JP2017528721A - 工業用プロセス変数送信器のための冷却 - Google Patents

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Abstract

工業用プロセスのプロセス圧力を計測するための圧力送信器アセンブリ(100)は、プロセス圧力を感知するように構成された圧力センサ(500)を含む。プロセス結合部(106)は、圧力センサ(500)を工業用プロセスへ結合させる。1の例示的実施態様において、プロセス結合部内(106)において運ばれる相変化材料(312)は、工業用プロセスからの熱に応じて、相を変化させることによって工業用プロセスからプロセス変数センサへの熱移動を低減するように構成されている。別の例示的実施態様において、熱電式冷却素子(122)が、プロセス結合部(106)へ結合され、そして印加された電流に応じてプロセス結合部から熱を取り出すように構成されている。

Description

本発明は、工業用プロセスの監視及び制御システムにおいて用いられるタイプのプロセス制御送信器に関する。より具体的には、本発明は、高温環境においてプロセス変数を計測する送信器に関する。

プロセスの監視及び制御システムは、工業用プロセスの運転を監視し且つ制御するために用いられる。工業用プロセスは、多様な製品、例えば精製油、薬剤、紙、食料品などを製造するために製造業において用いられる。大規模な実施においては、これらプロセスは、所望のパラメータの範囲内で稼働するために監視及び制御されなければならない。

「送信器」は、プロセス装置へ結合され且つプロセス変数を感知するために用いられるところの、デバイスを記述するのに用いられる用語になった。プロセス変数の例は、圧力、温度、及び流れなどを包含する。しばしば送信器は、遠隔の場所(即ち「現場」に)に置かれ、そして感知されたプロセス変数を中央に置かれた制御室へ戻す。(しかし現場はまた局所的に置かれたデバイスを含む。)有線及び無線の両方の通信を含む多様な技術が、プロセス変数を送信するために用いられる。1つの一般的な有線通信技術は、2線式プロセス制御ループとして公知であるものを用い、そこでは一対の線が情報を移送するのと送信器へ電力を供給するのとの両方に用いられる。情報を送信するための1つの十分に確立された技術は、プロセス制御ループを通して電流レベルを4mA〜20mAの間に制御することによるものである。4mA〜20mAの範囲内の電流の値は、プロセス変数の対応する値へ写像されうる。

送信器の1つのタイプは、圧力送信器である。一般に圧力送信器は、プロセスの流体の圧力を計測するところの任意のタイプの送信器である。(流体という用語は、気体及び液体の両者、およびそれらの組合せを包含する。)圧力送信器は、差圧、絶対圧、又はゲージ圧を包含する圧力を直接に計測するために用いられうる。さらに、公知の技術を用いて、圧力送信器は、2地点間のプロセス流体における差圧に基づいて、プロセス流体の流れ又はレベルを計測するために用いられうる。

通常は、圧力送信器は、隔離システムを通してプロセス流体の圧力へ結合される圧力センサを含む。隔離システムは、例えばプロセス流体と物理的に接触するところの隔離ダイアフラム、及び隔離ダイアフラムと圧力センサとの間に延在するところの隔離充填流体を含む。隔離充填流体は、好ましくは実質的に油のような非圧縮性流体を含む。プロセス流体が隔離ダイアフラムへ圧力をかけるので、加えられた圧力の変化は、隔離流体を通ってダイアフラムを横切って圧力センサまで伝えられる。そのような隔離システムは、圧力センサの精巧な構成部品をプロセス流体に直接的に曝すことを防ぐ。

いくつかのプロセス環境においては、プロセス流体は、比較的高温を体験しうる。しかし送信器は、185°F(=85℃)の最高動作温度を有しうる。高温動作用に設計された或る送信器は、これを250°F(≒121.1℃)乃至300°F(≒148.9℃)まで拡大しうる。極端な温度は、圧力計測において依然として間違いを引き起こしうる。圧力送信器の最高温度を超過する温度を有するプロセスにおいて、送信器自身は、プロセス流体から隔離して置かれねばならず、且つ長い毛細管を用いてプロセス流体に結合されなければならない。毛細管は、数フィートに亘り配設することが可能であり、そして隔離流体は、毛細管の中で運ばれる。毛細管の一端は、隔離ダイアフラムを通過してプロセスに搭載され、かつ毛細管の他端は、圧力送信器へ結合される。この長い毛細管及び隔離ダイアフラムは、一般に「遠隔シール」と呼ばれる。

