JP2018101651A - 少数キャリア寿命評価方法および少数キャリア寿命評価装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少数キャリア寿命評価方法は、まず、コドープエピ膜2にレーザー光を照射し、コドープエピ膜2から輻射されたバンド端PL発光の時間積分値を測定する。次に、少数キャリア寿命評価方法は、測定した時間積分値と、少数キャリア寿命が評価済みのコドープエピ膜のバンド端PL発光の時間積分値との比から、コドープエピ膜2の少数キャリア寿命を評価する。
【選択図】図1
Description
1上のn+型炭化珪素バッファ層2にSiCのバンドギャップ(3.24eV)以上のエネルギーをもつ励起レーザー光を照射する。次に、コドープエピ層から輻射されるPL(Photo Luminescence)発光のうち、自由キャリアの再結合に起因するPL発光(中心波長387nm)をバンドパスフィルタ12によって選別し、光電子増倍管14で受信しながら、その発光量の時間減衰を測定する。その結果を例えば、演算装置15で計測する。
実施の形態1においては、n型炭化珪素基板1上にエピタキシャル成長させ、ライフタイムキラーとなる元素をコドープしたn+型炭化珪素バッファ層(第1半導体膜)2の少数キャリア寿命を評価する。図1は、実施の形態1にかかる少数キャリア寿命評価方法を示す図である。実施の形態1では、従来、バンド端PL発光の時間減衰によって評価していた少数キャリア寿命の評価方法を、PL発光スペクトル強度比によって評価する。ここで、バンド端発光とは、価電子帯の上端の正孔と伝導帯の底の電子が再結合することによる発光である。SiCの場合、バンド端発光は中心波長387nmの光となる。また、バンド端PL発光とは、レーザー等により電子を励起することにより発光されたバンド端発光である。
次に、実施の形態2にかかる少数キャリア寿命評価方法を説明する。図5は、実施の形態2にかかる少数キャリア寿命評価方法を示す図である。実施の形態2にかかる少数キャリア寿命評価方法が、実施の形態1にかかる少数キャリア寿命評価方法と異なるところは、素子の断面に現れたn+型炭化珪素バッファ層2の少数キャリア寿命を評価している点である。これは、少数キャリア寿命評価対象のn+型炭化珪素バッファ層2の上にn型耐圧維持層3が堆積されているため、n+型炭化珪素バッファ層2の表面にレーザー光を照射できないためである。なお、素子の断面とは、素子が形成された基板を切断、例えば、チップ状に切断(ダイシング)した際の切断面のことである。
2 n+型炭化珪素バッファ層
3 n型耐圧維持層
11 レーザー
12 バンドパスフィルタ
13 光学系
14 光電子増倍管
15 演算装置
Claims (5)
- 第1半導体膜にレーザー光を照射する第1工程と、
前記第1半導体膜から輻射されたバンド端PL発光の時間積分値を測定する第2工程と、
測定した前記時間積分値と、少数キャリア寿命が評価済みの第2半導体膜のバンド端PL発光の時間積分値との比から、前記第1半導体膜の少数キャリア寿命を評価する第3工程と、
を含むことを特徴とする少数キャリア寿命評価方法。 - 前記第1工程より前に、
前記少数キャリア寿命が評価済みの第2半導体膜にレーザー光を照射する工程と、
前記第2半導体膜から輻射されたバンド端PL発光の時間積分値を測定する工程と、
測定した前記時間積分値と、評価済みの前記少数キャリア寿命とから、前記少数キャリア寿命と前記バンド端PL発光の時間積分値との関係を取得する工程と、
を含み、
前記第3工程は、測定した前記時間積分値と前記関係とから、前記第1半導体膜の少数キャリア寿命を評価する工程であることを特徴とする請求項1に記載の少数キャリア寿命評価方法。 - 前記第1工程は、前記第1半導体膜の断面の特定の領域にレーザー光を照射する工程であり、
前記第2工程は、前記特定の領域から輻射されたバンド端PL発光の時間積分値を測定する工程であることを特徴とする請求項1または2に記載の少数キャリア寿命評価方法。 - 前記第1半導体膜および前記第2半導体膜は、炭化珪素半導体膜であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の少数キャリア寿命評価方法。
- 第1半導体膜にレーザー光を照射するレーザーと、
前記第1半導体膜から輻射される輻射光のうちバンド端PL発光を通過するバンドパスフィルタと、
前記バンド端PL発光を電気信号に変換する光電子増倍管と、
変換された前記電気信号の時間積分値を測定し、測定した前記時間積分値と、少数キャリア寿命が評価済みの第2半導体膜のバンド端PL発光の時間積分値との比から、前記半導体膜の少数キャリア寿命を評価する制御部と、
を備えることを特徴とする少数キャリア寿命評価装置。
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