JP2019075486A - Tape base material for wiring board, and manufacturing method of tape base material for wiring board - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、配線基板用テープ基材、及び配線基板用テープ基材の製造方法に係り、例えば、配線基板、電源回路基板に使用され、導電性のパターン金属層を絶縁層樹脂上に形成する技術に関する。 The present invention relates to a tape substrate for a wiring substrate and a method for producing a tape substrate for a wiring substrate, and for example, a conductive pattern metal layer used for a wiring substrate and a power circuit substrate is formed on an insulating layer resin. It relates to technology.
近年、電子部品が実装されたフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ）が携帯電話やデジタルカメラなどの各種電子機器において広く使用されている。
そして、半導体素子の高集積化が進み、素子の高密度化に対応すべく、ＦＣＢ（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ Ｂｏｎｄｉｎｇ）実装方法が開発、実用化されている。
このＦＣＢ実装方法において、効率よく大量生産による製造を可能にする工法としてＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術や、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ）技術がある。これらは、所定幅の絶縁フィルム上に、導体金属を接着剤で貼付した配線基板用テープを使用し、配線基板用テープの導体金属をエッチング等の手法で所望のリードパターン形状に形成するものである。
BACKGROUND In recent years, flexible printed wiring boards (FPCs) on which electronic components are mounted are widely used in various electronic devices such as mobile phones and digital cameras.
Then, with the progress of high integration of semiconductor devices, an FCB (Flip Chip Bonding) mounting method has been developed and put to practical use in order to cope with the increase in device density.
In this FCB mounting method, there are TAB (Tape Automated Bonding) technology and COF (Chip on Film) technology as a method of efficiently enabling mass production. These are used to form a desired lead pattern shape by a method such as etching using a tape for a wiring board, in which a conductive metal is attached with an adhesive on an insulating film of a predetermined width. is there.
このような配線基板用テープでは、銅箔を接着する絶縁フィルムの両側に、スプロケットと係合するパーフォレーシヨン（穴）を所定間隔で形成したキャリアテープを使用することで、テープ送りや位置合わせを行いながら連続的にリードパターンを形成している。
このような配線基板用テープによれば、走行位置規制およびキャリアテープのフレームサイズを検知し、定間隔での移動を行ない、実装することができる。
In such a tape for a wiring substrate, tape feeding and positioning can be performed by using a carrier tape in which perforations (holes) engaged with sprockets are formed at predetermined intervals on both sides of an insulating film to which copper foil is adhered. The lead pattern is formed continuously while performing the alignment.
According to such a tape for wiring substrate, it is possible to detect traveling position regulation and the frame size of the carrier tape, and to move at regular intervals for mounting.
しかし、特許文献１に記載したＴＡＢ技術を含め、従来のＴＡＢやＣＯＦで使用する配線基板用テープでは、絶縁フィルムの吸湿、温度変化による伸び縮みの発生が原因で、穴位置の精度が低下し、高精度を要する高密度実装には適さないという課題があった。
特に、絶縁フィルムに形成されたパーフォレーションにより移送される場合には、定間隔での移動精度が低下するという課題があった。
However, in the conventional tape for wiring substrates used in TAB and COF including the TAB technology described in
In particular, in the case where the film is transported by perforations formed in an insulating film, there has been a problem that the moving accuracy at regular intervals is lowered.
本発明は、配線基板用テープ基材の伸び縮みを抑制することを目的とする。 An object of the present invention is to suppress expansion and contraction of a tape substrate for a wiring substrate.
