JP2017151459A - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017151459A JP2017151459A JP2017081074A JP2017081074A JP2017151459A JP 2017151459 A JP2017151459 A JP 2017151459A JP 2017081074 A JP2017081074 A JP 2017081074A JP 2017081074 A JP2017081074 A JP 2017081074A JP 2017151459 A JP2017151459 A JP 2017151459A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal line
- row
- gate signal
- pixel
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 177
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 122
- 238000000034 method Methods 0.000 description 73
- 239000000463 material Substances 0.000 description 58
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 43
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 42
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 41
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 22
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 22
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 21
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 15
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 6
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 6
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 6
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical class [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 6
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 6
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 4
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 4
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- -1 polyparaphenylene vinylene Polymers 0.000 description 3
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 2
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 2
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100411598 Mus musculus Rab9a gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004529 TaF 5 Inorganic materials 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical compound B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/2007—Display of intermediate tones
- G09G3/2018—Display of intermediate tones by time modulation using two or more time intervals
- G09G3/2022—Display of intermediate tones by time modulation using two or more time intervals using sub-frames
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
- G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
- G09G3/3258—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the voltage across the light-emitting element
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
- G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0439—Pixel structures
- G09G2300/0465—Improved aperture ratio, e.g. by size reduction of the pixel circuit, e.g. for improving the pixel density or the maximum displayable luminance or brightness
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
- G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
- G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
- G09G2300/0861—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0876—Supplementary capacities in pixels having special driving circuits and electrodes instead of being connected to common electrode or ground; Use of additional capacitively coupled compensation electrodes
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0243—Details of the generation of driving signals
- G09G2310/0251—Precharge or discharge of pixel before applying new pixel voltage
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0262—The addressing of the pixel, in a display other than an active matrix LCD, involving the control of two or more scan electrodes or two or more data electrodes, e.g. pixel voltage dependent on signals of two data electrodes
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/06—Details of flat display driving waveforms
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/06—Details of flat display driving waveforms
- G09G2310/061—Details of flat display driving waveforms for resetting or blanking
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/2007—Display of intermediate tones
- G09G3/2018—Display of intermediate tones by time modulation using two or more time intervals
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
- G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
- G09G3/3241—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element the current through the light-emitting element being set using a data current provided by the data driver, e.g. by using a two-transistor current mirror
- G09G3/325—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element the current through the light-emitting element being set using a data current provided by the data driver, e.g. by using a two-transistor current mirror the data current flowing through the driving transistor during a setting phase, e.g. by using a switch for connecting the driving transistor to the data driver
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/311—Phthalocyanine
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
Abstract
【課題】電気光学装置において、新規の構成を有する画素回路を用いることにより、従来
の構成の画素よりも高い開口率を実現することを目的とする。
【解決手段】ｉ行目を除くゲート信号線の電位は、ｉ行目のゲート信号線１０６が選択さ
れている以外の期間においては定電位となっていることを利用し、ｉ−１行目のゲート信
号線１１１をｉ行目のゲート信号線１０６によって制御されるＥＬ素子１０３への電流供
給線として兼用することで配線数を減らし、高開口率を実現する。
【選択図】図１
の構成の画素よりも高い開口率を実現することを目的とする。
【解決手段】ｉ行目を除くゲート信号線の電位は、ｉ行目のゲート信号線１０６が選択さ
れている以外の期間においては定電位となっていることを利用し、ｉ−１行目のゲート信
号線１１１をｉ行目のゲート信号線１０６によって制御されるＥＬ素子１０３への電流供
給線として兼用することで配線数を減らし、高開口率を実現する。
【選択図】図１
Description
本発明は、電子装置の構成に関する。本発明は、特に、絶縁基板上に作成される薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）を有するアクティブマトリクス型電子装置に関する。
トランジスタ（ＴＦＴ）を有するアクティブマトリクス型電子装置に関する。
近年、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）に替わるフラットパネルディスプレイとして、ＥＬ
ディスプレイが注目を集めており、活発な研究が行われている。
ディスプレイが注目を集めており、活発な研究が行われている。
ＥＬ素子は、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：電場を加えることで発
生するルミネッセンス）が得られる有機化合物を含む層（以下、ＥＬ層と記す）と、陽極
と、陰極とを有する。有機化合物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底
状態に戻る際の発光（蛍光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（リン光）と
があるが、本発明はどちらの発光を用いた電子装置にも適用可能である。
生するルミネッセンス）が得られる有機化合物を含む層（以下、ＥＬ層と記す）と、陽極
と、陰極とを有する。有機化合物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底
状態に戻る際の発光（蛍光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（リン光）と
があるが、本発明はどちらの発光を用いた電子装置にも適用可能である。
なお、本明細書では、陽極と陰極の間に設けられた全ての層をＥＬ層と定義する。ＥＬ
層には具体的に、発光層、正孔注入層、電子注入層、正孔輸送層、電子輸送層等が含まれ
る。基本的にＥＬ素子は、陽極／発光層／陰極が順に積層された構造を有しており、この
構造に加えて、陽極／正孔注入層／発光層／陰極や、陽極／正孔注入層／発光層／電子輸
送層／陰極等の順に積層した構造を有していることもある。
層には具体的に、発光層、正孔注入層、電子注入層、正孔輸送層、電子輸送層等が含まれ
る。基本的にＥＬ素子は、陽極／発光層／陰極が順に積層された構造を有しており、この
構造に加えて、陽極／正孔注入層／発光層／陰極や、陽極／正孔注入層／発光層／電子輸
送層／陰極等の順に積層した構造を有していることもある。
また、本明細書中では、陽極、ＥＬ層及び陰極で形成される素子をＥＬ素子と呼ぶ。
ＬＣＤには、駆動方式として大きく分けて２つのタイプがあった。１つは、ＳＴＮ−Ｌ
ＣＤなどに用いられているパッシブマトリクス型であり、もう１つは、ＴＦＴ−ＬＣＤな
どに用いられているアクティブマトリクス型であった。ＥＬディスプレイにおいても、同
様に、大きく分けて２種類の駆動方式がある。１つはパッシブマトリクス型、もう１つが
アクティブマトリクス型である。
ＣＤなどに用いられているパッシブマトリクス型であり、もう１つは、ＴＦＴ−ＬＣＤな
どに用いられているアクティブマトリクス型であった。ＥＬディスプレイにおいても、同
様に、大きく分けて２種類の駆動方式がある。１つはパッシブマトリクス型、もう１つが
アクティブマトリクス型である。
パッシブマトリクス型の場合は、ＥＬ素子の上部と下部とに、電極となる配線が配置さ
れている。そして、その配線に電圧を順に加えて、ＥＬ素子に電流を流すことによって点
灯させている。
一方、アクティブマトリクス型の場合は、各画素にＴＦＴを有し、各画素内で信号を保
持出来るようになっている。
れている。そして、その配線に電圧を順に加えて、ＥＬ素子に電流を流すことによって点
灯させている。
一方、アクティブマトリクス型の場合は、各画素にＴＦＴを有し、各画素内で信号を保
持出来るようになっている。
ＥＬディスプレイに用いられているアクティブマトリクス型電子装置の構成例を図１５
に示す。図１５（Ａ）は全体回路構成図であり、中央に画素部を有している。画素部の左
側には、ゲート信号線を制御するためのゲート信号線側駆動回路が配置されている。画素
部の上側には、ソース信号線を制御するためのソース信号線側駆動回路が配置されている
。図１５（Ａ）において、点線枠で囲まれている部分が１画素分の回路である。拡大図を
図１５（Ｂ）に示す。図１５（Ｂ）
において、１５０１は、画素に信号を書き込む時のスイッチング素子として機能するＴＦ
Ｔ（以下、スイッチング用ＴＦＴという）である。図１５（Ｂ）では、スイッチング用Ｔ
ＦＴはダブルゲート構造となっているが、シングルゲート構造あるいはトリプルゲート構
造やそれ以上のゲート本数を持つマルチゲート構造をとっても良い。また、ＴＦＴの極性
は回路の構成形態によっていずれかの極性を用いれば良い。１５０２はＥＬ素子１５０３
に供給する電流を制御するための素子（電流制御素子）として機能するＴＦＴ（以下、Ｅ
Ｌ駆動用ＴＦＴという）である。図１５（Ｂ）では、ＥＬ素子１５０３の陽極１５０９と
電流供給線１５０７との間に配置されている。別の構成方法として、ＥＬ素子１５０３の
陰極１５１０と陰極電極１５０８の間に配置したりすることも可能である。また、ＴＦＴ
の極性は回路の構成形態によっていずれかの極性を用いれば良い。ただし、トランジスタ
の動作としてソース接地が良いこと、ＥＬ素子１５０３の製造上の制約などから、ＥＬ駆
動用ＴＦＴにはｐチャネル型を用い、ＥＬ素子１５０３の陽極１５０９と電流供給線１５
０７との間にＥＬ駆動用ＴＦＴを配置する方式が一般的であり、多く採用されている。１
５０４は、ソース信号線１５０６から入力される信号（電圧）を保持するための保持容量
である。図１５（Ｂ）での保持容量１５０４の一方の端子は、電流供給線１５０７に接続
されているが、専用の配線を用いることもある。スイッチング用ＴＦＴ１５０１のゲート
端子は、ゲート信号線１５０５に、ソース端子は、ソース信号線１５０６に接続されてい
る。また、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１５０２のドレイン端子はＥＬ素子１５０３の陽極１５０９
に、ソース端子は電流供給線１５０７に接続されている。
に示す。図１５（Ａ）は全体回路構成図であり、中央に画素部を有している。画素部の左
側には、ゲート信号線を制御するためのゲート信号線側駆動回路が配置されている。画素
部の上側には、ソース信号線を制御するためのソース信号線側駆動回路が配置されている
。図１５（Ａ）において、点線枠で囲まれている部分が１画素分の回路である。拡大図を
図１５（Ｂ）に示す。図１５（Ｂ）
において、１５０１は、画素に信号を書き込む時のスイッチング素子として機能するＴＦ
Ｔ（以下、スイッチング用ＴＦＴという）である。図１５（Ｂ）では、スイッチング用Ｔ
ＦＴはダブルゲート構造となっているが、シングルゲート構造あるいはトリプルゲート構
造やそれ以上のゲート本数を持つマルチゲート構造をとっても良い。また、ＴＦＴの極性
は回路の構成形態によっていずれかの極性を用いれば良い。１５０２はＥＬ素子１５０３
に供給する電流を制御するための素子（電流制御素子）として機能するＴＦＴ（以下、Ｅ
Ｌ駆動用ＴＦＴという）である。図１５（Ｂ）では、ＥＬ素子１５０３の陽極１５０９と
電流供給線１５０７との間に配置されている。別の構成方法として、ＥＬ素子１５０３の
陰極１５１０と陰極電極１５０８の間に配置したりすることも可能である。また、ＴＦＴ
の極性は回路の構成形態によっていずれかの極性を用いれば良い。ただし、トランジスタ
の動作としてソース接地が良いこと、ＥＬ素子１５０３の製造上の制約などから、ＥＬ駆
動用ＴＦＴにはｐチャネル型を用い、ＥＬ素子１５０３の陽極１５０９と電流供給線１５
０７との間にＥＬ駆動用ＴＦＴを配置する方式が一般的であり、多く採用されている。１
５０４は、ソース信号線１５０６から入力される信号（電圧）を保持するための保持容量
である。図１５（Ｂ）での保持容量１５０４の一方の端子は、電流供給線１５０７に接続
されているが、専用の配線を用いることもある。スイッチング用ＴＦＴ１５０１のゲート
端子は、ゲート信号線１５０５に、ソース端子は、ソース信号線１５０６に接続されてい
る。また、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１５０２のドレイン端子はＥＬ素子１５０３の陽極１５０９
に、ソース端子は電流供給線１５０７に接続されている。
次に、同図１５を参照して、アクティブマトリクス型電子装置の回路の動作について説
明する。まず、ゲート信号線１５０６が選択されると、スイッチング用ＴＦＴ１５０１の
ゲートに電圧が印加され、スイッチング用ＴＦＴ１５０１が導通状態になる。すると、ソ
ース信号線１５０６の信号（電圧）が保持容量１５０４に蓄積される。保持容量１５０４
の電圧は、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１５０２のゲート・ソース間電圧ＶGSとなるため、 保持容
量１５０４の電圧に応じた電流がＥＬ駆動用ＴＦＴ１５０２とＥＬ素子１５０３に流れる
。その結果、ＥＬ素子１５０３が点灯する。
明する。まず、ゲート信号線１５０６が選択されると、スイッチング用ＴＦＴ１５０１の
ゲートに電圧が印加され、スイッチング用ＴＦＴ１５０１が導通状態になる。すると、ソ
ース信号線１５０６の信号（電圧）が保持容量１５０４に蓄積される。保持容量１５０４
の電圧は、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１５０２のゲート・ソース間電圧ＶGSとなるため、 保持容
量１５０４の電圧に応じた電流がＥＬ駆動用ＴＦＴ１５０２とＥＬ素子１５０３に流れる
。その結果、ＥＬ素子１５０３が点灯する。
ＥＬ素子１５０３の輝度、つまりＥＬ素子１５０３を流れる電流量は、ＶGSによって制御
出来る。ＶGSは、保持容量１５０４の電圧であり、それはソース信号線１５０５に入力さ
れる信号（電圧）である。つまり、ソース信号線１５０５に入力される信号（電圧）を制
御することによって、ＥＬ素子１５０３の輝度を制御する。最後に、ゲート信号線１５０
６を非選択状態にして、スイッチング用ＴＦＴ１５０１のゲートを閉じ、スイッチング用
ＴＦＴ１５０１を非導通状態にする。その時、保持容量１５０４に蓄積された電荷は保持
される。よって、ＶGSは、そのまま保持され、ＶGSに応じた電流がＥＬ駆動用ＴＦＴ１５
０２とＥＬ素子１５０３に流れ続ける。
出来る。ＶGSは、保持容量１５０４の電圧であり、それはソース信号線１５０５に入力さ
れる信号（電圧）である。つまり、ソース信号線１５０５に入力される信号（電圧）を制
御することによって、ＥＬ素子１５０３の輝度を制御する。最後に、ゲート信号線１５０
６を非選択状態にして、スイッチング用ＴＦＴ１５０１のゲートを閉じ、スイッチング用
ＴＦＴ１５０１を非導通状態にする。その時、保持容量１５０４に蓄積された電荷は保持
される。よって、ＶGSは、そのまま保持され、ＶGSに応じた電流がＥＬ駆動用ＴＦＴ１５
０２とＥＬ素子１５０３に流れ続ける。
以上の内容に関しては、SID99 Digest : P372 :“Current Status and future of Ligh
t-Emitting Polymer Display Driven by Poly-Si TFT”、ASIA DISPLAY98 : P217 :“Hig
h Resolution Light Emitting Polymer Display Driven by Low Temperature Polysilico
n Thin Film Transistor with Integrated Driver”、Euro Display99 Late News : P27
:“3.8 Green OLED with Low Temperature Poly-Si TFT”などに報告されている。
t-Emitting Polymer Display Driven by Poly-Si TFT”、ASIA DISPLAY98 : P217 :“Hig
h Resolution Light Emitting Polymer Display Driven by Low Temperature Polysilico
n Thin Film Transistor with Integrated Driver”、Euro Display99 Late News : P27
:“3.8 Green OLED with Low Temperature Poly-Si TFT”などに報告されている。
アクティブマトリクス型電子装置においては、その表示性能の面から、画素には大きな
保持容量を持たせるとともに、高開口率化が求められている。各画素が高い開口率を持つ
ことにより光の利用効率が向上し、表示装置の省電力化および小型化が達成出来る。
保持容量を持たせるとともに、高開口率化が求められている。各画素が高い開口率を持つ
ことにより光の利用効率が向上し、表示装置の省電力化および小型化が達成出来る。
近年、画素サイズの微細化が進み、より高精細な画像が求められている。画素サイズの
微細化は１つの画素に占めるＴＦＴおよび配線の形成面積が大きくなり画素開口率を低減
させている。
微細化は１つの画素に占めるＴＦＴおよび配線の形成面積が大きくなり画素開口率を低減
させている。
そこで、規定の画素サイズの中で各画素の高開口率を得るためには、画素の回路構成に
必要な回路要素を効率よくレイアウトすることが不可欠である。
必要な回路要素を効率よくレイアウトすることが不可欠である。
以上のように、少ないマスク数で画素開口率の高いアクティブマトリクス型電子装置を
実現するためには、従来にない新しい画素構成が求められている。
実現するためには、従来にない新しい画素構成が求められている。
本発明は、そのような要求に答えるものであり、新規の構成を有する画素を用いて、マ
スク数および工程数を増加させることなく、高い開口率を実現した画素を有する電子装置
を提供することを課題とする。
スク数および工程数を増加させることなく、高い開口率を実現した画素を有する電子装置
を提供することを課題とする。
上述した従来技術の課題を解決するために、本発明においては以下の手段を講じた。
本発明の電子装置は、その画素部の構成において、あるゲート信号線が、その選択期間
以外の期間においては、一定の電位をとっている点に着目した。本発明の電子装置におけ
る特徴は、ｉ行目のゲート信号線が選択されているとき、ｉ行目の画素に電流を供給する
電流供給線を、ｉ行目のゲート信号線を含むゲート信号線のいずれか１本によって代用す
ることにより、画素部においてある割合を占めている電流供給線を省略することが出来る
、というものである。この方法により、マスク枚数や作成工程数を増加させることなく、
画素部において高い開口率を実現することが出来る。また、従来の開口率と同等にするな
らば、信号線の幅をより大きくとることが出来るため、抵抗の低減やノイズの低減といっ
た、画質の向上に寄与することが出来る。
以外の期間においては、一定の電位をとっている点に着目した。本発明の電子装置におけ
る特徴は、ｉ行目のゲート信号線が選択されているとき、ｉ行目の画素に電流を供給する
電流供給線を、ｉ行目のゲート信号線を含むゲート信号線のいずれか１本によって代用す
ることにより、画素部においてある割合を占めている電流供給線を省略することが出来る
、というものである。この方法により、マスク枚数や作成工程数を増加させることなく、
画素部において高い開口率を実現することが出来る。また、従来の開口率と同等にするな
らば、信号線の幅をより大きくとることが出来るため、抵抗の低減やノイズの低減といっ
た、画質の向上に寄与することが出来る。
以下に、本発明の電子装置の構成について記載する。
請求項１に記載の本発明の電子装置は、 ソース信号線駆動回路と、ゲート信号線駆動回
路と、画素部とを有する電子装置であって、 前記ソース信号線駆動回路は、複数のソー
ス信号線を有し、 前記ゲート信号線駆動回路は、複数のゲート信号線を有し、 前記画
素部は、複数の画素がマトリクス状に配置された構造を有し、 前記複数の画素はそれぞ
れ、スイッチング用トランジスタと、ＥＬ駆動用トランジスタと、ＥＬ素子とを有し、
前記スイッチング用トランジスタのゲート電極は、ゲート信号線と電気的に接続され、
前記スイッチング用トランジスタの不純物領域のうち、一方はソース信号線と電気的に接
続され、残る一方は前記ＥＬ駆動用トランジスタのゲート電極と電気的に接続され、 前
記ＥＬ駆動用トランジスタの不純物領域のうち、一方は複数の前記ゲート信号線のうちい
ずれか１本と電気的に接続され、残る一方はＥＬ素子の一方の電極と電気的に接続されて
いることを特徴としている。
路と、画素部とを有する電子装置であって、 前記ソース信号線駆動回路は、複数のソー
ス信号線を有し、 前記ゲート信号線駆動回路は、複数のゲート信号線を有し、 前記画
素部は、複数の画素がマトリクス状に配置された構造を有し、 前記複数の画素はそれぞ
れ、スイッチング用トランジスタと、ＥＬ駆動用トランジスタと、ＥＬ素子とを有し、
前記スイッチング用トランジスタのゲート電極は、ゲート信号線と電気的に接続され、
前記スイッチング用トランジスタの不純物領域のうち、一方はソース信号線と電気的に接
続され、残る一方は前記ＥＬ駆動用トランジスタのゲート電極と電気的に接続され、 前
記ＥＬ駆動用トランジスタの不純物領域のうち、一方は複数の前記ゲート信号線のうちい
ずれか１本と電気的に接続され、残る一方はＥＬ素子の一方の電極と電気的に接続されて
いることを特徴としている。
請求項２に記載の本発明の電子装置は、 ソース信号線駆動回路と、ゲート信号線駆動回
路と、画素部とを有する電子装置であって、 前記ソース信号線駆動回路は、複数のソー
ス信号線を有し、 前記ゲート信号線駆動回路は、複数のゲート信号線を有し、 前記画
素部は、複数の画素がマトリクス状に配置された構造を有し、 前記複数の画素はそれぞ
れ、スイッチング用トランジスタと、ＥＬ駆動用トランジスタと、ＥＬ素子とを有し、
ｉ行目の画素において、前記スイッチング用トランジスタのゲート電極は、ｉ行目のゲー
ト信号線と電気的に接続され、 前記スイッチング用トランジスタの不純物領域のうち、
一方は前記ソース信号線と電気的に接続され、残る一方は前記ＥＬ駆動用トランジスタの
ゲート電極と電気的に接続され、 前記ＥＬ駆動用トランジスタの不純物領域のうち、一
方は複数の前記ゲート信号線のうちいずれか１本と電気的に接続され、残る一方はＥＬ素
子の一方の電極と電気的に接続され、 ｉ行目の画素におけるＥＬ素子への電流の供給は
、ｉ行目の画素におけるＥＬ駆動用トランジスタの不純物領域のうちの一方と電気的に接
続された前記ゲート信号線によって行われることを特徴としている。
路と、画素部とを有する電子装置であって、 前記ソース信号線駆動回路は、複数のソー
ス信号線を有し、 前記ゲート信号線駆動回路は、複数のゲート信号線を有し、 前記画
素部は、複数の画素がマトリクス状に配置された構造を有し、 前記複数の画素はそれぞ
れ、スイッチング用トランジスタと、ＥＬ駆動用トランジスタと、ＥＬ素子とを有し、
ｉ行目の画素において、前記スイッチング用トランジスタのゲート電極は、ｉ行目のゲー
ト信号線と電気的に接続され、 前記スイッチング用トランジスタの不純物領域のうち、
一方は前記ソース信号線と電気的に接続され、残る一方は前記ＥＬ駆動用トランジスタの
ゲート電極と電気的に接続され、 前記ＥＬ駆動用トランジスタの不純物領域のうち、一
方は複数の前記ゲート信号線のうちいずれか１本と電気的に接続され、残る一方はＥＬ素
子の一方の電極と電気的に接続され、 ｉ行目の画素におけるＥＬ素子への電流の供給は
、ｉ行目の画素におけるＥＬ駆動用トランジスタの不純物領域のうちの一方と電気的に接
続された前記ゲート信号線によって行われることを特徴としている。
請求項３に記載の本発明の電子装置は、 ソース信号線駆動回路と、ゲート信号線駆動回
路と、画素部とを有する電子装置であって、 前記ソース信号線駆動回路は、複数のソー
ス信号線を有し、 前記ゲート信号線駆動回路は、複数のゲート信号線を有し、 前記画
素部は、複数の画素がマトリクス状に配置された構造を有し、 前記複数の画素はそれぞ
れ、スイッチング用トランジスタと、ＥＬ駆動用トランジスタと、ＥＬ素子とを有し、
ｉ行目の画素において、前記スイッチング用トランジスタのゲート電極は、ｉ行目のゲー
ト信号線と電気的に接続され、 前記スイッチング用トランジスタの不純物領域のうち、
一方は前記ソース信号線と電気的に接続され、残る一方は前記ＥＬ駆動用トランジスタの
ゲート電極と電気的に接続され、 前記ＥＬ駆動用トランジスタの不純物領域のうち、一
方は複数の前記ゲート信号線のうちいずれか１本と電気的に接続され、残る一方はＥＬ素
子の一方の電極と電気的に接続され、 ｉ行目に走査される前記ゲート信号線は、ｉ行目
に走査される前記ゲート信号線と電気的に接続された前記スイッチング用トランジスタを
制御する機能と、ｉ行目に走査される前記ゲート信号線と電気的に接続されたＥＬ駆動用
トランジスタを介して、ＥＬ素子への電流供給を行う機能とを有することを特徴としてい
る。
路と、画素部とを有する電子装置であって、 前記ソース信号線駆動回路は、複数のソー
ス信号線を有し、 前記ゲート信号線駆動回路は、複数のゲート信号線を有し、 前記画
素部は、複数の画素がマトリクス状に配置された構造を有し、 前記複数の画素はそれぞ
れ、スイッチング用トランジスタと、ＥＬ駆動用トランジスタと、ＥＬ素子とを有し、
ｉ行目の画素において、前記スイッチング用トランジスタのゲート電極は、ｉ行目のゲー
ト信号線と電気的に接続され、 前記スイッチング用トランジスタの不純物領域のうち、
一方は前記ソース信号線と電気的に接続され、残る一方は前記ＥＬ駆動用トランジスタの
ゲート電極と電気的に接続され、 前記ＥＬ駆動用トランジスタの不純物領域のうち、一
方は複数の前記ゲート信号線のうちいずれか１本と電気的に接続され、残る一方はＥＬ素
子の一方の電極と電気的に接続され、 ｉ行目に走査される前記ゲート信号線は、ｉ行目
に走査される前記ゲート信号線と電気的に接続された前記スイッチング用トランジスタを
制御する機能と、ｉ行目に走査される前記ゲート信号線と電気的に接続されたＥＬ駆動用
トランジスタを介して、ＥＬ素子への電流供給を行う機能とを有することを特徴としてい
る。
請求項４に記載の本発明の電子装置は、 ソース信号線駆動回路と、ゲート信号線駆動回
路と、画素部とを有する電子装置であって、 前記ソース信号線駆動回路は、複数のソー
ス信号線を有し、 前記ゲート信号線駆動回路は、複数のゲート信号線を有し、 前記画
素部は、複数の画素がマトリクス状に配置された構造を有し、 前記複数の画素はそれぞ
れ、スイッチング用トランジスタと、ＥＬ駆動用トランジスタと、ＥＬ素子とを有し、
ｉ行目の画素において、前記スイッチング用トランジスタのゲート電極は、ｉ行目のゲー
ト信号線と電気的に接続され、 前記スイッチング用トランジスタの不純物領域のうち、
一方は前記ソース信号線と電気的に接続され、残る一方は前記ＥＬ駆動用トランジスタの
ゲート電極と電気的に接続され、 前記ＥＬ駆動用トランジスタの不純物領域のうち、一
方は複数の前記ゲート信号線のうち、ｉ行目に走査される前記ゲート信号線を除くいずれ
か１本と電気的に接続され、残る一方はＥＬ素子の一方の電極と電気的に接続されている
ことを特徴としている。
路と、画素部とを有する電子装置であって、 前記ソース信号線駆動回路は、複数のソー
ス信号線を有し、 前記ゲート信号線駆動回路は、複数のゲート信号線を有し、 前記画
素部は、複数の画素がマトリクス状に配置された構造を有し、 前記複数の画素はそれぞ
れ、スイッチング用トランジスタと、ＥＬ駆動用トランジスタと、ＥＬ素子とを有し、
ｉ行目の画素において、前記スイッチング用トランジスタのゲート電極は、ｉ行目のゲー
ト信号線と電気的に接続され、 前記スイッチング用トランジスタの不純物領域のうち、
一方は前記ソース信号線と電気的に接続され、残る一方は前記ＥＬ駆動用トランジスタの
ゲート電極と電気的に接続され、 前記ＥＬ駆動用トランジスタの不純物領域のうち、一
方は複数の前記ゲート信号線のうち、ｉ行目に走査される前記ゲート信号線を除くいずれ
か１本と電気的に接続され、残る一方はＥＬ素子の一方の電極と電気的に接続されている
ことを特徴としている。
請求項５に記載の本発明の電子装置は、 ソース信号線駆動回路と、ゲート信号線駆動回
路と、画素部とを有する電子装置であって、 前記ソース信号線駆動回路は、複数のソー
ス信号線を有し、 前記ゲート信号線駆動回路は、複数のゲート信号線を有し、 前記画
素部は、複数の画素がマトリクス状に配置された構造を有し、 前記複数の画素はそれぞ
れ、スイッチング用トランジスタと、ＥＬ駆動用トランジスタと、ＥＬ素子とを有し、
