JP2017131033A - スイッチング電源装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】ハイサイドにスイッチング素子、ローサイドにダイオードを設け、電流モード制御を行う構成のスイッチング電源装置で、ブリーダ抵抗による損失を極力低減することができるようにしたスイッチング電源装置を提供する。【解決手段】スイッチング素子2、ダイオード5を備え、スイッチング素子2のオンオフ制御でコイルに通電して出力電圧を生成する。電流検出回路9によりスイッチング素子2の電流を検出する。電圧検出回路13により出力端子OUTの電圧をモニタする。制御回路8は、電流検出信号S1およびフィードバック電圧Voutに基づいてスイッチング素子2を電流モード制御によりオンオフ制御する。制御回路8は、電流検出信号S1のレベルが所定以下のときにブリーダ回路16を駆動して出力端子OUTに負荷電流を流す。【選択図】図1

Description

本発明は、スイッチング電源装置に関する。
スイッチング電源装置の構成として、例えば、インダクタンス小型化のため、高周波スイッチングを求められる場合、電流フィードバック制御を採用することがある。この場合、電流フィードバック制御では、制御回路内部において電流信号とノイズを切り分けるため一定期間電流信号をマスクキングする必要がある。このため、この種のスイッチング電源装置では、入出力電圧、負荷電流の状況にかかわらず、必ず一定以上のデューティで駆動する構成となっている。
しかし、出力側に流れる負荷電流は極端な場合にはゼロになることもあり、これに対応して不連続モードでの動作が必要になることがある。しかし、スイッチング電源装置の構成として、ダイオード整流によるローサイド側の回路構成を採用している場合には、不連続モードでの動作ができないので、上記したような負荷電流が低下することに対応して、負荷の安定化のためブリーダ抵抗を設けて電流を流す構成とすることがある。
一方、このようなブリーダ抵抗を設けて負荷電流を流すことは、一定以上の負荷を余分に付ける構成を採用している状態であるから、高負荷時にはこのブリーダ抵抗に流れる電流が逆に損失となり、またこれによって発熱する原因となる。
特開平7−337007号公報 特許3250217号公報
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的は、ダイオードをローサイドに設ける構成で、電流モード制御を行う構成のスイッチング電源装置において、ブリーダ抵抗による損失を極力低減することができるようにしたスイッチング電源装置を提供することにある。
請求項1に記載のスイッチング電源装置は、スイッチング素子のオン時にコイルに通電し、前記スイッチング素子のオフ時に前記コイルの還流電流をダイオードを通じて出力端子に出力するスイッチング電源装置であって、前記スイッチング素子のオン時の電流を検出して電流検出信号として出力する電流検出回路と、前記出力端子の電圧をモニタしてフィードバック電圧を生成する電圧検出回路と、前記電流検出回路の電流検出信号および前記電圧検出回路のフィードバック電圧に基づいて前記スイッチング素子を電流モード制御によりオンオフ制御する制御回路と、前記出力端子に接続され、負荷電流を流すブリーダ回路とを備え、前記制御回路は、前記電流検出回路の電流検出信号のレベルが所定以下のときに前記ブリーダ回路を駆動して前記出力端子に負荷電流を流すように構成される。
上記構成を採用することにより、制御回路は、電流検出回路の電流検出信号および電圧検出回路のフィードバック電圧に基づいてスイッチング素子を電流モード制御によりオンオフ制御することで出力端子に所定の出力電圧を生成することができる。そして、制御回路は、出力端子に接続される負荷の電流が低下していることを電流検出回路の電流検出信号のレベルが所定以下となることで検出し、ブリーダ回路を駆動して出力端子に負荷電流を流すことで出力端子が過電圧に至ることを回避することができる。これによって、負荷電流が低下している状態でも、スイッチング素子を一定のデューティ比を保持した状態で電流モード制御を継続することができる。
第1実施形態を示す電気的構成図 ブリーダ回路を駆動する機能ブロック図 制御回路を中心とした部分の電気的構成図 各部の信号のタイムチャート 第2実施形態を示す電気的構成図 動作説明図 第3実施形態を示す電気的構成図 作用説明図 第4実施形態を示す電気的構成図 各部の信号のタイムチャート 第5実施形態を示す各部の信号のタイムチャート 第6実施形態を示す電気的構成図 各部の信号のタイムチャート
(第1実施形態)
以下、本発明の第1実施形態について、図1〜図4を参照して説明する。
図1はスイッチング電源装置1の電気的構成を示している。スイッチング電源装置1は、内部にスイッチング素子としてのNチャンネル型のMOSFET2およびこれを制御する回路を備えている。スイッチング電源装置1は、直流電源VDから電流検出抵抗3を介して給電され、これをスイッチング素子2をオンオフ制御することでコイル4に通電し、還流ダイオード5を通じてコンデンサ6に充電する。コンデンサ6の端子電圧が出力端子OUTの出力電圧Voutとなる。
スイッチング電源装置1には、MOSFET2のブートストラップ用のコンデンサ7が外付けで設けられている。スイッチング電源装置1は、制御回路8を主体とし、電流検出回路9、電源回路10などの回路が設けられている。電源回路10は、直流電源VDから給電される直流電圧を降圧して内部の動作電源として生成する。MOSFET2は、制御回路8からゲート駆動回路11を介してゲート電圧が与えられる。ゲート駆動回路11は、電源回路10から逆流防止用のダイオード12を順方向に介して給電されている。また、電源回路10は、ゲート駆動回路11の電源となるコンデンサ7にも給電して所定電圧まで充電する。
電流検出回路9は、電流検出抵抗3の端子電圧を取り込んで、電流検出信号として制御回路8に入力する。スイッチング電源装置1には、出力端子OUTの出力電圧Voutを検出する電圧検出回路13が設けられている。電圧検出回路13は、抵抗14a、14bの直列回路で構成される。抵抗14aと14bの共通接続点の電圧が電圧検出信号として制御回路8に入力される。出力電圧Voutは、コンパレータ15の非反転入力端子に入力される。コンパレータ15は、出力電圧Voutを反転入力端子に入力される参照電圧Vref1と比較して大きい場合にハイレベルの検出信号を制御回路8に入力する。この場合、参照電圧Vref1のレベルは、出力電圧Voutの設定値に相当する電圧に設定されている。
また、スイッチング電源装置1には、ブリーダ回路16が設けられる。ブリーダ回路16は、出力端子OUTに接続され、ブリーダ抵抗17およびNチャンネル型のMOSFET18の直列回路により構成される。MOSFET18は、制御回路8によりゲートに駆動信号が与えられる。なお、スイッチング電源装置1には、外付けで位相補償用のコンデンサ19が接続されている。
図2は、ブリーダ回路16のMOSFET18の駆動制御を行う制御回路8の機能ブロック構成を示している。制御回路8は、DC変換部8a、判定部8b、過電圧判定部8cおよびOR演算部8dから構成される。DC変換部8aは、電流検出回路9から電流検出信号が入力され、これを電流レベルを示す直流検出信号に変換する。判定部8bは、直流検出信号が示す電流レベルが所定レベル以下になると低負荷状態を判定してハイレベルの判定信号を出力する。過電圧判定部8cは、出力端子OUTの出力電圧Voutが過電圧レベルであるか否かを判定して過電圧である場合にはハイレベルの判定信号を出力する。
これにより、判定部8bあるいは過電圧判定部8cのいずれかからハイレベルの判定信号雄が出力されている場合にはOR演算部8dを介してブリーダ回路16に駆動信号を出力する。ブリーダ回路16は、駆動信号が与えられると、ブリーダ抵抗17を介して出力端子OUTから負荷電流を流す。
