚さを有する第2の領域と、を有するマスクを形成し、第1
の絶縁膜及び第2の絶縁膜のマスクと重ならない部分を除去する第1の工程を行い、第1
の工程の後、マスクを後退させることにより第2の領域のマスクを除去する第2の工程を
行い、第2の工程の後、第2の絶縁膜の第2の領域と重なる部分を除去する第3の工程を
行い、第3の工程の後、マスクを除去し、第2の絶縁膜の少なくとも一部の上方に、チャ
ネル領域を含む半導体膜と電気的に接続される第2の導電膜を形成することを含むことを
特徴とする半導体装置の製造方法である。
に第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜の上方に半導体膜を形成し、半導体膜の上方に、
第1の領域と、第1の領域における厚さよりも小さな厚さを有する第2の領域と、を有す
るマスクを形成し、第1の絶縁膜及び半導体膜のマスクと重ならない部分を除去して第1
の絶縁膜に開口を形成する第1の工程を行い、第1の工程の後、マスクを後退させること
により第2の領域のマスクを除去する第2の工程を行い、第2の工程の後、半導体膜の第
2の領域と重なる部分を除去してチャネル領域を含む半導体膜を形成する第3の工程を行
い、第3の工程の後、マスクを除去し、チャネル領域を含む半導体膜の上方に第2の絶縁
膜を形成し、第2の絶縁膜の少なくとも開口と重なる部分を除去し、第2の絶縁膜の少な
くとも一部の上方にチャネル領域を含む半導体膜と電気的に接続される第2の導電膜を形
成することを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜の上方に第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜の上方に第
1の導電膜を形成し、第1の導電膜の上方に、第1の領域と、第1の領域における厚さよ
りも小さな厚さを有する第2の領域と、を有するマスクを形成し、第1の絶縁膜、第2の
絶縁膜及び第1の導電膜の、マスクと重ならない部分を除去する第1の工程を行い、第1
の工程の後、マスクを後退させることにより第2の領域のマスクを除去する第2の工程を
行い、第2の工程の後、第1の導電膜の第2の領域と重なる部分を除去する第3の工程を
行い、第3の工程の後、マスクを除去し、第2の絶縁膜の少なくとも一部の上方に第3の
絶縁膜を形成し、第3の絶縁膜の少なくとも一部の上方に第1の電極と電気的に接続され
る第2の導電膜を形成することを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
を行い、半導体膜の上方に第4の絶縁膜を形成する工程を行い、第4の絶縁膜に第1の開
口を形成する工程を行う工程をさらに含んでいてもよい。また、上記において、第1の電
極は第4の絶縁膜に形成された第1の開口を経て前記半導体膜に電気的に接続してもよい
。また上記において、半導体膜は酸化物半導体を有していてもよい。また、第1の開口は
テーパー形状を有していてもよい。また、上記において、第1の工程により第2の絶縁膜
に形成された開口は、テーパー形状を有していてもよい。また、第1の工程により第1の
絶縁膜に形成された開口は、テーパー形状を有していてもよい。また、上記において第3
の絶縁膜は、側面にテーパー形状を有していてもよい。
絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜の上方に第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜の上方に第
1の導電膜を形成し、第1の導電膜の上方に、第1の領域と、第1の領域における厚さよ
りも小さな厚さを有する第2の領域と、を有するマスクを形成し、第1の絶縁膜、第2の
絶縁膜及び第1の導電膜の、マスクと重ならない部分を除去する第1の工程を行い、第1
の工程の後、マスクを後退させることにより第2の領域のマスクを除去する第2の工程を
行い、第2の工程の後、第1の導電膜の第2の領域と重なる部分を除去する第3の工程を
行い、第3の工程の後、マスクを除去し、第2の絶縁膜の上面の少なくとも一部の上方と
、第1の工程により第2の絶縁膜に形成された開口における第2の絶縁膜の側面の少なく
とも一部の上方と、に第3の絶縁膜を形成し、第3の絶縁膜の少なくとも一部の上方に第
1の電極と電気的に接続される第2の導電膜を形成することを含むことを特徴とする半導
体装置の製造方法である。
絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜の上方に第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜の上方に第
1の導電膜を形成し、第1の導電膜の上方に、第1の領域と、第1の領域における厚さよ
りも小さな厚さを有する第2の領域と、を有するマスクを形成し、第1の絶縁膜、第2の
絶縁膜及び第1の導電膜の、マスクと重ならない部分を除去する第1の工程を行い、第1
の工程の後、マスクを後退させることにより第2の領域のマスクを除去する第2の工程を
行い、第2の工程の後、第1の導電膜の第2の領域と重なる部分を除去する第3の工程を
行い、第3の工程の後、マスクを除去し、第2の絶縁膜の上面の少なくとも一部の上方と
、第1の工程により第2の絶縁膜に形成された開口における第2の絶縁膜の側面の上方と
、第1の電極の少なくとも一部の上方と、に第3の絶縁膜を形成し、第3の絶縁膜の少な
くとも一部の上方に第1の電極と電気的に接続される第2の導電膜を形成することを含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
る。また、フォトリソグラフィ工程を削減することができる。また、半導体装置の製造時
間を短縮することができる。また、半導体装置の製造コストを低減することができる。
以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更しうることは当業者であれば
容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈され
るものではない。なお、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す符
号は異なる図面間でも共通して用いる。なお、同様のものを指す際にはハッチパターンを
同じくし、特に符号を付さない場合がある。
工程順または積層順を示すものではない。そのため、例えば、「第1の」を「第2の」又
は「第3の」などと適宜置き換えて説明することができる。また、本明細書等に記載され
ている序数詞と、本発明の一態様を特定するために用いられる序数詞は一致しない場合が
ある。
とを限定するものではない。例えば、「絶縁層上のゲート電極」の表現であれば、絶縁層
とゲート電極との間に他の構成要素を含むものを除外しない。「下」についても同様であ
る。また、平面的な重なりのない場合(重畳しない場合といってもよい)も除外しない。
に限定するものではない。例えば、「電極」は「配線」の一部として用いられることがあ
り、その逆もまた同様である。さらに、「電極」や「配線」という用語は、複数の「電極
」や「配線」が一体となって形成されている場合なども含む。
、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため
、本明細書においては、「ソース」や「ドレイン」という用語は、入れ替えて用いること
ができるものとする。
いる場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するもの」は、接続対象間での
電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない。例えば、「何らかの電
気的作用を有するもの」には、電極や配線などが含まれる。
ての特性を有する場合がある。また、「半導体」と「絶縁体」は境界が曖昧であり、厳密
に区別できない場合がある。従って、本明細書に記載の「半導体」は、「絶縁体」と言い
換えることができる場合がある。同様に、本明細書に記載の「絶縁体」は、「半導体」と
言い換えることができる場合がある。
ての特性を有する場合がある。また、「半導体」と「導電体」は境界が曖昧であり、厳密
に区別できない場合がある。従って、本明細書に記載の「半導体」は、「導電体」と言い
換えることができる場合がある。同様に、本明細書に記載の「導電体」は、「半導体」と
言い換えることができる場合がある。
で配置されている状態をいう。従って、−5°以上5°以下の場合も含まれる。また、「
垂直」とは、二つの直線が80°以上100°以下の角度で配置されている状態をいう。
従って、85°以上95°以下の場合も含まれる。
す。
本発明の一態様である半導体装置の製造方法について、図1乃至図10を用いて説明する
。図1は半導体装置の上面図であり、図1(A)に液晶表示装置の画素領域として機能さ
せることができる部分、図1(B)および(C)は液晶表示装置のドライバ等が設けられ
た周辺部として機能させることができる部分を示す。図を簡潔にするため、構成要素の一
部を抜粋して示しており、たとえば後述する絶縁膜104、絶縁膜108等は図示してい
ない。図1(A)の一点鎖線X1−X2で示した部分の断面構造を、図2乃至図10の断
面X1−X2に示す。断面X1−X2は、トランジスタが形成される領域の一部の断面構
造である。図1(B)の一点鎖線Y1−Y2で示した部分の断面構造を、図2乃至図10
の断面Y1−Y2に示す。断面Y1−Y2は、半導体膜の下に設けられた導電膜と半導体
膜の上に設けられた導電膜が電気的に接続される領域の一部の断面構造である。
まず、図2および図3を用いて、図3(D)に示すトランジスタ150および接続部16
0を形成する方法を説明する。
まず、基板100を用意する(図2(A))。基板100の材質などに大きな制限はない
が、少なくとも、後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を用いる。例えば、ガ
ラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイヤ基板、YSZ(イットリア安定化ジル
コニア)基板等を、基板100として用いてもよい。また、シリコンや炭化シリコンなど
の単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウムなどの化合物半導体基板
、SOI基板等を適用することも可能である。
いてもよい。その場合、基板100上に層間絶縁層を介してトランジスタ150を形成す
る。このとき、層間絶縁層に埋め込まれた接続電極により、トランジスタ150の導電膜
102b、導電膜114bおよび導電膜114cの少なくとも一つが、上記半導体素子と
電気的に接続する構成とすればよい。半導体素子上に層間絶縁層を介してトランジスタ1
50を設けることにより、トランジスタ150を付加することによる面積の増大を抑制す
ることができる。
、トランジスタ150を形成してもよい。または、基板100とトランジスタ150の間
に剥離層を設けてもよい。剥離層は、その上層にトランジスタの一部あるいは全部を形成
した後、基板100より分離し、他の基板に転載するのに用いることができる。その結果
、トランジスタ150は耐熱性の劣る基板や可撓性の基板にも転載できる。
次に、基板100の上方にスパッタリング法、CVD法、蒸着法等により導電膜を形成し
、該導電膜上にフォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成する。次に、該レジ
ストマスクを用いて導電膜の一部をエッチングして、導電膜102aおよび導電膜102
bを形成する(図3(B))。導電膜102bは、トランジスタ150においてゲート電
極として機能させることができる。
、モリブデン、タングステンから選ばれた金属、または上述した金属を成分とする合金か
、上述した金属を組み合わせた合金等を用いて形成することができる。また、マンガン、
ジルコニウムのいずれか一または複数から選択された金属を用いてもよい。
もよい。例えばアルミニウム膜の上または下に、タングステン、チタン、モリブデンから
選ばれた金属、または上述した金属を成分とする合金等のバリア膜として機能する膜を積
層する2層構造としてもよい。またアルミニウム膜の上下に、上述のバリア膜として機能
する膜を積層する3層構造としてもよい。同様に、銅膜の上または下に、上述のバリア膜
として機能する膜を積層する2層構造としてもよい。また銅膜の上下に、上述のバリア膜
として機能する膜を積層する3層構造としてもよい。
いることで半導体装置の消費電力を削減することができる。また、タングステン膜、チタ
ン膜、モリブデン膜等のバリア膜として機能する膜を、アルミニウム膜および銅膜等と接
して積層することで、これらの拡散を抑制し、半導体装置の信頼性を向上させることがで
きる。
導体膜、In−Sn系酸窒化物半導体膜、In−Ga系酸窒化物半導体膜、In−Zn系
酸窒化物半導体膜、Sn系酸窒化物半導体膜、In系酸窒化物半導体膜、金属窒化膜(I
nN、ZnN等)等を設けてもよい。これらの膜は5eV以上、好ましくは5.5eV以
上の仕事関数を有し、酸化物半導体の電子親和力よりも大きい値であるため、後述する半
導体膜に酸化物半導体を用いる場合、トランジスタのしきい値電圧をプラスにシフトする
ことができ、所謂ノーマリーオフ特性のスイッチング素子を実現できる。例えば、In−
Ga−Zn系酸窒化物半導体膜を用いる場合、少なくとも半導体膜106bより高い窒素
濃度、具体的には7原子%以上のIn−Ga−Zn系酸窒化物半導体膜を用いる。
次に、基板100、導電膜102aおよび導電膜102bの上方に、絶縁膜104を形成
する(図2(C))。絶縁膜104は、トランジスタ150においてゲート絶縁膜として
機能させることができる。
コン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウムまたはGa−Zn系金属酸化物
などを用いればよく、積層または単層で設ける。
ハフニウムシリケート(HfSixOyNz)、窒素が添加されたハフニウムアルミネー
ト(HfAlxOyNz)、酸化ハフニウム、酸化イットリウムなどのhigh−k材料
を用いることでトランジスタのゲートリークを低減できる。
ましい。はじめに、シラン、窒素、及びアンモニアの混合ガスを原料ガスとして用いたプ
ラズマCVD法により、欠陥の少ない第1の窒化シリコン膜を形成する。次に、原料ガス
を、シラン及び窒素の混合ガスに切り替えて、水素濃度が低く、且つ水素をブロッキング
することが可能な第2の窒化シリコン膜を成膜する。このような形成方法により、絶縁膜
104として、欠陥が少なく、且つ水素ブロッキング性を有する窒化シリコン膜を形成す
ることができる。
rganic Chemical Vapor Deposition)法を用いて形成
することができる。
次に、絶縁膜104の上方に、スパッタリング法、CVD法、蒸着法等により半導体膜を
形成し、該半導体膜上にフォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成する。次に
、該レジストマスクを用いて半導体膜の少なくとも一部をエッチングして、半導体膜10
6aおよび半導体膜106bを形成する(図2(D))。半導体膜106bは、トランジ
スタ150におけるチャネル領域を含む。
きる。具体的には、非晶質シリコン、微結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコン
等を用いることができ、これらの膜を単層または積層で設けることができる。また、これ
らの半導体膜の一部、また積層した場合は少なくとも1つの層に、導電型を付与する不純
物を添加してもよい。
たトランジスタには、極めてオフ電流が低い特性を有するものがある。当該トランジスタ
を用いると、液晶表示装置における各画素の容量素子に入力された信号の保持能力が高く
なり、例えば静止画表示などにおいてフレーム周波数を小さくすることができる。フレー
ム周波数を小さくすることによって、表示装置の消費電力を低減させることができる。
明する。
ア移動度(電子移動度)が高くなる。また、酸化物半導体は、元素Mを含むと好ましい。
元素Mとして、例えば、アルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズなどがある。
元素Mは、例えば、酸素との結合エネルギーが高い元素である。元素Mは、例えば、酸化
物半導体のエネルギーギャップを大きくする機能を有する元素である。また、酸化物半導
体は、亜鉛を含むと好ましい。酸化物半導体が亜鉛を含むと、結晶質の酸化物半導体とな
りやすい。また、酸化物半導体の価電子帯上端のエネルギー(Ev)は、例えば、亜鉛の
原子数比によって制御できる場合がある。
n−Sn酸化物、Ga−Sn酸化物であっても構わない。
の原子数比率をInが50atomic%未満、Mが50atomic%以上、またはI
nが25atomic%未満、Mが75atomic%以上であるIn−M−Zn酸化物
としてもよい。また、酸化物半導体は、InおよびMの和を100atomic%とした
とき、InとMの原子数比率をInが25atomic%以上、Mが75atomic%
未満、またはInが34atomic%以上、Mが66atomic%未満であるIn−
M−Zn酸化物としてもよい。
プは、2.7eV以上4.9eV以下、好ましくは3eV以上4.7eV以下、さらに好
ましくは3.2eV以上4.4eV以下とする。
高純度真性化することが有効である。なお、酸化物半導体において、主成分以外(1at
omic%未満)の軽元素、半金属元素、金属元素などは不純物となる。例えば、水素、
リチウム、炭素、窒素、フッ素、ナトリウム、シリコン、塩素、カリウム、カルシウム、
チタン、鉄、ニッケル、銅、ゲルマニウム、ストロンチウム、ジルコニウムおよびハフニ
ウムは酸化物半導体中で不純物となる場合がある。従って、近接する膜中の不純物濃度も
低減することが好ましい。
また、酸化物半導体の表層にシリコンがあることで不純物準位を形成する場合がある。そ
のため、酸化物半導体の内部、表層におけるシリコン濃度は、二次イオン質量分析法(S
IMS:Secondary Ion Mass Spectrometry)において
、1×1019atoms/cm3未満、好ましくは5×1018atoms/cm3未
満、さらに好ましくは2×1018atoms/cm3未満とする。
場合がある。そのため、酸化物半導体の水素濃度はSIMSにおいて、2×1020at
oms/cm3以下、好ましくは5×1019atoms/cm3以下、より好ましくは
1×1019atoms/cm3以下、さらに好ましくは5×1018atoms/cm
3以下とする。また、酸化物半導体中で窒素は、不純物準位を形成し、キャリア密度を増
大させてしまう場合がある。そのため、酸化物半導体中の窒素濃度は、SIMSにおいて
、5×1019atoms/cm3未満、好ましくは5×1018atoms/cm3以
下、より好ましくは1×1018atoms/cm3以下、さらに好ましくは5×101
7atoms/cm3以下とする。
単結晶酸化物半導体膜とは、CAAC−OS(C Axis Aligned Crys
talline Oxide Semiconductor)膜、多結晶酸化物半導体膜
、微結晶酸化物半導体膜、非晶質酸化物半導体膜などをいう。
ついて説明する。
晶部は、一辺が100nm未満の立方体内に収まる大きさである。従って、CAAC−O
S膜に含まれる結晶部は、一辺が10nm未満、5nm未満または3nm未満の立方体内
に収まる大きさの場合も含まれる。
ron Microscope)によって観察すると、明確な結晶部同士の境界、即ち結
晶粒界(グレインバウンダリーともいう)を確認することができない。そのため、CAA
C−OS膜は、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
)すると、結晶部において、金属原子が層状に配列していることを確認できる。金属原子
の各層は、CAAC−OS膜の膜を形成する面(被形成面ともいう)または上面の凹凸を
反映した形状であり、CAAC−OS膜の被形成面または上面と平行に配列する。
M観察)すると、結晶部において、金属原子が三角形状または六角形状に配列しているこ
とを確認できる。しかしながら、異なる結晶部間で、金属原子の配列に規則性は見られな
い。
いることがわかる。
置を用いて構造解析を行うと、例えばInGaZnO4の結晶を有するCAAC−OS膜
のout−of−plane法による解析では、回折角(2θ)が31°近傍にピークが
現れる場合がある。このピークは、InGaZnO4の結晶の(009)面に帰属される
ことから、CAAC−OS膜の結晶がc軸配向性を有し、c軸が被形成面または上面に概
略垂直な方向を向いていることが確認できる。
ane法による解析では、2θが56°近傍にピークが現れる場合がある。このピークは
、InGaZnO4の結晶の(110)面に帰属される。InGaZnO4の単結晶酸化
物半導体膜であれば、2θを56°近傍に固定し、試料面の法線ベクトルを軸(φ軸)と
して試料を回転させながら分析(φスキャン)を行うと、(110)面と等価な結晶面に
帰属されるピークが6本観察される。これに対し、CAAC−OS膜の場合は、2θを5
6°近傍に固定してφスキャンした場合でも、明瞭なピークが現れない。
規則であるが、c軸配向性を有し、かつc軸が被形成面または上面の法線ベクトルに平行
な方向を向いていることがわかる。従って、前述の断面TEM観察で確認された層状に配
列した金属原子の各層は、結晶のab面に平行な面である。
った際に形成される。上述したように、結晶のc軸は、CAAC−OS膜の被形成面また
は上面の法線ベクトルに平行な方向に配向する。従って、例えば、CAAC−OS膜の形
状をエッチングなどによって変化させた場合、結晶のc軸がCAAC−OS膜の被形成面
または上面の法線ベクトルと平行にならないこともある。
の結晶部が、CAAC−OS膜の上面近傍からの結晶成長によって形成される場合、上面
近傍の領域は、被形成面近傍の領域よりも結晶化度が高くなることがある。また、CAA
C−OS膜に不純物を添加する場合、不純物が添加された領域の結晶化度が変化し、部分
的に結晶化度の異なる領域が形成されることもある。
による解析では、2θが31°近傍のピークの他に、2θが36°近傍にもピークが現れ
る場合がある。2θが36°近傍のピークは、CAAC−OS膜中の一部に、c軸配向性
を有さない結晶が含まれることを示している。CAAC−OS膜は、2θが31°近傍に
ピークを示し、2θが36°近傍にピークを示さないことが好ましい。
シリコン、遷移金属元素などの酸化物半導体膜の主成分以外の元素である。特に、シリコ
ンなどの、酸化物半導体膜を構成する金属元素よりも酸素との結合力の強い元素は、酸化
物半導体膜から酸素を奪うことで酸化物半導体膜の原子配列を乱し、結晶性を低下させる
要因となる。また、鉄やニッケルなどの重金属、アルゴン、二酸化炭素などは、原子半径
(または分子半径)が大きいため、酸化物半導体膜内部に含まれると、酸化物半導体膜の
原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。なお、酸化物半導体膜に含まれる不純
物は、キャリアトラップやキャリア発生源となる場合がある。
半導体膜中の酸素欠損は、キャリアトラップとなることや、水素を捕獲することによって
キャリア発生源となることがある。
実質的に高純度真性と呼ぶ。高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜
は、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることができる。従って、当該
酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、しきい値電圧がマイナスとなる電気特性(ノー
マリーオンともいう。)になることが少ない。また、高純度真性または実質的に高純度真
性である酸化物半導体膜は、キャリアトラップが少ない。そのため、当該酸化物半導体膜
を用いたトランジスタは、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとなる。
なお、酸化物半導体膜のキャリアトラップに捕獲された電荷は、放出するまでに要する時
間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、不純物濃度が高く
、欠陥準位密度が高い酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、電気特性が不安定となる
場合がある。
の変動が小さい。
ない場合がある。微結晶酸化物半導体膜に含まれる結晶部は、1nm以上100nm以下
、または1nm以上10nm以下の大きさであることが多い。特に、1nm以上10nm
以下、または1nm以上3nm以下の微結晶であるナノ結晶(nc:nanocryst
al)を有する酸化物半導体膜を、nc−OS(nanocrystalline Ox
ide Semiconductor)膜と呼ぶ。また、nc−OS膜は、例えば、TE
Mによる観察像では、結晶粒界を明確に確認できない場合がある。
3nm以下の領域)において原子配列に周期性を有する。また、nc−OS膜は、異なる
結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。従
って、nc−OS膜は、分析方法によっては、非晶質酸化物半導体膜と区別が付かない場
合がある。例えば、nc−OS膜に対し、結晶部よりも大きい径のX線を用いるXRD装
置を用いて構造解析を行うと、out−of−plane法による解析では、結晶面を示
すピークが検出されない。また、nc−OS膜は、結晶部よりも大きい径(例えば50n
m以上)の電子線を用いる電子線回折(制限視野電子線回折ともいう。)を行うと、ハロ
ーパターンのような回折像が観測される。一方、nc−OS膜は、結晶部の大きさと近い
か結晶部より小さい径(例えば1nm以上30nm以下)の電子線を用いる電子線回折(
ナノビーム電子線回折ともいう。)を行うと、スポットが観測される。また、nc−OS
膜のナノビーム電子線回折を行うと、円を描くように(リング状に)輝度の高い領域が観
測される場合がある。また、nc−OS膜のナノビーム電子線回折を行うと、リング状の
領域内に複数のスポットが観測される場合がある。
ため、nc−OS膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも欠陥準位密度が低くなる。ただし、
nc−OS膜は、異なる結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、nc−O
S膜は、CAAC−OS膜と比べて欠陥準位密度が高くなる。
AC−OS膜のうち、二種以上を有する積層膜であってもよい。
た多層膜であってもよい。
物半導体層(S1)よりも高くする。具体的には、酸化物半導体層(S2)として、酸化
物半導体層(S1)よりも電子親和力の0.07eV以上1.3eV以下、好ましくは0
.1eV以上0.7eV以下、さらに好ましくは0.15eV以上0.4eV以下小さい
酸化物半導体を用いる。なお、電子親和力は、真空準位と伝導帯下端のエネルギーとの差
である。
1)よりも大きくする。なお、エネルギーギャップは、例えば、光学的な手法により導出
することができる。具体的には、酸化物半導体層(S2)として、酸化物半導体層(S1
)よりもエネルギーギャップの0.1eV以上1.2eV以下、好ましくは0.2eV以
上0.8eV以下大きい酸化物半導体を用いる。
と、酸化物半導体層(S3)とが、この順番で形成された多層膜であってもよい。
半導体層(S1)および酸化物半導体層(S3)よりも低くする。具体的には、酸化物半
導体層(S2)として、酸化物半導体層(S1)および酸化物半導体層(S3)よりも電
子親和力の0.07eV以上1.3eV以下、好ましくは0.1eV以上0.7eV以下
、さらに好ましくは0.15eV以上0.4eV以下大きい酸化物半導体を用いる。
1)および酸化物半導体層(S3)よりも小さくする。具体的には、酸化物半導体層(S
2)として、酸化物半導体層(S1)および酸化物半導体層(S3)よりもエネルギーギ
ャップの0.1eV以上1.2eV以下、好ましくは0.2eV以上0.8eV以下小さ
い酸化物半導体を用いる。
の厚さは小さいほど好ましい。例えば、酸化物半導体層(S3)は、10nm未満、好ま
しくは5nm以下、さらに好ましくは3nm以下とする。一方、酸化物半導体層(S3)
は、電流密度の高い酸化物半導体層(S2)へ、絶縁膜104を構成する元素(シリコン
など)が入り込まないようブロックする機能も有する。そのため、酸化物半導体層(S3
)は、ある程度の厚さを有することが好ましい。例えば、酸化物半導体層(S3)の厚さ
は、0.3nm以上、好ましくは1nm以上、さらに好ましくは2nm以上とする。
半導体層(S2)の厚さは酸化物半導体層(S3)の厚さより厚く設けられることが好ま
しい。具体的には、酸化物半導体層(S1)の厚さは、20nm以上、好ましくは30n
m以上、さらに好ましくは40nm以上、より好ましくは60nm以上とする。酸化物半
導体層(S1)の厚さを、20nm以上、好ましくは30nm以上、さらに好ましくは4
0nm以上、より好ましくは60nm以上とすることで、絶縁膜と酸化物半導体層(S1
)との界面から電流密度の高い酸化物半導体層(S2)までを20nm以上、好ましくは
30nm以上、さらに好ましくは40nm以上、より好ましくは60nm以上離すことが
できる。ただし、半導体装置の生産性が低下する場合があるため、酸化物半導体層(S1
)の厚さは、200nm以下、好ましくは120nm以下、さらに好ましくは80nm以
下とする。また、酸化物半導体層(S2)の厚さは、3nm以上100nm以下、好まし
くは3nm以上80nm以下、さらに好ましくは3nm以上50nm以下とする。
法、CVD法、MBE法、ALD法またはPLD法を用いて形成すればよい。
で成膜する場合、ターゲットの原子数比は、In:M:Znが3:1:1、3:1:2、
3:1:4、1:1:0.5、1:1:1、1:1:2、1:3:1、1:3:2、1:
3:4、1:3:6、1:6:2、1:6:4、1:6:6、1:6:8、1:6:10
、1:9:2、1:9:4、1:9:6、1:9:8、1:9:10などとすればよい。
元素Mは、例えば、アルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズなどである。
ば、雰囲気全体に占める酸素の割合を、10volume%以上、好ましくは20vol