ｉ行目の画素において、前記スイッチング用トランジスタのゲート電極は、ｉ行目のゲー
ト信号線と電気的に接続され、 前記スイッチング用トランジスタの不純物領域のうち、
一方は前記ソース信号線と電気的に接続され、残る一方は前記ＥＬ駆動用トランジスタの
ゲート電極と電気的に接続され、 前記ＥＬ駆動用トランジスタの不純物領域のうち、一
方はｉ−１行目に走査される前記ゲート信号線と電気的に接続され、残る一方はＥＬ素子
の一方の電極と電気的に接続されていることを特徴としている。
路と、画素部とを有する電子装置であって、 前記ソース信号線駆動回路は、複数のソー
ス信号線を有し、 前記ゲート信号線駆動回路は、複数のゲート信号線を有し、 前記画
素部は、複数の画素がマトリクス状に配置された構造を有し、 前記複数の画素はそれぞ
れ、スイッチング用トランジスタと、ＥＬ駆動用トランジスタと、ＥＬ素子とを有し、
ｉ行目の画素において、前記スイッチング用トランジスタのゲート電極は、ｉ行目のゲー
ト信号線と電気的に接続され、 前記スイッチング用トランジスタの不純物領域のうち、
一方は前記ソース信号線と電気的に接続され、残る一方は前記ＥＬ駆動用トランジスタの
ゲート電極と電気的に接続され、 前記ＥＬ駆動用トランジスタの不純物領域のうち、一
方はｉ−１行目に走査される前記ゲート信号線と電気的に接続され、残る一方はＥＬ素子
の一方の電極と電気的に接続されていることを特徴としている。
請求項６に記載の本発明の電子装置は、 ソース信号線駆動回路と、ゲート信号線駆動回
路と、画素部とを有する電子装置であって、 前記ソース信号線駆動回路は、複数のソー
ス信号線を有し、 前記ゲート信号線駆動回路は、複数のゲート信号線を有し、 前記画
素部は、複数の画素がマトリクス状に配置された構造を有し、 前記複数の画素はそれぞ
れ、スイッチング用トランジスタと、ＥＬ駆動用トランジスタと、ＥＬ素子とを有し、
ソース信号線より、スイッチング用トランジスタを介してＥＬ駆動用トランジスタに映像
信号が入力され、 複数の前記ゲート信号線のうち１本より、ＥＬ駆動用トランジスタを
介してＥＬ素子への電流供給が行われることを特徴としている。
路と、画素部とを有する電子装置であって、 前記ソース信号線駆動回路は、複数のソー
ス信号線を有し、 前記ゲート信号線駆動回路は、複数のゲート信号線を有し、 前記画
素部は、複数の画素がマトリクス状に配置された構造を有し、 前記複数の画素はそれぞ
れ、スイッチング用トランジスタと、ＥＬ駆動用トランジスタと、ＥＬ素子とを有し、
ソース信号線より、スイッチング用トランジスタを介してＥＬ駆動用トランジスタに映像
信号が入力され、 複数の前記ゲート信号線のうち１本より、ＥＬ駆動用トランジスタを
介してＥＬ素子への電流供給が行われることを特徴としている。
請求項７に記載の本発明の電子装置は、 ソース信号線駆動回路と、ゲート信号線駆動回
路と、画素部とを有する電子装置であって、 前記ソース信号線駆動回路は、複数のソー
ス信号線を有し、 前記ゲート信号線駆動回路は、複数のゲート信号線を有し、 前記画
素部は、複数の画素がマトリクス状に配置された構造を有し、 前記複数の画素はそれぞ
れ、スイッチング用トランジスタと、ＥＬ駆動用トランジスタと、ＥＬ素子とを有し、
ソース信号線より、ｉ行目に走査される前記ゲート信号線と電気的に接続されたスイッチ
ング用トランジスタを介してＥＬ駆動用トランジスタに映像信号が入力され、 複数の前
記ゲート信号線のうち、ｉ行目に走査される前記ゲート信号線を除く１本より、ＥＬ駆動
用トランジスタを介してＥＬ素子への電流供給が行われることを特徴としている。
路と、画素部とを有する電子装置であって、 前記ソース信号線駆動回路は、複数のソー
ス信号線を有し、 前記ゲート信号線駆動回路は、複数のゲート信号線を有し、 前記画
素部は、複数の画素がマトリクス状に配置された構造を有し、 前記複数の画素はそれぞ
れ、スイッチング用トランジスタと、ＥＬ駆動用トランジスタと、ＥＬ素子とを有し、
ソース信号線より、ｉ行目に走査される前記ゲート信号線と電気的に接続されたスイッチ
ング用トランジスタを介してＥＬ駆動用トランジスタに映像信号が入力され、 複数の前
記ゲート信号線のうち、ｉ行目に走査される前記ゲート信号線を除く１本より、ＥＬ駆動
用トランジスタを介してＥＬ素子への電流供給が行われることを特徴としている。
請求項８に記載の本発明の電子装置は、 ソース信号線駆動回路と、ゲート信号線駆動回
路と、画素部とを有する電子装置であって、 前記ソース信号線駆動回路は、複数のソー
ス信号線を有し、 前記ゲート信号線駆動回路は、複数のゲート信号線を有し、 前記画
素部は、複数の画素がマトリクス状に配置された構造を有し、 前記複数の画素はそれぞ
れ、スイッチング用トランジスタと、ＥＬ駆動用トランジスタと、ＥＬ素子とを有し、
ソース信号線より、ｉ行目に走査される前記ゲート信号線と電気的に接続されたスイッチ
ング用トランジスタを介してＥＬ駆動用トランジスタに映像信号が入力され、 ｉ−１行
目に走査される前記ゲート信号線より、ＥＬ駆動用トランジスタを介してＥＬ素子への電
流供給が行われることを特徴としている。
路と、画素部とを有する電子装置であって、 前記ソース信号線駆動回路は、複数のソー
ス信号線を有し、 前記ゲート信号線駆動回路は、複数のゲート信号線を有し、 前記画
素部は、複数の画素がマトリクス状に配置された構造を有し、 前記複数の画素はそれぞ
れ、スイッチング用トランジスタと、ＥＬ駆動用トランジスタと、ＥＬ素子とを有し、
ソース信号線より、ｉ行目に走査される前記ゲート信号線と電気的に接続されたスイッチ
ング用トランジスタを介してＥＬ駆動用トランジスタに映像信号が入力され、 ｉ−１行
目に走査される前記ゲート信号線より、ＥＬ駆動用トランジスタを介してＥＬ素子への電
流供給が行われることを特徴としている。
請求項９に記載の本発明の電子装置は、 請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の
電子装置において、 前記ＥＬ素子の発光方向が、駆動回路が形成されている基板に向か
う方向であるとき、前記ＥＬ素子と電気的に接続された前記ＥＬ駆動用トランジスタの極
性はＰチャネル型であり、 前記ＥＬ素子の発光方向が、駆動回路が形成されている基板
に向かう方向に対して逆の方向であるとき、前記ＥＬ素子と電気的に接続された前記ＥＬ
駆動用トランジスタの極性はＮチャネル型であることを特徴としている。
電子装置において、 前記ＥＬ素子の発光方向が、駆動回路が形成されている基板に向か
う方向であるとき、前記ＥＬ素子と電気的に接続された前記ＥＬ駆動用トランジスタの極
性はＰチャネル型であり、 前記ＥＬ素子の発光方向が、駆動回路が形成されている基板
に向かう方向に対して逆の方向であるとき、前記ＥＬ素子と電気的に接続された前記ＥＬ
駆動用トランジスタの極性はＮチャネル型であることを特徴としている。
請求項１０に記載の本発明の電子装置は、請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の
電子装置において、 ゲート信号線は、アルミニウムあるいはそれを主たる成分とした材
料を用いて形成されることを特徴としている。
電子装置において、 ゲート信号線は、アルミニウムあるいはそれを主たる成分とした材
料を用いて形成されることを特徴としている。
本発明の電子装置を用いることにより、電源供給線が必要なくなるため、従来の電子装置
に比べて、パネル作成プロセスにおけるマスク枚数や工程数の増加を伴うことなく、より
高い開口率を実現することが出来る。あるいは、従来通りの開口率であれば、その分、信
号線を太くすることが出来るため、抵抗率が下がり、クロストーク、輝度傾斜などを低減
することが出来、画質の向上を実現することが出来る。
に比べて、パネル作成プロセスにおけるマスク枚数や工程数の増加を伴うことなく、より
高い開口率を実現することが出来る。あるいは、従来通りの開口率であれば、その分、信
号線を太くすることが出来るため、抵抗率が下がり、クロストーク、輝度傾斜などを低減
することが出来、画質の向上を実現することが出来る。
本発明の内容について述べる。図１、図２を参照する。図２は通常の構成のＥＬ画素を、
図１は本発明の構成のＥＬ画素を示している。それぞれ、（Ａ）には画素の平面図、（Ｂ
）にはその回路図を示している。図２（Ｂ）中、２０１はスイッチング用ＴＦＴ、２０２
はＥＬ駆動用ＴＦＴ、２０３はＥＬ画素、２０４は保持容量、２０５はソース信号線、２
０６はゲート信号線、２０７は電流供給線、２０８は陰極電極、２０９はＥＬ画素の陽極
、２１０はＥＬ画素の陰極である。
図１（Ｂ）中、１０１はスイッチング用ＴＦＴ、１０２はＥＬ駆動用ＴＦＴ、１０３はＥ
Ｌ画素、１０４は保持容量、１０５はソース信号線、１０６はｉ行目に走査されるゲート
信号線、１０８は陰極配線、１０９はＥＬ画素の陽極、１１０はＥＬ画素の陰極、１１１
は隣り合う１行前の行のゲート信号線である。スイッチングＴＦＴ１０１，２０１は、前
述したように、ＥＬ素子の構造に応じて極性を決定すれば良い。
図１は本発明の構成のＥＬ画素を示している。それぞれ、（Ａ）には画素の平面図、（Ｂ
）にはその回路図を示している。図２（Ｂ）中、２０１はスイッチング用ＴＦＴ、２０２
はＥＬ駆動用ＴＦＴ、２０３はＥＬ画素、２０４は保持容量、２０５はソース信号線、２
０６はゲート信号線、２０７は電流供給線、２０８は陰極電極、２０９はＥＬ画素の陽極
、２１０はＥＬ画素の陰極である。
図１（Ｂ）中、１０１はスイッチング用ＴＦＴ、１０２はＥＬ駆動用ＴＦＴ、１０３はＥ
Ｌ画素、１０４は保持容量、１０５はソース信号線、１０６はｉ行目に走査されるゲート
信号線、１０８は陰極配線、１０９はＥＬ画素の陽極、１１０はＥＬ画素の陰極、１１１
は隣り合う１行前の行のゲート信号線である。スイッチングＴＦＴ１０１，２０１は、前
述したように、ＥＬ素子の構造に応じて極性を決定すれば良い。
また、図１、図２におけるスイッチング用ＴＦＴは、ダブルゲート構造をとっているが、
シングルゲート構造でも良いし、トリプルゲート構造やそれ以上のゲート本数を持つマル
チゲート構造をとっていても良い。
シングルゲート構造でも良いし、トリプルゲート構造やそれ以上のゲート本数を持つマル
チゲート構造をとっていても良い。
なお、ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域のうちいずれか一方に電気的に接
続されているゲート信号線は、必ずしも隣り合う１行前の行のゲート信号線である必要は
ない。
続されているゲート信号線は、必ずしも隣り合う１行前の行のゲート信号線である必要は
ない。
従来の画素構成では、図２に示すように、専用の電流供給線２０７を配置し、ＥＬ駆動用
ＴＦＴ２０２のソース電極や保持容量２０４の電極を電流供給線２０７に接続していた。
対して本発明では、図１に示すように、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０２のソース電極や保持容量
１０４の電極は、別の行のゲート信号線１１１に接続する。この場合、配置の関係と各部
の電圧の関係とにより、１行前に走査されるゲート信号線に接続するのが望ましい。
ＴＦＴ２０２のソース電極や保持容量２０４の電極を電流供給線２０７に接続していた。
対して本発明では、図１に示すように、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０２のソース電極や保持容量
１０４の電極は、別の行のゲート信号線１１１に接続する。この場合、配置の関係と各部
の電圧の関係とにより、１行前に走査されるゲート信号線に接続するのが望ましい。
図１（Ｂ）に示した画素１個分の回路を、３行２列に画素を並べた場合の回路図を図３に
示す。なお、図３中の画素は図１（Ｂ）にて示したものと同様であるので、番号は図１（
Ｂ）に付したものを継承する。図３では、ｉ行目のゲート信号線１０６によって制御され
る画素部を、Ａで示される点線枠で囲っている。ただし図では２列分のみ表示しているが
、列方向にはパネルの水平方向の画素数分続くものである。ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０２のソ
ース領域や保持容量１０４の電極は、ｉ−１行目の行のゲート信号線１１１に接続してい
る。ゲート信号線は、図において向かって上の行から順に下方向に走査されていくので、
１行前のゲート信号線に接続していることになる。
示す。なお、図３中の画素は図１（Ｂ）にて示したものと同様であるので、番号は図１（
Ｂ）に付したものを継承する。図３では、ｉ行目のゲート信号線１０６によって制御され
る画素部を、Ａで示される点線枠で囲っている。ただし図では２列分のみ表示しているが
、列方向にはパネルの水平方向の画素数分続くものである。ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０２のソ
ース領域や保持容量１０４の電極は、ｉ−１行目の行のゲート信号線１１１に接続してい
る。ゲート信号線は、図において向かって上の行から順に下方向に走査されていくので、
１行前のゲート信号線に接続していることになる。
本発明の着眼点は、現在選択している行に信号を書き込んでいるとき、既に１行前のゲ
ート信号線は非選択状態に戻っているということである。そして、再び選択されるように
なるまでの間は、電位は一定（非選択状態）に保たれる。そこで、１行前のゲート信号線
を定電位線、つまり、電流供給線として取り扱う点に特徴がある。つまり、ゲート信号線
と電流供給線とを共用するようにする。その結果、配線数を減らすことが出来、開口率を
向上させることが出来る。
ート信号線は非選択状態に戻っているということである。そして、再び選択されるように
なるまでの間は、電位は一定（非選択状態）に保たれる。そこで、１行前のゲート信号線
を定電位線、つまり、電流供給線として取り扱う点に特徴がある。つまり、ゲート信号線
と電流供給線とを共用するようにする。その結果、配線数を減らすことが出来、開口率を
向上させることが出来る。
次に、図１に示した本発明の電子装置を駆動するための基本的な信号パターンを図４に
示す。ここでは、各部の電位は、スイッチング用ＴＦＴ、ＥＬ駆動用ＴＦＴの極性がとも
にｐチャネル型である場合を例として示している。図４では、同じ列の画素（ある１本の
ソース信号線に接続されている画素）におけるｉ−１行目からｉ＋２行目までの４行分の
各配線での信号パターンを示している。そして、説明のため、時間を期間Ａから期間Ｆま
でに分割して示している。図４に示されているのは、ｉ−１行目からｉ＋２行目までの、
ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０２のゲート電位、ソース信号線１０５の電位、ゲート信号線１０６
の電位、陰極配線１０８の電位、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０２のゲート・ソース間電圧ＶGSで
ある。
示す。ここでは、各部の電位は、スイッチング用ＴＦＴ、ＥＬ駆動用ＴＦＴの極性がとも
にｐチャネル型である場合を例として示している。図４では、同じ列の画素（ある１本の
ソース信号線に接続されている画素）におけるｉ−１行目からｉ＋２行目までの４行分の
各配線での信号パターンを示している。そして、説明のため、時間を期間Ａから期間Ｆま
でに分割して示している。図４に示されているのは、ｉ−１行目からｉ＋２行目までの、
ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０２のゲート電位、ソース信号線１０５の電位、ゲート信号線１０６
の電位、陰極配線１０８の電位、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０２のゲート・ソース間電圧ＶGSで
ある。
まず、各行において、ゲート信号線が選択されて、次の行へシフトしていく。
スイッチング用ＴＦＴは、ｐチャネル型であるので、ゲート信号線の電位がスイッチング
用ＴＦＴのソース領域の電位よりも十分に低い（つまりスイッチング用ＴＦＴのゲート・
ソース間電圧の絶対値がしきい値電圧を上回る）ときに、スイッチング用ＴＦＴは導通状
態となる。その時のゲート信号線の電位は、ソース信号線の電圧が画素に書き込まれるよ
うにするため、ソース信号線での最も低い電位よりも十分低くしておく必要がある。まず
、ｉ−１行目では、期間Ｂにおいて、ゲート信号線が選択される。ｉ行目では、期間Ｃに
おいて選択され、ｉ＋１行目では、期間Ｄにおいて選択され、ｉ＋２行目では、期間Ｅに
おいて選択される。このように、各行において、ゲート信号線が選択されて、次の行へシ
フトしていく。
スイッチング用ＴＦＴは、ｐチャネル型であるので、ゲート信号線の電位がスイッチング
用ＴＦＴのソース領域の電位よりも十分に低い（つまりスイッチング用ＴＦＴのゲート・
ソース間電圧の絶対値がしきい値電圧を上回る）ときに、スイッチング用ＴＦＴは導通状
態となる。その時のゲート信号線の電位は、ソース信号線の電圧が画素に書き込まれるよ
うにするため、ソース信号線での最も低い電位よりも十分低くしておく必要がある。まず
、ｉ−１行目では、期間Ｂにおいて、ゲート信号線が選択される。ｉ行目では、期間Ｃに
おいて選択され、ｉ＋１行目では、期間Ｄにおいて選択され、ｉ＋２行目では、期間Ｅに
おいて選択される。このように、各行において、ゲート信号線が選択されて、次の行へシ
フトしていく。
次に、ソース信号線の電位について述べる。ここでは、ある１列のソース信号線に、各
行の画素が接続している。よって、ｉ−１行目からｉ＋２行目までにおいて、ソース信号
線の電位は同一である。ここでは、期間Ａと期間Ｄとにおいて、期間の終了時におけるソ
ース信号線の電位はＨｉ信号の状態にあり、期間Ｂ、期間Ｃ、期間Ｅ、期間Ｆにおいて、
期間の終了時におけるソース信号線の電位はＬＯ信号の状態にあるとする。実際のソース
信号線の電位は、表示パターンによって、様々な値を取る。
行の画素が接続している。よって、ｉ−１行目からｉ＋２行目までにおいて、ソース信号
線の電位は同一である。ここでは、期間Ａと期間Ｄとにおいて、期間の終了時におけるソ
ース信号線の電位はＨｉ信号の状態にあり、期間Ｂ、期間Ｃ、期間Ｅ、期間Ｆにおいて、
期間の終了時におけるソース信号線の電位はＬＯ信号の状態にあるとする。実際のソース
信号線の電位は、表示パターンによって、様々な値を取る。
次に、各画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極での電位について述べる。まず、ｉ行目
について考える。期間Ａ以前の期間においては、ｉ行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲー
ト電極の電位は、高い状態にあるとする。そして期間Ｂにおいては、ｉ行目の画素のＥＬ
駆動用ＴＦＴのゲート電極での電位は下がる。これは、ｉ行目の保持容量の片方の電極が
ｉ−１行目のゲート信号線に接続されており、そのｉ−１行目のゲート信号線が選択され
、ｉ−１行目のゲート信号線の電圧が低くなることが原因である。つまり、保持容量には
、すでに蓄積されている電荷があり、保持容量の両端には、その電荷に応じた電圧がかか
っている。その状態において、保持容量の片方の電極、つまり、ｉ−１行目のゲート信号
線の電圧を下げる。すると、ｉ行目のスイッチング用ＴＦＴが非導通状態にあるため、ｉ
行目の画素の保持容量の電荷、つまり、保持容量の両端の電圧はそのまま保持され、保持
容量のもう一方の電極、つまり、ｉ行目のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極の電位も同程度
だけ下がる。よって、保持容量の両端の電圧、つまり、ｉ行目のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲー
ト・ソース間電圧は、ｉ−１行目のゲート信号線の電位が変わっても、変化しない。
について考える。期間Ａ以前の期間においては、ｉ行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲー
ト電極の電位は、高い状態にあるとする。そして期間Ｂにおいては、ｉ行目の画素のＥＬ
駆動用ＴＦＴのゲート電極での電位は下がる。これは、ｉ行目の保持容量の片方の電極が
ｉ−１行目のゲート信号線に接続されており、そのｉ−１行目のゲート信号線が選択され
、ｉ−１行目のゲート信号線の電圧が低くなることが原因である。つまり、保持容量には
、すでに蓄積されている電荷があり、保持容量の両端には、その電荷に応じた電圧がかか
っている。その状態において、保持容量の片方の電極、つまり、ｉ−１行目のゲート信号
線の電圧を下げる。すると、ｉ行目のスイッチング用ＴＦＴが非導通状態にあるため、ｉ
行目の画素の保持容量の電荷、つまり、保持容量の両端の電圧はそのまま保持され、保持
容量のもう一方の電極、つまり、ｉ行目のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極の電位も同程度
だけ下がる。よって、保持容量の両端の電圧、つまり、ｉ行目のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲー
ト・ソース間電圧は、ｉ−１行目のゲート信号線の電位が変わっても、変化しない。
この場合、期間Ａでは、ｉ行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート・ソース間電圧の絶対
値は小さいので、ＥＬ素子には、電流が流れず、非発光状態にあった。
従って、期間Ｂにおいても、ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極の電位は下がったが、同時に
、ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース電極の電位も下がるため、ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート・ソー
ス間電圧は、期間Ａと期間Ｂとでは、同じである。よって、期間Ｂにおいては、ｉ行目の
画素のＥＬ素子には、電流は流れない。また、たとえ、ＥＬ駆動用ＴＦＴが導通状態にあ
ったとしても、期間Ｂでは、ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース電極の電位は下がり、ＥＬ素子の
陰極配線の電位よりも低くなることが想定されるため、ＥＬ素子には、順バイアスの電圧
はかからなくなるため、電流は流れなくなる。そして、期間Ｂの最後において、ｉ−１行
目のゲート信号線の電圧が元に戻る。その結果、ｉ行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲー
ト電極の電位も元に戻る。
値は小さいので、ＥＬ素子には、電流が流れず、非発光状態にあった。
従って、期間Ｂにおいても、ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極の電位は下がったが、同時に
、ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース電極の電位も下がるため、ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート・ソー
ス間電圧は、期間Ａと期間Ｂとでは、同じである。よって、期間Ｂにおいては、ｉ行目の
画素のＥＬ素子には、電流は流れない。また、たとえ、ＥＬ駆動用ＴＦＴが導通状態にあ
ったとしても、期間Ｂでは、ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース電極の電位は下がり、ＥＬ素子の
陰極配線の電位よりも低くなることが想定されるため、ＥＬ素子には、順バイアスの電圧
はかからなくなるため、電流は流れなくなる。そして、期間Ｂの最後において、ｉ−１行
目のゲート信号線の電圧が元に戻る。その結果、ｉ行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲー
ト電極の電位も元に戻る。
次に、期間Ｃに移る。期間Ｃでは、ｉ行目のゲート信号線が選択される。よって、ｉ行
目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極の電位は、ソース信号線の電位と同じになる。
期間Ｃでは、ソース信号線は、ＬＯ信号の状態にあるとしている。よって、ｉ行目の画素
のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極の電位も、ソース信号線と同電位となり、低くなる。そ
の時、保持容量の片方の電極、つまり、ｉ−１行目のゲート信号線の電位は、すでに高い
状態に戻っている。よって、保持容量には、ｉ−１行目のゲート信号線とｉ行目の画素の
ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極との間の電圧が加わることになり、ｉ行目の画素のＥＬ駆
動用ＴＦＴのゲート・ソース間電圧の絶対値は大きくなる。従って、ｉ行目の画素のＥＬ
駆動用ＴＦＴは導通状態になる。また、ｉ−１行目のゲート信号線の電位、つまり、ｉ行
目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのソース電極の電位は、すでに高い状態に戻っているので、
ｉ行目のＥＬ素子の陽極の電位は、陰極配線の電位よりも高い。その結果、ｉ行目のＥＬ
素子に電流が流れ、発光する。ｉ行目のＥＬ素子を流れる電流は、ｉ−１行目のゲート信
号線を通して供給される。よって、各行のゲート信号線の配線抵抗は、十分低くしておく
必要がある。
目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極の電位は、ソース信号線の電位と同じになる。
期間Ｃでは、ソース信号線は、ＬＯ信号の状態にあるとしている。よって、ｉ行目の画素
のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極の電位も、ソース信号線と同電位となり、低くなる。そ
の時、保持容量の片方の電極、つまり、ｉ−１行目のゲート信号線の電位は、すでに高い
状態に戻っている。よって、保持容量には、ｉ−１行目のゲート信号線とｉ行目の画素の
ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極との間の電圧が加わることになり、ｉ行目の画素のＥＬ駆
動用ＴＦＴのゲート・ソース間電圧の絶対値は大きくなる。従って、ｉ行目の画素のＥＬ
駆動用ＴＦＴは導通状態になる。また、ｉ−１行目のゲート信号線の電位、つまり、ｉ行
目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのソース電極の電位は、すでに高い状態に戻っているので、
ｉ行目のＥＬ素子の陽極の電位は、陰極配線の電位よりも高い。その結果、ｉ行目のＥＬ
素子に電流が流れ、発光する。ｉ行目のＥＬ素子を流れる電流は、ｉ−１行目のゲート信
号線を通して供給される。よって、各行のゲート信号線の配線抵抗は、十分低くしておく
必要がある。
次に、期間Ｄへ移る。期間Ｄでは、ｉ行目のゲート信号線の電圧が元に戻り、ｉ行目の
スイッチング用ＴＦＴは非導通状態になる。そして、ｉ行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴの
ゲート電極の電位は、そのまま保持される。この時、ｉ−１行目のゲート信号線の電位、
つまり、ｉ行目の画素の保持容量の電極とＥＬ駆動用ＴＦＴのソース電極の電位もそのま
ま変わらない。よって、以後、ｉ行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴは導通状態になり、ｉ行
目のＥＬ素子に電流が流れ続ける。
スイッチング用ＴＦＴは非導通状態になる。そして、ｉ行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴの
ゲート電極の電位は、そのまま保持される。この時、ｉ−１行目のゲート信号線の電位、
つまり、ｉ行目の画素の保持容量の電極とＥＬ駆動用ＴＦＴのソース電極の電位もそのま
ま変わらない。よって、以後、ｉ行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴは導通状態になり、ｉ行
目のＥＬ素子に電流が流れ続ける。
同様にして、ｉ＋１行目について考える。期間Ｂ以前の期間においては、ｉ＋１行目の
画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極の電位は、高い状態にあるとする。そして期間Ｃに
おいては、ｉ＋１行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極での電位は下がる。これは
、ｉ＋１行目の保持容量の片方の電極がｉ行目のゲート信号線に接続されており、そのｉ
行目のゲート信号線が選択され、ｉ行目のゲート信号線の電圧が低くなることが原因であ
る。そして、期間Ｃの最後において、ｉ行目のゲート信号線の電圧が元に戻り、ｉ＋１行
目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極の電位も元に戻る。
画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極の電位は、高い状態にあるとする。そして期間Ｃに
おいては、ｉ＋１行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極での電位は下がる。これは
、ｉ＋１行目の保持容量の片方の電極がｉ行目のゲート信号線に接続されており、そのｉ
行目のゲート信号線が選択され、ｉ行目のゲート信号線の電圧が低くなることが原因であ
る。そして、期間Ｃの最後において、ｉ行目のゲート信号線の電圧が元に戻り、ｉ＋１行
目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極の電位も元に戻る。
次に、期間Ｄに移る。期間Ｄでは、ｉ＋１行目のゲート信号線が選択される。
よって、ｉ＋１行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極の電位は、ソース信号線の電
位と同じになる。期間Ｄでは、ソース信号線は、Ｈ信号の状態にあるとしている。よって
、ｉ＋１行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極の電位も、ソース信号線と同電位と
なり、高くなる。その時、保持容量の片方の電極、つまり、ｉ行目のゲート信号線の電位
は、すでに高い状態に戻っている。よって、保持容量には、ｉ行目のゲート信号線とｉ＋
１行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極との間の電圧が加わることになり、ＥＬ駆
動用ＴＦＴのゲート・ソース間電圧の絶対値は小さくなる。従って、ｉ＋１行目の画素の
ＥＬ駆動用ＴＦＴは非導通状態になり、ｉ＋１行目のＥＬ素子に電流が流れず、発光しな
い。
よって、ｉ＋１行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極の電位は、ソース信号線の電
位と同じになる。期間Ｄでは、ソース信号線は、Ｈ信号の状態にあるとしている。よって
、ｉ＋１行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極の電位も、ソース信号線と同電位と
なり、高くなる。その時、保持容量の片方の電極、つまり、ｉ行目のゲート信号線の電位
は、すでに高い状態に戻っている。よって、保持容量には、ｉ行目のゲート信号線とｉ＋
１行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極との間の電圧が加わることになり、ＥＬ駆
動用ＴＦＴのゲート・ソース間電圧の絶対値は小さくなる。従って、ｉ＋１行目の画素の
ＥＬ駆動用ＴＦＴは非導通状態になり、ｉ＋１行目のＥＬ素子に電流が流れず、発光しな
い。
次に、期間Ｅへ移る。期間Ｅでは、ｉ＋１行目のゲート信号線の電圧が元に戻り、ｉ＋
１行目のスイッチング用ＴＦＴは非選択状態になる。ｉ＋１行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦ
Ｔのゲート電極の電位はそのまま保持される。ｉ行目のゲート信号線の電位、つまり、ｉ
＋１行目の画素の保持容量の電極とＥＬ駆動用ＴＦＴのソース電極の電位もそのまま変わ
らない。よって、以後、ｉ＋１行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴは非導通状態になり、ｉ＋
１行目のＥＬ素子に電流が流れない状態が続く。
１行目のスイッチング用ＴＦＴは非選択状態になる。ｉ＋１行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦ
Ｔのゲート電極の電位はそのまま保持される。ｉ行目のゲート信号線の電位、つまり、ｉ
＋１行目の画素の保持容量の電極とＥＬ駆動用ＴＦＴのソース電極の電位もそのまま変わ
らない。よって、以後、ｉ＋１行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴは非導通状態になり、ｉ＋
１行目のＥＬ素子に電流が流れない状態が続く。
同様にして、ｉ＋２行目について考える。期間Ｃ以前の期間においては、ｉ＋２行目の
画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極の電位は、低い状態にあるとする。そして期間Ｄに
おいては、ｉ＋２行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極での電位は下がる。これは
、ｉ＋２行目の保持容量の片方の電極がｉ＋１行目のゲート信号線に接続されており、そ
のｉ＋１行目のゲート信号線が選択され、ｉ＋１行目のゲート信号線の電圧が低くなるこ
とが原因である。期間Ｃ以前の期間では、ｉ＋２行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート
・ソース間電圧の絶対値は大きいので、ｉ＋２行目の画素のＥＬ素子には、電流が流れ、
発光状態にあった。期間Ｄにおいては、ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極の電位は下がった
が、同時に、ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース電極の電位も下がるため、ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲ
ート・ソース間電圧は、期間Ｃ以前の期間と期間Ｄとでは、同じである。ただし、ＥＬ駆
動用ＴＦＴが導通状態にあったとしても、期間Ｄでは、ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース電極の
電位は下がり、ＥＬ素子の陰極配線の電位よりも低くなるため、ＥＬ素子には、電流は流
れなくなる。そして、期間Ｄの最後において、ｉ＋１行目のゲート信号線の電圧が元に戻
る。その結果、ｉ＋２行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極の電位も元に戻る。
画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極の電位は、低い状態にあるとする。そして期間Ｄに
おいては、ｉ＋２行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極での電位は下がる。これは
、ｉ＋２行目の保持容量の片方の電極がｉ＋１行目のゲート信号線に接続されており、そ
のｉ＋１行目のゲート信号線が選択され、ｉ＋１行目のゲート信号線の電圧が低くなるこ
とが原因である。期間Ｃ以前の期間では、ｉ＋２行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート
・ソース間電圧の絶対値は大きいので、ｉ＋２行目の画素のＥＬ素子には、電流が流れ、
発光状態にあった。期間Ｄにおいては、ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極の電位は下がった
が、同時に、ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース電極の電位も下がるため、ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲ
ート・ソース間電圧は、期間Ｃ以前の期間と期間Ｄとでは、同じである。ただし、ＥＬ駆
動用ＴＦＴが導通状態にあったとしても、期間Ｄでは、ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース電極の
電位は下がり、ＥＬ素子の陰極配線の電位よりも低くなるため、ＥＬ素子には、電流は流
れなくなる。そして、期間Ｄの最後において、ｉ＋１行目のゲート信号線の電圧が元に戻
る。その結果、ｉ＋２行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極の電位も元に戻る。
次に、期間Ｅに移る。期間Ｅでは、ｉ＋２行目のゲート信号線が選択される。
よって、ｉ＋２行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極の電位は、ソース信号線の電
位と同じになる。期間Ｅでは、ソース信号線は、Ｌ信号の状態にあるとしている。よって
、ｉ＋２行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極の電位も、ソース信号線と同電位と
なり、低くなる。その時、保持容量の片方の電極、つまり、ｉ＋１行目のゲート信号線の
電位は、すでに高い状態に戻っている。よって、保持容量には、ｉ＋１行目のゲート信号
線とｉ＋２行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極との間の電圧が加わることになり
、ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート・ソース間電圧の絶対値は大きくなる。従って、ｉ＋２行目
の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴは導通状態になり、ｉ＋２行目のＥＬ素子に電流が流れ、発光
する。ｉ＋２行目のＥＬ素子を流れる電流は、ｉ＋１行目のゲート信号線を通して供給さ
れる。
よって、ｉ＋２行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極の電位は、ソース信号線の電
位と同じになる。期間Ｅでは、ソース信号線は、Ｌ信号の状態にあるとしている。よって
、ｉ＋２行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極の電位も、ソース信号線と同電位と
なり、低くなる。その時、保持容量の片方の電極、つまり、ｉ＋１行目のゲート信号線の
電位は、すでに高い状態に戻っている。よって、保持容量には、ｉ＋１行目のゲート信号
線とｉ＋２行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極との間の電圧が加わることになり
、ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート・ソース間電圧の絶対値は大きくなる。従って、ｉ＋２行目
の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴは導通状態になり、ｉ＋２行目のＥＬ素子に電流が流れ、発光
する。ｉ＋２行目のＥＬ素子を流れる電流は、ｉ＋１行目のゲート信号線を通して供給さ
れる。
次に、期間Ｆへ移る。期間Ｆでは、ｉ＋２行目のゲート信号線の電圧が元に戻り、ｉ＋
２行目のスイッチング用ＴＦＴは非導通状態になる。ｉ＋２行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦ
Ｔのゲート電極の電位はそのまま保持される。ｉ＋１行目のゲート信号線の電位、つまり
、ｉ＋２行目の画素の保持容量の電極とＥＬ駆動用ＴＦＴのソース電極の電位もそのまま
変わらない。よって、以後、ｉ＋２行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴは導通状態になり、ｉ
＋２行目のＥＬ素子に電流が流れ続ける。
２行目のスイッチング用ＴＦＴは非導通状態になる。ｉ＋２行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦ
Ｔのゲート電極の電位はそのまま保持される。ｉ＋１行目のゲート信号線の電位、つまり
、ｉ＋２行目の画素の保持容量の電極とＥＬ駆動用ＴＦＴのソース電極の電位もそのまま
変わらない。よって、以後、ｉ＋２行目の画素のＥＬ駆動用ＴＦＴは導通状態になり、ｉ
＋２行目のＥＬ素子に電流が流れ続ける。
以上のような動作を繰り返していけば、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０２のソース電極や保持容
量１０４の電極を別の行のゲート信号線に接続することにより、ゲート信号線を通してＥ
Ｌ素子に電流を供給させて、動作させることが出来る。
量１０４の電極を別の行のゲート信号線に接続することにより、ゲート信号線を通してＥ
Ｌ素子に電流を供給させて、動作させることが出来る。
次に、ＴＦＴの極性について述べる。
ＥＬ駆動用ＴＦＴの場合は、従来通りで良い。つまり、ｎチャネル型でもｐチャネル型
でも良い。ただし、トランジスタの動作としてソース接地が良いこと、ＥＬ素子の製造上
の制約などを考えると、ｐチャネル型の方が望ましい。
でも良い。ただし、トランジスタの動作としてソース接地が良いこと、ＥＬ素子の製造上
の制約などを考えると、ｐチャネル型の方が望ましい。
スイッチング用ＴＦＴについては、ゲート信号線の電位によって、設定する必要がある
。つまり、ゲート信号線とＥＬ素子の陽極電極とをＥＬ駆動用ＴＦＴを介して接続する場
合においては、ＥＬ素子に電流を流すためには、ゲート信号線の電位は、陰極配線よりも
高くする必要がある。よって、スイッチング用ＴＦＴにおいて、非導通状態においてゲー
ト信号線を高い電位にしておくためには、ｐチャネル型を用いる必要がある。一方、もし
仮に、ゲート信号線とＥＬ素子の陰極電極とをＥＬ駆動用ＴＦＴを介して接続する場合に
おいては、スイッチング用ＴＦＴは、ｎチャネル型を用いる必要がある。
。つまり、ゲート信号線とＥＬ素子の陽極電極とをＥＬ駆動用ＴＦＴを介して接続する場
合においては、ＥＬ素子に電流を流すためには、ゲート信号線の電位は、陰極配線よりも
高くする必要がある。よって、スイッチング用ＴＦＴにおいて、非導通状態においてゲー
ト信号線を高い電位にしておくためには、ｐチャネル型を用いる必要がある。一方、もし
仮に、ゲート信号線とＥＬ素子の陰極電極とをＥＬ駆動用ＴＦＴを介して接続する場合に
おいては、スイッチング用ＴＦＴは、ｎチャネル型を用いる必要がある。
なお、本発明は、アナログ階調方式、デジタル階調方式のどちらでも適応可能である。
以下に本発明の実施例について記述する。
図５（Ａ）に、電子装置全体の回路構成例を示す。中央に画素部が配置されている。１
画素分の回路図は、図５（Ａ）において、点線枠５００で囲んだ部分である。図５（Ｂ）
に回路図を示す。図５（Ｂ）内に付した番号は図１（Ｂ）のものと同一である。左側には
、ゲート信号線１０６、１１１を制御するための、ゲート信号線側駆動回路が配置されて
いる。図示していないが、ゲート信号線側駆動回路は、画素部の左右両側に対称に配置す
るとより効果的に駆動できる。上側には、ソース信号線１０５を制御するため、ソース信
号線側駆動回路が配置されている。
画素分の回路図は、図５（Ａ）において、点線枠５００で囲んだ部分である。図５（Ｂ）
に回路図を示す。図５（Ｂ）内に付した番号は図１（Ｂ）のものと同一である。左側には
、ゲート信号線１０６、１１１を制御するための、ゲート信号線側駆動回路が配置されて
いる。図示していないが、ゲート信号線側駆動回路は、画素部の左右両側に対称に配置す
るとより効果的に駆動できる。上側には、ソース信号線１０５を制御するため、ソース信
号線側駆動回路が配置されている。
ソース信号線１０５に入力する信号は、デジタル量でもアナログ量でも構わない。つま
り、本発明は、デジタル階調の場合であっても、アナログ階調の場合であっても、適用す
る事が出来る。
り、本発明は、デジタル階調の場合であっても、アナログ階調の場合であっても、適用す
る事が出来る。
次に、デジタル階調と時間階調を組み合わせて、kビット（２k）の階調を表現させた場
合について述べる。簡単のため、３ビット（２3＝８）の階調を表現することにする。図
６、図７に、各行のゲート信号線の電位を示したタイミングチャートを示す。画素を構成
するＴＦＴの極性には、スイッチング用ＴＦＴ、ＥＬ駆動用ＴＦＴともにｐチャネル型を
用いる場合を例とした。
合について述べる。簡単のため、３ビット（２3＝８）の階調を表現することにする。図
６、図７に、各行のゲート信号線の電位を示したタイミングチャートを示す。画素を構成
するＴＦＴの極性には、スイッチング用ＴＦＴ、ＥＬ駆動用ＴＦＴともにｐチャネル型を
用いる場合を例とした。
タイミングチャートの構成としては、まず、１フレーム期間を３個のサブフレーム期間
、ＳＦ1〜ＳＦ3に分割する。各サブフレーム期間の中には、アドレス（書き込み）期間Ｔ
ａ1〜Ｔａ3やサステイン（点灯）期間Ｔｓ1〜Ｔｓ3がある。Ｔｓ1〜Ｔｓ3の長さは、２の
べき乗で変わるようにする。つまり、Ｔｓ1：Ｔｓ2：Ｔｓ3=４：２：１とする。
、ＳＦ1〜ＳＦ3に分割する。各サブフレーム期間の中には、アドレス（書き込み）期間Ｔ
ａ1〜Ｔａ3やサステイン（点灯）期間Ｔｓ1〜Ｔｓ3がある。Ｔｓ1〜Ｔｓ3の長さは、２の
べき乗で変わるようにする。つまり、Ｔｓ1：Ｔｓ2：Ｔｓ3=４：２：１とする。
まず、１行づつ、画素に信号を入力していく。この場合、ゲート信号線１０６を選択し
て、ソース信号線１０５を通って、画素に信号を入力していく。そして、この動作を、ゲ
ート信号線第１行目から最終行目まで行う。
て、ソース信号線１０５を通って、画素に信号を入力していく。そして、この動作を、ゲ
ート信号線第１行目から最終行目まで行う。
ここで、アドレス期間は、１行目のゲート信号線が選択されてから、最終行目のゲート
信号線が選択される時までの期間である。よって、アドレス期間の長さは、どのサブフレ
ーム期間中においても、同一である。
信号線が選択される時までの期間である。よって、アドレス期間の長さは、どのサブフレ
ーム期間中においても、同一である。
次に、ＳＦ2に移る。ここでも同様に、ゲート信号線１０６を選択して、ソース信号線
１０５を通って、画素に信号を入力していく。そして、この動作を、ゲート信号線第１行
目から最終行目まで行う。
１０５を通って、画素に信号を入力していく。そして、この動作を、ゲート信号線第１行
目から最終行目まで行う。
この間、陰極配線１０８における電位は、一定である。よって、各画素のサステイン期
間は、ある１つのサブフレーム期間で画素に信号が書き込まれた時から、次のサブフレー
ム期間で画素に信号が書き込まれる時までの期間となる。従って、あるサブフレーム期間
においては、各行によって、サステイン期間のタイミングは異なるが、その長さは全て同
じである。
間は、ある１つのサブフレーム期間で画素に信号が書き込まれた時から、次のサブフレー
ム期間で画素に信号が書き込まれる時までの期間となる。従って、あるサブフレーム期間
においては、各行によって、サステイン期間のタイミングは異なるが、その長さは全て同
じである。
次に、ＳＦ3に移る。ここでも同様に、ゲート信号線１０６を選択して、ソース信号線
１０５を通って、画素に信号を入力していく。ＳＦ3では、アドレス期間Ｔａ3は、サステ
イン期間Ｔｓ3よりも長い。よって、Ｔｓ3の期間が終了して、すぐに次のフレーム期間の
サブフレームＳＦ1でのアドレス期間Ｔａ1に入ると、異なる２行のゲート信号線を同時に
選択することになるため、正常に２行分の信号を同時に入力することは出来ない。そこで
、Ｔｓ3の期間が終了した後、１行目から順に、１行前のゲート信号線の電位を上げてい
くようにする。つまり、１行前のゲート信号線を選択状態にする。すると、１行目の画素
から順に、ＥＬ素子に電圧が印加されなくなっていき、ＥＬ素子が点灯しなくなっていく
。ただしこの時は、複数行のゲート信号線が同時に選択されるので、無関係な行にも信号
が入力されていく。しかし実際は、無関係な行では、ＥＬ素子に電圧が印加されなくなっ
ており、ＥＬ素子は点灯しなくなっていくので、考えなくても良い。
そして、アドレス期間Ｔａ3が終了し、次のアドレス期間Ｔａ1が開始すると、通常の動作
に戻していく。これにより、サステイン期間Ｔｓ3の長さを制御することが出来る。この
ように、一つ前の行のゲート信号線の電位を上げておき、非表示期間を設ける期間を、ク
リア期間（Ｔｃn ｎ：サブフレーム期間に付された番号）と呼ぶことにする。
１０５を通って、画素に信号を入力していく。ＳＦ3では、アドレス期間Ｔａ3は、サステ
イン期間Ｔｓ3よりも長い。よって、Ｔｓ3の期間が終了して、すぐに次のフレーム期間の
サブフレームＳＦ1でのアドレス期間Ｔａ1に入ると、異なる２行のゲート信号線を同時に
選択することになるため、正常に２行分の信号を同時に入力することは出来ない。そこで
、Ｔｓ3の期間が終了した後、１行目から順に、１行前のゲート信号線の電位を上げてい
くようにする。つまり、１行前のゲート信号線を選択状態にする。すると、１行目の画素
から順に、ＥＬ素子に電圧が印加されなくなっていき、ＥＬ素子が点灯しなくなっていく
。ただしこの時は、複数行のゲート信号線が同時に選択されるので、無関係な行にも信号
が入力されていく。しかし実際は、無関係な行では、ＥＬ素子に電圧が印加されなくなっ
ており、ＥＬ素子は点灯しなくなっていくので、考えなくても良い。
そして、アドレス期間Ｔａ3が終了し、次のアドレス期間Ｔａ1が開始すると、通常の動作
に戻していく。これにより、サステイン期間Ｔｓ3の長さを制御することが出来る。この
ように、一つ前の行のゲート信号線の電位を上げておき、非表示期間を設ける期間を、ク
リア期間（Ｔｃn ｎ：サブフレーム期間に付された番号）と呼ぶことにする。
このように、サステイン期間がアドレス期間よりも短い場合、サステインが終了してか
ら、アドレス期間が終了する、あるいは、次のアドレス期間が開始するまでの期間をクリ
ア期間に設定する。これにより、サステイン期間がアドレス期間よりも短くても、サステ
イン期間の長さを自由に設定することが出来る。
ら、アドレス期間が終了する、あるいは、次のアドレス期間が開始するまでの期間をクリ
ア期間に設定する。これにより、サステイン期間がアドレス期間よりも短くても、サステ
イン期間の長さを自由に設定することが出来る。
本実施例においては、実施例１で説明した電子装置の作成方法例として、画素部の周辺
に設けられる駆動回路（ソース信号線側駆動回路、ゲート信号線側駆動回路等）のＴＦＴ
と、画素部のスイッチングＴＦＴおよびＥＬ駆動用ＴＦＴとを同一基板上に作成する方法
について工程に従って詳細に説明する。但し、説明を簡単にするために、駆動回路部とし
てはその基本構成回路であるＣＭＯＳ回路と、画素部としてはスイッチング用ＴＦＴとＥ
Ｌ駆動用ＴＦＴとを図示することにする。
に設けられる駆動回路（ソース信号線側駆動回路、ゲート信号線側駆動回路等）のＴＦＴ
と、画素部のスイッチングＴＦＴおよびＥＬ駆動用ＴＦＴとを同一基板上に作成する方法
について工程に従って詳細に説明する。但し、説明を簡単にするために、駆動回路部とし
てはその基本構成回路であるＣＭＯＳ回路と、画素部としてはスイッチング用ＴＦＴとＥ
Ｌ駆動用ＴＦＴとを図示することにする。
まず、図８（Ａ）に示すように、コーニング社の＃７０５９ガラスや＃１７３７ガラス
などに代表されるバリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどのガ
ラスから成る基板５００１上に酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン
膜などの絶縁膜から成る下地膜５００２を形成する。
例えば、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ4、ＮＨ3、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化シリコン膜
５００２ａを１０〜２００[nm]（好ましくは５０〜１００[nm]）形成し、同様にＳｉＨ4
、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化水素化シリコン膜５００２ｂを５０〜２００[nm]（好ま
しくは１００〜１５０[nm]）の厚さに積層形成する。本実施例では下地膜５００２を２層
構造として示したが、前記絶縁膜の単層膜または２層以上積層させた構造として形成して
も良い。
などに代表されるバリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどのガ
ラスから成る基板５００１上に酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン
膜などの絶縁膜から成る下地膜５００２を形成する。
例えば、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ4、ＮＨ3、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化シリコン膜
５００２ａを１０〜２００[nm]（好ましくは５０〜１００[nm]）形成し、同様にＳｉＨ4
、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化水素化シリコン膜５００２ｂを５０〜２００[nm]（好ま
しくは１００〜１５０[nm]）の厚さに積層形成する。本実施例では下地膜５００２を２層
構造として示したが、前記絶縁膜の単層膜または２層以上積層させた構造として形成して
も良い。
島状半導体層５００３〜５００６は、非晶質構造を有する半導体膜をレーザー結晶化法
や公知の熱結晶化法を用いて作製した結晶質半導体膜で形成する。この島状半導体層５０
０３〜５００６の厚さは２５〜８０[nm]（好ましくは３０〜６０[nm]）の厚さで形成する
。結晶質半導体膜の材料に限定はないが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウ
ム（ＳｉＧｅ）合金などで形成すると良い。
や公知の熱結晶化法を用いて作製した結晶質半導体膜で形成する。この島状半導体層５０
０３〜５００６の厚さは２５〜８０[nm]（好ましくは３０〜６０[nm]）の厚さで形成する
。結晶質半導体膜の材料に限定はないが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウ
ム（ＳｉＧｅ）合金などで形成すると良い。
レーザー結晶化法で結晶質半導体膜を作製するには、パルス発振型または連続発光型の
エキシマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ4レーザーを用いる。これらのレーザーを用
いる場合には、レーザー発振器から放射されたレーザー光を光学系で線状に集光し半導体
膜に照射する方法を用いると良い。結晶化の条件は実施者が適宣選択するものであるが、
エキシマレーザーを用いる場合はパルス発振周波数３０[Hz]とし、レーザーエネルギー密
度を１００〜４００[mJ/cm2](代表的には２００〜３００[mJ/cm2])とする。また、ＹＡＧ
レーザーを用いる場合にはその第２高調波を用いパルス発振周波数１〜１０[kHz]とし、
レーザーエネルギー密度を３００〜６００[mJ/cm2] (代表的には３５０〜５００[mJ/cm2]
)とすると良い。そして幅１００〜１０００[μm]、例えば４００[μm]で線状に集光した
レーザー光を基板全面に渡って照射し、この時の線状レーザー光の重ね合わせ率（オーバ
ーラップ率）を８０〜９８[％]として行う。
エキシマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ4レーザーを用いる。これらのレーザーを用
いる場合には、レーザー発振器から放射されたレーザー光を光学系で線状に集光し半導体
膜に照射する方法を用いると良い。結晶化の条件は実施者が適宣選択するものであるが、
エキシマレーザーを用いる場合はパルス発振周波数３０[Hz]とし、レーザーエネルギー密
度を１００〜４００[mJ/cm2](代表的には２００〜３００[mJ/cm2])とする。また、ＹＡＧ
レーザーを用いる場合にはその第２高調波を用いパルス発振周波数１〜１０[kHz]とし、
レーザーエネルギー密度を３００〜６００[mJ/cm2] (代表的には３５０〜５００[mJ/cm2]
)とすると良い。そして幅１００〜１０００[μm]、例えば４００[μm]で線状に集光した
レーザー光を基板全面に渡って照射し、この時の線状レーザー光の重ね合わせ率（オーバ
ーラップ率）を８０〜９８[％]として行う。
次いで、島状半導体層５００３〜５００６を覆うゲート絶縁膜５００７を形成する。ゲ
ート絶縁膜５００７はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを４０〜１５０[n
m]としてシリコンを含む絶縁膜で形成する。本実施例では、１２０[nm]の厚さで酸化窒化
シリコン膜で形成する。勿論、ゲート絶縁膜はこのような酸化窒化シリコン膜に限定され
るものでなく、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。例
えば、酸化シリコン膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤ法でＴＥＯＳ（Tetraethyl Ort
hosilicate）とＯ2とを混合し、反応圧力４０[Pa]、基板温度３００〜４００[℃]とし、
高周波（１３．５６[MHz]）電力密度０．５〜０．８[W/cm2]で放電させて形成することが
出来る。
このようにして作製される酸化シリコン膜は、その後４００〜５００[℃]の熱アニールに
よりゲート絶縁膜として良好な特性を得ることが出来る。
ート絶縁膜５００７はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを４０〜１５０[n
m]としてシリコンを含む絶縁膜で形成する。本実施例では、１２０[nm]の厚さで酸化窒化
シリコン膜で形成する。勿論、ゲート絶縁膜はこのような酸化窒化シリコン膜に限定され
るものでなく、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。例
えば、酸化シリコン膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤ法でＴＥＯＳ（Tetraethyl Ort
hosilicate）とＯ2とを混合し、反応圧力４０[Pa]、基板温度３００〜４００[℃]とし、
高周波（１３．５６[MHz]）電力密度０．５〜０．８[W/cm2]で放電させて形成することが
出来る。
このようにして作製される酸化シリコン膜は、その後４００〜５００[℃]の熱アニールに
よりゲート絶縁膜として良好な特性を得ることが出来る。
そして、ゲート絶縁膜５００７上にゲート電極を形成するための第１の導電膜５００８
と第２の導電膜５００９とを形成する。本実施例では、第１の導電膜５００８をＴａで５
０〜１００[nm]の厚さに形成し、第２の導電膜５００９をＷで１００〜３００[nm]の厚さ
に形成する。
と第２の導電膜５００９とを形成する。本実施例では、第１の導電膜５００８をＴａで５
０〜１００[nm]の厚さに形成し、第２の導電膜５００９をＷで１００〜３００[nm]の厚さ
に形成する。
Ｔａ膜はスパッタ法で形成し、ＴａのターゲットをＡｒでスパッタする。この場合、Ａ
ｒに適量のＸｅやＫｒを加えると、Ｔａ膜の内部応力を緩和して膜の剥離を防止すること
が出来る。また、α相のＴａ膜の抵抗率は２０[μΩcm]程度でありゲート電極に使用する
ことが出来るが、β相のＴａ膜の抵抗率は１８０[μΩcm]程度でありゲート電極とするに
は不向きである。α相のＴａ膜を形成するために、Ｔａのα相に近い結晶構造をもつ窒化
タンタルを１０〜５０[nm]程度の厚さでＴａの下地に形成しておくとα相のＴａ膜を容易
に得ることが出来る。
ｒに適量のＸｅやＫｒを加えると、Ｔａ膜の内部応力を緩和して膜の剥離を防止すること
が出来る。また、α相のＴａ膜の抵抗率は２０[μΩcm]程度でありゲート電極に使用する
ことが出来るが、β相のＴａ膜の抵抗率は１８０[μΩcm]程度でありゲート電極とするに
は不向きである。α相のＴａ膜を形成するために、Ｔａのα相に近い結晶構造をもつ窒化
タンタルを１０〜５０[nm]程度の厚さでＴａの下地に形成しておくとα相のＴａ膜を容易
に得ることが出来る。
Ｗ膜を形成する場合には、Ｗをターゲットとしたスパッタ法で形成する。その他に６フ
ッ化タングステン（ＷＦ6）を用いる熱ＣＶＤ法で形成することも出来る。いずれにして
もゲート電極として使用するためには低抵抗化を図る必要があり、Ｗ膜の抵抗率は２０[
μΩcm]以下にすることが望ましい。Ｗ膜は結晶粒を大きくすることで低抵抗率化を図る
ことが出来るが、Ｗ中に酸素などの不純物元素が多い場合には結晶化が阻害され高抵抗化
する。このことより、スパッタ法による場合、純度９９．９９９９[％]のＷターゲットを
用い、さらに成膜時に気相中からの不純物の混入がないように十分配慮してＷ膜を形成す
ることにより、抵抗率９〜２０[μΩcm]を実現することが出来る。
ッ化タングステン（ＷＦ6）を用いる熱ＣＶＤ法で形成することも出来る。いずれにして
もゲート電極として使用するためには低抵抗化を図る必要があり、Ｗ膜の抵抗率は２０[
μΩcm]以下にすることが望ましい。Ｗ膜は結晶粒を大きくすることで低抵抗率化を図る
ことが出来るが、Ｗ中に酸素などの不純物元素が多い場合には結晶化が阻害され高抵抗化
する。このことより、スパッタ法による場合、純度９９．９９９９[％]のＷターゲットを
用い、さらに成膜時に気相中からの不純物の混入がないように十分配慮してＷ膜を形成す
ることにより、抵抗率９〜２０[μΩcm]を実現することが出来る。
なお、本実施例では、第１の導電膜５００８をＴａ、第２の導電膜５００９をＷとした
が、特に限定されず、いずれもＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれた元素、ま
たは前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成しても良い。また、リン
等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜を用いても良い
。本実施例以外の他の組み合わせの一例は、第１の導電膜５００８を窒化タンタル（Ｔａ
Ｎ）で形成し、第２の導電膜５００９をＷとする組み合わせ、第１の導電膜５００８を窒
化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜５００９をＡｌとする組み合わせ、第１の
導電膜５００８を窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜５００９をＣｕとする
組み合わせが挙げられるが、特に、第１の導電膜５００８と第２の導電膜５００９とが、
エッチングにより選択比の取れる組み合わせを用いて形成することが好ましい。
（図８（Ａ））
が、特に限定されず、いずれもＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれた元素、ま
たは前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成しても良い。また、リン
等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜を用いても良い
。本実施例以外の他の組み合わせの一例は、第１の導電膜５００８を窒化タンタル（Ｔａ
Ｎ）で形成し、第２の導電膜５００９をＷとする組み合わせ、第１の導電膜５００８を窒
化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜５００９をＡｌとする組み合わせ、第１の
導電膜５００８を窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜５００９をＣｕとする
組み合わせが挙げられるが、特に、第１の導電膜５００８と第２の導電膜５００９とが、
エッチングにより選択比の取れる組み合わせを用いて形成することが好ましい。
（図８（Ａ））
次に、レジストによるマスク５０１０を形成し、電極および配線を形成するための第１
のエッチング処理を行う。本実施例ではＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma：誘導結合
型プラズマ）エッチング法を用い、エッチング用ガスにＣＦ4とＣｌ2を混合し、１Paの圧
力でコイル型の電極に５００[W]のＲＦ（１３．５６[MHz]）電力を投入してプラズマを生
成して行う。基板側（試料ステージ）にも１００[W]のＲＦ（１３．５６[MHz]）電力を投
入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。ＣＦ4とＣｌ2を混合した場合にはＷ膜
およびＴａ膜とも同程度にエッチングされる。
のエッチング処理を行う。本実施例ではＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma：誘導結合
型プラズマ）エッチング法を用い、エッチング用ガスにＣＦ4とＣｌ2を混合し、１Paの圧
力でコイル型の電極に５００[W]のＲＦ（１３．５６[MHz]）電力を投入してプラズマを生
成して行う。基板側（試料ステージ）にも１００[W]のＲＦ（１３．５６[MHz]）電力を投
入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。ＣＦ4とＣｌ2を混合した場合にはＷ膜
およびＴａ膜とも同程度にエッチングされる。
上記のエッチング条件では、レジストによるマスクの形状を適したものとすることによ
り、基板側に印加するバイアス電圧の効果により第１の導電層および第２の導電層の端部
がテーパー形状となる。テーパー部の角度は１５〜４５°となる。ゲート絶縁膜上に残渣
を残すことなくエッチングするためには、１０〜２０[％]程度の割合でエッチング時間を
増加させると良い。Ｗ膜に対する酸化窒化シリコン膜の選択比は２〜４（代表的には３）
であるので、オーバーエッチング処理により、酸化窒化シリコン膜が露出した面は２０〜
５０[nm]程度エッチングされることになる。こうして、第１のエッチング処理により第１
の導電層と第２の導電層から成る第１の形状の導電層５０１１〜５０１６（第１の導電層
５０１１ａ〜５０１６ａと第２の導電層５０１１ｂ〜５０１６ｂ）を形成する。ゲート絶
縁膜５００７は、第１の形状の導電層５０１１〜５０１６で覆われない領域は２０〜５０
[nm]程度エッチングされ、薄くなった領域が形成される。
り、基板側に印加するバイアス電圧の効果により第１の導電層および第２の導電層の端部
がテーパー形状となる。テーパー部の角度は１５〜４５°となる。ゲート絶縁膜上に残渣
を残すことなくエッチングするためには、１０〜２０[％]程度の割合でエッチング時間を
増加させると良い。Ｗ膜に対する酸化窒化シリコン膜の選択比は２〜４（代表的には３）
であるので、オーバーエッチング処理により、酸化窒化シリコン膜が露出した面は２０〜
５０[nm]程度エッチングされることになる。こうして、第１のエッチング処理により第１
の導電層と第２の導電層から成る第１の形状の導電層５０１１〜５０１６（第１の導電層
５０１１ａ〜５０１６ａと第２の導電層５０１１ｂ〜５０１６ｂ）を形成する。ゲート絶
縁膜５００７は、第１の形状の導電層５０１１〜５０１６で覆われない領域は２０〜５０
[nm]程度エッチングされ、薄くなった領域が形成される。
そして、第１のドーピング処理を行いｎ型を付与する不純物元素を添加する。
ドーピングの方法はイオンドープ法若しくはイオン注入法で行えば良い。イオンドープ法
の条件はドーズ量を１×１０13〜５×１０14[atoms/cm2]とし、加速電圧を６０〜１００[
keV]として行う。ｎ型を付与する不純物元素として１５族に属する元素、典型的にはリン
（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を用いるが、ここではリン（Ｐ）を用いる。この場合、導電層
５０１１〜５０１５がｎ型を付与する不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に第
１の不純物領域５０１７〜５０２５が形成される。第１の不純物領域５０１７〜５０２５
には１×１０20〜１×１０21[atoms/cm3]の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を添加
する。（図８（Ｂ））
ドーピングの方法はイオンドープ法若しくはイオン注入法で行えば良い。イオンドープ法
の条件はドーズ量を１×１０13〜５×１０14[atoms/cm2]とし、加速電圧を６０〜１００[
keV]として行う。ｎ型を付与する不純物元素として１５族に属する元素、典型的にはリン
（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を用いるが、ここではリン（Ｐ）を用いる。この場合、導電層
５０１１〜５０１５がｎ型を付与する不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に第
１の不純物領域５０１７〜５０２５が形成される。第１の不純物領域５０１７〜５０２５
には１×１０20〜１×１０21[atoms/cm3]の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を添加
する。（図８（Ｂ））
次に、第２のエッチング処理を行う。同様にＩＣＰエッチング法を用い、エッチングガ
スにＣＦ4とＣｌ2とＯ2を混合して、１[Pa]の圧力でコイル型の電極に５００[Ｗ]のＲＦ
電力(１３．５６[MHz])を供給し、プラズマを生成して行う。
基板側（試料ステージ）には５０[W]のＲＦ（１３．５６[MHz]）電力を投入し、第１のエ
ッチング処理に比べ低い自己バイアス電圧を印加する。このような条件によりＷ膜を異方
性エッチングし、かつ、それより遅いエッチング速度で第１の導電層であるＴａを異方性
エッチングして第２の形状の導電層５０２６〜５０３１（第１の導電層５０２６ａ〜５０
３１ａと第２の導電層５０２６ｂ〜５０３１ｂ）を形成する。ゲート絶縁膜５００７は、
第２の形状の導電層５０２６〜５０３１で覆われない領域はさらに２０〜５０[nm]程度エ
ッチングされ、薄くなった領域が形成される。（図８（Ｃ））
スにＣＦ4とＣｌ2とＯ2を混合して、１[Pa]の圧力でコイル型の電極に５００[Ｗ]のＲＦ
電力(１３．５６[MHz])を供給し、プラズマを生成して行う。
基板側（試料ステージ）には５０[W]のＲＦ（１３．５６[MHz]）電力を投入し、第１のエ
ッチング処理に比べ低い自己バイアス電圧を印加する。このような条件によりＷ膜を異方
性エッチングし、かつ、それより遅いエッチング速度で第１の導電層であるＴａを異方性
エッチングして第２の形状の導電層５０２６〜５０３１（第１の導電層５０２６ａ〜５０
３１ａと第２の導電層５０２６ｂ〜５０３１ｂ）を形成する。ゲート絶縁膜５００７は、
第２の形状の導電層５０２６〜５０３１で覆われない領域はさらに２０〜５０[nm]程度エ
ッチングされ、薄くなった領域が形成される。（図８（Ｃ））
Ｗ膜やＴａ膜のＣＦ4とＣｌ2の混合ガスによるエッチング反応は、生成されるラジカル
またはイオン種と反応生成物の蒸気圧から推測することが出来る。ＷとＴａのフッ化物と
塩化物の蒸気圧を比較すると、Ｗのフッ化物であるＷＦ6が極端に高く、その他のＷＣｌ5
、ＴａＦ5、ＴａＣｌ5は同程度である。従って、ＣＦ4とＣｌ2の混合ガスではＷ膜および
Ｔａ膜共にエッチングされる。しかし、この混合ガスに適量のＯ2を添加するとＣＦ4とＯ
2が反応してＣＯとＦになり、ＦラジカルまたはＦイオンが多量に発生する。その結果、
フッ化物の蒸気圧が高いＷ膜のエッチング速度が増大する。一方、ＴａはＦが増大しても
相対的にエッチング速度の増加は少ない。また、ＴａはＷに比較して酸化されやすいので
、Ｏ2を添加することでＴａの表面が酸化される。Ｔａの酸化物はフッ素や塩素と反応し
ないためさらにＴａ膜のエッチング速度は低下する。従って、Ｗ膜とＴａ膜とのエッチン
グ速度に差を作ることが可能となりＷ膜のエッチング速度をＴａ膜よりも大きくすること
が可能となる。
またはイオン種と反応生成物の蒸気圧から推測することが出来る。ＷとＴａのフッ化物と
塩化物の蒸気圧を比較すると、Ｗのフッ化物であるＷＦ6が極端に高く、その他のＷＣｌ5
、ＴａＦ5、ＴａＣｌ5は同程度である。従って、ＣＦ4とＣｌ2の混合ガスではＷ膜および
Ｔａ膜共にエッチングされる。しかし、この混合ガスに適量のＯ2を添加するとＣＦ4とＯ
2が反応してＣＯとＦになり、ＦラジカルまたはＦイオンが多量に発生する。その結果、
フッ化物の蒸気圧が高いＷ膜のエッチング速度が増大する。一方、ＴａはＦが増大しても
相対的にエッチング速度の増加は少ない。また、ＴａはＷに比較して酸化されやすいので
、Ｏ2を添加することでＴａの表面が酸化される。Ｔａの酸化物はフッ素や塩素と反応し
ないためさらにＴａ膜のエッチング速度は低下する。従って、Ｗ膜とＴａ膜とのエッチン
グ速度に差を作ることが可能となりＷ膜のエッチング速度をＴａ膜よりも大きくすること
が可能となる。
そして、図９（Ａ）に示すように第２のドーピング処理を行う。この場合、第１のドー
ピング処理よりもドーズ量を下げて高い加速電圧の条件としてｎ型を付与する不純物元素
をドーピングする。例えば、加速電圧を７０〜１２０[keV]とし、１×１０13[atoms/cm2]
のドーズ量で行い、図８（Ｂ）で島状半導体層に形成された第１の不純物領域の内側に新
たな不純物領域を形成する。ドーピングは、第２の形状の導電層５０２６〜５０３０を不
純物元素に対するマスクとして用い、第１の導電層５０２６ａ〜５０３０ａの下側の領域
にも不純物元素が添加されるようにドーピングする。こうして、第１の導電層５０２６ａ
〜５０３０ａと重なる第３の不純物領域５０３２〜５０４１と、第１の不純物領域と第３
の不純物領域との間の第２の不純物領域５０４２〜５０５１とを形成する。ｎ型を付与す
る不純物元素は、第２の不純物領域で１×１０17〜１×１０19[atoms/cm3]の濃度となる
ようにし、第３の不純物領域で１×１０16〜１×１０18[atoms/cm3]の濃度となるように
する。
ピング処理よりもドーズ量を下げて高い加速電圧の条件としてｎ型を付与する不純物元素
をドーピングする。例えば、加速電圧を７０〜１２０[keV]とし、１×１０13[atoms/cm2]
のドーズ量で行い、図８（Ｂ）で島状半導体層に形成された第１の不純物領域の内側に新
たな不純物領域を形成する。ドーピングは、第２の形状の導電層５０２６〜５０３０を不
純物元素に対するマスクとして用い、第１の導電層５０２６ａ〜５０３０ａの下側の領域
にも不純物元素が添加されるようにドーピングする。こうして、第１の導電層５０２６ａ
〜５０３０ａと重なる第３の不純物領域５０３２〜５０４１と、第１の不純物領域と第３
の不純物領域との間の第２の不純物領域５０４２〜５０５１とを形成する。ｎ型を付与す
る不純物元素は、第２の不純物領域で１×１０17〜１×１０19[atoms/cm3]の濃度となる
ようにし、第３の不純物領域で１×１０16〜１×１０18[atoms/cm3]の濃度となるように
する。
そして、図９（Ｂ）に示すように、ｐチャネル型ＴＦＴを形成する島状半導体層５００
４、５００５、５００６に一導電型とは逆の導電型の第４の不純物領域５０５２〜５０７
４を形成する。第２の導電層５０１２〜５０１５を不純物元素に対するマスクとして用い
、自己整合的に不純物領域を形成する。このとき、ｎチャネル型ＴＦＴを形成する島状半
導体層５００３、配線を形成する第２の導電層５０３１はレジストマスク５２００で全面
を被覆しておく。不純物領域５０５２〜５０５４、５０５５〜５０５７、５０５８〜５０
６０、５０６１〜５０６５、５０６６〜５０６８、５０６９〜５０７１、５０７２〜５０
７４にはそれぞれ異なる濃度でリンが添加されているが、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）を用いたイ
オンドープ法で形成し、そのいずれの領域においても不純物濃度を２×１０20〜２×１０
21[atoms/cm3]となるようにする。
４、５００５、５００６に一導電型とは逆の導電型の第４の不純物領域５０５２〜５０７
４を形成する。第２の導電層５０１２〜５０１５を不純物元素に対するマスクとして用い
、自己整合的に不純物領域を形成する。このとき、ｎチャネル型ＴＦＴを形成する島状半
導体層５００３、配線を形成する第２の導電層５０３１はレジストマスク５２００で全面
を被覆しておく。不純物領域５０５２〜５０５４、５０５５〜５０５７、５０５８〜５０
６０、５０６１〜５０６５、５０６６〜５０６８、５０６９〜５０７１、５０７２〜５０
７４にはそれぞれ異なる濃度でリンが添加されているが、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）を用いたイ
オンドープ法で形成し、そのいずれの領域においても不純物濃度を２×１０20〜２×１０
21[atoms/cm3]となるようにする。
以上までの工程でそれぞれの島状半導体層に不純物領域が形成される。島状半導体層と
重なる第２の形状の導電層５０２６〜５０３０がゲート電極として機能する。また、５０
３１は信号線として機能する。
重なる第２の形状の導電層５０２６〜５０３０がゲート電極として機能する。また、５０
３１は信号線として機能する。
こうして導電型の制御を目的として図９（Ｃ）に示すように、それぞれの島状半導体層
に添加された不純物元素を活性化する工程を行う。この工程はファーネスアニール炉を用
いる熱アニール法で行う。その他に、レーザーアニール法、またはラピッドサーマルアニ
ール法（ＲＴＡ法）を適用することが出来る。熱アニール法では酸素濃度が１[ppm]以下
、好ましくは０．１[ppm]以下の窒素雰囲気中で４００〜７００[℃]、代表的には５００
〜６００[℃]で行うものであり、本実施例では５００[℃]で４時間の熱処理を行う。ただ
し、５０２６〜５０３１に用いた配線材料が熱に弱い場合には、配線等を保護するため層
間絶縁膜（シリコンを主成分とする）を形成した後で活性化を行うことが好ましい。
に添加された不純物元素を活性化する工程を行う。この工程はファーネスアニール炉を用
いる熱アニール法で行う。その他に、レーザーアニール法、またはラピッドサーマルアニ
ール法（ＲＴＡ法）を適用することが出来る。熱アニール法では酸素濃度が１[ppm]以下
、好ましくは０．１[ppm]以下の窒素雰囲気中で４００〜７００[℃]、代表的には５００
〜６００[℃]で行うものであり、本実施例では５００[℃]で４時間の熱処理を行う。ただ
し、５０２６〜５０３１に用いた配線材料が熱に弱い場合には、配線等を保護するため層
間絶縁膜（シリコンを主成分とする）を形成した後で活性化を行うことが好ましい。
さらに、３〜１００[％]の水素を含む雰囲気中で、３００〜４５０[℃]で１〜１２時間
の熱処理を行い、島状半導体層を水素化する工程を行う。この工程は熱的に励起された水
素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。水素化の他の手段として
、プラズマ水素化（プラズマにより励起された水素を用いる）を行っても良い。
の熱処理を行い、島状半導体層を水素化する工程を行う。この工程は熱的に励起された水
素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。水素化の他の手段として
、プラズマ水素化（プラズマにより励起された水素を用いる）を行っても良い。
次に、図１０（Ａ）に示すように、第１層間絶縁膜５０７５を形成する。第１層間絶縁
膜５０７５としては、珪素を含む絶縁膜を単層で用いるか、２種類以上の珪素を含む絶縁
膜を組み合わせた積層膜を用いれば良い。また、膜厚は４００[nm]〜１．５[μm]とすれ
ば良い。本実施例では、２００[nm]厚の窒化酸化珪素膜を形成した。活性化手段としては
、ファーネスアニール法、レーザーアニール法、またはランプアニール法で行うことが出
来る。本実施例では電熱炉において窒素雰囲気中、５５０[℃]、４時間の熱処理を行う。
膜５０７５としては、珪素を含む絶縁膜を単層で用いるか、２種類以上の珪素を含む絶縁
膜を組み合わせた積層膜を用いれば良い。また、膜厚は４００[nm]〜１．５[μm]とすれ
ば良い。本実施例では、２００[nm]厚の窒化酸化珪素膜を形成した。活性化手段としては
、ファーネスアニール法、レーザーアニール法、またはランプアニール法で行うことが出
来る。本実施例では電熱炉において窒素雰囲気中、５５０[℃]、４時間の熱処理を行う。
このとき、第１層間絶縁膜はゲート電極の酸化を防止する役目を果たしている。
さらに、３〜１００％の水素を含む雰囲気中で、３００〜４５０℃で１〜１２時間の熱
処理を行い水素化処理を行う。この工程は熱的に励起された水素により半導体膜の不対結
合手を水素終端する工程である。水素化の他の手段として、プラズマ水素化（プラズマに
より励起された水素を用いる）を行っても良い。
処理を行い水素化処理を行う。この工程は熱的に励起された水素により半導体膜の不対結
合手を水素終端する工程である。水素化の他の手段として、プラズマ水素化（プラズマに
より励起された水素を用いる）を行っても良い。
なお、第１層間絶縁膜５０７５に積層膜を用いる場合、一つの層を形成する工程と他の
層を形成する工程との間に水素化処理を行っても良い。
層を形成する工程との間に水素化処理を行っても良い。
次に、活性化工程が終了したら図１０（Ｂ）に示すように、第２層間絶縁膜５０７６を
形成した後、第１層間絶縁膜５０７５、第２層間絶縁膜５０７６、およびゲート絶縁膜５
００７に対してコンタクトホールを形成し、各配線（接続電極を含む）５０７７〜５０８
２、ゲート信号線５０８４をパターニング形成した後、接続電極５０８２に接する画素電
極５０８３をパターニング形成する。
形成した後、第１層間絶縁膜５０７５、第２層間絶縁膜５０７６、およびゲート絶縁膜５
００７に対してコンタクトホールを形成し、各配線（接続電極を含む）５０７７〜５０８
２、ゲート信号線５０８４をパターニング形成した後、接続電極５０８２に接する画素電
極５０８３をパターニング形成する。
第２層間絶縁膜５０７６としては、有機樹脂を材料とする膜を用い、その有機樹脂とし
てはポリイミド、ポリアミド、アクリル、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等を使用するこ
とが出来る。特に、第２層間絶縁膜５０７６は平坦化の意味合いが強いので、平坦性に優
れたアクリルが好ましい。本実施例ではＴＦＴによって形成される段差を十分に平坦化し
うる膜厚でアクリル膜を形成する。好ましくは１〜５[μm]（さらに好ましくは２〜４[μ
m]）とすれば良い。
てはポリイミド、ポリアミド、アクリル、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等を使用するこ
とが出来る。特に、第２層間絶縁膜５０７６は平坦化の意味合いが強いので、平坦性に優
れたアクリルが好ましい。本実施例ではＴＦＴによって形成される段差を十分に平坦化し
うる膜厚でアクリル膜を形成する。好ましくは１〜５[μm]（さらに好ましくは２〜４[μ
m]）とすれば良い。
コンタクトホールの形成は、ドライエッチングまたはウエットエッチングを用い、ｎ型
の不純物領域５０１８〜５０２６またはｐ型の不純物領域５０５４〜５０６５に達するコ
ンタクトホール、配線５０３２に達するコンタクトホール、電流供給線５０３３に達する
コンタクトホール、およびゲート電極５０２９、５０３０に達するコンタクトホール（図
示せず）をそれぞれ形成する。
の不純物領域５０１８〜５０２６またはｐ型の不純物領域５０５４〜５０６５に達するコ
ンタクトホール、配線５０３２に達するコンタクトホール、電流供給線５０３３に達する
コンタクトホール、およびゲート電極５０２９、５０３０に達するコンタクトホール（図
示せず）をそれぞれ形成する。
また、配線（接続電極、信号線を含む）５０７７〜５０８２、５０８４として、Ｔｉ膜
を１００[nm]、Ｔｉを含むアルミニウム膜を３００[nm]、Ｔｉ膜１５０[nm]をスパッタ法
で連続形成した３層構造の積層膜を所望の形状にパターニングしたものを用いる。勿論、
他の導電膜を用いても良い。
を１００[nm]、Ｔｉを含むアルミニウム膜を３００[nm]、Ｔｉ膜１５０[nm]をスパッタ法
で連続形成した３層構造の積層膜を所望の形状にパターニングしたものを用いる。勿論、
他の導電膜を用いても良い。
ところで、本発明の画素構成を有する回路を構成する際には、前記３層構造の積層膜の
一部を利用してゲート信号線を形成し、そのゲート信号線を電流供給線と共用するので、
低抵抗の材料（例えば、アルミニウム、銅などを主たる成分とする材料）を用いることが
望ましい。
一部を利用してゲート信号線を形成し、そのゲート信号線を電流供給線と共用するので、
低抵抗の材料（例えば、アルミニウム、銅などを主たる成分とする材料）を用いることが
望ましい。
また、本実施例では、画素電極５０８３としてＩＴＯ膜を１１０[nm]の厚さに形成し、
パターニングを行った。画素電極５０８３を接続電極５０８２と接して重なるように配置
することでコンタクトを取っている。また、酸化インジウムに２〜２０[％]の酸化亜鉛（
ＺｎＯ）を混合した透明導電膜を用いても良い。この画素電極５０８３がＥＬ素子の陽極
となる。
パターニングを行った。画素電極５０８３を接続電極５０８２と接して重なるように配置
することでコンタクトを取っている。また、酸化インジウムに２〜２０[％]の酸化亜鉛（
ＺｎＯ）を混合した透明導電膜を用いても良い。この画素電極５０８３がＥＬ素子の陽極
となる。
次に、図１０（Ｂ）に示すように、珪素を含む絶縁膜（本実施例では酸化珪素膜）を５
００[nm]の厚さに形成し、画素電極５０８３に対応する位置に開口部を形成して第３層間
絶縁膜５０８５を形成する。開口部を形成する際、ウエットエッチング法を用いることで
容易にテーパー形状の側壁とすることが出来る。開口部の側壁が十分になだらかでないと
段差に起因するＥＬ層の劣化が顕著な問題となってしまう。
００[nm]の厚さに形成し、画素電極５０８３に対応する位置に開口部を形成して第３層間
絶縁膜５０８５を形成する。開口部を形成する際、ウエットエッチング法を用いることで
容易にテーパー形状の側壁とすることが出来る。開口部の側壁が十分になだらかでないと
段差に起因するＥＬ層の劣化が顕著な問題となってしまう。
次に、ＥＬ層５０８６および陰極（ＭｇＡｇ電極）５０８７を、真空蒸着法を用いて大
気解放しないで連続形成する。なお、ＥＬ層５０８６の膜厚は８０〜２００[nm]（典型的
には１００〜１２０[nm]）、陰極５０８７の厚さは１８０〜３００[nm]（典型的には２０
０〜２５０[nm]）とすれば良い。
気解放しないで連続形成する。なお、ＥＬ層５０８６の膜厚は８０〜２００[nm]（典型的
には１００〜１２０[nm]）、陰極５０８７の厚さは１８０〜３００[nm]（典型的には２０
０〜２５０[nm]）とすれば良い。
この工程では、赤色に対応する画素、緑色に対応する画素および青色に対応する画素に
対して順次、ＥＬ層および陰極を形成する。但し、ＥＬ層は溶液に対する耐性に乏しいた
めフォトリソグラフィ技術を用いずに各色個別に形成しなくてはならない。そこでメタル
マスクを用いて所望の画素以外を隠し、必要箇所だけ選択的にＥＬ層および陰極を形成す
るのが好ましい。
対して順次、ＥＬ層および陰極を形成する。但し、ＥＬ層は溶液に対する耐性に乏しいた
めフォトリソグラフィ技術を用いずに各色個別に形成しなくてはならない。そこでメタル
マスクを用いて所望の画素以外を隠し、必要箇所だけ選択的にＥＬ層および陰極を形成す
るのが好ましい。
即ち、まず赤色に対応する画素以外を全て隠すマスクをセットし、そのマスクを用いて
赤色発光のＥＬ層および陰極を選択的に形成する。次いで、緑色に対応する画素以外を全
て隠すマスクをセットし、そのマスクを用いて緑色発光のＥＬ層および陰極を選択的に形
成する。次いで、同様に青色に対応する画素以外を全て隠すマスクをセットし、そのマス
クを用いて青色発光のＥＬ層および陰極を選択的に形成する。なお、ここでは全て異なる
マスクを用いるように記載しているが、同じマスクを使いまわしても構わない。また、全
画素にＥＬ層および陰極を形成するまで真空を破らずに処理することが好ましい。
赤色発光のＥＬ層および陰極を選択的に形成する。次いで、緑色に対応する画素以外を全
て隠すマスクをセットし、そのマスクを用いて緑色発光のＥＬ層および陰極を選択的に形
成する。次いで、同様に青色に対応する画素以外を全て隠すマスクをセットし、そのマス
クを用いて青色発光のＥＬ層および陰極を選択的に形成する。なお、ここでは全て異なる
マスクを用いるように記載しているが、同じマスクを使いまわしても構わない。また、全
画素にＥＬ層および陰極を形成するまで真空を破らずに処理することが好ましい。
ここではＲＧＢに対応した三種類のＥＬ素子を形成する方式を用いたが、白色発光のＥ
Ｌ素子とカラーフィルタを組み合わせた方式、青色または青緑発光のＥＬ素子と蛍光体（
蛍光性の色変換層：ＣＣＭ）とを組み合わせた方式、陰極（対向電極）に透明電極を利用
してＲＧＢに対応したＥＬ素子を重ねる方式などを用いても良い。
Ｌ素子とカラーフィルタを組み合わせた方式、青色または青緑発光のＥＬ素子と蛍光体（
蛍光性の色変換層：ＣＣＭ）とを組み合わせた方式、陰極（対向電極）に透明電極を利用
してＲＧＢに対応したＥＬ素子を重ねる方式などを用いても良い。
なお、ＥＬ層５０８６としては公知の材料を用いることが出来る。公知の材料としては
、駆動電圧を考慮すると有機材料を用いるのが好ましい。例えば正孔注入層、正孔輸送層
、発光層および電子注入層でなる４層構造をＥＬ層とすれば良い。また、本実施例ではＥ
Ｌ素子の陰極としてＭｇＡｇ電極を用いた例を示すが、公知の他の材料であっても良い。
、駆動電圧を考慮すると有機材料を用いるのが好ましい。例えば正孔注入層、正孔輸送層
、発光層および電子注入層でなる４層構造をＥＬ層とすれば良い。また、本実施例ではＥ
Ｌ素子の陰極としてＭｇＡｇ電極を用いた例を示すが、公知の他の材料であっても良い。
次いで、ＥＬ層および陰極を覆って保護電極５０８８を形成する。この保護電極５０８
８としてはアルミニウムを主成分とする導電膜を用いれば良い。保護電極５０８８はＥＬ
層および陰極を形成した時とは異なるマスクを用いて真空蒸着法で形成すれば良い。また
、ＥＬ層および陰極を形成した後で大気解放しないで連続的に形成することが好ましい。
８としてはアルミニウムを主成分とする導電膜を用いれば良い。保護電極５０８８はＥＬ
層および陰極を形成した時とは異なるマスクを用いて真空蒸着法で形成すれば良い。また
、ＥＬ層および陰極を形成した後で大気解放しないで連続的に形成することが好ましい。
最後に、窒化珪素膜でなるパッシベーション膜５０８９を３００[nm]の厚さに形成する
。実際には保護電極５０８８がＥＬ層を水分等から保護する役割を果たすが、さらにパッ
シベーション膜５０８９を形成しておくことで、ＥＬ素子の信頼性をさらに高めることが
出来る。
。実際には保護電極５０８８がＥＬ層を水分等から保護する役割を果たすが、さらにパッ
シベーション膜５０８９を形成しておくことで、ＥＬ素子の信頼性をさらに高めることが
出来る。
こうして図１０（Ｂ）に示すような構造のアクティブマトリクス型電子装置が完成する
。図１０（Ｂ）中、Ａ−Ａ'、Ｂ−Ｂ'で示される部分は、図１（Ａ）におけるＡ−Ａ'断
面およびＢ−Ｂ'断面に対応している。
。図１０（Ｂ）中、Ａ−Ａ'、Ｂ−Ｂ'で示される部分は、図１（Ａ）におけるＡ−Ａ'断
面およびＢ−Ｂ'断面に対応している。
なお、本実施例におけるアクティブマトリクス型電子装置の作成工程においては、回路
の構成および工程の関係上、ゲート電極を形成している材料であるＴａ、Ｗによってソー
ス信号線を形成し、ソース、ドレイン電極を形成している配線材料であるＡｌによってゲ
ート信号線を形成しているが、異なる材料を用いても良い。
の構成および工程の関係上、ゲート電極を形成している材料であるＴａ、Ｗによってソー
ス信号線を形成し、ソース、ドレイン電極を形成している配線材料であるＡｌによってゲ
ート信号線を形成しているが、異なる材料を用いても良い。
ところで、本実施例のアクティブマトリクス型電子装置は、画素部だけでなく駆動回路
部にも最適な構造のＴＦＴを配置することにより、非常に高い信頼性を示し、動作特性も
向上しうる。また結晶化工程においてＮｉ等の金属触媒を添加し、結晶性を高めることも
可能である。それによって、ソース信号線駆動回路の駆動周波数を１０[MHz]以上にする
ことが可能である。
部にも最適な構造のＴＦＴを配置することにより、非常に高い信頼性を示し、動作特性も
向上しうる。また結晶化工程においてＮｉ等の金属触媒を添加し、結晶性を高めることも
可能である。それによって、ソース信号線駆動回路の駆動周波数を１０[MHz]以上にする
ことが可能である。
まず、極力動作速度を落とさないようにホットキャリア注入を低減させる構造を有する
ＴＦＴを、駆動回路部を形成するＣＭＯＳ回路のｎチャネル型ＴＦＴとして用いる。なお
、ここでいう駆動回路としては、シフトレジスタ、バッファ、レベルシフタ、線順次駆動
におけるラッチ、点順次駆動におけるトランスミッションゲートなどが含まれる。
ＴＦＴを、駆動回路部を形成するＣＭＯＳ回路のｎチャネル型ＴＦＴとして用いる。なお
、ここでいう駆動回路としては、シフトレジスタ、バッファ、レベルシフタ、線順次駆動
におけるラッチ、点順次駆動におけるトランスミッションゲートなどが含まれる。
本実施例の場合、ｎチャネル型ＴＦＴの活性層は、ソース領域、ドレイン領域、ＧＯＬ
Ｄ領域、ＬＤＤ領域およびチャネル形成領域を含み、ＧＯＬＤ領域はゲート絶縁膜を介し
てゲート電極と重なっている。
Ｄ領域、ＬＤＤ領域およびチャネル形成領域を含み、ＧＯＬＤ領域はゲート絶縁膜を介し
てゲート電極と重なっている。
また、ＣＭＯＳ回路のｐチャネル型ＴＦＴは、ホットキャリア注入による劣化が殆ど気
にならないので、特にＬＤＤ領域を設けなくても良い。勿論、ｎチャネル型ＴＦＴと同様
にＬＤＤ領域を設け、ホットキャリア対策を講じることも可能である。
にならないので、特にＬＤＤ領域を設けなくても良い。勿論、ｎチャネル型ＴＦＴと同様
にＬＤＤ領域を設け、ホットキャリア対策を講じることも可能である。
その他、駆動回路において、チャネル形成領域を双方向に電流が流れるようなＣＭＯＳ
回路、即ち、ソース領域とドレイン領域の役割が入れ替わるようなＣＭＯＳ回路が用いら
れる場合、ＣＭＯＳ回路を形成するｎチャネル型ＴＦＴは、チャネル形成領域の両サイド
にチャネル形成領域を挟む形でＬＤＤ領域を形成することが好ましい。このような例とし
ては、点順次駆動に用いられるトランスミッションゲートなどが挙げられる。また駆動回
路において、オフ電流値を極力低く抑える必要のあるＣＭＯＳ回路が用いられる場合、Ｃ
ＭＯＳ回路を形成するｎチャネル型ＴＦＴは、ＬＤＤ領域の一部がゲート絶縁膜を介して
ゲート電極と重なる構成を有していることが好ましい。このような例としては、やはり、
点順次駆動に用いられるトランスミッションゲートなどが挙げられる。
回路、即ち、ソース領域とドレイン領域の役割が入れ替わるようなＣＭＯＳ回路が用いら
れる場合、ＣＭＯＳ回路を形成するｎチャネル型ＴＦＴは、チャネル形成領域の両サイド
にチャネル形成領域を挟む形でＬＤＤ領域を形成することが好ましい。このような例とし
ては、点順次駆動に用いられるトランスミッションゲートなどが挙げられる。また駆動回
路において、オフ電流値を極力低く抑える必要のあるＣＭＯＳ回路が用いられる場合、Ｃ
ＭＯＳ回路を形成するｎチャネル型ＴＦＴは、ＬＤＤ領域の一部がゲート絶縁膜を介して
ゲート電極と重なる構成を有していることが好ましい。このような例としては、やはり、
点順次駆動に用いられるトランスミッションゲートなどが挙げられる。
なお、実際には図１０（Ｂ）の状態まで完成したら、さらに外気に曝されないように、
気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム（ラミネートフィルム、紫外線硬化樹脂フィ
ルム等）や透光性のシーリング材でパッケージング（封入）することが好ましい。その際
、シーリング材の内部を不活性雰囲気にしたり、内部に吸湿性材料（例えば酸化バリウム
）を配置したりするとＥＬ素子の信頼性が向上する。
気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム（ラミネートフィルム、紫外線硬化樹脂フィ
ルム等）や透光性のシーリング材でパッケージング（封入）することが好ましい。その際
、シーリング材の内部を不活性雰囲気にしたり、内部に吸湿性材料（例えば酸化バリウム
）を配置したりするとＥＬ素子の信頼性が向上する。
また、パッケージング等の処理により気密性を高めたら、基板上に形成された素子又は
回路から引き回された端子と外部信号端子とを接続するためのコネクタ（フレキシブルプ
リントサーキット：ＦＰＣ）を取り付けて製品として完成する。このような出荷出来る状
態にまでした状態を本明細書中ではＥＬディスプレイ（またはＥＬモジュール）という。
回路から引き回された端子と外部信号端子とを接続するためのコネクタ（フレキシブルプ
リントサーキット：ＦＰＣ）を取り付けて製品として完成する。このような出荷出来る状
態にまでした状態を本明細書中ではＥＬディスプレイ（またはＥＬモジュール）という。
本実施例では、本発明の電子装置を作製した例について説明する。
図１１（Ａ）は本発明を用いた電子装置の上面図であり、図１１（Ａ）をＸ−Ｘ'面で
切断した断面図を図１１（Ｂ）に示す。図１１（Ａ）において、４００１は基板、４００
２は画素部、４００３はソース信号線側駆動回路、４００４はゲート信号線側駆動回路で
あり、それぞれの駆動回路は配線４００５、４００６、４００７を経てＦＰＣ４００８に
至り、外部機器へと接続される。
切断した断面図を図１１（Ｂ）に示す。図１１（Ａ）において、４００１は基板、４００
２は画素部、４００３はソース信号線側駆動回路、４００４はゲート信号線側駆動回路で
あり、それぞれの駆動回路は配線４００５、４００６、４００７を経てＦＰＣ４００８に
至り、外部機器へと接続される。
このとき、少なくとも画素部、好ましくは駆動回路および画素部を囲むようにしてカバ
ー材４００９、密封材４０１０、シーリング材（ハウジング材ともいう）４０１１（図１
１（Ｂ）に図示）が設けられている。
ー材４００９、密封材４０１０、シーリング材（ハウジング材ともいう）４０１１（図１
１（Ｂ）に図示）が設けられている。
また、図１１（Ｂ）は本実施例の電子装置の断面構造であり、基板４００１、下地膜４
０１２の上に駆動回路用ＴＦＴ（但し、ここではｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦ
Ｔを組み合わせたＣＭＯＳ回路を図示している）４０１３および画素部用ＴＦＴ４０１４
（但し、ここではＥＬ素子への電流を制御するＥＬ駆動用ＴＦＴだけ図示している）が形
成されている。これらのＴＦＴは公知の構造（トップゲート構造あるいはボトムゲート構
造）を用いれば良い。
０１２の上に駆動回路用ＴＦＴ（但し、ここではｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦ
Ｔを組み合わせたＣＭＯＳ回路を図示している）４０１３および画素部用ＴＦＴ４０１４
（但し、ここではＥＬ素子への電流を制御するＥＬ駆動用ＴＦＴだけ図示している）が形
成されている。これらのＴＦＴは公知の構造（トップゲート構造あるいはボトムゲート構
造）を用いれば良い。
公知の作製方法を用いて駆動回路用ＴＦＴ４０１３、画素部用ＴＦＴ４０１４が完成し
たら、樹脂材料でなる層間絶縁膜（平坦化膜）４０１５の上に画素部用ＴＦＴ４０１４の
ドレインと電気的に接続する透明導電膜でなる画素電極４０１６を形成する。透明導電膜
としては、酸化インジウムと酸化スズとの化合物（ＩＴＯと呼ばれる）または酸化インジ
ウムと酸化亜鉛との化合物を用いることができる。そして、画素電極４０１６を形成した
ら、絶縁膜４０１７を形成し、画素電極４０１６上に開口部を形成する。
たら、樹脂材料でなる層間絶縁膜（平坦化膜）４０１５の上に画素部用ＴＦＴ４０１４の
ドレインと電気的に接続する透明導電膜でなる画素電極４０１６を形成する。透明導電膜
としては、酸化インジウムと酸化スズとの化合物（ＩＴＯと呼ばれる）または酸化インジ
ウムと酸化亜鉛との化合物を用いることができる。そして、画素電極４０１６を形成した
ら、絶縁膜４０１７を形成し、画素電極４０１６上に開口部を形成する。
次に、ＥＬ層４０１８を形成する。ＥＬ層４０１８は公知のＥＬ材料（正孔注入層、正
孔輸送層、発光層、電子輸送層または電子注入層）を自由に組み合わせて積層構造または
単層構造とすれば良い。どのような構造とするかは公知の技術を用いれば良い。また、Ｅ
Ｌ材料には低分子系材料と高分子系（ポリマー系）材料がある。低分子系材料を用いる場
合は蒸着法を用いるが、高分子系材料を用いる場合には、スピンコート法、印刷法または
インクジェット法等の簡易な方法を用いることが可能である。
孔輸送層、発光層、電子輸送層または電子注入層）を自由に組み合わせて積層構造または
単層構造とすれば良い。どのような構造とするかは公知の技術を用いれば良い。また、Ｅ
Ｌ材料には低分子系材料と高分子系（ポリマー系）材料がある。低分子系材料を用いる場
合は蒸着法を用いるが、高分子系材料を用いる場合には、スピンコート法、印刷法または
インクジェット法等の簡易な方法を用いることが可能である。
本実施例では、シャドウマスクを用いて蒸着法によりＥＬ層を形成する。シャドウマス
クを用いて画素毎に波長の異なる発光が可能な発光層（赤色発光層、緑色発光層および青
色発光層）を形成することで、カラー表示が可能となる。その他にも、色変換層（ＣＣＭ
）とカラーフィルタを組み合わせた方式、白色発光層とカラーフィルタを組み合わせた方
式があるがいずれの方法を用いても良い。勿論、単色発光の電子装置とすることもできる
。
クを用いて画素毎に波長の異なる発光が可能な発光層（赤色発光層、緑色発光層および青
色発光層）を形成することで、カラー表示が可能となる。その他にも、色変換層（ＣＣＭ
）とカラーフィルタを組み合わせた方式、白色発光層とカラーフィルタを組み合わせた方
式があるがいずれの方法を用いても良い。勿論、単色発光の電子装置とすることもできる
。
ＥＬ層４０１８を形成したら、その上に陰極４０１９を形成する。陰極４０１９とＥＬ
層４０１８の界面に存在する水分や酸素は極力排除しておくことが望ましい。従って、真
空中でＥＬ層４０１８と陰極４０１９を連続成膜するか、ＥＬ層４０１８を不活性雰囲気
で形成し、大気解放しないで陰極４０１９を形成するといった工夫が必要である。本実施
例ではマルチチャンバー方式（クラスターツール方式）の成膜装置を用いることで上述の
ような成膜を可能とする。
層４０１８の界面に存在する水分や酸素は極力排除しておくことが望ましい。従って、真
空中でＥＬ層４０１８と陰極４０１９を連続成膜するか、ＥＬ層４０１８を不活性雰囲気
で形成し、大気解放しないで陰極４０１９を形成するといった工夫が必要である。本実施
例ではマルチチャンバー方式（クラスターツール方式）の成膜装置を用いることで上述の
ような成膜を可能とする。
なお、本実施例では陰極４０１９として、ＬｉＦ（フッ化リチウム）膜とＡｌ（アルミ
ニウム）膜の積層構造を用いる。具体的にはＥＬ層４０１８上に蒸着法で１［nm］厚のＬ
ｉＦ（フッ化リチウム）膜を形成し、その上に３００［nm］厚のアルミニウム膜を形成す
る。勿論、公知の陰極材料であるＭｇＡｇ電極を用いても良い。そして陰極４０１９は４
０２０で示される領域において配線４００７に接続される。配線４００７は陰極４０１９
に所定の電圧を与えるための電源線であり、導電性ペースト材料４０２１を介してＦＰＣ
４００８に接続される。
ニウム）膜の積層構造を用いる。具体的にはＥＬ層４０１８上に蒸着法で１［nm］厚のＬ
ｉＦ（フッ化リチウム）膜を形成し、その上に３００［nm］厚のアルミニウム膜を形成す
る。勿論、公知の陰極材料であるＭｇＡｇ電極を用いても良い。そして陰極４０１９は４
０２０で示される領域において配線４００７に接続される。配線４００７は陰極４０１９
に所定の電圧を与えるための電源線であり、導電性ペースト材料４０２１を介してＦＰＣ
４００８に接続される。
４０２０に示された領域において陰極４０１９と配線４００７とを電気的に接続するた
めに、層間絶縁膜４０１５および絶縁膜４０１７にコンタクトホールを形成する必要があ
る。これらは層間絶縁膜４０１５のエッチング時（画素電極用コンタクトホールの形成時
）や絶縁膜４０１７のエッチング時（ＥＬ層形成前の開口部の形成時）に形成しておけば
良い。また、絶縁膜４０１７をエッチングする際に、層間絶縁膜４０１５まで一括でエッ
チングしても良い。この場合、層間絶縁膜４０１５と絶縁膜４０１７が同じ樹脂材料であ
れば、コンタクトホールの形状を良好なものとすることができる。
めに、層間絶縁膜４０１５および絶縁膜４０１７にコンタクトホールを形成する必要があ
る。これらは層間絶縁膜４０１５のエッチング時（画素電極用コンタクトホールの形成時
）や絶縁膜４０１７のエッチング時（ＥＬ層形成前の開口部の形成時）に形成しておけば
良い。また、絶縁膜４０１７をエッチングする際に、層間絶縁膜４０１５まで一括でエッ
チングしても良い。この場合、層間絶縁膜４０１５と絶縁膜４０１７が同じ樹脂材料であ
れば、コンタクトホールの形状を良好なものとすることができる。
このようにして形成されたＥＬ素子の表面を覆って、パッシベーション膜４０２２、充
填材４０２３、カバー材４００９が形成される。
填材４０２３、カバー材４００９が形成される。
さらに、ＥＬ素子部を囲むようにして、カバー材４００９と基板４００１の内側にシーリ
ング材４０１１が設けられ、さらにシーリング材４０１１の外側には密封材（第２のシー
リング材）４０１０が形成される。
ング材４０１１が設けられ、さらにシーリング材４０１１の外側には密封材（第２のシー
リング材）４０１０が形成される。
このとき、この充填材４０２３は、カバー材４００９を接着するための接着剤としても
機能する。充填材４０２３としては、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）
、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）またはＥＶＡ（エチレン
ビニルアセテート）を用いることができる。この充填材４０２３の内部に乾燥剤を設けて
おくと、吸湿効果を保持できるので好ましい。また充填材４０２３の内部に、酸素を捕捉
する効果を有する酸化防止剤等を配置することで、ＥＬ層の劣化を抑えても良い。
機能する。充填材４０２３としては、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）
、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）またはＥＶＡ（エチレン
ビニルアセテート）を用いることができる。この充填材４０２３の内部に乾燥剤を設けて
おくと、吸湿効果を保持できるので好ましい。また充填材４０２３の内部に、酸素を捕捉
する効果を有する酸化防止剤等を配置することで、ＥＬ層の劣化を抑えても良い。
また、充填材４０２３の中にスペーサーを含有させてもよい。このとき、スペーサーを
ＢａＯなどからなる粒状物質とし、スペーサー自体に吸湿性をもたせてもよい。
ＢａＯなどからなる粒状物質とし、スペーサー自体に吸湿性をもたせてもよい。
スペーサーを設けた場合、パッシベーション膜４０２２はスペーサー圧を緩和すること
ができる。また、パッシベーション膜とは別に、スペーサー圧を緩和する樹脂膜などを設
けてもよい。
ができる。また、パッシベーション膜とは別に、スペーサー圧を緩和する樹脂膜などを設
けてもよい。
また、カバー材４００９としては、ガラス板、アルミニウム板、ステンレス板、ＦＲＰ
（Fiberglass-Reinforced Plastics）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）フィルム、
マイラーフィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリルフィルムを用いることができる
。なお、充填材４０２３としてＰＶＢやＥＶＡを用いる場合、数十［μm］のアルミニウ
ムホイルをＰＶＦフィルムやマイラーフィルムで挟んだ構造のシートを用いることが好ま
しい。
（Fiberglass-Reinforced Plastics）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）フィルム、
マイラーフィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリルフィルムを用いることができる
。なお、充填材４０２３としてＰＶＢやＥＶＡを用いる場合、数十［μm］のアルミニウ
ムホイルをＰＶＦフィルムやマイラーフィルムで挟んだ構造のシートを用いることが好ま
しい。
但し、ＥＬ素子からの発光方向（光の放射方向）によっては、カバー材４００９が透光
性を有する必要がある。
性を有する必要がある。
また、配線４００７はシーリング材４０１１および密封材４０１０と基板４００１との
隙間を通ってＦＰＣ４００８に電気的に接続される。なお、ここでは配線４００７につい
て説明したが、他の配線４００５、４００６も同様にしてシーリング材４０１１および密
封材４０１０の下を通ってＦＰＣ４００８に電気的に接続される。
隙間を通ってＦＰＣ４００８に電気的に接続される。なお、ここでは配線４００７につい
て説明したが、他の配線４００５、４００６も同様にしてシーリング材４０１１および密
封材４０１０の下を通ってＦＰＣ４００８に電気的に接続される。
なお本実施例では、充填材４０２３を設けてからカバー材４００９を接着し、充填材４
０２３の側面（露呈面）を覆うようにシーリング材４０１１を取り付けているが、カバー
材４００９およびシーリング材４０１１を取り付けてから、充填材４０２３を設けても良
い。この場合、基板４００１、カバー材４００９およびシーリング材４０１１で形成され
ている空隙に通じる充填材の注入口を設ける。そして前記空隙を真空状態（１０-2［Torr
］以下）にし、充填材の入っている水槽に注入口を浸してから、空隙の外の気圧を空隙の
中の気圧よりも高くして、充填材を空隙の中に充填する。
０２３の側面（露呈面）を覆うようにシーリング材４０１１を取り付けているが、カバー
材４００９およびシーリング材４０１１を取り付けてから、充填材４０２３を設けても良
い。この場合、基板４００１、カバー材４００９およびシーリング材４０１１で形成され
ている空隙に通じる充填材の注入口を設ける。そして前記空隙を真空状態（１０-2［Torr
］以下）にし、充填材の入っている水槽に注入口を浸してから、空隙の外の気圧を空隙の
中の気圧よりも高くして、充填材を空隙の中に充填する。
本実施例では、本発明を用いて実施例３とは異なる形態の電子装置を作製した例につい
て、図１２（Ａ）、（Ｂ）を用いて説明する。図１１（Ａ）、（Ｂ）
と同じ番号のものは同じ部分を指しているので説明は省略する。
て、図１２（Ａ）、（Ｂ）を用いて説明する。図１１（Ａ）、（Ｂ）
と同じ番号のものは同じ部分を指しているので説明は省略する。
図１２（Ａ）は本実施例の電子装置の上面図であり、図１２（Ａ）をＹ−Ｙ'面で切断
した断面図を図１２（Ｂ）に示す。
した断面図を図１２（Ｂ）に示す。
実施例３に従って、ＥＬ素子の表面を覆ってパッシベーション膜４０２２までを形成す
る。
る。
さらに、ＥＬ素子を覆うようにして充填材４０２３を設ける。この充填材４０２３は、
カバー材４００９を接着するための接着剤としても機能する。充填材４０２３としては、
ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブ
チラル）またはＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）
を用いることができる。この充填材４０２３の内部に乾燥剤を設けておくと、吸湿効果を
保持できるので好ましい。また充填材４０２３の内部に、酸素を捕捉する効果を有する酸
化防止剤等を配置することで、ＥＬ層の劣化を抑えても良い。
カバー材４００９を接着するための接着剤としても機能する。充填材４０２３としては、
ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブ
チラル）またはＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）
を用いることができる。この充填材４０２３の内部に乾燥剤を設けておくと、吸湿効果を
保持できるので好ましい。また充填材４０２３の内部に、酸素を捕捉する効果を有する酸
化防止剤等を配置することで、ＥＬ層の劣化を抑えても良い。
また、充填材４０２３の中にスペーサーを含有させてもよい。このとき、スペーサーを
ＢａＯなどからなる粒状物質とし、スペーサー自体に吸湿性をもたせてもよい。
ＢａＯなどからなる粒状物質とし、スペーサー自体に吸湿性をもたせてもよい。
スペーサーを設けた場合、パッシベーション膜４０２２はスペーサー圧を緩和すること
ができる。また、パッシベーション膜とは別に、スペーサー圧を緩和する樹脂膜などを設
けてもよい。
ができる。また、パッシベーション膜とは別に、スペーサー圧を緩和する樹脂膜などを設
けてもよい。
また、カバー材４００９としては、ガラス板、アルミニウム板、ステンレス板、ＦＲＰ
（Fiberglass-Reinforced Plastics）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）フィルム、
マイラーフィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリルフィルムを用いることができる
。なお、充填材４０２３としてＰＶＢやＥＶＡを用いる場合、数十［μm］のアルミニウ
ムホイルをＰＶＦフィルムやマイラーフィルムで挟んだ構造のシートを用いることが好ま
しい。
（Fiberglass-Reinforced Plastics）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）フィルム、
マイラーフィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリルフィルムを用いることができる
。なお、充填材４０２３としてＰＶＢやＥＶＡを用いる場合、数十［μm］のアルミニウ
ムホイルをＰＶＦフィルムやマイラーフィルムで挟んだ構造のシートを用いることが好ま
しい。
但し、ＥＬ素子からの発光方向（光の放射方向）によっては、カバー材６０００が透光
性を有する必要がある。
性を有する必要がある。
次に、充填材４０２３を用いてカバー材４００９を接着した後、充填材４０２３の側面
（露呈面）を覆うようにフレーム材４０２４を取り付ける。フレーム材４０２４はシーリ
ング材（接着剤として機能する）４０２５によって接着される。このとき、シーリング材
４０２５としては、光硬化性樹脂を用いるのが好ましいが、ＥＬ層の耐熱性が許せば熱硬
化性樹脂を用いても良い。なお、シーリング材４０２５はできるだけ水分や酸素を透過し
ない材料であることが望ましい。また、シーリング材４０２５の内部に乾燥剤を添加して
あっても良い。
（露呈面）を覆うようにフレーム材４０２４を取り付ける。フレーム材４０２４はシーリ
ング材（接着剤として機能する）４０２５によって接着される。このとき、シーリング材
４０２５としては、光硬化性樹脂を用いるのが好ましいが、ＥＬ層の耐熱性が許せば熱硬
化性樹脂を用いても良い。なお、シーリング材４０２５はできるだけ水分や酸素を透過し
ない材料であることが望ましい。また、シーリング材４０２５の内部に乾燥剤を添加して
あっても良い。
また、配線４００７はシーリング材４０２５と基板４００１との隙間を通ってＦＰＣ４
００８に電気的に接続される。なお、ここでは配線４００７について説明したが、他の配
線４００５、４００６も同様にしてシーリング材４０２５の下を通ってＦＰＣ４００８に
電気的に接続される。
００８に電気的に接続される。なお、ここでは配線４００７について説明したが、他の配
線４００５、４００６も同様にしてシーリング材４０２５の下を通ってＦＰＣ４００８に
電気的に接続される。
なお本実施例では、充填材４０２３を設けてからカバー材４００９を接着し、充填材４
０２３の側面（露呈面）を覆うようにフレーム材４０２４を取り付けているが、カバー材
４００９、シーリング材４０２５およびフレーム材４０２４を取り付けてから、充填材４
０２３を設けても良い。この場合、基板４００１、カバー材４００９、シーリング材４０
２５およびフレーム材４０２４で形成されている空隙に通じる充填材の注入口を設ける。
そして前記空隙を真空状態（１０-2［Torr］以下）にし、充填材の入っている水槽に注入
口を浸してから、空隙の外の気圧を空隙の中の気圧よりも高くして、充填材を空隙の中に
充填する。
０２３の側面（露呈面）を覆うようにフレーム材４０２４を取り付けているが、カバー材
４００９、シーリング材４０２５およびフレーム材４０２４を取り付けてから、充填材４
０２３を設けても良い。この場合、基板４００１、カバー材４００９、シーリング材４０
２５およびフレーム材４０２４で形成されている空隙に通じる充填材の注入口を設ける。
そして前記空隙を真空状態（１０-2［Torr］以下）にし、充填材の入っている水槽に注入
口を浸してから、空隙の外の気圧を空隙の中の気圧よりも高くして、充填材を空隙の中に
充填する。
ここで本発明の電子装置における画素部のさらに詳細な断面構造を図１３に示す。
図１３において、基板４５０１上に設けられたスイッチング用ＴＦＴ４５０２は公知の
方法で形成されたｎチャネル型ＴＦＴを用いる。本実施例ではダブルゲート構造としてい
るが、構造および作製プロセスに大きな違いはないので説明は省略する。但し、ダブルゲ
ート構造とすることで実質的に２つのＴＦＴが直列された構造となり、オフ電流値を低減
することができるという利点がある。なお、本実施例ではダブルゲート構造としているが
、シングルゲート構造でも構わないし、トリプルゲート構造やそれ以上のゲート本数を持
つマルチゲート構造でも構わない。また、公知の方法で形成されたｐチャネル型ＴＦＴを
用いて形成しても構わない。
方法で形成されたｎチャネル型ＴＦＴを用いる。本実施例ではダブルゲート構造としてい
るが、構造および作製プロセスに大きな違いはないので説明は省略する。但し、ダブルゲ
ート構造とすることで実質的に２つのＴＦＴが直列された構造となり、オフ電流値を低減
することができるという利点がある。なお、本実施例ではダブルゲート構造としているが
、シングルゲート構造でも構わないし、トリプルゲート構造やそれ以上のゲート本数を持
つマルチゲート構造でも構わない。また、公知の方法で形成されたｐチャネル型ＴＦＴを
用いて形成しても構わない。
また、ＥＬ駆動用ＴＦＴ４５０３は公知の方法で形成されたｎチャネル型ＴＦＴを用い
る。スイッチング用ＴＦＴ４５０２のドレイン配線４５０４は配線（図示せず）によって
ＥＬ駆動用ＴＦＴ４５０３のゲート電極４５０６に電気的に接続されている。
る。スイッチング用ＴＦＴ４５０２のドレイン配線４５０４は配線（図示せず）によって
ＥＬ駆動用ＴＦＴ４５０３のゲート電極４５０６に電気的に接続されている。
ＥＬ駆動用ＴＦＴ４５０３はＥＬ素子４５１０を流れる電流量を制御するための素子で
あるため、多くの電流が流れ、熱による劣化やホットキャリアによる劣化の危険性が高い
素子でもある。そのため、ＥＬ駆動用ＴＦＴ４５０３のドレイン側、あるいはソース側と
ドレイン側の両方に、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に重なるようにＬＤＤ領域を設け
る構造は極めて有効である。図１３においては、例としてＥＬ駆動用ＴＦＴ４５０３のソ
ース側とドレイン側の両方にＬＤＤ領域を形成した例を示している。
あるため、多くの電流が流れ、熱による劣化やホットキャリアによる劣化の危険性が高い
素子でもある。そのため、ＥＬ駆動用ＴＦＴ４５０３のドレイン側、あるいはソース側と
ドレイン側の両方に、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に重なるようにＬＤＤ領域を設け
る構造は極めて有効である。図１３においては、例としてＥＬ駆動用ＴＦＴ４５０３のソ
ース側とドレイン側の両方にＬＤＤ領域を形成した例を示している。
また、本実施例ではＥＬ駆動用ＴＦＴ４５０３をシングルゲート構造で図示しているが
、複数のＴＦＴを直列に接続したマルチゲート構造としても良い。さらに、複数のＴＦＴ
を並列につなげて実質的にチャネル形成領域を複数に分割し、熱の放射を高い効率で行え
るようにした構造としても良い。このような構造は熱による劣化対策として有効である。
、複数のＴＦＴを直列に接続したマルチゲート構造としても良い。さらに、複数のＴＦＴ
を並列につなげて実質的にチャネル形成領域を複数に分割し、熱の放射を高い効率で行え
るようにした構造としても良い。このような構造は熱による劣化対策として有効である。
また、ＥＬ駆動用ＴＦＴ４５０３のゲート電極４５０６を含む配線（図示せず）は、Ｅ
Ｌ駆動用ＴＦＴ４５０３のドレイン配線４５１２と絶縁膜を介して一部で重なり、その領
域では保持容量が形成される。この保持容量はＥＬ駆動用ＴＦＴ４５０３のゲート電極４
５０６にかかる電圧を保持する機能を有する。
Ｌ駆動用ＴＦＴ４５０３のドレイン配線４５１２と絶縁膜を介して一部で重なり、その領
域では保持容量が形成される。この保持容量はＥＬ駆動用ＴＦＴ４５０３のゲート電極４
５０６にかかる電圧を保持する機能を有する。
スイッチング用ＴＦＴ４５０２およびＥＬ駆動用ＴＦＴ４５０３の上には第１の層間絶
縁膜４５１４が設けられ、その上に樹脂絶縁膜でなる第２の層間絶縁膜４５１５が形成さ
れる。
縁膜４５１４が設けられ、その上に樹脂絶縁膜でなる第２の層間絶縁膜４５１５が形成さ
れる。
４５１７は反射性の高い導電膜でなる画素電極（ＥＬ素子の陰極）であり、ＥＬ駆動用
ＴＦＴ４５０３のドレイン領域に一部が覆い被さるように形成され、電気的に接続される
。画素電極４５１７としてはアルミニウム合金膜、銅合金膜または銀合金膜など低抵抗な
導電膜またはそれらの積層膜を用いることが好ましい。勿論、他の導電膜との積層構造と
しても良い。
ＴＦＴ４５０３のドレイン領域に一部が覆い被さるように形成され、電気的に接続される
。画素電極４５１７としてはアルミニウム合金膜、銅合金膜または銀合金膜など低抵抗な
導電膜またはそれらの積層膜を用いることが好ましい。勿論、他の導電膜との積層構造と
しても良い。
次に有機樹脂膜４５１６を画素電極４５１７上に形成し、画素電極４５１７に面する部
分をパターニングした後、ＥＬ層４５１９が形成される。なおここでは図示していないが
、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色に対応した発光層を作り分けても良い。発光層と
する有機ＥＬ材料としてはπ共役ポリマー系材料を用いる。代表的なポリマー系材料とし
ては、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）系、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）系
、ポリフルオレン系などが挙げられる。
分をパターニングした後、ＥＬ層４５１９が形成される。なおここでは図示していないが
、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色に対応した発光層を作り分けても良い。発光層と
する有機ＥＬ材料としてはπ共役ポリマー系材料を用いる。代表的なポリマー系材料とし
ては、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）系、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）系
、ポリフルオレン系などが挙げられる。
なお、ＰＰＶ系有機ＥＬ材料としては様々な型のものがあるが、例えば「H.Shenk, H.B
ecker, O.Gelsen, E.Kluge, W.Kreuder and H.Spreitzer :“Polymers for Light Emitti
ng Diodes”,Euro Display,Proceedings,1999,p.33-37」や特開平１０−９２５７６号公
報に記載されたような材料を用いれば良い。
ecker, O.Gelsen, E.Kluge, W.Kreuder and H.Spreitzer :“Polymers for Light Emitti
ng Diodes”,Euro Display,Proceedings,1999,p.33-37」や特開平１０−９２５７６号公
報に記載されたような材料を用いれば良い。
具体的な発光層としては、赤色に発光する発光層にはシアノポリフェニレンビニレン、
緑色に発光する発光層にはポリフェニレンビニレン、青色に発光する発光層にはポリフェ
ニレンビニレン若しくはポリアルキルフェニレンを用いれば良い。膜厚は３０〜１５０［
nm］（好ましくは４０〜１００［nm］）とすれば良い。
緑色に発光する発光層にはポリフェニレンビニレン、青色に発光する発光層にはポリフェ
ニレンビニレン若しくはポリアルキルフェニレンを用いれば良い。膜厚は３０〜１５０［
nm］（好ましくは４０〜１００［nm］）とすれば良い。
但し、以上の例は発光層として用いることのできる有機ＥＬ材料の一例であって、これ
に限定する必要はまったくない。発光層、電荷輸送層または電荷注入層を自由に組み合わ
せてＥＬ層（発光およびそのためのキャリアの移動を行わせるための層）を形成すれば良
い。
に限定する必要はまったくない。発光層、電荷輸送層または電荷注入層を自由に組み合わ
せてＥＬ層（発光およびそのためのキャリアの移動を行わせるための層）を形成すれば良
い。
例えば、本実施例ではポリマー系材料を発光層として用いる例を示したが、低分子系有
機ＥＬ材料を用いても良い。また、電荷輸送層や電荷注入層として炭化珪素等の無機材料
を用いることも可能である。これらの有機ＥＬ材料や無機材料は公知の材料を用いること
ができる。
機ＥＬ材料を用いても良い。また、電荷輸送層や電荷注入層として炭化珪素等の無機材料
を用いることも可能である。これらの有機ＥＬ材料や無機材料は公知の材料を用いること
ができる。
陽極４５２３まで形成された時点でＥＬ素子４５１０が完成する。なお、ここでいうＥ
Ｌ素子４５１０とは、画素電極（陰極）４５１７と、発光層４５１９と、正孔注入層４５
２２および陽極４５２３で形成された保持容量とを指す。
Ｌ素子４５１０とは、画素電極（陰極）４５１７と、発光層４５１９と、正孔注入層４５
２２および陽極４５２３で形成された保持容量とを指す。
ところで、本実施例では、陽極４５２３の上にさらにパッシベーション膜４５２４を設
けている。パッシベーション膜４５２４としては窒化珪素膜または窒化酸化珪素膜が好ま
しい。この目的は、外部とＥＬ素子とを遮断することであり、有機ＥＬ材料の酸化による
劣化を防ぐ意味と、有機ＥＬ材料からの脱ガスを抑える意味との両方を併せ持つ。これに
より電子装置の信頼性が高められる。
けている。パッシベーション膜４５２４としては窒化珪素膜または窒化酸化珪素膜が好ま
しい。この目的は、外部とＥＬ素子とを遮断することであり、有機ＥＬ材料の酸化による
劣化を防ぐ意味と、有機ＥＬ材料からの脱ガスを抑える意味との両方を併せ持つ。これに
より電子装置の信頼性が高められる。
以上のように本実施例において説明してきた電子装置は図１３のような構造の画素から
なる画素部を有し、オフ電流値の十分に低いスイッチング用ＴＦＴと、ホットキャリア注
入に強いＥＬ駆動用ＴＦＴとを有する。従って、高い信頼性を有し、且つ、良好な画像表
示が可能な電子装置が得られる。
なる画素部を有し、オフ電流値の十分に低いスイッチング用ＴＦＴと、ホットキャリア注
入に強いＥＬ駆動用ＴＦＴとを有する。従って、高い信頼性を有し、且つ、良好な画像表
示が可能な電子装置が得られる。
本実施例において説明した構造を有するＥＬ素子の場合、発光層４５１９で発生した光
は、矢印で示されるようにＴＦＴが形成された基板の逆方向に向かって放射される。
は、矢印で示されるようにＴＦＴが形成された基板の逆方向に向かって放射される。
本実施例では、実施例５に示した画素部において、ＥＬ素子４５１０の構造を反転させ
た構造について説明する。説明には図１４を用いる。なお、図１３の構造と異なる点はＥ
Ｌ素子の部分とＴＦＴ部分だけであるので、その他の説明は省略することとする。
た構造について説明する。説明には図１４を用いる。なお、図１３の構造と異なる点はＥ
Ｌ素子の部分とＴＦＴ部分だけであるので、その他の説明は省略することとする。
図１２において、スイッチング用ＴＦＴ４５０２は公知の方法で形成されたｐチャネル
型ＴＦＴを用いる。ＥＬ駆動用ＴＦＴ４５０３は公知の方法で形成されたｐチャネル型Ｔ
ＦＴを用いる。ここで、スイッチング用ＴＦＴとＥＬ駆動用ＴＦＴとは、その極性の同じ
物を用いることが望ましい。
型ＴＦＴを用いる。ＥＬ駆動用ＴＦＴ４５０３は公知の方法で形成されたｐチャネル型Ｔ
ＦＴを用いる。ここで、スイッチング用ＴＦＴとＥＬ駆動用ＴＦＴとは、その極性の同じ
物を用いることが望ましい。
本実施例では、画素電極（陽極）４５２５として透明導電膜を用いる。具体的には酸化
インジウムと酸化亜鉛との化合物でなる導電膜を用いる。勿論、酸化インジウムと酸化ス
ズとの化合物でなる導電膜を用いても良い。
インジウムと酸化亜鉛との化合物でなる導電膜を用いる。勿論、酸化インジウムと酸化ス
ズとの化合物でなる導電膜を用いても良い。
そして、樹脂膜でなる第３の層間絶縁膜４５２６が形成された後、発光層４５２８が形
成される。その上にはカリウムアセチルアセトネート（ａｃａｃＫと表記される）でなる
電子注入層４５２９、アルミニウム合金でなる陰極４５３０が形成される。
成される。その上にはカリウムアセチルアセトネート（ａｃａｃＫと表記される）でなる
電子注入層４５２９、アルミニウム合金でなる陰極４５３０が形成される。
その後、実施例５と同様に、有機ＥＬ材料の酸化を防止するためのパッシベーション膜
４５３２が形成され、こうしてＥＬ素子４５３１が形成される。
４５３２が形成され、こうしてＥＬ素子４５３１が形成される。
本実施例において説明した構造を有するＥＬ素子の場合、発光層４５２８で発生した光
は、矢印で示されるようにＴＦＴが形成された基板の方に向かって放射される。
は、矢印で示されるようにＴＦＴが形成された基板の方に向かって放射される。
本実施例においては、実施例１とは異なる駆動方法を本発明の電子装置と組み合わせた
場合について述べる。説明には図１６、図１７を参照する。
場合について述べる。説明には図１６、図１７を参照する。
ここでは、簡単のため、デジタル階調と時間階調とを組み合わせて、３ビットの階調（
２3＝８階調）を表現する場合について説明する。図１６（Ａ）、（Ｂ）にタイミングチ
ャートを示す。１フレーム期間を３つのサブフレーム期間ＳＦ1〜ＳＦ3に分割する。ＳＦ
1〜ＳＦ3の各長さは、２のべき乗で決定される。つまりこの場合、ＳＦ1：ＳＦ2：ＳＦ3
＝４：２：１（２2：２1：２0）となる。
２3＝８階調）を表現する場合について説明する。図１６（Ａ）、（Ｂ）にタイミングチ
ャートを示す。１フレーム期間を３つのサブフレーム期間ＳＦ1〜ＳＦ3に分割する。ＳＦ
1〜ＳＦ3の各長さは、２のべき乗で決定される。つまりこの場合、ＳＦ1：ＳＦ2：ＳＦ3
＝４：２：１（２2：２1：２0）となる。
まず、最初のサブフレーム期間において、１段づつ画素に信号を入力していく。ただし
この場合、実際にゲート信号線が選択されるのは、前半のサブゲート信号線選択期間のみ
である。後半のサブゲート信号線選択期間には、ゲート信号線の選択は行われず、画素へ
の信号の入力も行われない。この動作を、１段目から最終段まで行う。ここで、アドレス
期間は、１段目のゲート信号線が選択されてから、最終段のゲート信号線が選択されるま
での期間である。よって、アドレス期間の長さは、どのサブフレーム期間においても同一
である。
この場合、実際にゲート信号線が選択されるのは、前半のサブゲート信号線選択期間のみ
である。後半のサブゲート信号線選択期間には、ゲート信号線の選択は行われず、画素へ
の信号の入力も行われない。この動作を、１段目から最終段まで行う。ここで、アドレス
期間は、１段目のゲート信号線が選択されてから、最終段のゲート信号線が選択されるま
での期間である。よって、アドレス期間の長さは、どのサブフレーム期間においても同一
である。
続いて、第２のサブフレーム期間に入る。ここでも同様に、１段づつ画素に信号が入力
される。この場合も、前半のサブゲート信号線選択期間においてのみ行われる。この動作
を、１段目から最終段まで行う。
される。この場合も、前半のサブゲート信号線選択期間においてのみ行われる。この動作
を、１段目から最終段まで行う。
この時、全画素の陰極配線には、一定電圧が印加されている。よって、あるサブフレー
ム期間における画素のサステイン（点灯）期間は、あるサブフレーム期間において画素に
信号が書き込まれてから、次のサブフレーム期間において画素に信号が書き込まれ始める
までの期間となる。よって、各段におけるサステイン期間は、時期が異なり、長さが等し
い。
ム期間における画素のサステイン（点灯）期間は、あるサブフレーム期間において画素に
信号が書き込まれてから、次のサブフレーム期間において画素に信号が書き込まれ始める
までの期間となる。よって、各段におけるサステイン期間は、時期が異なり、長さが等し
い。
続いて、第３のサブフレーム期間について説明する。まず、第１、第２のサブフレーム
期間と同様に、前半のサブゲート信号線選択期間においてゲート信号線を選択し、画素に
信号を書き込む場合について考えてみる。この場合、最終段付近の画素への信号の書き込
みが始まる時には、すでに次のフレーム期間での１段目の画素への書き込み期間、つまり
アドレス期間に入ってしまっている。その結果、第３のサブフレーム期間における最終段
付近の画素への書き込みと、次のフレーム期間の第１のサブフレーム期間における前半の
ある画素への書き込みが重複することになるわけである。同時に異なる２段分の信号を異
なる２段の画素に正常に書き込むことはできない。そこで、第３のサブフレーム期間にお
いては、後半のサブゲート信号線選択期間にゲート信号線を選択していくことにする。す
ると、第１のサブフレーム期間（このサブフレーム期間は次のフレーム期間に属している
）ではゲート信号線の選択は前半のサブゲート信号線選択期間において行われているから
、同時に異なる２段の画素に信号を書き込みが行われることを回避することができる。
期間と同様に、前半のサブゲート信号線選択期間においてゲート信号線を選択し、画素に
信号を書き込む場合について考えてみる。この場合、最終段付近の画素への信号の書き込
みが始まる時には、すでに次のフレーム期間での１段目の画素への書き込み期間、つまり
アドレス期間に入ってしまっている。その結果、第３のサブフレーム期間における最終段
付近の画素への書き込みと、次のフレーム期間の第１のサブフレーム期間における前半の
ある画素への書き込みが重複することになるわけである。同時に異なる２段分の信号を異
なる２段の画素に正常に書き込むことはできない。そこで、第３のサブフレーム期間にお
いては、後半のサブゲート信号線選択期間にゲート信号線を選択していくことにする。す
ると、第１のサブフレーム期間（このサブフレーム期間は次のフレーム期間に属している
）ではゲート信号線の選択は前半のサブゲート信号線選択期間において行われているから
、同時に異なる２段の画素に信号を書き込みが行われることを回避することができる。
以上のように、本発明の駆動方法においては、あるサブフレーム期間におけるアドレス
期間が、別のサブフレーム期間におけるアドレス期間と重複する場合、複数のサブゲート
信号線選択期間を利用して書き込み期間の割り当てを行うことにより、実際にゲート信号
線の選択タイミングが重複しないようにすることができる。その結果、画素に正常に信号
を書き込むことができる。
期間が、別のサブフレーム期間におけるアドレス期間と重複する場合、複数のサブゲート
信号線選択期間を利用して書き込み期間の割り当てを行うことにより、実際にゲート信号
線の選択タイミングが重複しないようにすることができる。その結果、画素に正常に信号
を書き込むことができる。
図１７（Ａ）は、本実施例の駆動方法を実施するための回路構成例を示している。画素
部は、本発明の電子装置の構造を有している。
部は、本発明の電子装置の構造を有している。
図１７（Ａ）において、中央に画素部が配置され、その上方には、ソース信号線を制御
するためのソース信号線側駆動回路を有している。また左右には、ゲート信号線を制御す
るための、１対のゲート信号線側駆動回路を有している。第１のゲート信号線側駆動回路
は、前半のサブゲート信号線選択期間にゲート信号線を選択し、第２のゲート信号線側駆
動回路は、後半のサブゲート信号線選択期間にゲート信号線を選択する。
するためのソース信号線側駆動回路を有している。また左右には、ゲート信号線を制御す
るための、１対のゲート信号線側駆動回路を有している。第１のゲート信号線側駆動回路
は、前半のサブゲート信号線選択期間にゲート信号線を選択し、第２のゲート信号線側駆
動回路は、後半のサブゲート信号線選択期間にゲート信号線を選択する。
図１７（Ｂ）は、図１７（Ａ）にて点線枠で示されている１画素部を拡大して示してい
る。１７０１は第１のスイッチング用ＴＦＴ、１７０２は第２のスイッチング用ＴＦＴ、
１７０３はＥＬ駆動用ＴＦＴ、１７０４はＥＬ素子、１７０５は保持容量、１７０６はソ
ース信号線、１７０７は第１のゲート信号線側駆動回路によって選択されるｉ行目の第１
のゲート信号線、１７０８は第２のゲート信号線側駆動回路によって選択されるｉ行目の
第２のゲート信号線、１７０９は陰極電極、１７１０はＥＬ素子の陽極、１７１１はＥＬ
素子の陰極、１７１２はＥＬ素子１７０４への電流供給線として機能する第３のゲート信
号線である。第３のゲート信号線１７１２に関しては、前述の通り、隣り合う１行前の行
のゲート信号線である必要はないが、ここでは簡単のため、隣り合う１行前の行のゲート
信号線に接続されている場合を例にとって説明する。
る。１７０１は第１のスイッチング用ＴＦＴ、１７０２は第２のスイッチング用ＴＦＴ、
１７０３はＥＬ駆動用ＴＦＴ、１７０４はＥＬ素子、１７０５は保持容量、１７０６はソ
ース信号線、１７０７は第１のゲート信号線側駆動回路によって選択されるｉ行目の第１
のゲート信号線、１７０８は第２のゲート信号線側駆動回路によって選択されるｉ行目の
第２のゲート信号線、１７０９は陰極電極、１７１０はＥＬ素子の陽極、１７１１はＥＬ
素子の陰極、１７１２はＥＬ素子１７０４への電流供給線として機能する第３のゲート信
号線である。第３のゲート信号線１７１２に関しては、前述の通り、隣り合う１行前の行
のゲート信号線である必要はないが、ここでは簡単のため、隣り合う１行前の行のゲート
信号線に接続されている場合を例にとって説明する。
前半のサブゲート信号線選択期間にゲート信号線を選択する際には、アドレス期間にお
いて、第１のゲート信号線側駆動回路からの選択パルスが第１のゲート信号線１７０７か
ら入力され、第１のスイッチング用ＴＦＴ１７０１が導通状態となる。その後、サステイ
ン期間でＥＬ駆動用ＴＦＴ１７０３が導通状態となり、第３のゲート信号線１７１２から
供給される電流がＥＬ素子１７０４に流れ、保持容量１７０５がＥＬ駆動用ＴＦＴ１７０
３のゲート電極に印加される電荷を保持している期間だけ発光を続ける。
いて、第１のゲート信号線側駆動回路からの選択パルスが第１のゲート信号線１７０７か
ら入力され、第１のスイッチング用ＴＦＴ１７０１が導通状態となる。その後、サステイ
ン期間でＥＬ駆動用ＴＦＴ１７０３が導通状態となり、第３のゲート信号線１７１２から
供給される電流がＥＬ素子１７０４に流れ、保持容量１７０５がＥＬ駆動用ＴＦＴ１７０
３のゲート電極に印加される電荷を保持している期間だけ発光を続ける。
後半のサブゲート信号線選択期間にゲート信号線を選択する際には、アドレス期間におい
て、第２のゲート信号線側駆動回路からの選択パルスが第２のゲート信号線１７０８から
入力され、第２のスイッチング用ＴＦＴ１７０２が導通状態となる。その後、サステイン
期間でＥＬ駆動用ＴＦＴ１７０３が導通状態となり、第３のゲート信号線１７１２から供
給される電流がＥＬ素子１７０４に流れ、保持容量１７０５がＥＬ駆動用ＴＦＴ１７０３
のゲート電極に印加される電荷を保持している期間だけ発光を続ける。
て、第２のゲート信号線側駆動回路からの選択パルスが第２のゲート信号線１７０８から
入力され、第２のスイッチング用ＴＦＴ１７０２が導通状態となる。その後、サステイン
期間でＥＬ駆動用ＴＦＴ１７０３が導通状態となり、第３のゲート信号線１７１２から供
給される電流がＥＬ素子１７０４に流れ、保持容量１７０５がＥＬ駆動用ＴＦＴ１７０３
のゲート電極に印加される電荷を保持している期間だけ発光を続ける。
このように、本発明の画素は、様々な駆動方法と組み合わせて使用することが可能である
。
。
また、図１７（Ｂ）におけるＴＦＴ１７０１、１７０２、１７０３は、ここではシング
ルゲートＴＦＴを示しているが、本実施例においてはダブルゲート型や、それ以上のゲー
ト電極を有するマルチゲート型を用いても良い。また、ＴＦＴの極性については、ＥＬ素
子の構造等に合わせて決定すれば良い。
ルゲートＴＦＴを示しているが、本実施例においてはダブルゲート型や、それ以上のゲー
ト電極を有するマルチゲート型を用いても良い。また、ＴＦＴの極性については、ＥＬ素
子の構造等に合わせて決定すれば良い。
本実施例においては、実施例１におけるクリア期間による非表示期間を、実施例１とは
異なる方法により設ける駆動方法を本発明の電子装置と組み合わせた場合について述べる
。説明には図１８、図１９を参照する。
異なる方法により設ける駆動方法を本発明の電子装置と組み合わせた場合について述べる
。説明には図１８、図１９を参照する。
図１８（Ａ）は、本実施例の駆動方法を行う際の、ゲート信号線の電位を示すタイミン
グチャートである。各サブフレーム期間におけるゲート信号線選択のタイミングは、実施
例１と同様であるので、ここでは説明を省略する。
グチャートである。各サブフレーム期間におけるゲート信号線選択のタイミングは、実施
例１と同様であるので、ここでは説明を省略する。
実施例１では、サステイン期間Ｔｓ3と、次の行のアドレス期間Ｔａ1の重複を回避する
ために、電流供給線として機能しているゲート信号線の電位を上げることで、非表示期間
（クリア期間）を設けていた。対して、本実施例においては、専用の信号線を用いてリセ
ット信号を入力することにより、実施例１と同様の非表示期間を設ける。ここでは、この
期間をリセット期間（Ｔｒn ｎ：サブフレーム期間に付された番号）と呼ぶことにする
。
ために、電流供給線として機能しているゲート信号線の電位を上げることで、非表示期間
（クリア期間）を設けていた。対して、本実施例においては、専用の信号線を用いてリセ
ット信号を入力することにより、実施例１と同様の非表示期間を設ける。ここでは、この
期間をリセット期間（Ｔｒn ｎ：サブフレーム期間に付された番号）と呼ぶことにする
。
図１９（Ａ）は、本実施例の駆動方法を実施するための回路構成例を示している。画素
部は、本発明の電子装置の構造を有している。
部は、本発明の電子装置の構造を有している。
図１９（Ａ）において、中央に画素部が配置され、その上方には、ソース信号線を制御
するためのソース信号線側駆動回路を有している。また左方には、ゲート信号線を制御す
るための、ゲート信号線側駆動回路を有している。図示していないが、ゲート信号線側駆
動回路は、画素アレイの左右両側に配置するとより効果的に駆動できる。本実施例におけ
るゲート信号線側駆動回路は、リセット信号を出力する回路（図示せず）を有している。
するためのソース信号線側駆動回路を有している。また左方には、ゲート信号線を制御す
るための、ゲート信号線側駆動回路を有している。図示していないが、ゲート信号線側駆
動回路は、画素アレイの左右両側に配置するとより効果的に駆動できる。本実施例におけ
るゲート信号線側駆動回路は、リセット信号を出力する回路（図示せず）を有している。
図１９（Ｂ）は、図１９（Ａ）にて点線枠で示されている１画素部を拡大して示してい
る。１９０１はスイッチング用ＴＦＴ、１９０２はＥＬ駆動用ＴＦＴ、１９０３はＥＬ素
子、１９０４は保持容量、１９０５はリセット用ＴＦＴ、１９０６はソース信号線、１９
０７はｉ行目の第１のゲート信号線、１９０８は陰極電極、１９０９はＥＬ素子の陽極、
１９１０はＥＬ素子の陰極、１９１１はＥＬ素子１９０３への電流供給線として機能する
第２のゲート信号線、１９１２はリセット信号を入力するためのリセット信号線である。
第２のゲート信号線１９１１に関しては、前述の通り、隣り合う１行前の行のゲート信号
線である必要はないが、ここでは簡単のため、隣り合う１行前の行のゲート信号線に接続
されている場合を例にとって説明する。
る。１９０１はスイッチング用ＴＦＴ、１９０２はＥＬ駆動用ＴＦＴ、１９０３はＥＬ素
子、１９０４は保持容量、１９０５はリセット用ＴＦＴ、１９０６はソース信号線、１９
０７はｉ行目の第１のゲート信号線、１９０８は陰極電極、１９０９はＥＬ素子の陽極、
１９１０はＥＬ素子の陰極、１９１１はＥＬ素子１９０３への電流供給線として機能する
第２のゲート信号線、１９１２はリセット信号を入力するためのリセット信号線である。
第２のゲート信号線１９１１に関しては、前述の通り、隣り合う１行前の行のゲート信号
線である必要はないが、ここでは簡単のため、隣り合う１行前の行のゲート信号線に接続
されている場合を例にとって説明する。
ゲート信号線側駆動回路からの選択パルスが第１のゲート信号線１９０７から入力され
、スイッチング用ＴＦＴ１９０１が導通状態となる。その後、サステイン期間でＥＬ駆動
用ＴＦＴ１９０２が導通状態となり、第２のゲート信号線１９１１から供給される電流が
ＥＬ素子１９０３に流れ、保持容量１９０４がＥＬ駆動用ＴＦＴ１９０２のゲート電極に
印加される電荷を保持している期間だけ発光を続ける。
、スイッチング用ＴＦＴ１９０１が導通状態となる。その後、サステイン期間でＥＬ駆動
用ＴＦＴ１９０２が導通状態となり、第２のゲート信号線１９１１から供給される電流が
ＥＬ素子１９０３に流れ、保持容量１９０４がＥＬ駆動用ＴＦＴ１９０２のゲート電極に
印加される電荷を保持している期間だけ発光を続ける。
ここで、図１８（Ｂ）においてサステイン期間Ｔｓ3とアドレス期間Ｔａ1との重複を回
避するため、リセット期間で、リセット信号線１９１２よりリセット信号が入力され、リ
セット用ＴＦＴ１９０５が導通状態となり、保持容量１９０４で保持されていた電荷を逃
がす。よってこの期間はＥＬ素子への電流供給は停止し、非点灯状態となる。
避するため、リセット期間で、リセット信号線１９１２よりリセット信号が入力され、リ
セット用ＴＦＴ１９０５が導通状態となり、保持容量１９０４で保持されていた電荷を逃
がす。よってこの期間はＥＬ素子への電流供給は停止し、非点灯状態となる。
このような方法で非点灯期間を設けることにより、実施例１と同様、アドレス期間とサ
ステイン期間の重複を回避し、正常に画像の表示が可能となる。
ステイン期間の重複を回避し、正常に画像の表示が可能となる。
本実施例で示したような回路を用いる際にも、本発明の電子装置は、容易に応用が可能
である。
である。
また、図１９（Ｂ）におけるＴＦＴ１９０１、１９０２、１９０５は、ここではシング
ルゲートＴＦＴを示しているが、本実施例においてはダブルゲート型や、それ以上のゲー
ト電極を有するマルチゲート型を用いても良い。また、ＴＦＴの極性については、ＥＬ素
子の構造等に合わせて決定すれば良い。
ルゲートＴＦＴを示しているが、本実施例においてはダブルゲート型や、それ以上のゲー
ト電極を有するマルチゲート型を用いても良い。また、ＴＦＴの極性については、ＥＬ素
子の構造等に合わせて決定すれば良い。
本実施例においては、実施例８におけるリセット信号による非表示期間を、実施例８と
は異なる方法により設ける駆動方法を本発明の電子装置と組み合わせた場合について述べ
る。説明には図２０を参照する。
は異なる方法により設ける駆動方法を本発明の電子装置と組み合わせた場合について述べ
る。説明には図２０を参照する。
図２０（Ａ）は、本実施例の駆動方法を実施するための回路構成例を示している。画素
部は、本発明の電子装置の構造を有している。
部は、本発明の電子装置の構造を有している。
図２０（Ａ）において、中央に画素部が配置され、その上方には、ソース信号線を制御
するためのソース信号線側駆動回路を有している。また左方には、ゲート信号線を制御す
るための、ゲート信号線側駆動回路を有している。図示していないが、ゲート信号線側駆
動回路は、画素アレイの左右両側に配置するとより効果的に駆動できる。本実施例におけ
るゲート信号線側駆動回路は、リセット信号を出力する回路（図示せず）を有している。
するためのソース信号線側駆動回路を有している。また左方には、ゲート信号線を制御す
るための、ゲート信号線側駆動回路を有している。図示していないが、ゲート信号線側駆
動回路は、画素アレイの左右両側に配置するとより効果的に駆動できる。本実施例におけ
るゲート信号線側駆動回路は、リセット信号を出力する回路（図示せず）を有している。
図２０（Ｂ）は、図２０（Ａ）にて点線枠で示されている１画素部を拡大して示してい
る。２００１はスイッチング用ＴＦＴ、２００２はＥＬ駆動用ＴＦＴ、２００３はＥＬ素
子、２００４は保持容量、２００５はリセット用ＴＦＴ、２００６はソース信号線、２０
０７はｉ行目の第１のゲート信号線、２００８は陰極電極、２００９はＥＬ素子の陽極、
２０１０はＥＬ素子の陰極、２０１１はＥＬ素子２００３への電流供給線として機能する
第２のゲート信号線、２０１２はリセット信号を入力するためのリセット信号線である。
第２のゲート信号線２０１１に関しては、前述の通り、隣り合う１行前の行のゲート信号
線である必要はないが、ここでは簡単のため、隣り合う１行前の行のゲート信号線に接続
されている場合を例にとって説明する。
る。２００１はスイッチング用ＴＦＴ、２００２はＥＬ駆動用ＴＦＴ、２００３はＥＬ素
子、２００４は保持容量、２００５はリセット用ＴＦＴ、２００６はソース信号線、２０
０７はｉ行目の第１のゲート信号線、２００８は陰極電極、２００９はＥＬ素子の陽極、
２０１０はＥＬ素子の陰極、２０１１はＥＬ素子２００３への電流供給線として機能する
第２のゲート信号線、２０１２はリセット信号を入力するためのリセット信号線である。
第２のゲート信号線２０１１に関しては、前述の通り、隣り合う１行前の行のゲート信号
線である必要はないが、ここでは簡単のため、隣り合う１行前の行のゲート信号線に接続
されている場合を例にとって説明する。
本実施例にて示す回路の駆動方法は、実施例８のものと同様であるので、図１８（Ａ）
（Ｂ）を参照すればよい。ここでは説明を省略する。実施例８においては、リセット信号
の入力により、リセット用ＴＦＴを導通状態にして、保持容量の電荷を逃がす方法により
、リセット期間を設けていた。これに対して本実施例においては、リセット用ＴＦＴ２０
０５を、電流供給線である第２のゲート信号線２０１１と、ＥＬ駆動用ＴＦＴ２００２と
の間に配置する。通常のサステイン期間では、リセット用ＴＦＴは導通状態にあり、第２
のゲート信号線２０１１から供給される電流はＥＬ駆動用ＴＦＴ２００２を通ってＥＬ素
子２００３へと流れる。リセット期間において、リセット信号線２０１２にリセット信号
が入力されると、リセット用ＴＦＴ２００５は非導通状態となり、ＥＬ素子への電流供給
を遮断する。こうすることにより非表示期間を設ける。
（Ｂ）を参照すればよい。ここでは説明を省略する。実施例８においては、リセット信号
の入力により、リセット用ＴＦＴを導通状態にして、保持容量の電荷を逃がす方法により
、リセット期間を設けていた。これに対して本実施例においては、リセット用ＴＦＴ２０
０５を、電流供給線である第２のゲート信号線２０１１と、ＥＬ駆動用ＴＦＴ２００２と
の間に配置する。通常のサステイン期間では、リセット用ＴＦＴは導通状態にあり、第２
のゲート信号線２０１１から供給される電流はＥＬ駆動用ＴＦＴ２００２を通ってＥＬ素
子２００３へと流れる。リセット期間において、リセット信号線２０１２にリセット信号
が入力されると、リセット用ＴＦＴ２００５は非導通状態となり、ＥＬ素子への電流供給
を遮断する。こうすることにより非表示期間を設ける。
このような方法で非点灯期間を設けることにより、実施例１および実施例８と同様、ア
ドレス期間とサステイン期間の重複を回避し、正常に画像の表示が可能となる。
ドレス期間とサステイン期間の重複を回避し、正常に画像の表示が可能となる。
本実施例で示したような回路を用いる際にも、本発明の電子装置は、容易に応用が可能
である。
である。
また、図２０（Ｂ）におけるＴＦＴ２００１、２００２、２００５は、ここではシング
ルゲートＴＦＴを示しているが、本実施例においてはダブルゲート型や、それ以上のゲー
ト電極を有するマルチゲート型を用いても良い。また、ＴＦＴの極性については、ＥＬ素
子の構造等に合わせて決定すれば良い。
ルゲートＴＦＴを示しているが、本実施例においてはダブルゲート型や、それ以上のゲー
ト電極を有するマルチゲート型を用いても良い。また、ＴＦＴの極性については、ＥＬ素
子の構造等に合わせて決定すれば良い。
本実施例においては、実施例１、実施例７〜実施例９とは異なる駆動方法を本発明の画
素と組み合わせた場合について述べる。回路構成に関しては、実施例１で示したものと同
様のもので良い。以下の説明には図５、図２１を参照する。
素と組み合わせた場合について述べる。回路構成に関しては、実施例１で示したものと同
様のもので良い。以下の説明には図５、図２１を参照する。
図２１（Ａ）は、点灯時間の差を利用して階調を表現する時分割階調方法による駆動を
示すタイミングチャートである。本図においては、一例として、フレーム周波数６０[Hz]
、ＶＧＡ、４ビット階調の例を示している。
示すタイミングチャートである。本図においては、一例として、フレーム周波数６０[Hz]
、ＶＧＡ、４ビット階調の例を示している。
１フレーム期間を４個のサブフレーム期間に分割する。各サブフレーム期間は、アドレ
ス期間とサステイン期間とに完全に分離されている。また、サステイン期間Ｔｓ1〜Ｔｓ4
は、Ｔｓ1：Ｔｓ2：Ｔｓ3：Ｔｓ4＝２3：２2：２1：２0＝８：４：２：１となっており、
４ビット＝１６階調を表示出来る。アドレス期間Ｔａ１〜Ｔａ４は、それぞれが１画面分
の画素への書き込みを行う期間であるから、全て長さが等しい。
ス期間とサステイン期間とに完全に分離されている。また、サステイン期間Ｔｓ1〜Ｔｓ4
は、Ｔｓ1：Ｔｓ2：Ｔｓ3：Ｔｓ4＝２3：２2：２1：２0＝８：４：２：１となっており、
４ビット＝１６階調を表示出来る。アドレス期間Ｔａ１〜Ｔａ４は、それぞれが１画面分
の画素への書き込みを行う期間であるから、全て長さが等しい。
１つのサブフレーム期間に行われるデータの書き込みについて説明する。まずソース信
号線を通って入力されるデジタルデータが順にサンプリングされる。１水平期間分（本実
施例の例の場合はＶＧＡであるから、６４０本＋ダミー２本としている）のサンプリング
が終了した後、一斉にデータがラッチされる。これを全てのゲート信号線の分（本実施例
の例の場合はＶＧＡであるから、４８０本＋ダミー２本としている）だけ繰り返し、各ビ
ットにおいて、１フレーム分の書き込みを完了する。
号線を通って入力されるデジタルデータが順にサンプリングされる。１水平期間分（本実
施例の例の場合はＶＧＡであるから、６４０本＋ダミー２本としている）のサンプリング
が終了した後、一斉にデータがラッチされる。これを全てのゲート信号線の分（本実施例
の例の場合はＶＧＡであるから、４８０本＋ダミー２本としている）だけ繰り返し、各ビ
ットにおいて、１フレーム分の書き込みを完了する。
なお、この書き込みが行われている間は、図２１（Ｂ）に示すように、陰極１０８の電
位を、電流供給線（本発明の画素と組み合わせる場合は、電流供給線として機能している
ゲート信号線１１１）の電位と等しくしておく。こうすることにより、その期間はＥＬ素
子１０３の陽極１０９、陰極１１０間には電圧が発生せず、電流は流れない。つまり、ア
ドレス期間中は、画面内のいずれのＥＬ素子１０３も発光することはない。
位を、電流供給線（本発明の画素と組み合わせる場合は、電流供給線として機能している
ゲート信号線１１１）の電位と等しくしておく。こうすることにより、その期間はＥＬ素
子１０３の陽極１０９、陰極１１０間には電圧が発生せず、電流は流れない。つまり、ア
ドレス期間中は、画面内のいずれのＥＬ素子１０３も発光することはない。
アドレス期間内で、各ビットごとに１フレーム分の書き込みが終了した後、先程まで電
流供給線と等しい電位にあった陰極１０８の電位を下げ、点灯させるＥＬ素子の陽極、陰
極間に電圧を生じさせることにより、ＥＬ素子１０３に電流が流れ、発光する。ＥＬ素子
１０３の発光は、スイッチングＴＦＴ１０１がＯＦＦした後も、保持容量１０４によって
ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０２のゲートへの電圧印加が保たれ、一定期間、発光が継続する。
流供給線と等しい電位にあった陰極１０８の電位を下げ、点灯させるＥＬ素子の陽極、陰
極間に電圧を生じさせることにより、ＥＬ素子１０３に電流が流れ、発光する。ＥＬ素子
１０３の発光は、スイッチングＴＦＴ１０１がＯＦＦした後も、保持容量１０４によって
ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０２のゲートへの電圧印加が保たれ、一定期間、発光が継続する。
本実施例で示した駆動方法は容易に実施が可能であり、本発明の電子装置と組み合わせ
る場合においても、容易に応用が可能である。
る場合においても、容易に応用が可能である。
また、図５（Ｂ）におけるスイッチングＴＦＴ１０１は、ここではダブルゲートＴＦＴ
を、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０２は、ここではシングルゲートＴＦＴを示しているが、本実施
例においては、シングルゲート型、ダブルゲート型を問わず、３つ以上のゲート電極を有
するマルチゲート型を用いても良い。また、ＴＦＴの極性については、ＥＬ素子の構造等
に合わせて決定すれば良い。
を、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０２は、ここではシングルゲートＴＦＴを示しているが、本実施
例においては、シングルゲート型、ダブルゲート型を問わず、３つ以上のゲート電極を有
するマルチゲート型を用いても良い。また、ＴＦＴの極性については、ＥＬ素子の構造等
に合わせて決定すれば良い。
本発明において、三重項励起子からの燐光を発光に利用できるＥＬ材料を用いることで
、外部発光量子効率を飛躍的に向上させることができる。これにより、ＥＬ素子の低消費
電力化、長寿命化、および軽量化が可能になる。
、外部発光量子効率を飛躍的に向上させることができる。これにより、ＥＬ素子の低消費
電力化、長寿命化、および軽量化が可能になる。
ここで、三重項励起子を利用し、外部発光量子効率を向上させた報告を示す。
（T.Tsutsui, C.Adachi, S.Saito, Photochemical Processes in Organized Molecular S
ystems, ed.K.Honda,（Elsevier Sci.Pub., Tokyo,1991）p.437.）
上記の論文により報告されたＥＬ材料（クマリン色素）の分子式を以下に示す。
（T.Tsutsui, C.Adachi, S.Saito, Photochemical Processes in Organized Molecular S
ystems, ed.K.Honda,（Elsevier Sci.Pub., Tokyo,1991）p.437.）
上記の論文により報告されたＥＬ材料（クマリン色素）の分子式を以下に示す。
（M.A.Baldo, D.F.O'Brien, Y.You, A.Shoustikov, S.Sibley, M.E.Thompson, S.R.Forre
st, Nature 395（1998）p.151.）
上記の論文により報告されたＥＬ材料（Ｐｔ錯体）の分子式を以下に示す。
st, Nature 395（1998）p.151.）
上記の論文により報告されたＥＬ材料（Ｐｔ錯体）の分子式を以下に示す。
（M.A.Baldo, S.Lamansky, P.E.Burrows, M.E.Thompson, S.R.Forrest, Appl.Phys.Lett.
,75（1999）p.4.）
（T.Tsutsui, M.J.Yang, M.Yahiro, K.Nakamura, T.Watanabe, T.tsuji, Y.Fukuda, T.Wa
kimoto, S.Mayaguchi, Jpn.Appl.Phys., 38（12B）（1999）L1502.）
上記の論文により報告されたＥＬ材料（Ｉｒ錯体）の分子式を以下に示す。
,75（1999）p.4.）
（T.Tsutsui, M.J.Yang, M.Yahiro, K.Nakamura, T.Watanabe, T.tsuji, Y.Fukuda, T.Wa
kimoto, S.Mayaguchi, Jpn.Appl.Phys., 38（12B）（1999）L1502.）
上記の論文により報告されたＥＬ材料（Ｉｒ錯体）の分子式を以下に示す。
以上のように三重項励起子からの燐光発光を利用できれば原理的には一重項励起子からの
蛍光発光を用いる場合より３〜４倍の高い外部発光量子効率の実現が可能となる。なお、
本実施例の構成は、実施例１〜実施例１０のいずれの構成とも自由に組みあせて実施する
ことが可能である。
蛍光発光を用いる場合より３〜４倍の高い外部発光量子効率の実現が可能となる。なお、
本実施例の構成は、実施例１〜実施例１０のいずれの構成とも自由に組みあせて実施する
ことが可能である。
本発明の電子装置を用いたＥＬディスプレイは、自発光型であるため液晶ディスプレイ
に比べて明るい場所での視認性に優れ、しかも視野角が広い。従って、様々な電子機器の
表示部として用いることが出来る。例えば、ＴＶ放送等を大画面で鑑賞するには対角３０
インチ以上（典型的には４０インチ以上）のＥＬディスプレイの表示部として本発明の電
子装置を用いると良い。
に比べて明るい場所での視認性に優れ、しかも視野角が広い。従って、様々な電子機器の
表示部として用いることが出来る。例えば、ＴＶ放送等を大画面で鑑賞するには対角３０
インチ以上（典型的には４０インチ以上）のＥＬディスプレイの表示部として本発明の電
子装置を用いると良い。
なお、ＥＬディスプレイには、パソコン用表示装置、ＴＶ放送受信用表示装置、広告表
示用表示装置等の全ての情報表示用表示装置が含まれる。また、その他にも様々な電子機
器の表示部として本発明のＥＬディスプレイを用いることが出来る。
示用表示装置等の全ての情報表示用表示装置が含まれる。また、その他にも様々な電子機
器の表示部として本発明のＥＬディスプレイを用いることが出来る。
その様な本発明の電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型表示
装置（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオ
ーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯
情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録
媒体を備えた画像再生装置（具体的にはデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）等の記録媒体
を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。特に、
斜め方向から見ることの多い携帯情報端末は視野角の広さが重要視されるため、ＥＬディ
スプレイを用いることが望ましい。それら電子機器の具体例を図２２および図２３に示す
。
装置（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオ
ーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯
情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録
媒体を備えた画像再生装置（具体的にはデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）等の記録媒体
を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。特に、
斜め方向から見ることの多い携帯情報端末は視野角の広さが重要視されるため、ＥＬディ
スプレイを用いることが望ましい。それら電子機器の具体例を図２２および図２３に示す
。
図２２（Ａ）はＥＬディスプレイであり、筐体３３０１、支持台３３０２、表示部３３
０３等を含む。本発明の電子装置は表示部３３０３に用いることが出来る。ＥＬディスプ
レイは自発光型であるためバックライトが必要なく、液晶ディスプレイよりも薄い表示部
とすることが出来る。
０３等を含む。本発明の電子装置は表示部３３０３に用いることが出来る。ＥＬディスプ
レイは自発光型であるためバックライトが必要なく、液晶ディスプレイよりも薄い表示部
とすることが出来る。
図２２（Ｂ）はビデオカメラであり、本体３３１１、表示部３３１２、音声入力部３３
１３、操作スイッチ３３１４、バッテリー３３１５、受像部３３１６等を含む。本発明の
電子装置は表示部３３１２に用いることが出来る。
１３、操作スイッチ３３１４、バッテリー３３１５、受像部３３１６等を含む。本発明の
電子装置は表示部３３１２に用いることが出来る。
図２２（Ｃ）はヘッドマウントＥＬディスプレイの一部（右片側）であり、本体３３２
１、信号ケーブル３３２２、頭部固定バンド３３２３、表示部３３２４、光学系３３２５
、表示装置３３２６等を含む。本発明の電子装置は表示装置３３２６に用いることが出来
る。
１、信号ケーブル３３２２、頭部固定バンド３３２３、表示部３３２４、光学系３３２５
、表示装置３３２６等を含む。本発明の電子装置は表示装置３３２６に用いることが出来
る。
図２２（Ｄ）は記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）
であり、本体３３３１、記録媒体（ＤＶＤ等）３３３２、操作スイッチ３３３３、表示部
（ａ）３３３４、表示部（ｂ）３３３５等を含む。表示部（ａ）３３３４は主として画像
情報を表示し、表示部（ｂ）３３３５は主として文字情報を表示するが、本発明の電子装
置はこれら表示部（ａ）３３３４、表示部（ｂ）３３３５に用いることが出来る。なお、
記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。
であり、本体３３３１、記録媒体（ＤＶＤ等）３３３２、操作スイッチ３３３３、表示部
（ａ）３３３４、表示部（ｂ）３３３５等を含む。表示部（ａ）３３３４は主として画像
情報を表示し、表示部（ｂ）３３３５は主として文字情報を表示するが、本発明の電子装
置はこれら表示部（ａ）３３３４、表示部（ｂ）３３３５に用いることが出来る。なお、
記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。
図２２（Ｅ）はゴーグル型表示装置（ヘッドマウントディスプレイ）であり、本体３３
４１、表示部３３４２、アーム部３３４３を含む。本発明の電子装置は表示部３３４２に
用いることが出来る。
４１、表示部３３４２、アーム部３３４３を含む。本発明の電子装置は表示部３３４２に
用いることが出来る。
図２２（Ｆ）はパーソナルコンピュータであり、本体３３５１、筐体３３５２、表示部
３３５３、キーボード３３５４等を含む。本発明の電子装置は表示部３３５３に用いるこ
とが出来る。
３３５３、キーボード３３５４等を含む。本発明の電子装置は表示部３３５３に用いるこ
とが出来る。
なお、将来的にＥＬ材料の発光輝度が高くなれば、出力した画像情報を含む光をレンズ
等で拡大投影してフロント型あるいはリア型のプロジェクターに用いることも可能となる
。
等で拡大投影してフロント型あるいはリア型のプロジェクターに用いることも可能となる
。
また、上記電子機器はインターネットやＣＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回
線を通じて配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情報を表示する機会が増
してきている。ＥＬ材料の応答速度は非常に高いため、ＥＬディスプレイは動画表示に好
ましい。
線を通じて配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情報を表示する機会が増
してきている。ＥＬ材料の応答速度は非常に高いため、ＥＬディスプレイは動画表示に好
ましい。
また、ＥＬディスプレイは発光している部分が電力を消費するため、発光部分が極力少
なくなるように情報を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特に携帯電話や
音響再生装置のような文字情報を主とする表示部にＥＬディスプレイを用いる場合には、
非発光部分を背景として文字情報を発光部分で形成するように駆動することが望ましい。
なくなるように情報を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特に携帯電話や
音響再生装置のような文字情報を主とする表示部にＥＬディスプレイを用いる場合には、
非発光部分を背景として文字情報を発光部分で形成するように駆動することが望ましい。
図２３（Ａ）は携帯電話であり、本体３４０１、音声出力部３４０２、音声入力部３４
０３、表示部３４０４、操作スイッチ３４０５、アンテナ３４０６を含む。本発明の電子
装置は表示部３４０４に用いることが出来る。なお、表示部３４０４は黒色の背景に白色
の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑えることが出来る。
０３、表示部３４０４、操作スイッチ３４０５、アンテナ３４０６を含む。本発明の電子
装置は表示部３４０４に用いることが出来る。なお、表示部３４０４は黒色の背景に白色
の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑えることが出来る。
図２３（Ｂ）は音響再生装置、具体的にはカーオーディオであり、本体３４１１、表示
部３４１２、操作スイッチ３４１３、３４１４を含む。本発明の電子装置は表示部３４１
２に用いることが出来る。また、本実施例では車載用オーディオを示すが、携帯型や家庭
用の音響再生装置に用いても良い。なお、表示部３４１４は黒色の背景に白色の文字を表
示することで消費電力を抑えられる。これは携帯型の音響再生装置において特に有効であ
る。
部３４１２、操作スイッチ３４１３、３４１４を含む。本発明の電子装置は表示部３４１
２に用いることが出来る。また、本実施例では車載用オーディオを示すが、携帯型や家庭
用の音響再生装置に用いても良い。なお、表示部３４１４は黒色の背景に白色の文字を表
示することで消費電力を抑えられる。これは携帯型の音響再生装置において特に有効であ
る。
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に用いることが
可能である。また、本実施例の電子機器は実施例１〜実施例１１に示したいずれの構成の
電子装置を用いても良い。
可能である。また、本実施例の電子機器は実施例１〜実施例１１に示したいずれの構成の
電子装置を用いても良い。
Claims (1)
- 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、第４の導電層と、第５の導電層と、第６の導電層と、発光素子と、を有し、
前記第１のトランジスタは、チャネルを形成することができる機能を有する領域を複数有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１の導電層に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の導電層を介して前記第３の導電層に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４の導電層を介して前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第５の導電層を介して前記発光素子に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６の導電層に電気的に接続され、
前記第１の導電層と前記第６の導電層とは、第１の方向に延びて設けられ、
前記第３の導電層は、前記第１の方向と交差する第２の方向に延びて設けられ、
前記第１の導電層、前記第２の導電層、前記第４の導電層、前記第５の導電層及び前記第６の導電層は、同一の層に設けられ、
前記第３の導電層は、前記第１の導電層とは異なる層に設けられていることを特徴とする発光装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000087683 | 2000-03-27 | ||
| JP2000087683 | 2000-03-27 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015155970A Division JP2015232724A (ja) | 2000-03-27 | 2015-08-06 | 電子装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018223032A Division JP6695407B2 (ja) | 2000-03-27 | 2018-11-29 | 発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017151459A true JP2017151459A (ja) | 2017-08-31 |
| JP6603680B2 JP6603680B2 (ja) | 2019-11-06 |
Family
ID=18603655
Family Applications (11)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011003121A Expired - Lifetime JP5089782B2 (ja) | 2000-03-27 | 2011-01-11 | 半導体装置の作製方法、発光装置の作製方法、モジュールの作製方法、電子機器の作製方法 |
| JP2011272981A Expired - Lifetime JP5292452B2 (ja) | 2000-03-27 | 2011-12-14 | 発光装置、モジュール、及び電子機器 |
| JP2013011026A Expired - Lifetime JP5823995B2 (ja) | 2000-03-27 | 2013-01-24 | 発光装置、モジュール及び電子機器 |
| JP2013011025A Expired - Lifetime JP5386646B2 (ja) | 2000-03-27 | 2013-01-24 | 発光装置、モジュール、電子機器 |
| JP2013011024A Expired - Fee Related JP5487337B2 (ja) | 2000-03-27 | 2013-01-24 | 発光装置、モジュール、電子機器 |
| JP2014063187A Withdrawn JP2014112268A (ja) | 2000-03-27 | 2014-03-26 | 電子装置 |
| JP2015155969A Expired - Lifetime JP5917755B2 (ja) | 2000-03-27 | 2015-08-06 | 発光装置、モジュール及び電子機器 |
| JP2015155970A Withdrawn JP2015232724A (ja) | 2000-03-27 | 2015-08-06 | 電子装置 |
| JP2017081074A Expired - Lifetime JP6603680B2 (ja) | 2000-03-27 | 2017-04-17 | 発光装置 |
| JP2018223032A Expired - Lifetime JP6695407B2 (ja) | 2000-03-27 | 2018-11-29 | 発光装置 |
| JP2020035792A Withdrawn JP2020144365A (ja) | 2000-03-27 | 2020-03-03 | 発光装置 |
Family Applications Before (8)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011003121A Expired - Lifetime JP5089782B2 (ja) | 2000-03-27 | 2011-01-11 | 半導体装置の作製方法、発光装置の作製方法、モジュールの作製方法、電子機器の作製方法 |
| JP2011272981A Expired - Lifetime JP5292452B2 (ja) | 2000-03-27 | 2011-12-14 | 発光装置、モジュール、及び電子機器 |
| JP2013011026A Expired - Lifetime JP5823995B2 (ja) | 2000-03-27 | 2013-01-24 | 発光装置、モジュール及び電子機器 |
| JP2013011025A Expired - Lifetime JP5386646B2 (ja) | 2000-03-27 | 2013-01-24 | 発光装置、モジュール、電子機器 |
| JP2013011024A Expired - Fee Related JP5487337B2 (ja) | 2000-03-27 | 2013-01-24 | 発光装置、モジュール、電子機器 |
| JP2014063187A Withdrawn JP2014112268A (ja) | 2000-03-27 | 2014-03-26 | 電子装置 |
| JP2015155969A Expired - Lifetime JP5917755B2 (ja) | 2000-03-27 | 2015-08-06 | 発光装置、モジュール及び電子機器 |
| JP2015155970A Withdrawn JP2015232724A (ja) | 2000-03-27 | 2015-08-06 | 電子装置 |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018223032A Expired - Lifetime JP6695407B2 (ja) | 2000-03-27 | 2018-11-29 | 発光装置 |
| JP2020035792A Withdrawn JP2020144365A (ja) | 2000-03-27 | 2020-03-03 | 発光装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (6) | US6475845B2 (ja) |
| EP (1) | EP1139454A3 (ja) |
| JP (11) | JP5089782B2 (ja) |
| KR (1) | KR100802344B1 (ja) |
| CN (2) | CN101154350B (ja) |
| TW (1) | TW521226B (ja) |
Families Citing this family (191)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001177101A (ja) * | 1999-12-20 | 2001-06-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP4493779B2 (ja) | 2000-01-31 | 2010-06-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
| TW521303B (en) | 2000-02-28 | 2003-02-21 | Semiconductor Energy Lab | Electronic device |
| US7129918B2 (en) | 2000-03-10 | 2006-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and method of driving electronic device |
| TW521226B (en) * | 2000-03-27 | 2003-02-21 | Semiconductor Energy Lab | Electro-optical device |
| US7525165B2 (en) * | 2000-04-17 | 2009-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| US20010030511A1 (en) * | 2000-04-18 | 2001-10-18 | Shunpei Yamazaki | Display device |
| US6528951B2 (en) * | 2000-06-13 | 2003-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US6781567B2 (en) * | 2000-09-29 | 2004-08-24 | Seiko Epson Corporation | Driving method for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus |
| US6912021B2 (en) * | 2001-01-22 | 2005-06-28 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, method for driving electro-optical device, electronic apparatus, and method for driving electronic apparatus |
| US7569849B2 (en) * | 2001-02-16 | 2009-08-04 | Ignis Innovation Inc. | Pixel driver circuit and pixel circuit having the pixel driver circuit |
| JP4383743B2 (ja) * | 2001-02-16 | 2009-12-16 | イグニス・イノベイション・インコーポレーテッド | 有機発光ダイオード表示器用のピクセル電流ドライバ |
| JP3612494B2 (ja) * | 2001-03-28 | 2005-01-19 | 株式会社日立製作所 | 表示装置 |
| US7211828B2 (en) | 2001-06-20 | 2007-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic apparatus |
| TW548860B (en) * | 2001-06-20 | 2003-08-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| TW546857B (en) * | 2001-07-03 | 2003-08-11 | Semiconductor Energy Lab | Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment |
| GB2381658B (en) * | 2001-07-25 | 2004-03-03 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Active matrix organic electroluminescent device simplifying a fabricating process and a fabricating method thereof |
| JP4166455B2 (ja) * | 2001-10-01 | 2008-10-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 偏光フィルム及び発光装置 |
| US7365713B2 (en) * | 2001-10-24 | 2008-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
| KR100940342B1 (ko) * | 2001-11-13 | 2010-02-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 및 그 구동방법 |
| US6815723B2 (en) * | 2001-12-28 | 2004-11-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor |
| KR100453635B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2004-10-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 능동행렬 유기전기발광소자 |
| KR100484591B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2005-04-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법 |
| US7098069B2 (en) | 2002-01-24 | 2006-08-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of preparing the same and device for fabricating the same |
| JP3818261B2 (ja) | 2002-01-24 | 2006-09-06 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置及び電子機器 |
| TWI286044B (en) * | 2002-02-22 | 2007-08-21 | Semiconductor Energy Lab | Light-emitting device and method of manufacturing the same, and method of operating manufacturing apparatus |
| EP1490909B1 (en) * | 2002-03-20 | 2007-08-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Active matrix electroluminescent display devices and their manufacture |
| US7038239B2 (en) | 2002-04-09 | 2006-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element and display device using the same |
| JP3989761B2 (ja) | 2002-04-09 | 2007-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体表示装置 |
| JP3989763B2 (ja) * | 2002-04-15 | 2007-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体表示装置 |
| JP4463493B2 (ja) | 2002-04-15 | 2010-05-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及びその作製方法 |
| US7579771B2 (en) | 2002-04-23 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US7786496B2 (en) | 2002-04-24 | 2010-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
| JP2003332045A (ja) * | 2002-05-09 | 2003-11-21 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
| US7164155B2 (en) * | 2002-05-15 | 2007-01-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US7256421B2 (en) | 2002-05-17 | 2007-08-14 | Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. | Display device having a structure for preventing the deterioration of a light emitting device |
| US7897979B2 (en) | 2002-06-07 | 2011-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| KR100637130B1 (ko) * | 2002-06-12 | 2006-10-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
| TWI265636B (en) * | 2002-06-21 | 2006-11-01 | Sanyo Electric Co | Method for producing thin film transistor |
| SG119187A1 (en) * | 2002-06-28 | 2006-02-28 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and manufacturing method therefor |
| JP3829778B2 (ja) * | 2002-08-07 | 2006-10-04 | セイコーエプソン株式会社 | 電子回路、電気光学装置、及び電子機器 |
| JP3977299B2 (ja) * | 2002-09-18 | 2007-09-19 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、マトリクス基板、及び電子機器 |
| JP2004139042A (ja) * | 2002-09-24 | 2004-05-13 | Seiko Epson Corp | 電子回路、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器 |
| KR100905473B1 (ko) * | 2002-12-03 | 2009-07-02 | 삼성전자주식회사 | 유기 이엘 표시판 및 그 제조 방법 |
| US7710019B2 (en) | 2002-12-11 | 2010-05-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display comprising auxiliary electrodes |
| KR100919635B1 (ko) * | 2002-12-31 | 2009-09-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 능동행렬 표시장치 |
| CA2419704A1 (en) | 2003-02-24 | 2004-08-24 | Ignis Innovation Inc. | Method of manufacturing a pixel with organic light-emitting diode |
| WO2004086343A1 (ja) | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 素子基板及び発光装置 |
| KR100490322B1 (ko) * | 2003-04-07 | 2005-05-17 | 삼성전자주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
| KR100943273B1 (ko) * | 2003-05-07 | 2010-02-23 | 삼성전자주식회사 | 4-컬러 변환 방법 및 그 장치와 이를 이용한 유기전계발광표시장치 |
| GB0313041D0 (en) * | 2003-06-06 | 2003-07-09 | Koninkl Philips Electronics Nv | Display device having current-driven pixels |
| JP4222119B2 (ja) * | 2003-06-18 | 2009-02-12 | ブリヂストンスポーツ株式会社 | ゴルフクラブヘッド |
| US20080081105A1 (en) * | 2003-09-22 | 2008-04-03 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Method of fabricating full color organic light-emtting device having color modulation layer using liti method |
| US7230374B2 (en) * | 2003-09-22 | 2007-06-12 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Full color organic light-emitting device having color modulation layer |
| KR20050029426A (ko) * | 2003-09-22 | 2005-03-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 칼라필터층 또는 색변환층을 갖는 풀칼라 유기전계발광소자 |
| US20050093435A1 (en) * | 2003-09-22 | 2005-05-05 | Suh Min-Chul | Full color organic light-emtting device having color modulation layer |
| CA2443206A1 (en) | 2003-09-23 | 2005-03-23 | Ignis Innovation Inc. | Amoled display backplanes - pixel driver circuits, array architecture, and external compensation |
| TWI250504B (en) * | 2004-07-02 | 2006-03-01 | Hannstar Display Corp | Pixel structure of a liquid crystal display and driving method thereof |
| KR100581903B1 (ko) * | 2004-03-09 | 2006-05-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 발광 디스플레이 장치 |
| EP1605431A1 (en) * | 2004-06-09 | 2005-12-14 | Thomson Licensing | Active-matrix display device with reduced number of electrodes |
| FR2871939B1 (fr) * | 2004-06-18 | 2007-01-26 | Commissariat Energie Atomique | Agencement ameliore des composants d'un pixel oled |
| JP2006012786A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光素子、並びに該製造方法 |
| CA2472671A1 (en) | 2004-06-29 | 2005-12-29 | Ignis Innovation Inc. | Voltage-programming scheme for current-driven amoled displays |
| JP4193805B2 (ja) * | 2004-07-27 | 2008-12-10 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および画像形成装置 |
| US8194006B2 (en) | 2004-08-23 | 2012-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, driving method of the same, and electronic device comprising monitoring elements |
| US7258625B2 (en) | 2004-09-08 | 2007-08-21 | Nike, Inc. | Golf clubs and golf club heads |
| US7868903B2 (en) * | 2004-10-14 | 2011-01-11 | Daktronics, Inc. | Flexible pixel element fabrication and sealing method |
| US20060103299A1 (en) * | 2004-11-15 | 2006-05-18 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Polycrystalline silicon as an electrode for a light emitting diode & method of making the same |
| KR101333509B1 (ko) * | 2004-12-06 | 2013-11-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 표시 모듈, 및 휴대 전화 |
| CA2490858A1 (en) | 2004-12-07 | 2006-06-07 | Ignis Innovation Inc. | Driving method for compensated voltage-programming of amoled displays |
| US8599191B2 (en) | 2011-05-20 | 2013-12-03 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
| US20140111567A1 (en) | 2005-04-12 | 2014-04-24 | Ignis Innovation Inc. | System and method for compensation of non-uniformities in light emitting device displays |
| US9171500B2 (en) | 2011-05-20 | 2015-10-27 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of parasitic parameters in AMOLED displays |
| US9280933B2 (en) | 2004-12-15 | 2016-03-08 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
| KR20070101275A (ko) | 2004-12-15 | 2007-10-16 | 이그니스 이노베이션 인크. | 발광 소자를 프로그래밍하고, 교정하고, 구동시키기 위한방법 및 시스템 |
| US9275579B2 (en) | 2004-12-15 | 2016-03-01 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
| US9799246B2 (en) | 2011-05-20 | 2017-10-24 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
| US10012678B2 (en) | 2004-12-15 | 2018-07-03 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display |
| US8576217B2 (en) | 2011-05-20 | 2013-11-05 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
| US10013907B2 (en) | 2004-12-15 | 2018-07-03 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display |
| US20060139265A1 (en) * | 2004-12-28 | 2006-06-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving method of display device |
| US7646367B2 (en) * | 2005-01-21 | 2010-01-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device and electronic apparatus |
| CA2495726A1 (en) | 2005-01-28 | 2006-07-28 | Ignis Innovation Inc. | Locally referenced voltage programmed pixel for amoled displays |
| CA2496642A1 (en) | 2005-02-10 | 2006-08-10 | Ignis Innovation Inc. | Fast settling time driving method for organic light-emitting diode (oled) displays based on current programming |
| TW200707376A (en) | 2005-06-08 | 2007-02-16 | Ignis Innovation Inc | Method and system for driving a light emitting device display |
| US8138502B2 (en) | 2005-08-05 | 2012-03-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
| KR101152134B1 (ko) * | 2005-08-26 | 2012-06-15 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CA2518276A1 (en) | 2005-09-13 | 2007-03-13 | Ignis Innovation Inc. | Compensation technique for luminance degradation in electro-luminance devices |
| JP4487903B2 (ja) * | 2005-11-09 | 2010-06-23 | ソニー株式会社 | 画像処理装置および方法、並びにプログラム |
| KR100708740B1 (ko) * | 2005-12-12 | 2007-04-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 |
| WO2007077715A1 (ja) * | 2006-01-05 | 2007-07-12 | Konica Minolta Holdings, Inc. | ボトムエミッション型有機エレクトロルミネッセンスパネル |
| US9489891B2 (en) | 2006-01-09 | 2016-11-08 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for driving an active matrix display circuit |
| US9269322B2 (en) | 2006-01-09 | 2016-02-23 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for driving an active matrix display circuit |
| EP2458579B1 (en) | 2006-01-09 | 2017-09-20 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for driving an active matrix display circuit |
| CN101501748B (zh) * | 2006-04-19 | 2012-12-05 | 伊格尼斯创新有限公司 | 有源矩阵显示器的稳定驱动设计 |
| KR100769444B1 (ko) | 2006-06-09 | 2007-10-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광표시장치 |
| CA2556961A1 (en) | 2006-08-15 | 2008-02-15 | Ignis Innovation Inc. | Oled compensation technique based on oled capacitance |
| TWI442368B (zh) * | 2006-10-26 | 2014-06-21 | Semiconductor Energy Lab | 電子裝置，顯示裝置，和半導體裝置，以及其驅動方法 |
| JP4305516B2 (ja) * | 2007-01-30 | 2009-07-29 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及び固体撮像装置 |
| JP5116359B2 (ja) * | 2007-05-17 | 2013-01-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| KR101526475B1 (ko) * | 2007-06-29 | 2015-06-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 그 구동 방법 |
| GB2453372A (en) * | 2007-10-05 | 2009-04-08 | Cambridge Display Tech Ltd | A pixel driver circuit for active matrix driving of an organic light emitting diode (OLED) |
| CN102057418B (zh) | 2008-04-18 | 2014-11-12 | 伊格尼斯创新公司 | 用于发光器件显示器的系统和驱动方法 |
| CA2637343A1 (en) | 2008-07-29 | 2010-01-29 | Ignis Innovation Inc. | Improving the display source driver |
| JP5525224B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2014-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP2010153813A (ja) | 2008-11-18 | 2010-07-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法、並びに、携帯電話機 |
| US9370075B2 (en) | 2008-12-09 | 2016-06-14 | Ignis Innovation Inc. | System and method for fast compensation programming of pixels in a display |
| US20100224878A1 (en) | 2009-03-05 | 2010-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP5339972B2 (ja) * | 2009-03-10 | 2013-11-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 画像表示装置 |
| US9384698B2 (en) | 2009-11-30 | 2016-07-05 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for aging compensation in AMOLED displays |
| CA2688870A1 (en) | 2009-11-30 | 2011-05-30 | Ignis Innovation Inc. | Methode and techniques for improving display uniformity |
| US10319307B2 (en) | 2009-06-16 | 2019-06-11 | Ignis Innovation Inc. | Display system with compensation techniques and/or shared level resources |
| CA2669367A1 (en) | 2009-06-16 | 2010-12-16 | Ignis Innovation Inc | Compensation technique for color shift in displays |
| US9311859B2 (en) | 2009-11-30 | 2016-04-12 | Ignis Innovation Inc. | Resetting cycle for aging compensation in AMOLED displays |
| JP2011013420A (ja) * | 2009-07-01 | 2011-01-20 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、その駆動方法および電子機器 |
| US8576209B2 (en) | 2009-07-07 | 2013-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US8283967B2 (en) | 2009-11-12 | 2012-10-09 | Ignis Innovation Inc. | Stable current source for system integration to display substrate |
| US10996258B2 (en) | 2009-11-30 | 2021-05-04 | Ignis Innovation Inc. | Defect detection and correction of pixel circuits for AMOLED displays |
| US8803417B2 (en) | 2009-12-01 | 2014-08-12 | Ignis Innovation Inc. | High resolution pixel architecture |
| CA2687631A1 (en) | 2009-12-06 | 2011-06-06 | Ignis Innovation Inc | Low power driving scheme for display applications |
| US10089921B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-10-02 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
| CA2692097A1 (en) | 2010-02-04 | 2011-08-04 | Ignis Innovation Inc. | Extracting correlation curves for light emitting device |
| US9881532B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-01-30 | Ignis Innovation Inc. | System and method for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
| US10176736B2 (en) | 2010-02-04 | 2019-01-08 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
| US10163401B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-12-25 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
| US20140313111A1 (en) | 2010-02-04 | 2014-10-23 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
| KR100993093B1 (ko) * | 2010-02-04 | 2010-11-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 발광 소자 패키지 |
| CA2696778A1 (en) | 2010-03-17 | 2011-09-17 | Ignis Innovation Inc. | Lifetime, uniformity, parameter extraction methods |
| TWI437342B (zh) * | 2010-05-21 | 2014-05-11 | Au Optronics Corp | 電泳顯示器及其畫素結構 |
| US8907991B2 (en) | 2010-12-02 | 2014-12-09 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for thermal compensation in AMOLED displays |
| US8928010B2 (en) * | 2011-02-25 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US9886899B2 (en) | 2011-05-17 | 2018-02-06 | Ignis Innovation Inc. | Pixel Circuits for AMOLED displays |
| US9351368B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-05-24 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
| CN103688302B (zh) | 2011-05-17 | 2016-06-29 | 伊格尼斯创新公司 | 用于显示系统的使用动态功率控制的系统和方法 |
| US20140368491A1 (en) | 2013-03-08 | 2014-12-18 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for amoled displays |
| US9606607B2 (en) | 2011-05-17 | 2017-03-28 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods for display systems with dynamic power control |
| US9530349B2 (en) | 2011-05-20 | 2016-12-27 | Ignis Innovations Inc. | Charged-based compensation and parameter extraction in AMOLED displays |
| US9466240B2 (en) | 2011-05-26 | 2016-10-11 | Ignis Innovation Inc. | Adaptive feedback system for compensating for aging pixel areas with enhanced estimation speed |
| CN106910464B (zh) | 2011-05-27 | 2020-04-24 | 伊格尼斯创新公司 | 补偿显示器阵列中像素的系统和驱动发光器件的像素电路 |
| WO2012164474A2 (en) | 2011-05-28 | 2012-12-06 | Ignis Innovation Inc. | System and method for fast compensation programming of pixels in a display |
| US8901579B2 (en) | 2011-08-03 | 2014-12-02 | Ignis Innovation Inc. | Organic light emitting diode and method of manufacturing |
| US9070775B2 (en) | 2011-08-03 | 2015-06-30 | Ignis Innovations Inc. | Thin film transistor |
| JP5909759B2 (ja) * | 2011-09-07 | 2016-04-27 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 画素回路、表示パネル、表示装置および電子機器 |
| US9324268B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-04-26 | Ignis Innovation Inc. | Amoled displays with multiple readout circuits |
| US10089924B2 (en) | 2011-11-29 | 2018-10-02 | Ignis Innovation Inc. | Structural and low-frequency non-uniformity compensation |
| US9385169B2 (en) | 2011-11-29 | 2016-07-05 | Ignis Innovation Inc. | Multi-functional active matrix organic light-emitting diode display |
| US8937632B2 (en) | 2012-02-03 | 2015-01-20 | Ignis Innovation Inc. | Driving system for active-matrix displays |
| US9747834B2 (en) | 2012-05-11 | 2017-08-29 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits including feedback capacitors and reset capacitors, and display systems therefore |