図3は、制御回路8の具体的構成の一例を示している。この構成では、電流検出回路9は、作動増幅器9aにより構成され、電流検出抵抗3の端子電圧を増幅して電流検出信号として出力する。制御回路8において、コンパレータ20は、反転入力端子に電流検出回路9から電流検出信号が入力され、非反転入力端子には参照電圧Vref2が入力される。参照電圧Vref2は、低負荷電流状態を検出するための電流レベルに相当する電圧に設定されている。
コンパレータ20の出力信号はラッチ回路としてのSRフリップフロップ21のセット端子Sに入力されるとともに、Dフリップフロップの入力端子Dに入力される。SRフリップフロップ21は、出力端子Qがブリーダ回路16のMOSFET18のゲートに接続され、ゲート駆動信号を与える。コンパレータ23は、反転入力端子に電流検出回路9の出力信号が与えられ、非反転入力端子にはコンパレータ15の出力信号が入力される。
コンパレータ23は、電流検出回路9からの電流検出信号のレベルがコンパレータ15から入力される信号のレベルを下回るとハイレベルの信号をSRフリップフロップ24のリセット端子Rに入力する。コンパレータ23は、Dフリップフロップ22のクロック端子CKにも出力信号を与える。SRフリップフロップ24は、セット端子Sに内部クロック25からクロック信号が入力され、出力端子Qはゲート駆動回路11に駆動信号を与える。
次に、上記構成の作用について図4を参照して説明する。
図4(a)〜(e)は、図3中の各部での信号の時間推移を示すもので、図4(a)は電流検出回路9からの電流検出信号S1を示す。ここでは、MOSFET2に流れる電流が徐々に上昇していき、その後下降していく状態を示している。また、この電流検出信号S1は、MOSFET2をPWM信号によりスイッチング動作させたときの電流を検出しているので、断続的に通電されている状態となっている。
図4(b)は、コンパレータ20において電流検出信号S1と参照電圧Vref2とを比較した結果のブリーダ判定信号S2を示している。電流検出信号S1のレベルが低くなっている状態では、負荷電流が低下している状態である。電流モード制御を行っている状態では、MOSFET2が一定以上のデューティ比でオン駆動しているため、負荷電流が低下してくると、コンデンサ6への充電が過剰となって出力端子OUTの出力電圧Voutが徐々に上昇して過電圧に至る可能性がある。
このとき、電流検出信号S1のレベルが参照電圧Vref2よりも低い状態では、コンパレータ20からハイレベルのブリーダ判定信号S2が出力される。Dフリップフロップ22のクロック端子CKには、図4(c)に示すように、コンパレータ23の出力であるPWM信号S3が入力されている。
これにより、Dフリップフロップ22からは、図4(d)に示すように、入力信号S3がハイレベルになるタイミングで入力端子Dに入力されている信号S2を反転して出力する。Dフリップフロップ22の出力信号は、SRフリップフロップ21のリセット端子Rにリセット信号S4として入力される。
SRフリップフロップ21は、ブリーダ判定信号S2とリセット信号S4とにより、図4(e)に示すように、ラッチ判定信号S5をブリーダ回路16に出力する。ラッチ判定信号S5は、電流検出信号S1のレベルが参照電圧Vref2よりも低いときに、ハイレベルとなるようにラッチされ、参照電圧Vref2よりも大きくなるとローレベルに戻る信号として生成される。
この結果、ブリーダ回路16は、MOSFET18にハイレベルのゲート信号が与えられるときにブリーダ抵抗17を介して出力端子OUTから負荷電流を流して出力電圧Voutを低下させるように動作する。また、負荷電流が上昇している期間は、ブリーダ回路16により放電を停止するので、ブリーダ回路16のブリーダ抵抗17による損失を極力低減することができる。
また、制御回路8は、電圧検出回路13からの出力電圧Voutに応じた電圧検出信号が過電圧に相当する信号レベルに上昇したときにも、ブリーダ回路16のMOSFET18をオン動作させて出力電圧Voutを低下させることで保護するように制御する。これは、出力端子OUTに接続される負荷の急激な変動により出力電圧Voutが上昇する場合に対応して制御回路8により制御される動作である。
このような第1実施形態によれば、制御回路8により、電流検出回路9からの電流検出信号S1のレベルが低下して負荷電流が低下している状態を判定し、これをラッチすることでブリーダ回路16により出力端子OUTから放電させるようにした。これにより、負荷電流の消費が低下している状態ではブリーダ回路16によりコンデンサ6の電荷を放電させて過電圧になるのを抑制し、負荷電流が増大している状態ではブリーダ回路16による放電を停止することで損失を防止することができる。
また、出力電圧Voutが急変動により上昇する場合にもブリーダ回路16により放電を実施して過電圧で不具合が生ずるのを回避させることができる。この結果、出力端子OUTの出力電圧Voutを安定した状態でしかも効率の良い制御を行うことができる。
(第2実施形態)
図5および図6は第2実施形態を示すもので、以下、第1実施形態と異なる部分について説明する。この実施形態では、図5に示すように、ブリーダ回路16を駆動するゲート駆動回路26を設ける構成としている。ゲート駆動回路26には、制御回路8から前述のラッチ判定信号S5に加えて、電流検出信号S1から生成される電流レベルに相当する電流レベル信号S1aが入力される。
前述のように検出電流信号S1が参照電圧Vref2よりも大きい状態では、正常であるので、ラッチ判定信号S5はローレベルの状態である。これに対して、ラッチ判定信号S5がハイレベルになる場合、つまり負荷電流が低下している状態では、MOSFET18をオン動作させるのではなく、ゲート電圧Vgsを変化させるようにしている。
図6に示すように、電流検出信号S1の電流レベルに相当する電流レベル信号S1aの値に応じてゲート電圧Vgsを複数段階に異なるように与える構成である。ゲート駆動回路26は、検出電流レベル信号S1aが正常レベルから低下するにしたがってゲート電圧VgsをVgs1、Vgs2、Vgs3(>Vgs2>Vgs1)というように段階的に上昇させる。
これにより、MOSFET18は、ゲート電圧Vgsが大きくなる程、ブリーダ抵抗17に流す電流を増大させることができる。この結果、負荷電流の低下の程度に合わせてブリーダ回路16による放電量をより適切に制御することができる。
したがって、このような第2実施形態によれば、第1実施形態における作用効果に加えて、ブリーダ回路16による電荷の放電の仕方を負荷電流の低下の程度に応じて制御することができる。
(第3実施形態)
図7および図8は第3実施形態を示すもので、以下、第2実施形態と異なる部分について説明する。
図7に示すように、制御回路8内に保護回路30が設けられている。保護回路30は、AD変換回路31、比較回路32、タイマー33および過電圧データ記憶部34が設けられている。AD変換回路31は、電圧検出回路13の電圧検出信号が入力され、その電圧レベルに応じたデジタル信号に変換する。AD変換回路31は、比較回路32にデジタル信号を出力するとともに、デジタル信号のレベルに応じてブリーダ回路35による電荷の放電量を可変させる信号を出力する。
比較回路32は、電圧検出信号のレベルが過電圧データ記憶部34から与えられる過電圧データを超えるか否かを比較する。タイマー33は、過電圧を示す信号が比較回路32から入力されると、一定時間これが継続するときにMOSFET2による出力を停止させる出力停止信号を出力する。
ブリーダ回路35は、Nチャンネル型のMOSFET36に電流源37から一定電流を流し、MOSFET36とカレントミラー回路を構成する複数のMOSFET38、39a〜39dにより選択的に出力端子OUTから電流を流す構成である。MOSFET38はMOSFET36に通電されるとその電流と同じ電流を流す。MOSFET39a〜39dは、AD変換回路31によりオンオフ制御されるスイッチ40a〜40dがそれぞれに直列に接続されている。
上記構成によれば、電圧検出回路13により検出される電圧検出信号のレベルに応じて次のように動作する。すなわち、図8に示すように、電圧検出信号のレベルが正常な電圧Voの範囲にある場合には、制御回路8によるブリーダ回路35の動作は行われない。そして、電圧検出信号のレベルが上昇して過電圧V1に達すると、ブリーダ回路35を駆動してMOSFET38により出力電流I1を流す。
また、電圧検出信号のレベルがさらに上昇して過電圧V2〜V5になると、AD変換回路31からの信号により、ブリーダ回路35のスイッチ40a〜40dが順次選択個数が増加されることにより、出力電流がI2〜I5に増加するように制御される。これにより、出力端子OUTの出力電圧Voutが過電圧になると、ブリーダ回路35により、過電圧のレベルに応じて出力電流を段階的に増加させることで過電圧を解消させることができるようになる。
そして、出力電圧が過電圧になったときには、上述のようなブリーダ回路35による動作と並行して、保護回路30により、過電圧のレベルが異常レベルであるか否かが比較回路32により判断される。そして、保護回路30は、出力電圧が過電圧となる状態が継続してタイマー回路33により一定時間が経過すると、出力停止信号を制御回路8に与える。これにより、出力電圧Voutが過電圧状態となって継続すると、故障などの異常状態として判断し、給電動作が停止されるようになる。
また、AD変換回路31は、電流検出信号S1aのレベルによっても、第2実施形態と同様にしてブリーダ回路35を駆動して負荷電流の低下に対応して出力電流を流すように構成されている。
このような第3実施形態によっても第2実施形態と同様の作用効果を得ることができるとともに、出力電圧Voutの過電圧にも対応してブリーダ回路35により出力電流を流すことで保護動作を行わせることができる。
(第4実施形態)
図9および図10は第4実施形態を示すもので、以下、第1実施形態と異なる部分について説明する。
この実施形態では、電流検出信号S1を処理する制御回路41として、ピークホールド回路42、サンプリング回路43およびコンパレータ44を設ける構成としている。制御回路41は平坦化回路の機能を備えたもので、具体的にはピークホールド回路42が平坦化回路に相当する。ピークホールド回路42は、ダイオード42a、コンデンサ42bおよび抵抗42cから構成されている。ピークホールド回路42は、電流検出信号S1が入力されるとダイオード42aを介してコンデンサ42bに充電してピーク値をホールドし、充電後は抵抗42cを介して徐々に放電する。このときのコンデンサ42bの端子電圧をピークホールド信号S6として出力する。
サンプリング回路43は、NチャンネルMOSFET43aおよびPチャンネルMOSFET43bを並列に接続したアナログスイッチと、PチャンネルMOSFET43bに反転信号を与えるインバータ43cとから構成される。MOSFET43aはコンパレータ23からPWM信号S3が直接ゲートに入力され、MOSFET43bはインバータ43cを介してPWM信号S3がゲートに入力される。これにより、ピークホールド回路42から入力されるピークホールド信号S6をPWM信号S3によりサンプリングしてサンプリング信号S7として出力する。
サンプリング回路43からのサンプリングされた信号は入力信号S7として、コンパレータ44を介して参照電圧Vref3と比較され、ブリーダ制御信号S8として出力される。コンパレータ44は、入力信号S7のレベルが参照電圧Vref3以下のときに、ハイレベルのブリーダ制御信号S8を出力する。ブリーダ回路16は、ハイレベルのブリーダ制御信号S8が与えられると、MOSFET18がオン動作され、出力端子OUTから負荷電流を流す。
次に、上記構成の作用について図10を参照して説明する。
図10(a)〜(e)は、図9中の各部での信号の時間推移を示すもので、図10(a)は電流検出回路9からの電流検出信号S1を示す。前述と同様に、MOSFET2に流れる電流が徐々に上昇していき、その後下降していく状態を示している。また、この電流検出信号S1は、MOSFET2をPWM信号によりスイッチング動作させたときの電流を検出しているので、断続的に通電されている状態となっている。
図10(b)は、ピークホールド42において電流検出信号S1のピーク値を保持するようにしたピークホールド信号S6を示している。電流検出信号S1のレベルがゼロに変化するのに対してピークホールド信号S6は、ピーク値からコンデンサ42bの放電に応じたゆるやかなカーブで低下している。
サンプリング回路43には、図10(c)に示すように、コンパレータ23の出力であるPWM信号S3が入力されている。これにより、サンプリング回路43からは、図10(d)に示すように、入力信号S3がハイレベルになるタイミングでアナログスイッチ43a、43bへの入力信号S6を出力し、入力信号S3がローレベルになるタイミングの入力信号S6のレベルを保持したサンプリング結果の信号を入力信号S7としてコンパレータ44に入力する。
コンパレータ44においては、サンプリングされた入力信号S7のレベルが参照電圧Vref3よりも低いときにはハイレベルのブリーダ制御信号S8を出力し、入力信号S7のレベルが参照信号Vref3以上になるとローレベルのブリーダ制御信号S8を出力する。
この結果、ブリーダ回路16は、MOSFET18にハイレベルのゲート信号が与えられるときにブリーダ抵抗17を介して出力端子OUTから負荷電流を流して出力電圧Voutを低下させるように動作する。また、負荷電流が上昇している期間は、ブリーダ回路16により放電を停止するので、ブリーダ回路16のブリーダ抵抗17による損失を極力低減することができる。
以上のように、第4実施形態によっても第1実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
(第5実施形態)
図11は第5実施形態を示すもので、以下、第4実施形態と異なる部分について説明する。この実施形態では、図9に示した構成のうち、サンプリング回路43を省き、コンパレータ44としてヒステリシス機能を有するものを設けた構成としている。コンパレータ44は、参照電圧としてVTH、VTLが設定される。
これにより、ピークホールド回路42の出力となるピークホールド信号S6は、直接ヒステリシス付きコンパレータ44の反転入力端子に入力される。図11(b)に示すように、コンパレータ44は、ピークホールド信号S6が低いレベルから上昇していって参照電圧VTH以上になるとローレベルのブリーダ制御信号S8を出力する。また、コンパレータ44は、ピークホールド信号S6が高いレベルから下降していって参照電圧VTLを下回るとハイレベルのブリーダ制御信号S8を出力する。
このように、コンパレータ44のヒステリシス機能を利用することで、ピークホールド信号S6が参照電圧VTHを超えた後は、参照信号VTLを下回るまでの期間中、ブリーダ制御信号S8をローレベルに保持することができ、ブリーダ回路16による放電を停止させることができる。
したがって、このような第5実施形態によっても第4実施形態と同様の効果を得ることができる。
(第6実施形態)
図12および図13は第6実施形態を示すもので、以下、第4実施形態と異なる部分について説明する。
この実施形態では、電流検出信号S1を処理する制御回路45として、積分回路46を設けて直流電圧に変換する構成を採用している。制御回路45は平坦化回路の機能を有するもので、具体的には積分回路46が平坦化回路に相当する。積分回路46は、電流検出信号S1を積分する積分回路部として、アンプ47、入力抵抗48、帰還用コンデンサ49および放電用のMOSFET50が設けられている。また、参照電圧Vref3を積分する積分回路部として、アンプ51、入力抵抗52、帰還用コンデンサ53および放電用のMOSFET54が設けられている。
アンプ47は、電流検出信号S1を積分した結果として入力積分信号S9をアナログスイッチ55に入力する。アンプ51は、一定レベルの参照電圧Vref3を積分した結果として参照電圧積分信号S10をアナログスイッチ56に入力する。アナログスイッチ55、56は、SRフリップフロップ24からサンプルエッジ信号S11が一方に直接、他方にインバータ57を介して与えられる。インバータ57の出力は遅延回路58にも与えられ、サンプルエッジ信号S11がローレベルに反転した時点から一定時間後にMOSFET50、54をオンさせて、それぞれコンデンサ49、53の電荷を放電する。
アナログスイッチ55、56の出力信号である入力積分信号S9および参照電圧積分信号S10は、コンパレータ58に入力される。コンパレータ58は、入力積分信号S9のレベルが参照電圧積分信号S10のレベルを下回るときにハイレベルの信号を出力する。この信号はアナログスイッチ60を介してブリーダ回路16にラッチ信号S12として与えられる。ブリーダ回路16は、ハイレベルのラッチ信号S12が与えられると、MOSFET18がオン動作され、出力端子OUTから負荷電流を流す。
次に、上記構成の作用について図13を参照して説明する。
図13(a)〜(e)は、図12中の各部での信号の時間推移を示すもので、図13(a)は電流検出回路9からの電流検出信号S1を示す。前述と同様に、MOSFET2に流れる電流が徐々に上昇していき、その後下降していく状態を示している。また、この電流検出信号S1は、MOSFET2をPWM信号によりスイッチング動作させたときの電流を検出しているので、断続的に通電されている状態となっている。
図13(b)は、積分回路45において電流検出信号S1を積分した入力積分信号S9を示している。電流検出信号S1は、直線的に増加する信号となっているので、その積分結果である入力積分信号S9は、2次曲線的に上昇するカーブを描くように上昇し、電流地がゼロになった時点の積分値が保持された状態となる。また、入力積分信号S9は、遅延回路58からの遅延信号でMOSFET50がオンされると、コンデンサ49の電荷が放電されてゼロレベルに変化する。
図13(c)は、同様に積分回路45において参照電圧Vref3を積分した参照電圧積分信号S10を示している。参照電圧Vref3は、検出電流信号S1と同じ時間幅で一定レベルの信号であるから、その積分結果である参照電圧積分信号S10は、直線的に上昇し、参照電圧のレベルがゼロになった時点の積分値が保持された状態となる。また、参照電圧積分信号S10は、遅延回路58からの遅延信号でMOSFET54がオンされると、コンデンサ53の電荷が放電されてゼロレベルに変化する。
積分回路45から出力される入力積分信号S9および参照電圧積分信号S10は、アナログスイッチ55、56にそれぞれ入力されている。アナログスイッチ55、56は、サンプルエッジ信号S11の立ち下がりタイミングつまり電流検出信号S1の立ち下がりタイミングでコンパレータ59に入力される。コンパレータ59は、入力積分信号S9のレベルが、参照電圧積分信号S10のレベルを下回るときにハイレベルの信号を出力し、参照電圧積分信号S10のレベル以上のときにローレベルの信号を出力する。コンパレータ59の出力信号はアナログスイッチ60を介してブリーダ回路16にラッチ信号S12として出力される。
この結果、ブリーダ回路16は、MOSFET18にハイレベルのゲート信号が与えられるときにブリーダ抵抗17を介して出力端子OUTから負荷電流を流して出力電圧Voutを低下させるように動作する。また、負荷電流が上昇している期間は、ブリーダ回路16により放電を停止するので、ブリーダ回路16のブリーダ抵抗17による損失を極力低減することができる。
したがって、このような第6実施形態によっても第4実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
(他の実施形態)
なお、本発明は、上述した実施形態のみに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の実施形態に適用可能であり、例えば、以下のように変形または拡張することができる。
ブリーダ回路16は、ブリーダ抵抗17により放電する手段としてバイポーラトランジスタやIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)などを用いることもできる。また、ブリーダ抵抗17により放電する構成以外に、MOSFETなどのトランジスタを飽和領域で使用する構成としてもよい。この場合には、トランジスタの動作レベルを変化させることで、出力端子OUTから流す負荷電流のレベルを調整することができる。
ブリーダ回路16、35以外にも適宜の構成のブリーダ回路を構成することができる。
また、ブリーダ回路35を、低負荷電流時あるいは過電圧時のいずれかの放電に用いる構成としてもよい。さらに、いずれか一方を段階的に負荷電流のレベルを設定して放電する構成としてもよい。
第2実施形態および第3実施形態の構成は、第4実施形態あるいは第5実施形態にも適用することができる。
図面中、1はスイッチング電源装置、2はNチャンネル型のMOSFET(スイッチング素子)、3は電流検出抵抗、4はコイル、5は還流ダイオード、6はコンデンサ、8、41、45は制御回路、9は電流検出回路、10は電源回路、11はゲート駆動回路、13は電圧検出回路、16、35はブリーダ回路、17はブリーダ抵抗、18はNチャンネル型のMOSFET、21はSRフリップフロップ回路(ラッチ回路、平坦化回路)、26はゲート駆動回路、30は保護回路、42はピークホールド回路(平坦化回路)、43はサンプリング回路(平坦化回路)、46は積分回路(平坦化回路)である。

Claims (8)

  1. スイッチング素子(2)のオン時にコイル(4)に通電し、前記スイッチング素子のオフ時に前記コイルの還流電流をダイオード(5)を通じて出力端子(OUT)に出力するスイッチング電源装置であって、
    前記スイッチング素子のオン時の電流を検出して電流検出信号として出力する電流検出回路(9)と、
    前記出力端子の電圧をモニタしてフィードバック電圧を生成する電圧検出回路(13)と、
    前記電流検出回路の電流検出信号および前記電圧検出回路のフィードバック電圧に基づいて前記スイッチング素子を電流モード制御によりオンオフ制御する制御回路(8、30、41、45)と、
    前記出力端子に接続され、負荷電流を流すブリーダ回路(16、35)とを備え、
    前記制御回路は、前記電流検出回路の電流検出信号のレベルが所定以下のときに前記ブリーダ回路を駆動して前記出力端子に負荷電流を流すスイッチング電源装置。
  2. 請求項1に記載のスイッチング電源装置において、
    前記ブリーダ回路(16、35)は、前記負荷電流の電流レベルを複数段階に切り替え可能に構成され、
    前記制御回路(30)は、前記電流検出回路の電流検出信号の所定以下のレベルの値に応じて前記ブリーダ回路の電流レベルを切り替えるように構成されているスイッチング電源装置。
  3. 請求項1または2に記載のスイッチング電源装置において、
    前記制御回路(8)は、前記電圧検出回路のフィードバック電圧が前記出力端子の過電圧レベルであるときには前記ブリーダ回路(16、35)により負荷電流を流すように制御するスイッチング電源装置。
  4. 請求項2に記載のスイッチング電源装置において、
    前記制御回路(8)は、前記電圧検出回路のフィードバック電圧が前記出力端子の過電圧レベルであるときには、その過電圧レベルの大きさに応じて前記ブリーダ回路(35)の電流レベルを切り替えるように構成されているスイッチング電源装置。
  5. 請求項1から4の何れか一項に記載のスイッチング電源装置において、
    前記制御回路(8、41、45)は、前記スイッチング素子のオン時の電流を電流レベルに相当する信号に変換する平坦化回路(21、42、43、46)を備えるスイッチング電源装置。
  6. 請求項5に記載のスイッチング電源装置において、
    前記制御回路が備える平坦化回路は、電流レベルの信号をラッチするラッチ回路(21)により構成されるスイッチング電源装置。
  7. 請求項5に記載のスイッチング電源装置において、
    前記電流検出回路が備える平坦化回路は、ピークホールド回路(42)およびサンプリング回路(43)により構成されるスイッチング電源装置。
  8. 請求項7に記載のスイッチング電源装置において、
    前記電流検出回路が備える平坦化回路は、積分回路(46)により構成されるスイッチング電源装置。
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