ume%以上、さらに好ましくは50volume%以上、より好ましくは80volu
me%以上とする。特に、雰囲気全体に占める酸素の割合を、100volume%とす
ると好ましい。雰囲気全体に占める酸素の割合を、100volume%とすると、半導
体膜106となる酸化物半導体膜に含まれる、希ガスなどの不純物濃度を低減することが
できる。
原子数比からずれた原子数比の膜が形成される場合がある。例えば、亜鉛は、酸素を含む
雰囲気で成膜すると、ターゲットの原子数比よりも膜の原子数比が小さくなりやすい場合
がある。具体的には、ターゲットに含まれる亜鉛の原子数比の40atomic%以上9
0atomic%以下程度となる場合がある。また、例えば、インジウムは、酸素を含む
雰囲気で成膜すると、ターゲットの原子数比よりも膜の原子数比が小さくなりやすい場合
がある。
。第1の加熱処理は、70℃以上450℃以下、好ましくは100℃以上300℃以下、
さらに好ましくは150℃以上250℃以下で行えばよい。第1の加熱処理の雰囲気は、
不活性ガス雰囲気、または酸化性ガスを10ppm以上、1volume%以上もしくは
10volume%以上含む雰囲気で行う。第1の加熱処理は減圧状態で行ってもよい。
または、第1の加熱処理の雰囲気は、不活性ガス雰囲気で加熱処理した後に、脱離した酸
素を補うために酸化性ガスを0.001volume%以上、1%以上または10%以上
含む雰囲気で加熱処理を行ってもよい。第1の加熱処理によって、半導体膜106となる
酸化物半導体膜から水素や水などの不純物を除去することができる。また、第1の加熱処
理によって、半導体膜106となる酸化物半導体膜の高純度真性化ができる。
次に、絶縁膜104、半導体膜106aおよび半導体膜106bの上方に、絶縁膜108
を形成する(図2(E))。絶縁膜108は、トランジスタ150において半導体膜10
6bのチャネル領域を保護する膜として機能する。
絶縁膜108に同じ材料を適用することができる。絶縁膜104の上層と絶縁膜108が
同じ材料であると、後の工程で絶縁膜104および絶縁膜108をエッチングする際に、
絶縁膜104の上層と絶縁膜108を同時にエッチングすることができる。その後、残っ
た絶縁膜104の下層をエッチングする。これにより、絶縁膜104の上層および絶縁膜
108のテーパー角と、絶縁膜104の下層のテーパー角とが異なる開口部を形成するこ
とができる。テーパー角の異なる開口部とすることで、該開口部に形成する導電膜の段切
れが抑制される。
次に、絶縁膜108の上方に、フォトリソグラフィ工程によりレジストマスク110を形
成する(図3(A))。
チングにより除去し、開口111a、111b、111c、111dを形成する(図3(
B))。
体膜106aまたは半導体膜106bと重なり、かつレジストマスク110と重ならない
部分を除去することにより形成される。
つ半導体膜106a、半導体膜106bおよびレジストマスク110と重ならない部分を
除去することにより形成される。
次に、絶縁膜108、半導体膜106a、半導体膜106bおよび導電膜102aの上方
に導電膜を形成し、該導電膜上にフォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成す
る。次に、該レジストマスクを用いて導電膜の一部をエッチングして、導電膜114a、
114b、114cを形成する(図3(D))。
導電膜114bおよび導電膜114cは、半導体膜106bと電気的に接続される。
能させることができる。導電膜114bは、トランジスタ150においてソース電極とし
て機能させることができ、導電膜114cは、トランジスタ150においてドレイン電極
として機能させることができる。
材料、構成および方法で形成することができる。
と同時に、半導体膜と重ならない部分では絶縁膜108だけでなく絶縁膜104にも開口
を形成する。このような工程とすることで、絶縁膜108と絶縁膜104の開口を別々に
形成する場合よりも、マスクおよびフォトリソグラフィ工程を削減することができる。そ
のため半導体装置の製造時間を短縮し、製造コストを抑制することができる。
次に、図4および図5を用いて、図5(E)に示すトランジスタ150および接続部16
0を形成する方法を説明する。
膜104、半導体膜106aおよび半導体膜106b、ならびに絶縁膜108については
、製造方法1と同様の材料、構成および方法で形成することができる。
絶縁膜108の上方に、フォトリソグラフィ工程によりレジストマスク210を形成する
(図4(F))。図4(F)に示すように、レジストマスク210は領域により厚さが異
なり、領域210aと、領域210aにおける厚さよりも小さな厚さを有する領域210
bと、を有する。領域210bは、半導体膜106aおよび半導体膜106bと重なる部
分を有する。
フォトマスク)を用いたフォトリソグラフィ工程により形成する。
ク210と重ならない部分をエッチングにより除去し、開口111bを形成する(図5(
A))。
面積(3次元的に見れば体積)が縮小し、厚さが小さくなる。そのため厚さの小さい領域
210bのレジストマスク210は除去され、レジストマスク212が形成される(図5
(B))。すなわち、レジストマスク210を後退させることにより、領域210bのレ
ジストマスク210を除去し、レジストマスク212を形成する。
、開口211a、211b、211c、211dを形成する(図5(C))。
体膜106aまたは半導体膜106bと重なり、かつレジストマスク212と重ならない
部分を除去することにより形成される。
ストマスク212と重ならない部分が除去されることにより形成される。図5(C)に示
すように、開口211bは開口111bの周囲の絶縁膜108が除去されて開口が広くな
ることにより形成されている。これにより、後の工程で開口211bに形成する導電膜の
段切れが抑制される。
次に、絶縁膜108、半導体膜106a、半導体膜106bおよび導電膜102aの上方
に導電膜を形成し、該導電膜上にフォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成す
る。次に、該レジストマスクを用いて導電膜の一部をエッチングして、導電膜114a、
114b、114cを形成する(図5(E))。
成することができる。
、211c、211dを1つのマスクで形成することができる。また、開口211bにつ
いて、絶縁膜104の開口よりも絶縁膜108の開口を広くすることができ、導電膜11
4aの段切れを抑制することができる。
きる。そのため半導体装置の製造時間を短縮し、製造コストを抑制することができる。ま
た、半導体装置の歩留まりおよび信頼性を向上させることができる。
次に、図6および図7を用いて、図7(E)に示すトランジスタ150および接続部16
0を形成する方法を説明する。
びに絶縁膜104については、製造方法1と同様の材料、構成および方法で形成すること
ができる。
絶縁膜104の上方に、半導体膜106を形成する。半導体膜106については、製造方
法1と同様の材料、構成および方法で形成することができる。
次に、半導体膜106の上方に、フォトリソグラフィ工程によりレジストマスク307を
形成する(図6(D))。図6(D)に示すように、レジストマスク307は領域により
厚さが異なり、領域307aと、領域307aにおける厚さよりも小さな厚さを有する領
域307bと、を有する。領域307bは、半導体膜106と重なる部分を有する。
フォトマスク)を用いたフォトリソグラフィ工程により形成する。
スク307と重ならない部分をエッチングにより除去し、開口308bを形成する(図6
(E))。
面積(3次元的に見れば体積)が縮小し、厚さが小さくなる。そのため厚さの小さい領域
307bのレジストマスク307は除去され、レジストマスク309が形成される(図7
(A))。すなわち、レジストマスク307を後退させることにより、領域307bのレ
ジストマスク307を除去し、レジストマスク309を形成する。
し、半導体膜106aおよび半導体膜106bを形成する(図7(B))。半導体膜10
6bは、トランジスタ150におけるチャネル領域を含む半導体膜として機能させること
ができる。
次に、絶縁膜104、半導体膜106aおよび半導体膜106bの上方に、絶縁膜を形成
し、該絶縁膜上にフォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成する。次に、該レ
ジストマスクを用いて絶縁膜の一部をエッチングして、開口311a、311b、311
c、311dを有する絶縁膜108を形成する(図7(D))。
は半導体膜106bと重なる部分に形成される。
されることにより形成される。なお図7(D)に示すように、開口311bは開口308
bと重なる部分に形成されている。また、開口311bでは、絶縁膜104の開口よりも
絶縁膜108の開口が広くなるよう形成することができる。これにより、後の工程で開口
311bに形成する導電膜の段切れが抑制される。
る膜として機能し、製造方法1と同様の材料、構成および方法で形成することができる。
次に、絶縁膜108、半導体膜106a、半導体膜106bおよび導電膜102aの上方
に導電膜を形成し、該導電膜上にフォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成す
る。次に、該レジストマスクを用いて導電膜の一部をエッチングして、導電膜114a、
114b、114cを形成する(図7(E))。
成することができる。
4の開口と、半導体膜106aおよび半導体膜106bの形成を1つのマスクで形成する
ことができる。また、開口311bについて、絶縁膜104の開口よりも絶縁膜108の
開口を広くすることができ、導電膜114aの段切れを抑制することができる。
きる。そのため半導体装置の製造時間を短縮し、製造コストを抑制することができる。ま
た、半導体装置の歩留まりおよび信頼性を向上させることができる。
なお、レジストマスク307の形状を変更することで、図7(E)に示す接続部160と
異なる形状である、図8(D)に示す接続部160を形成することができる。
)に示す場合よりも大きな開口を有する形状)とし、開口308bを形成する(図8(A
))。
形成する(図8(B))。
し、該絶縁膜上にフォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成する。次に、該レ
ジストマスクを用いて絶縁膜の一部をエッチングして、開口311a、312b、311
c、311dを有する絶縁膜108を形成する。このとき、絶縁膜108における開口3
12bが、絶縁膜104における開口308bより小さくなるよう形成する。
6bの形成を1つのマスクで形成し、また導電膜114aの段切れを抑制することができ
る。そのためマスクおよびフォトリソグラフィ工程を削減し、半導体装置の製造時間を短
縮し、製造コストを抑制することができる。また、半導体装置の歩留まりおよび信頼性を
向上させることができる。
次に、図9および図10を用いて、図10(E)に示すトランジスタ150および接続部
160を形成する方法を説明する。
電膜102b、絶縁膜104、半導体膜106aおよび半導体膜106b、絶縁膜108
、開口111a、111b、111c、111dについては、製造方法1と同様の材料、
構成および方法で形成することができる。
図10(A)に示すようにレジストマスク110を用いて開口111a、111b、11
1c、111dを形成した後、レジストマスク110にアッシングをする。アッシングと
しては、たとえば酸素プラズマによるアッシングを行うことができる。
さくなり、レジストマスク412が形成される(図10(B))。これにより絶縁膜10
8の一部に、レジストマスク412に重ならない部分が生じる。すなわち、レジストマス
ク110を後退させることにより、絶縁膜108の一部が露出する。
、開口411a、411b、411c、411dを形成する(図10(C))。
たは半導体膜106bと重なる部分に形成される。
06bと重ならない部分が除去されることにより形成される。なお図10(C)に示すよ
うに、開口411bは開口111bの周囲の絶縁膜108が除去されて開口が広くなるこ
とにより形成されている。これにより、後の工程で開口411bに形成する導電膜の段切
れが抑制される。
れているため、レジストマスク110とレジストマスク412の大きさの差、すなわちレ
ジストマスク412から露出した絶縁膜108の幅は概ね等しくなる。
わち図10(C)におけるLは、開口411bの周囲で概ね等しくなる。
次に、絶縁膜108、半導体膜106a、半導体膜106bおよび導電膜102aの上方
に導電膜を形成し、該導電膜上にフォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成す
る。次に、該レジストマスクを用いて導電膜の一部をエッチングして、導電膜114a、
114b、114cを形成する(図10(E))。
成することができる。
と同時に、半導体膜と重ならない部分では絶縁膜108だけでなく絶縁膜104にも開口
を形成する。このような工程とすることで、絶縁膜108と絶縁膜104の開口を別々に
形成する場合よりも、マスクおよびフォトリソグラフィ工程を削減することができる。ま
たレジストマスク110をアッシングすることにより、開口411bについて、絶縁膜1
04の開口よりも絶縁膜108の開口を広くすることができ、導電膜114aの段切れを
抑制することができる。
きる。そのため半導体装置の製造時間を短縮し、製造コストを抑制することができる。ま
た、半導体装置の歩留まりおよび信頼性を向上させることができる。
本発明の一態様である半導体装置の製造方法について、図1、図11および図12を用い
て説明する。図1は上述したように半導体装置の上面図である。図1(A)の一点鎖線X
1−X2で示した部分の断面構造を、図11および図12の断面X1−X2に示す。断面
X1−X2は、トランジスタと、トランジスタの上方に設けられた導電膜が電気的に接続
される領域の一部の断面構造である。図1(B)の一点鎖線Y1−Y2で示した部分の断
面構造を、図11および図12の断面Y1−Y2に示す。断面Y1−Y2は、半導体膜の
下に設けられた導電膜と半導体膜の上に設けられた導電膜が電気的に接続される領域の一
部の断面構造である。図1(C)の一点鎖線Z1−Z2で示した部分の断面構造を、図1
1および図12の断面Z1−Z2に示す。断面Z1−Z2は、トランジスタのソース電極
およびドレイン電極として機能させることができる導電膜と同時に形成された導電膜と、
トランジスタの上部に形成された2つの導電膜が電気的に接続される領域の一部の断面構
造である。
する場合に適用することができる。たとえば、同一基板上にコモン電極と画素電極を形成
する、IPS(In Plane Switching)(またはFFS(fringe
field switching))モードの液晶表示装置などに好適である。
図11および図12を用いて、図12(E)に示す接続部550および接続部560を形
成する方法を説明する。
まず、導電膜が設けられた基板を用意する。該基板は、実施の形態1で示したトランジス
タ150および接続部160が形成された基板でもよいし、他の方法および構成で導電膜
が形成された基板でもよい。たとえば実施の形態1で示したボトムゲート構造のトランジ
スタ150に限らず、トップゲート構造のトランジスタが形成された基板を用いてもよい
。
150、断面Y1−Y2に接続部160が形成され、さらに製造方法2と同様の工程を経
て断面Z1−Z2に絶縁膜104、絶縁膜108および導電膜114dが形成された基板
を用意することとする(図11(A))。導電膜114dは、導電膜114a、114b
、114cと同様の材料、構成および方法で形成することができる。該基板の導電膜11
4aおよび導電膜114d上に、以下の工程で接続部550および接続部560を形成す
る。
導電膜114a、114b、114c、114dの上方に、絶縁膜500を形成する(図
11(B))。絶縁膜500は、実施の形態1の絶縁膜104と同様の材料、構成および
方法で形成することができる。
次に、絶縁膜500の上方に、絶縁膜502を形成する(図11(C))。絶縁膜502
は、半導体装置における平坦化膜として機能させることができる。
いることができ、積層または単層で設ける。
次に、絶縁膜502の上方に、導電膜504を形成する(図11(D))。導電膜504
としては、透光性を有する材料を用いることが好ましい。
インジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウ
ム錫酸化物、インジウム錫酸化物(以下、ITOと示す。)、インジウム亜鉛酸化物、酸
化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いることが
できる。
物を用いて形成することができる。導電性組成物を用いて形成した透光性導電膜は、シー
ト抵抗が10000Ω/□以下、波長550nmにおける透光率が70%以上であること
が好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗率が0.1Ω・cm以下
であることが好ましい。
ば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンま
たはその誘導体、アニリン、ピロールおよびチオフェンの2種以上からなる共重合体若し
くはその誘導体などがあげられる。
次に、導電膜504の上方に、フォトリソグラフィ工程によりレジストマスク506を形
成する(図11(E))。図11(E)に示すように、レジストマスク506は領域によ
り厚さが異なり、領域506aと、領域506aにおける厚さよりも小さな厚さを有する
領域506bと、を有する。領域506bは、導電膜504と重なる部分を有する。
フォトマスク)を用いたフォトリソグラフィ工程により形成する。
ない部分をエッチングにより除去し、開口507aおよび開口507cを形成する(図1
2(A))。
面積(3次元的に見れば体積)が縮小し、厚さが小さくなる。そのため厚さの小さい領域
506bのレジストマスク506は除去され、レジストマスク508が形成される(図1
2(B))。すなわち、レジストマスク506を後退させることにより、領域506bの
レジストマスク506を除去し、レジストマスク508を形成する。
、その後、レジストマスク508を除去して導電膜504aを形成する(図12(C))
。導電膜504aは、液晶表示装置におけるコモン電極として機能させることができる。
次に、導電膜504a、絶縁膜502、絶縁膜500、導電膜114dおよび導電膜11
4cの上方に絶縁膜を形成し、該絶縁膜上にフォトリソグラフィ工程によりレジストマス
クを形成する。次に、該レジストマスクを用いて絶縁膜の一部をエッチングして、絶縁膜
510を形成する(図12(D))。図12(D)に示すように、絶縁膜510では開口
507aと重なる部分に開口511aが、導電膜504aと重なる部分に開口511bが
形成されている。また開口507cと重なる部分に開口511cが形成されている。
ことができる。
次に、絶縁膜510、導電膜504a、絶縁膜502、絶縁膜500、導電膜114dお
よび導電膜114cの上方に導電膜を形成し、該導電膜上にフォトリソグラフィ工程によ
りレジストマスクを形成する。次に、該レジストマスクを用いて導電膜の一部をエッチン
グして、導電膜512aおよび導電膜512bを形成する(図12(E))。
電膜512bは、導電膜114cと電気的に接続される。導電膜512bは、液晶表示装
置における画素電極として機能させることができる。また図示しないが、導電膜504a
と導電膜512bが重畳した部分を、容量素子として機能させることができる。ただしこ
れに限られず、容量素子は導電膜504aと導電膜512bが重畳した部分以外で形成し
てもよい。たとえば導電膜504aと、別に形成した導電膜とが重畳した部分を容量素子
として機能させてもよい。
で形成することができる。
aおよび開口507cと、導電膜504aを1つのマスクで形成することができる。
きる。そのため半導体装置の製造時間を短縮し、製造コストを抑制することができる。
実施の形態2で説明した本発明の一態様である半導体装置の製造方法の他の態様について
、図1および図15を用いて説明する。図1は上述したように半導体装置の上面図である
。図1(A)の一点鎖線X1−X2で示した部分の断面構造を、図15の断面X1−X2
に示す。断面X1−X2は、トランジスタと、トランジスタの上方に設けられた導電膜が
電気的に接続される領域の一部の断面構造である。図1(B)の一点鎖線Y1−Y2で示
した部分の断面構造を、図15の断面Y1−Y2に示す。断面Y1−Y2は、半導体膜の
下に設けられた導電膜と半導体膜の上に設けられた導電膜が電気的に接続される領域の一
部の断面構造である。図1(C)の一点鎖線Z1−Z2で示した部分の断面構造を、図1
5の断面Z1−Z2に示す。断面Z1−Z2は、トランジスタのソース電極およびドレイ
ン電極として機能させることができる導電膜と同時に形成された導電膜と、トランジスタ
の上部に形成された2つの導電膜が電気的に接続される領域の一部の断面構造である。
する場合に適用することができる。たとえば、同一基板上にコモン電極と画素電極を形成
する、IPS(In Plane Switching)(またはFFS(fringe
field switching))モードの液晶表示装置などに好適である。
図15を用いて、図15(C)に示す接続部650および接続部660を形成する方法を
説明する。本実施の形態に示す本発明の一態様である半導体装置の製造方法は、導電膜5
04aを形成するまでの工程は実施の形態2の製造方法5と同様であるので、当該記載を
参照されたい。図15(A)は導電膜504aまでを形成した状態の断面構造である。導
電膜504a、開口507a、及び開口507cは1つの多階調マスク(ハーフトーンフ
ォトマスクまたはグレートーンフォトマスク)を用いて形成されているため、マスクおよ
びフォトリソグラフィ工程を削減することができる。そのため半導体装置の製造時間を短
縮し、製造コストを抑制することができる。
次に、導電膜504a、絶縁膜502、絶縁膜500、導電膜114dおよび導電膜11
4cの上方に絶縁膜を形成し、該絶縁膜上にフォトリソグラフィ工程によりレジストマス
クを形成する。次に、該レジストマスクを用いて絶縁膜の一部をエッチングして、絶縁膜
610を形成する(図15(B))。図15(B)に示すように、絶縁膜610では開口
507aの内部に開口611aが、導電膜504aと重なる部分に開口511bが形成さ
れている。また開口507cの内部に開口611cが形成されている。
の内部にも形成されている。このため絶縁膜502の側面は開口507a及び開口507
cにおいて、絶縁膜610に覆われている。このような構造とすることにより、絶縁膜5
02内部の不純物や、開口507a及び開口507cにおける絶縁膜502の側面に上述
の多階調マスクのアッシング工程等で付着した不純物等が、絶縁膜502の外部の方向に
拡散することを抑制することができる。例えば、後述の実施の形態4で示す液晶表示装置
において、当該不純物が液晶に混入すると液晶の劣化を生じる。絶縁膜502が当該不純
物の拡散を抑制できることにより、液晶表示装置の劣化を抑制することができる。
次に、絶縁膜610、導電膜504a、絶縁膜502、絶縁膜500、導電膜114dお
よび導電膜114cの上方に導電膜を形成し、該導電膜上にフォトリソグラフィ工程によ
りレジストマスクを形成する。次に、該レジストマスクを用いて導電膜の一部をエッチン
グして、導電膜612aおよび導電膜612bを形成する(図15(C))。
電膜612bは、導電膜114cと電気的に接続される。導電膜612bは、液晶表示装
置における画素電極として機能させることができる。また図示しないが、導電膜504a
と導電膜612bが重畳した部分を、容量素子として機能させることができる。ただし容
量素子はこれに限られず、容量素子は導電膜504aと導電膜612bが重畳した部分以
外で形成してもよい。たとえば導電膜504aと、別に形成した導電膜とが重畳した部分
を容量素子として機能させてもよい。
で形成することができる。
ように、絶縁膜500、絶縁膜502、及び、絶縁膜610は側面にテーパー形状を有し
ていてもよい。絶縁膜500、絶縁膜502、及び、絶縁膜610の側面がテーパー形状
であると、接続部650および接続部660において導電膜612aおよび導電膜612
bもテーパー形状を有する形状となる。接続部650および接続部660において絶縁膜
500、絶縁膜502、及び、絶縁膜610の側面が垂直形状であると、導電膜612a
および導電膜612bの成膜が不十分となり段切れを生じる恐れがある。絶縁膜500、
絶縁膜502、及び、絶縁膜610の側面がテーパー形状であると、導電膜612aおよ
び導電膜612bの段切れを防ぐことができ、半導体装置の信頼性を向上することができ
る。
aおよび開口507cと、導電膜504aを1つのマスクで形成することができる。さら
に、絶縁膜502の側面から不純物が拡散することを抑制することができる。
きる。そのため半導体装置の製造時間を短縮し、製造コストを抑制することができる。ま
た、信頼性を損なうことなく半導体装置を利用することができる。
本実施の形態では、実施の形態1乃至実施の形態3で示した半導体装置の製造方法を適用
することのできる、表示装置をはじめとする半導体装置について説明する。
グ素子の製造方法として好適に用いることができ、TN(Twisted Nemati
c)モード、VA(Vertical Alignment)モード、IPSモードなど
各モードの液晶表示装置において適用可能である。
た発光装置のスイッチング素子の製造方法としても好適に用いることができる。
装置のスイッチング素子の製造方法として好適に用いることができる。このとき、画素電
極をスリット状に形成する。また、実施の形態2及び実施の形態3における画素電極およ
びコモン電極の積層順を入れ替え、コモン電極をスリット状に形成してもよい。
らず、記憶装置、演算装置、CPU、マイクロコンピュータなどの半導体装置の製造方法
としても適用することができる。
FS)モードの液晶表示装置1000について、図13を用いて説明する。
示した部分の断面構造を、図13(B)の断面M1−M2に示す。断面M1−M2は、実
施の形態1で示したトランジスタ150が形成された領域を含む断面構造であり、液晶表
示装置の画素領域として機能させることができる部分である。図13(A)の破線N1−
N2で示した部分の断面構造を、図13(C)の断面N1−N2に示す。断面N1−N2
は、液晶表示装置のドライバ等が設けられた周辺部および接続部として機能させることが
できる部分である。
間に、画素部1201、ドライバ1200およびドライバ1202を有する。
にトランジスタ150を有する。また液晶表示装置1000は、偏光板1161、液晶層
1115、基板1121、タッチパネル部1100、接着層1163、偏光板1162お
よび基板1131等を有する。タッチパネル部1100は、電極1122、電極1123
等を有する。また、液晶層の上方および下方に配向膜1155および配向膜1156が設
けられ、液晶層のセルギャップを保持するためにスペーサ1165が設けられている。ま
た、トランジスタ150と重畳しない部分にカラーフィルタ1114が設けられ、カラー
フィルタ1114と重畳して導電膜1113および導電膜1235が設けられている。
る。また導電膜1431、導電膜1432を介して、電極1122とFPC1433は電
気的に接続される。また導電膜1423を介して、導電膜1422とFPC1424は電
気的に接続される。
したが、本発明の一態様はこれに限らない。絶縁膜502を設けない構造の表示装置とし
てもよい。
本実施の形態では、本発明の一態様を適用した液晶表示装置を用いた電子機器の一例につ
いて、図14を用いて説明する。
ビジョン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビ
デオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)
、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが
挙げられる。これらの電子機器の具体例を図14に示す。
筐体7101に表示部7102が組み込まれている。表示部7102では、映像を表示す
ることが可能である。本発明の一態様を適用した液晶表示装置は、表示部7102に用い
ることができる。また、ここでは、スタンド7103により筐体7101を支持した構成
を示している。
コン操作機7111により行うことができる。リモコン操作機7111が備える操作キー
により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部7102に表示される映像を
操作することができる。また、リモコン操作機7111に、当該リモコン操作機7111
から出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線によ
る通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)又は双方向(送
信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
01、筐体7202、表示部7203、キーボード7204、外部接続ポート7205、
ポインティングデバイス7206等を含む。なお、コンピュータは、本発明の一態様の液
晶表示装置をその表示部7203に用いることにより作製される。
7301a及び筐体7301bの二つの筐体で構成されており、連結部7302により、
開閉可能に連結されている。筐体7301aには表示部7303aが組み込まれ、筐体7
301bには表示部7303bが組み込まれている。また、図14(C)に示す携帯型ゲ
ーム機は、スピーカ部7304、記録媒体挿入部7305、操作キー7306、接続端子
7307、センサ7308(力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光
、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流
量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの)、LEDランプ、
マイクロフォン等を備えている。もちろん、携帯型ゲーム機の構成は上述のものに限定さ
れず、少なくとも表示部7303a、表示部7303bの両方、又は一方に本発明の一態
様の液晶表示装置を用いていればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすること
ができる。図14(C)に示す携帯型ゲーム機は、記録媒体に記録されているプログラム
又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型ゲーム機と無線通信を行っ
て情報を共有する機能を有する。なお、図14(C)に示す携帯型ゲーム機が有する機能
はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
に組み込まれた表示部7402の他、操作ボタン7403、外部接続ポート7404、ス
ピーカ7405、マイク7406などを備えている。なお、携帯電話機7400は、本発
明の一態様の液晶表示装置を表示部7402に用いることにより作製される。
報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は
、表示部7402を指などで触れることにより行うことができる。
示モードであり、第2は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第3は表示
モードと入力モードの二つのモードが混合した表示+入力モードである。
主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。
ンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機7400の向き(縦か横か)を判断し
て、表示部7402の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
ボタン7403の操作により行われる。また、表示部7402に表示される画像の種類に
よって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画の
データであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
部7402のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モード
から表示モードに切り替えるように制御してもよい。
02に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。ま
た、表示部に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光源
を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
タブレット型端末7500は、筐体7501a、筐体7501b、表示部7502a、表
示部7502bを有する。筐体7501aと筐体7501bは、軸部7503により接続
されており、該軸部7503を軸として開閉動作を行うことができる。また、筐体750
1aは、電源7504、操作キー7505、スピーカ7506等を備えている。なお、タ
ブレット型端末7500は、本発明の一態様の液晶表示装置を表示部7502a、表示部
7502bの両方、又は一方に用いることにより作製される。
とができ、表示された操作キーにふれることでデータ入力をすることができる。例えば、
表示部7502aの全面にキーボードボタンを表示させてタッチパネルとし、表示部75
02bを表示画面として用いることができる。
102a 導電膜
102b 導電膜
104 絶縁膜
106 半導体膜
106a 半導体膜
106b 半導体膜
108 絶縁膜
110 レジストマスク
111a 開口
111b 開口
111c 開口
111d 開口
114a 導電膜
114b 導電膜
114c 導電膜
114d 導電膜
150 トランジスタ
160 接続部
210 レジストマスク
210a 領域
210b 領域
211a 開口
211b 開口
211c 開口
211d 開口
212 レジストマスク
307 レジストマスク
307a 領域
307b 領域
308b 開口
309 レジストマスク
311a 開口
311b 開口
311c 開口
311d 開口
312b 開口
411a 開口
411b 開口
411c 開口
411d 開口
412 レジストマスク
500 絶縁膜
502 絶縁膜
504 導電膜
504a 導電膜
506 レジストマスク
506a 領域
506b 領域
507a 開口
507c 開口
508 レジストマスク
510 絶縁膜
511a 開口
511b 開口
511c 開口
512a 導電膜
512b 導電膜
550 接続部
560 接続部
610 絶縁膜
612a 導電膜
612b 導電膜
650 接続部
660 接続部
1000 液晶表示装置
1100 タッチパネル部
1111 基板
1113 導電膜
1114 カラーフィルタ
1115 液晶層
1121 基板
1122 電極
1123 電極
1131 基板
1155 配向膜
1156 配向膜
1161 偏光板
1162 偏光板
1163 接着層
1165 スペーサ
1200 ドライバ
1201 画素部
1202 ドライバ
1235 導電膜
1421 シール部材
1422 導電膜
1423 導電膜
1424 FPC
1431 導電膜
1432 導電膜
1433 FPC
7100 テレビジョン装置
7101 筐体
7102 表示部
7103 スタンド
7111 リモコン操作機
7200 コンピュータ
7201 本体
7202 筐体
7203 表示部
7204 キーボード
7205 外部接続ポート
7206 ポインティングデバイス
7300 携帯型ゲーム機
7301a 筐体
7301b 筐体
7302 連結部
7303a 表示部
7303b 表示部
7304 スピーカ部
7305 記録媒体挿入部
7306 操作キー
7307 接続端子
7308 センサ
7400 携帯電話機
7401 筐体
7402 表示部
7403 操作ボタン
7404 外部接続ポート
7405 スピーカ
7406 マイク
7500 タブレット型端末
7501a 筐体
7501b 筐体
7502a 表示部
7502b 表示部
7503 軸部
7504 電源
7505 操作キー
7506 スピーカ
Claims (3)
- 基板の上方に第1の導電膜を形成する工程と、
前記第1の導電膜の上方に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜の上方に半導体膜を形成する工程と、
前記半導体膜の上方に第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜の上方に、レジストマスクを形成する工程と、
前記レジストマスクを用いて、前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜に第1の開口を形成すると同時に、前記第1の導電膜と前記半導体膜と重なる領域の前記第2の絶縁膜に第2の開口を形成する工程と、
前記レジストマスクを除去する工程と、
前記第2の絶縁膜の少なくとも一部の上方に、前記第1の開口及び前記第2の開口を介して前記第1の導電膜と前記半導体膜とを電気的に接続する第2の導電膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜の上方に、平坦化膜を形成する工程と、
前記平坦化膜の上方に、容量素子の電極として機能する第3の導電膜を形成する工程と、を有する半導体装置の作製方法。 - 請求項1において、
前記第3の導電膜は、第1の開口と重なる領域を有する半導体装置の作製方法。 - 請求項1または請求項2において、
前記第3の導電膜は、第2の開口と重なる領域を有する半導体装置の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020090427A JP6936897B2 (ja) | 2013-04-04 | 2020-05-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013078908 | 2013-04-04 | ||
JP2013078908 | 2013-04-04 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018032936A Division JP6821617B2 (ja) | 2013-04-04 | 2018-02-27 | 半導体装置の作製方法 |
Related Child Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019131555A Division JP2019204961A (ja) | 2013-04-04 | 2019-07-17 | 半導体装置の作製方法 |
JP2019131552A Division JP2019204960A (ja) | 2013-04-04 | 2019-07-17 | 半導体装置 |
JP2020090427A Division JP6936897B2 (ja) | 2013-04-04 | 2020-05-25 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019195064A true JP2019195064A (ja) | 2019-11-07 |
JP6821741B2 JP6821741B2 (ja) | 2021-01-27 |
Family
ID=51654733
Family Applications (9)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014054599A Active JP6300589B2 (ja) | 2013-04-04 | 2014-03-18 | 半導体装置の作製方法 |
JP2018032936A Active JP6821617B2 (ja) | 2013-04-04 | 2018-02-27 | 半導体装置の作製方法 |
JP2018150989A Active JP6446591B1 (ja) | 2013-04-04 | 2018-08-10 | 半導体装置 |
JP2019095684A Active JP6821741B2 (ja) | 2013-04-04 | 2019-05-22 | 半導体装置の作製方法 |
JP2019131555A Withdrawn JP2019204961A (ja) | 2013-04-04 | 2019-07-17 | 半導体装置の作製方法 |
JP2019131552A Withdrawn JP2019204960A (ja) | 2013-04-04 | 2019-07-17 | 半導体装置 |
JP2020090427A Active JP6936897B2 (ja) | 2013-04-04 | 2020-05-25 | 半導体装置 |
JP2021138539A Withdrawn JP2021192443A (ja) | 2013-04-04 | 2021-08-27 | 半導体装置 |
JP2023068981A Active JP7509949B2 (ja) | 2013-04-04 | 2023-04-20 | 半導体装置 |
Family Applications Before (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014054599A Active JP6300589B2 (ja) | 2013-04-04 | 2014-03-18 | 半導体装置の作製方法 |
JP2018032936A Active JP6821617B2 (ja) | 2013-04-04 | 2018-02-27 | 半導体装置の作製方法 |
JP2018150989A Active JP6446591B1 (ja) | 2013-04-04 | 2018-08-10 | 半導体装置 |
Family Applications After (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019131555A Withdrawn JP2019204961A (ja) | 2013-04-04 | 2019-07-17 | 半導体装置の作製方法 |
JP2019131552A Withdrawn JP2019204960A (ja) | 2013-04-04 | 2019-07-17 | 半導体装置 |
JP2020090427A Active JP6936897B2 (ja) | 2013-04-04 | 2020-05-25 | 半導体装置 |
JP2021138539A Withdrawn JP2021192443A (ja) | 2013-04-04 | 2021-08-27 | 半導体装置 |
JP2023068981A Active JP7509949B2 (ja) | 2013-04-04 | 2023-04-20 | 半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (7) | US9570310B2 (ja) |
JP (9) | JP6300589B2 (ja) |
KR (6) | KR102241241B1 (ja) |
Families Citing this family (70)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6300589B2 (ja) | 2013-04-04 | 2018-03-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP6464368B2 (ja) * | 2014-11-28 | 2019-02-06 | 株式会社Joled | 薄膜トランジスタ基板 |
CN104576657B (zh) * | 2014-12-23 | 2019-02-01 | 天马微电子股份有限公司 | 一种阵列基板及其制造方法 |
KR102231044B1 (ko) * | 2014-12-29 | 2021-03-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치용 콘택 구조 및 그 제조방법 |
CN104538357B (zh) * | 2015-01-13 | 2018-05-01 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 制作阵列基板的方法和阵列基板 |
TWI695415B (zh) | 2015-03-30 | 2020-06-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
US10095470B2 (en) | 2016-02-22 | 2018-10-09 | Sonos, Inc. | Audio response playback |
US9947316B2 (en) | 2016-02-22 | 2018-04-17 | Sonos, Inc. | Voice control of a media playback system |
US10264030B2 (en) | 2016-02-22 | 2019-04-16 | Sonos, Inc. | Networked microphone device control |
US9820039B2 (en) | 2016-02-22 | 2017-11-14 | Sonos, Inc. | Default playback devices |
US10142754B2 (en) * | 2016-02-22 | 2018-11-27 | Sonos, Inc. | Sensor on moving component of transducer |
US9811314B2 (en) | 2016-02-22 | 2017-11-07 | Sonos, Inc. | Metadata exchange involving a networked playback system and a networked microphone system |
US9965247B2 (en) | 2016-02-22 | 2018-05-08 | Sonos, Inc. | Voice controlled media playback system based on user profile |
US9978390B2 (en) | 2016-06-09 | 2018-05-22 | Sonos, Inc. | Dynamic player selection for audio signal processing |
US10152969B2 (en) | 2016-07-15 | 2018-12-11 | Sonos, Inc. | Voice detection by multiple devices |
US10134399B2 (en) | 2016-07-15 | 2018-11-20 | Sonos, Inc. | Contextualization of voice inputs |
CN107636823A (zh) * | 2016-07-25 | 2018-01-26 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 阵列基板的制造方法 |
US10115400B2 (en) | 2016-08-05 | 2018-10-30 | Sonos, Inc. | Multiple voice services |
US9942678B1 (en) | 2016-09-27 | 2018-04-10 | Sonos, Inc. | Audio playback settings for voice interaction |
US9743204B1 (en) | 2016-09-30 | 2017-08-22 | Sonos, Inc. | Multi-orientation playback device microphones |
US10181323B2 (en) | 2016-10-19 | 2019-01-15 | Sonos, Inc. | Arbitration-based voice recognition |
US11183181B2 (en) | 2017-03-27 | 2021-11-23 | Sonos, Inc. | Systems and methods of multiple voice services |
US10475449B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-11-12 | Sonos, Inc. | Wake-word detection suppression |
US10048930B1 (en) | 2017-09-08 | 2018-08-14 | Sonos, Inc. | Dynamic computation of system response volume |
US10446165B2 (en) | 2017-09-27 | 2019-10-15 | Sonos, Inc. | Robust short-time fourier transform acoustic echo cancellation during audio playback |
US10482868B2 (en) | 2017-09-28 | 2019-11-19 | Sonos, Inc. | Multi-channel acoustic echo cancellation |
US10051366B1 (en) | 2017-09-28 | 2018-08-14 | Sonos, Inc. | Three-dimensional beam forming with a microphone array |
US10621981B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-04-14 | Sonos, Inc. | Tone interference cancellation |
US10466962B2 (en) | 2017-09-29 | 2019-11-05 | Sonos, Inc. | Media playback system with voice assistance |
US10880650B2 (en) | 2017-12-10 | 2020-12-29 | Sonos, Inc. | Network microphone devices with automatic do not disturb actuation capabilities |
US10818290B2 (en) | 2017-12-11 | 2020-10-27 | Sonos, Inc. | Home graph |
US11343614B2 (en) | 2018-01-31 | 2022-05-24 | Sonos, Inc. | Device designation of playback and network microphone device arrangements |
US11175880B2 (en) | 2018-05-10 | 2021-11-16 | Sonos, Inc. | Systems and methods for voice-assisted media content selection |
US10847178B2 (en) | 2018-05-18 | 2020-11-24 | Sonos, Inc. | Linear filtering for noise-suppressed speech detection |
US10959029B2 (en) | 2018-05-25 | 2021-03-23 | Sonos, Inc. | Determining and adapting to changes in microphone performance of playback devices |
US10681460B2 (en) | 2018-06-28 | 2020-06-09 | Sonos, Inc. | Systems and methods for associating playback devices with voice assistant services |
US11076035B2 (en) | 2018-08-28 | 2021-07-27 | Sonos, Inc. | Do not disturb feature for audio notifications |
US10461710B1 (en) | 2018-08-28 | 2019-10-29 | Sonos, Inc. | Media playback system with maximum volume setting |
US10878811B2 (en) | 2018-09-14 | 2020-12-29 | Sonos, Inc. | Networked devices, systems, and methods for intelligently deactivating wake-word engines |
US10587430B1 (en) | 2018-09-14 | 2020-03-10 | Sonos, Inc. | Networked devices, systems, and methods for associating playback devices based on sound codes |
US11024331B2 (en) | 2018-09-21 | 2021-06-01 | Sonos, Inc. | Voice detection optimization using sound metadata |
US10811015B2 (en) | 2018-09-25 | 2020-10-20 | Sonos, Inc. | Voice detection optimization based on selected voice assistant service |
US11100923B2 (en) | 2018-09-28 | 2021-08-24 | Sonos, Inc. | Systems and methods for selective wake word detection using neural network models |
US10692518B2 (en) | 2018-09-29 | 2020-06-23 | Sonos, Inc. | Linear filtering for noise-suppressed speech detection via multiple network microphone devices |
US11899519B2 (en) | 2018-10-23 | 2024-02-13 | Sonos, Inc. | Multiple stage network microphone device with reduced power consumption and processing load |
EP3654249A1 (en) | 2018-11-15 | 2020-05-20 | Snips | Dilated convolutions and gating for efficient keyword spotting |
US11183183B2 (en) | 2018-12-07 | 2021-11-23 | Sonos, Inc. | Systems and methods of operating media playback systems having multiple voice assistant services |
US11132989B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-09-28 | Sonos, Inc. | Networked microphone devices, systems, and methods of localized arbitration |
US10602268B1 (en) | 2018-12-20 | 2020-03-24 | Sonos, Inc. | Optimization of network microphone devices using noise classification |
US10867604B2 (en) | 2019-02-08 | 2020-12-15 | Sonos, Inc. | Devices, systems, and methods for distributed voice processing |
US11315556B2 (en) | 2019-02-08 | 2022-04-26 | Sonos, Inc. | Devices, systems, and methods for distributed voice processing by transmitting sound data associated with a wake word to an appropriate device for identification |
US11120794B2 (en) | 2019-05-03 | 2021-09-14 | Sonos, Inc. | Voice assistant persistence across multiple network microphone devices |
US10586540B1 (en) | 2019-06-12 | 2020-03-10 | Sonos, Inc. | Network microphone device with command keyword conditioning |
US11200894B2 (en) | 2019-06-12 | 2021-12-14 | Sonos, Inc. | Network microphone device with command keyword eventing |
US11361756B2 (en) | 2019-06-12 | 2022-06-14 | Sonos, Inc. | Conditional wake word eventing based on environment |
US10871943B1 (en) | 2019-07-31 | 2020-12-22 | Sonos, Inc. | Noise classification for event detection |
US11138969B2 (en) | 2019-07-31 | 2021-10-05 | Sonos, Inc. | Locally distributed keyword detection |
US11138975B2 (en) | 2019-07-31 | 2021-10-05 | Sonos, Inc. | Locally distributed keyword detection |
US11189286B2 (en) | 2019-10-22 | 2021-11-30 | Sonos, Inc. | VAS toggle based on device orientation |
US11200900B2 (en) | 2019-12-20 | 2021-12-14 | Sonos, Inc. | Offline voice control |
US11562740B2 (en) | 2020-01-07 | 2023-01-24 | Sonos, Inc. | Voice verification for media playback |
US11556307B2 (en) | 2020-01-31 | 2023-01-17 | Sonos, Inc. | Local voice data processing |
US11308958B2 (en) | 2020-02-07 | 2022-04-19 | Sonos, Inc. | Localized wakeword verification |
CN111090190B (zh) * | 2020-03-22 | 2020-06-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种掩模板、显示面板以及电子设备 |
US11308962B2 (en) | 2020-05-20 | 2022-04-19 | Sonos, Inc. | Input detection windowing |
US11482224B2 (en) | 2020-05-20 | 2022-10-25 | Sonos, Inc. | Command keywords with input detection windowing |
US11727919B2 (en) | 2020-05-20 | 2023-08-15 | Sonos, Inc. | Memory allocation for keyword spotting engines |
US11698771B2 (en) | 2020-08-25 | 2023-07-11 | Sonos, Inc. | Vocal guidance engines for playback devices |
US11984123B2 (en) | 2020-11-12 | 2024-05-14 | Sonos, Inc. | Network device interaction by range |
US11551700B2 (en) | 2021-01-25 | 2023-01-10 | Sonos, Inc. | Systems and methods for power-efficient keyword detection |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11242241A (ja) * | 1997-05-26 | 1999-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置とその製造方法及び液晶表示装置に用いられるtftアレイ基板とその製造方法 |
JP2004151546A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板および表示装置 |
JP2005521206A (ja) * | 2002-03-20 | 2005-07-14 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | アクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
JP2007188936A (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-26 | Epson Imaging Devices Corp | 表示装置 |
US20080150435A1 (en) * | 2006-12-26 | 2008-06-26 | Seung-Kyu Park | Display devices with organic light emitting layers |
JP2011044701A (ja) * | 2009-07-24 | 2011-03-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2011076079A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置、および電子機器 |
WO2011065059A1 (ja) * | 2009-11-27 | 2011-06-03 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタとその製造方法、半導体装置とその製造方法、並びに表示装置 |
JP2011118422A (ja) * | 2011-03-01 | 2011-06-16 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置、液晶表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法 |
US20120298984A1 (en) * | 2011-05-26 | 2012-11-29 | Samsung Mobile Display Co., Ltd | Back panel for flat panel display apparatus, flat panel display apparatus comprising the same, and method of manufacturing the back panel |
CN103022080A (zh) * | 2012-12-12 | 2013-04-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、有机发光二极管显示装置 |
Family Cites Families (158)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US5621556A (en) | 1994-04-28 | 1997-04-15 | Xerox Corporation | Method of manufacturing active matrix LCD using five masks |
JPH0843860A (ja) | 1994-04-28 | 1996-02-16 | Xerox Corp | 低電圧駆動アクティブ・マトリックス液晶ディスプレイにおける電気的に分離されたピクセル・エレメント |
US5682211A (en) | 1994-04-28 | 1997-10-28 | Xerox Corporation | Integrated dark matrix for an active matrix liquid crystal display with pixel electrodes overlapping gate data lines |
JP3260975B2 (ja) * | 1994-06-02 | 2002-02-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
EP0820644B1 (en) | 1995-08-03 | 2005-08-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor device provided with transparent switching element |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
US6310669B1 (en) | 1997-05-26 | 2001-10-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | TFT substrate having connecting line connect to bus lines through different contact holes |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
TW490858B (en) | 2001-04-26 | 2002-06-11 | Samsung Electronics Co Ltd | Polycrystalline thin film transistor for liquid crystal device(LCD) and method of manufacturing the same |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
US7061014B2 (en) | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
CN100339990C (zh) | 2002-03-20 | 2007-09-26 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 有源矩阵电致发光显示装置及其制造方法 |
CN1299360C (zh) | 2002-03-20 | 2007-02-07 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 有源矩阵显示装置及其制造 |
AU2003212558A1 (en) | 2002-03-20 | 2003-09-29 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Active matrix electroluminescent display devices, and their manufacture |
DE60321146D1 (de) | 2002-03-20 | 2008-07-03 | Koninkl Philips Electronics Nv | Elektrolumineszente anzeigevorrichtungen mit aktiver matrix und ihre herstellungsverfahren |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP2005011920A (ja) | 2003-06-18 | 2005-01-13 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置とその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
KR101031674B1 (ko) * | 2003-12-29 | 2011-04-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자의 제조방법 및 이에 사용되는 회절마스크 |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
CN102867855B (zh) | 2004-03-12 | 2015-07-15 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 薄膜晶体管及其制造方法 |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
WO2006051994A2 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
KR100889796B1 (ko) | 2004-11-10 | 2009-03-20 | 캐논 가부시끼가이샤 | 비정질 산화물을 사용한 전계 효과 트랜지스터 |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
CA2708335A1 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Amorphous oxide and field effect transistor |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI562380B (en) | 2005-01-28 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
TWI445178B (zh) | 2005-01-28 | 2014-07-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
US7544967B2 (en) | 2005-03-28 | 2009-06-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
EP1998374A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
CN101577281B (zh) | 2005-11-15 | 2012-01-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 有源矩阵显示器及包含该显示器的电视机 |
US7821613B2 (en) * | 2005-12-28 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7487465B2 (en) | 2006-01-06 | 2009-02-03 | International Business Machines Corporation | Application clippings |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US7952099B2 (en) | 2006-04-21 | 2011-05-31 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Thin film transistor liquid crystal display array substrate |
KR101261608B1 (ko) | 2006-04-26 | 2013-05-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
KR101255616B1 (ko) | 2006-07-28 | 2013-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 다중톤 광마스크, 이의 제조방법 및 이를 이용한박막트랜지스터 기판의 제조방법 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
JP2008129314A (ja) | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置およびその製造方法 |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
CN101663762B (zh) | 2007-04-25 | 2011-09-21 | 佳能株式会社 | 氧氮化物半导体 |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US7824939B2 (en) | 2007-10-23 | 2010-11-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device comprising separated and electrically connected source wiring layers |
JP5377940B2 (ja) * | 2007-12-03 | 2013-12-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
EP2073255B1 (en) * | 2007-12-21 | 2016-08-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Diode and display device comprising the diode |
JP5627071B2 (ja) | 2008-09-01 | 2014-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US8284142B2 (en) | 2008-09-30 | 2012-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
KR101652693B1 (ko) * | 2008-10-03 | 2016-09-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
JP2010097077A (ja) | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
KR101671544B1 (ko) | 2008-11-21 | 2016-11-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 표시 장치 및 전자 기기 |
JP5384088B2 (ja) | 2008-11-28 | 2014-01-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP5491833B2 (ja) * | 2008-12-05 | 2014-05-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5590868B2 (ja) * | 2008-12-11 | 2014-09-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR101569766B1 (ko) | 2009-01-29 | 2015-11-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
TWI485851B (zh) * | 2009-03-30 | 2015-05-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
JP2010263182A (ja) | 2009-04-10 | 2010-11-18 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタおよび画像表示装置 |
KR101050461B1 (ko) * | 2009-04-23 | 2011-07-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 |
JP5313028B2 (ja) * | 2009-04-23 | 2013-10-09 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 画像表示装置およびその製造方法 |
JP2010272691A (ja) * | 2009-05-21 | 2010-12-02 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタ基板の製造方法、薄膜トランジスタ基板、及び表示装置 |
JP5564331B2 (ja) | 2009-05-29 | 2014-07-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
TWI386745B (zh) | 2009-06-17 | 2013-02-21 | Au Optronics Corp | 薄膜電晶體陣列基板及其製造方法 |
US8344378B2 (en) * | 2009-06-26 | 2013-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor and method for manufacturing the same |
JP5304517B2 (ja) * | 2009-07-28 | 2013-10-02 | セイコーエプソン株式会社 | 流体噴射装置、及び、流体噴射方法 |
WO2011013522A1 (en) | 2009-07-31 | 2011-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
CN104733540B (zh) * | 2009-10-09 | 2019-11-12 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
JP5280988B2 (ja) | 2009-11-09 | 2013-09-04 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置の製造方法 |
KR101273831B1 (ko) | 2009-12-09 | 2013-06-11 | 샤프 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
WO2011074506A1 (en) | 2009-12-18 | 2011-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US20130023086A1 (en) | 2009-12-21 | 2013-01-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate, display panel provided with same, and method for manufacturing active matrix substrate |
WO2011081009A1 (en) | 2009-12-28 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
WO2011080879A1 (ja) * | 2009-12-29 | 2011-07-07 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
JP2011221097A (ja) | 2010-04-05 | 2011-11-04 | Seiko Epson Corp | 電気泳動表示装置用基板、電気泳動表示装置、および電子機器 |
KR101343293B1 (ko) * | 2010-04-30 | 2013-12-18 | 샤프 가부시키가이샤 | 회로 기판 및 표시 장치 |
JP2012078545A (ja) | 2010-10-01 | 2012-04-19 | Fuji Xerox Co Ltd | 画像形成装置及びプログラム |
US8461630B2 (en) * | 2010-12-01 | 2013-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US20150108467A1 (en) | 2010-12-20 | 2015-04-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and display device |
TWI544525B (zh) | 2011-01-21 | 2016-08-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
KR101781532B1 (ko) | 2011-03-14 | 2017-10-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치와 그 제조방법 |
KR20120129593A (ko) | 2011-05-20 | 2012-11-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
JP6033071B2 (ja) * | 2011-12-23 | 2016-11-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8801948B2 (en) | 2012-07-02 | 2014-08-12 | Apple Inc. | TFT mask reduction |
JP6300589B2 (ja) * | 2013-04-04 | 2018-03-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
-
2014
- 2014-03-18 JP JP2014054599A patent/JP6300589B2/ja active Active
- 2014-03-19 US US14/219,752 patent/US9570310B2/en active Active
- 2014-03-19 KR KR1020140032342A patent/KR102241241B1/ko active Application Filing
-
2017
- 2017-01-17 US US15/407,287 patent/US10128282B2/en active Active
-
2018
- 2018-02-27 JP JP2018032936A patent/JP6821617B2/ja active Active
- 2018-08-10 JP JP2018150989A patent/JP6446591B1/ja active Active
- 2018-10-11 US US16/157,158 patent/US10403655B2/en active Active
-
2019
- 2019-05-22 JP JP2019095684A patent/JP6821741B2/ja active Active
- 2019-07-17 JP JP2019131555A patent/JP2019204961A/ja not_active Withdrawn
- 2019-07-17 JP JP2019131552A patent/JP2019204960A/ja not_active Withdrawn
- 2019-08-09 US US16/537,091 patent/US10573673B2/en active Active
- 2019-10-29 KR KR1020190135282A patent/KR102173071B1/ko active IP Right Grant
-
2020
- 2020-02-05 US US16/782,455 patent/US10991731B2/en active Active
- 2020-05-25 JP JP2020090427A patent/JP6936897B2/ja active Active
-
2021
- 2021-04-09 KR KR1020210046611A patent/KR102392189B1/ko active IP Right Grant
- 2021-04-14 US US17/230,631 patent/US11495626B2/en active Active
- 2021-08-27 JP JP2021138539A patent/JP2021192443A/ja not_active Withdrawn
-
2022
- 2022-04-25 KR KR1020220051073A patent/KR102502556B1/ko active IP Right Grant
- 2022-10-28 US US17/976,450 patent/US12051703B2/en active Active
-
2023
- 2023-02-17 KR KR1020230021314A patent/KR102612521B1/ko active IP Right Grant
- 2023-04-20 JP JP2023068981A patent/JP7509949B2/ja active Active
- 2023-12-06 KR KR1020230175681A patent/KR20230169062A/ko active IP Right Grant
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11242241A (ja) * | 1997-05-26 | 1999-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置とその製造方法及び液晶表示装置に用いられるtftアレイ基板とその製造方法 |
JP2005521206A (ja) * | 2002-03-20 | 2005-07-14 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | アクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
JP2004151546A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板および表示装置 |
JP2007188936A (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-26 | Epson Imaging Devices Corp | 表示装置 |
US20080150435A1 (en) * | 2006-12-26 | 2008-06-26 | Seung-Kyu Park | Display devices with organic light emitting layers |
JP2011044701A (ja) * | 2009-07-24 | 2011-03-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2011076079A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置、および電子機器 |
WO2011065059A1 (ja) * | 2009-11-27 | 2011-06-03 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタとその製造方法、半導体装置とその製造方法、並びに表示装置 |
JP2011118422A (ja) * | 2011-03-01 | 2011-06-16 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置、液晶表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法 |
US20120298984A1 (en) * | 2011-05-26 | 2012-11-29 | Samsung Mobile Display Co., Ltd | Back panel for flat panel display apparatus, flat panel display apparatus comprising the same, and method of manufacturing the back panel |
CN103022080A (zh) * | 2012-12-12 | 2013-04-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、有机发光二极管显示装置 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190611 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200316 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200331 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201215 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210106 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |