JP2019016781A - Multilayer ceramic capacitor and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、積層セラミックキャパシタ及びその製造方法に関するものである。 The present invention relates to a multilayer ceramic capacitor and a method for manufacturing the same.
積層セラミックキャパシタ（Ｍｕｌｔｉ−Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ；ＭＬＣＣ）は、小型でありながらも高容量が保障され、且つ実装が容易であるという利点から、通信、コンピュータ、家電、自動車などの産業に用いられる重要なチップ部品であり、特に、携帯電話、コンピュータ、デジタルＴＶなど各種の電気・電子機器、情報通信機器に用いられる核心受動素子である。 Multi-Layered Ceramic Capacitors (MLCCs) are important for use in industries such as communications, computers, home appliances, and automobiles because of their advantages of being small but ensuring high capacity and easy mounting. It is a chip component, and in particular, a core passive element used in various electric / electronic devices and information communication devices such as mobile phones, computers, and digital TVs.
最近では、電子機器の小型化及び高性能化に伴い、積層セラミックキャパシタも小型化及び高容量化する傾向にあるため、積層セラミックキャパシタの高信頼性の確保に対する重要度が高まっている。 Recently, with the miniaturization and high performance of electronic devices, multilayer ceramic capacitors tend to be miniaturized and have high capacities. Therefore, the importance of ensuring the high reliability of multilayer ceramic capacitors is increasing.
かかる積層セラミックキャパシタの高信頼性を確保するための方案としては、機械的又は熱的環境において発生する引張ストレス（ｓｔｒｅｓｓ）を吸収して、ストレスによるクラック（ｃｒａｃｋ）の発生を防止するために、外部電極に導電性樹脂層を適用する技術が開示されている。 As a method for ensuring the high reliability of such a multilayer ceramic capacitor, in order to absorb tensile stress generated in a mechanical or thermal environment and prevent the occurrence of cracks due to stress, A technique for applying a conductive resin layer to an external electrode is disclosed.
このような導電性樹脂層は、Ｃｕ、ガラスフリット（ｇｌａｓｓ ｆｒｉｔ）、及び熱可塑性樹脂を含むペーストを用いて形成され、積層セラミックキャパシタの外部電極における焼結電極層とめっき層との間を電気的及び機械的に接合させる役割を果たし、回路基板への実装中に発生する工程温度による機械的及び熱的応力、並びに基板の曲げ衝撃から積層セラミックキャパシタを保護する役割を果たす。 Such a conductive resin layer is formed using a paste containing Cu, glass frit, and a thermoplastic resin, and an electrical connection is made between the sintered electrode layer and the plating layer in the external electrode of the multilayer ceramic capacitor. It plays a role of mechanically and mechanically bonding, and protects the multilayer ceramic capacitor from mechanical and thermal stress due to process temperature generated during mounting on a circuit board, and bending impact of the board.
しかしながら、Ｃｕ、ガラスフリット、及び熱可塑性樹脂を含むペーストを用いる場合は、素材の基本的な物性によって曲げ衝撃や熱衝撃、水分又は塩素水などの吸湿によって信頼性項目に対する物性が変化する可能性がある。 However, when a paste containing Cu, glass frit, and thermoplastic resin is used, the physical properties for the reliability item may change due to bending shock, thermal shock, moisture absorption such as moisture or chlorine water, etc., depending on the basic physical properties of the material. There is.
即ち、Ｃｕ、ガラスフリット、及び熱可塑性樹脂を含むペーストを用いる場合は、チップの内部に残留応力が存在する可能性があり、曲げ衝撃をそのままセラミック本体に伝達するようになり、ガラスフリットの成分によって耐化学特性が低下することがあるという問題点がある。 That is, when a paste containing Cu, glass frit, and a thermoplastic resin is used, residual stress may exist inside the chip, and the bending impact is transmitted to the ceramic body as it is. However, there is a problem that the chemical resistance may be deteriorated.
本発明は、耐湿信頼性に優れるとともに、内部等価直列抵抗（ＥＳＲ；Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ Ｓｅｒｉｅｓ Ｒｅｓｉｓｔｏｒ）が低く、さらに機械的応力に対する抵抗性に優れた積層セラミックキャパシタ及びその製造方法を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a multilayer ceramic capacitor having excellent moisture resistance reliability, low internal equivalent series resistance (ESR) and excellent resistance to mechanical stress, and a method for manufacturing the same. .
本発明の一側面は、誘電体層と、第１及び第２内部電極を含む本体と、上記本体に配置される外部電極と、を含み、上記外部電極は、上記第１又は第２内部電極と接触する電極層と、上記電極層上に配置され、第１金属間化合物を含む中間層と、上記中間層上に配置され、複数の金属粒子、第２金属間化合物、及びベース樹脂を含む導電性樹脂層と、を含む積層セラミックキャパシタを提供する。 One aspect of the present invention includes a dielectric layer, a main body including first and second internal electrodes, and an external electrode disposed on the main body, wherein the external electrode is the first or second internal electrode. An electrode layer in contact with the electrode layer, an intermediate layer disposed on the electrode layer and including a first intermetallic compound, and disposed on the intermediate layer and including a plurality of metal particles, a second intermetallic compound, and a base resin Provided is a multilayer ceramic capacitor including a conductive resin layer.
本発明の他の一側面は、内部電極が印刷されたグリーンシートを複数層積層して積層体を設ける段階と、上記積層体を焼成して本体を設けた後、上記内部電極の一端と電気的に連結され、上記本体の一面を覆うように電極層を形成する段階と、上記電極層上に低融点のペーストを塗布及び乾燥した後、硬化熱処理して中間層及び導電性樹脂層を形成する段階と、を含む積層セラミックキャパシタの製造方法を提供する。 According to another aspect of the present invention, a step of providing a laminate by laminating a plurality of green sheets on which internal electrodes are printed, and after firing the laminate to provide a main body, And forming an electrode layer so as to cover one surface of the main body, and applying and drying a low melting point paste on the electrode layer, followed by curing heat treatment to form an intermediate layer and a conductive resin layer And providing a method for manufacturing a multilayer ceramic capacitor.
本発明の一実施形態によると、電極層、中間層、及び導電性樹脂層が順次に積層された構造を有することで、サンドブラスト（Ｓａｎｄｂｌａｓｔｅｒ）方法を代替することができ、耐湿信頼性を向上させるとともに、低ＥＳＲで、曲げ強度などの機械的応力に対する抵抗性及び耐化学特性を向上させることができるという効果がある。 According to an embodiment of the present invention, the electrode layer, the intermediate layer, and the conductive resin layer are sequentially stacked, so that the sandblasting method can be replaced and the moisture resistance reliability is improved. In addition, there is an effect that resistance to mechanical stress such as bending strength and chemical resistance can be improved with low ESR.
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（又は強調表示や簡略化表示）がされることがあり、図面上の同一の符号で示される要素は同一の要素である。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the embodiments of the present invention can be modified in various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. In addition, the embodiments of the present invention are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape and size of elements in the drawings may be enlarged / reduced (or highlighted or simplified) for a clearer explanation, and the elements indicated by the same reference numerals in the drawings are the same. Elements.
なお、本発明を明確に説明すべく、図面において説明と関係ない部分は省略し、様々な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示し、同一思想の範囲内において機能が同一である構成要素に対しては同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある構成要素を「含む」というのは、特に反対である記載がない限り、他の構成要素を除去するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができるということを意味する。 In order to clearly describe the present invention, portions not related to the description are omitted in the drawings, the thickness is shown enlarged to clearly represent various layers and regions, and the functions are within the scope of the same idea. The same components will be described using the same reference numerals. Further, throughout the specification, “comprising” a component means that the component can be further included rather than removing the other component, unless stated to the contrary. Means.
図１は本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示す斜視図である。図２は図１のＩ−Ｉ'の線に沿った断面図である。 FIG. 1 is a perspective view schematically showing a multilayer ceramic capacitor according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG.
図１及び図２を参照すると、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタ１００は、本体１１０と、第１及び第２外部電極１３０、１４０と、を含む。 Referring to FIGS. 1 and 2, the multilayer ceramic capacitor 100 according to an embodiment of the present invention includes a body 110 and first and second external electrodes 130 and 140.
本体１１０は、キャパシタの容量の形成に寄与する部分としての活性領域と、活性領域の上下部にそれぞれ形成される上下マージン部としての上部及び下部カバー１１２、１１３と、を含むことができる。 The main body 110 can include an active region as a portion contributing to the formation of the capacitance of the capacitor, and upper and lower covers 112 and 113 as upper and lower margin portions respectively formed at the upper and lower portions of the active region.
本発明の一実施形態において、本体１１０の形状は特に制限されないが、実質的に六面体形状であることができる。 In an embodiment of the present invention, the shape of the main body 110 is not particularly limited, but may be substantially hexahedral.
即ち、本体１１０は、内部電極の配置による厚さの差及び角部の研磨により、完全な六面体形状ではないが、実質的に六面体に近い形状を有することができる。 That is, the main body 110 may have a shape substantially similar to a hexahedron, although it is not a perfect hexahedron shape due to the difference in thickness due to the arrangement of the internal electrodes and the polishing of the corners.
本発明の実施形態を明確に説明するために六面体の方向を定義すると、図面上において、Ｘ方向は第１方向又は長さ方向を示し、Ｙ方向は第２方向又は幅方向を示し、Ｚ方向は第３方向、厚さ方向又は積層方向を示すことができる。 In order to clearly describe the embodiment of the present invention, the hexahedral direction is defined. In the drawing, the X direction indicates the first direction or the length direction, the Y direction indicates the second direction or the width direction, and the Z direction. Can indicate a third direction, a thickness direction, or a stacking direction.
また、本体１１０において、Ｚ方向に互いに対向する両面を第１及び第２面１、２と定義し、第１及び第２面１、２と連結され、Ｘ方向に互いに対向する両面を第３及び第４面３、４と定義し、第１及び第２面１、２と連結され、第３及び第４面３、４と連結され、且つＹ方向に互いに対向する両面を第５及び第６面５、６と定義する。このとき、第１面１は実装面となり得る。 Further, in the main body 110, both surfaces facing each other in the Z direction are defined as first and second surfaces 1 and 2, and both surfaces connected to the first and second surfaces 1 and 2 and facing each other in the X direction are third. And the fourth and third surfaces 3 and 4 are connected to the first and second surfaces 1 and 2 and connected to the third and fourth surfaces 3 and 4 and are opposite to each other in the Y direction. It is defined as 6 planes 5 and 6. At this time, the first surface 1 can be a mounting surface.
上記活性領域は、複数の誘電体層１１１と、該誘電体層１１１を挟んで複数の第１及び第２内部電極１２１、１２２と、が交互に積層される構造からなることができる。 The active region may have a structure in which a plurality of dielectric layers 111 and a plurality of first and second internal electrodes 121 and 122 are alternately stacked with the dielectric layers 111 interposed therebetween.
誘電体層１１１は、高誘電率を有するセラミック粉末、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系、若しくは、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）系粉末を含むことができるが、本発明はこれに限定されるものではない。 The dielectric layer 111 may include ceramic powder having a high dielectric constant, for example, barium titanate (BaTiO 3 ) -based or strontium titanate (SrTiO 3 ) -based powder, but the present invention is not limited thereto. It is not something.
このとき、誘電体層１１１の厚さは、積層セラミックキャパシタ１００の容量設計に応じて任意に変更することができ、本体１１０のサイズ及び容量を考慮して、焼成後の一層の厚さが０．１〜１０μｍとなるように構成することができるが、本発明はこれに限定されるものではない。 At this time, the thickness of the dielectric layer 111 can be arbitrarily changed according to the capacity design of the multilayer ceramic capacitor 100, and the thickness of one layer after firing is 0 in consideration of the size and capacity of the main body 110. Although it can be configured to be 1 to 10 μm, the present invention is not limited to this.
第１及び第２内部電極１２１、１２２は、誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように配置されることができる。 The first and second internal electrodes 121 and 122 may be disposed to face each other with the dielectric layer 111 interposed therebetween.
第１及び第２内部電極１２１、１２２は、互いに異なる極性を有する一対の電極であり、誘電体層１１１上に導電性金属を含む導電性ペーストを所定の厚さに印刷することで、誘電体層１１１を挟んで誘電体層１１１の積層方向に沿って本体１１０の第３及び第４面３、４に交互に露出するように形成されることができ、このとき、中間に配置された誘電体層１１１により互いに電気的に絶縁されることができる。 The first and second internal electrodes 121 and 122 are a pair of electrodes having different polarities, and a conductive paste containing a conductive metal is printed on the dielectric layer 111 to a predetermined thickness. The dielectric layer 111 may be formed so as to be alternately exposed on the third and fourth surfaces 3 and 4 along the stacking direction of the dielectric layer 111 with the layer 111 interposed therebetween. The body layers 111 can be electrically insulated from each other.
またこのとき、積層後の焼成過程において、内部電極１２１、１２２は、誘電体層と内部電極の収縮率の差によって、本体の第３及び第４面３、４と一定の間隔離れて本体の内部に形成されるが、交互に露出するように配置されることができる。 At this time, in the firing process after the lamination, the internal electrodes 121 and 122 are separated from the third and fourth surfaces 3 and 4 of the main body by a certain distance due to the difference in contraction rate between the dielectric layer and the internal electrode. Although formed inside, they can be arranged to be alternately exposed.
上記第１及び第２内部電極１２１、１２２は、上記一定の間隔離れた部分、及び上記本体の第３及び第４面３、４に形成された電極層１３１、１４１を介して第１及び第２外部電極１３０、１４０とそれぞれ電気的に連結されることができる。 The first and second internal electrodes 121 and 122 may be connected to the first and second electrodes through electrode layers 131 and 141 formed on the third and fourth surfaces 3 and 4 of the main body, and on the third and fourth surfaces 3 and 4 of the main body. 2 may be electrically connected to the external electrodes 130 and 140, respectively.
したがって、第１及び第２外部電極１３０、１４０に電圧を印加すると、互いに対向する第１及び第２内部電極１２１、１２２の間に電荷が蓄積されるようになるが、このとき、積層セラミックキャパシタ１００の静電容量は、第１及び第２内部電極１２１、１２２の互いに重なり合う領域の面積と比例するようになる。 Accordingly, when a voltage is applied to the first and second external electrodes 130 and 140, charges are accumulated between the first and second internal electrodes 121 and 122 facing each other. The capacitance of 100 is proportional to the area of the overlapping region of the first and second internal electrodes 121 and 122.
このような第１及び第２内部電極１２１、１２２の厚さは、用途に応じて決定されることができ、例えば、セラミック本体１１０のサイズ及び容量を考慮して、０．２〜１．０μｍの範囲内にあるように決定されることができるが、本発明はこれに限定されるものではない。 The thicknesses of the first and second internal electrodes 121 and 122 may be determined according to the application. For example, the thickness and the capacity of the ceramic body 110 may be 0.2 to 1.0 μm. However, the present invention is not limited to this.
また、第１及び第２内部電極１２１、１２２に含まれる導電性金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、又はこれらの合金であることができるが、本発明はこれに限定されるものではない。 Also, the conductive metal contained in the first and second internal electrodes 121 and 122 may be nickel (Ni), copper (Cu), palladium (Pd), or an alloy thereof. It is not limited to.
上部及び下部カバー１１２、１１３は、内部電極を含まないこと以外は、上記活性領域の誘電体層１１１と同様の材質及び構成を有することができる。 The upper and lower covers 112 and 113 may have the same material and configuration as the dielectric layer 111 in the active region except that the upper and lower covers 112 and 113 do not include internal electrodes.
即ち、上部及び下部カバー１１２、１１３は、単一の誘電体層又は二層以上の誘電体層を上記活性領域の上面及び下面のそれぞれにＺ方向に積層して形成されたものと見なすことができ、基本的には、物理的又は化学的なストレスによる第１及び第２内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。 In other words, the upper and lower covers 112 and 113 may be regarded as a single dielectric layer or two or more dielectric layers formed in the Z direction on the upper and lower surfaces of the active region. Basically, the first and second internal electrodes 121 and 122 can be prevented from being damaged by physical or chemical stress.
第１及び第２外部電極１３０、１４０は、電極層１３１、１４１と、中間層１３２、１４２と、導電性樹脂層１３３、１４３と、第１めっき層１３４、１４４と、第２めっき層１３５、１４５と、をそれぞれ含むことができる。 The first and second external electrodes 130 and 140 include electrode layers 131 and 141, intermediate layers 132 and 142, conductive resin layers 133 and 143, first plating layers 134 and 144, a second plating layer 135, 145, respectively.
第１めっき層１３４、１４４はニッケルめっき層であってもよく、第２めっき層１３５、１４５はスズめっき層であってもよい。 The first plating layers 134 and 144 may be nickel plating layers, and the second plating layers 135 and 145 may be tin plating layers.
電極層１３１、１４１は、本体と外部電極を機械的に接合させる役割を果たし、さらに、内部電極と外部電極を電気的及び機械的に接合させる役割を果たす。 The electrode layers 131 and 141 serve to mechanically join the main body and the external electrode, and further serve to electrically and mechanically join the internal electrode and the external electrode.
図５に示したように、内部電極１２１、１２２は、積層後の焼成過程における誘電体層と内部電極の収縮率の差によって、本体の第３及び第４面３、４と一定の間隔離れて本体の内部に形成され、交互に露出するように配置されることができる。内部電極１２１、１２２が本体の第３及び第４面３、４と一定の間隔離れて本体の内部に形成され、交互に露出すると、内部電極及び外部電極との電気的連結性が低下することがある。 As shown in FIG. 5, the internal electrodes 121 and 122 are separated from the third and fourth surfaces 3 and 4 of the main body by a certain distance due to the difference in contraction rate between the dielectric layer and the internal electrode in the firing process after lamination. And can be arranged so as to be alternately exposed. If the internal electrodes 121 and 122 are formed inside the main body while being separated from the third and fourth surfaces 3 and 4 of the main body by a certain distance and exposed alternately, the electrical connectivity between the internal electrode and the external electrode is deteriorated. There is.
従来は、図６に示したように、サンドブラスト法などを用いて誘電体層の突出した部分を取り除く工程をさらに行うことによって、このような問題点を解決しようとしていた。 Conventionally, as shown in FIG. 6, such a problem has been sought by further performing a step of removing the protruding portion of the dielectric layer using a sandblast method or the like.
しかし、本発明では、図７に示したように、電極層１３１、１４１が上記一定の間隔離れた部分と、上記本体の第３及び第４面３、４とに形成されるため、サンドブラスト法を用いて誘電体層の突出した部分を取り除くという工程が不要となる。 However, in the present invention, as shown in FIG. 7, since the electrode layers 131 and 141 are formed on the part spaced apart by a certain distance and the third and fourth surfaces 3 and 4 of the main body, the sandblasting method is used. The step of removing the protruding portion of the dielectric layer by using is eliminated.
電極層１３１、１４１を形成する方法としては、上記一定の間隔離れた部分、及び上記本体の第３及び第４面３、４に電極層が形成可能であれば、特に制限されない。例えば、電極層１３１、１４１は、緻密で耐食性が高く、且つ均一な厚さの電極層を形成できる無電解めっき法又はスパッタリング工法を用いて形成された無電解めっき層又はスパッタリング層であることができる。 The method for forming the electrode layers 131 and 141 is not particularly limited as long as the electrode layers can be formed on the portions spaced apart by a certain distance and on the third and fourth surfaces 3 and 4 of the main body. For example, the electrode layers 131 and 141 may be an electroless plating layer or a sputtering layer formed using an electroless plating method or a sputtering method capable of forming an electrode layer having a dense and high corrosion resistance and a uniform thickness. it can.
無電解めっき法を用いる場合は、本体において誘電体層からなる部分にも電極層１３１、１４１を形成でき、さらに、上記一定の間隔離れた部分にも電極層１３１、１４１を容易に形成できるため、電極層１３１、１４１を本体の一面を覆うように形成することができる。 In the case of using the electroless plating method, the electrode layers 131 and 141 can be formed also on the portion made of the dielectric layer in the main body, and furthermore, the electrode layers 131 and 141 can be easily formed on the portions spaced apart from each other by a certain distance. The electrode layers 131 and 141 can be formed so as to cover one surface of the main body.
より具体的には、例えば、無電解めっき法を用いる場合、水酸化ホウ素ナトリウムとＮｉによる無電解めっき法、又は次リン酸ナトリウムとＮｉによる無電解めっき法を用いることができる。但し、Ｐ成分が多く含有されると、中間層１３２、１４２をなす第１金属間化合物の形成が遅くなったり、妨害を受けたりすることもあるため、水酸化ホウ素ナトリウムとＮｉによる無電解めっき法を用いることがより好ましい。 More specifically, for example, when an electroless plating method is used, an electroless plating method using sodium borohydride and Ni or an electroless plating method using sodium hypophosphate and Ni can be used. However, if a large amount of P component is contained, the formation of the first intermetallic compound forming the intermediate layers 132 and 142 may be slowed or disturbed, so electroless plating with sodium borohydride and Ni. More preferably, the method is used.
水酸化ホウ素ナトリウムとＮｉによる無電解めっき法を用いる場合、電極層１３１、１４１はＮｉ及びＢを含む。 When the electroless plating method using sodium borohydride and Ni is used, the electrode layers 131 and 141 include Ni and B.
一方、電極層の厚さは、特に制限されないが、０．５〜５μｍであってもよい。 On the other hand, the thickness of the electrode layer is not particularly limited, but may be 0.5 to 5 μm.
このとき、電極層１３１、１４１は、本体１１０の第３及び第４面３、４から本体１１０の第１及び第２面１、２の一部までそれぞれ延長するように形成されることができる。 At this time, the electrode layers 131 and 141 may be formed to extend from the third and fourth surfaces 3 and 4 of the main body 110 to a part of the first and second surfaces 1 and 2 of the main body 110, respectively. .
また、電極層１３１、１４１は、本体１１０の第３及び第４面３、４から本体の第５及び第６面５、６の一部までそれぞれ延長するように形成されることができる。 The electrode layers 131 and 141 may be formed to extend from the third and fourth surfaces 3 and 4 of the main body 110 to a part of the fifth and sixth surfaces 5 and 6 of the main body 110, respectively.
尚、他の実施例として、図８に示したように、積層セラミックキャパシタ１００'の第１及び第２外部電極１３０、１４０は、電極層１３１'、１４１'が本体１１０の第１及び第２面１、２には延長されずに、第３及び第４面３、４のみにそれぞれ形成されることができる。 As another embodiment, as shown in FIG. 8, the first and second external electrodes 130 and 140 of the multilayer ceramic capacitor 100 ′ have electrode layers 131 ′ and 141 ′ that are the first and second electrodes of the main body 110. It can be formed only on the third and fourth surfaces 3 and 4 without extending to the surfaces 1 and 2, respectively.
このとき、積層セラミックキャパシタ１００'の曲げ強度及びＥＳＲをさらに向上させることができる。 At this time, the bending strength and ESR of the multilayer ceramic capacitor 100 ′ can be further improved.
中間層１３２、１４２は、第１金属間化合物を含み、耐湿信頼性及び電気的連結性を向上させる役割を果たす。また、中間層１３２、１４２は、上記電極層１３１、１４１を覆うように配置されることができる。中間層１３２、１４２は、第１金属間化合物からなってもよい。 The intermediate layers 132 and 142 include a first intermetallic compound and play a role of improving moisture resistance reliability and electrical connectivity. Further, the intermediate layers 132 and 142 can be disposed so as to cover the electrode layers 131 and 141. The intermediate layers 132 and 142 may be made of a first intermetallic compound.
従来は、誘電体層の突出した部分が取り除かれた後に、第３及び第４面３、４に導電性ペーストを塗布及び焼成して外部電極を形成していたが、焼成過程において、内部電極に含まれた金属粒子と導電性ペーストに含まれた金属粒子とが相互拡散し、導電性ペーストと内部電極が接触する部位に金属間化合物を形成させて電気的連結性を確保していた。図５に示したように、積層後の焼成過程における誘電体層と内部電極の収縮率の差によって誘電層が突出形状を有すると、導電性ペーストと内部電極が接しにくくなり、このような金属間化合物が形成されにくくなるため、従来はサンドブラスト法などを用いて誘電体層の突出した部分を取り除く工程が必要とされていた。 Conventionally, after the protruding portion of the dielectric layer is removed, a conductive paste is applied and fired on the third and fourth surfaces 3 and 4 to form external electrodes. The metal particles contained in the metal paste and the metal particles contained in the conductive paste are mutually diffused, and an intermetallic compound is formed at a site where the conductive paste and the internal electrode are in contact with each other, thereby ensuring electrical connectivity. As shown in FIG. 5, when the dielectric layer has a protruding shape due to the difference in shrinkage between the dielectric layer and the internal electrode in the firing process after lamination, the conductive paste and the internal electrode are difficult to come into contact with each other. Since intermetallic compounds are less likely to be formed, a process for removing the protruding portion of the dielectric layer using a sandblast method or the like has been conventionally required.
しかしながら、本発明では、電極層１３１、１４１を形成し、電極層１３１、１４１上に低融点のペーストを塗布及び焼成して外部電極１３０、１４０を形成するため、サンドブラスト法などを用いて誘電体層の突出した部分を取り除くという工程が不要となる。また、電極層１３１、１４１に含まれた金属粒子とペーストに含まれた低融点の金属粒子とが相互拡散して第１金属間化合物を形成し、電極層１３１、１４１と導電性樹脂層１３３、１４３との間に第１金属間化合物が層（ｌａｙｅｒ）状に形成されるため、耐湿信頼性及び電気的連結性が向上するようになる。 However, in the present invention, the electrode layers 131 and 141 are formed, and a low melting point paste is applied and fired on the electrode layers 131 and 141 to form the external electrodes 130 and 140. The process of removing the protruding portion of the layer is not necessary. Also, the metal particles contained in the electrode layers 131 and 141 and the low melting point metal particles contained in the paste are interdiffused to form a first intermetallic compound, and the electrode layers 131 and 141 and the conductive resin layer 133 are formed. , 143, the first intermetallic compound is formed in a layer, so that moisture resistance reliability and electrical connectivity are improved.
このとき、第１金属間化合物はＮｉ３Ｓｎ４であってもよい。即ち、電極層１３１、１４１に含まれた金属粒子であるＮｉとペーストに含まれた低融点の金属粒子であるＳｎとが結合して形成されたＮｉ３Ｓｎ４であってもよい。 At this time, the first intermetallic compound may be Ni 3 Sn 4 . That is, Ni 3 Sn 4 formed by combining Ni that is the metal particles contained in the electrode layers 131 and 141 and Sn that is the low melting point metal particles contained in the paste may be used.
図３は図２のＢ領域を拡大して示した断面図である。 FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of a region B in FIG.
上記Ｂ領域は、第１外部電極１３０の一部を拡大して示しているが、第１外部電極１３０は第１内部電極１２１と電気的に接続され、第２外部電極１３０は第２内部電極１２２と接続されるという点における相違があるだけで、第１外部電極１３０と第２外部電極１４０の構成は類似している。以下、第１外部電極１３０に基づいて説明するが、これは第２外部電極１４０に関する説明を含むものと見なす。 The region B is shown by enlarging a part of the first external electrode 130, but the first external electrode 130 is electrically connected to the first internal electrode 121, and the second external electrode 130 is the second internal electrode. The configuration of the first external electrode 130 and the second external electrode 140 is similar only in that there is a difference in being connected to 122. Hereinafter, the description will be made based on the first external electrode 130, but this is considered to include the description regarding the second external electrode 140.
導電性樹脂層１３３は、中間層１３２上に配置され、複数の金属粒子１３３ａと、第２金属間化合物１３３ｂと、ベース樹脂１３３ｃと、を含む。導電性樹脂層は、中間層と第１めっき層を電気的及び機械的に接合させる役割を果たし、積層セラミックキャパシタを基板に実装する際に、機械的又は熱的環境において発生する引張ストレスを吸収することでクラックの発生を防止するとともに、基板の曲げ衝撃から積層セラミックキャパシタを保護する役割を果たすことができる。第２金属間化合物１３３ｂは、複数の金属粒子１３３ａの少なくとも一部を取り囲むように配置されてもよい。 The conductive resin layer 133 is disposed on the intermediate layer 132 and includes a plurality of metal particles 133a, a second intermetallic compound 133b, and a base resin 133c. The conductive resin layer plays a role in electrically and mechanically joining the intermediate layer and the first plating layer, and absorbs tensile stress generated in a mechanical or thermal environment when the multilayer ceramic capacitor is mounted on the substrate. By doing so, it is possible to prevent the occurrence of cracks and protect the multilayer ceramic capacitor from the bending impact of the substrate. The second intermetallic compound 133b may be disposed so as to surround at least a part of the plurality of metal particles 133a.
金属粒子１３３ａは、Ａｇ及びＣｕのいずれか１種以上を含んでもよく、より好ましくは、Ａｇからなってもよい。 The metal particles 133a may contain one or more of Ag and Cu, and more preferably may be made of Ag.
第２金属間化合物１３３ｂは、溶融した状態で複数の金属粒子１３３ａを取り囲んで互いに連結させる役割を果たし、これにより、本体１１０の内部の応力を最小化させ、高温負荷と耐湿負荷特性を向上させることができるようになる。 The second intermetallic compound 133b serves to surround and connect the plurality of metal particles 133a in a molten state, thereby minimizing stress inside the main body 110 and improving high temperature load and moisture resistance load characteristics. Will be able to.
このとき、第２金属間化合物１３３ｂは、ベース樹脂１３３ｃの硬化温度よりも低い融点を有する金属を含むことができる。 At this time, the second intermetallic compound 133b may include a metal having a melting point lower than the curing temperature of the base resin 133c.
即ち、第２金属間化合物１３３ｂがベース樹脂１３３ｃの硬化温度よりも低い融点を有する金属を含むため、ベース樹脂１３３ｃの硬化温度よりも低い融点を有する金属が乾燥及び硬化工程を経る過程で溶融し、金属粒子の一部と第２金属間化合物１３３ｂを形成することで、金属粒子１３３ａを取り囲むようになる。このとき、第２金属間化合物１３３ｂは、好ましくは３００℃以下の低融点金属を含むことができる。 That is, since the second intermetallic compound 133b includes a metal having a melting point lower than the curing temperature of the base resin 133c, the metal having a melting point lower than the curing temperature of the base resin 133c is melted in the course of the drying and curing processes. By forming a part of the metal particles and the second intermetallic compound 133b, the metal particles 133a are surrounded. At this time, the 2nd intermetallic compound 133b can contain a low melting metal of 300 degrees C or less preferably.
例えば、２１３〜２２０℃の融点を有するＳｎを含むことができる。乾燥及び硬化工程を経る過程でＳｎが溶融し、溶融したＳｎがＡｇ又はＣｕのような高融点の金属粒子を毛細管現象によって浸すようになり、Ａｇ又はＣｕ金属粒子の一部と反応して、Ａｇ３Ｓｎ、Ｃｕ６Ｓｎ５、Ｃｕ３Ｓｎなどの第２金属間化合物１３３ｂを形成するようになる。反応に参加していないＡｇ又はＣｕは、図３に示したように、金属粒子１３３ａ形態で残るようになる。 For example, Sn having a melting point of 213 to 220 ° C. can be included. Sn melts in the course of the drying and curing process, and the molten Sn comes to immerse high melting point metal particles such as Ag or Cu by capillary action, reacts with a part of Ag or Cu metal particles, A second intermetallic compound 133b such as Ag 3 Sn, Cu 6 Sn 5 , or Cu 3 Sn is formed. Ag or Cu not participating in the reaction remains in the form of metal particles 133a as shown in FIG.
ベース樹脂１３３ｃは、電気絶縁性を有する熱硬化性樹脂を含むことができる。 The base resin 133c can include a thermosetting resin having electrical insulation.
このとき、上記熱硬化性樹脂は、例えば、エポキシ樹脂であってもよいが、本発明はこれに限定されるものではない。 At this time, the thermosetting resin may be, for example, an epoxy resin, but the present invention is not limited to this.
ベース樹脂１３３ｃは、中間層１３２と第１めっき層１３４との間を機械的に接合させる役割を果たす。 The base resin 133c serves to mechanically join between the intermediate layer 132 and the first plating layer 134.
従来のＣｕ、ガラスフリット、及び熱可塑性樹脂を含むペーストを用いて導電性樹脂層を形成すると、ガラスフリット成分がＣｕ粒子とＮｉ内部電極間を合金形成させ、バインダー（ｂｉｎｄｅｒ）としてシーリング（ｓｅａｌｉｎｇ）する役割を果たす。即ち、ガラスフリット成分の融解温度とＣｕの焼結温度、及びＣｕとＮｉとの合金形成温度がほぼ同じ場合に銅粒子の焼結が生じ、緻密化が行われ、ＣｕとＮｉの合金形成によって内部電極との連結が金属結合へ進行し、ガラスフリット成分はその空き空間を埋める役割を果たすようになる。しかしながら、その形成温度が７００〜９００℃で行われる上、残留応力が残るようになるため、放射状クラックなどが発生する恐れがある。また、ガラスフリット成分に応じてめっき液への耐化学特性が低下することがあるという問題も発生する。 When a conductive resin layer is formed using a paste containing conventional Cu, glass frit, and thermoplastic resin, the glass frit component forms an alloy between Cu particles and Ni internal electrodes, and is sealed as a binder. To play a role. That is, when the melting temperature of the glass frit component, the sintering temperature of Cu, and the alloy formation temperature of Cu and Ni are substantially the same, sintering of the copper particles occurs, densification is performed, and the alloy of Cu and Ni is formed. The connection with the internal electrode proceeds to the metal bond, and the glass frit component plays a role of filling the empty space. However, since the formation temperature is 700 to 900 ° C. and residual stress remains, radial cracks and the like may occur. Moreover, the problem that the chemical-resistant characteristic to a plating solution may fall according to a glass frit component also generate | occur | produces.
これに対し、本発明では、ベース樹脂１３３ｃの硬化温度よりも低い融点を有する金属を含む低融点のペーストを用い、エポキシ硬化によって導電性樹脂層を形成するため、残留応力の発生が相対的に少なく、第２金属間化合物の形成によって体積が減少するため、体積が膨張するＣｕ−Ｎｉの合金よりも残留応力の発生を効果的に抑制できるようになる。 On the other hand, in the present invention, the conductive resin layer is formed by epoxy curing using a low melting point paste containing a metal having a melting point lower than the curing temperature of the base resin 133c. Since the volume is reduced by the formation of the second intermetallic compound, the generation of residual stress can be more effectively suppressed than the Cu-Ni alloy whose volume expands.
また、導電性樹脂層の形成過程において、電極層と導電性樹脂層との間に第１金属間化合物が層状に形成された中間層が形成されることによって、耐湿信頼性及び電気的連結性が向上するようになる。 Further, in the process of forming the conductive resin layer, an intermediate layer in which the first intermetallic compound is formed in a layer shape is formed between the electrode layer and the conductive resin layer, so that moisture resistance reliability and electrical connectivity are achieved. Will be improved.
図９は、従来のＣｕ、ガラスフリット、及び熱可塑性樹脂を含むペーストを用いて導電性樹脂層を形成した比較例と本発明の一実施形態とによって、電極層１３１、１４１と、中間層１３２、１４２と、導電性樹脂層１３３、１４３とを有する発明例の容量（ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ，μＦ）及びＤｆ（Ｄｉｓｓｉｐａｔｉｏｎ ｆａｃｔｏｒ）値を測定して示したグラフである。これによって、発明例が比較例と比較してＤｆ値が低く、エネルギー損失が低くなることが分かる。 FIG. 9 shows electrode layers 131 and 141 and an intermediate layer 132 according to a comparative example in which a conductive resin layer is formed using a paste containing conventional Cu, glass frit, and thermoplastic resin, and one embodiment of the present invention. , 142 and conductive resin layers 133 and 143, the capacitance (capacitance, μF) and Df (Dissipation factor) values of the inventive example are measured and shown. Thus, it can be seen that the inventive example has a lower Df value and lower energy loss than the comparative example.
以下、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法について具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、本実施形態の積層セラミックキャパシタの製造方法に関する説明のうち上述の積層セラミックキャパシタと重複する説明は省略する。 Hereinafter, a method for manufacturing a multilayer ceramic capacitor according to an embodiment of the present invention will be described in detail. However, the present invention is not limited to this, and the above description is about the method for manufacturing a multilayer ceramic capacitor according to the present embodiment. The description overlapping with the multilayer ceramic capacitor is omitted.
本実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法としては、先ず、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などの粉末を含んで形成されたスラリーを、キャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ ｆｉｌｍ）上に塗布及び乾燥することで、複数のセラミックグリーンシートを設ける。 As a method for manufacturing a multilayer ceramic capacitor according to the present embodiment, first, a slurry formed by containing a powder such as barium titanate (BaTiO 3 ) is applied on a carrier film and dried. A ceramic green sheet is provided.
上記セラミックグリーンシートは、セラミック粉末、バインダー、及び溶剤を混合してスラリーを製造し、上記スラリーをドクターブレード法などによって数μｍの厚さを有するシート状に製作したものである。 The ceramic green sheet is prepared by mixing a ceramic powder, a binder, and a solvent to produce a slurry, and the slurry is produced into a sheet having a thickness of several μm by a doctor blade method or the like.
次に、上記グリーンシート上に、スクリーン印刷工法などによってニッケル粉末などの導電性金属を含む内部電極用導電性ペーストを塗布することで、内部電極を形成する。 Next, the internal electrode is formed on the green sheet by applying a conductive paste for internal electrodes containing a conductive metal such as nickel powder by a screen printing method or the like.
その後、内部電極が印刷されたグリーンシートを複数層積層して積層体を設ける。このとき、積層体の上面及び下面に内部電極が印刷されていないグリーンシートを複数層積層することで、カバーを形成することができる。 Thereafter, a plurality of green sheets on which internal electrodes are printed are laminated to provide a laminate. At this time, a cover can be formed by laminating a plurality of green sheets on which no internal electrode is printed on the upper and lower surfaces of the laminate.
次に、積層体を焼成して本体を設けた後、上記第１及び第２内部電極とそれぞれ電気的に連結されるように、上記本体の第３及び第４面のそれぞれに電極層を形成する。 Next, after firing the laminate and providing the main body, an electrode layer is formed on each of the third and fourth surfaces of the main body so as to be electrically connected to the first and second internal electrodes, respectively. To do.
上記本体は、誘電体層、内部電極、及びカバーを含む。ここで、上記誘電体層は、内部電極が印刷されたグリーンシートを焼成して形成され、上記カバーは、内部電極が印刷されていないグリーンシートを焼成して形成される。 The body includes a dielectric layer, internal electrodes, and a cover. Here, the dielectric layer is formed by firing a green sheet on which internal electrodes are printed, and the cover is formed by firing a green sheet on which internal electrodes are not printed.
上記内部電極は、互いに異なる極性を有する第１及び第２内部電極として形成されることができる。 The internal electrodes may be formed as first and second internal electrodes having different polarities.
上述したように、本発明によると、誘電体層と内部電極の収縮率の差によって突出した誘電体層を、サンドブラスト法などを用いて取り除く工程が不要となるため、本体を設けてから、すぐ電極層を形成できるようになる。 As described above, according to the present invention, the step of removing the dielectric layer protruding due to the difference in contraction rate between the dielectric layer and the internal electrode by using a sandblast method or the like is not required. An electrode layer can be formed.
電極層を形成する方法としては、誘電体層と内部電極の収縮率の差によって形成された本体の第３及び第４面から離れた空間、本体の第３面及び第４面に電極層が形成可能であれば、特に制限されるものではない。例えば、緻密で耐食性が高く、且つ均一な厚さの電極層を形成できる無電解めっき法又はスパッタリング工法を用いて電極層を形成することができる。 As a method of forming the electrode layer, the electrode layer is formed on the third surface and the fourth surface of the main body, the space separated from the third and fourth surfaces of the main body formed by the difference in contraction rate between the dielectric layer and the internal electrode. There is no particular limitation as long as it can be formed. For example, the electrode layer can be formed using an electroless plating method or a sputtering method capable of forming a dense, highly corrosion-resistant electrode layer having a uniform thickness.
より具体的には、例えば、無電解めっき法を用いる場合、水酸化ホウ素ナトリウムとＮｉによる無電解めっき法、又は次リン酸ナトリウムとＮｉによる無電解めっき法を用いることができる。但し、Ｐ成分が多く含有されると、中間層をなす第１金属間化合物の形成が遅くなったり、妨害を受けたりすることもあるため、水酸化ホウ素ナトリウムとＮｉによる無電解めっき法を用いることがより好ましい。 More specifically, for example, when an electroless plating method is used, an electroless plating method using sodium borohydride and Ni or an electroless plating method using sodium hypophosphate and Ni can be used. However, if a large amount of P component is contained, the formation of the first intermetallic compound forming the intermediate layer may be slowed or disturbed, so the electroless plating method using sodium borohydride and Ni is used. It is more preferable.
次に、電極層上に低融点のペーストを塗布及び乾燥した後、硬化熱処理して中間層及び導電性樹脂層を形成する。 Next, after applying and drying a paste having a low melting point on the electrode layer, a heat treatment is performed to form an intermediate layer and a conductive resin layer.
低融点のペーストは、金属粒子、熱硬化性樹脂、及び該熱硬化性樹脂よりも低い融点を有する低融点金属を含むことができる。例えば、上記ペーストは、Ａｇ粉末、Ｓｎ系はんだ粉末、及び熱硬化性樹脂を混合した後、３−ロールミル（３−ｒｏｌｌ ｍｉｌｌ）を用いて分散させることによって製造することができる。Ｓｎ系はんだ粉末は、Ｓｎ、Ｓｎ９６．５Ａｇ３．０Ｃｕ０．５、Ｓｎ４２Ｂｉ５８、及びＳｎ７２Ｂｉ２８から選択された１種以上を含んでもよく、Ａｇ粉末に含まれたＡｇの粒子径は０．５〜３μｍであってもよいが、本発明はこれに限定されるものではない。 The low melting point paste can include metal particles, a thermosetting resin, and a low melting point metal having a lower melting point than the thermosetting resin. For example, the paste can be manufactured by mixing Ag powder, Sn-based solder powder, and a thermosetting resin, and then dispersing the mixture using a 3-roll mill. The Sn-based solder powder may contain one or more selected from Sn, Sn 96.5 Ag 3.0 Cu 0.5 , Sn 42 Bi 58 , and Sn 72 Bi 28 , and Ag contained in the Ag powder The particle diameter may be 0.5-3 μm, but the present invention is not limited to this.
また、上記電極層の外側に上記低融点のペーストを塗布し、乾燥及び硬化することで、中間層及び導電性樹脂層を形成することができる。 Moreover, an intermediate | middle layer and a conductive resin layer can be formed by apply | coating the said low melting point paste on the outer side of the said electrode layer, and drying and hardening.
上記熱硬化性樹脂は、一例としてエポキシ樹脂を含むことができるが、本発明はこれに限定されるものではなく、ビスフェノールＡ樹脂、グリコールエポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、又はこれらの誘導体のうち分子量が少ないため、常温で液状である樹脂であってもよい。 The thermosetting resin may include an epoxy resin as an example, but the present invention is not limited thereto, and the molecular weight of the bisphenol A resin, glycol epoxy resin, novolak epoxy resin, or derivatives thereof is not limited thereto. Since there are few, resin which is liquid at normal temperature may be sufficient.
また、上記導電性樹脂層上に第１めっき層及び第２めっき層を形成する段階をさらに含んでもよい。 In addition, the method may further include forming a first plating layer and a second plating layer on the conductive resin layer.
例えば、導電性樹脂層上に第１めっき層であるニッケルめっき層を形成し、ニッケルめっき層上に第２めっき層であるスズめっき層を形成してもよい。 For example, a nickel plating layer that is a first plating layer may be formed on the conductive resin layer, and a tin plating layer that is a second plating layer may be formed on the nickel plating layer.
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。 As mentioned above, although embodiment of this invention was described in detail, the scope of the present invention is not limited to this, and various correction and deformation | transformation are within the range which does not deviate from the technical idea of this invention described in the claim. It will be apparent to those having ordinary knowledge in the art.
１００、１００' 積層セラミックキャパシタ
１１０ 本体
１１１ 誘電体層
１２１、１２２ 第１及び第２内部電極
１３０、１４０ 第１及び第２外部電極
１３１、１３１'、１４１、１４１' 電極層
１３２、１４２ 中間層
１３３、１４３ 導電性樹脂層
１３４、１４４ 第１めっき層
１３５、１４５ 第２めっき層
１３３ａ 金属粒子
１３３ｂ 第２金属間化合物
１３３ｃ ベース樹脂
100, 100 ′ Multilayer Ceramic Capacitor 110 Main Body 111 Dielectric Layer 121, 122 First and Second Internal Electrode 130, 140 First and Second External Electrode 131, 131 ′, 141, 141 ′ Electrode Layer 132, 142 Intermediate Layer 133 , 143 Conductive resin layer 134, 144 First plating layer 135, 145 Second plating layer 133a Metal particle 133b Second intermetallic compound 133c Base resin
Claims (24)
前記外部電極は、
前記第１又は第２内部電極と接触する電極層と、
前記電極層上に配置され、第１金属間化合物を含む中間層と、
前記中間層上に配置され、複数の金属粒子、第２金属間化合物、及びベース樹脂を含む導電性樹脂層と、を含む積層セラミックキャパシタ。 A dielectric layer; a main body including first and second internal electrodes; and an external electrode disposed on the main body.
The external electrode is
An electrode layer in contact with the first or second internal electrode;
An intermediate layer disposed on the electrode layer and including a first intermetallic compound;
A multilayer ceramic capacitor comprising a conductive resin layer disposed on the intermediate layer and including a plurality of metal particles, a second intermetallic compound, and a base resin.
前記第２金属間化合物はＡｇ３Ｓｎ、Ｃｕ６Ｓｎ５、及びＣｕ３Ｓｎのいずれか１種以上を含む、請求項１から９のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタ。 The plurality of metal particles include one or more of Ag and Cu,
10. The multilayer ceramic capacitor according to claim 1, wherein the second intermetallic compound includes at least one of Ag 3 Sn, Cu 6 Sn 5 , and Cu 3 Sn.
前記内部電極が前記本体の第３及び第４面と一定の間隔離れて前記本体の内部に形成され、交互に露出するように配置され、
前記電極層が前記一定の間隔離れた部分、及び前記本体の第３及び第４面に形成され、前記内部電極と連結されている、請求項１から１１のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタ。 The main body is connected to the first and second surfaces facing each other, the first and second surfaces, and is connected to the third and fourth surfaces facing each other, the first and second surfaces, and the third and fourth surfaces. A fifth surface and a sixth surface coupled to the surface and facing each other;
The internal electrodes are formed in the main body and spaced apart from the third and fourth surfaces of the main body by a certain distance, and are alternately exposed.
The multilayer ceramic according to any one of claims 1 to 11, wherein the electrode layer is formed on the part spaced apart by a certain distance and on the third and fourth surfaces of the main body and connected to the internal electrode. Capacitor.
前記積層体を焼成して本体を設けた後、前記内部電極の一端と電気的に連結され、前記本体の一面を覆うように電極層を形成する段階と、
前記電極層上に低融点のペーストを塗布及び乾燥した後、硬化熱処理して中間層及び導電性樹脂層を形成する段階と、を含む積層セラミックキャパシタの製造方法。 Providing a laminate by laminating a plurality of green sheets printed with internal electrodes; and
After firing the laminate and providing a body, electrically connected to one end of the internal electrode and forming an electrode layer to cover one surface of the body;
Applying a low melting point paste on the electrode layer and drying, followed by curing heat treatment to form an intermediate layer and a conductive resin layer.
前記外部電極は、
第１金属間化合物を含む中間層と、
前記中間層上に配置され、複数の金属粒子、第２金属間化合物、及びベース樹脂を含む導電性樹脂層と、を含み、
前記第１金属間化合物は前記第２金属間化合物に含まれた金属を含み、前記第２金属間化合物は前記複数の金属粒子に含まれた金属を含む電子部品。 A main body including a dielectric layer and an internal electrode, and an external electrode disposed on the main body,
The external electrode is
An intermediate layer comprising a first intermetallic compound;
A conductive resin layer disposed on the intermediate layer and including a plurality of metal particles, a second intermetallic compound, and a base resin;
The first intermetallic compound includes a metal included in the second intermetallic compound, and the second intermetallic compound includes an metal included in the plurality of metal particles.
前記中間層は前記電極層上に配置される、請求項２１又は２２に記載の電子部品。 Further comprising an electrode layer in contact with the internal electrode;
The electronic component according to claim 21, wherein the intermediate layer is disposed on the electrode layer.
前記複数の金属粒子はＡｇ及びＣｕのいずれか１種以上を含み、
前記第２金属間化合物はＡｇ３Ｓｎ、Ｃｕ６Ｓｎ５、及びＣｕ３Ｓｎのいずれか１種以上を含む、請求項２１から２３のいずれか一項に記載の電子部品。 The first intermetallic compound includes Ni and Sn;
The plurality of metal particles include one or more of Ag and Cu,
It said second intermetallic compound containing Ag 3 Sn, Cu 6 Sn 5 , and Cu 3 any one or more of Sn, electronic component according to any one of claims 21 23.
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