（１）請求項１に記載の発明では、有機絶縁フィルムと、前記有機絶縁フィルムの少なくとも一方の面に、前記有機絶縁フィルムよりも薄く形成された無機材料層と、前記有機絶縁フィルムの何れかの面に、直接又は前記無機材料層を介して形成された接着剤層と、前記接着剤層における、前記有機絶縁フィルムの反対側に配設された第４の層と、を有することを特徴とする配線基板用テープ基材を提供する。
（２）請求項２に記載の発明では、前記第４の層は、前記接着剤層の保護フィルム、又は、配線回路用の配線パターンが形成される金属箔層である、ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板用テープ基材を提供する。
（３）請求項３に記載の発明では、前記無機材料層は、有機絶縁フィルムの両面に形成されている、ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の配線基板用テープ基材を提供する。
（４）請求項４に記載の発明では、前記無機材料層は、規則的に配列された仮想小領域に対し、前記有機絶縁フィルムの、一方の面と他方の面に交互に形成されている、ことを特徴とする請求項３に記載の配線基板用テープ基材を提供する。
（５）請求項５に記載の発明では、前記無機材料層は、前記有機絶縁フィルムの全面を対象に形成され、前記有機絶縁フィルムの幅方向の両端側には移送用のパーフォレーションが長手方向に沿って形成されている、ことを特徴とする請求項１から請求項４のうちの何れか１の請求項に記載の配線基板用テープ基材を提供する。
（６）請求項６に記載の発明では、前記無機材料層は、前記有機絶縁フィルムに、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法の何れかにより形成されている、ことを特徴とする請求項１から請求項５のうちの何れか１の請求項に記載の配線基板用テープ基材を提供する。
（７）請求項７に記載の発明では、前記無機材料層は、０．１μｍ〜１０μｍ、好ましくは１μｍ〜３μｍの厚さに形成されている、ことを特徴とする請求項１から請求項６のうちの何れか１の請求項に記載の配線基板用テープ基材を提供する。
（８）請求項８に記載の発明では、前記無機材料層は、前記有機絶縁フィルムの厚さよりも薄く形成されている、ことを特徴とする請求項１から請求項７のうちの何れか１の請求項に記載の配線基板用テープ基材を提供する。
（９）請求項９に記載の発明では、有機絶縁フィルムの少なくとも一方の面に、前記有機絶縁フィルムよりも薄く無機材料層を形成する工程と、前記有機絶縁フィルムの何れかの面に、直接又は前記無機材料層を介して接着剤層を形成する工程と、前記接着剤層における、前記有機絶縁フィルムの反対側に、保護フィルム又は金属箔層を配設する工程と、を有することを特徴とする配線基板用テープ基材の製造方法を提供する。
(1) In the invention according to
(2) In the invention according to
(3) In the invention according to claim 3, the inorganic material layer is formed on both sides of the organic insulating film, and the tape substrate for the wiring substrate according to
(4) In the invention according to claim 4, the inorganic material layer is alternately formed on one surface and the other surface of the organic insulating film with respect to the regularly arranged virtual small regions. A tape substrate for a wiring substrate according to claim 3, characterized in that:
(5) In the fifth aspect of the invention, the inorganic material layer is formed on the entire surface of the organic insulating film, and the perforations for transfer are in the longitudinal direction at both ends in the width direction of the organic insulating film. A tape substrate for a wiring substrate according to any one of
(6) In the invention according to claim 6, the inorganic material layer is formed on the organic insulating film by any of a sputtering method, a vacuum evaporation method, and a CVD method. A tape substrate for a wiring substrate according to any one of
(7) In the invention according to claim 7, the inorganic material layer is formed to a thickness of 0.1 μm to 10 μm, preferably 1 μm to 3 μm. A tape substrate for a wiring substrate according to any one of the claims.
(8) In the invention according to claim 8, the inorganic material layer is formed thinner than the thickness of the organic insulating film, according to any one of
(9) In the invention according to claim 9, a step of forming an inorganic material layer thinner than the organic insulating film on at least one surface of the organic insulating film, and directly on any surface of the organic insulating film Alternatively, the method further comprises the steps of: forming an adhesive layer through the inorganic material layer; and disposing a protective film or a metal foil layer on the opposite side of the organic insulating film in the adhesive layer. Provided is a method for producing a tape substrate for wiring substrate.
本発明によれば、有機絶縁フィルムの少なくとも一方の面に無機材料層を形成しているので、配線基板用テープ基材の伸び縮みを抑制することができる。 According to the present invention, since the inorganic material layer is formed on at least one surface of the organic insulating film, expansion and contraction of the wiring board tape substrate can be suppressed.
以下、本発明の配線基板用テープ基材とその製造方法の好適な実施形態について説明する。
（１）実施形態の概要
本実施形態の配線基板用テープ基材１では、有機絶縁フィルム２０の少なくとも一方の面に無機材料層３０が形成され、有機絶縁フィルム２０の何れかの面に直接又は無機材料層３０を介して接着剤層２０１が形成されている。無機材料層３０は、スパッタ法、真空蒸着法、又はＣＶＤ法により、有機絶縁フィルム２０よりも薄く形成される。
この接着剤層２０１の表面（有機絶縁フィルム２０と反対側の面）には、第４の層として、保護用の保護フィルム２０２が配設され（第１実施形態）、又は配線回路用の配線パターンが形成される金属箔層１０が配設される（第２実施形態）。
このように本実施形態の配線基板用テープ基材１では、有機絶縁フィルム２０に無機材料層３０を形成することで、有機絶縁フィルム２０の伸縮が抑制され、高精度が要求される高密度実装が可能なＴＡＢ基板等の基材として提供することができる。
また、無機材料層３０が配設された配線基板用テープ基材１の幅方向の両端側にパーフォレーションを形成する場合には、パーフォレーションピッチのズレが抑制され、高精度が要求される高密度実装を可能にすることができる。
無機材料層３０の形成による有機絶縁フィルム２０の反りを防止するためには、有機絶縁フィルム２０の両面に無機材料層３０を形成することが好ましいが、無機材料層３０を薄く形成することにより何れか一方の面に形成することも可能である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Preferred embodiments of a tape substrate for a wiring substrate of the present invention and a method for producing the same will be described below.
