JP2017159421A - Chamfering device - Google Patents

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真一 岸下
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve machining accuracy by eliminating bending deformation of a workpiece generated during chamfering by helical grinding.SOLUTION: A chamfering device grinds an end face of a wafer W. The chamfering device includes: an upper grinding wheel 55-1 which has a rotation axis inclined to an axis in a thickness direction perpendicular to a plane of the wafer W and abuts on the end face of the wafer W by pressing from a vertical direction; and a lower griding wheel 55-2 which is arranged to have a gap in the direction of the rotation axis on a lower side of the upper grinding wheel 55-1 and has a rotation direction opposite to the upper grinding wheel 55-1. The end face of the wafer W is ground by the upper grinding wheel 55-1 and the lower grinding wheel 55-2.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、シリコン、サファイア、化合物、ガラス等の様々な素材、特に半導体ウェーハ、ガラスパネル等の板状被加工材の端面における高精度な面取り加工装置に関し、特に板状被加工材に対して砥石を傾ける研削に好適である。   The present invention relates to a high-precision chamfering apparatus on an end face of a plate-like workpiece such as silicon, sapphire, a compound, and glass, particularly a semiconductor wafer, a glass panel, and the like, particularly for a plate-like workpiece. It is suitable for grinding in which a grindstone is tilted.
近年、ウェーハの品質向上の要求が強く、ウェーハ端面(エッジ部)の加工状態が重要視され、半導体デバイス等の作製に使用されるシリコンウェーハ等の半導体ウェーハは、ハンドリングによるチッピングを防止するため、縁部を研削することで面取り加工が行われ、研磨による鏡面面取り加工が行われている。つまり、半導体製造工程において、ウェーハ製造からデバイス製造に至るまで、エッジ特性の品質改善は必要不可欠なプロセスとなっている。   In recent years, there has been a strong demand for wafer quality improvement, and the processing state of the wafer end face (edge part) has been regarded as important, and semiconductor wafers such as silicon wafers used for manufacturing semiconductor devices and the like prevent chipping due to handling. A chamfering process is performed by grinding the edge, and a mirror chamfering process is performed by polishing. That is, in the semiconductor manufacturing process, the quality improvement of the edge characteristics is an indispensable process from wafer manufacturing to device manufacturing.
シリコン等は固くてもろく、ウェーハの端面がスライシング時の鋭利なままでは、続く処理工程での搬送や位置合わせなどの取り扱い時に容易に割れたり欠けたりして、断片がウェーハ表面を傷つけたり汚染したりする。これを防ぐため、切り出されたウェーハの端面をダイヤモンドでコートされた面取り砥石で面取りする。   Silicon and other materials are hard and brittle, and if the edge of the wafer remains sharp during slicing, it can easily crack or chip during handling such as transport and alignment in subsequent processing steps, and fragments can damage or contaminate the wafer surface. Or In order to prevent this, the end surface of the cut wafer is chamfered with a chamfering grindstone coated with diamond.
また、スマートフォンやタブレットの薄型化、軽量化のガラス基板にマスキング印刷、センサー電極形成を形成し、その後に切断することが行われ、面取りの加工品質、加工面粗さ、マイクロクラックの発生などがガラス基板の端面強度に直接影響する。   In addition, masking printing and sensor electrode formation are formed on a thin and light-weight glass substrate for smartphones and tablets, followed by cutting, resulting in chamfering processing quality, processing surface roughness, microcracking, etc. It directly affects the edge strength of the glass substrate.
さらに、通常の研削ではレジン砥石の回転軸に対してウェーハの主面が垂直となる状態で面取り部を研削するが、この場合、面取り部には円周方向の研削痕が発生し易い。そこで、ウェーハに対して例えばレジンボンド砥石(レジン砥石)を傾けてウェーハの面取り部を研削する、いわゆるヘリカル研削を行うことが知られている。   Further, in normal grinding, the chamfered portion is ground in a state where the main surface of the wafer is perpendicular to the rotation axis of the resin grindstone. In this case, circumferential grinding marks are likely to occur in the chamfered portion. Therefore, it is known to perform so-called helical grinding in which a chamfered portion of a wafer is ground by tilting a resin bond grindstone (resin grindstone) with respect to the wafer, for example.
特に、面取り面の粗さ精度を改善すると共に研摩効率を低下させないため、半導体ウェーハの周縁を研磨する半導体ウェーハの面取り方法に於いて、砥石の回転軸を半導体ウェーハ外周の接線方向に傾けて半導体ウェーハの周縁を研磨することにより、砥石の砥粒運動方向を半導体ウェーハの研磨面に対して傾斜させることが知られ、特許文献1に記載されている。つまり、ヘリカル研削を行うと、通常研削に比べ面取り部の加工歪みを低減させるだけでなく、ウェーハの面取り部と砥石とが面接触となり、接触領域が増えて面取り部の表面粗さが改善される効果が得られる。   In particular, in order to improve the roughness accuracy of the chamfered surface and not reduce the polishing efficiency, in the semiconductor wafer chamfering method for polishing the peripheral edge of the semiconductor wafer, the rotation axis of the grindstone is inclined to the tangential direction of the semiconductor wafer outer periphery. It is known to incline the abrasive grain movement direction of the grindstone with respect to the polishing surface of the semiconductor wafer by polishing the periphery of the wafer, and is described in Patent Document 1. In other words, helical grinding not only reduces the processing distortion of the chamfered part compared to normal grinding, but also the chamfered part of the wafer and the grindstone are in surface contact, increasing the contact area and improving the surface roughness of the chamfered part. Effects can be obtained.
また、ヘリカル研削による面取り加工の場合、接触長が長いため加工ポイントにクーラント液が届きにくく、ウェーハ及び砥石の冷却と研削屑の除去洗浄というクーラント液の効果を達成することが困難であった。そこで、効率のよいクーラント液の供給を可能にするため、供給されたクーラント液がウェーハ表面で表面内側から外周に向けて広がって研削位置に到達するように、ウェーハの表面内側にクーラント液を供給するクーラントノズルを設けることが知られ、特許文献2に記載されている。   Further, in the case of chamfering by helical grinding, the contact length is long, so that the coolant liquid does not easily reach the processing point, and it is difficult to achieve the effect of the coolant liquid, that is, cooling of the wafer and grindstone and removal cleaning of the grinding debris. Therefore, in order to enable efficient coolant liquid supply, the coolant liquid is supplied to the inside surface of the wafer so that the supplied coolant liquid spreads from the inside surface to the outer periphery on the wafer surface and reaches the grinding position. It is known to provide a coolant nozzle that is described in Patent Document 2.
特開平5−152259号公報JP-A-5-152259 特開2007−48780号公報JP 2007-48780 A
上記従来技術において、ヘリカル研削によれば表面粗さが改善されるが、接触領域が増えてウェーハに対して抵抗力が大きくなったこと、例えば砥石の回転軸を下方に傾ければ、その分力によって、面取り加工時にウェーハが中心から先端に架けて曲げ変形し、つまり先端がだれることがあった。そして、曲げ変形が加工面の形状精度に影響を与え、より高精度な加工を行う上での障害となっていた。   In the above prior art, the surface grinding is improved by helical grinding, but the contact area is increased and the resistance to the wafer is increased. For example, if the rotation axis of the grindstone is tilted downward, the corresponding amount is increased. Due to the force, the wafer may bend and deform from the center to the tip during chamfering, that is, the tip may come off. Then, the bending deformation has an influence on the shape accuracy of the processed surface, which has been an obstacle to performing higher-precision processing.
