JP2019050287A - Substrate processing device, substrate processing method, and computer storage medium - Google Patents

Substrate processing device, substrate processing method, and computer storage medium Download PDF

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Abstract

To properly perform substrate processing using a processing liquid in accordance with the warpage of a substrate.SOLUTION: A development processor 30 includes: a spin chuck 300 for holding a wafer W; a development liquid nozzle 320 for supplying a development liquid to the surface of the wafer W held by the spin chuck 300; a ring member 382 provided annularly on the rear face side of the wafer W and having a diameter smaller than that of the wafer W; a lifting/lowering unit 383 for lifting and lowering the ring member 382; a warpage measurement unit 340 for measuring a warpage of the wafer W; and a control unit for controlling the lifting/lowering unit 383 so as to make a space between the rear face of the wafer W and the ring member 382 a prescribed distance on the basis of the warpage information measured by the warpage measurement unit 340.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a computer storage medium.

例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜に所定のパターンを露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などが行われ、ウェハ上に所定のレジストパターンが形成される。   For example, in a photolithography process in a manufacturing process of a semiconductor device, for example, a resist coating process is performed to apply a resist solution on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as "wafer") to form a resist film, and a predetermined pattern is exposed on the resist film. An exposure process, a development process for developing the exposed resist film, and the like are performed to form a predetermined resist pattern on the wafer.

上述した現像処理では、ウェハ上に供給された現像液が、ウェハの表面から外縁部を介して裏面に回り込んでしまうことがある。このようにウェハ裏面に現像液が回り込むと、ウェハ裏面の汚染の原因となったり、また、回り込んだ現像液が周辺装置に滴下、飛散することで周辺装置の故障の原因となったりする。   In the above-described development process, the developer supplied onto the wafer may wrap around from the surface of the wafer to the back surface through the outer edge portion. When the developer goes around to the back of the wafer in this way, it causes the contamination of the back of the wafer and also causes the developer to fall around the peripheral device causing it to break down.

そこで、現像処理を行う現像処理装置においては、ウェハ裏面に対して現像液が回り込んでしまうことを抑制するためにリング部材が設けられることがある。リング部材は、例えばウェハ裏面側の外縁部に沿って、ウェハ裏面に対して近接して設置される。これにより、ウェハ裏面とリング部材との間が回り込んできた現像液により液シールされ、ウェハ裏面に対してさらに回り込もうとする現像液を受け止め、吸収することができる。すなわち、ウェハ裏面に現像液が回り込むことを抑制することができる。   Therefore, in the development processing apparatus that performs development processing, a ring member may be provided in order to prevent the developer from flowing to the back surface of the wafer. The ring member is placed close to the wafer backside, for example, along the outer edge of the wafer backside. As a result, the developer is sealed by the developer flowing around between the wafer back surface and the ring member, and the developer which tends to wrap around the wafer backside can be received and absorbed. That is, the developer can be prevented from flowing around the back surface of the wafer.

上述のとおり、リング部材はウェハ裏面に対して近接して設置される必要があるが、このリング部材とウェハ裏面との距離が大きすぎると、液シールを形成することができず、現像液の回り込みを十分に抑制することができないおそれがある。   As described above, the ring member needs to be installed in close proximity to the back surface of the wafer, but if the distance between the ring member and the back surface of the wafer is too large, the liquid seal can not be formed, and the developer There is a possibility that the wraparound can not be sufficiently suppressed.

そこで、例えば特許文献１に記載の回転処理装置（現像処理装置）においては、ウェハの支持機構と同心状に、その上端がナイフエッジ状に形成された筒体（リング部材）が、昇降機構により上下動自在に構成されている。そして、現像処理を行う際には、筒体の上端部とウェハ裏面との間隔が、例えば１ｍｍ程度に近接した位置になるように筒体を配置することで、現像液の回り込みの抑制を図っている。   Therefore, for example, in the rotation processing apparatus (development processing apparatus) described in Patent Document 1, a cylinder (ring member) whose upper end is formed in a knife edge shape concentrically with the wafer support mechanism is moved by the elevating mechanism. It is configured to be movable up and down. Then, when developing processing is performed, by arranging the cylinder so that the distance between the upper end of the cylinder and the back surface of the wafer is, for example, approximately 1 mm, suppression of wraparound of the developing solution is intended. ing.

特開平７−２４９５５９号公報Unexamined-Japanese-Patent No. 7-249559 gazette

ところで、現像処理が行われるウェハには、例えば成膜やエッチングなどの前処理の影響や、近年の３Ｄ ＮＡＮＤのようにウェハを積層する影響など、種々の要因により反りが生じているものがある。   By the way, some wafers on which development processing is performed may be warped due to various factors such as the influence of pretreatments such as film formation and etching, and the effect of stacking the wafers as in recent 3D NAND. .

例えばウェハが凹型に反っている場合（ウェハの外縁部が上方に反っている場合）、ウェハ裏面とリング部材との距離が大きくなる。かかる場合、リング部材によるウェハ裏面への現像液の回り込みを適切に抑制できないおそれがある。   For example, when the wafer is warped in a concave shape (when the outer edge of the wafer is warped upward), the distance between the back surface of the wafer and the ring member is increased. In this case, there is a possibility that the wraparound of the developing solution to the wafer back surface by the ring member can not be appropriately suppressed.

一方、例えばウェハが凸型に反っている場合、（ウェハの外縁部が下方に反っている場合）、ウェハ裏面とリング部材との距離が小さくなる。現像処理ではレジスト膜を現像した後、ウェハ裏面にリンス液を噴射して当該ウェハ裏面の洗浄を行うが、ウェハ裏面とリング部材との距離が小さいと、ウェハ裏面とリング部材の間にリンス液が残存し、ウェハ裏面に液滴が付着する可能性がある。そしてその後、このように液滴が付着したウェハに対して加熱処理が行われると、ウェハ裏面から不純物が混じった水蒸気がウェハ表面に流れ、その結果ウェハ表面に欠陥が生じるおそれがある。   On the other hand, for example, when the wafer is warped in a convex shape (when the outer edge of the wafer bows downward), the distance between the wafer back surface and the ring member is reduced. In the development process, after developing the resist film, the rinse solution is sprayed onto the wafer backside to clean the wafer backside, but if the distance between the wafer backside and the ring member is small, the rinse solution is between the wafer backside and the ring member May remain, and droplets may adhere to the back surface of the wafer. Then, when the wafer to which the droplets are attached is subjected to heat treatment, water vapor mixed with impurities flows from the back surface of the wafer to the wafer surface, which may result in defects on the wafer surface.

しかしながら、上述した特許文献１に記載された装置では、昇降機構によって筒体（リング部材）を昇降させているものの、ウェハの反りに応じたリング部材の昇降制御は行われていない。したがって、従来の現像処理には改善の余地がある。   However, in the device described in Patent Document 1 described above, although the cylinder (ring member) is raised and lowered by the raising and lowering mechanism, the raising and lowering control of the ring member according to the warpage of the wafer is not performed. Therefore, there is room for improvement in the conventional development processing.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板の反りに応じて、処理液を用いた基板処理を適切に行うことを目的としている。   The present invention has been made in view of such a point, and an object of the present invention is to appropriately perform substrate processing using a processing liquid in accordance with the warp of the substrate.

上記目的を達成するため、本発明は、基板を処理する基板処理装置であって、前記基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された前記基板の表面に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板の裏面側に環状に設けられ、前記基板より小さい径を有するリング部材と、前記リング部材を昇降させる昇降部と、前記基板の反りを計測する反り計測部と、前記反り計測部により計測された反り情報に基づいて、前記基板の裏面と前記リング部材との間が所定距離になるように前記昇降部を制御する制御部と、を備えることを特徴としている。   In order to achieve the above object, the present invention is a substrate processing apparatus for processing a substrate, which supplies a processing liquid to the substrate holding unit holding the substrate and the surface of the substrate held by the substrate holding unit. A treatment liquid supply unit, a ring member annularly provided on the back surface side of the substrate and having a diameter smaller than that of the substrate, a lift unit for moving the ring member up and down, and a warpage measurement unit for measuring warpage of the substrate; And a control unit configured to control the elevating unit such that a distance between the back surface of the substrate and the ring member becomes a predetermined distance based on the warpage information measured by the warpage measurement unit.

本発明によれば、基板の反り情報に基づいて、基板の裏面とリング部材との間が所定距離になるように調節するので、基板の反りに応じて、基板処理を適切に行うことができる。すなわち、基板の裏面とリング部材との距離を適切に維持できるので、この基板の裏面とリング部材との間に液シールを形成して、基板の裏面へのウェハ裏面への現像液の回り込みを抑制することができる。また、例えば処理液による基板の処理後に、リンス液による基板の裏面の洗浄を行う場合でも、基板の裏面とリング部材との間にリンス液が残存するのを抑え、基板の裏面に液滴が付着するのを抑制することができる。   According to the present invention, since the distance between the back surface of the substrate and the ring member is adjusted to be a predetermined distance based on the warp information of the substrate, the substrate processing can be appropriately performed according to the warp of the substrate. . That is, since the distance between the back surface of the substrate and the ring member can be properly maintained, a liquid seal is formed between the back surface of the substrate and the ring member to allow the developer to flow to the back surface of the wafer on the back surface of the substrate. It can be suppressed. For example, even when the back surface of the substrate is cleaned with a rinse liquid after processing the substrate with a processing liquid, the rinse liquid is prevented from remaining between the back surface of the substrate and the ring member, and the droplets are discharged to the back surface of the substrate. It is possible to suppress adhesion.

前記基板処理装置は、前記基板保持部に保持された前記基板の裏面にリンス液を供給するリンス液供給部をさらに備え、前記制御部は、前記処理液による基板の処理後、前記リンス液による前記基板の裏面の洗浄を行う際、前記リング部材を下降させるように前記昇降部を制御してもよい。   The substrate processing apparatus further includes a rinse liquid supply unit that supplies a rinse liquid to the back surface of the substrate held by the substrate holding unit, and the control unit processes the substrate with the treatment liquid and then the rinse liquid is treated by the rinse liquid. When the back surface of the substrate is cleaned, the elevating unit may be controlled to lower the ring member.

前記リング部材の上面は平坦面を形成していてもよい。   The upper surface of the ring member may form a flat surface.

前記基板処理装置は、前記リング部材にガスを噴射するガス供給部をさらに備えていてもよい。   The substrate processing apparatus may further include a gas supply unit for injecting a gas to the ring member.

前記ガス供給部は前記リング部材の内側に環状に設けられていてもよい。   The gas supply unit may be annularly provided inside the ring member.

前記リング部材は同心状に複数設けられ、前記制御部は、前記複数のリング部材に対し、前記基板の裏面との距離が同じになるように前記昇降部を制御してもよい。   A plurality of the ring members may be concentrically provided, and the control unit may control the elevating unit such that the distance between the plurality of ring members and the back surface of the substrate is equal.

前記反り計測部は、前記基板保持部に保持された前記基板の反りを計測してもよい。   The warpage measurement unit may measure the warpage of the substrate held by the substrate holding unit.

前記反り計測部はレーザ変位計であり、前記基板保持部の上方に設けられていてもよい。   The warpage measurement unit may be a laser displacement meter, and may be provided above the substrate holding unit.

前記反り計測部は静電容量センサまたは超音波センサであり、前記リング部材の上部または前記リング部材を支持するガイド部材に設けられていてもよい。   The warpage measurement unit may be a capacitance sensor or an ultrasonic sensor, and may be provided on an upper portion of the ring member or a guide member supporting the ring member.

前記反り計測部は、前記基板保持部に保持される前の前記基板の反りを計測してもよい。   The warpage measurement unit may measure warpage of the substrate before being held by the substrate holding unit.

別な観点による本発明は、基板を処理する基板処理方法であって、前記基板の反りを計測する反り計測工程と、その後、基板保持部に保持された前記基板の表面に処理液供給部から処理液を供給して当該基板を処理する処理工程と、を含み、前記処理工程では、前記反り計測工程で計測された反り情報に基づいて、前記基板の裏面側に環状に設けられ当該基板より小さい径を有するリング部材を昇降部により昇降させて、前記基板の裏面と前記リング部材をとの間を所定距離に調節することを特徴としている。   The present invention according to another aspect is a substrate processing method for processing a substrate, which is a warpage measurement step of measuring warpage of the substrate, and thereafter, on a surface of the substrate held by the substrate holder from a treatment liquid supply unit And a processing step of supplying a processing liquid to process the substrate, wherein the processing step is annularly provided on the back surface side of the substrate based on the warpage information measured in the warpage measurement step, from the substrate A ring member having a small diameter is moved up and down by an elevating unit to adjust the distance between the back surface of the substrate and the ring member to a predetermined distance.

前記基板処理方法は、前記処理工程の後、前記基板保持部に保持された前記基板の裏面にリンス液供給部からリンス液を供給して当該裏面を洗浄する裏面洗浄工程をさらに含み、前記裏面洗浄工程では、前記昇降部により前記リング部材を下降させてもよい。   The substrate processing method further includes a back surface cleaning step of supplying a rinse liquid from a rinse liquid supply unit to the back surface of the substrate held by the substrate holding unit after the processing step, and cleaning the back surface. In the cleaning step, the ring member may be lowered by the elevating unit.

前記基板処理方法は、前記処理工程の後、ガス供給部から前記リング部材にガスを噴射して、当該リング部材に付着した液滴を除去する液滴除去工程をさらに含んでいてもよい。   The substrate processing method may further include a droplet removing step of ejecting a gas from the gas supply unit to the ring member after the processing step to remove droplets attached to the ring member.

前記リング部材は同心状に複数設けられ、前記処理工程では、前記昇降部により前記複数のリング部材を独立して昇降させ、当該複数のリング部材と前記基板の裏面とのそれぞれの距離が同じになるように調節してもよい。   The plurality of ring members are provided concentrically, and in the processing step, the plurality of ring members are moved up and down independently by the elevation unit, and the distances between the plurality of ring members and the back surface of the substrate are the same. It may be adjusted to be

前記反り計測工程では、前記基板保持部に保持された前記基板の反りを計測してもよい。   In the warpage measurement step, warpage of the substrate held by the substrate holding unit may be measured.

前記反り計測工程では、前記基板保持部に保持される前の前記基板の反りを計測してもよい。   In the warpage measurement step, warpage of the substrate before being held by the substrate holding unit may be measured.

また別な観点による本発明によれば、前記基板処理方法を基板処理装置によって実行させるように、当該基板処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。   According to the present invention according to another aspect, a readable computer storage medium storing a program operating on a computer of a control unit that controls the substrate processing apparatus to cause the substrate processing apparatus to execute the substrate processing method. Is provided.

本発明によれば、基板の反りに応じて、処理液を用いた基板処理を適切に行うことができる。   According to the present invention, substrate processing using a processing liquid can be appropriately performed according to the warp of the substrate.

本実施形態にかかる現像処理装置を備えた基板処理システムの概略を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the outline of the substrate processing system provided with the development processing apparatus concerning this embodiment. 図１の基板処理システムの正面図である。It is a front view of the substrate processing system of FIG. 図１の基板処理システムの背面図である。It is a rear view of the substrate processing system of FIG. 本実施形態にかかる現像処理装置の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows typically the outline of a structure of the image development processing apparatus concerning this embodiment. 本実施形態にかかる現像処理装置の構成の概略を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the outline of the structure of the image development processing apparatus concerning this embodiment. 本実施形態における現像処理の各工程を模式的に示した説明図である。It is an explanatory view showing each process of development processing in this embodiment typically. 本実施形態におけるリング部材の動作を示す説明図である。It is an explanatory view showing operation of a ring member in this embodiment. 図６の現像処理工程においてウェハの一端を拡大して示した説明図である。FIG. 7 is an explanatory view showing one end of a wafer in an enlarged manner in the development processing step of FIG. 6; 図６の現像処理工程においてウェハの一端を拡大して示した説明図である。FIG. 7 is an explanatory view showing one end of a wafer in an enlarged manner in the development processing step of FIG. 6; 他の実施形態にかかる現像処理装置の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows typically the outline of a structure of the image development processing apparatus concerning other embodiment. 図１０の現像処理装置におけるウェハの一端を拡大して示した説明図である。It is explanatory drawing which expanded and showed the end of the wafer in the image development processing apparatus of FIG.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the present specification and the drawings, elements having substantially the same functional configuration will be assigned the same reference numerals and redundant description will be omitted.

＜基板処理システムの構成＞
先ず、本実施形態にかかる現像処理装置を備えた基板処理システムの構成について説明する。図１は、基板処理システム１の構成の概略を模式的に示す平面図である。図２及び図３は、各々基板処理システム１の内部構成の概略を模式的に示す正面図と背面図である。基板処理システム１では、基板としてのウェハＷに所定の処理を行う。 <Configuration of substrate processing system>
First, the configuration of a substrate processing system provided with the development processing apparatus according to the present embodiment will be described. FIG. 1 is a plan view schematically showing the outline of the configuration of a substrate processing system 1. 2 and 3 are a front view and a rear view schematically showing the outline of the internal configuration of the substrate processing system 1, respectively. The substrate processing system 1 performs predetermined processing on the wafer W as a substrate.

基板処理システム１は、図１に示すように複数枚のウェハＷを収容したカセットＣが搬入出されるカセットステーション１０と、ウェハＷに所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション１１と、処理ステーション１１に隣接する露光装置１２との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション１３とを一体に接続した構成を有している。   The substrate processing system 1 includes a cassette station 10 for loading and unloading a cassette C containing a plurality of wafers W as shown in FIG. 1, and a processing station 11 comprising a plurality of various processing apparatuses for performing predetermined processing on the wafers W. And an interface station 13 for transferring the wafer W between the exposure apparatus 12 adjacent to the processing station 11 are integrally connected.

カセットステーション１０には、カセット載置台２０が設けられている。カセット載置台２０には、基板処理システム１の外部に対してカセットＣを搬入出する際に、カセットＣを載置するカセット載置板２１が複数設けられている。   The cassette mounting table 20 is provided in the cassette station 10. When the cassette C is carried in and out of the substrate processing system 1, a plurality of cassette mounting plates 21 for mounting the cassette C is provided on the cassette mounting table 20.

カセットステーション１０には、図１に示すようにＸ方向に延びる搬送路２２上を移動自在なウェハ搬送装置２３が設けられている。ウェハ搬送装置２３は、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各カセット載置板２１上のカセットＣと、後述する処理ステーション１１の第３のブロックＧ３の受け渡し装置との間でウェハＷを搬送できる。   As shown in FIG. 1, the cassette station 10 is provided with a wafer transfer apparatus 23 movable on the transfer path 22 extending in the X direction. The wafer transfer device 23 is also movable in the vertical direction and around the vertical axis (θ direction), and the cassette C on each cassette mounting plate 21 and the delivery device of the third block G3 of the processing station 11 described later The wafer W can be transferred between the two.

処理ステーション１１には、各種装置を備えた複数、例えば４つのブロック、すなわち第１のブロックＧ１〜第４のブロックＧ４が設けられている。例えば処理ステーション１１の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、第１のブロックＧ１が設けられ、処理ステーション１１の背面側（図１のＸ方向正方向側、図面の上側）には、第２のブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション１１のカセットステーション１０側（図１のＹ方向負方向側）には、既述の第３のブロックＧ３が設けられ、処理ステーション１１のインターフェイスステーション１３側（図１のＹ方向正方向側）には、第４のブロックＧ４が設けられている。   The processing station 11 is provided with a plurality of, for example, four blocks provided with various devices, that is, a first block G1 to a fourth block G4. For example, the first block G1 is provided on the front side (the X direction negative direction side in FIG. 1) of the processing station 11, and on the back side (the X direction positive direction side in FIG. , A second block G2 is provided. Further, the third block G3 described above is provided on the cassette station 10 side (the Y direction negative direction side in FIG. 1) of the processing station 11, and the interface station 13 side of the processing station 11 (Y direction positive in FIG. The fourth block G4 is provided on the direction side.

例えば第１のブロックＧ１には、図２に示すように複数の液処理装置、例えばウェハＷを現像処理する現像処理装置３０、ウェハＷのレジスト膜の下層に反射防止膜（以下「下部反射防止膜」という）を形成する下部反射防止膜形成装置３１、ウェハＷにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置３２、ウェハＷのレジスト膜の上層に反射防止膜（以下「上部反射防止膜」という）を形成する上部反射防止膜形成装置３３が下からこの順に配置されている。なお、本実施形態では、現像処理装置３０が本発明の基板処理装置を構成している。   For example, in the first block G1, as shown in FIG. 2, a plurality of liquid processing devices, for example, a development processing device 30 for developing the wafer W, an antireflective film under the resist film of the wafer W (hereinafter referred to as “lower antireflective film Lower antireflection film forming apparatus 31 for forming a film, resist coating apparatus 32 for applying a resist solution to a wafer W to form a resist film, and an antireflection film on the upper layer of the resist film of the wafer W (hereinafter referred to as “upper reflection An upper anti-reflection film forming device 33 for forming a “preventive film” is disposed in this order from the bottom. In the present embodiment, the development processing apparatus 30 constitutes the substrate processing apparatus of the present invention.

例えば現像処理装置３０、下部反射防止膜形成装置３１、レジスト塗布装置３２、上部反射防止膜形成装置３３は、それぞれ水平方向に３つ並べて配置されている。なお、これら現像処理装置３０、下部反射防止膜形成装置３１、レジスト塗布装置３２、上部反射防止膜形成装置３３の数や配置は、任意に選択できる。   For example, the development processing unit 30, the lower antireflection film forming unit 31, the resist coating unit 32, and the upper antireflection film forming unit 33 are arranged side by side in the horizontal direction. The number and arrangement of the development processing unit 30, the lower antireflection film forming unit 31, the resist coating unit 32, and the upper antireflection film forming unit 33 can be arbitrarily selected.

例えば第２のブロックＧ２には、図３に示すようにウェハＷの加熱や冷却といった熱処理を行う熱処理装置４０や、レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるために疎水化処理を行う疎水化処理装置４１、ウェハＷの外周部を露光する周辺露光装置４２が上下方向と水平方向に並べて設けられている。これら熱処理装置４０、疎水化処理装置４１、周辺露光装置４２の数や配置についても、任意に選択できる。   For example, in the second block G2, as shown in FIG. 3, a heat treatment apparatus 40 for performing heat treatment such as heating or cooling of the wafer W, or hydrophobization treatment for enhancing the fixability between the resist solution and the wafer W A processing unit 41 and a peripheral exposure unit 42 for exposing the outer peripheral portion of the wafer W are provided side by side vertically and horizontally. The number and arrangement of the heat treatment apparatus 40, the hydrophobization apparatus 41, and the peripheral exposure apparatus 42 can be arbitrarily selected.

例えば第３のブロックＧ３には、複数の受け渡し装置５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６が下から順に設けられている。また、第４のブロックＧ４には、複数の受け渡し装置６０、６１、６２が下から順に設けられている。   For example, in the third block G3, a plurality of delivery devices 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56 are provided in order from the bottom. In the fourth block G4, a plurality of delivery devices 60, 61, 62 are provided in order from the bottom.

図１に示すように第１のブロックＧ１〜第４のブロックＧ４に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Ｅが形成されている。ウェハ搬送領域Ｅには、例えばＹ方向、Ｘ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム７０ａを有する、ウェハ搬送装置７０が複数配置されている。ウェハ搬送装置７０は、ウェハ搬送領域Ｅ内を移動し、周囲の第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、第３のブロックＧ３及び第４のブロックＧ４内の所定の装置にウェハＷを搬送できる。   As shown in FIG. 1, a wafer transfer area E is formed in an area surrounded by the first block G1 to the fourth block G4. In the wafer transfer area E, a plurality of wafer transfer apparatuses 70 each having a transfer arm 70a movable in, for example, the Y direction, the X direction, the θ direction, and the vertical direction are disposed. The wafer transfer apparatus 70 moves in the wafer transfer area E and transfers the wafer W to a predetermined apparatus in the surrounding first block G1, second block G2, third block G3 and fourth block G4. it can.

また、ウェハ搬送領域Ｅには、図３に示すように、第３のブロックＧ３と第４のブロックＧ４との間で直線的にウェハＷを搬送するシャトル搬送装置８０が設けられている。   In the wafer transfer area E, as shown in FIG. 3, a shuttle transfer apparatus 80 is provided for transferring the wafer W linearly between the third block G3 and the fourth block G4.

シャトル搬送装置８０は、例えば図３のＹ方向に直線的に移動自在になっている。シャトル搬送装置８０は、ウェハＷを支持した状態でＹ方向に移動し、第３のブロックＧ３の受け渡し装置５２と第４のブロックＧ４の受け渡し装置６２との間でウェハＷを搬送できる。   The shuttle transfer device 80 is, for example, linearly movable in the Y direction in FIG. The shuttle transfer device 80 moves in the Y direction while supporting the wafer W, and can transfer the wafer W between the delivery device 52 of the third block G3 and the delivery device 62 of the fourth block G4.

図１に示すように第３のブロックＧ３のＸ方向正方向側の隣には、ウェハ搬送装置９０が設けられている。ウェハ搬送装置９０は、例えばＸ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム９０ａを有している。ウェハ搬送装置９０は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、第３のブロックＧ３内の各受け渡し装置にウェハＷを搬送できる。   As shown in FIG. 1, a wafer transfer apparatus 90 is provided next to the third block G3 on the positive side in the X direction. The wafer transfer apparatus 90 has a transfer arm 90a movable in, for example, the X direction, the θ direction, and the up and down direction. The wafer transfer apparatus 90 can move up and down while supporting the wafer W to transfer the wafer W to each delivery apparatus in the third block G3.

インターフェイスステーション１３には、ウェハ搬送装置１００と受け渡し装置１０１が設けられている。ウェハ搬送装置１００は、例えばＹ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム１００ａを有している。ウェハ搬送装置１００は、例えば搬送アーム１００ａにウェハＷを支持して、第４のブロックＧ４内の各受け渡し装置、受け渡し装置１０１及び露光装置１２との間でウェハＷを搬送できる。   The interface station 13 is provided with a wafer transfer apparatus 100 and a delivery apparatus 101. The wafer transfer apparatus 100 has a transfer arm 100a movable in, for example, the Y direction, the θ direction, and the vertical direction. The wafer transfer apparatus 100 can, for example, support the wafer W by the transfer arm 100 a and transfer the wafer W among the delivery devices in the fourth block G 4, the delivery device 101, and the exposure device 12.

以上の基板処理システム１には、図１に示すように制御部２００が設けられている。制御部２００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、基板処理システム１におけるウェハＷの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、基板処理システム１における後述の現像処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部２００にインストールされたものであってもよい。   The substrate processing system 1 described above is provided with a control unit 200 as shown in FIG. The control unit 200 is, for example, a computer, and has a program storage unit (not shown). The program storage unit stores a program for controlling the processing of the wafer W in the substrate processing system 1. The program storage unit also stores a program for realizing the development processing described later in the substrate processing system 1 by controlling the operation of drive systems such as the above-described various processing devices and transport devices. The program is stored in a computer readable storage medium such as a computer readable hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical desk (MO), and a memory card. And may be installed in the control unit 200 from the storage medium.

＜基板処理システムの動作＞
次に、以上のように構成された基板処理システム１を用いて行われるウェハ処理について説明する。 <Operation of substrate processing system>
Next, wafer processing performed using the substrate processing system 1 configured as described above will be described.

先ず、複数のウェハＷを収納したカセットＣが、基板処理システム１のカセットステーション１０に搬入され、カセット載置板２１に載置される。その後、ウェハ搬送装置２３によりカセットＣ内の各ウェハＷが順次取り出され、処理ステーション１１の第３のブロックＧ３の受け渡し装置５３に搬送される。   First, a cassette C containing a plurality of wafers W is carried into the cassette station 10 of the substrate processing system 1 and placed on the cassette placing plate 21. Thereafter, the wafers W in the cassette C are sequentially taken out by the wafer transfer device 23 and transferred to the delivery device 53 of the third block G3 of the processing station 11.

次に、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第２のブロックＧ２の熱処理装置４０に搬送され温度調節処理される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって例えば第１のブロックＧ１の下部反射防止膜形成装置３１に搬送され、ウェハＷ上に下部反射防止膜が形成される。その後、ウェハＷは、第２のブロックＧ２の熱処理装置４０に搬送され、加熱処理が行われる。その後、ウェハＷは、第３のブロックＧ３の受け渡し装置５３に戻される。   Next, the wafer W is transferred by the wafer transfer apparatus 70 to the heat treatment apparatus 40 of the second block G2 and subjected to temperature adjustment processing. Thereafter, the wafer W is transferred by the wafer transfer apparatus 70 to, for example, the lower antireflective film forming apparatus 31 of the first block G1, and the lower antireflective film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 of the second block G2 and heat treatment is performed. Thereafter, the wafer W is returned to the delivery device 53 of the third block G3.

次に、ウェハＷは、ウェハ搬送装置９０によって同じ第３のブロックＧ３の受け渡し装置５４に搬送される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第２のブロックＧ２の疎水化処理装置４１に搬送され、疎水化処理が行われる。   Next, the wafer W is transferred by the wafer transfer apparatus 90 to the delivery apparatus 54 of the same third block G3. Thereafter, the wafer W is transferred by the wafer transfer apparatus 70 to the hydrophobization processing apparatus 41 of the second block G2, and the hydrophobization processing is performed.

その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によってレジスト塗布装置３２に搬送され、ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理装置４０に搬送されて、プリベーク処理される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第３のブロックＧ３の受け渡し装置５５に搬送される。   Thereafter, the wafer W is transferred by the wafer transfer apparatus 70 to the resist coating apparatus 32, and a resist film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is transferred by the wafer transfer apparatus 70 to the heat treatment apparatus 40 and subjected to prebaking. Thereafter, the wafer W is transferred by the wafer transfer apparatus 70 to the delivery apparatus 55 of the third block G3.

次に、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって上部反射防止膜形成装置３３に搬送され、ウェハＷ上に上部反射防止膜が形成される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理装置４０に搬送されて、加熱され、温度調節される。その後、ウェハＷは、周辺露光装置４２に搬送され、周辺露光処理される。   Next, the wafer W is transferred by the wafer transfer apparatus 70 to the upper antireflective film forming apparatus 33, and the upper antireflective film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is transferred by the wafer transfer apparatus 70 to the heat treatment apparatus 40, heated, and temperature-controlled. Thereafter, the wafer W is transferred to the peripheral exposure device 42 and subjected to peripheral exposure processing.

その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第３のブロックＧ３の受け渡し装置５６に搬送される。   Thereafter, the wafer W is transferred by the wafer transfer apparatus 70 to the delivery apparatus 56 of the third block G3.

次に、ウェハＷは、ウェハ搬送装置９０によって受け渡し装置５２に搬送され、シャトル搬送装置８０によって第４のブロックＧ４の受け渡し装置６２に搬送される。その後、ウェハＷは、インターフェイスステーション１３のウェハ搬送装置１００によって露光装置１２に搬送され、所定のパターンで露光処理される。   Next, the wafer W is transferred by the wafer transfer apparatus 90 to the delivery apparatus 52 and transferred by the shuttle transfer apparatus 80 to the delivery apparatus 62 of the fourth block G4. Thereafter, the wafer W is transferred by the wafer transfer apparatus 100 of the interface station 13 to the exposure apparatus 12 and exposed in a predetermined pattern.

次に、ウェハＷは、ウェハ搬送装置１００によって第４のブロックＧ４の受け渡し装置６０に搬送される。その後、ウェハ搬送装置７０によって熱処理装置４０に搬送され、露光後ベーク処理される。   Next, the wafer W is transferred by the wafer transfer apparatus 100 to the delivery apparatus 60 of the fourth block G4. Thereafter, the wafer is transferred by the wafer transfer apparatus 70 to the heat treatment apparatus 40 and subjected to post-exposure bake processing.

次に、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって現像処理装置３０に搬送され、現像される。現像終了後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置９０によって熱処理装置４０に搬送され、ポストベーク処理される。   Next, the wafer W is transferred by the wafer transfer apparatus 70 to the development processing apparatus 30 and developed. After the development, the wafer W is transferred by the wafer transfer apparatus 90 to the heat treatment apparatus 40 and subjected to post-baking processing.

その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第３のブロックＧ３の受け渡し装置５０に搬送され、その後カセットステーション１０のウェハ搬送装置２３によって所定のカセット載置板２１のカセットＣに搬送される。こうして、一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。   Thereafter, the wafer W is transferred by the wafer transfer apparatus 70 to the delivery apparatus 50 of the third block G3 and then transferred by the wafer transfer apparatus 23 of the cassette station 10 to the cassette C of the predetermined cassette mounting plate 21. Thus, a series of photolithography steps are completed.

＜現像処理装置の構成＞
次に、上述した現像処理装置３０の構成について説明する。図４は、現像処理装置３０の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。図５は、現像処理装置３０の構成の概略を模式的に示す平面図である。 <Configuration of Development Processing Apparatus>
Next, the configuration of the above-described development processing apparatus 30 will be described. FIG. 4 is a longitudinal cross-sectional view schematically showing the structure of the development processing device 30. As shown in FIG. FIG. 5 is a plan view schematically showing the structure of the development processing device 30. As shown in FIG.

現像処理装置３０には、図４に示すようにウェハＷを保持する基板保持部としてのスピンチャック３００が設けられている。スピンチャック３００は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハＷをスピンチャック３００上に吸着保持できる。   The development processing apparatus 30 is provided with a spin chuck 300 as a substrate holding unit for holding the wafer W as shown in FIG. The spin chuck 300 has a horizontal upper surface, and a suction port (not shown) for suctioning the wafer W, for example, is provided on the upper surface. The wafer W can be adsorbed and held on the spin chuck 300 by suction from the suction port.

スピンチャック３００は、シャフト３０１を介して、スピンチャック３００の下方に設けられた駆動部３０２に接続されている。この駆動部３０２により、スピンチャック３００は所定の速度に回転でき、さらにスピンチャック３００は昇降自在になっている。   The spin chuck 300 is connected to a drive unit 302 provided below the spin chuck 300 via a shaft 301. The spin chuck 300 can be rotated at a predetermined speed by the driving unit 302, and the spin chuck 300 can be moved up and down.

スピンチャック３００に保持されたウェハＷの裏面側には、ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン３１０が、例えば３本設けられている。昇降ピン３１０は、昇降部３１１によって昇降自在になっている。   On the back surface side of the wafer W held by the spin chuck 300, for example, three elevating pins 310 for supporting and elevating the wafer W from below are provided. The lift pins 310 can be lifted and lowered by the lift unit 311.

スピンチャック３００の上方には、ウェハＷの表面に処理液としての現像液を供給する、処理液供給部としての現像液ノズル３２０が設けられている。現像液ノズル３２０には、現像液供給源３２１に連通する供給管３２２が接続されている。現像液供給源３２１内には、現像液が貯留されている。供給管３２２には、現像液の流れを制御するバルブや流量調節部などを含む供給機器群３２３が設けられている。   Above the spin chuck 300, a developer nozzle 320 is provided as a processing liquid supply unit for supplying a developer as a processing liquid to the surface of the wafer W. A supply pipe 322 communicating with the developer supply source 321 is connected to the developer nozzle 320. The developer is stored in the developer supply source 321. The supply pipe 322 is provided with a supply device group 323 including a valve for controlling the flow of the developing solution, a flow rate adjuster, and the like.

現像液ノズル３２０は、図５に示すようにＸ方向に延伸する長尺状のスリットノズルである。現像液ノズル３２０の下端面には、例えばウェハＷの径よりも長く形成されたスリット状の吐出口３２０ａが形成されている。   The developer nozzle 320 is a long slit nozzle extending in the X direction as shown in FIG. On the lower end surface of the developing solution nozzle 320, for example, a slit-like discharge port 320a formed longer than the diameter of the wafer W is formed.

現像液ノズル３２０は、アーム３２４を介して駆動部３２５に接続されている。アーム３２４は、駆動部３２５により、Ｙ方向（図５の左右方向）に延伸するガイドレール３２６に沿って、後述する外カップ３６１のＹ方向負方向（図５の左方向）側の外方に設けられた待機部３２７からウェハＷの上方まで移動でき、さらに当該ウェハＷの表面上をウェハＷの径方向に移動できる。また、アーム３２４は、駆動部３２５によって昇降自在であり、現像液ノズル３２０の高さを調節できる。   The developer nozzle 320 is connected to the drive unit 325 via an arm 324. The arm 324 extends outward in the Y direction negative direction (left direction in FIG. 5) of an outer cup 361 described later along a guide rail 326 extending in the Y direction (left and right direction in FIG. 5) by the drive portion 325. The wafer W can be moved from the provided standby portion 327 to the upper side of the wafer W, and can be moved in the radial direction of the wafer W on the surface of the wafer W. Further, the arm 324 can be raised and lowered by the drive unit 325, and the height of the developer nozzle 320 can be adjusted.

スピンチャック３００の上方には、図４に示すようにウェハＷの表面に現像液のリンス液を供給するリンス液ノズル３３０が設けられている。リンス液ノズル３３０には、リンス液供給源３３１に連通する供給管３３２が接続されている。リンス液供給源３３１内には、例えば純水（ＤＩＷ）などのリンス液が貯留されている。供給管３３２には、リンス液の流れを制御するバルブや流量調節部などを含む供給機器群３３３が設けられている。   Above the spin chuck 300, as shown in FIG. 4, a rinse liquid nozzle 330 for supplying a rinse liquid of a developer to the surface of the wafer W is provided. A supply pipe 332 communicating with the rinse liquid supply source 331 is connected to the rinse liquid nozzle 330. In the rinse liquid supply source 331, a rinse liquid such as pure water (DIW) is stored, for example. The supply pipe 332 is provided with a supply device group 333 including a valve for controlling the flow of the rinse liquid, a flow rate adjuster, and the like.

リンス液ノズル３３０は、図５に示すようにアーム３３４を介して駆動部３３５に接続されている。アーム３３４は、駆動部３３５により、ガイドレール３２６に沿って、後述する外カップ３６１のＹ方向正方向（図５の右方向）側の外方に設けられた待機部３３６からウェハＷの上方まで移動でき、さらに当該ウェハＷの表面上をウェハＷの径方向に移動できる。また、アーム３３４は、駆動部３３５によって昇降自在であり、リンス液ノズル３３０の高さを調節できる。   The rinse liquid nozzle 330 is connected to the drive unit 335 via an arm 334 as shown in FIG. The arm 334 extends from the standby portion 336 provided on the outer side of the Y-direction forward direction (right direction in FIG. 5) of the outer cup 361 described later along the guide rail 326 from the drive portion 335 to the upper side of the wafer W. It can move, and can move in the radial direction of the wafer W on the surface of the wafer W. In addition, the arm 334 can be raised and lowered by the drive unit 335, and the height of the rinse solution nozzle 330 can be adjusted.

スピンチャック３００に保持されたウェハＷの外縁部上方には、図４に示すようにウェハＷの反りを計測する反り計測部３４０が設けられている。反り計測部３４０には、例えばレーザ変位計が用いられる。反り計測部３４０は、スピンチャック３００に保持されたウェハＷを３６０度回転させ、ウェハＷの外縁部全周の高さ方向の変位を測定する。また、反りのない平坦なウェハＷをスピンチャック３００で保持した状態の、当該ウェハの高さ方向の基準値を予め把握しておく。そして、反り計測部３４０で測定されたウェハＷの外縁部の変位と、基準値との差から、ウェハＷの反り量を計測する。反り計測部３４０で計測されたウェハＷの反り情報は、上述した制御部２００に出力される。   Above the outer edge portion of the wafer W held by the spin chuck 300, as shown in FIG. 4, a warpage measurement unit 340 that measures the warpage of the wafer W is provided. For example, a laser displacement meter is used for the warpage measurement unit 340. The warpage measurement unit 340 rotates the wafer W held by the spin chuck 300 by 360 degrees, and measures the displacement in the height direction of the entire periphery of the outer edge portion of the wafer W. In addition, a reference value in the height direction of the wafer in which the flat wafer W without warpage is held by the spin chuck 300 is grasped in advance. Then, the amount of warpage of the wafer W is measured from the difference between the displacement of the outer edge portion of the wafer W measured by the warpage measurement unit 340 and the reference value. The warpage information of the wafer W measured by the warpage measurement unit 340 is output to the control unit 200 described above.

スピンチャック３００の下方には、ウェハＷの裏面の外周部にリンス液を噴射する、リンス液供給部としてのバックリンスノズル３５０が複数設けられている。バックリンスノズル３５０は、リンス液供給源３５１に連通する供給管３５２が接続されている。リンス液供給源３５１内には、例えば純水（ＤＩＷ）などのリンス液が貯留されている。なお、リンス液供給源３５１は上述したリンス液供給源３３１と共通に設けられていてもよい。供給管３５２には、リンス液の流れを制御するバルブや流量調節部などを含む供給機器群３５３が設けられている。   Below the spin chuck 300, a plurality of back rinse nozzles 350 as a rinse liquid supply unit are provided to spray the rinse liquid onto the outer peripheral portion of the back surface of the wafer W. The back rinse nozzle 350 is connected to a supply pipe 352 communicating with the rinse liquid supply source 351. In the rinse liquid supply source 351, for example, a rinse liquid such as pure water (DIW) is stored. The rinse liquid supply source 351 may be provided commonly to the above-described rinse liquid supply source 331. The supply pipe 352 is provided with a supply device group 353 including a valve for controlling the flow of the rinse liquid, a flow rate adjuster, and the like.

スピンチャック３００の側方には、スピンチャック３００に保持されたウェハＷを取り囲むようにカップ体３６０が設けられている。カップ体３６０は、外カップ３６１と内カップ３６２を備えている。外カップ３６１は上部側が四角形状であり、下部側が円筒状を有している。外カップ３６１の下部側には段部３６１ａが設けられており、この段部３６１ａには、外カップ３６１を昇降させるための昇降部３６３が接続されている。内カップ３６２は円筒状を有し、その上部側が内側に傾斜している。内カップ３６２は、外カップ３６１の上昇時に、その下端面が段部３６１ａと当接することによって上方へ押し上げられる。この結果、ウェハＷから現像液を除去する際には、カップ体３６０（外カップ３６１及び内カップ３６２）を上昇させて、ウェハＷから飛散する液を受け止めることができる。   A cup body 360 is provided on the side of the spin chuck 300 so as to surround the wafer W held by the spin chuck 300. The cup body 360 includes an outer cup 361 and an inner cup 362. The outer cup 361 has a rectangular shape on the upper side and a cylindrical shape on the lower side. A stepped portion 361a is provided on the lower side of the outer cup 361, and a lifting portion 363 for moving the outer cup 361 up and down is connected to the stepped portion 361a. The inner cup 362 has a cylindrical shape, and its upper side is inclined inward. When the outer cup 361 ascends, the lower surface of the inner cup 362 is pushed upward by the abutment of the lower end surface with the step 361a. As a result, when the developer is removed from the wafer W, the cup body 360 (the outer cup 361 and the inner cup 362) can be lifted to receive the liquid splashed from the wafer W.

カップ体３６０の下方には、カップ体３６０で回収された液体を回収し、排出するための液受け部３７０が設けられている。液受け部３７０の底面には液受け部３７０内の気体及び液体を排出する排出管３７１が接続され、排出管３７１の下流側に設けられた気液分離器（図示せず）を介して気液分離が行われる。気液分離後の排液は（図示せず）の排液タンクに回収される。   Below the cup body 360, a liquid receiver 370 for collecting and discharging the liquid collected by the cup body 360 is provided. A discharge pipe 371 for discharging the gas and liquid in the liquid receiving portion 370 is connected to the bottom of the liquid receiving portion 370, and a gas-liquid separator (not shown) provided on the downstream side of the discharge pipe 371 is connected. Liquid separation is performed. The drainage after gas-liquid separation is collected in a drainage tank (not shown).

スピンチャック３００の下方には、円形板３８０が設けられており、円形板３８０の外側には断面形状が山型の環状のガイド部材３８１が設けられている。ガイド部材３８１は、ウェハＷよりこぼれ落ちた現像液やリンス液を、円形板３８０の外側に設けられた液受け部３７０へとガイドする。   A circular plate 380 is provided below the spin chuck 300, and an annular guide member 381 having a mountain-shaped cross section is provided outside the circular plate 380. The guide member 381 guides the developer and rinse liquid spilled from the wafer W to the liquid receiving portion 370 provided on the outer side of the circular plate 380.

ガイド部材３８１の頂部には、環状のリング部材３８２が設けられている。リング部材３８２は、ウェハＷより小さい径を有しており、ウェハＷの裏面外縁部側に設けられている。具体的には、リング部材３８２は、ウェハＷの外側面から例えば６５ｍｍの位置に配置されている。リング部材３８２は、ウェハＷの裏面に対向する上端部がナイフエッジ形状を有しており、いわゆるナイフエッジリングを構成している。また、リング部材３８２の上面３８２ａは平坦面となっている。   An annular ring member 382 is provided at the top of the guide member 381. The ring member 382 has a diameter smaller than that of the wafer W, and is provided on the back surface outer edge side of the wafer W. Specifically, the ring member 382 is disposed at a position of, for example, 65 mm from the outer surface of the wafer W. The ring member 382 has a knife edge shape at the upper end opposite to the back surface of the wafer W, and constitutes a so-called knife edge ring. Further, the upper surface 382a of the ring member 382 is a flat surface.

ガイド部材３８１とリング部材３８２には、昇降部３８３が接続されている。この昇降部３８３により、リング部材３８２は昇降自在であり、ウェハＷの裏面に対して近接、離間自在に構成されている。昇降部３８３は、ガイド部材３８１とリング部材３８２を昇降できるものであれば特に限定されるものではないが、例えば圧電素子やモータなどのアクチュエータが用いられる。   An elevator 383 is connected to the guide member 381 and the ring member 382. The ring member 382 is movable up and down by the elevator 383, and is configured to be close to and separated from the back surface of the wafer W. The elevation unit 383 is not particularly limited as long as it can raise and lower the guide member 381 and the ring member 382, but for example, an actuator such as a piezoelectric element or a motor is used.

なお、例えばリング部材３８２がガイド部材３８１とは別に設けられている場合には、昇降部３８３はリング部材３８２のみを昇降させるようにしてもよい。   For example, when the ring member 382 is provided separately from the guide member 381, the elevating unit 383 may move only the ring member 382 up and down.

リング部材３８２は、現像液ノズル３２０からウェハＷの表面に供給された現像液が、当該表面から裏面に回り込むのを抑制するために用いられる。具体的には、現像時において、昇降部３８３によりリング部材３８２をウェハＷの裏面に近接して配置し、ウェハＷの裏面とリング部材３８２の上面３８２ａを所定距離にする。そうすると、ウェハＷの裏面とリング部材３８２の上面３８２ａの間で現像液による液シールが形成され、これによりウェハＷの裏面に対してさらに回り込もうとする現像液を受け止め、吸収することができる。なお、この液シールを適切に形成するため、上述したように上面３８２ａは平坦面となっている。   The ring member 382 is used to prevent the developer supplied from the developer nozzle 320 to the front surface of the wafer W from flowing from the front surface to the rear surface. Specifically, at the time of development, the ring member 382 is disposed close to the back surface of the wafer W by the elevation unit 383, and the back surface of the wafer W and the top surface 382a of the ring member 382 are set to a predetermined distance. Then, a liquid seal with a developer is formed between the back surface of wafer W and the upper surface 382 a of ring member 382, thereby receiving and absorbing the developer that tends to wrap around with respect to the back surface of wafer W. . In addition, in order to form this liquid seal appropriately, the upper surface 382a is a flat surface as described above.

現像時におけるリング部材３８２の位置は、制御部２００で制御される。制御部２００では、反り計測部３４０で計測されたウェハＷの反り情報に基づいて、ウェハＷの反り状態にかかわらず、ウェハＷの裏面とリング部材３８２の上面３８２ａとの間が常に所定距離になるように、リング部材３８２の位置を制御する。例えば制御部２００では、反りのない平坦なウェハＷに対するリング部材３８２の基準位置を予め把握しておく。そして、ウェハＷの反り情報、すなわち反り量を、リング部材３８２の基準位置からの差分として用いて、リング部材３８２の位置を算出する。   The position of the ring member 382 during development is controlled by the control unit 200. In control unit 200, based on the warpage information of wafer W measured by warpage measurement unit 340, the distance between the back surface of wafer W and the upper surface 382a of ring member 382 is always a predetermined distance regardless of the warpage state of wafer W. To control the position of the ring member 382. For example, in the control unit 200, the reference position of the ring member 382 with respect to the flat wafer W without warpage is grasped in advance. Then, using the warpage information of the wafer W, that is, the warpage amount, as the difference from the reference position of the ring member 382, the position of the ring member 382 is calculated.

なお、ウェハＷの裏面に対する現像液の回り込みやすさは、現像液の種類、ウェハＷの裏面の表面状態などにより変化する。例えばウェハＷ上に供給される現像液に活性剤が添加されている場合には、活性剤が添加されていない場合に比べて回り込みが発生しにくい。また、例えばウェハＷの裏面の接触角が大きく、当該裏面の疎水性が強くなっていると、疎水性が弱い場合と比べて回り込みが発生しやすくなる。これら現像液の種類やウェハＷの裏面の表面状態などにかかる固定条件に関しても、予め制御部２００に設定登録をすることにより考慮されるようにすることが望ましい。   The ease with which the developing solution wraps around the back surface of the wafer W changes depending on the type of the developing solution, the surface condition of the back surface of the wafer W, and the like. For example, when the activator is added to the developing solution supplied onto the wafer W, wraparound is less likely to occur compared to the case where the activator is not added. Further, for example, when the contact angle on the back surface of the wafer W is large and the hydrophobicity on the back surface is strong, wraparound is likely to occur as compared to the case where the hydrophobicity is weak. It is desirable that the fixing conditions for the type of the developer and the surface condition of the back surface of the wafer W be taken into consideration by performing setting registration in the control unit 200 in advance.

＜現像処理装置の動作＞
次に、以上のように構成された現像処理装置３０を用いて行われる現像処理について説明する。図６は、現像処理の各工程を模式的に示した説明図である。 <Operation of Development Processing Device>
Next, development processing performed using the development processing apparatus 30 configured as described above will be described. FIG. 6 is an explanatory view schematically showing each step of development processing.

先ず、ウェハ搬送装置７０の搬送アーム７０ａによってウェハＷが現像処理装置３０に搬入される。搬入されたウェハＷは、搬送アーム７０ａから予め昇降して待機していた昇降ピン３１０に受け渡される。続いて、昇降ピン３１０が下降し、ウェハＷはスピンチャック３００に保持される。   First, the wafer W is carried into the development processing apparatus 30 by the transfer arm 70 a of the wafer transfer apparatus 70. The wafer W carried in is delivered from the transfer arm 70a to the lift pins 310 which have been lifted and lowered in advance. Subsequently, the lift pins 310 are lowered, and the wafer W is held by the spin chuck 300.

その後、図６（ａ）に示すようにスピンチャック３００に保持されたウェハＷを３６０度回転させ、反り計測部３４０によってウェハＷの外縁部全周の変位を測定して、ウェハＷの反りが計測される。反り計測部３４０で計測されたウェハＷの反り情報は、制御部２００に出力される。   Thereafter, as shown in FIG. 6A, the wafer W held by the spin chuck 300 is rotated 360 degrees, and the displacement of the entire periphery of the outer edge portion of the wafer W is measured by the warpage measurement unit 340. It is measured. The warpage information of the wafer W measured by the warpage measurement unit 340 is output to the control unit 200.

なお、本実施形態では、反り計測部３４０による反り計測は、ウェハＷ毎に枚葉に行われる。但し、反り計測のタイミングはこれに限定されず、例えばロット毎にしてもよく、かかる場合ロットの先頭のウェハＷに対して反りが計測される。あるいは、ウェハ処理の処理レシピが変わる毎に、ウェハＷの反りを計測してもよい。   In the present embodiment, warpage measurement by the warpage measurement unit 340 is performed on a wafer basis for each wafer W. However, the timing of warpage measurement is not limited to this, and may be, for example, every lot, and in this case, warpage is measured with respect to the leading wafer W of the lot. Alternatively, warpage of the wafer W may be measured each time the processing recipe of the wafer processing changes.

制御部２００では、ウェハＷの反り情報に基づいて、ウェハＷの裏面とリング部材３８２の上面３８２ａとの間が距離Ｈ１になる、リング部材３８２の位置を算出する。算出されたリング部材３８２の位置は昇降部３８３に出力され、昇降部３８３により、リング部材３８２が当該位置に配置される。すなわち、図７（ａ）に示すようにウェハＷが凹型に反っている場合（ウェハＷの外縁部が上方に反っている場合）、昇降部３８３によってリング部材３８２を上昇させる。一方、図７（ｂ）に示すようにウェハＷが凸型に反っている場合（ウェハＷの外縁部が下方に反っている場合）、昇降部３８３によってリング部材３８２を下降させる。なお、本実施形態では、距離Ｈ１は例えば１．０ｍｍ±０．２ｍｍである。   Based on the warpage information of the wafer W, the control unit 200 calculates the position of the ring member 382 at which the distance H1 is between the back surface of the wafer W and the upper surface 382a of the ring member 382. The calculated position of the ring member 382 is output to the elevation unit 383, and the ring member 382 is disposed at the position by the elevation unit 383. That is, as shown in FIG. 7A, when the wafer W is warped in a concave shape (when the outer edge portion of the wafer W is warped upward), the ring member 382 is raised by the elevation unit 383. On the other hand, as shown in FIG. 7B, when the wafer W is warped in a convex shape (when the outer edge portion of the wafer W is warped downward), the ring member 382 is lowered by the elevation unit 383. In the present embodiment, the distance H1 is, for example, 1.0 mm ± 0.2 mm.

なお、例えばウェハＷの反りが全周において均一でない場合、すなわちウェハＷの外縁部の反り量が周方向に不均一であり、外縁位置によって反り具合が変わる場合には、最も反りが小さかった箇所におけるウェハＷの裏面とリング部材３８２の上面３８２ａとの間が距離Ｈ１になるように、リング部材３８２の位置が制御される。なお、本実施形態では、最小の距離Ｈ１は例えば１．０ｍｍ±０．２ｍｍである。   If, for example, the warpage of the wafer W is not uniform all around, that is, the warpage amount of the outer edge of the wafer W is uneven in the circumferential direction and the degree of warpage changes depending on the outer edge position, the place where the warpage is smallest The position of the ring member 382 is controlled such that the distance H1 is provided between the back surface of the wafer W and the upper surface 382a of the ring member 382. In the present embodiment, the minimum distance H1 is, for example, 1.0 mm ± 0.2 mm.

その後、図６（ｂ）に示すようにアーム３２４によって待機部３２７の現像液ノズル３２０をウェハＷの外縁部（一端部）の上方まで移動させる。そして、現像液ノズル３２０の吐出口３２０ａから表面張力によって現像液Ｄを露出させる。その後、現像液ノズル３２０を下降させて現像液ＤをウェハＷの表面に接触させた状態で、現像液ノズル３２０をウェハＷの径方向に移動させる。この際、吐出口３２０ａから露出する現像液Ｄは、表面張力の作用によってウェハＷの表面に順次供給される。   Thereafter, as shown in FIG. 6B, the developer nozzle 320 of the standby portion 327 is moved to the upper side of the outer edge portion (one end portion) of the wafer W by the arm 324. Then, the developer D is exposed from the discharge port 320 a of the developer nozzle 320 by surface tension. Thereafter, the developer nozzle 320 is moved in the radial direction of the wafer W while the developer nozzle 320 is lowered to bring the developer D into contact with the surface of the wafer W. Under the present circumstances, the developing solution D exposed from the discharge outlet 320a is sequentially supplied to the surface of the wafer W by the effect | action of surface tension.

そして、図６（ｃ）に示すように現像液ノズル３２０をウェハＷの外縁部（他端部）まで移動させて、ウェハＷの表面全体に現像液Ｄが供給され、パドルが形成される。この現像液Ｄのパドルによって、ウェハＷ上のレジスト膜が現像される。   Then, as shown in FIG. 6C, the developer nozzle 320 is moved to the outer edge (the other end) of the wafer W so that the developer D is supplied over the entire surface of the wafer W, and a paddle is formed. The paddle of the developer D develops the resist film on the wafer W.

このように現像液Ｄを用いて現像処理を行う際、図８に示すようにウェハＷの表面に供給された現像液Ｄは、ウェハＷの外縁部を介して裏面に回り込んでしまう。そして、現像液Ｄが後述の裏面洗浄における洗浄範囲外、すなわちウェハＷの裏面の内側まで回り込んでしまうと、ウェハＷの裏面の汚染の原因となってしまう。この点、本実施形態では、ウェハＷの裏面とリング部材３８２の上面３８２ａとの間が距離Ｈ１に維持されているため、現像液ＤはウェハＷの裏面とリング部材３８２の上面３８２ａとの間に受けとめられ、液シール（液膜）Ｄｓを形成する。この液シールＤｓにより、ウェハＷの裏面に現像液Ｄが回り込むことを抑制することができる。   As described above, when the developing process is performed using the developing solution D, the developing solution D supplied to the surface of the wafer W wraps around to the back surface through the outer edge portion of the wafer W as shown in FIG. Then, if the developer D gets out of the cleaning range in backside cleaning described later, that is, the inside of the backside of the wafer W, it causes contamination of the backside of the wafer W. In this respect, in the present embodiment, since the distance H1 is maintained between the back surface of the wafer W and the top surface 382a of the ring member 382, the developer D is between the back surface of the wafer W and the top surface 382a of the ring member 382 Form a liquid seal (liquid film) Ds. The liquid seal Ds can prevent the developer D from flowing around the back surface of the wafer W.

また、リング部材３８２の上面３８２ａは平坦面を形成しているため、液シールＤｓの幅が広くなり、液シールＤｓによる回り込み防止効果を向上させることができる。   In addition, since the upper surface 382a of the ring member 382 forms a flat surface, the width of the liquid seal Ds becomes wide, and the effect of preventing the liquid seal Ds from coming around can be improved.

また、本実施形態では、反り計測部３４０で計測されたウェハＷの反り情報に基づいてリング部材３８２の位置が調節されているため、例えウェハＷに反りが生じていた場合でも、現像液ＤのウェハＷの裏面側への回り込みを適切に抑制することができる。   Further, in the present embodiment, since the position of the ring member 382 is adjusted based on the warpage information of the wafer W measured by the warpage measurement unit 340, even if warpage occurs in the wafer W, the developing solution D The wraparound to the back surface side of the wafer W can be appropriately suppressed.

次に、現像液Ｄによる現像が終了すると、アーム３２４によって現像液ノズル３２０を待機部３２７に移動させた後、図６（ｄ）に示すようにアーム３３４によって待機部３３６のリンス液ノズル３３０をウェハＷの中心部の上方まで移動させる。その後、スピンチャック３００によってウェハＷを回転させながら、リンス液ノズル３３０からウェハＷの表面にリンス液Ｒ１を供給する。供給されたリンス液Ｒ１は遠心力によりウェハＷの表面全面に拡散されて、当該表面が洗浄される。   Next, when development by the developer D is completed, the developer nozzle 320 is moved to the standby portion 327 by the arm 324, and then the rinse liquid nozzle 330 of the standby portion 336 is moved by the arm 334 as shown in FIG. The wafer W is moved to above the center of the wafer. Thereafter, while the wafer W is rotated by the spin chuck 300, the rinse liquid R1 is supplied from the rinse liquid nozzle 330 to the surface of the wafer W. The supplied rinse solution R1 is diffused over the entire surface of the wafer W by centrifugal force to clean the surface.

このようにリンス液Ｒ１を用いて洗浄処理を行う際にも、ウェハＷの裏面とリング部材３８２の上面３８２ａとの間は距離Ｈ１に維持されており、現像液Ｄの液シールＤｓが形成されている。この液シールＤｓにより、これにより、ウェハＷの表面に供給されたリンス液Ｒ１が裏面に回り込むことを抑制することができる。   As described above, also when the cleaning process is performed using the rinse solution R1, the distance H1 is maintained between the back surface of the wafer W and the upper surface 382a of the ring member 382, and the liquid seal Ds of the developing solution D is formed. ing. By this liquid seal Ds, it is possible to suppress the rinse liquid R1 supplied to the front surface of the wafer W from coming around the rear surface.

続いて所定時間経過後、図６（ｅ）に示すようにスピンチャック３００によるウェハＷの回転を継続し、またリンス液ノズル３３０からのリンス液Ｒ１の供給を継続したままの状態で、バックリンスノズル３５０からのリンス液Ｒ２によるウェハＷの裏面の洗浄を開始する   Subsequently, after a predetermined time has elapsed, as shown in FIG. 6E, the rotation of the wafer W by the spin chuck 300 is continued, and the back rinse is performed while the supply of the rinse solution R1 from the rinse solution nozzle 330 is continued. Cleaning of the back surface of wafer W by rinse liquid R2 from nozzle 350 is started

ウェハＷの裏面洗浄に際しては、先ず、図９に示すようにウェハＷの裏面とリング部材３８２の上面３８２ａとの間が距離Ｈ２になるように、昇降部３８３によりリング部材３８２を下降させる。本実施形態では、距離Ｈ２は、例えば距離Ｈ１における高さ位置から１．０ｍｍ程度下降した位置である。続いて、バックリンスノズル３５０からウェハＷの裏面の外周部にリンス液Ｒ２を噴射する。   At the time of back surface cleaning of the wafer W, first, as shown in FIG. 9, the ring member 382 is lowered by the elevation unit 383 such that a distance H2 is provided between the back surface of the wafer W and the upper surface 382a of the ring member 382. In the present embodiment, the distance H2 is, for example, a position lowered about 1.0 mm from the height position at the distance H1. Subsequently, the rinse liquid R2 is jetted from the back rinse nozzle 350 to the outer peripheral portion of the back surface of the wafer W.

このようにウェハＷの裏面にリンス液Ｒ２を噴射する前に、リング部材３８２を所定位置まで下降させているので、リンス液Ｒ２がリング部材３８２に干渉して残存することを抑制することができる。そして、このようにリング部材３８２にリンス液Ｒ２が残存しないので、ウェハＷの裏面に液滴が付着するのを抑制することができ、その結果、従来のように液滴に起因するウェハＷの表面欠陥を抑制することができる。   As described above, since the ring member 382 is lowered to a predetermined position before the rinse liquid R2 is sprayed onto the back surface of the wafer W, it is possible to suppress the rinse liquid R2 from interfering with the ring member 382 and remaining. . Then, since the rinse liquid R2 does not remain on the ring member 382 as described above, it is possible to suppress the deposition of droplets on the back surface of the wafer W, and as a result, the wafer W caused by droplets as in the related art. Surface defects can be suppressed.

その後、リンス液Ｒ１によるウェハＷの表面洗浄とリンス液Ｒ２によるウェハＷの裏面洗浄が十分に行われた後、図６（ｆ）に示すようにリンス液ノズル３３０からのリンス液Ｒ１の供給を停止するとともに、バックリンスノズル３５０からのリンス液Ｒ２の供給を停止する。そして、スピンチャック３００によってウェハＷの回転を継続し、ウェハＷの表面に供給されたリンス液Ｒ１を振り切って除去し、当該表面を乾燥させる。   Thereafter, after the front surface cleaning of the wafer W by the rinse liquid R1 and the rear surface cleaning of the wafer W by the rinse liquid R2 are sufficiently performed, the supply of the rinse liquid R1 from the rinse liquid nozzle 330 is performed as shown in FIG. At the same time, the supply of the rinse liquid R2 from the back rinse nozzle 350 is stopped. Then, the rotation of the wafer W is continued by the spin chuck 300, the rinse liquid R1 supplied to the surface of the wafer W is shaken off and removed, and the surface is dried.

その後、アーム３３４によってリンス液ノズル３３０を待機部３３６に移動させた後、ウェハ搬送装置７０の搬送アーム７０ａによってウェハＷが現像処理装置３０から搬出される。こうして、一連のウェハＷに対する現像処理が終了する。   Thereafter, after the rinse liquid nozzle 330 is moved to the standby unit 336 by the arm 334, the wafer W is unloaded from the development processing apparatus 30 by the transfer arm 70 a of the wafer transfer apparatus 70. Thus, the development processing on the series of wafers W is completed.

以上の実施形態によれば、現像液Ｄによる現像中、反り計測部３４０で計測されたウェハＷの反り情報に基づいて、ウェハＷの裏面とリング部材３８２の上面３８２ａとの間が距離Ｈ１になるようにリング部材３８２の位置が調節されているため、例えウェハＷに反りが生じていた場合でも、現像液ＤのウェハＷの裏面側への回り込みを適切に抑制することができる。   According to the above embodiment, during development with the developer D, based on the warpage information of the wafer W measured by the warpage measurement unit 340, the distance H1 between the back surface of the wafer W and the upper surface 382a of the ring member 382 is Since the position of the ring member 382 is adjusted as described above, even if the wafer W is warped, the wraparound of the developing solution D to the back side of the wafer W can be appropriately suppressed.

また、リンス液Ｒ２による裏面洗浄中、ウェハＷの裏面とリング部材３８２の上面３８２ａとの間が距離Ｈ２になるようにリング部材３８２を下降させているので、リンス液Ｒ２がリング部材３８２に干渉して残存することを抑制することができる。なお、ウェハＷの裏面とリング部材３８２の上面３８２ａとの間が距離Ｈ１であっても、その距離Ｈ１は適切であるため、裏面洗浄終了後に、リング部材３８２にリンス液Ｒ２が残存するのを抑えることができる。但し、本実施形態のようにリング部材３８２を下降させることで、リンス液Ｒ２がリング部材３８２に残存するのをより確実に抑制することができる。   Further, since the ring member 382 is lowered such that the distance H2 is between the back surface of the wafer W and the upper surface 382a of the ring member 382 during back surface cleaning with the rinse liquid R2, the rinse liquid R2 interferes with the ring member 382 Can be suppressed. Since the distance H1 is appropriate even if the distance H1 is between the back surface of the wafer W and the top surface 382a of the ring member 382, the rinse liquid R2 remains on the ring member 382 after the back surface cleaning is completed. It can be suppressed. However, by lowering the ring member 382 as in the present embodiment, the rinse liquid R2 can be more reliably suppressed from remaining on the ring member 382.

＜他の実施形態＞
次に、本発明の他の実施形態について説明する。 Other Embodiments
Next, another embodiment of the present invention will be described.

上記実施形態の現像処理装置３０において、図１０に示すようにリング部材３８２にエアガスを噴射する、ガス供給部としてのガスノズル４００がさらに設けられていてもよい。ガスノズル４００は、例えばリング部材３８２の内側において、ガイド部材３８１上に環状に設けられている。ガスノズル４００には、全周に亘ってガス噴出口（図示せず）が形成され、リング部材３８２の全周にエアガスを噴射できるようになっている。   In the development processing apparatus 30 of the above-described embodiment, as shown in FIG. 10, a gas nozzle 400 may be further provided as a gas supply unit for injecting an air gas to the ring member 382. The gas nozzle 400 is annularly provided on the guide member 381, for example, inside the ring member 382. A gas nozzle (not shown) is formed on the entire circumference of the gas nozzle 400 so that the air gas can be injected to the entire circumference of the ring member 382.

かかる場合、例えば図６（ｅ）に示したようにリンス液Ｒ２によるウェハＷの裏面洗浄が終了後に、図１１に示すように、万一リング部材３８２にリンス液Ｒ２の液滴が残存しても、ガスノズル４００から噴射されたエアガスによって当該リンス液Ｒ２の液滴が吹き飛ばされて除去される。したがって、リング部材３８２への液滴の残存をより確実に抑制することができる。なお、ガスノズル４００からのエアガスの噴射は、図６（ｆ）に示したウェハＷの表面の乾燥後に行ってもよいし、あるいは当該表面の乾燥中に行ってもよい。   In such a case, for example, as shown in FIG. 6E, after the back surface cleaning of the wafer W by the rinse liquid R2 is completed, droplets of the rinse liquid R2 remain on the ring member 382 as shown in FIG. Also, the droplets of the rinse liquid R2 are blown off and removed by the air gas jetted from the gas nozzle 400. Therefore, the remaining of the droplets on the ring member 382 can be suppressed more reliably. The injection of the air gas from the gas nozzle 400 may be performed after drying of the surface of the wafer W illustrated in FIG. 6F, or may be performed during the drying of the surface.

なお、例えばリンス液Ｒ２によるウェハＷの裏面洗浄が不十分な場合、リング部材３８２上に現像液Ｄが残存することもあり得る。このような場合に対応し、ガスノズル４００からのエアガスの噴射は、ウェハＷの裏面とリング部材３８２の上面３８２ａとの間に形成された現像液Ｄの液シールＤｓを除去するために行われてもよい。   Note that, for example, when the back surface cleaning of the wafer W by the rinse liquid R2 is insufficient, the developer D may remain on the ring member 382. In such a case, the injection of air gas from the gas nozzle 400 is performed to remove the liquid seal Ds of the developer D formed between the back surface of the wafer W and the upper surface 382 a of the ring member 382. It is also good.

上記実施形態では、レーザ変位計である反り計測部３４０によってウェハＷの反りを測定していたが、ウェハＷの反りの測定方法はこれ限定されない。例えば反り計測部３４０としてカメラを用い、ウェハＷの外縁部を撮像して、撮像画像からウェハＷの反り量を算出してもよい。   In the above embodiment, the warpage of the wafer W is measured by the warpage measurement unit 340 which is a laser displacement meter, but the method of measuring the warpage of the wafer W is not limited to this. For example, using a camera as the warpage measurement unit 340, the outer edge portion of the wafer W may be imaged, and the warpage amount of the wafer W may be calculated from the captured image.

また、反り計測部３４０は、スピンチャック３００に保持されたウェハＷの外縁部下方に設けられていてもよい。かかる場合、反り計測部３４０には、例えば静電容量センサまたは超音波センサが用いられる。また、反り計測部３４０は、リング部材３８２の上面３８２ａまたはガイド部材３８１上において、複数設けられる。   In addition, the warpage measurement unit 340 may be provided below the outer edge of the wafer W held by the spin chuck 300. In such a case, for example, a capacitance sensor or an ultrasonic sensor is used for the warpage measurement unit 340. In addition, a plurality of warpage measurement parts 340 are provided on the upper surface 382 a of the ring member 382 or the guide member 381.

また、反り計測部３４０によるウェハＷの反り計測は、現像液Ｄにより現像を行う前、より詳細にはウェハＷの裏面とリング部材３８２の上面３８２ａとの間が距離Ｈ１になるように、昇降部３８３によりリング部材３８２が配置される前に行われていたが、昇降部３８３によるリング部材３８２の昇降中に行われてもよい。かかる場合、反り計測部３４０によって、ウェハＷの裏面とリング部材３８２の上面３８２ａとの間の距離を測定しながら、当該距離が最適な距離Ｈ１になるように昇降部３８３によりリング部材３８２を昇降させる。   The warpage measurement of the wafer W by the warpage measurement unit 340 moves up and down so that the distance H1 between the back surface of the wafer W and the top surface 382a of the ring member 382 is more specifically before developing with the developer D. Although it was performed before the ring member 382 is arrange | positioned by the part 383, it may be performed while raising / lowering the ring member 382 by the raising / lowering part 383. FIG. In such a case, while measuring the distance between the back surface of the wafer W and the upper surface 382a of the ring member 382 by the warpage measurement unit 340, the lifting and lowering unit 383 lifts and lowers the ring member 382 such that the distance becomes the optimum distance H1. Let

また、反り計測部３４０は、現像処理装置３０の外部に設けられていてもよい。かかる場合、反り計測部３４０は基板処理システム１の内部の任意の位置に配置される。そして、現像処理装置３０において現像処理が行われる前に、反り計測部３４０でウェハＷの反りを計測する。   The warpage measurement unit 340 may be provided outside the development processing apparatus 30. In such a case, the warpage measurement unit 340 is disposed at an arbitrary position inside the substrate processing system 1. Then, before the development processing is performed in the development processing apparatus 30, the warpage measurement unit 340 measures the warpage of the wafer W.

上記実施形態の現像処理装置３０には、リング部材３８２が１重に設けられていたが、同心状に複数設けられていてもよい。複数のリング部材３８２はそれぞれ独立して昇降自在に構成される。例えばウェハＷの反り状態に応じて、リング部材３８２の高さ位置を個別に調節することができる。具体的には、例えば図７（ａ）に示したようにウェハＷが凹型に反っている場合、外側のリング部材３８２の位置を高くし、内側のリング部材３８２の位置を低くする。一方、図７（ｂ）に示したようにウェハＷが凸型に反っている場合、外側のリング部材３８２の位置を低くし、内側のリング部材３８２の位置を高くする。そして、複数のリング部材３８２に対し、ウェハＷの裏面との距離を同じにする。かかる場合、複数のリング部材３８２において液シールＤｓを形成することができ、ウェハＷの表面に供給された現像液Ｄの裏面への回り込みをより確実に抑制することができる。   Although the ring member 382 is provided in a single layer in the development processing apparatus 30 of the above embodiment, a plurality of ring members may be provided concentrically. Each of the plurality of ring members 382 is configured to be movable up and down independently. For example, the height position of the ring member 382 can be adjusted individually according to the warped state of the wafer W. Specifically, for example, as shown in FIG. 7A, when the wafer W is warped in a concave shape, the position of the outer ring member 382 is raised and the position of the inner ring member 382 is lowered. On the other hand, as shown in FIG. 7B, when the wafer W is in a convex shape, the position of the outer ring member 382 is lowered and the position of the inner ring member 382 is raised. Then, the distance between the plurality of ring members 382 and the back surface of the wafer W is made the same. In such a case, the liquid seal Ds can be formed by the plurality of ring members 382, and wraparound of the developing solution D supplied to the front surface of the wafer W can be more reliably suppressed.

上記実施形態の現像処理装置３０では、スリットノズルである現像液ノズル３２０を用いて、ウェハＷを回転させずにウェハＷの表面に現像液Ｄの液パドルを形成する、いわゆる静止現像を行っていたが、回転現像を行ってもよい。回転現像では、例えばスピンチャック３００によってウェハＷを回転させながら、ウェハＷの中心部に現像液Ｄを供給し、遠心力により現像液ＤをウェハＷの表面全面に拡散させて現像を行う。このような回転現像においても、本発明の構成を適用することで、上述した効果を享受することができる。   In the development processing apparatus 30 of the above embodiment, so-called static development is performed in which the liquid paddle of the developing solution D is formed on the surface of the wafer W without rotating the wafer W using the developing solution nozzle 320 which is a slit nozzle. However, rotational development may be performed. In rotational development, for example, while the wafer W is rotated by the spin chuck 300, the developer D is supplied to the central portion of the wafer W, and the developer D is diffused over the entire surface of the wafer W by centrifugal force to perform development. Also in such rotational development, the above-described effects can be obtained by applying the configuration of the present invention.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to this example. It is apparent that those skilled in the art can conceive of various changes or modifications within the scope of the technical idea described in the claims, and the technical scope of the present invention is also natural for them. It is understood to belong to

本発明は、処理液を用いた基板処理に有用であり、特に現像液を用いた現像処理に有用である。   The present invention is useful for substrate processing using a processing solution, and is particularly useful for development processing using a developer.

１ 基板処理システム
３０ 現像処理装置
２００ 制御部
３００ スピンチャック
３２０ 現像液ノズル
３３０ リンス液ノズル
３４０ 反り計測部
３５０ バックリンスノズル
３８１ ガイド部材
３８２ リング部材
３８３ 昇降部
４００ ガスノズル
Ｄ 現像液
Ｄｓ 液シール
Ｒ１、Ｒ２ リンス液
Ｗ ウェハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 substrate processing system 30 development processing apparatus 200 control part 300 spin chuck 320 developer nozzle 330 rinse liquid nozzle 340 warpage measurement part 350 back rinse nozzle 381 guide member 382 ring member 383 lifting part 400 gas nozzle D developer Ds liquid seals R1, R2 Rinsing solution W Wafer

Claims (17)

基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の表面に処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板の裏面側に環状に設けられ、前記基板より小さい径を有するリング部材と、
前記リング部材を昇降させる昇降部と、
前記基板の反りを計測する反り計測部と、
前記反り計測部により計測された反り情報に基づいて、前記基板の裏面と前記リング部材との間が所定距離になるように前記昇降部を制御する制御部と、を備える、ことを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus for processing a substrate, wherein
A substrate holding unit for holding the substrate;
A processing liquid supply unit that supplies a processing liquid to the surface of the substrate held by the substrate holding unit;
A ring member provided annularly on the back surface side of the substrate and having a diameter smaller than the substrate;
An elevation unit for raising and lowering the ring member;
A warpage measurement unit that measures the warpage of the substrate;
And a control unit configured to control the elevating unit such that a distance between the back surface of the substrate and the ring member becomes a predetermined distance based on the warpage information measured by the warpage measurement unit. Substrate processing equipment. 前記基板保持部に保持された前記基板の裏面にリンス液を供給するリンス液供給部をさらに備え、
前記制御部は、前記処理液による基板の処理後、前記リンス液による前記基板の裏面の洗浄を行う際、前記リング部材を下降させるように前記昇降部を制御する、ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。 And a rinse liquid supply unit that supplies a rinse liquid to the back surface of the substrate held by the substrate holding unit,
The said control part controls the said raising / lowering part so that the said ring member may be dropped, when cleaning the back surface of the said board | substrate by the said rinse liquid after processing of the board | substrate by the said process liquid. The substrate processing apparatus according to 1. 前記リング部材の上面は平坦面を形成している、ことを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the upper surface of the ring member forms a flat surface. 前記リング部材にガスを噴射するガス供給部をさらに備える、ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, further comprising a gas supply unit that injects a gas to the ring member. 前記ガス供給部は前記リング部材の内側に環状に設けられている、ことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the gas supply unit is annularly provided inside the ring member. 前記リング部材は同心状に複数設けられ、
前記制御部は、前記複数のリング部材に対し、前記基板の裏面との距離が同じになるように前記昇降部を制御する、ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The plurality of ring members are provided concentrically,
The said control part controls the said raising / lowering part so that the distance with the back surface of the said board | substrate may become the same with respect to the said several ring member, It is described in any one of the Claims 1-5 characterized by the above-mentioned. Substrate processing equipment. 前記反り計測部は、前記基板保持部に保持された前記基板の反りを計測する、ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein the warpage measurement unit measures the warpage of the substrate held by the substrate holding unit. 前記反り計測部はレーザ変位計であり、前記基板保持部の上方に設けられている、ことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 7, wherein the warpage measurement unit is a laser displacement meter, and is provided above the substrate holding unit. 前記反り計測部は静電容量センサまたは超音波センサであり、前記リング部材の上部または前記リング部材を支持するガイド部材に設けられている、ことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 7, wherein the warpage measurement unit is a capacitance sensor or an ultrasonic sensor, and is provided on an upper portion of the ring member or a guide member supporting the ring member. . 前記反り計測部は、前記基板保持部に保持される前の前記基板の反りを計測する、ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein the warpage measurement unit measures the warpage of the substrate before being held by the substrate holding unit. 基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板の反りを計測する反り計測工程と、
その後、基板保持部に保持された前記基板の表面に処理液供給部から処理液を供給して当該基板を処理する処理工程と、を含み、
前記処理工程では、前記反り計測工程で計測された反り情報に基づいて、前記基板の裏面側に環状に設けられ当該基板より小さい径を有するリング部材を昇降部により昇降させて、前記基板の裏面と前記リング部材をとの間を所定距離に調節する、ことを特徴とする基板処理方法。 A substrate processing method for processing a substrate, comprising
A warpage measurement step of measuring the warpage of the substrate;
And then processing the substrate by supplying the processing liquid from the processing liquid supply unit to the surface of the substrate held by the substrate holding unit.
In the processing step, based on the warpage information measured in the warpage measurement step, a ring member provided annularly on the back surface side of the substrate and having a smaller diameter than the substrate is moved up and down by the elevating part to And adjusting the distance between the ring member and the ring member to a predetermined distance. 前記処理工程の後、前記基板保持部に保持された前記基板の裏面にリンス液供給部からリンス液を供給して当該裏面を洗浄する裏面洗浄工程をさらに含み、
前記裏面洗浄工程では、前記昇降部により前記リング部材を下降させる、ことを特徴とする請求項１１に記載の基板処理方法。 After the processing step, the method further includes a back surface cleaning step of supplying a rinse liquid from the rinse liquid supply portion to the back surface of the substrate held by the substrate holding portion to clean the back surface.
The substrate processing method according to claim 11, wherein the ring member is lowered by the elevating unit in the back surface cleaning step. 前記処理工程の後、ガス供給部から前記リング部材にガスを噴射して、当該リング部材に付着した液滴を除去する液滴除去工程をさらに含む、ことを特徴とする請求項１１または１２に記載の基板処理方法。   13. The method according to claim 11, further comprising a droplet removing step of injecting a gas from the gas supply unit to the ring member after the processing step to remove droplets attached to the ring member. The substrate processing method as described. 前記リング部材は同心状に複数設けられ、
前記処理工程では、前記昇降部により前記複数のリング部材を独立して昇降させ、当該複数のリング部材と前記基板の裏面とのそれぞれの距離が同じになるように調節する、ことを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の基板処理方法。 The plurality of ring members are provided concentrically,
In the processing step, the plurality of ring members are moved up and down independently by the elevating unit, and the respective distances between the plurality of ring members and the back surface of the substrate are adjusted to be the same. The substrate processing method according to any one of claims 11 to 13. 前記反り計測工程では、前記基板保持部に保持された前記基板の反りを計測する、ことを特徴とする請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の基板処理方法。   The substrate processing method according to any one of claims 11 to 14, wherein in the warpage measurement step, warpage of the substrate held by the substrate holding unit is measured. 前記反り計測工程では、前記基板保持部に保持される前の前記基板の反りを計測する、ことを特徴とする請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の基板処理方法。   The substrate processing method according to any one of claims 11 to 14, wherein in the warpage measurement step, warpage of the substrate before being held by the substrate holding unit is measured. 請求項１１〜１６のいずれか一項に記載の基板処理方法を基板処理装置によって実行させるように、当該基板処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。   The readable computer storage which stored the program which operate | moves on the computer of the control part which controls the said substrate processing apparatus so that the substrate processing apparatus according to any one of Claims 11-16 may be performed by a substrate processing apparatus. Medium.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022103528A1 (en) * 2020-11-11 2022-05-19 Applied Materials, Inc. Substrate handling in a modular polishing system with single substrate cleaning chambers
JP2023010651A (en) * 2021-07-08 2023-01-20 セメス カンパニー，リミテッド Apparatus for processing substrate and substrate processing method
WO2023223861A1 (en) * 2022-05-18 2023-11-23 東京エレクトロン株式会社 Information gathering system, substrate for inspection, and information gathering method
CN117943365A (en) * 2024-03-21 2024-04-30 通威微电子有限公司 Brush sheet packaging integrated machine

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001332486A (en) * 2000-05-25 2001-11-30 Nec Yamaguchi Ltd Wafer-developing device
JP2002329770A (en) * 2001-05-02 2002-11-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate detector, substrate processing equipment and method of operation thereof
JP2004022783A (en) * 2002-06-17 2004-01-22 Sharp Corp Treatment device
JP2010118514A (en) * 2008-11-13 2010-05-27 Nec Electronics Corp Developing device and development method
JP2012248695A (en) * 2011-05-27 2012-12-13 Tokyo Electron Ltd Substrate warpage removal device, substrate warpage removal method, and storage medium
JP2015181145A (en) * 2014-03-05 2015-10-15 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus, substrate processing method, and recording medium
JP2017150849A (en) * 2016-02-22 2017-08-31 東京エレクトロン株式会社 Substrate treatment method, substrate treatment device, and computer readable recording medium

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2913363B2 (en) 1994-03-09 1999-06-28 東京エレクトロン株式会社 Rotary processing equipment
JP3180209B2 (en) * 1994-09-29 2001-06-25 東京エレクトロン株式会社 Developing device and developing method
JP3635217B2 (en) * 1999-10-05 2005-04-06 東京エレクトロン株式会社 Liquid processing apparatus and method
JP2003332285A (en) * 2002-05-17 2003-11-21 Supurauto:Kk Wafer treatment apparatus and method
JP4361760B2 (en) * 2003-06-05 2009-11-11 株式会社荏原製作所 Plating method
JP2005259874A (en) * 2004-03-10 2005-09-22 Tokyo Electron Ltd Substrate treatment device and substrate treatment method
EP1973152A4 (en) * 2006-01-10 2010-09-29 Tokyo Electron Ltd Substrate cleaning apparatus, method of substrate cleaning, substrate treating system and recording medium
JP5136103B2 (en) * 2008-02-12 2013-02-06 東京エレクトロン株式会社 Cleaning device and method, coating and developing device and method, and storage medium
JP5151629B2 (en) * 2008-04-03 2013-02-27 東京エレクトロン株式会社 Substrate cleaning method, substrate cleaning apparatus, developing method, developing apparatus, and storage medium
US9704730B2 (en) * 2013-05-28 2017-07-11 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method and non-transitory storage medium
JP6190679B2 (en) * 2013-09-24 2017-08-30 株式会社テックインテック Substrate holding mechanism and substrate processing apparatus using the same

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001332486A (en) * 2000-05-25 2001-11-30 Nec Yamaguchi Ltd Wafer-developing device
JP2002329770A (en) * 2001-05-02 2002-11-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate detector, substrate processing equipment and method of operation thereof
JP2004022783A (en) * 2002-06-17 2004-01-22 Sharp Corp Treatment device
JP2010118514A (en) * 2008-11-13 2010-05-27 Nec Electronics Corp Developing device and development method
JP2012248695A (en) * 2011-05-27 2012-12-13 Tokyo Electron Ltd Substrate warpage removal device, substrate warpage removal method, and storage medium
JP2015181145A (en) * 2014-03-05 2015-10-15 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus, substrate processing method, and recording medium
JP2017150849A (en) * 2016-02-22 2017-08-31 東京エレクトロン株式会社 Substrate treatment method, substrate treatment device, and computer readable recording medium

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022103528A1 (en) * 2020-11-11 2022-05-19 Applied Materials, Inc. Substrate handling in a modular polishing system with single substrate cleaning chambers
JP2023010651A (en) * 2021-07-08 2023-01-20 セメス カンパニー，リミテッド Apparatus for processing substrate and substrate processing method
JP7466589B2 (en) 2021-07-08 2024-04-12 セメス カンパニー，リミテッド SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
WO2023223861A1 (en) * 2022-05-18 2023-11-23 東京エレクトロン株式会社 Information gathering system, substrate for inspection, and information gathering method
CN117943365A (en) * 2024-03-21 2024-04-30 通威微电子有限公司 Brush sheet packaging integrated machine

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