JP2018037600A5 - - Google Patents
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Description
本発明の一態様の半導体装置は、第１の窒化物半導体層と、前記第１の窒化物半導体層の上に設けられ、前記第１の窒化物半導体層よりも電子親和力の小さい第２の窒化物半導体層と、ゲート電極と、前記ゲート電極と前記第２の窒化物半導体層との間に設けられた酸窒化アルミニウム層と、前記第１の窒化物半導体層に電気的に接続された第１の電極と、前記第１の電極との間に前記ゲート電極が設けられ、前記第１の窒化物半導体層に電気的に接続された第２の電極と、前記第１の電極と前記酸窒化アルミニウム層との間の、前記第２の窒化物半導体層の上に設けられた第１の窒化アルミニウム層と、前記酸窒化アルミニウム層と前記第２の電極との間の、前記第２の窒化物半導体層の上に設けられた第２の窒化アルミニウム層と、を備え、前記第１の窒化アルミニウム層が前記第２の窒化物半導体層に接し、前記第２の窒化アルミニウム層が前記第２の窒化物半導体層に接し、前記酸窒化アルミニウム層が前記第２の窒化物半導体層に接する。
Claims (8)
- 第１の窒化物半導体層と、
前記第１の窒化物半導体層の上に設けられ、前記第１の窒化物半導体層よりも電子親和力の小さい第２の窒化物半導体層と、
ゲート電極と、
前記ゲート電極と前記第２の窒化物半導体層との間に設けられた酸窒化アルミニウム層と、
前記第１の窒化物半導体層に電気的に接続された第１の電極と、
前記第１の電極との間に前記ゲート電極が設けられ、前記第１の窒化物半導体層に電気的に接続された第２の電極と、
前記第１の電極と前記酸窒化アルミニウム層との間の、前記第２の窒化物半導体層の上に設けられた第１の窒化アルミニウム層と、
前記酸窒化アルミニウム層と前記第２の電極との間の、前記第２の窒化物半導体層の上に設けられた第２の窒化アルミニウム層と、
を備え、
前記第１の窒化アルミニウム層が前記第２の窒化物半導体層に接し、前記第２の窒化アルミニウム層が前記第２の窒化物半導体層に接し、
前記酸窒化アルミニウム層が前記第２の窒化物半導体層に接する半導体装置。 - 前記酸窒化アルミニウム層と前記第１の窒化物半導体層との距離をｄ１、前記第１の窒化アルミニウム層と前記第１の窒化物半導体層との距離をｄ２とした場合に、ｄ１とｄ２との差が−１ｎｍ以上１ｎｍ以下である請求項１記載の半導体装置。
- 前記第１の窒化アルミニウム層が結晶質であり、前記第２の窒化アルミニウム層が結晶質である請求項１又は請求項２記載の半導体装置。
- 前記第１の電極が前記第２の窒化物半導体層に接し、前記第２の電極が前記第２の窒化物半導体層に接する請求項１ないし請求項３いずれか一項記載の半導体装置。
- 前記酸窒化アルミニウム層中の酸素と窒素の和に対する窒素の原子比が、０．００１以上０．１以下である請求項１ないし請求項４いずれか一項記載の半導体装置。
- 前記ゲート電極と前記酸窒化アルミニウム層との間に設けられた絶縁層を、更に備える請求項１ないし請求項５いずれか一項記載の半導体装置。
- 第１の窒化物半導体層の上に前記第１の窒化物半導体層よりも電子親和力の小さい第２の窒化物半導体層を形成し、
前記第２の窒化物半導体層の上に窒化アルミニウム層を形成し、
前記窒化アルミニウム層の一部を選択的に酸化して酸窒化アルミニウム層を形成し、
前記酸窒化アルミニウム層の上にゲート電極を形成する半導体装置の製造方法。 - 前記酸窒化アルミニウム層を形成する際、前記酸窒化アルミニウム層が前記２の窒化物半導体層に接するよう酸化する請求項７記載の半導体装置の製造方法。
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