(1) Outline of Embodiment In the
A
As described above, in the
When perforations are formed on both ends in the width direction of the wiring
In order to prevent the warp of the organic insulating
（２）実施形態の詳細
図１は本実施形態が適用される配線基板用テープ基材１の構成を表したものであり、（ａ）は一方の側断面を表し、（ｂ）は平面の部分を表している。
なお、図１（ａ）は、（ｂ）の平面図に表した点線円内に対応した位置の断面を表したものである（以下、他の図も同じ）。
配線基板用テープ基材１は、例えば、約φ２０〜４０ｃｍのリールに巻き取られることを前提とした長尺サイズに形成されている。
配線基板用テープ基材１の幅は、例えば写真撮影用３５ｍｍフィルムと同一規格で、全幅Ｗ＝３４．９７５ｍｍの長尺形状に形成されている。また、対象となる製品に応じた幅として４８ｍｍや７０ｍｍ等の各種サイズに形成される。
(2) Details of the Embodiment FIG. 1 shows the configuration of the
FIG. 1A shows a cross section at a position corresponding to the dotted circle shown in the plan view of FIG. 1B (hereinafter, the same applies to the other drawings).
The wiring substrate
The width of the wiring
配線基板用テープ基材１は、図１（ａ）に示すように、第１の層を構成する有機絶縁フィルム２０と、第２の層を構成する無機材料層３０と、第３の層を構成する接着剤層２０１と、第４の層を構成する保護フィルム２０２を備えている。
本実施形態の配線基板用テープ基材１では、有機絶縁フィルム２０の一方の面に無機材料層３０が形成されている。
この無機材料層３０に接着剤層２０１が塗布形成され、これにより、接着剤層２０１が無機材料層３０を介して有機絶縁フィルム２０の一方の面に形成されている。
また、この接着剤層２０１の表面には、保護用の保護フィルム２０２が配設されている。本実施形態の配線基板用テープ基材１は、金属箔層１０を取り付ける前の状態を対象としている。これに対して、後述する第２実施形態では、保護フィルム２０２を・がした後、又は、保護フィルム２０２を配設せずに直接金属箔層１０を接着剤層２０１に貼り付けた状態を対象としている。
As shown in FIG. 1A, the wiring substrate
In the
The
Further, on the surface of the
本実施形態の有機絶縁フィルム２０は、有機絶縁フィルムとしてＰＩ（ポリイミド）フィルムが使用されているが、他に、ポリエステル、ポリアミドイミド、液晶ポリマー、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン等の耐熱性フィルムや、ＰＥＴ、ＰＥＮなどの安価なフィルムや、エポキシ樹脂−ガラスクロス、エポキシ樹脂−ポリイミド−ガラスクロス等の複合耐熱フィルムからなる有機絶縁フィルムを使用するようにしてもよい。
有機絶縁フィルム２０の厚さは、５μｍ〜１００μｍの範囲である。但し、本実施形態の有機絶縁フィルム２０の厚さは、金属箔層１０の厚さと同じであるが、好ましくは金属箔層１０の厚さの１／２〜１／１２の範囲とし、更に好ましくは、１／６〜１／１０の範囲である。
このように、有機絶縁フィルム２０の厚さを薄くすることで、配線基板用テープ基材１としての可撓性の低下を抑制することができる。また、半導体素子を樹脂封止する場合において、有機絶縁フィルム２０が薄いため、層内の水分が半導体素子の信頼性を低下させることを抑制できる。
The organic insulating
The thickness of the organic insulating
As described above, by reducing the thickness of the organic insulating
有機絶縁フィルム２０の一方の面には、図１に示すように、無機材料層３０がスパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の薄膜製造技術により形成されている。無機材料層３０は、厚さが０．１μｍ〜１０μｍ、好ましくは１μｍ〜３μｍの範囲で形成される。
本実施形態では、真空蒸着法によりシリカを材料とする無機材料層３０が形成される。
他に無機材料層３０としては、アルミナ、珪藻土、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウムなどの安定な金属酸化物、その他の無機顔料等を使用するようにしてもよい。
As shown in FIG. 1, an
In the present embodiment, the
In addition, as the
本実施形態の配線基板用テープ基材１では、図１（ｂ）に示すように、有機絶縁フィルム２０には、その幅方向の両側面に、長さ方向に沿って等間隔にパーフォレーション１１（パーフォレーションピッチ＝４．７５ｍｍ）が形成されている。このパーフォレーション１１は、打ち抜き加工により形成されている。
そして、本実施形態の配線基板用テープ基材１は、パーフォレーション１１の周辺領域を含め、有機絶縁フィルム２０に全領域にわたって無機材料層３０が形成されている。このように、無機材料層３０が全領域に形成されることで、有機絶縁フィルム２０全体の伸びや歪みを抑制することができ、パーフォレーションピッチがズレることを抑制することができる。これにより、配線基板用テープ基材１を用いて最終製品を製造する際に、精度よく移送させることができ、導体パターン（配線回路）の位置精度を向上できる。
また無機材料層３０により、パーフォレーション１１周辺の強度を向上させることも可能である。
In the
In the
The
なお、図１（ｂ）に示したパーフォレーション１１の形状については、方形形状以外に、円形や楕円形状等の各種形状を採用することが可能であるが、いずれの場合にも製造装置の搬送手段（例えば、スプロケット）に合わせた形状とする。
In addition, although it is possible to employ | adopt various shapes, such as circular shape and elliptical shape other than a square shape, about the shape of the
接着剤層２０１は、ポリアミド樹脂を主成分とする熱硬化性接着剤で形成されている。この接着剤層２０１は、例えば、１５０°Ｃ〜１８０°Ｃで硬化するように調整されたものが使用される。なお、熱硬化性成分として、耐薬品性を付与するためにフェノール樹脂（重量比５０〜６０）やエポキシ樹脂（重量比９〜８８）を、ポリアミド樹脂と併用する。
本実施形態の接着剤層２０１は、後の工程において金属箔層１０を有機絶縁フィルム２０に接着するために形成されている。このため本実施形態の接着剤層２０１は、有機絶縁フィルム２０に貼付される金属箔層１０の幅と同じに形成されている。但し、金属箔層１０の幅よりも広く、両側のパーフォレーション１１間の幅よりも狭く形成するようにしてもよい。
接着剤層２０１の厚さは、１μｍ〜５０μｍの範囲で形成される。
The
The
The thickness of the
保護フィルム２０２は、接着剤層２０１の表面をカバーすることで、防塵や取扱性を向上するために使用され、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンサイファイドなどが使用される。
The
図２は、第１実施形態における配線基板用テープ基材１の各種変形例を表したものである。
これらの変形例は、図１（ａ）に示した配線基板用テープ基材１とは、無機材料層３０の配設状態が異なる例である。
図２（ａ）に示した配線基板用テープ基材１の第１変形例では、無機材料層３０を有機絶縁フィルム２０の一方の面に形成し、この無機材料層３０の形成面とは反対側の面に接着剤層２０１を形成した場合の例である。この第１変形例の配線基板用テープ基材１は、その製造が容易であるメリットがある。
すなわち、有機絶縁フィルム２０に接着剤層２０１が形成され、接着剤層２０１に保護フィルム２０２が配設されたテープが市販されている。この市販のテープを利用して、接着剤層２０１が無い側の露出面に、スパッタ法等によって無機材料層３０を形成し、パーフォレーション１１を形成する。無機材料層３０とパーフォレーション１１の形成はどちらを先にしてもよい。
FIG. 2 shows various modifications of the
These modifications are examples in which the disposition state of the
In the first modified example of the
That is, a tape in which the
図２（ｂ）に示した配線基板用テープ基材１の第２変形例では、有機絶縁フィルム２０の両面に無機材料層３０を形成した場合の例である。
有機絶縁フィルム２０の面に形成する無機材料層３０は、上述したように、０．１〜１０μｍの範囲で薄く形成しているため、いずれか一方の面だけに形成する場合でも、形成下面側に反りを発生する可能性は低い。
しかし、第２変形例のように、有機絶縁フィルム２０の両面に無機材料層３０を形成することで反りの発生をなくすことができる。
The second modified example of the
Since the
However, by forming the
また、図２（ｂ）の第２変形例では、有機絶縁フィルム２０における両面の全面にわたって無機材料層３０を形成しているので、有機絶縁フィルム２０の伸び縮みの抑制効果を高めることができ、パーフォレーション１１部分の強度をより高めることもできる。
但し、両面に無機材料層３０を形成することで、反りを防止することが可能になるが、配線基板用テープ基材１のフレキシブル性が低下することになる。
そこで、図２（ｃ）に示した配線基板用テープ基材１の第３変形例では、有機絶縁フィルム２０を平面視した状態で規則的に配列された仮想小領域に対し、一方の面（表面という）と他方の面（裏面という）に交互に無機材料層３０を形成する。すなわち、特定の仮想小領域に対しては、表面と裏面の何れかの面に無機材料層３０が形成される。
例えば、規則的に配列された仮想小領域を市松模様（チェック柄）とし、表面と裏面とで無機材料層３０の形成箇所を逆にする。
Further, in the second modified example of FIG. 2B, since the
However, by forming the
Therefore, in the third modified example of the tape substrate for
For example, virtual small areas regularly arranged are made to have a checkered pattern (check pattern), and the formation locations of the
第３変形例の配線基板用テープ基材１によれば、平面視した場合に、第１変形例と同様に、有機絶縁フィルム２０の全領域にわたる１面相当分の無機材料層３０が形成されるので、フレキシブル性の低下を防止することができる。
また第２変形例と同様に、表面と裏面のそれぞれに１／２面相当の無機材料層３０が形成されるので、有機絶縁フィルム２０に反りが発生することを防止できる。
According to the
Moreover, since the
第３変形例における仮想小領域の大きさ（面積）としては、例えば、０．５ｍｍ平方〜５ｍｍ平方の範囲で選択される。
なお、無機材料層３０は、仮想小領域の規則的配列として、正方格子状に限らず、他の幾何学模様の形状、例えば、三角格子形状、長方格子形状、六角格子形状（ハニカム形状）、網代格子形状、レンガ積み形状等であってもよい。また、麻の葉模様の形状や、捻じ麻の葉文様の形状でもよい。
The size (area) of the virtual small area in the third modification is selected, for example, in the range of 0.5 mm square to 5 mm square.
In addition, the
次に、配線基板用テープ基材１の第２実施形態について説明する。
第１実施形態の配線基板用テープ基材１は、有機絶縁フィルム２０、無機材料層３０、接着剤層２０１、及び、第４の層としての保護フィルム２０２を構成要素としている場合について説明した。
第１実施形態の配線基板用テープ基材１の場合、後の製品であるＴＡＢ基板、ＣＯＦ基板等のＦＰＣ基板（フレキシブルプリント配線板）を製造する過程において、保護フィルム２０２を・がして、配線回路用の配線パターンを形成するための金属箔層１０を接着剤層２０１に貼り付けることになる。
そこで、第２実施形態では、第４の層として接着剤層２０１ではなく、金属箔層１０を配設した配線基板用テープ基材１を提供するものである。
Next, a second embodiment of the
The case where the
In the case of the
Therefore, in the second embodiment, the
図３は、第２実施形態における配線基板用テープ基材１の側断面と、平面を表したものである。図３（ａ）は配線基板用テープ基材１の側断面図で、（ｂ）は上からの平面図、（ｃ）は下からの平面図である。
この図３に示した第２実施形態の配線基板用テープ基材１は、ＴＡＢ基板用の基板として使用される場合について表したものである。
従って、第２実施形態の配線基板用テープ基材１には、第４の層として、保護フィルム２０２に変えて接着剤層２０１に金属箔層１０が接着されている。
また、図３の配線基板用テープ基材１はＴＡＢ基板の基板として使用されることを前提としているため、ＴＡＢ基板を製造する際に金属箔層１０にエッチング等で形成されるＩＣホールに対応して、有機絶縁フィルム２０等に予めＩＣホール２０３が形成されている。
また、図３に示すように、位置決め用等に使用される貫通孔２０４が予め打ち抜き形成されている金属箔層１０を貼り付ける場合も同様に、対応する有機絶縁フィルム２０等の位置にも貫通孔２０４が形成される。
FIG. 3 shows a side cross section and a plane of the
The wiring substrate
Therefore, the
Further, since the
Further, as shown in FIG. 3, also in the case where the
なお、有機絶縁フィルム２０等のＩＣホール２０３も打ち抜き形成するため、貫通孔２０４と同時に形成し、その後貫通孔２０４が形成された金属箔層１０を貼り付ける。但し、有機絶縁フィルム２０等のＩＣホール２０３を先に打ち抜き形成した後に、貫通孔２０４を形成していない金属箔層１０を貼り付け、その後有機絶縁フィルム２０と金属箔層１０と同時に貫通孔２０４を打ち抜き形成するようにしてもよい。
In order to punch and form the IC holes 203 such as the organic insulating
金属箔層１０は銅箔で構成されるが、他の金属として基板材料に通常使用されているものであれば特にその種類を限定するものではない。例えば、金属箔層１０として、銀、白金、金、アルミニウム、ニッケルなどの板又は箔等を使用することが可能である。
金属箔層１０の厚さは、３μｍ〜７５μｍの範囲である。好ましくは、６μｍ〜２５μｍの範囲であり、特に好ましくは、１２μｍ〜１８μｍの範囲である。
本実施形態の配線基板用テープ基材１では、多目的基板として適用できるフレキシブル基板の製造を目的としているため、例えば、配線基板の他に板バネスイッチ用基板としても使用可能にするため、上記範囲以内の厚みが必要とされる。また、製造時に必要とされる基板全体の可撓性を確保するため、上記設定範囲としている。
Although the
The thickness of the
In the
図４は、第２実施形態における配線基板用テープ基材１の各種変形例を表したものである。
これらの変形例は、図３（ａ）に示した配線基板用テープ基材１とは、無機材料層３０の配設状態が異なる例である。
そして、無機材料層３０の配設状態としては、図４（ａ）の第４変形例は、第１実施形態に対する第１変形例（図２（ａ）参照）と同じである。
同様に、図４（ｂ）の第５変形例は第２変形例（図２（ｂ））と、図４（ｃ）の第６変形例は第３変形例（図２（ｃ））と、それぞれ同じように無機材料層３０が配設されている。
FIG. 4: represents various modifications of the
These modifications are examples in which the disposition state of the
And as the arrangement state of the
Similarly, the fifth modification of FIG. 4 (b) is the second modification (FIG. 2 (b)), and the sixth modification of FIG. 4 (c) is the third modification (FIG. 2 (c)) and In each case, the
次に、第１実施形態で説明した配線基板用テープ基材１の製造方法と、配線基板用テープ基材１を使用したＴＡＢ基板の製造方法について図５〜図９を使用して説明する。
図５は、ＴＡＢ基板の製造までを表したフローチャートである。
図６、図７は配線基板用テープ基材１の製造工程における各状態を表したものである。
図８、図９は、ＴＡＢ基板の製造工程における各状態を表したものである。
Next, a method of manufacturing the tape substrate for
FIG. 5 is a flowchart showing up to the manufacture of a TAB substrate.
6 and 7 show each state in the manufacturing process of the
8 and 9 show each state in the manufacturing process of the TAB substrate.
最初の蒸着工程（ステップ１０）では、図６（ａ）（（ａ１）（ａ２）を指す、以下同じ）に示すように、所定幅で長尺の有機絶縁フィルム２０を用意する。
そして図６（ｂ）に示すように、この有機絶縁フィルム２０の一方の面にシリカを材料とする無機材料層３０を真空蒸着法により形成する。なお、上述したように、無機材料層３０は、シリカをターゲット材とするスパッタ法により形成してもよく、また他のアルミナ等の材料で無機材料層３０を形成するようにしてもよい。
In the first vapor deposition step (step 10), as shown in FIG. 6A ((a1) (a2), hereinafter the same), a long organic insulating
Then, as shown in FIG. 6B, an
次の接着層形成工程（ステップ１１）では、図６（ｃ）に示すように、無機材料層３０を形成した面に、熱硬化型の接着剤を塗布し接着剤層２０１を形成する。接着剤層２０１は、図６（ｃ２）に示すように、有機絶縁フィルム２０（無機材料層３０）の全幅に対してではなく、金属箔層１０を配設する幅に塗布する。
そして、形成した接着剤層２０１の表面に保護フィルム２０２を貼付する。
In the next adhesive layer forming step (step 11), as shown in FIG. 6C, a thermosetting adhesive is applied to the surface on which the
Then, the
以上により、第１実施形態における配線基板用テープ基材１の製造が完了し、引き続き、第２実施形態における配線基板用テープ基材１が形成される。
すなわち次の貫通孔形成工程（ステップ１２）では、図７（ｄ）に示すように、有機絶縁フィルム２０、無機材料層３０、接着剤層２０１（有機絶縁フィルム２０等という）、及び、保護フィルム２０２に、ＩＣホール２０３と貫通孔２０４、及び、パーフォレーション１１を打ち抜き形成する。
図５のフローチャートでは、ＴＡＢ基板を対象としているため、貫通孔形成工程が必要になるが、貼り付けた金属箔層１０に対してＩＣホール２０３や貫通孔２０４が形成されない場合には、パーフォレーション１１だけが形成される。
By the above, manufacture of the
That is, in the next through hole forming step (step 12), as shown in FIG. 7D, the organic insulating
In the flowchart of FIG. 5, since the TAB substrate is targeted, a through hole forming step is required, but in the case where the IC holes 203 and the through
次の銅箔貼付工程（ステップ１３）では、接着剤層２０１に貼った保護フィルム２０２を・がし、金属箔層１０を貼り付ける。この際、貫通孔２０４が形成されている場合には、位置合わせをしたうえで貼り付ける。
以上により、第２実施形態におけるＴＡＢ基板用の配線基板用テープ基材１が形成される。
In the next copper foil attaching step (step 13), the
Thus, the
続いて、この配線基板用テープ基材１を用いてＴＡＢ基板の製造を行う。
すなわち、配線基板用テープ基材１を使用して、フォトレジスト工程（ステップ２１）を行う。このフォトレジスト工程では、図８（ｆ１）（ｆ２）に示すように、金属箔層１０における有機絶縁フィルム２０と反対側の面にフォトレジスト層１１１を形成する。形成するフォトレジスト層１１１の幅は、有機絶縁フィルム２０の幅Ｑと同じ幅であるが、より広い幅に形成するようにしてもよい。
本実施形態におけるフォトレジスト層１１１の形成は、ロールコータ式塗布によるが、フォトレジスト層１１１となるドライフィルムを金属箔層１０の表面にラミネートすることで形成してもよい。
Subsequently, a TAB substrate is manufactured using the
That is, a photoresist process (step 21) is performed using the
Although the formation of the
次の露光・現像工程（ステップ２２）では、図８（ｇ１）に示すように、フォトレジスト層１１１に紫外線５００を照射して、フォトマスクのリードパターンを転写し、その後、現像液に浸漬して未感光部分１１２を除去する（現像）。
また、現像後にフォトレジスト層１１１中の溶剤や水分の除去、残ったリードパターン部分を熱架橋させて金属箔層１０との密着性を高めるためにベーキングを行う。
In the next exposure / development step (step 22), as shown in FIG. 8 (g1), the
Further, after development, the solvent and moisture in the
次の裏止め工程（ステップ２３）では、図８（ｈ１）に示すように、有機絶縁フィルム２０の表面に裏止め材２０５を塗布することで、ＩＣホール２０３、貫通孔２０４を封止する。塗布する裏止め材２０５は各種材料を使用可能であるが、本実施形態では、ポリイミドが使用される。
なお、本実施形態では、有機絶縁フィルム２０の全面に裏止め材２０５を塗布するが、貫通孔２０３、２０４に対応する箇所に限定して塗布するようにしてもよい。
In the next backing process (step 23), as shown in FIG. 8 (h1), the
In the present embodiment, the
次のエッチング工程（ステップ２４）では、図９（ｉ１）に示すように、塩化第２鉄水溶液に浸漬し、リードパターン以外の金属部分１１３を除去する。これにより、露光・現像工程（ステップ２２）で金属箔層１０上に形成したリードパターンに対応した所定のパターンの導体パターン層（金属箔層１０による配線回路）が形成される。
その後、剥離工程（ステップ２５）において、フォトレジスト層１１１と裏止め材２０５を剥離する。
In the next etching step (step 24), as shown in FIG. 9 (i1), the substrate is immersed in a ferric chloride aqueous solution to remove the
Thereafter, in a peeling step (step 25), the
次に、めっき工程（ステップ２６）により、図９（ｊ１）に示すように、リードパターンに形成された金属箔層１０の露出表面に金めっき１１４を施す。
なお、図９（ｊ２）は、図７（ｄ２）の点線円に対応した箇所の平面図である。この図９（ｊ２）において、黒の太線で示した箇所が、エッチング工程後のリードパターンであり、半導体素子用の貫通孔２０３の内側にまで伸びるインナーリード（フライングリード）１１５が形成されている。
Next, in the plating step (step 26), as shown in FIG. 9 (j1), gold plating 114 is applied to the exposed surface of the
FIG. 9 (j2) is a plan view of a portion corresponding to the dotted circle in FIG. 7 (d2). In FIG. 9 (j 2), the portions shown by thick black lines are the lead patterns after the etching step, and inner leads (flying leads) 115 extending to the inside of the through
次に、ソルダーレジスト工程（ステップ２７）では、図９（ｋ１）に示すように、スクリーン印刷により、リードパターンの必要箇所を絶縁膜１１６で覆い保護する。
最後の検査工程（ステップ２８）では、エッチング不良、めっき不良、異物付着等の各種検査項目の検査を行う。
Next, in the solder resist process (step 27), as shown in FIG. 9 (k1), the necessary portions of the lead pattern are covered and protected by the insulating
In the final inspection step (step 28), inspection of various inspection items such as etching defects, plating defects, foreign matter adhesion, and the like is performed.
以上、配線基板用テープ基材１と、ＴＡＢ基板の製造方法について説明した。
これに対しＣＯＦ基板の場合、半導体素子用等の貫通孔は不要であるため、当該貫通孔の形成や当該貫通孔の裏止めの形成、剥離に関する処理が不要な点を除き、ＴＡＢ基板と同様に形成することができる。
In the above, the manufacturing method of the
On the other hand, in the case of a COF substrate, since a through hole for a semiconductor element or the like is not necessary, it is the same as the TAB substrate except that the processing for the formation of the through hole Can be formed.