| US8922544B2 (en) | 2012-05-23 | 2014-12-30 | Ignis Innovation Inc. | Display systems with compensation for line propagation delay |
| US9336717B2 (en) | 2012-12-11 | 2016-05-10 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
| US9786223B2 (en) | 2012-12-11 | 2017-10-10 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
| DE112014000422T5 (de) | 2013-01-14 | 2015-10-29 | Ignis Innovation Inc. | Ansteuerschema für Emissionsanzeigen, das eine Kompensation für Ansteuertransistorschwankungen bereitstellt |
| US9830857B2 (en) | 2013-01-14 | 2017-11-28 | Ignis Innovation Inc. | Cleaning common unwanted signals from pixel measurements in emissive displays |
| CA2894717A1 (en) | 2015-06-19 | 2016-12-19 | Ignis Innovation Inc. | Optoelectronic device characterization in array with shared sense line |
| US9721505B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-08-01 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
| EP2779147B1 (en) | 2013-03-14 | 2016-03-02 | Ignis Innovation Inc. | Re-interpolation with edge detection for extracting an aging pattern for AMOLED displays |
| DE112014001402T5 (de) | 2013-03-15 | 2016-01-28 | Ignis Innovation Inc. | Dynamische Anpassung von Berührungsauflösungen einer Amoled-Anzeige |
| WO2014174427A1 (en) | 2013-04-22 | 2014-10-30 | Ignis Innovation Inc. | Inspection system for oled display panels |
| CN103295962A (zh) | 2013-05-29 | 2013-09-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法，显示装置 |
| WO2015022626A1 (en) | 2013-08-12 | 2015-02-19 | Ignis Innovation Inc. | Compensation accuracy |
| CN103926772B (zh) * | 2013-10-07 | 2018-01-23 | 上海天马微电子有限公司 | Tft阵列基板、显示面板和显示装置 |
| KR101470968B1 (ko) * | 2013-11-01 | 2014-12-09 | 호서대학교 산학협력단 | Vdd 전원 라인 없이 문턱전압과 전압강하를 보상하는 유기발광 다이오드 화소 회로 |
| JP6219696B2 (ja) | 2013-11-27 | 2017-10-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 発光表示装置及び発光表示装置の製造方法 |
| US9741282B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-08-22 | Ignis Innovation Inc. | OLED display system and method |
| US9761170B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-09-12 | Ignis Innovation Inc. | Correction for localized phenomena in an image array |
| US9502653B2 (en) | 2013-12-25 | 2016-11-22 | Ignis Innovation Inc. | Electrode contacts |
| US10997901B2 (en) | 2014-02-28 | 2021-05-04 | Ignis Innovation Inc. | Display system |
| US10176752B2 (en) | 2014-03-24 | 2019-01-08 | Ignis Innovation Inc. | Integrated gate driver |
| US10192479B2 (en) | 2014-04-08 | 2019-01-29 | Ignis Innovation Inc. | Display system using system level resources to calculate compensation parameters for a display module in a portable device |
| CA2872563A1 (en) | 2014-11-28 | 2016-05-28 | Ignis Innovation Inc. | High pixel density array architecture |
| CA2873476A1 (en) | 2014-12-08 | 2016-06-08 | Ignis Innovation Inc. | Smart-pixel display architecture |
| WO2016098651A1 (ja) * | 2014-12-16 | 2016-06-23 | シャープ株式会社 | 半導体装置、その製造方法、および半導体装置を備えた表示装置 |
| CA2879462A1 (en) | 2015-01-23 | 2016-07-23 | Ignis Innovation Inc. | Compensation for color variation in emissive devices |
| CA2886862A1 (en) | 2015-04-01 | 2016-10-01 | Ignis Innovation Inc. | Adjusting display brightness for avoiding overheating and/or accelerated aging |
| CA2889870A1 (en) | 2015-05-04 | 2016-11-04 | Ignis Innovation Inc. | Optical feedback system |
| CA2892714A1 (en) | 2015-05-27 | 2016-11-27 | Ignis Innovation Inc | Memory bandwidth reduction in compensation system |
| CA2898282A1 (en) | 2015-07-24 | 2017-01-24 | Ignis Innovation Inc. | Hybrid calibration of current sources for current biased voltage progra mmed (cbvp) displays |
| US10373554B2 (en) | 2015-07-24 | 2019-08-06 | Ignis Innovation Inc. | Pixels and reference circuits and timing techniques |
| US10657895B2 (en) | 2015-07-24 | 2020-05-19 | Ignis Innovation Inc. | Pixels and reference circuits and timing techniques |
| CA2900170A1 (en) | 2015-08-07 | 2017-02-07 | Gholamreza Chaji | Calibration of pixel based on improved reference values |
| CA2908285A1 (en) | 2015-10-14 | 2017-04-14 | Ignis Innovation Inc. | Driver with multiple color pixel structure |
| CA2909813A1 (en) | 2015-10-26 | 2017-04-26 | Ignis Innovation Inc | High ppi pattern orientation |
| JP6746421B2 (ja) * | 2016-07-29 | 2020-08-26 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
| DE102017222059A1 (de) | 2016-12-06 | 2018-06-07 | Ignis Innovation Inc. | Pixelschaltungen zur Minderung von Hysterese |
| KR102352809B1 (ko) * | 2017-03-31 | 2022-01-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| US10714018B2 (en) | 2017-05-17 | 2020-07-14 | Ignis Innovation Inc. | System and method for loading image correction data for displays |
| US11025899B2 (en) | 2017-08-11 | 2021-06-01 | Ignis Innovation Inc. | Optical correction systems and methods for correcting non-uniformity of emissive display devices |
| US10971078B2 (en) | 2018-02-12 | 2021-04-06 | Ignis Innovation Inc. | Pixel measurement through data line |
| CN110890407B (zh) * | 2019-11-28 | 2022-07-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管显示基板、显示面板和装置 |
| CN113544763A (zh) * | 2020-01-28 | 2021-10-22 | Oled沃克斯有限责任公司 | 具有保护电路的oled显示器 |
| CN112103319A (zh) * | 2020-09-22 | 2020-12-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07111341A (ja) * | 1993-10-12 | 1995-04-25 | Nec Corp | 電流制御型発光素子アレイ |
Family Cites Families (71)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5729655B2 (ja) * | 1974-06-06 | 1982-06-24 | ||
| US4114070A (en) | 1977-03-22 | 1978-09-12 | Westinghouse Electric Corp. | Display panel with simplified thin film interconnect system |
| FR2488016A1 (fr) | 1980-07-29 | 1982-02-05 | Thomson Csf | Module elementaire pour panneau d'affichage matriciel et panneau d'affichage comportant un tel module |
| JPS57128394A (en) * | 1981-01-30 | 1982-08-09 | Fujitsu Ltd | Indicator |
| JPS5999480A (ja) * | 1982-11-29 | 1984-06-08 | 日本電信電話株式会社 | 表示器 |
| JPH02246264A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-02 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| GB8909011D0 (en) | 1989-04-20 | 1989-06-07 | Friend Richard H | Electroluminescent devices |
| JP2831808B2 (ja) | 1990-06-12 | 1998-12-02 | ダイセル化学工業株式会社 | ラセミβ−ラクタム類の光学分割法 |
| JPH04124837A (ja) * | 1990-09-14 | 1992-04-24 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
| JP2873632B2 (ja) * | 1991-03-15 | 1999-03-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP3071851B2 (ja) * | 1991-03-25 | 2000-07-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学装置 |
| JPH05267343A (ja) * | 1992-03-19 | 1993-10-15 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JPH0757871A (ja) * | 1993-08-19 | 1995-03-03 | Hitachi Ltd | 電場発光表示装置 |
| US5587329A (en) | 1994-08-24 | 1996-12-24 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Method for fabricating a switching transistor having a capacitive network proximate a drift region |
| US6104041A (en) | 1994-08-24 | 2000-08-15 | Sarnoff Corporation | Switching circuitry layout for an active matrix electroluminescent display pixel with each pixel provided with the transistors |
| US5550066A (en) | 1994-12-14 | 1996-08-27 | Eastman Kodak Company | Method of fabricating a TFT-EL pixel |
| US5684365A (en) * | 1994-12-14 | 1997-11-04 | Eastman Kodak Company | TFT-el display panel using organic electroluminescent media |
| JP2800730B2 (ja) * | 1995-08-17 | 1998-09-21 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶装置 |
| JPH0981053A (ja) * | 1995-09-07 | 1997-03-28 | Casio Comput Co Ltd | 電界発光素子及びその駆動方法 |
| KR100205388B1 (ko) * | 1995-09-12 | 1999-07-01 | 구자홍 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100205373B1 (ko) * | 1996-06-11 | 1999-07-01 | 구자홍 | 액정표시소자의 제조방법 |
| DE69735022T2 (de) * | 1996-09-19 | 2006-08-10 | Seiko Epson Corp. | Verfahren zur Herstellung einer Matrixanzeigevorrichtung |
| KR100476125B1 (ko) * | 1996-09-26 | 2005-08-12 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 표시장치 |
| JP3672136B2 (ja) | 1996-10-04 | 2005-07-13 | 株式会社アドバンテスト | Ｉｃ試験装置 |
| JP4032443B2 (ja) * | 1996-10-09 | 2008-01-16 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜トランジスタ、回路、アクティブマトリクス基板、液晶表示装置 |
| EP0845812B1 (en) | 1996-11-28 | 2009-10-28 | Casio Computer Co., Ltd. | Display apparatus |
| JP3457819B2 (ja) * | 1996-11-28 | 2003-10-20 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置 |
| KR100229678B1 (ko) * | 1996-12-06 | 1999-11-15 | 구자홍 | 박막트랜지스터 및 그의 제조방법 |
| JP3641342B2 (ja) * | 1997-03-07 | 2005-04-20 | Ｔｄｋ株式会社 | 半導体装置及び有機ｅｌディスプレイ装置 |
| JP3541625B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2004-07-14 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及びアクティブマトリクス基板 |
| JPH1165471A (ja) * | 1997-08-20 | 1999-03-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置 |
| JPH1195256A (ja) * | 1997-09-25 | 1999-04-09 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板 |
| JPH11223831A (ja) * | 1998-02-06 | 1999-08-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示装置およびその製造方法 |
| JPH11231805A (ja) * | 1998-02-10 | 1999-08-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
| KR100637433B1 (ko) | 2004-05-24 | 2006-10-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 표시 장치 |
| JP3844588B2 (ja) * | 1998-03-05 | 2006-11-15 | 富士通株式会社 | 情報管理システム、ローカルコンピュータ、及び情報取得プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
| JPH11345887A (ja) * | 1998-03-31 | 1999-12-14 | Seiko Epson Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP4021053B2 (ja) * | 1998-05-16 | 2007-12-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| TW410478B (en) * | 1998-05-29 | 2000-11-01 | Lucent Technologies Inc | Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode |
| GB9812739D0 (en) | 1998-06-12 | 1998-08-12 | Koninkl Philips Electronics Nv | Active matrix electroluminescent display devices |
| GB9812742D0 (en) | 1998-06-12 | 1998-08-12 | Philips Electronics Nv | Active matrix electroluminescent display devices |
| JP2000003140A (ja) * | 1998-06-12 | 2000-01-07 | Tdk Corp | 有機ｅｌディスプレイ |
| JP2000200838A (ja) * | 1998-10-30 | 2000-07-18 | Seiko Epson Corp | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
| US6274887B1 (en) | 1998-11-02 | 2001-08-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
| US6545359B1 (en) * | 1998-12-18 | 2003-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wiring line and manufacture process thereof, and semiconductor device and manufacturing process thereof |
| EP1020920B1 (en) * | 1999-01-11 | 2010-06-02 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a driver TFT and a pixel TFT on a common substrate |
| US6576924B1 (en) * | 1999-02-12 | 2003-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having at least a pixel unit and a driver circuit unit over a same substrate |
| JP2000267093A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 照明装置およびこれを備えた携帯情報機器 |
| JP4092857B2 (ja) | 1999-06-17 | 2008-05-28 | ソニー株式会社 | 画像表示装置 |
| JP4627822B2 (ja) * | 1999-06-23 | 2011-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP2001042822A (ja) | 1999-08-03 | 2001-02-16 | Pioneer Electronic Corp | アクティブマトリクス型表示装置 |
| US6587086B1 (en) * | 1999-10-26 | 2003-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
| TW525122B (en) | 1999-11-29 | 2003-03-21 | Semiconductor Energy Lab | Electronic device |
| TW587239B (en) | 1999-11-30 | 2004-05-11 | Semiconductor Energy Lab | Electric device |
| JP4831862B2 (ja) | 1999-11-30 | 2011-12-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子装置 |
| TW493152B (en) * | 1999-12-24 | 2002-07-01 | Semiconductor Energy Lab | Electronic device |
| JP4212079B2 (ja) * | 2000-01-11 | 2009-01-21 | ローム株式会社 | 表示装置およびその駆動方法 |
| TW480727B (en) * | 2000-01-11 | 2002-03-21 | Semiconductor Energy Laboratro | Semiconductor display device |
| TWI252592B (en) * | 2000-01-17 | 2006-04-01 | Semiconductor Energy Lab | EL display device |
| TW521303B (en) * | 2000-02-28 | 2003-02-21 | Semiconductor Energy Lab | Electronic device |
| JP2001318627A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-11-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| TW507258B (en) * | 2000-02-29 | 2002-10-21 | Semiconductor Systems Corp | Display device and method for fabricating the same |
| US7129918B2 (en) | 2000-03-10 | 2006-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and method of driving electronic device |
| JP2001324958A (ja) | 2000-03-10 | 2001-11-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子装置およびその駆動方法 |
| JP4954380B2 (ja) * | 2000-03-27 | 2012-06-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、半導体装置 |
| TW521226B (en) * | 2000-03-27 | 2003-02-21 | Semiconductor Energy Lab | Electro-optical device |
| JP3953715B2 (ja) * | 2000-07-31 | 2007-08-08 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| TW466888B (en) * | 2000-09-29 | 2001-12-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel device structure and process of organic light emitting diode display |
| US6835954B2 (en) | 2001-12-29 | 2004-12-28 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Active matrix organic electroluminescent display device |
| KR100484591B1 (ko) | 2001-12-29 | 2005-04-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법 |
| TWI255432B (en) * | 2002-06-03 | 2006-05-21 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Active matrix organic electroluminescent display device and fabricating method thereof |
-
2001
- 2001-03-08 TW TW090105441A patent/TW521226B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-03-26 US US09/818,191 patent/US6475845B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-27 KR KR1020010015885A patent/KR100802344B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-03-27 EP EP01107621A patent/EP1139454A3/en not_active Withdrawn
- 2001-03-27 CN CN2007101658812A patent/CN101154350B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-03-27 CN CNB011120746A patent/CN100359691C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-11-05 US US10/289,511 patent/US6958489B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-09-21 US US10/944,946 patent/US7012290B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-01-09 US US11/327,650 patent/US7592652B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-09-01 US US12/551,586 patent/US8237186B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2011
- 2011-01-11 JP JP2011003121A patent/JP5089782B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2011-12-14 JP JP2011272981A patent/JP5292452B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2012
- 2012-08-01 US US13/563,796 patent/US8541804B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-01-24 JP JP2013011026A patent/JP5823995B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2013-01-24 JP JP2013011025A patent/JP5386646B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2013-01-24 JP JP2013011024A patent/JP5487337B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-03-26 JP JP2014063187A patent/JP2014112268A/ja not_active Withdrawn
-
2015
- 2015-08-06 JP JP2015155969A patent/JP5917755B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2015-08-06 JP JP2015155970A patent/JP2015232724A/ja not_active Withdrawn
-
2017
- 2017-04-17 JP JP2017081074A patent/JP6603680B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2018
- 2018-11-29 JP JP2018223032A patent/JP6695407B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2020
- 2020-03-03 JP JP2020035792A patent/JP2020144365A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07111341A (ja) * | 1993-10-12 | 1995-04-25 | Nec Corp | 電流制御型発光素子アレイ |
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6603680B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP6651587B2 (ja) | 表示装置 | |
| JP6474433B2 (ja) | 表示装置 | |
| JP5315403B2 (ja) | 電子装置及び電子機器 | |
| JP4954380B2 (ja) | 発光装置、半導体装置 | |
| JP5127099B2 (ja) | 電子装置、表示装置 | |
| JP4798865B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170424 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180403 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180529 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181002 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181129 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20190507 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190806 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20190820 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190917 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191011 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6603680 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |