JP2019107729A - 保持テーブル及び保持テーブルを備える研磨装置 - Google Patents
保持テーブル及び保持テーブルを備える研磨装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019107729A JP2019107729A JP2017241725A JP2017241725A JP2019107729A JP 2019107729 A JP2019107729 A JP 2019107729A JP 2017241725 A JP2017241725 A JP 2017241725A JP 2017241725 A JP2017241725 A JP 2017241725A JP 2019107729 A JP2019107729 A JP 2019107729A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- holding
- wafer
- suction
- polishing
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 123
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 112
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 149
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 32
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 22
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 5
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 4
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 4
- 229920001875 Ebonite Polymers 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
したがって、研磨装置においては、より高精度にウェーハの被研磨面内の厚み差を無くすという課題がある。
なお、研磨手段6は、スラリを用いないでウェーハWを研磨(ドライポリッシュ)する乾式の研磨手段であってもよい。
下板303の上面における圧電素子306の配設個数及びその並べ方については、図2の例に限定されず、例えば、図5に示すように、より多く(図5においては、21個)の圧電素子306を下板303の上面に面方向に等間隔で配列させるものとしてもよい。
スピンドル350は、外形が筒状のロータリージョイント33に図示しない軸受けを介して上方から挿通されており、例えば、スピンドル350の下端側から中間部にかけてロータリージョイント33により囲繞されている。ロータリージョイント33の筒内周面とスピンドル350の外周面との間には、僅かな隙間(所謂シール空間)が形成されている。
支持ベース31の支持面31aに配設された接続端子312には電線358が接続されており、該電線358は、支持ベース31内部及びスピンドル350の内部を通り各第2のインダクタ356に接続されている。なお、図6においては、1つの接続端子312から1つの第2のインダクタ356に接続されている1本の電線358のみを図示しており、その他の接続端子312と第2のインダクタ356とを繋ぐ電線358は省略している。
なお、上記実施例のような非接触式給電ではなく、接触式給電を用いてもよい。
環状側壁304Aは、所定の合金、プラスチック、又は硬質ゴム等からなりZ軸方向に伸縮可能な蛇腹筒状に形成されており、上板300の外周縁と下板303の外周縁とを連結している。そして、保持テーブル30の内部は、上板300の下面と環状側壁304Aの内側面と下板303の上面とにより包まれた密閉した部屋304dとなる。
厚さ測定手段は、ハイトゲージ等で構成される接触式の厚さ測定手段であってもよい。
研磨加工中は、図6に示す回転手段35がスピンドル350を回転させて支持ベース31及び保持テーブル30を回転させるのに伴って、保持面300a上に保持されたウェーハWも回転するので、研磨パッド64がウェーハWの裏面Wbの全面の研磨加工を行う。吸引源39が生み出す吸引力は、ロータリージョイント33からスピンドル350に伝達される際においても遺漏することがないため、研磨加工中に保持面300aの吸引力が低下することはない。
また、研磨加工中は、スラリが研磨パッド64とウェーハWとの接触部位に対して供給され、研磨パッド64による化学的機械的研磨法、所謂CMPが行われる。
なお、上記のように、保持テーブル30をX軸方向に移動させない場合においては、厚さ測定手段15を保持テーブル30の中心上方に位置させ保持テーブル30を所定の速度で回転させつつ、ウェーハWの各測定位置における厚さを測定しても良い。
なお、第1の電力量、及び第1の電力量よりも少ない第2の電力量は、保持テーブル30の上板300の材質、圧電素子306の種類、測定位置P1におけるウェーハWの厚さ値の平均値との差の大きさ等に対応して実験的、経験的、又は理論的に選択された電力量である。
例えば、保持テーブル30は、図2に示すように、下板303は、下板303の上下面を貫通し上板300の下面と環状側壁304の内側面と下板303の上面とにより包まれ密閉した部屋304b内を吸引源39に連通する第2の吸引路302を備えている。図2に示す例において第2の吸引路302の上端側は、下板303の上面の第1の吸引路301が形成された領域よりもさらに中央側の領域に周方向に180度空けて2箇所で開口している。そして、第2の吸引路302は下板303の内部で一本に合流しており、図3(B)に示すように、第2の吸引路302の下端側は下板303の下面の略中央に1箇所で開口している。
更に、ロータリージョイント33Aは、支持ベース31が回転しているときに第2の吸引路302を吸引源39Aに連通可能とする。例えば、ロータリージョイント33Aの環状室330の上方の位置には、スピンドル350の内部の第2の連通路362に吸引力を伝達させるための環状室332が形成されており、環状室332はロータリージョイント33Aの筒内周面を一周している。環状室332からはロータリージョイント33Aの外側面に向かって吸引路334が延びている。そして、連通路334には配管を介してバキュームポンプやエジェクタなどの真空発生装置からなる吸引源39Aが連通している。そして、下板303の第2の吸引路302と、ロータリージョイント33Aとを含み保持テーブル30の部屋304bを吸引源39Aに連通させ部屋304bを負圧にする吸引手段が形成される。
1:研磨装置 10:ベース 17:コラム 7:移動手段 6:研磨手段
3:保持手段
30:保持テーブル 300:上板 300a:保持面 300b:吸着部 300c:枠体 301:第1の吸引路 302:第2の吸引路
303:下板 303d:ボルト挿通孔
304:環状側壁 304b:部屋 306:圧電素子 307:配線 308:端子
304A:蛇腹筒状の環状側壁 304f:吸引チューブ
31:支持ベース 31a:支持ベースの上面 312:接続端子
320:カバー 321:蛇腹カバー
35:回転手段 350:スピンドル 351:モータ 352:主動プーリ 353:無端ベルト 354:従動プーリ 356:第2のインダクタ 358:電線
361:第1の連通路 362:第2の連通路
33:ロータリージョイント 330:環状室 331:吸引路 39:吸引源
33A:ロータリージョイント 39A:吸引源
335:電力供給コネクター 336:第1のインダクタ
15:厚さ測定手段
9:制御手段 90:記憶手段 91:第1の制御部 92:第2の制御部 95:算出部
99:電源
Claims (5)
- 研磨パッドでウェーハを研磨加工する為にウェーハを保持する保持テーブルであって、
ウェーハを吸引保持する保持面を上面に有する上板と、該上板の該保持面を吸引源に連通させる第1の吸引路と、該上板の下面に対面し隙間を備えて配設される下板と、該上板の外周縁と該下板の外周縁とを連結する環状側壁と、該下板の上面に面方向に等間隔に複数配設され該上板の下面に向かって延在し該上板の下面と該下板の上面とに接触して電力の供給により高さが伸縮する複数の圧電素子と、該複数の圧電素子にそれぞれ電力を供給するために一方の端を該圧電素子に接続した配線と、該下板の下面に配設され該配線の他方の端が接続される複数の端子と、を備えた保持テーブル。 - 前記下板は、上下面を貫通し前記上板の下面と前記環状側壁の内側面と前記下板の上面とにより包まれ密閉した部屋内を吸引源に連通する第2の吸引路を備えた請求項1記載の保持テーブル。
- 請求項1又は2記載の保持テーブルを装着し前記保持面でウェーハを保持する保持手段と、研磨パッドを回転可能に装着して該保持手段が保持したウェーハを該研磨パッドで研磨する研磨手段と、該保持手段と該研磨手段とを相対的に該保持面に対して垂直方向に移動させる移動手段と、を備えた研磨装置であって、
該保持手段は、該保持テーブルを支持する支持面を有する支持ベースと、該支持面に配設され前記下板の下面の複数の前記端子にそれぞれ接続する複数の接続端子と、該支持ベースの中心を軸に該支持ベースを回転させるモータと、該支持ベースが回転しているときに複数の前記圧電素子に電力の供給を可能にすると共に前記第1の吸引路を吸引源に連通可能にするロータリージョイントとを備え、
該保持テーブルが保持した研磨加工後のウェーハの厚さを測定する厚さ測定手段と、該厚さ測定手段が等間隔の測定位置で測定した複数箇所の厚さ値を記憶する記憶手段と、該記憶手段に記憶された該厚さ値に対応して該複数の圧電素子に供給する電力量を制御する制御手段とを備える研磨装置。 - 前記制御手段は、前記厚さ測定手段が複数測定した厚さ値の平均値を算出する算出部と、
該厚さ測定手段が厚さ測定した複数の測定位置のうち、測定した厚さ値が該平均値より大きい測定位置の前記圧電素子に第1の電力量で電力を供給するように制御する第1の制御部と、
該厚さ測定手段が厚さ測定した複数の測定位置のうち、測定した厚さ値が該平均値より小さい測定位置の前記圧電素子に第2の電力量で電力を供給するように制御する第2の制御部と、を備え、
該第1の電力量>該第2の電力量である請求項3記載の研磨装置。 - 請求項2記載の保持テーブルを前記保持手段に装着させ、
前記下板の第2の吸引路と、前記ロータリージョイントとを含み該保持テーブルの前記部屋を吸引源に連通させ該部屋を負圧にする吸引手段を備え、
該ロータリージョイントは、前記支持ベースが回転しているときに複数の前記圧電素子に電力を供給可能にすると共に前記第1の吸引路と前記第2の吸引路とを吸引源に連通可能であり、
該部屋を吸引させ前記保持面をへこませる方向の力を生成させると共に、該圧電素子に電力を供給して該保持面を出っ張らせる方向の力を生成させて該保持面の面状態を制御し、該保持面が保持するウェーハを該研磨手段で研磨する請求項3または請求項4のいずれかに記載の研磨装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017241725A JP7104512B2 (ja) | 2017-12-18 | 2017-12-18 | 保持テーブル及び保持テーブルを備える研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017241725A JP7104512B2 (ja) | 2017-12-18 | 2017-12-18 | 保持テーブル及び保持テーブルを備える研磨装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019107729A true JP2019107729A (ja) | 2019-07-04 |
JP7104512B2 JP7104512B2 (ja) | 2022-07-21 |
Family
ID=67178619
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017241725A Active JP7104512B2 (ja) | 2017-12-18 | 2017-12-18 | 保持テーブル及び保持テーブルを備える研磨装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7104512B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113334244A (zh) * | 2021-05-18 | 2021-09-03 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种承载装置以及研磨设备 |
CN115427193A (zh) * | 2020-05-13 | 2022-12-02 | 信越半导体株式会社 | 双面研磨方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61292918A (ja) * | 1985-06-21 | 1986-12-23 | Hitachi Ltd | 薄板平坦化チヤツク |
US5094536A (en) * | 1990-11-05 | 1992-03-10 | Litel Instruments | Deformable wafer chuck |
JPH05218662A (ja) * | 1992-02-04 | 1993-08-27 | Hitachi Ltd | セラミック基板及びその加工法 |
JPH1076439A (ja) * | 1996-08-30 | 1998-03-24 | Sony Corp | 薄板保持装置 |
JPH1174242A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-03-16 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2001077117A (ja) * | 1999-09-07 | 2001-03-23 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法、研磨装置および研磨方法 |
JP2003181759A (ja) * | 2001-12-19 | 2003-07-02 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ加工装置及びウェーハ加工方法 |
JP2014075408A (ja) * | 2012-10-03 | 2014-04-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保持テーブル及び保持方法 |
JP2015229196A (ja) * | 2014-06-03 | 2015-12-21 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
-
2017
- 2017-12-18 JP JP2017241725A patent/JP7104512B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61292918A (ja) * | 1985-06-21 | 1986-12-23 | Hitachi Ltd | 薄板平坦化チヤツク |
US5094536A (en) * | 1990-11-05 | 1992-03-10 | Litel Instruments | Deformable wafer chuck |
JPH05218662A (ja) * | 1992-02-04 | 1993-08-27 | Hitachi Ltd | セラミック基板及びその加工法 |
JPH1076439A (ja) * | 1996-08-30 | 1998-03-24 | Sony Corp | 薄板保持装置 |
JPH1174242A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-03-16 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2001077117A (ja) * | 1999-09-07 | 2001-03-23 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法、研磨装置および研磨方法 |
JP2003181759A (ja) * | 2001-12-19 | 2003-07-02 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ加工装置及びウェーハ加工方法 |
JP2014075408A (ja) * | 2012-10-03 | 2014-04-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保持テーブル及び保持方法 |
JP2015229196A (ja) * | 2014-06-03 | 2015-12-21 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115427193A (zh) * | 2020-05-13 | 2022-12-02 | 信越半导体株式会社 | 双面研磨方法 |
CN115427193B (zh) * | 2020-05-13 | 2024-02-13 | 信越半导体株式会社 | 双面研磨方法 |
CN113334244A (zh) * | 2021-05-18 | 2021-09-03 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种承载装置以及研磨设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7104512B2 (ja) | 2022-07-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8382555B2 (en) | Substrate supporting unit, and apparatus and method for polishing substrate using the same | |
KR102238389B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
US10755946B2 (en) | Method for producing a wafer from a hexagonal single crystal ingot by applying a laser beam to form a first production history, an exfoliation layer, and a second production history | |
US20240213046A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
US6626736B2 (en) | Polishing apparatus | |
JP2004526585A (ja) | 研磨装置および研磨方法 | |
JP2019091746A (ja) | 基板の表面を処理する装置および方法 | |
US6855030B2 (en) | Modular method for chemical mechanical planarization | |
KR100335485B1 (ko) | 화학적-기계적 폴리싱 장치 및 방법 | |
JP5917850B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2019107729A (ja) | 保持テーブル及び保持テーブルを備える研磨装置 | |
TW201902619A (zh) | 基板處理裝置及包含基板處理裝置的基板處理系統 | |
JP6767803B2 (ja) | 加工装置 | |
KR20130116510A (ko) | 초음파를 이용하는 유리연마장치 | |
JP2007258467A (ja) | 吸着装置、研磨装置、半導体デバイス製造方法およびこの方法により製造される半導体デバイス | |
JP2008140832A (ja) | ピンチャック式チャックテーブルおよびそれを用いた切削加工装置 | |
JP2017017214A (ja) | ウェーハの研磨方法 | |
JP2019149461A (ja) | 加工装置 | |
KR20210009852A (ko) | 본딩 스테이지 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치 | |
KR20060081004A (ko) | 화학적 기계적 연마 장치 및 이에 사용되는 플레이튼 | |
CN104308744A (zh) | 化学机械研磨之研磨液供给装置 | |
KR200466296Y1 (ko) | 전자 밸브 냉각유닛을 구비한 화학적 기계적 연마장치의 헤드 진공압 전자 제어장치 | |
JP2017041522A (ja) | 洗浄装置 | |
KR102368797B1 (ko) | 캐리어 유닛을 구비한 기판 처리 시스템 | |
JP2021160068A (ja) | 超音波研削ホイール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201015 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20211021 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220120 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220614 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220708 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7104512 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |