JP2018103604A - Method of manufacturing thermal print head module - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、サーマルプリントヘッドモジュール及びその製造方法に関し、特に、プリンターのサーマルプリントヘッドモジュール及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a thermal printhead module and a manufacturing method thereof, and more particularly to a thermal printhead module of a printer and a manufacturing method thereof.
熱エネルギー転写原理が採用されたプリンターは、主にサーマルプリントヘッド(thermal print head;TPH)モジュールによりリボンを加熱し、リボンにおける染料を気化させ、キャリア(例えば、紙又はプラスチック)に転写し、加熱時間又は加熱温度により連続的な階調を形成する。一般的には、サーマルプリントヘッドモジュールは、セラミック基板、プリント回路基板、シールゴム層、集積回路、ワイヤ等で構成される。 Printers that employ the thermal energy transfer principle mainly heat the ribbon with a thermal print head (TPH) module, vaporize the dye on the ribbon, transfer it to a carrier (eg, paper or plastic), and heat A continuous gradation is formed by time or heating temperature. Generally, a thermal print head module is composed of a ceramic substrate, a printed circuit board, a seal rubber layer, an integrated circuit, a wire, and the like.
しかしながら、現在、市販品のサーマルプリントヘッドモジュールは、寸法が大きくとも2−8インチ(50−200mm)(後には小寸法と称される)程度だけにあるに過ぎず、更なる大きな寸法のサーマルプリントヘッドモジュールを持続的に提供できなかったり、大型寸法のプリント製品を一次的に産出できなかったりする。 Currently, however, commercially available thermal printhead modules are only 2-8 inches (50-200 mm) in size (later referred to as small dimensions) at most, and larger thermal dimensions. The printhead module cannot be provided continuously, or large-sized print products cannot be produced temporarily.
本発明の一目的は、以上の背景技術に言及される困難を解決するために、サーマルプリントヘッドモジュール及びその製造方法を提供することにあり、即ち、上記熱エネルギー転写原理によるプリンターが大型化できないという欠点を解決するために、高くて大きい寸法と高度平坦化基板を有するサーマルプリントヘッドモジュールを提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a thermal printhead module and a method for manufacturing the same in order to solve the above-mentioned difficulties, ie, a printer based on the thermal energy transfer principle cannot be enlarged. In order to solve the above-described drawbacks, it is an object of the present invention to provide a thermal printhead module having high and large dimensions and a highly planarized substrate.
本発明の一実施形態によって、このようなサーマルプリントヘッドモジュールの製造方法は、シリコン基板を取得するようにシリコンピラーの二つの対向側を縦断する工程と、シリコン基板に施釉層、発熱抵抗層、電極パターン層、絶縁保護層を順に形成する工程と、制御回路モジュールを電極パターン層に電気的に接続する工程と、を含む。 According to an embodiment of the present invention, a method for manufacturing such a thermal printhead module includes a step of longitudinally cutting two opposing sides of a silicon pillar so as to obtain a silicon substrate, a glazing layer, a heating resistor layer, A step of sequentially forming an electrode pattern layer and an insulating protective layer; and a step of electrically connecting the control circuit module to the electrode pattern layer.
本発明の一つ又は複数の実施形態においては、シリコンピラーは、単結晶シリコンピラー又は多結晶シリコンピラーである。 In one or more embodiments of the present invention, the silicon pillar is a single crystal silicon pillar or a polycrystalline silicon pillar.
本発明の一つ又は複数の実施形態においては、シリコン基板の長さは、12〜64インチ(300〜1600mm)又は64インチ(1600mm)以上である。 In one or more embodiments of the present invention, the length of the silicon substrate is 12 to 64 inches (300 to 1600 mm) or 64 inches (1600 mm) or more.
本発明の一つ又は複数の実施形態においては、シリコン基板を取得するようにシリコンピラーの二つの対向側を縦断する工程は、シリコンピラーの二つの対向側の間にある中間層板を取得するように、シリコンピラーの軸心方向に沿って、シリコンピラーの一端面から別の端面まで、シリコンピラーの二つの対向側をまっすぐに切断する細部工程と、二つの対向平坦面を含むシリコン基板を形成するように中間層板を研磨する細部工程と、を更に含む。 In one or more embodiments of the present invention, the step of longitudinally cutting two opposite sides of the silicon pillar to obtain a silicon substrate obtains an intermediate layer plate between the two opposite sides of the silicon pillar. A detailed process of cutting two opposing sides of the silicon pillar straight from one end surface of the silicon pillar to another end surface along the axial direction of the silicon pillar, and a silicon substrate including two opposing flat surfaces A detailing step of polishing the interlayer plate to form.
本発明の一つ又は複数の実施形態においては、シリコン基板に施釉層、発熱抵抗層、電極パターン層、絶縁保護層を順に形成する工程は、シリコン基板の一方の面にあるように主釉層を全面的に形成する細部工程と、間隔を隔てて並列される連続する複数の釉薬リブを主釉層のシリコン基板とは反対側の一方の面に形成する細部工程と、を更に含む。 In one or a plurality of embodiments of the present invention, the step of sequentially forming the glazing layer, the heating resistor layer, the electrode pattern layer, and the insulating protective layer on the silicon substrate is performed so that the main layer is on one surface of the silicon substrate. And a detail process for forming a plurality of continuous glaze ribs arranged in parallel at intervals on one surface of the main substrate layer opposite to the silicon substrate.
本発明の一つ又は複数の実施形態においては、シリコン基板に施釉層、発熱抵抗層、電極パターン層、絶縁保護層を順に形成する工程は、導電金属層を発熱抵抗層の施釉層に対向する一方の面に形成する細部工程と、釉薬リブに合わせて覆う発熱抵抗層の隆起形状をそれぞれ露出させるように、導電金属層のそれぞれ釉薬リブと重なる局所的な箇所をエッチングする細部工程と、を更に含む。 In one or a plurality of embodiments of the present invention, the step of sequentially forming the glazing layer, the heating resistor layer, the electrode pattern layer, and the insulating protective layer on the silicon substrate opposes the conductive metal layer to the glazing layer of the heating resistor layer. A detail process formed on one surface, and a detail process for etching local portions overlapping the glaze ribs of the conductive metal layer so as to expose the raised shape of the heating resistance layer covering the glaze ribs, respectively. In addition.
本発明の一つ又は複数の実施形態においては、制御回路モジュールを電極パターン層に電気的に接続する工程は、電極パターン層の一部を露出させる切欠部を形成するように絶縁保護層をエッチングする細部工程と、制御回路モジュールを切欠部を介して電極パターン層に電気的に接続する細部工程と、を更に含む。 In one or more embodiments of the present invention, the step of electrically connecting the control circuit module to the electrode pattern layer etches the insulating protective layer so as to form a notch that exposes a portion of the electrode pattern layer. And a detail process for electrically connecting the control circuit module to the electrode pattern layer through the notch.
本発明の別の実施形態によって、このようなサーマルプリントヘッドモジュールは、二つの対向する平坦面を有するシリコン基板と、シリコン基板の一方の平坦面に覆われる主釉層と主釉層のシリコン基板に対向する一方の面に間隔を隔てて並列される複数の釉薬リブを有する施釉層と、主釉層とこれらの釉薬リブを覆う発熱抵抗層と、発熱抵抗層の施釉層に対向する一方の面にある電極パターン層と、電極パターン層にある絶縁保護層と、電極パターン層に電気的に接続する制御回路モジュールと、を含有する。 According to another embodiment of the present invention, such a thermal printhead module includes a silicon substrate having two opposing flat surfaces, a main substrate layer covered by one flat surface of the silicon substrate, and a main substrate silicon substrate. A glazing layer having a plurality of glaze ribs arranged in parallel on one side facing each other, a main glazing layer, a heating resistance layer covering these glaze ribs, and one of the heating resistance layers facing the glazing layer An electrode pattern layer on the surface, an insulating protective layer on the electrode pattern layer, and a control circuit module electrically connected to the electrode pattern layer are contained.
発明の一つ又は複数の実施形態においては、シリコン基板は、一体化成形され、最大長さが12インチ〜64インチ(300mm〜1600mm)である。 In one or more embodiments of the invention, the silicon substrate is integrally molded and has a maximum length of 12 inches to 64 inches (300 mm to 1600 mm).
本発明の一つ又は複数の実施形態においては、シリコン基板は、シリコン単結晶又はシリコン多結晶からなる。 In one or more embodiments of the present invention, the silicon substrate is made of silicon single crystal or silicon polycrystal.
以上のように、本発明によれば、高くて大きい寸法と高度平坦化基板を有するサーマルプリントヘッドモジュールを提供でき、熱エネルギー転写原理によるプリンターを大型化することができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to provide a thermal print head module having high and large dimensions and a highly planarized substrate, and it is possible to increase the size of a printer based on the thermal energy transfer principle.
以上述べたのは、本発明が解决しようとする課題、課題を解决するための技術手段、及びその効果等を記述するためのものであり、本発明の具体的な細部を、下記の実施形態及び関連する図面において詳しく説明する。 What has been described above is for describing the problem to be solved by the present invention, technical means for solving the problem, and effects thereof. Specific details of the present invention are described in the following embodiments. And the associated drawings.
下記図面の説明は、本発明の前記または他の目的、特徴、メリット、実施例をより分かりやすくするためのものである。
以下、図面で本発明の複数の実施形態を開示する。明らかに説明するために、下記で多くの実際の細部を合わせて説明する。しかしながら、理解すべきなのは、これらの実際の細部が、本発明を制限するためのものではない。即ち、本発明の実施形態の一部において、これらの実際の細部は、必要ないものである。また、図面を簡略化するために、ある従来慣用の構造と素子は、図面において簡単で模式的に示される。 Hereinafter, a plurality of embodiments of the present invention will be disclosed in the drawings. For the sake of clarity, many practical details are described below. However, it should be understood that these actual details are not intended to limit the invention. That is, in some of the embodiments of the present invention, these actual details are not necessary. Also, to simplify the drawings, some conventional structures and elements are shown schematically and simply in the drawings.
従来の技術では、セラミック基板をサーマルプリントヘッドの基板として採用することが多い。しかしながら、大型化セラミック基板を加熱製作するプロセスにおいて、発明者は、セラミック基板に常に大きすぎる寸法により反り等の不良な外観が発生するので、セラミック基板が加熱箇所を配置するための平坦面を提供できず、更にサーマルプリントヘッドモジュールの歩留まりを向上させることができないことを発現した。これに鑑みて、本発明は、まっすぐな特性を有するピラーからなる高平坦化シリコン板で従来のセラミック基板を取り換えることで、高くて大きい寸法と高度平坦化基板を有するサーマルプリントヘッドモジュールを作製して、大型寸法のプリント製品を一次的に産出することができる。理解すべきなのは、本発明のサーマルプリントヘッドモジュールは、如何なる熱エネルギー転写原理によるプリンター、例えば熱昇華プリンター、熱転写プリンター、ラベルプリンター又はポスタープリンター等の類似な分野にも適用されることができることである。 In the prior art, a ceramic substrate is often adopted as a substrate for a thermal print head. However, in the process of heating and manufacturing a large ceramic substrate, the inventor provides a flat surface for placing the heating point because the ceramic substrate always has a dimension that is too large and a defective appearance such as warping occurs. Further, it was revealed that the yield of the thermal printhead module could not be improved. In view of this, the present invention produces a thermal printhead module having high and large dimensions and a highly planarized substrate by replacing a conventional ceramic substrate with a highly planarized silicon plate made of pillars having straight characteristics. Thus, large-sized printed products can be produced primarily. It should be understood that the thermal printhead module of the present invention can be applied to similar fields such as printers according to any thermal energy transfer principle, such as thermal sublimation printers, thermal transfer printers, label printers or poster printers. .
図1は、本発明の一実施形態に基づくサーマルプリントヘッドモジュールの製造方法を示すフローチャートである。図1に示されるように、本実施形態において、サーマルプリントヘッドモジュールの製造方法10は、以下のような工程101〜工程106を含む。工程101においては、シリコン基板を提供する。工程102においては、施釉層をシリコン基板に形成する。工程103においては、発熱抵抗層を施釉層に形成する。工程104においては、電極パターン層を発熱抵抗層に形成する。工程105においては、絶縁保護層を電極パターン層に形成する。工程106においては、制御回路モジュールを電極パターン層に電気的に接続する。
FIG. 1 is a flowchart showing a method for manufacturing a thermal printhead module according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, in the present embodiment, the thermal printhead
図2Aは、図1の工程101の細部を示すフローチャートである。図2B〜図2Cは、図2Aの操作を示す模式図である。本実施形態において、図2Aに示されるように、上記工程101においては、以下のような細部工程1011〜1013を含む。細部工程1011においては、図2Bに示されるように、シリコンピラー200を提供する。例として、結晶成長プロセスによりシリコンピラー200を形成する。シリコンピラー200は、円柱体に近似し、第1の端面201と、第1の端面201に対向する第2の端面202と、第1の端面201と第2の端面202との間にあり、且つ第1の端面201と第2の端面202を囲む円周面203と、を含む。また、シリコンピラー200は、軸心方向210を有し、即ち、この軸心方向210に沿って延伸する。
FIG. 2A is a flowchart showing details of
次に、細部工程1012においては、図2Bと図2Cに示されるように、シリコンピラー200の二つの対向側を縦断する。例として、ピラー切断機250によってシリコンピラー200を個片化し、具体的には、ピラー切断機250によってこのシリコンピラー200の軸心方向210に沿って、シリコンピラー200の第1の端面201から第2の端面202を通じてシリコンピラー200をまっすぐに二回切断し、それぞれシリコンピラー200から小弓形柱体220と大弓形柱体230を除去し、更にそれらの間にある中間層板240を取得する。定義すべきなのは、上記小弓形柱体220の二つの対向する端面は、いずれも弦222と劣弧223を含む小弓形面221であり、上記大弓形柱体230の二つの対向する端面は、いずれも弦232と優弧233を含む大弓形面231である。
Next, in the
最後に、細部工程1013においては、次に、中間層板240を取得した後に、上記シリコン基板を形成するように、中間層板240の二つの対向する主面241を研磨する。このようにして、セラミック基板の形成は加熱プロセスを必要とすることに対して、シリコン基板の取得は、加熱プロセスを必要としないので、更にプロセスを簡略化して製造コストを低減することができる。
Finally, in the
また、生産効率を向上させるために、上記の細部工程1012の他の実施形態においては、ピラー切断機250によってシリコンピラー200の軸心方向210に沿って、シリコンピラー200の第1の端面201から第2の端面202を通じてシリコンピラー200をまっすぐに複数回切断してもよく(不図示)、それぞれシリコンピラー200から同じ寸法の二つの小弓形柱体(図2Cの小弓形柱体220を参照)を除去し、更にそれらの間に互いに平行して配置される複数の板層(図2Cの中間層板240を参照)を取得し、このようにして、各板層の二つの対向する主面を研磨することができる。研磨を完成した後の如何なる板層も、直ちに上記シリコン基板とすることができる。
In order to improve production efficiency, in another embodiment of the above-described
図3A〜図3Iは、図1の操作を示す模式図である。図4は、本発明の一実施形態に基づくサーマルプリントヘッドを示す上面図である。図3Aに示されるように、一実施形態において、上記の取り出されるシリコン基板310は、矩形体になり、且つ二つの対向する平坦面311、312を有し、シリコン基板310の各平坦面311、312の長さが、例えば、36インチ(900mm)である。又は、一実施形態において、シリコン基板310の各平坦面311、312の長さは、例えば、少なくとも12インチ〜64インチ(300mm〜1600mm)の範囲にある。
3A to 3I are schematic views showing the operation of FIG. FIG. 4 is a top view showing a thermal print head according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 3A, in one embodiment, the
図3Aに示されるように、上記工程102は、より具体的には、以下のような細部工程を含む。シリコン基板310の一方の平坦面311にあるように主釉層321を全面的に形成する。具体的には、スクリーン印刷プロセスを採用して釉薬スラリー層をシリコン基板310の平坦面311に均一に塗布して、高温で(1000〜1200℃)釉薬スラリーを焼成し硬化させる。この工程は、主釉層321が、熱エネルギーを保存し、容易に流失しないようにするためのものである。次に、図4と図3Bに示されるように、主釉層321を形成した後に、複数の釉薬リブ322を主釉層321のシリコン基板310とは反対側の一方の面に間隔を隔てて形成する。具体的には、スクリーン印刷プロセスを採用して複数の釉薬リブ322を主釉層321のシリコン基板310とは反対側の一方の面に均一に塗布する。これらの釉薬リブ322は、主釉層321に間隔を隔てて並列され、且つ各釉薬リブ322の各々は、直線状になり、主釉層321に連続的に形成され、且つ大よそ例えば10インチ〜64インチ(250〜1600mm)まで長い。
As shown in FIG. 3A, more specifically, the
図3Cに示されるように、上記工程103は、より具体的には、発熱抵抗層330を主釉層321と釉薬リブ322に全面的に形成し、発熱抵抗層330を主釉層321とこれらの釉薬リブ322に全面的に覆って、対応的にこれらの釉薬リブ322に合わせる隆起形状331を形成させる細部工程を含む。
As shown in FIG. 3C, more specifically, in the
図3Dに示されるように、上記工程104は、より具体的には、以下のような細部工程を含む。導電金属層341(例えば、アルミニウム、銅、銀又は金)を発熱抵抗層330の施釉層320に対向する一方の面に形成する。次に、導電金属層341を形成した後に、図3Eに示されるように、導電金属層341のこれらの釉薬リブ322に対応する局所的な箇所にエッチング開口342を形成するように、導電金属層341のそれぞれこれらの釉薬リブ322と重なる局所的な箇所をエッチングして、導電金属層341に形成されたエッチング開口342から発熱抵抗層330の上記隆起形状331をそれぞれ露出させる。具体的には、発熱抵抗層330の施釉層320に対向する一方の面にフォトレジストを塗布し、PEP(photo engraving process)によってフォトレジストのパターン化を実施する。
As shown in FIG. 3D, the
図3Fに示されるように、上記工程105は、具体的に、絶縁保護層350を、その一部が電極パターン層340を覆い、もう一部が発熱抵抗層330の上記隆起形状331を覆って発熱抵抗層330を密着するようにエッチング開口342に入り込むように、電極パターン層340に全面的に覆う細部工程と、次に、絶縁保護層350を形成した後に、図3Gに示されるように、電極パターン層340の一部を露出させる切欠部351を形成するように絶縁保護層350を局所的にエッチングし、このようにして、サーマルプリントヘッド構造260を形成する細部工程と、を含む。
As shown in FIG. 3F, the
図3Hに示されるように、上記工程106は、具体的に、制御回路モジュール360を切欠部351を介してサーマルプリントヘッド構造260の電極パターン層340に電気的に接続する細部工程を含む。制御回路モジュール360は、例えば、チップオンフィルム実装構造361(Chip on Film;COF)、動作チップ362及び回路基板(印刷回路基板又は可とう性回路基板)の組み合わせである。
As shown in FIG. 3H, the
本実施形態において、サーマルプリントヘッドモジュール300を使用しない時、効果的に熱エネルギーを放熱するために、上記の制御回路モジュール360を電気的に接続する工程の後に、図3Iに示されるように、本実施形態の製造方法は、放熱構造370をシリコン基板310の別の平坦面312、即ちシリコン基板310の施釉層320とは反対側の一方の面に接続することを更に含む。言及すべきなのは、名づけやすくするために、以上の制御回路モジュール360と放熱構造370をまだ接続していないサーマルプリントヘッドモジュール300を一時的にサーマルプリントヘッド構造260と称する。
In the present embodiment, when the thermal
図3Iに示されるように、サーマルプリントヘッドモジュール300は、二つの対向する平坦面311、312を有するシリコン基板310と、シリコン基板310の一方の平坦面311に覆われる主釉層321と主釉層321のシリコン基板310に対向する一方の面に間隔を隔てて並列される複数の釉薬リブ322を有する施釉層320と、主釉層321とこれらの釉薬リブ322を覆う発熱抵抗層330と、発熱抵抗層330の施釉層320に対向する一方の面にある電極パターン層340と、電極パターン層340上にある絶縁保護層350と、電極パターン層340に電気的に接続する制御回路モジュール360と、シリコン基板310の別の平坦面312にある放熱構造370と、を含む。本実施形態において、シリコン基板310は、一体化成形され、最大長さが例えば12インチ〜64インチ(300mm〜1600mm)である。また、シリコン基板310は、シリコン単結晶又はシリコン多結晶からなる。如何なる二つの釉薬リブ322間のピッチG(図4)も0.5〜2センチメートルである。しかしながら、本発明は、これに制限されるものではない。
As shown in FIG. 3I, the
図5は、本発明の一実施形態に基づくサーマルプリントヘッドモジュール300を示す模式図である。図6は、図5の線分6−6に沿う断面図を示す。図5と図6に示されるように、制御回路モジュール360は、チップオンフィルム実装構造361と、複数の動作チップ362と、連結ユニット363と、を含む。これらの動作チップ362は、チップオンフィルム実装構造361上にあり、且つチップオンフィルム実装構造361に電気的に接続され、例えば、半田364を介してチップオンフィルム実装構造361に電気的に接続される。連結ユニット363は、プリンターの内部回路を連結するためのものである。チップオンフィルム実装構造361は、サーマルプリントヘッドモジュール300と連結ユニット363を電気的に接続し、例えば、異方性の導電ゴム365(Anisotropic Conductive Film;ACF)を介してサーマルプリントヘッドモジュール300の電極パターン層340と連結ユニット363を電気的に接続する。このようにして、サーマルプリントヘッドモジュール300は、制御回路モジュール360を介してプリンターの内部回路に接続される。
FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a
理解すべきなのは、本実施形態においては、例として、シリコンピラー200は、単結晶シリコンピラー200である。単結晶シリコンピラー200を選択し使用する理由は、単結晶シリコンピラー200を90センチメートル以上まで長くすることができる特性を有し、且つ、分離することなく、高温下で施釉層材料と同時焼成できることである。また、セラミック基板に比べると、単結晶シリコン基板310の反りと表面平坦化度はいずれも、セラミック基板より遥かに優れる。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。その他の実施形態においては、シリコンピラー200は、多結晶シリコンピラーであってもよい。
It should be understood that in the present embodiment, the
最後に、本発明の実施例を前述の通りに開示したが、これは、本発明を限定するものではなく、当業者であれば、本発明の精神と範囲から逸脱しない限り、多様の変更や修正を加えることができ、したがって、本発明の保護範囲は、後の特許請求の範囲で指定した内容を基準とするものである。 Finally, although the embodiments of the present invention have been disclosed as described above, this is not intended to limit the present invention, and those skilled in the art will recognize various modifications and changes without departing from the spirit and scope of the present invention. Modifications can be made, so the protection scope of the present invention is based on what is specified in the claims that follow.
6−6 線分
10 製造方法
101〜106 工程
1011〜1013 細部工程
200 シリコンピラー
201 第1の端面
202 第2の端面
203 円周面
210 軸心方向
220 小弓形柱体
221 小弓形面
222 弦
223 劣弧
230 大弓形柱体
231 大弓形面
232 弦
233 優弧
240 中間層板
241 中間層板の二つの対向する主面
250 ピラー切断機
260 サーマルプリントヘッド構造
300 サーマルプリントヘッドモジュール
310 シリコン基板
311、312 平坦面
320 施釉層
321 主釉層
322 釉薬リブ
330 発熱抵抗層
331 隆起形状
340 電極パターン層
341 導電金属層
342 エッチング開口
350 絶縁保護層
351 切欠部
360 制御回路モジュール
361 チップオンフィルム実装構造
362 動作チップ
363 連結ユニット
364 半田
365 異方性の導電ゴム
370 放熱構造
G ピッチ。
6-6
Claims (10)
前記シリコン基板に施釉層、発熱抵抗層、電極パターン層、絶縁保護層を順に形成することと、
制御回路モジュールを前記電極パターン層に電気的に接続することと、
を含むサーマルプリントヘッドモジュールの製造方法。 Longitudinally cutting the two opposite sides of the silicon pillar to obtain a silicon substrate;
Forming a glazing layer, a heating resistor layer, an electrode pattern layer, and an insulating protective layer in order on the silicon substrate;
Electrically connecting a control circuit module to the electrode pattern layer;
A method of manufacturing a thermal printhead module including:
前記シリコンピラーの前記二つの対向側の間にある中間層板を取得するように、前記シリコンピラーの軸心方向に沿って、前記シリコンピラーの一端面から別の端面まで、前記シリコンピラーの前記二つの対向側をまっすぐに切断することと、
対向する平坦面を含む前記シリコン基板を形成するように前記中間層板を研磨することと、
を含む請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッドモジュールの製造方法。 Crossing two opposing sides of the silicon pillar so as to obtain the silicon substrate,
From one end surface of the silicon pillar to another end surface along the axial direction of the silicon pillar so as to obtain an intermediate layer plate between the two opposite sides of the silicon pillar, the silicon pillar Cutting the two opposite sides straight,
Polishing the interlayer plate to form the silicon substrate including opposing flat surfaces;
The manufacturing method of the thermal print head module as described in any one of Claims 1-3 containing this.
前記シリコン基板の一方の面にあるように主釉層を全面的に形成することと、
間隔を隔てて並列される連続する複数の釉薬リブを前記主釉層の前記シリコン基板とは反対側の一方の面に形成することと、
を含む請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッドモジュールの製造方法。 Forming the glazed layer, the heating resistor layer, the electrode pattern layer, and the insulating protective layer in order on the silicon substrate,
Forming a main layer entirely on one side of the silicon substrate;
Forming a plurality of continuous glaze ribs juxtaposed at intervals on one surface of the main glaze layer opposite to the silicon substrate;
The manufacturing method of the thermal print head module as described in any one of Claims 1-4 containing this.
導電金属層を前記発熱抵抗層の前記施釉層に対向する一方の面に形成することと、
これらの釉薬リブに合わせて覆う前記発熱抵抗層の隆起形状をそれぞれ露出させるように、前記導電金属層のそれぞれこれらの釉薬リブと重なる局所的な箇所をエッチングすることと、
を含む請求項5に記載のサーマルプリントヘッドモジュールの製造方法。 Forming the glazed layer, the heating resistor layer, the electrode pattern layer, and the insulating protective layer in order on the silicon substrate,
Forming a conductive metal layer on one side of the heating resistor layer facing the glazed layer;
Etching local portions of the conductive metal layer that overlap each of the glaze ribs so as to expose the raised shape of the heating resistance layer covering the glaze ribs, respectively,
The manufacturing method of the thermal print head module of Claim 5 containing this.
前記電極パターン層の一部を露出させる切欠部を形成するように前記絶縁保護層をエッチングすることと、
前記制御回路モジュールを前記切欠部を介して前記電極パターン層に電気的に接続することと、
を含む請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッドモジュールの製造方法。 Electrically connecting the control circuit module to the electrode pattern layer,
Etching the insulating protective layer to form a notch that exposes a portion of the electrode pattern layer; and
Electrically connecting the control circuit module to the electrode pattern layer through the notch,
The manufacturing method of the thermal print head module as described in any one of Claims 1-5 containing these.
これらの平坦面のうちの一つに覆われる主釉層と、前記主釉層の前記シリコン基板に対向する一方の面に間隔を隔てて並列される複数の釉薬リブとを有する施釉層と、
前記施釉層とこれらの釉薬リブを覆う発熱抵抗層と、
前記発熱抵抗層の前記主釉層に対向する一方の面にある電極パターン層と、
前記電極パターン層上にある絶縁保護層と、
前記電極パターン層に電気的に接続する制御回路モジュールと、
を含有するサーマルプリントヘッドモジュール。 A silicon substrate having two opposing flat surfaces;
A glaze layer having a main glaze layer covered with one of these flat surfaces, and a plurality of glaze ribs juxtaposed at intervals on one surface of the main glaze layer facing the silicon substrate;
A heating resistance layer covering the glaze layer and these glaze ribs;
An electrode pattern layer on one surface of the heating resistor layer facing the main layer;
An insulating protective layer on the electrode pattern layer;
A control circuit module electrically connected to the electrode pattern layer;
A thermal printhead module containing
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