以上説明したように本実施形態の配線基板用テープ基材１及び、その製造方法によれば、次の効果を得ることができる。
（１）有機絶縁フィルム２０に無機材料層３０を形成しているので、温度や吸湿による伸縮を抑制することができ、高密度実装が可能なＴＡＢ基板等の基材として提供することができる。
（２）有機絶縁フィルム２０に形成するパーフォレーション１１を含めた全領域にわたって無機材料層３０を形成しているので、パーフォレーションピッチのズレを抑制することができ、移送精度を高くすることができる。
そして、パーフォレーション１１とリードパターンの位置との相対位置精度を向上させることができるので、例えばＴＡＢ基板への超多ピンの半導体チップの実装、或はＴＡＢ基板上での電子部品も実装が容易に実現できるとともに、多品種の異なるパターンを同一ＴＡＢ基板に形成することも可能となり、ＴＡＢ基板上のスペース効率を大幅に向上させることが可能となる。
（３）無機材料層３０を有機絶縁フィルム２０の両面に形成することで、配線基板用テープ基材１の反りを抑制することができる。
（４）有機絶縁フィルム２０の両面に配設する場合に、平面視した状態で規則的に配列された仮想小領域に対し、表面と裏面の何れかの面に無機材料層３０が形成されるので、配線基板用テープ基材１の反りを抑制すると共に、フレキシブル性が低下することを防止できる。
As described above, according to the tape substrate for
(1) Since the
(2) Since the
Then, the relative position accuracy between the
(3) By forming the
(4) When arranging on the both surfaces of the organic insulating
１ 配線基板用テープ基材
１０ 金属箔層
１１、１２ パーフォレーション
１１１ フォトレジスト層
１１２ 未感光部分
１１３ リードパターン以外の金属部分
１１４ 金めっき
１１５ インナーリード
１１６ 絶縁膜
２０ 絶縁フィルム
２０１ 接着剤層
２０２ 保護フィルム
２０３ ＩＣホール
２０４ 貫通孔
２０５ 裏止め材
３０ 無機材料層
DESCRIPTION OF
Claims (9)
前記有機絶縁フィルムの少なくとも一方の面に、前記有機絶縁フィルムよりも薄く形成された無機材料層と、
前記有機絶縁フィルムの何れかの面に、直接又は前記無機材料層を介して形成された接着剤層と、
前記接着剤層における、前記有機絶縁フィルムの反対側に配設された第４の層と、
を有することを特徴とする配線基板用テープ基材。 Organic insulating film,
An inorganic material layer formed thinner than the organic insulating film on at least one surface of the organic insulating film;
An adhesive layer formed directly or via the inorganic material layer on any surface of the organic insulating film;
A fourth layer disposed on the opposite side of the organic insulating film in the adhesive layer;
And a tape substrate for a wiring substrate.
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板用テープ基材。 The fourth layer is a protective film of the adhesive layer or a metal foil layer on which a wiring pattern for a wiring circuit is formed.
The tape base material for a wiring board according to claim 1, characterized in that
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の配線基板用テープ基材。 The inorganic material layer is formed on both sides of the organic insulating film,
The tape base material for wiring boards according to claim 1 or 2 characterized by things.
前記有機絶縁フィルムの幅方向の両端側には移送用のパーフォレーションが長手方向に沿って形成されている、
ことを特徴とする請求項１から請求項４のうちの何れか１の請求項に記載の配線基板用テープ基材。 The inorganic material layer is formed on the entire surface of the organic insulating film.
At both ends in the width direction of the organic insulating film, transfer perforations are formed along the longitudinal direction.
The tape base material for wiring boards according to any one of claims 1 to 4, characterized in that:
ことを特徴とする請求項１から請求項５のうちの何れか１の請求項に記載の配線基板用テープ基材。 The inorganic material layer is formed on the organic insulating film by any of a sputtering method, a vacuum evaporation method, and a CVD method.
The wiring board tape base according to any one of claims 1 to 5, characterized in that:
ことを特徴とする請求項１から請求項６のうちの何れか１の請求項に記載の配線基板用テープ基材。 The inorganic material layer is formed to a thickness of 0.1 μm to 10 μm, preferably 1 μm to 3 μm.
The wiring board tape base according to any one of claims 1 to 6, which is characterized in that
ことを特徴とする請求項１から請求項７のうちの何れか１の請求項に記載の配線基板用テープ基材。 The inorganic material layer is formed thinner than the thickness of the organic insulating film.
The tape base material for wiring boards according to any one of claims 1 to 7, characterized in that
前記有機絶縁フィルムの何れかの面に、直接又は前記無機材料層を介して接着剤層を形成する工程と、
前記接着剤層における、前記有機絶縁フィルムの反対側に、保護フィルム又は金属箔層を配設する工程と、
を有することを特徴とする配線基板用テープ基材の製造方法。 Forming an inorganic material layer thinner than the organic insulating film on at least one surface of the organic insulating film;
Forming an adhesive layer on any surface of the organic insulating film directly or through the inorganic material layer;
Disposing a protective film or a metal foil layer on the opposite side of the organic insulating film in the adhesive layer;
A method of manufacturing a tape substrate for a wiring substrate, comprising:
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