工業用プロセスのプロセス圧力を計測するための圧力送信器アセンブリは、プロセス圧力を感知するように構成された圧力センサを含む。プロセス結合部は、圧力センサを工業用プロセスへ結合させる。1の例示的実施態様において、プロセス結合部内において運ばれる相変化材料は、工業用プロセスからの熱に応じて、相を変化させることによって工業用プロセスからプロセス変数センサへの熱移動を低減させるように構成されている。別の例示的実施態様において、熱電式冷却素子が、プロセス結合部に結合され、且つ印加された電流に応じて該結合部からの伝導熱を放出するように構成されている。

この発明の慨要及び要約は、簡単化された形態における概念の選択を紹介するために提供され、それらはさらに以下に本明細書において記載される。本慨要及び要約は、請求された事項の鍵となる特徴又は本質的な特徴を識別することを意図されておらず、またそれらは請求された事項の範囲を決定するのを助けるように用いられることも意図されていない。

工業用プロセスに結合されたプロセス変数送信器アセンブリの側面図である。 図1のプロセス変数送信器アセンブリの拡大された斜視図である。 図1のプロセス変数送信器アセンブリの側面斜視の断面図である。 図1のプロセス変数送信器アセンブリの側面図である ヒートシンク、相変化材料および熱電式冷却素子を示す側面斜視の断面図である。 図1のプロセス変数送信器アセンブリの簡単化されたブロック図である。

本発明は、プロセス流体、及び/又はプロセス環境が相対的な高温に曝されうるプロセス流体のプロセス変数を計測するために用いられるタイプの工業用送信器を目指している。構成は、工業用プロセスからプロセス変数センサ及び送信器電子回路へ移動される熱を低下させるように与えられる。1つの例示的な構成において、熱移動を低下せるために相変化材料が採用される。別の例示的構成においては、熱移動を低下せるために熱電式冷却素子が与えられる。これらの構成は、独立に又は組み合わせて実装されうる。本構成は「背景技術」で説明された遠隔シール技術を必要としない。

プロセス工業、例えば製薬、バイオ技術、並びに食品及び飲料技術などにおいて採用されるところの電子式工業用圧力送信器は、特別の要求を持っていることが多い。例えばそれらは、非常な高温でプロセスの圧力を計測するよう求められることも多い。それらは、処理の「バッチ」間に生起する洗浄過程中、非常な高温を生き残ることを求められることも多い。洗浄過程は、「その場での洗浄(Clean In Place)」(CIP)及び/又は「その場での殺菌(Sterilize In Place)」(SIP)と呼ばれる。これらの過程は、プロセス境界を200℃(=392°F)を越える温度に曝す。さらに圧力計測送信器は、洗浄過程を生き残るだけではなく洗浄過程の間及び後でもエラーを与えないことが望ましい。このことは、次の「バッチ」が可能な限り早く処理を開始することを可能にする。もし洗浄過程中にエラーが生じるならば、計測デバイスは、洗浄過程に続く出力にシフトしないで、その較正パラメータに素早く戻ることが望ましい。

従来の工業用圧力送信器は、約185°F(=約85℃)までの温度で生き残りかつ正常に動作する能力がある。高温動作のために構成された幾つかの特別に設計された送信器は、これを250°F(≒121.1℃)乃至300°F(≒148.9℃)まで拡大する。しかしこれらの温度を越えると、デバイスの実質的なエラー及び/又は完全な故障が、例えば電子構成部品の過熱のために生じうる。背景技術で説明したように、遠隔シール(二次充填システム、化学的シールとも呼ばれる)は、高温プロセス環境のニーズを満たすように用いられうる。これらのシールは、390°F(≒198.9℃)を越える温度で生き残ることが多い。しかし、そのような構成は多くの欠陥を有する。例えば、実質的な計測エラーが、15%程度のプロセス温度の増加と関連付けられうる。さらに構成は、不十分な温度過渡特性、即ち大きなエラーと遅い回復に導きうる。構成はまた、高温洗浄から基準の動作温度へ戻るときにドリフトと再現性のないエラーを導入する。それらはまた、洗浄過程の間、圧力を正確に計測することを不可能にしうる。

本発明の工業用圧力送信器は、高温プロセスにおける改良された性能、及びタンク洗浄(CIP及びSIP)中に受けるような断続的な高温を受けるプロセスにおける改良された性能を与える。本改良は、増大された高いプロセス温度能力及び信頼性を包含し、一方、高プロセス温度下での計測中のエラーの低下、高温から正常動作に戻るときのエラーの低下、及び過渡的温度から戻る速度の改良を包含する。

図1は、圧力送信器アセンブリ100の側面図であり、そして図2はその部分的な斜視図である。圧力送信器アセンブリ100は、プロセス結合部106を通して工業用プロセス流体104に結合された圧力送信器102を含む。結合部106は、プロセス管、例えば容器、パイプなどに搭載されるように構成されたプロセスフランジ面108を含む。プロセス流体104からの圧力は、フランジ108を通して、細長いハウジング110内に保持された毛細管302(図3に示される)を通して、プロセス変数送信器102の送信器フランジ112へ伝えられる。プロセス変数送信器102の圧力センサ(図1又は2には図示されていない)は、印加されたプロセス圧力を感知する。感知された印加プロセス圧力に関する情報は、別の場所、例えば遠隔プロセス制御室へ2線式プロセス制御ループを通して伝えられる。2線式プロセス制御ループ114の1例が図1に示され、デジタル情報が4〜20mAの電流に変調されるHART(登録商標)通信プロトコル、Foundation Fieldbus若しくはProfibus通信プロトコル等、又はIEC62591に従うWirelessHART(登録商標)のような無線通信プロトコルを包含する任意の適切なプロトコルに従って動作しうる。

図1及び2はまた、プロセス結合部106のヒートシンク120を示す。ヒートシンク120は、複数のフィンから成り、かつ細長いハウジング110に熱的に結合される。1の実施態様において、熱電式冷却素子122はヒートシンク120に熱的に結合される。熱電式冷却素子122は、電気接続部124を通して送信器102内の回路(図1には示されず)へ電気的に結合される。

図3Aは斜視の断面図であり、図3Bは側面図であり、そして図3Cは、プロセス結合部106をより詳細に示す斜視の断面図である。図3Aに示されたように、プロセスフランジ面108は、プロセス流体104からプロセス圧力Pを受け取る隔離ダイアフラム300を含む。隔離ダイアフラム300の反対側に、細長いハウジング110通して延在する細長い毛細管302が存在する。毛細管302は、好ましくは油のような非圧縮性である隔離流体を保持する。毛細管302は、図3Aに示されていない送信器102内の圧力センサ(図示されず)まで延在する隔離流体にそれ自身は結合されるところの第2隔離ダイアフラム304まで延在する。圧力が該ダイアフラム300へ印加されると、この圧力は、毛細管302内の隔離流体へ、且つ隔離ダイアフラム304へ伝えられる。

図3A及び3Bはまた、閉じた相変化材料(PCM:phase change material)管310を示す。PCM管310は、その中で相変化材料(PCM)312を保持する。フランジ108を通して移動される、プロセス流体104からの熱は、矢印320によって示される。この熱は、管310内の相変化材料312の加熱をもたらす。加熱は、PCM材料312の状態を、例えば液体から気体状態へ変化させる。相変化は、追加のエネルギー(「気化熱」として知られる)がフランジ面108から取り出されることを必要とする。PCM材料312が状態を変化させた後、それは管310のプロセス端部322から送信器端部324へ流れる。例えば、気体状態において、PCM材料312は、固体状態のときよりも軽い可能性がある。送信器端部324が管310のプロセス端部322よりも高いように、もし結合部106が配向されるならば、気体状の相変化材料312は、フランジ108から離れプロセス端部324の方へ流れる傾向にある。これは、矢印330によって示されたように、プロセス流体104からの熱がフランジ108から離れ、そしてヒートシンク120の方へと取り出されることを引き起こす。PCM管310は、水平又は垂直搭載配置における効果的な使用のために細長いハウジング110の周りに軸方向に配設されうる。空気がヒートシンク120のフィンを過ぎて動くとき、矢印332で示されたように、熱はヒートシンク120から取出される。この過程は、PCM材料312が冷却され且つ状態を変化させることを可能にする。例えば、該材料は、気体状態から液体状態へ、又は液体状態から気体状態へ変化しうる。この過程において、PCM材料は、管310のプロセス端部322へ戻り、それにより冷却サイクルが繰り返されうる。PCM材料は、望まれるように選択されうる。好ましい材料の例は、水、芳香族化合物(ジエチルベンゼン(DEB))、ケイ酸エステル(Coolanol 25R)、脂肪族(PAO)、シリコーン(Syltherm XLT)、フッ化炭素(FC-77)、エチレングリコール/水(50:50(体積/体積))、プロピレングルコール/水(50:50(体積/体積))、メタノール/水40:60(重量/重量)、エタノール/水44:56(重量/重量)、ギ酸カリウム/水40:60(重量/重量)、及びGa-In-Snを包含する。PCM材料は、状態を液体から気体へ(又は固体から液体へ)変えるとき、この相変化は、より多くの熱がプロセスから移動されることを必要とする。これは、材料の「溶解熱」として公知である。同様に、相変化材料が気体から液体へ(又は液体から固体へ)移るとき、相変化材料は、その高い溶解熱に起因して大量の熱エネルギーを放出する。該材料は、高融解熱を有するだけでなく、工業用プロセスの温度、及びプロセス変数送信器112の望まれる運転温度範囲に基づく望まれる温度で生じるところの相変化を有するように選択されるべきである。

好ましくは、管310は、PCM材料がヒートシンク120の方向へ流れるように配設される。この流れは、例えばシステムの重力の効果に起因しうる。例えば、気相においてPCM材料は、上方向に流れうる、一方液相においてPCM材料は、システムの物理的により低い点に留まる傾向にありうる。このようにして、図3Aに示されたようにヒートシンク120は、フランジ面108よりも高い位置で配向されうる。図3Bは、このシステムが水平に配設されている別の構成例を示す。そのような構成において、PCM管310は、それらがフランジ面108からヒートシンク120へ延在するように上方向に向けられうる。しかし別の構成がまた実装されうる。

図3A及び3Cはまた、ヒートシンク120へ結合された熱電式冷却素子122を示す。これらは、送信器102内に収容された回路によって制御されうる。熱電式冷却素子122は、公知の技術に従って動作する。電流が該素子122を通過したとき、熱は、印加電流の方向によって決定された方向に移動させられる。このようにして、熱電式冷却素子122は、追加の熱をヒートシンク120から引き出すように用いられることが可能で。且つそれにより相変化材料312の冷却過程を加速しうる。該素子122は、独立して用いられることができ、そしてもし望まれるならば相変化材料又はヒートシンクの使用を必要とされない。任意の数の熱電式冷却素子が、導管の周りに配設されうる。そのような複数の該素子は、一般に2つの異種金属の接合で生成される電位が接合を越えて熱を移動させるところのゼーベック(Seebeck)効果に従い動作する。同様の電気冷却器はまた、2つの異なる異種タイプの材料の間に熱フラックスを生成するというペルチェ(Peltier)効果を用いることも公知である。例えば、n型及びp型半導体材料が、一緒に置かれそして熱電式冷却素子を生成するように用いられうる。熱移動の総量は、印加電圧に関係する。電圧が該素子に印加されるとき、直流(DC)電流は接合を越えて流れて温度差を生じさせる。

図4は、プロセス変数送信器102の構成要素を示した簡単化したブロック図である。図4において、プロセス変数センサ500は、上で検討したように圧力センサでありうることが示されている。センサ500は、上述されたように細長いハウジング110を通してプロセス104へ結合される。プロセス変数センサからの出力は、計測回路502へ与えられる。そのような回路は、例えば、アナログデジタル変換器、フィルタ回路などを含む。デジタル化された出力は、計測回路502のために制御器504へ与えられる。制御器504は、例えばメモリ506に記憶されたプログラム命令に従って動作するところのマイクロプロセッサ又は類似のものを含む。制御器504は、入力/出力(I/O)回路508を用いて感知されたプロセス変数に基づく出力を与える。図4において、I/O回路508は、プロセス制御ループ114へ接続するものとして示される。しかし本発明は、そのような構成に限定されるものではない。1つの例において、I/O回路508はまた、プロセス変数送信器102の電気構成要素へ電力を供給するところの電力出力を与える。例えばそのような電力はプロセス制御ループ114から導かれうる。

プロセス変数送信器102はまた、熱電冷却(TEC)素子512を結合する駆動回路510を含む。駆動回路は、例えば電流を該素子512へ印加する回路を含む。そのような電流は、例えば該素子512が細長いハウジング110から熱を引き出すところの極性を有している直流を含む。

図4はまた、任意的な温度センサ516を示す。図4に示された構成において、温度センサ516からの出力は、制御器504によって使用されるために計測回路502へ与えられる。温度センサ516は、フィードバック機構が熱電式冷却素子512の動作を制御するために用いられることを可能にする。例えば、もし導管512の温度が望ましい閾値の最大もより低いと、制御器504は、駆動回路510を用いて該素子512を切ることができる。同様に、熱電式冷却素子512によって為される冷却の量は、駆動回路510によって印加された電流を制御することによって制御されうる。これは、制御器504が導管112から取り去られる熱の量を制御することを可能にする。このようにして、もし導管112が特に高温であるならば、大電流が該素子512へ印加されえ、それによって移動される熱の速度を増大させうる。同様にもし導管112がより低い閾値温度に近いと、僅かな量の電流が印加されうる。そのような構成は電力消費を低下させるために有利でありうる。1の例示的実施態様において、バッテリー又は別の電力蓄積デバイスが、熱電式冷却素子512に電力を供給するために送信器102内に保持される。

本発明は好ましい実施態様を参照して記述されたが、当業者は、本発明の精神と範囲から逸脱しない限り、変更が形態について且つ詳細についてなされうることを理解するであろう。上述されたように、熱電式冷却素子、及び/又は上で検討された相変化材料は、組み合わせて又は単独で実装されうる。構成要素が導管の周りに配設されるように示されたが、別の構成も実装されうる。いくつかの例において、熱を導管に加えることが望まれうる。熱電式冷却素子は、そのような状況において駆動部510へ印加される電圧を反転させることによって用いられうる。さらに1の構成において、温度センサ516が、TEC素子512内に含まれる。同様に、フェードバック回路がまた、電源として素子512内に含まれうる。そのような構成において、フィールド機器102への接続なしにTEC素子512を用いることは可能でありうる。ここで冷却が一般的に検討されたが、熱電式冷却素子はまた、導管が加熱されるという反対の構成において動作させられうる。さらに、図示された実施態様において、相変化材料を保持する閉じられた管は、フランジ面108から送信器102へ延在しているけれども、別の構成も実装されうる。PCM管310は、細長いハウジング110の長さ全体に延在する必要は必ずしもない。さらに、管は図示されているが、別の構成も実装されうる。加熱状態のときに、相変化材料が管の送信器端部まで動くことが好ましい。加熱状態よりも冷たい冷却状態のときに、相変化材料は管のプロセス端部まで動く。1の例示的実施態様において、PCM管は、それらがプロセス結合部から冷却素子、例えばヒートシンク及び/又はTEC素子まで延在するように上向きに配向させられる。TEC素子は、任意の適切な電気信号に対して反応する。

Claims (30)

  1. 工業用プロセスのプロセス圧力を計測するための圧力送信器アセンブリであって、
    プロセス圧力を感知するように構成された圧力センサ;
    圧力センサを工業用プロセスへ結合させるように構成されたプロセス結合部;及び、
    工業用プロセスからの熱に応じて、相を変化させることによって工業用プロセスからプロセス変数センサへの熱移動を低減させるように構成され、プロセス結合部内に保持される相変化材料;
    を含む、圧力送信器アセンブリ。
  2. 印加された電流に応じて、結合部からの伝導熱を放出するように構成され、プロセス結合部へ結合された熱電式冷却素子を含む、請求項1に記載の圧力送信器アセンブリ。
  3. プロセス結合部へ結合されたヒートシンクを含む、請求項1に記載の圧力送信器アセンブリ。
  4. ヒートシンクは複数のフィンを含む、請求項3に記載の圧力送信器アセンブリ。
  5. ヒートシンクへ結合された熱電式冷却素子を含む、請求項3に記載の圧力送信器アセンブリ。
  6. 相変化材料は管内に保持される、請求項1に記載の圧力送信器アセンブリ。
  7. 管は、プロセス結合部の長さと平行に配設される、請求項6に記載の圧力送信器アセンブリ。
  8. 管は、プロセス端部と圧力センサ端部との間に延在する、請求項6に記載の圧力送信器アセンブリ。
  9. 相変化材料は、プロセス端部の近傍で加熱される、請求項8に記載の圧力送信器アセンブリ。
  10. 相変化材料は、圧力センサ端部の近傍で冷却される、請求項9に記載の圧力送信器アセンブリ。
  11. 相変化材料は、プロセス端部と圧力センサ端部との間で循環する、請求項8に記載の圧力送信器アセンブリ。
  12. プロセス結合部は、隔離ダイアフラムへ印加されるプロセス圧力を圧力センサへ結合するために、毛細管に結合された隔離ダイアフラムを含む、請求項1に記載の圧力送信器アセンブリ。
  13. 熱電式冷却素子へ電力を供給するように構成された駆動回路を含む、請求項2に記載の圧力送信器アセンブリ。
  14. 温度センサを熱電式冷却素子の近傍に含む、請求項2に記載の圧力送信器アセンブリ。
  15. 温度センサによって感知された温度に応じて、熱電式冷却素子へ電流を印加するように構成された駆動回路を含む、請求項14に記載の圧力送信器アセンブリ。
  16. 相変化材料の加熱は、相変化材料が状態を変え、且つプロセス端部から圧力センサ端部への移動をもたらす、請求項5に記載の圧力送信器アセンブリ。
  17. 工業用プロセスのプロセス圧力を計測するための圧力送信器アセンブリであって、
    プロセス圧力を感知するように構成された圧力センサ;
    圧力センサを工業用プロセスへ結合させるように構成されたプロセス結合部;及び、
    印加された電気信号に応じて、結合部からの伝導熱を放出するように構成され、プロセス結合部へ結合された熱電式冷却素子;
    を含む、圧力送信器アセンブリ。
  18. 工業用プロセスからの熱に応じて相を変化させることによって、工業用プロセスからプロセス変数センサへの熱の移動を低減するように構成され、プロセス結合部内に保持される相変化材料を含む、請求項17に記載の圧力送信器アセンブリ。
  19. プロセス結合部へ結合されたヒートシンクを含む、請求項17に記載の圧力送信器アセンブリ。
  20. 相変化材料は管内に保持される、請求項18に記載の圧力送信器アセンブリ。
  21. 管は、プロセス端部と圧力センサ端部との間に延在する、請求項20に記載の圧力送信器アセンブリ。
  22. 相変化材料は、プロセス端部と圧力センサ端部との間で循環する、請求項21に記載の圧力送信器アセンブリ。
  23. プロセス結合部は、隔離ダイアフラムへ印加されるプロセス圧力を圧力センサへ結合するために毛細管に結合された隔離ダイアフラムを含む、請求項17に記載の圧力送信器アセンブリ。
  24. 熱電式冷却素子へ電力を供給するように構成された駆動回路を含む、請求項17に記載の圧力送信器アセンブリ。
  25. 温度センサを熱電式冷却素子の近傍に含む、請求項17に記載の圧力送信器アセンブリ。
  26. 温度センサによって感知された温度に応じて、熱電式冷却素子へ信号を供給するように構成された駆動回路を含む、請求項25に記載の圧力送信器アセンブリ。
  27. プロセス変数送信器を工業用プロセスのプロセス流体へ結合させるためのプロセス結合部であって、
    プロセス流体と結合するように構成されたフランジ、及びプロセス変数送信器へ結合するように構成され、反対側の送信器結合部を有する細長いハウジング;
    フランジでのプロセス圧力を送信器結合部まで伝えるところの、細長いハウジング内の毛細管;
    フランジとプロセス変数送信器結合部との間の方向に延在するところの、細長いハウジングによって保持された管;及び
    工業用プロセスからプロセス変数送信器への熱移動を低減するように構成され、管内に保持される相変化材料;
    を含む、プロセス結合部。
  28. 印加された電気信号に応じて、プロセス結合部からの伝導熱を放出するように構成された熱電式冷却素子を含む、請求項27に記載のプロセス結合部。
  29. プロセス変数送信器を工業用プロセスのプロセス流体へ結合させるためのプロセス結合部であって、
    プロセス流体と結合するように構成されたフランジ、及びプロセス変数送信器へ結合するように構成され、反対側の送信器結合部を有する細長いハウジング;
    フランジでのプロセス圧力を送信器結合部へ伝えるところの、細長いハウジング内の毛細管;及び
    印加された電気信号に応じて、プロセス結合部からの伝導熱を放出するように構成された熱電式冷却素子;
    を含む、プロセス結合部。
  30. フランジとプロセス変数送信器結合部との間の方向に延在するところの細長いハウジングによって保持された管;及び
    工業用プロセスからプロセス変数送信器への熱の移動を低減するように構成され、管内に保持される相変化材料;
    を含む、請求項29に記載のプロセス結合部。
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