また、クーラント液の供給を単に、特許文献2に記載のように行っても、砥石の回転によって、クーラント液の流入及び滞留性が損なわれること、切屑の排出が悪くなること、により表面粗さの劣化のみならず砥石の寿命を短くする恐れがあった。   Further, even if the coolant liquid is simply supplied as described in Patent Document 2, the flow of the coolant liquid is deteriorated due to rotation of the grindstone, and the discharge of chips is deteriorated due to the surface roughness. There was a risk of shortening the service life of the grindstone as well as deterioration of the tool.
本発明の目的は、上記従来技術の課題を解決し、ヘリカル研削による面取り加工時に生じる被加工材の曲げ変形を無くし、加工精度を向上させると共に、クーラント液の流入及び滞留性、切屑の排出性を良くして表面粗さの向上、砥石の劣化を改善することにある。   The object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, eliminate the bending deformation of the workpiece that occurs during chamfering by helical grinding, improve the machining accuracy, and inflow and retention of coolant liquid, chip dischargeability It is to improve the surface roughness and improve the deterioration of the grindstone.
上記目的を達成するため、本発明は、板状の被加工材(ウェーハ)の端面を研削する面取り加工装置において、前記被加工材の平面に垂直となる厚さ方向の軸に対して回転軸を傾け、前記被加工材の端面に垂直方向より押し付けて当接する上研削砥石(上外周精研削砥石)と、前記上研削砥石の下方に前記回転軸の方向に隙間を有するように配置され前記上研削砥石に対して回転方向が逆となる下研削砥石(下外周精研削砥石)と、を備え、前記上研削砥石と前記下研削砥石とで前記被加工材の端面を研削するものである。   In order to achieve the above object, the present invention provides a chamfering apparatus for grinding an end face of a plate-shaped workpiece (wafer), and a rotation axis with respect to an axis in a thickness direction perpendicular to the plane of the workpiece. And an upper grinding wheel (upper peripheral fine grinding wheel) that presses against and contacts the end surface of the workpiece from the vertical direction, and is disposed below the upper grinding wheel so as to have a gap in the direction of the rotating shaft. A lower grinding wheel (lower outer peripheral fine grinding wheel) whose rotational direction is opposite to that of the upper grinding wheel, and grinding the end surface of the workpiece with the upper grinding wheel and the lower grinding wheel. .
さらに、上記において、前記上研削砥石と前記下研削砥石とは回転軸が同芯となるように配置されたことが望ましい。   Furthermore, in the above, it is desirable that the upper grinding wheel and the lower grinding wheel are arranged so that the rotation shafts are concentric.
さらに、上記において、前記上研削砥石と前記下研削砥石とで前記被加工材を加工する研削溝が形成され、前記隙間は前記被加工材の厚さより小さいことが望ましい。   Further, in the above, it is preferable that a grinding groove for processing the workpiece is formed by the upper grinding wheel and the lower grinding wheel, and the gap is smaller than the thickness of the workpiece.
さらに、上記において、前記隙間は、前記研削溝の回転軸方向における中央に設けられたことが望ましい。   Furthermore, in the above, it is desirable that the gap is provided at the center of the grinding groove in the rotation axis direction.
さらに、上記において、前記隙間は0.1〜1mmとされたことが望ましい。   Furthermore, in the above, it is desirable that the gap be 0.1 to 1 mm.
さらに、上記において、前記上研削砥石と前記下研削砥石との回転軸は、前記被加工材の外周の接線方向に3〜15°傾けたことが望ましい。   Furthermore, in the above, it is desirable that the rotation axes of the upper grinding wheel and the lower grinding wheel are inclined by 3 to 15 degrees in the tangential direction of the outer periphery of the workpiece.
さらに、上記のものにおいて、前記上研削砥石は左回転、前記下研削砥石は右回転とし、前記上研削砥石へのクーラント液は前記被加工材の上側から、前記下研削砥石へのクーラント液は前記被加工材の下側から供給されることが望ましい。   Further, in the above, the upper grinding wheel is rotated left, the lower grinding wheel is rotated right, and the coolant liquid to the upper grinding wheel is from above the workpiece, and the coolant liquid to the lower grinding wheel is It is desirable that the workpiece is supplied from below.
さらに、上記のものにおいて、前記クーラント液は、前記上研削砥石及び前記下研削砥石の回転方向に沿って流入されることが望ましい。   Furthermore, in the above, it is preferable that the coolant liquid flows in along the rotation direction of the upper grinding wheel and the lower grinding wheel.
さらに、上記のものにおいて、前記上研削砥石及び前記下研削砥石は逆回転されてツルーイングされることが望ましい。   Furthermore, in the above, it is desirable that the upper grinding wheel and the lower grinding wheel are reversely rotated and trued.
本発明によれば、厚さ方向の軸に対して回転軸を傾け、被加工材の端面に垂直方向より押し付けて当接する上研削砥石(上外周精研削砥石)と、上研削砥石の下方に回転軸の方向に隙間を有するように配置され、上研削砥石に対して回転方向が逆となる下研削砥石(下外周精研削砥石)と、を備えるので、加工時に生じる被加工材の曲げ変形を無くし、加工精度を向上させることができる。   According to the present invention, an upper grinding wheel (upper outer peripheral grinding wheel) that inclines the rotation axis with respect to an axis in the thickness direction and presses and contacts the end surface of the workpiece from the vertical direction, and a lower grinding wheel A lower grinding wheel (lower outer peripheral precision grinding wheel) that is arranged with a gap in the direction of the rotation axis and whose rotation direction is opposite to that of the upper grinding wheel is provided. The machining accuracy can be improved.
本発明の一実施形態に係る面取り装置の主要部を示す正面図The front view which shows the principal part of the chamfering apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 一実施形態における外周精研スピンドル部の一部を拡大した側面図The side view which expanded a part of perimeter sharpening spindle part in one embodiment 一実施形態における全体の主要部を示す平面図The top view which shows the main part of the whole in one Embodiment 一実施形態における加工部の構成を示す平面図The top view which shows the structure of the process part in one Embodiment. 一実施形態における外周精研スピンドル部の加工中の状態を示す側面図The side view which shows the state in process of the outer periphery precision research spindle part in one Embodiment 一実施形態におけるクーラントノズルを説明する平面図The top view explaining the coolant nozzle in one embodiment 従来技術による加工後のウェーハWの形状を示す断面図Sectional drawing which shows the shape of the wafer W after the process by a prior art 一実施形態における加工後のウェーハWの形状を示す断面図Sectional drawing which shows the shape of the wafer W after the process in one Embodiment 一実施形態におけるツルーイング動作を示す側面図The side view which shows the truing operation | movement in one Embodiment.
以下に、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明の一実施形態に係る面取り装置の主要部を示す正面図である。面取り装置10は、ウェーハ送りユニット20、砥石回転ユニット50、図示しないウェーハ供給/収納部、ウェーハ洗浄/乾燥部、ウェーハ搬送手段、及び面取り装置各部の動作を制御するコントローラ等から構成されている。   Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a front view showing a main part of a chamfering apparatus according to an embodiment of the present invention. The chamfering apparatus 10 includes a wafer feeding unit 20, a grindstone rotating unit 50, a wafer supply / storage unit (not shown), a wafer cleaning / drying unit, a wafer transfer unit, and a controller that controls operations of each part of the chamfering device.
ウェーハ送りユニット20は、本体ベース11上に載置されたX軸ベース21、2本のX軸ガイドレール22、22、4個のX軸リニアガイド23、23、… 、ボールスクリュー及びステッピングモータから成るX軸駆動機構25によって図のX方向に移動されるXテーブル24を有している。   The wafer feed unit 20 includes an X-axis base 21, two X-axis guide rails 22, 22, four X-axis linear guides 23, 23,..., A ball screw and a stepping motor mounted on the main body base 11. It has an X table 24 that is moved in the X direction in the figure by an X axis drive mechanism 25.
Xテーブル24には、2本のY軸ガイドレール26、26、4個のY軸リニアガイド27、27、… 、図示しないボールスクリュー及びステッピングモータから成るY軸駆動機構によって図のY方向に移動されるYテーブル28が組込まれている。   The X table 24 has two Y-axis guide rails 26, 26, four Y-axis linear guides 27, 27,..., And is moved in the Y direction in the figure by a Y-axis drive mechanism including a ball screw and a stepping motor (not shown). A Y table 28 is incorporated.
Yテーブル28には、2本のZ軸ガイドレール29、29と図示しない4個のZ軸リニアガイドによって案内され、ボールスクリュー及びステッピングモータから成るZ軸駆動機構30によって図のZ方向に移動されるZテーブル31が組込まれている。   The Y table 28 is guided by two Z-axis guide rails 29 and 29 and four Z-axis linear guides (not shown), and is moved in the Z direction in the figure by a Z-axis drive mechanism 30 including a ball screw and a stepping motor. Z table 31 is incorporated.
Zテーブル31には、θ軸モータ32、θスピンドル33が組込まれ、θスピンドル33にはウェーハW(板状の被加工材)を吸着載置するウェーハテーブル34が取り付けられており、ウェーハテーブル34はウェーハテーブル回転軸心CWを中心として図のθ方向に回転される。   A θ table motor 32 and a θ spindle 33 are incorporated in the Z table 31, and a wafer table 34 on which a wafer W (plate-like workpiece) is sucked and mounted is attached to the θ spindle 33. Is rotated about the wafer table rotation axis CW in the θ direction in the figure.
また、ウェーハテーブル34の下部には、ウェーハWの周縁を仕上げ面取りする砥石のツルーイングに用いるツルーイング砥石41(以下ツルアー41と称する)が、ウェーハテーブル回転軸心CWと同芯に取り付けられている。   A truing grindstone 41 (hereinafter referred to as a truer 41) used for truing a grindstone for chamfering the periphery of the wafer W is attached to the lower portion of the wafer table 34 concentrically with the wafer table rotation axis CW.
このウェーハ送りユニット20によって、ウェーハW及びツルアー41は図のθ方向に回転されるとともに、X、Y、及びZ方向に移動される。   By the wafer feeding unit 20, the wafer W and the truer 41 are rotated in the θ direction in the figure and are moved in the X, Y, and Z directions.
砥石回転ユニット50は、外周粗研削砥石52が取り付けられ、図示しない外周砥石モータによって軸心を中心に回転駆動される外周砥石スピンドル51、上方に配置されたターンテーブル53に取り付けられた上外周精研スピンドル54及び上外周精研モータ56を有している。同じくターンテーブル53に下固定枠59(図1では、一部切り欠いて図示)を介して下外周精研スピンドル57及び下外周精研モータ(図示せず)が設けられている。   The grindstone rotating unit 50 is provided with an outer peripheral rough grinding grindstone 52, an outer grindstone spindle 51 which is driven to rotate around an axis by an unillustrated outer grindstone motor, and an upper outer perimeter precision mounted on an upper turntable 53. A grinding spindle 54 and an upper and outer peripheral fine grinding motor 56 are provided. Similarly, a lower outer peripheral precision spindle 57 and a lower outer peripheral precision motor (not shown) are provided on the turntable 53 via a lower fixing frame 59 (not shown in FIG. 1).
上外周精研スピンドル54及び下外周精研スピンドル57は、ウェーハWの回転軸に対して回転軸が3〜15°、望ましくは6〜10°傾斜させた状態でウェーハWの外周面取りの仕上げ加工を行う。これにより、ヘリカル研削が行われ、ウェーハWの面取り部には斜め方向に弱い研削痕が発生するものの、通常研削に比べ面取り部の表面粗さが改善される効果が得られる。   The upper and lower outer peripheral spindles 54 and 57 are finished by chamfering the outer periphery of the wafer W with the rotation axis inclined by 3 to 15 °, preferably 6 to 10 ° with respect to the rotation axis of the wafer W. I do. Thereby, although helical grinding is performed and a weak grinding trace is generated in the chamfered portion of the wafer W in an oblique direction, an effect of improving the surface roughness of the chamfered portion as compared with normal grinding can be obtained.
図2は、外周精研スピンドル部の一部を拡大した側面図であり、上外周精研スピンドル54にはウェーハWの外周を仕上げ研削する面取り用砥石である上外周精研削砥石(上研削砥石)55−1が取り付けられ、同様に、下外周精研スピンドル57には下外周精研削砥石(下研削砥石)55−2が上外周精研削砥石55−1に対してウェーハWの厚さより小さい0.1〜1mm程度の隙間を持って回転軸が略同芯となるように取付けられる。   FIG. 2 is an enlarged side view of a part of the outer peripheral fine grinding spindle portion. The upper outer peripheral fine grinding spindle 54 has an upper outer peripheral fine grinding stone (upper grinding fine grinding stone) that is a chamfering grindstone for finish grinding the outer circumference of the wafer W. 55-1 is attached, and similarly, the lower outer periphery precision grinding spindle 55-2 has a lower outer peripheral grinding wheel (lower grinding wheel) 55-2 smaller than the thickness of the wafer W with respect to the upper outer peripheral grinding wheel 55-1. The rotary shaft is attached so as to be substantially concentric with a gap of about 0.1 to 1 mm.
また、上外周精研削砥石55−1と下外周精研削砥石55−2とは回転方向が逆回転、つまり反対回転となるように上外周精研スピンドル54、下外周精研スピンドル57でそれぞれ駆動される。ウェーハWを加工するための研削溝は、上外周精研削砥石55−1と下外周精研削砥石55−2とで形成される。隙間は、その研削溝の回転軸方向における略中央に設けられる。   Further, the upper outer periphery precision grinding wheel 55-1 and the lower outer periphery precision grinding wheel 55-2 are driven by the upper outer periphery precision grinding spindle 54 and the lower outer periphery precision grinding spindle 57, respectively, so that the rotation directions are reverse, that is, opposite to each other. Is done. The grinding grooves for processing the wafer W are formed by the upper and outer peripheral fine grinding wheels 55-1 and the lower outer peripheral and fine grinding wheels 55-2. The gap is provided approximately at the center of the grinding groove in the rotation axis direction.
ウェーハ加工プロセスは、スライス→面取り→ラップ→エッチング→ドナーキラー→精面取りの順で行われ、工程間には汚れを取り除くため、各種洗浄が用いられる。シリコン等は固くてもろく、ウェーハの端面がスライシング時の鋭利なままでは、続く処理工程での搬送や位置合わせなどの取り扱い時に容易に割れたり欠けたりして、断片がウェーハ表面を傷つけたり汚染したりする。これを防ぐため、面取り工程では切り出されたウェーハの端面をダイヤモンドでコートされた面取り砥石で面取りする。   The wafer processing process is performed in the order of slicing → chamfering → lapping → etching → donor killer → precision chamfering, and various cleanings are used between the processes to remove dirt. Silicon and other materials are hard and brittle, and if the edge of the wafer remains sharp during slicing, it can easily crack or chip during handling such as transport and alignment in subsequent processing steps, and fragments can damage or contaminate the wafer surface. Or In order to prevent this, in the chamfering step, the end surface of the cut wafer is chamfered with a chamfering grindstone coated with diamond.
面取り工程は、ラッピング工程の後に行なわれることもある。この時、バラツキのある外周の直径を合わせ、オリエンテーションフラット(OF)の幅の長さを合わせることや、ノッチと呼ばれる微少な切り欠きの寸法を合わせることも含まれる。   The chamfering process may be performed after the lapping process. At this time, the diameters of the outer circumferences with variations are matched, the width of the orientation flat (OF) is matched, and the dimensions of a small notch called a notch are also matched.
図3は、面取り装置10全体の主要部を示す平面図であり、供給回収部は、面取り加工するウェーハWをウェーハカセット70から供給すると共に、面取り加工されたウェーハをウェーハカセット70に回収する。この動作は供給回収ロボット40で行われる。ウェーハカセット70はカセットテーブル71にセットされ、面取り加工するウェーハが多数枚収納されている。供給回収ロボット40はウェーハカセット70からウェーハWを1枚ずつ取り出したり、面取り加工されたウェーハをウェーハカセット70に収納したり、する。   FIG. 3 is a plan view showing the main part of the entire chamfering apparatus 10. The supply / recovery unit supplies the wafer W to be chamfered from the wafer cassette 70 and collects the chamfered wafer in the wafer cassette 70. This operation is performed by the supply / recovery robot 40. The wafer cassette 70 is set on a cassette table 71 and stores a large number of wafers to be chamfered. The supply / recovery robot 40 takes out the wafers W one by one from the wafer cassette 70 and stores the chamfered wafers in the wafer cassette 70.
供給回収ロボット40は3軸回転型の搬送アーム80を備えており、搬送アーム80は、その上面部に図示しない吸着パッドを備えている。搬送アーム80は、吸着パッドでウェーハの裏面を真空吸着してウェーハWを保持する。すなわち、この供給回収ロボット40の搬送アーム80は、ウェーハWを保持した状態で前後、昇降移動、及び旋回することができ、この動作を組み合わせることによりウェーハの搬送を行う。   The supply / recovery robot 40 includes a three-axis rotation type transfer arm 80, and the transfer arm 80 includes a suction pad (not shown) on the upper surface thereof. The transfer arm 80 holds the wafer W by vacuum-sucking the back surface of the wafer with a suction pad. That is, the transfer arm 80 of the supply / recovery robot 40 can move up and down, move up and down and turn while holding the wafer W, and transfers the wafer by combining these operations.
面取り装置10は正面部に配置されており、ウェーハWの外周面取りの全加工、すなわち、粗加工から仕上げ加工までを行う。この面取り装置10はウェーハ送りユニット20、砥石回転ユニット50から構成されている。   The chamfering device 10 is disposed in the front portion, and performs all processes for chamfering the outer periphery of the wafer W, that is, from roughing to finishing. The chamfering apparatus 10 includes a wafer feeding unit 20 and a grindstone rotating unit 50.
図4は、加工部の構成を示す平面図であり、加工開始前の待機状態では、ウェーハテーブル34に保持されるウェーハWは、その中心がウェーハテーブル34の回転軸と一致するように配置される。このとき、ウェーハWのOF部は所定方向を向くように配置される。   FIG. 4 is a plan view showing the configuration of the processing unit. In the standby state before the start of processing, the wafer W held on the wafer table 34 is arranged so that the center thereof coincides with the rotation axis of the wafer table 34. The At this time, the OF portion of the wafer W is arranged to face a predetermined direction.
また、外周粗研削砥石52及び外周精研削砥石55を構成する上外周精研削砥石55−1、下外周精研削砥石55−2は、ウェーハWからそれぞれ所定距離離れた位置に位置している。具体的には、外周粗研削砥石52の回転中心はウェーハWの回転中心に対してY軸方向に所定距離だけ離れた位置に配置され、かつ上外周精研削砥石55−1、下外周精研削砥石55−2の回転中心はウェーハWに対してX軸方向に所定距離離れた位置に配置される。   Further, the upper and outer peripheral fine grinding wheels 55-1 and 55-2 constituting the outer peripheral rough grinding wheel 52 and the outer peripheral fine grinding wheel 55 are located at a position away from the wafer W by a predetermined distance. Specifically, the rotation center of the outer peripheral rough grinding wheel 52 is disposed at a position away from the rotation center of the wafer W by a predetermined distance in the Y-axis direction, and the upper outer periphery fine grinding wheel 55-1 and the lower outer peripheral fine grinding are performed. The rotation center of the grindstone 55-2 is disposed at a position away from the wafer W by a predetermined distance in the X-axis direction.
まず始めに、アライメント動作が行われる。このアライメント動作では、ウェーハテーブル34に保持されたウェーハWと外周粗研削砥石52及び外周精研削砥石55との上下方向(Z軸方向)について相対的な位置関係が調整される。   First, an alignment operation is performed. In this alignment operation, the relative positional relationship between the wafer W held on the wafer table 34, the outer peripheral rough grinding wheel 52, and the outer peripheral fine grinding wheel 55 in the vertical direction (Z-axis direction) is adjusted.
アライメント動作が完了したら、外周砥石スピンドル51が駆動される。次に、外周粗研削砥石52による研削(粗加工)を開始する。具体的には、外周粗研削装置62のY軸モータ(図示せず)が駆動され、外周砥石スピンドル51がY軸方向に沿ってウェーハテーブル34に向かって送られる。   When the alignment operation is completed, the outer peripheral grinding wheel spindle 51 is driven. Next, grinding (rough machining) by the outer periphery rough grinding wheel 52 is started. Specifically, a Y-axis motor (not shown) of the outer peripheral rough grinding device 62 is driven, and the outer peripheral grinding wheel spindle 51 is fed toward the wafer table 34 along the Y-axis direction.
外周粗研削砥石52は、直径200mmのダイヤモンド砥粒のメタルボンド砥石で、粒度#800である。また、外周砥石スピンドル51は、ボールベアリングを用いたビルトインモータ駆動のスピンドルで、回転速度8,000rpmで回転される。   The outer peripheral rough grinding stone 52 is a metal bond grindstone of diamond abrasive grains having a diameter of 200 mm, and has a particle size # 800. The outer peripheral grinding wheel spindle 51 is a built-in motor driven spindle using a ball bearing and is rotated at a rotational speed of 8,000 rpm.
ウェーハテーブル34に向かって外周砥石スピンドル51が送られると、ウェーハWの外周が外周粗研削砥石52に形成された外周粗研削用の研削溝に接触し、ウェーハWの外周部が外周粗研削砥石52により研削されて、ウェーハWの外周面取りの粗加工が開始される。   When the outer peripheral grinding wheel spindle 51 is fed toward the wafer table 34, the outer periphery of the wafer W comes into contact with the outer peripheral rough grinding grinding groove formed in the outer peripheral rough grinding wheel 52, and the outer periphery of the wafer W is the outer peripheral rough grinding wheel. After being ground by 52, rough machining of the outer peripheral chamfering of the wafer W is started.
外周粗研削砥石52による粗加工が開始された後、ウェーハテーブル34に保持されたウェーハWが一定速度で矢印方向に回転を開始する。この回転角度、つまり加工点が直線部となるOF部に至ると、外周砥石スピンドル51をY方向、ウェーハテーブル34に向かう送り量を多くすると共に、外周砥石スピンドル51をX方向に直線移動させ直線部を加工する。その後、直線部の加工を終了すると、再び、ウェーハテーブル34に保持された板状のウェーハWを一定速度で矢印方向に回転させ、残りの円形部を研削して外周粗研削砥石52による粗加工を終了する。   After the rough machining by the outer peripheral rough grinding wheel 52 is started, the wafer W held on the wafer table 34 starts to rotate in the arrow direction at a constant speed. When the rotation angle, that is, the OF portion where the processing point is a linear portion, the outer grindstone spindle 51 is increased in the Y direction and the feed amount toward the wafer table 34 is increased, and the outer grindstone spindle 51 is linearly moved in the X direction to obtain a straight line. Machining part. Thereafter, when the processing of the straight portion is finished, the plate-like wafer W held on the wafer table 34 is rotated again in the direction of the arrow at a constant speed, the remaining circular portion is ground, and rough processing by the outer peripheral rough grinding wheel 52 is performed. Exit.
次に、外周精研削砥石55である上外周精研削砥石55−1、下外周精研削砥石55−2による仕上げ加工が同様に行われる。上外周精研削砥石55−1、下外周精研削砥石55−2は、ダイヤモンド砥粒のレジンボンド砥石が適している。また、上外周精研スピンドル54及び下外周精研スピンドル57は、同芯とされ、その回転軸をウェーハテーブル34の回転軸に対してウェーハWの外周の接線方向に3〜15°、望ましくは6〜10°、つまり、ウェーハWの面に垂直な方向に対して傾斜させた状態でウェーハWの外周面取りの仕上げ加工が行われる。   Next, the finishing process is similarly performed by the upper and outer peripheral fine grinding wheels 55-1 and the lower and outer peripheral fine grinding wheels 55-2 which are the outer peripheral fine grinding wheels 55. As the upper and outer peripheral fine grinding stones 55-1 and 55-2, diamond-bonded resin bond grindstones are suitable. Further, the upper and lower outer peripheral spindles 54 and 57 are concentric, and the rotation axis thereof is 3 to 15 ° in the tangential direction of the outer periphery of the wafer W with respect to the rotation axis of the wafer table 34, preferably The finishing process for chamfering the outer periphery of the wafer W is performed in a state of being tilted with respect to 6 to 10 °, that is, with respect to a direction perpendicular to the surface of the wafer W.
さらに、上外周精研削砥石55−1、下外周精研削砥石55−2は、一組となって、面取り用加工溝はツルアー41によって形成される。また、上外周精研削砥石55−1、下外周精研削砥石55−2は同じ材料で、例えば、Fe、Cr、Cu等の金属粉等を主成分とし、ダイヤモンド砥粒を混ぜて成形したものが用いられる。その材質は、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリスチレン樹脂又はポリエチレン樹脂等を主成分とし、ダイヤモンド砥粒や立方晶窒化ホウ素砥粒を混ぜて成形したものが望ましい。   Furthermore, the upper and outer peripheral fine grinding wheels 55-1 and the lower outer peripheral and fine grinding wheel 55-2 form a pair, and the chamfering groove is formed by the truer 41. Further, the upper and outer peripheral precision grinding wheels 55-1 and 55-2 are made of the same material, for example, a metal powder such as Fe, Cr, or Cu as a main component and formed by mixing diamond abrasive grains. Is used. The material is preferably made of, for example, a phenol resin, an epoxy resin, a polyimide resin, a polystyrene resin, a polyethylene resin, or the like as a main component and mixed with diamond abrasive grains or cubic boron nitride abrasive grains.
また、上外周精研削砥石55−1、下外周精研削砥石55−2は、直径50mmのダイヤモンド砥粒のレジンボンド砥石で、粒度#3000が用いられる。上外周精研スピンドル54及び下外周精研スピンドル57は、エアーベアリングを用いたビルトインモータ駆動のスピンドルで、回転速度35,000rpmで回転される。   The upper and outer peripheral fine grinding wheels 55-1 and 55-2 are resin bond grindstones of diamond abrasive grains having a diameter of 50 mm, and a particle size of # 3000 is used. The upper and lower outer peripheral spindles 54 and 57 are built-in motor driven spindles using air bearings and are rotated at a rotational speed of 35,000 rpm.
ツルアー41の材質は、外周粗研削砥石52によって加工することができる一方、上外周精研削砥石55−1、下外周精研削砥石55−2を研削することができるものを採用する。例えば炭化珪素からなる砥粒を、必要に応じて充填剤等も加えてフェノール樹脂で結合し、これを円盤状のツルアー41に成形したものが望ましい。また、ツルアー41は、加工されるウェーハWと同等以下の外径であり、同厚の円盤状GC(Green silicon carbide)砥石、又はWA(White fused alumina)砥石でも良く、砥石の粒度は#320程度が良い。   As the material of the truer 41, a material that can be processed by the outer peripheral rough grinding wheel 52 and that can grind the upper and outer peripheral fine grinding stones 55-1 and 55-2 is adopted. For example, it is desirable that abrasive grains made of silicon carbide be bonded with a phenol resin with a filler added if necessary, and then molded into a disk-like truer 41. The truer 41 may be a disk-shaped GC (Green silicon carbide) grindstone or a WA (White fused aluminum) grindstone having the same thickness as the wafer W to be processed, and the grindstone particle size is # 320. Good degree.
また、研削砥石は、ポーラスな表面を有する面取り砥石素材に飽和脂肪酸溶液と共に潤滑剤を供給し、表面を乾燥させて潤滑剤含浸砥石とし、この潤滑剤を含む砥石を研削時に水冷却で使用することが望ましい。   In addition, the grinding wheel supplies a lubricant to a chamfering wheel material having a porous surface together with a saturated fatty acid solution, and the surface is dried to form a lubricant-impregnated grinding wheel. The grinding stone containing the lubricant is used for water cooling during grinding. It is desirable.
図5は、外周精研スピンドル部の加工中の状態を示す側面図であり、上外周精研スピンドル54及び下外周精研スピンドル57の回転方向と力、クーラント液の流入、滞留、切屑の排出の関係を示している。上外周精研スピンドル54は左回転(矢印Aが示す方向図面視左から右へ回転)し、ウェーハWの回転軸に対して時計方向に傾斜、図で左から右に下方に傾斜しているので、ウェーハWに対して矢印Aのように力が加わる。ウェーハWは中央が保持され、外周は自由端となっているので、分力により下に曲げられるようになる。一方、下外周精研スピンドル57は、右回転(矢印Bが示す方向図面視右から左へ回転)し図で右から左に上方に傾斜しているので、ウェーハWに対して矢印Bのように力が加わる。   FIG. 5 is a side view showing a state in which the outer peripheral fine spindle part is being processed. The rotational direction and force of the upper outer peripheral fine spindle 54 and the lower outer peripheral fine spindle 57, the inflow and retention of coolant, and the discharge of chips. Shows the relationship. The upper and outer peripheral fine spindle 54 rotates counterclockwise (rotates from the left to the right as viewed in the direction indicated by the arrow A), tilts clockwise with respect to the rotation axis of the wafer W, and tilts downward from left to right in the figure. Therefore, a force is applied to the wafer W as indicated by an arrow A. Since the center of the wafer W is held and the outer periphery is a free end, the wafer W is bent downward by a component force. On the other hand, the lower outer periphery precision spindle 57 rotates clockwise (rotates from right to left as viewed in the direction indicated by the arrow B) and tilts upward from right to left in the drawing. Power is added to.
上外周精研削砥石55−1及び下外周精研削砥石55−2との隙間は回転軸方向に中央で対称となっているので、ウェーハWと上外周精研削砥石55−1及び下外周精研削砥石55−2との接触面積は等しくなる。したがって、それぞれの研削抵抗がつり合い、ウェーハWを曲げるような力を生じない。これにより、ウェーハWが中心から先端に架けて曲げ変形することがなく、曲げ変形による加工面の形状精度に影響を与えることがない。   Since the gap between the upper and outer peripheral precision grinding wheels 55-1 and 55-2 is symmetrical in the center in the rotational axis direction, the wafer W, the upper and outer peripheral precision grinding wheels 55-1 and the lower and outer peripheral precision grinding are ground. The contact area with the grindstone 55-2 is equal. Accordingly, the respective grinding resistances are balanced, and no force that bends the wafer W is generated. Thereby, the wafer W does not bend and deform from the center to the tip, and the shape accuracy of the processed surface due to the bending deformation is not affected.
矢印C、Dは、クーラント液の流入方向を示し、ウェーハWの上側は、上外周精研削砥石55−1の回転方向、半時計方向に沿って、図5で左側からウェーハWの外周から中心に向かって流入させる。下側は、下外周精研削砥石55−2の回転方向、時計方向に沿って右側からウェーハWの外周から中心に向かって流入させる。   Arrows C and D indicate the inflow direction of the coolant, and the upper side of the wafer W is centered from the outer periphery of the wafer W from the left side in FIG. Let it flow toward. The lower side is caused to flow from the right side toward the center from the outer side of the wafer W along the rotation direction and clockwise direction of the lower outer peripheral precision grinding wheel 55-2.
図6は、外周精研削砥石55でウェーハWの外周を面取り研削するときのクーラントノズルを説明する平面図であり、ウェーハテーブル34(図1)の近傍にクーラントノズル71A、71Bを設けた例である。クーラントノズル71AはウェーハWの上面内側にクーラント液91Aを供給する。供給されたクーラント液91Aは噴射力と上外周精研削砥石55−1の回転による遠心力によって研削ポイントに到達する。また、クーラントノズル71BはウェーハWの下面内側に図示しないクーラント液を供給する。供給されたこのクーラント液は噴射力と下外周精研削砥石55−2の回転による遠心力によって研削ポイントに到達する。   FIG. 6 is a plan view for explaining a coolant nozzle when the outer periphery of the wafer W is chamfered and ground with the outer peripheral fine grinding wheel 55. In this example, the coolant nozzles 71A and 71B are provided in the vicinity of the wafer table 34 (FIG. 1). is there. The coolant nozzle 71 </ b> A supplies the coolant 91 </ b> A to the inside of the upper surface of the wafer W. The supplied coolant liquid 91 </ b> A reaches the grinding point by the injection force and the centrifugal force generated by the rotation of the upper and outer peripheral grinding wheel 55-1. Further, the coolant nozzle 71B supplies a coolant liquid (not shown) to the inside of the lower surface of the wafer W. The supplied coolant liquid reaches the grinding point by the injection force and the centrifugal force generated by the rotation of the lower outer peripheral grinding wheel 55-2.
図6ではクーラントノズル71A、71Bの噴射口を研削ポイントに近づけているが、上外周精研削砥石55−1と下外周精研削砥石55−2の回転方向は逆となっているので、必ずしも研削ポイントに近づける必要はない。そして、両側から流入されたクーラント液は、上外周精研削砥石55−1、下外周精研削砥石55−2の回転に伴って、それぞれ加速されるが、ウェーハWの中心付近の加工ポイントでぶつかり合い流入速度が弱められる。したがって、クーラント液は、加工ポイントで滞留し、ウェーハWと上外周精研削砥石55−1及び下外周精研削砥石55−2を十分冷却し、隙間から流出していく。また、研削に伴う研削屑は、クーラント液の流入、流出とともに隙間より排出、除去され、クーラント液の効果を促進してヘリカル研削の効果を高め、加工品質の向上を図ることができる。   In FIG. 6, the nozzles of the coolant nozzles 71 </ b> A and 71 </ b> B are close to the grinding point. However, since the rotational directions of the upper and lower outer peripheral grinding wheels 55-1 and 55-2 are reversed, the grinding is not necessarily performed. There is no need to get close to the point. The coolant flowing in from both sides is accelerated by the rotation of the upper and outer peripheral precision grinding wheels 55-1 and 55-2, but collides at a processing point near the center of the wafer W. The inflow speed is weakened. Accordingly, the coolant liquid stays at the processing point, sufficiently cools the wafer W, the upper and outer peripheral precision grinding wheels 55-1 and the lower outer peripheral precision grinding wheel 55-2, and flows out from the gap. Further, grinding scraps accompanying grinding are discharged and removed from the gap along with the inflow and outflow of the coolant, and the effect of the coolant is promoted to enhance the effect of the helical grinding, and the processing quality can be improved.
以上により、砥石の切削点へ潤滑剤が確実に供給されて切削点温度を所定温度以下にすることができる。また、冷却液を水とすれば冷却液による環境汚染を防止できる。さらにウェーハ面取り装置では、砥石に潤滑剤を含浸させれば、長期にわたり潤滑剤を切削点に供給可能であり、そのうえ冷却液を水として低温かつ環境に配慮した加工が可能となる。さらに、研削屑が隙間から排出されるので加工面に落下することがなく、加工面に研削屑等によるキズ、引っ掻きによる条痕を生じることがない。   As described above, the lubricant is reliably supplied to the cutting point of the grindstone, and the cutting point temperature can be set to a predetermined temperature or lower. Moreover, if the coolant is water, environmental pollution by the coolant can be prevented. Further, in the wafer chamfering apparatus, if the grindstone is impregnated with the lubricant, the lubricant can be supplied to the cutting point over a long period of time, and furthermore, the processing can be performed at low temperature and in consideration of the environment using the coolant as water. Further, since the grinding waste is discharged from the gap, it does not fall on the processed surface, and scratches or scratches caused by the grinding waste or the like on the processed surface do not occur.
さらに、ウェーハWを固定するウェーハテーブル34の大きさは、固定及び研削抵抗を考慮して決めなければならないが、上外周精研削砥石55−1、下外周精研削砥石55−2を逆回転としたことにより、ウェーハWの変形や撓み、歪などの加工精度への影響を避けると共に、上外周精研削砥石55−1、下外周精研削砥石55−2を柔らかいレジンボンド砥石とすることで、その振れ等の衝撃を緩和することができる。   Further, the size of the wafer table 34 for fixing the wafer W must be determined in consideration of fixing and grinding resistance, but the upper and lower outer peripheral grinding wheels 55-1 and 55-2 are rotated in reverse. By avoiding the influence on the processing accuracy such as deformation, bending, and distortion of the wafer W, the upper and outer peripheral fine grinding wheels 55-1 and 55-2 are soft resin-bonded grinding wheels. The impact such as the shake can be reduced.
さらに、通常、外周精研削砥石55の傾斜角度があまりに大きいと、研削抵抗の増大、端面における上下角部の欠け、キズなどの点で好ましくないが、上外周精研削砥石55−1、下外周精研削砥石55−2の回転を逆回転とすることで、この点でも有利である。   Further, normally, if the inclination angle of the outer peripheral fine grinding wheel 55 is too large, it is not preferable in terms of increase in grinding resistance, chipping of the upper and lower corners on the end face, scratches, etc. This is also advantageous in that the rotation of the precision grinding wheel 55-2 is reversed.
なお、上外周精研削砥石55−1と下外周精研削砥石55−2との回転軸は、略同芯としたが、必ずしも正確な同芯である必要はなく、回転数、ウェーハW及び研削砥石の材質、ヘリカル研削のために傾けた角度などの加工条件により、適宜ずらすことでも良い。また、同様に、それぞれの回転数も正確に一致させる必要はなく、どちらか一方の回転数を仕上がり状態、精度、クーラント液の流入状態、ヘリカル研削のために傾けた角度などの加工条件により小さくしても良い。   The rotational axes of the upper and lower outer peripheral grinding wheels 55-1 and 55-2 are substantially concentric. However, the rotational axes, the wafer W, and the grinding are not necessarily required to be exact. Depending on the processing conditions such as the material of the grindstone and the angle inclined for helical grinding, it may be shifted as appropriate. Similarly, it is not necessary for each rotation speed to be exactly the same, and either rotation speed is reduced depending on the processing conditions such as the finished state, accuracy, coolant flow-in state, angle inclined for helical grinding, etc. You may do it.
図7は、従来技術による加工後のウェーハWの形状を示す断面図であり、通常の外周精研削砥石55で加工した切り込み位置でのウェーハWの形状を示し、厚さが740μmで上面A1が340μm、B1が300μm、θ1が43°に対して下面A2が250μm、B2が190μm、θ2が40°と言うように、ウェーハWが下方に曲げられることで面取り加工部の対称性が崩れていた。   FIG. 7 is a cross-sectional view showing the shape of the wafer W after processing according to the prior art, showing the shape of the wafer W at the cutting position processed by the normal peripheral grinding wheel 55, having a thickness of 740 μm and an upper surface A1. The symmetry of the chamfered portion was broken by bending the wafer W downward, such that 340 μm, B1 was 300 μm, θ1 was 43 °, the lower surface A2 was 250 μm, B2 was 190 μm, and θ2 was 40 °. .
図8は、一実施形態における加工後のウェーハWの形状を示す断面図であり、図7に対して、外周精研削砥石55を上下に分離して上外周精研削砥石55−1、下外周精研削砥石55−2として逆回転させた場合のウェーハWの形状を示す。厚さが740μmで上面A1が290μm、B1が260μm、θ1が44°に対して、下面A2が290μm、B2が240μm、θ2が42°と言うように、面取り加工部の対称性が改善され、精度が向上している。   FIG. 8 is a cross-sectional view showing the shape of the processed wafer W in one embodiment. The outer peripheral fine grinding wheel 55 is separated into upper and lower parts with respect to FIG. The shape of the wafer W at the time of reverse rotation as the precision grinding wheel 55-2 is shown. The symmetry of the chamfered portion is improved such that the thickness is 740 μm, the upper surface A1 is 290 μm, B1 is 260 μm, θ1 is 44 °, the lower surface A2 is 290 μm, B2 is 240 μm, and θ2 is 42 °, The accuracy has been improved.
図9は、ツルーイング動作を示した側面図であり、ウェーハテーブル34の下部にウェーハテーブル回転軸心と同芯で取付けられ、ウェーハテーブル34で回転される。ツルーイング動作は、最初にマスター砥石(図示せず)でツルアー41の外周に面取り加工を行う。この加工においては、マスター砥石が回転速度8,000rpmで回転されている。この状態でZテーブル31がZ軸駆動機構30によって移動され、ツルアー41の高さがマスター砥石のマスター溝に一致する高さに位置決めされる。   FIG. 9 is a side view showing the truing operation. The truing operation is attached to the lower part of the wafer table 34 concentrically with the rotation axis of the wafer table and rotated by the wafer table 34. In the truing operation, first, chamfering is performed on the outer periphery of the truer 41 with a master grindstone (not shown). In this processing, the master grindstone is rotated at a rotational speed of 8,000 rpm. In this state, the Z table 31 is moved by the Z-axis drive mechanism 30 and positioned so that the height of the truer 41 coincides with the master groove of the master grindstone.
ツルアー41の外周部が面取りされ、ツルアー41の外周部にマスター溝の形状が転写される。マスター砥石のマスター溝の断面形状からツルアー41の外周部の断面形状への転写が終了する。外周部にマスター溝の断面形状が転写されたツルアー41を用いて、回転軸がウェーハWの接線方向に傾斜した上外周精研削砥石55−1、下外周精研削砥石55−2を形成する。外周精研削砥石55に形成される研削溝は、ウェーハWの外径Dと同等の外径を有するツルーイング砥石で形成したものと同等となる。   The outer peripheral part of the truer 41 is chamfered, and the shape of the master groove is transferred to the outer peripheral part of the truer 41. The transfer from the cross-sectional shape of the master groove of the master grindstone to the cross-sectional shape of the outer peripheral portion of the truer 41 is completed. Using the truer 41 in which the cross-sectional shape of the master groove is transferred to the outer peripheral portion, an upper outer peripheral fine grinding wheel 55-1 and a lower outer peripheral fine grinding wheel 55-2 whose rotational axes are inclined in the tangential direction of the wafer W are formed. The grinding grooves formed on the outer peripheral grinding wheel 55 are equivalent to those formed with a truing grindstone having an outer diameter equivalent to the outer diameter D of the wafer W.
ツルーイング動作も上外周精研削砥石55−1、下外周精研削砥石55−2は逆回転させるので、外周研削のときと同様に、曲げ変形による加工面の形状精度に対する影響を受けず、研削屑も隙間から排出されるので、より正確な形状転写が行われる。   In the truing operation, the upper outer peripheral grinding wheel 55-1 and the lower outer peripheral grinding wheel 55-2 are rotated in the reverse direction. Is also discharged from the gap, so that more accurate shape transfer is performed.
W…ウェーハ、ガラスパネル(被加工材)、10…面取り装置、11…本体ベース、20…ウェーハ送りユニット、21…X軸ベース、22…X軸ガイドレール、23…X軸リニアガイド、24…Xテーブル、25…X軸駆動機構、26…Y軸ガイドレール、27…Y軸リニアガイド、28…Yテーブル、29…Z軸ガイドレール、30…Z軸駆動機構、31…Zテーブル、32…θ軸モータ、33…θスピンドル、34…ウェーハテーブル、40…供給回収ロボット、41…ツルアー、50…砥石回転ユニット、51…外周砥石スピンドル、52…外周粗研削砥石、53…ターンテーブル、54…上外周精研スピンドル、55…外周精研削砥石、55−1…上外周精研削砥石(上研削砥石)、55−2…下外周精研削砥石(下研削砥石)、56…上外周精研モータ、57…下外周精研スピンドル、59…下固定枠、62…外周粗研削装置、70…ウェーハカセット、71…カセットテーブル、71A、71B…クーラントノズル、80…搬送アーム、91A…クーラント液   W: Wafer, glass panel (workpiece), 10: Chamfering device, 11: Main body base, 20 ... Wafer feed unit, 21 ... X-axis base, 22 ... X-axis guide rail, 23 ... X-axis linear guide, 24 ... X table, 25 ... X axis drive mechanism, 26 ... Y axis guide rail, 27 ... Y axis linear guide, 28 ... Y table, 29 ... Z axis guide rail, 30 ... Z axis drive mechanism, 31 ... Z table, 32 ... θ axis motor, 33 ... θ spindle, 34 ... wafer table, 40 ... supply and recovery robot, 41 ... truer, 50 ... grinding wheel rotating unit, 51 ... outer peripheral grinding wheel spindle, 52 ... outer peripheral rough grinding wheel, 53 ... turntable, 54 ... Upper peripheral fine grinding spindle, 55 ... outer peripheral fine grinding wheel, 55-1 ... upper outer peripheral fine grinding wheel (upper grinding wheel), 55-2 ... lower outer peripheral fine grinding wheel (lower grinding wheel), 5 6 ... Upper outer peripheral fine grinding motor, 57 ... Lower outer peripheral fine polishing spindle, 59 ... Lower fixed frame, 62 ... Outer peripheral rough grinding device, 70 ... Wafer cassette, 71 ... Cassette table, 71A, 71B ... Coolant nozzle, 80 ... Transfer arm 91A ... Coolant liquid

Claims (9)

  1. 板状の被加工材の端面を研削する面取り加工装置において、
    前記被加工材の平面に垂直となる厚さ方向の軸に対して回転軸を傾け、前記被加工材の端面に垂直方向より押し付けて当接する上研削砥石と、
    前記上研削砥石の下方に前記回転軸の方向に隙間を有するように配置され、前記上研削砥石に対して回転方向が逆となる下研削砥石と、
    を備え、前記上研削砥石と前記下研削砥石とで前記被加工材の端面を研削することを特徴とする面取り加工装置。
    In a chamfering machine that grinds the end face of a plate-shaped workpiece,
    An upper grinding wheel that inclines a rotation axis with respect to an axis in a thickness direction perpendicular to the plane of the workpiece, and presses against and contacts the end surface of the workpiece from the vertical direction;
    A lower grinding wheel disposed below the upper grinding wheel so as to have a gap in the direction of the rotation axis, and having a rotational direction opposite to the upper grinding wheel;
    A chamfering apparatus characterized by grinding an end face of the workpiece with the upper grinding wheel and the lower grinding wheel.
  2. 前記上研削砥石と前記下研削砥石とは回転軸が同芯となるように配置されたことを特徴とする請求項1に記載の面取り加工装置。   The chamfering apparatus according to claim 1, wherein the upper grinding wheel and the lower grinding wheel are arranged such that a rotation axis is concentric.
  3. 前記上研削砥石と前記下研削砥石とで前記被加工材を加工する研削溝が形成され、前記隙間は前記被加工材の厚さより小さいことを特徴とする請求項1または2に記載の面取り加工装置。   The chamfering process according to claim 1 or 2, wherein a grinding groove for processing the workpiece is formed by the upper grinding wheel and the lower grinding wheel, and the gap is smaller than a thickness of the workpiece. apparatus.
  4. 前記隙間は、前記研削溝の回転軸方向における中央に設けられたことを特徴とする請求項3に記載の面取り加工装置。   The chamfering apparatus according to claim 3, wherein the gap is provided at a center of the grinding groove in a rotation axis direction.
  5. 前記隙間は0.1〜1mmとされたことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の面取り加工装置。   The chamfering apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the gap is set to 0.1 to 1 mm.
  6. 前記上研削砥石と前記下研削砥石との回転軸は、前記被加工材の外周の接線方向に3〜15°傾けたことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の面取り加工装置。   6. The chamfer according to claim 1, wherein rotation axes of the upper grinding wheel and the lower grinding wheel are inclined by 3 to 15 degrees in a tangential direction of an outer periphery of the workpiece. Processing equipment.
  7. 前記上研削砥石は左回転、前記下研削砥石は右回転とし、前記上研削砥石へのクーラント液は前記被加工材の上側から、前記下研削砥石へのクーラント液は前記被加工材の下側から供給されることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の面取り加工装置。   The upper grinding wheel is rotated counterclockwise, the lower grinding wheel is rotated clockwise, the coolant liquid to the upper grinding wheel is from above the workpiece, and the coolant liquid to the lower grinding wheel is below the workpiece The chamfering apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein the chamfering apparatus is supplied from.
  8. 前記クーラント液は、前記上研削砥石及び前記下研削砥石の回転方向に沿って流入されることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の面取り加工装置。   The chamfering apparatus according to any one of claims 1 to 7, wherein the coolant liquid flows in along a rotation direction of the upper grinding wheel and the lower grinding wheel.
  9. 前記上研削砥石及び前記下研削砥石は逆回転されてツルーイングされることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の面取り加工装置。   The chamfering apparatus according to any one of claims 1 to 8, wherein the upper grinding wheel and the lower grinding wheel are reversely rotated and trued.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111037370A (en) * 2019-11-29 2020-04-21 上海磐盟电子材料有限公司 Round crystal chamfering process
CN112091787A (en) * 2020-09-30 2020-12-18 武义县镀石机械设备有限公司 Machine grinding equipment capable of accurately controlling grinding thickness
CN113021115A (en) * 2021-05-26 2021-06-25 四川上特科技有限公司 Device for polishing wafer

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111037370A (en) * 2019-11-29 2020-04-21 上海磐盟电子材料有限公司 Round crystal chamfering process
CN111037370B (en) * 2019-11-29 2021-04-27 上海磐盟电子材料有限公司 Round crystal chamfering process
CN112091787A (en) * 2020-09-30 2020-12-18 武义县镀石机械设备有限公司 Machine grinding equipment capable of accurately controlling grinding thickness
CN113021115A (en) * 2021-05-26 2021-06-25 四川上特科技有限公司 Device for polishing wafer

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