JP2018523844A - 画素回路、その駆動方法、及び表示パネル - Google Patents

画素回路、その駆動方法、及び表示パネル Download PDF

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Abstract

発光ダイオードと、駆動トランジスタと、一つのデータ線と当該駆動トランジスタとの間に接続され、且つゲートが一つの第1の走査線に接続される第1のトランジスタと、一つの第1の電源線と当該駆動トランジスタとの間に接続され、且つゲートが一つの第2の走査線に接続される第2のトランジスタと、当該駆動トランジスタのゲートと当該第2のトランジスタとの間に接続され、且つゲートが一つの第3の走査線に接続される第3のトランジスタと、当該駆動トランジスタのゲートと当該第1の電源線との間に接続される駆動コンデンサと、を含む画素回路70であって、当該駆動コンデンサは、更に、当該発光ダイオードを介して一つの第2の電源線に接続される。このようにすることで、発光素子を流れる電流は、データ線によって供給されたデータ信号にしか関連しないため、発光素子を流れる電流に対する閾値電圧の変動の影響が減少する。本発明は、表示パネル8及び画素駆動方法を更に提供する。【選択図】 図2

Description

本発明は、発光表示パネルに関し、特に、閾値電圧の変動を補償することができる画素回路、その駆動方法及び当該画素回路を有する表示パネルに関する。
電流型発光装置として、有機エレクトロル発光ダイオード(Organic Light Emitting Diode、OLED)は、ますます性能の高い有機発光表示パネルに応用されてきている。図1を参照すると、従来のOLED表示パネル画素回路は、駆動トランジスタ(Transistor)MDと、スイッチとして機能するトランジスタM1と、一つのコンデンサCSTと、一つの有機発光素子である2T1Cと、を含む。ここで、有機発光素子は、一つの有機発光ダイオードDOLED及び一つの当該発光ダイオードの誘導コンデンサCOLEDを含む。トランジスタM1はデータ信号VDATAに接続され、且つ走査信号VSCANに制御され、駆動トランジスタMDは画素電源VDDに接続され、且つトランジスタM1を介してデータ信号VDATAにも接続され、コンデンサCSTの両端が、それぞれ画素電源VDD、及びトランジスタM1と駆動トランジスタMDとの間のノードAに接続され、有機発光ダイオードDOLED及び誘導コンデンサCOLEDは、トランジスタMDと外部電源VSSとの間に並列接続される。ここで、外部電源VSSの電圧が画素電源VDDの電圧より低く、例えば、接地電圧であっても良い。トランジスタM1のゲートが走査信号VSCANに応答してトランジスタM1をオンにした場合に、データ信号VDATAは、コンデンサCSTを充電し始め、その後、コンデンサCSTの電圧が駆動トランジスタMDのゲートに印加され、これにより、駆動トランジスタMDはオンにされ、電流が有機発光素子を流れて有機発光素子を発光させる。
駆動トランジスタMDを介して有機発光素子に供給された電流は、以下の式によって算出される。
IOLED=1/2*β(VGS-VTH) ・・・式1
ただし、IOLEDは、有機発光素子を流れる電流であり、VGSは、駆動トランジスタMDのゲートとソースとの間に印加される電圧であり、VGSは、CST両端の電圧によって決定され、VTHは、駆動トランジスタMDの閾値電圧であり、βは、駆動トランジスタMDのゲイン係数であり、デバイスの寸法及び半導体のキャリアの移動度によって決定される。式1によると、有機発光素子を流れる電流は、駆動トランジスタMDの閾値電圧に影響される。生産プロセスで有機発光表示パネルにおける各トランジスタの閾値電圧及び電子移動度は、いずれも同じでないことから、同じVGSが印加されても、回路に生成された電流IOLEDは、依然としてばらつきがあるので、輝度が不均一である。
これに鑑み、本発明の一つの実施形態は、輝度が閾値電圧の変動に影響されることを小さくすることができる画素回路を提供する。
画素回路であって、当該画素回路は、発光ダイオードと、駆動トランジスタと、一つのデータ線と当該駆動トランジスタとの間に接続され、且つゲートが一つの第1の走査線に接続される第1のトランジスタと、一つの第1電源線と当該駆動トランジスタとの間に接続され、且つゲートが一つの第2の走査線に接続される第2のトランジスタと、当該駆動トランジスタのゲートと当該第2のトランジスタとの間に接続され、且つゲートが一つの第3の走査線に接続される第3のトランジスタと、当該駆動トランジスタのゲートと当該第1の電源線との間に接続される駆動コンデンサと、を含む。ここで、当該駆動トランジスタは、更に、当該発光ダイオードを介して一つの第2の電源線に接続される。
表示パネルであって、当該表示パネルは、アレイに配列される複数の上記の画素回路と、それぞれ当該第1の走査線、第2の走査線、及び第3の走査線に走査信号を供給する走査駆動ユニットと、当該データ線にデータ信号を供給するデータ駆動ユニットと、当該第1の電源線に第1の電源電圧を供給する第1の電源と、当該第2の電源線に第2の電源電圧を供給する第2の電源と、を含む。
上記の画素回路に応用される画素回路の駆動方法であって、当該駆動トランジスタは、一つの閾値電圧を有し、前記駆動方法は、当該第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、第3のトランジスタ、及び駆動トランジスタを導通させ、当該駆動コンデンサの両端の電位が、当該第1の電源線によって供給された第1の電圧になるステップと、当該第1のトランジスタ、第3のトランジスタ、及び駆動トランジスタを導通させ、第2のトランジスタを遮断させ、当該データ線が当該第1のトランジスタを介して当該駆動トランジスタに一つのデータ電圧を出力し、当該駆動コンデンサの当該駆動トランジスタと接続される一端の電位が、当該データ電圧と当該閾値電圧との合計値になるまで、当該駆動コンデンサが順次に当該第3のトランジスタ、駆動トランジスタ、及び第1のトランジスタを介してデータ線に放電するステップと、当該第2のトランジスタを導通させ、第1のトランジスタ及び第3のトランジスタを遮断させ、当該駆動コンデンサが、当該駆動トランジスタが導通するように駆動し、当該第1の電源線によって供給された第1の電圧が、当該発光素子が発光するように駆動するステップとを含む。
本発明の画素回路、表示パネル、及び駆動方法において、発光素子を流れる電流は、データ線によって供給されたデータ信号にしか関連しない。これにより、発光素子を流れる電流に対する閾値電圧の変動の影響が減少した。
以下の図面は、具体的な実施形態を参照して本発明の各実施形態を詳しく説明するためのものである。なお、図面に示す各構成要素は、実際の大きさ及び比例関係を表すものではなく、明確に説明するために示された概略図に過ぎず、本発明を限定するものと理解すべきではない。
従来の画素回路の概略図である。 本発明の表示パネルの概略ブロック図である。 図1の表示パネルの画素回路の概略図である。 それぞれ図3の画素回路の作動タイミング図及び当該タイミング図の充電段階での図3の画素回路の概略作動図である。 それぞれタイミング図及び当該タイミング図の補償段階での図3の画素回路の概略作動図である。 それぞれタイミング図及び当該タイミング図の発射段階での図3の画素回路の概略作動図である。 それぞれタイミング図及び当該タイミング図の放電段階での図3の画素回路概略作動図である。 図3の画素回路の駆動トランジスタの閾値と流れる電流との変動関係図である。 図2の画素回路の表示パネルの画素回路の第2の実施形態の概略図である。 それぞれ図9の画素回路の作動タイミング図及び当該タイミング図の充電段階での図9の画素回路の概略作動図である。
本発明の目的、技術案及び利点を更に明確するために、以下に、複数の実施形態及び図面を参照しながら、本発明を更に詳しく説明する。なお、ここで説明される具体的な実施形態は、本発明を解釈するためのものだけであり、本発明を限定するものではない。
図2を参照し、表示パネル8は、走査駆動ユニット10と、データ駆動ユニット20と、発射制御駆動ユニット30と、表示ユニット40と、第1の電源50と、第2の電源60と、を含む。表示ユニット40は、マトリックス配列される複数の画素回路70を含む。走査駆動ユニット10、データ駆動ユニット20、及び発射制御駆動ユニット30は、それぞれ各画素回路70に走査信号VSCAN(第1の走査信号VSCAN1と、第2の走査信号VSCAN2と第3の走査信号VSCAN3とを含む)、データ信号VDATA、及び発射制御信号VEMを供給する。第1の電源50及び第2の電源60は、それぞれ各画素回路70に第1の電圧VDD及び第2の電圧VSSを供給する。
次に図3を参照し、本発明第1の実施形態における画素回路70は、第1の走査信号VSCAN1を伝送する第1の走査線と、第2の走査信号VSCAN2を伝送する第2の走査線と、第3の走査信号VSCAN3を伝送する第3の走査線と、第1の電圧VDDを伝送する第1の電源線と、第2の電圧VSSを伝送する第2の電源線と、データ信号VDATAを伝送するデータ線と、発射制御信号VEMを伝送する発射線と、を有する。画素回路70は、
駆動トランジスタTDと、
一つの電極が当該第2の電源線に接続される発光ダイオードDOLEDと、
制御電極が当該第1の走査線に接続され、且つ二つの被制御電極がそれぞれ当該データ線及び当該駆動トランジスタTDの一つの被制御電極に接続される第1のトランジスタT1と、
制御電極が当該第2の走査線に接続され、且つ二つの被制御電極がそれぞれ当該第1の電源線及び当該駆動トランジスタTDのもう一つの被制御電極に接続される第2のトランジスタT2と、
制御電極が当該第3の走査線に接続され、且つ二つの被制御電極がそれぞれ当該駆動トランジスタTDの制御電極及び前記もう一つの被制御電極に接続される第3のトランジスタT3と、
制御電極が当該発射線に接続され、且つ二つの被制御電極がそれぞれ当該駆動トランジスタTDの前記一つの被制御電極及び当該発光ダイオードDOLEDのもう一つの電極に接続される発射トランジスタTEと、
両端がそれぞれ当該駆動トランジスタTDの制御電極及び当該第1の電源線に接続される駆動コンデンサCSTと、をさらに含む。
具体的に、下記の実施例において、発光素子は、有機発光ダイオード(OLED)として例示されるが、なお、本発明は、これに限定されない。例えば、当該発光素子は、無機発光ダイオードであっても良い。また、下記の実施例における駆動トランジスタTD、第1のトランジスタT1、第2のトランジスタT2、第3のトランジスタT3、及び発射トランジスタTEは、薄膜電界効果トランジスタであることが好ましい。具体的に、いずれもN型薄膜電界効果トランジスタであるが、これに限定されない。P型またはスイッチング機能を実現できる他の電子素子、例えば、三極管であっても良い。当業者であれば、下記の実施形態の説明により、他のタイプのトランジスタが如何に作動しているのかを知ることができるため、本発明は、他のタイプのトランジスタの説明を省略する。この場合、第2の電圧VSSの電圧値が、第1の電圧VDDの電圧値より低く、例えば、接地電圧であっても良い。
駆動トランジスタTDは、一つの制御電極と、当該制御電極によって制御されて相互に導通されるまたは導通されない二つの被制御電極と、を含む。制御電極が、N型薄膜電界効果トランジスタTDのゲートGであり、二つの被制御電極が、ドレインDとソースSであり、第1のトランジスタT1、第2のトランジスタT2、及び第3のトランジスタT3も発射トランジスタTEと同様である。第1のトランジスタT1のドレインD及びソースSが、それぞれ当該データ線及び駆動トランジスタTDのソースSに接続され、ゲートGが第1の走査線に接続される。第2のトランジスタT2のドレインD及びソースSが、それぞれ第1の電源線及び駆動トランジスタTDのドレインDに接続され、ゲートGが当該第2の走査線に接続される。第3のトランジスタT3のドレインD及びソースSが、それぞれ第2のトランジスタT2のソースS及び駆動トランジスタTDのゲートGに接続され、ゲートGが当該第3の走査線に接続される。発射トランジスタTEのドレインDが駆動トランジスタTDのソースSに接続され、ソースSが発光ダイオードDOLEDを介して第2の電源線に接続される。ここで、当該発光ダイオードDOLEDの陰極が当該第2の電源線に接続され、発射トランジスタTEのゲートGが当該発射線に接続される。本実施形態において、第1のトランジスタT1と、駆動トランジスタTDと、発射トランジスタTEとが相互に接続されるノードを、Nとし、第2のトランジスタT2と、駆動トランジスタTDと、第3のトランジスタT3とが相互に接続されるノードを、Nとし、駆動コンデンサCSTと、第3のトランジスタT3と、駆動トランジスタTDとが相互に接続されるノードを、Nとする。
図4a及び4bを参照し、図3の画素回路70は、図4aに示すタイミング図に従って作動する。図4aに示すタイミング図において、画素回路70の各作動周期は、四つの段階に分けることができる。第1の段階、即ち、充電段階において、画素回路70の作動状況は、図4bに示される、充電段階において、ノードN及びNの電圧が第1の電圧VDDの電圧まで充電される。具体的に、第1の走査信号VSCAN1及び発射制御信号VEMは、ローレベルであり、第2の走査信号VSCAN2及び第3の走査信号VSCAN3は、ハイレベルであり、この場合、第1のトランジスタT1及び発射トランジスタTEは遮断され、第2のトランジスタT2及び第3のトランジスタT3は導通される。この場合、第1の電圧VDDは、第2のトランジスタT2及び第3のトランジスタT3を介してノードNに伝送される。即ち、ノードN及びノードNは、いずれも第1の電圧VDDまで充電される。この場合、駆動トランジスタTDも遮断される。当該段階でデータ信号VDATAは、ローレベルであっても良い。
図5a及び5bを参照し、第2段階、即ち、補償段階において、ノードN及びノードNは、データ信号VDATAの電圧と駆動トランジスタTDの閾値電圧VTHとの合計値まで充電され、ノードNは、データ信号VDATAの電圧まで充電される。具体的に、第2の走査信号VSCAN2及び発射制御信号VEMは、ローレベルであり、第1の走査信号VSCAN1及び第3の走査信号VSCAN3は、ハイレベルである。第1の走査信号VSCAN1、及び第1の電圧VDDの電圧値とデータ信号VDATAとの電圧差は、通常第1のトランジスタT1及び駆動トランジスタTDの閾値電圧より大きいため、第1のトランジスタT1のVGSは、VTHより大きくて導通され、ノードNの電位は、データ信号VDATAの電圧値であり、駆動トランジスタTDも同様に導通され、ノードNの電位も、データ信号VDATAの電圧値である。同様に、第3のトランジスタT3も導通され、駆動コンデンサCと第3のトランジスタT3とが接続される一端は、順次にトランジスタT3、トランジスタTD、トランジスタT1を介してデータ線に電力量を放出するため、その電位が次第に低下していく。ノードN及びノードNの電位がデータ信号VDATAの電圧と駆動トランジスタTDの閾値電圧VTHとの合計値(VDATA+VTH)まで低下した場合に、駆動トランジスタTDのVGSは、VTHにイコールし、この場合、駆動トランジスタTDが遮断される。このようにすることで、ノードN及びノードNは(VDATA+VTH)に維持され、ノードNの電位は、データ信号VDATAの電圧値にイコールする。
図6a及び6bを参照し、第3の段階、即ち、発射段階において、トランジスタT2と、トランジスタTDと、トランジスタTEとは、いずれも導通され、発光ダイオードDOLEDは発光する。具体的には、画素回路70の発射段階での作動状況は、図6bに示される、発射段階において、第2の走査信号VSCAN2及び発射制御信号VEMは、いずれもハイレベルであり、第3の走査信号VSCAN3及び第1の走査信号VSCAN1は、いずれもローレベルである。この場合、第2のトランジスタT2及び発射トランジスタTEは導通され、第1のトランジスタT1及び第3のトランジスタT3は遮断される。導通される回路がないため、駆動コンデンサCの電圧は、そのまま維持され、即ち、ノードNの電位は、(VDATA+VTH)に維持される。このようにすることで、駆動コンデンサCSTによって貯蔵されるエネルギーの作用で、駆動トランジスタTDも導通され、第1の電圧VDDによって生成された電流は、発光ダイオードDOLEDを流れて発光させる。背景技術において言及された式1によると、この場合、発光素子を流れる電流は、
IOLED=1/2*β(VDATA+VTH-VTH)
=1/2*β(VDATA)
上式によると、発射段階で発光素子を流れる電流は、データ信号VDATAにしか関連しない。これにより、発光素子を流れる電流に対する閾値電圧の変動の影響が減少した。図8に示すように、本発明の5T1C構成は、従来の2T1C構成に比べ、同じ閾値電圧VTHの変動の下で、電流の変動が明らかに低下し、表示パネル8の輝度の均一性がよく改善される。
好ましくは、図7a及び7bを参照し、第4の段階、即ち、放電段階を有しても良い。この段階において、駆動コンデンサCSは、第2の電源線に放電する。具体的には、放電段階において、画素回路70の作動状況は、図7bに示すように、発射制御信号VEMは、ハイレベルであり、第1の走査信号VSCAN1、第2の走査信号VSCAN2、及び第3の走査信号VSCAN3は、いずれもローレベルである。この場合、発射トランジスタTEは導通され、ノードNの電位が依然として(VDATA+VTH)に維持されているため、駆動トランジスタTDも導通され、第1のトランジスタT1、第2のトランジスタT2、及び第3のトランジスタT3は遮断される。元の電位の作用で、発光ダイオードDOLEDは導通され、これにより、ノードN及びノードNの電位は、第2の電圧VSSによって低くされて次第に小さくなっていく。このようにすることで、次の周期のデータ電圧が低いことを避けることができ、即ち、データ電圧がノードNの電圧より小さい場合に、前記次の周期の補償段階でデータ電圧の書き込みが遅いこと、書き込むことができないまでの状況を避けることができるため、応答スビードが高められ、表示効果が向上した。
好ましくは、図9を参照し、本発明のもう一つの実施形態における画素回路70’と上記の実施形態における画素回路70との相違点は、発射トランジスタTEが省略されることである。このようにすることで、駆動トランジスタTDは、発光ダイオードDOLEDに直接接続されるようになる。画素回路70’の駆動タイミング図は、図10aに示すように、充電段階において、ノードNの電圧はデータ信号VDATAの電圧まで充電され、ノードN及びノードNの電圧は第1の電圧VDDの電圧まで充電される。具体的には、第1の走査信号VSCAN1、第2の走査信号VSCAN2、及び第3の走査信号VSCAN3は、いずれもハイレベルであり、この場合、第1のトランジスタT1、第2のトランジスタT2、及び第3のトランジスタT3は導通され、これにより、駆動トランジスタTDも導通される。この場合、第1の電圧VDDは、第2のトランジスタT2及び第3のトランジスタT3を介してノードNに伝送される。即ち、ノードN及びノードNは、いずれも第1の電圧VDDまで充電される。この場合、第1のトランジスタT1は導通され、ノードNの電位は、データ信号VDATAの電圧である。第2の段階、即ち、補償段階において、ノードN及びノードNは、(VDATA+VTH)まで充電され、ノードNは、データ信号VDATAの電圧まで充電される。第3の段階、即ち、発射段階において、トランジスタT2及びトランジスタTDは、いずれも導通され、発光ダイオードDOLEDは発光する。第2の段階及び第3の段階において、作動原理及び具体的な作動プロセスは、第1の方式と同じなので、ここで詳しく説明しない。当然、第1の実施形態のタイミング図と同じく、画素回路70’は、第3の段階の後に一つの放電する段階をさらに含んでも良い、その具体的な作動方式及び原理も上記の通りであるが、ここで詳しく説明しない。
以上の内容は、本発明の好ましい実施例に過ぎず、本発明を限定するものではない。本発明の趣旨及び原則を逸脱しない範囲内での各種の変更、同等な取り替え及び改善等は、いずれも本発明の保護範囲に含まれるべきである。

Claims (14)

  1. 発光ダイオードと、
    駆動トランジスタと、
    一つのデータ線と前記駆動トランジスタとの間に接続され、且つゲートが一つの第1の走査線に接続される第1のトランジスタと、
    一つの第1の電源線と前記駆動トランジスタとの間に接続され、且つゲートが一つの第2の走査線に接続される第2のトランジスタと、
    前記駆動トランジスタのゲートと前記第2のトランジスタとの間に接続され、且つゲートが一つの第3の走査線に接続される第3のトランジスタと、
    前記駆動トランジスタのゲートと前記第1の電源線との間に接続される駆動コンデンサと、
    を含み、
    前記駆動トランジスタは、更に、前記発光ダイオードを介して一つの第2の電源線に接続される、画素回路。
  2. 前記第1のトランジスタのドレイン及びソースが、それぞれ前記データ線及び前記駆動トランジスタのソースに接続される、
    ことを特徴とする請求項1に記載の画素回路。
  3. 前記第1のトランジスタのドレイン及びソースが、それぞれ前記データ線及び前記駆動トランジスタのソースに接続される、
    ことを特徴とする請求項1に記載の画素回路。
  4. 前記第2のトランジスタのドレイン及びソースが、それぞれ前記第1の電源線及び前記駆動トランジスタのドレインに接続される、
    ことを特徴とする請求項1に記載の画素回路。
  5. 前記第3のトランジスタのドレイン及びソースが、それぞれ前記駆動トランジスタのドレイン及びゲートに接続される、
    ことを特徴とする請求項1に記載の画素回路。
  6. 前記駆動コンデンサの両端が、それぞれ前記駆動トランジスタのゲート及び前記第1の電源線に接続される、
    ことを特徴とする請求項1に記載の画素回路。
  7. 前記画素回路は、前記駆動トランジスタと前記発光ダイオードとの間に接続される発射トランジスタを更に含み、且つ前記発射トランジスタのゲートが一つの発射線に接続される、
    ことを特徴とする請求項1に記載の画素回路。
  8. 前記発射トランジスタのドレイン及びソースが、それぞれ前記駆動トランジスタのソース及び前記発光ダイオードの陽極に接続され、前記発光ダイオードの陰極が前記第2の電源線に接続される、
    ことを特徴とする請求項7に記載の画素回路。
  9. アレイに配列される複数の請求項1〜6のいずれかに記載の画素回路と、
    それぞれ前記第1の走査線、第2の走査線、及び第3の走査線に走査信号を供給する走査駆動ユニットと、
    前記データ線にデータ信号を供給するデータ駆動ユニットと、
    前記第1の電源線に第1の電源電圧を供給する第1の電源と、
    前記第2の電源線に第2の電源電圧を供給する第2の電源と、
    を含む表示パネル。
  10. 前記画素回路は、前記駆動トランジスタと前記発光ダイオードとの間に接続される発射トランジスタを更に含み、且つ前記発射トランジスタのゲートが一つの発射線に接続され、前記表示パネルは、前記発射線に発射制御信号を供給する発射制御駆動ユニットを更に含む、
    ことを特徴とする請求項9に記載の表示パネル。
  11. 請求項1〜6のいずれかに記載の前記画素回路に応用される画素回路の駆動方法であって、前記駆動トランジスタは、一つの閾値電圧を有し、前記駆動方法は、
    前記第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、第3のトランジスタ、及び駆動トランジスタを導通させ、前記駆動コンデンサの両端の電位は、前記第1の電源線によって供給された第1の電圧になるステップと、
    前記第1のトランジスタ、第3のトランジスタ、及び駆動トランジスタを導通させ、第2のトランジスタを遮断させ、前記データ線が、前記第1のトランジスタを介して前記駆動トランジスタに一つのデータ電圧を出力し、前記駆動コンデンサの前記駆動トランジスタと接続される一端の電位が前記データ電圧と前記閾値電圧との合計値になるまで、前記駆動コンデンサが、順次に前記第3のトランジスタ、駆動トランジスタ、及び第1のトランジスタを介してデータ線に放電するステップと、
    前記第2のトランジスタを導通させ、第1のトランジスタ及び第3のトランジスタを遮断させ、前記駆動コンデンサが、前記駆動トランジスタが導通するように駆動し、前記第1の電源線によって供給された第1の電圧により、前記発光素子が発光するように駆動するステップと、
    を含む画素回路の駆動方法
  12. 前記発光素子が発光するステップの後に、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、及び第3のトランジスタを遮断させ、駆動トランジスタが駆動コンデンサの駆動で導通され、前記駆動トランジスタと前記第1のトランジスタとの間の一つの接続ノードの電圧が低くなるステップを更に含む、
    ことを特徴とする請求項11に記載の駆動方法。
  13. 請求項7に記載の画素回路に応用される画素回路の駆動方法であって、前記駆動トランジスタは、一つの閾値電圧を有し、前記駆動方法は、
    前記第2のトランジスタ及び第3のトランジスタを導通させ、前記第1のトランジスタ及び発射トランジスタを遮断させ、前記コンデンサの両端の電位が、前記第1の電源線によって供給された第1の電圧値になるステップと、
    前記第1のトランジスタ、第3のトランジスタ、及び駆動トランジスタを導通させ、第2のトランジスタを遮断させ、前記データ線が前記第1のトランジスタを介して前記駆動トランジスタに一つのデータ電圧を出力し、前記駆動コンデンサの前記駆動トランジスタと接続される一端の電位が前記データ電圧と前記閾値電圧との合計値になるまで、前記駆動コンデンサが、順次に前記第3のトランジスタ、駆動トランジスタ、及び第1のトランジスタを介してデータ線に放電するステップと、
    前記第2のトランジスタを導通させ、第1のトランジスタ及び第3のトランジスタを遮断させ、前記駆動コンデンサが、前記駆動トランジスタが導通するように駆動し、前記第1の電源線によって供給された第1の電圧により、前記発光素子が発光するように駆動するステップと、
    を含む画素回路の駆動方法。
  14. 前記発光素子が発光するステップの後に、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、及び第3のトランジスタを遮断させ、駆動トランジスタが駆動コンデンサの駆動で導通され、前記駆動トランジスタと前記第1のトランジスタとの間の一つの接続ノードの電圧が低くなるステップと、を更に含む、
    ことを特徴とする請求項12に記載の駆動方法。
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