JP2017128813A - 基板をコーティングするための方法およびコータ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも1つのカソード組立体10を用いて、基板100をコーティングするための方法であって、カソード組立体10が、その中に配置される、少なくとも1つの磁石組立体25を備える回転ターゲット20を有する。少なくとも1つの磁石組立体25が、基板100から回転ターゲット20の軸に垂直に延びる平面22に対して非対称に位置合わせされるように、少なくとも1つの磁石組立体25を、少なくとも1秒間である所定の第1の時間間隔の間、第1の位置に配置することを含む方法。少なくとも1つの磁石組立体25を、少なくとも1秒間である、所定の第2の時間間隔の間、平面22に対して非対称に位置合わせされる第2の位置に配置することと、コーティングの期間、経時的に変えられる電圧を回転ターゲット20に供給することとを更に含む方法。
【選択図】図1
Description
Claims (15)
- 回転ターゲット(20)を有する少なくとも1つのカソード組立体(10)を用いて基板(100)をコーティングするための方法であって、前記回転ターゲットが、前記回転ターゲット内に配置される磁石組立体(25)を含み、
所定の第1の時間間隔の間、前記基板(100)から前記回転ターゲットの軸(21)に垂直に延びる平面(22)に対して、前記磁石組立体が非対称に位置合わせされるように、前記磁石組立体を第1の位置に配置することであって、前記平面が前記回転ターゲット内でゼロ角位置を規定し、前記所定の第1の時間間隔が、少なくとも1秒である、配置することと、
前記磁石組立体を前記第1の位置から前記平面に対して非対称に位置合わせされる第2の位置に移動させることであって、前記磁石組立体が前記第1の位置から前記第2の位置に移動する場合、前記ゼロ角位置を通過する、移動させることと、
所定の第2の時間間隔の間、前記第2の位置に、前記磁石組立体を配置することであって、前記所定の第2の時間間隔が、少なくとも1秒である、配置することと、
前記回転ターゲットに、コーティング期間、経時的に変えられる電圧を供給することであって、前記磁石組立体が前記第1の位置から前記第2の位置へ移動する間、前記回転ターゲットに供給される電圧が、前記磁石組立体が前記第1の位置または前記第2の位置に配置されているときに前記回転ターゲットに供給される電圧に比べて減少される、供給すること、または、一定である前記回転ターゲットへの電圧を供給すること、を含む方法。 - 前記磁石組立体が、全コーティング時間の少なくとも80%の間、非対称に位置合わせされる第1および第2の位置に配置される、請求項1に記載の方法。
- 前記磁石組立体が、全コーティング時間の少なくとも95%の間、非対称に位置合わせされる第1および第2の位置に配置される、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の位置から前記第2の位置へ前記磁石組立体を移動させる間の全移動時間が、1秒未満の範囲である、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記磁石組立体が前記第1の位置から前記第2の位置へ移動する間、前記回転ターゲットに供給される電圧が、前記磁石組立体が前記第1の位置または前記第2の位置に配置されているときに前記基板上への材料の堆積の間、前記回転ターゲットに供給される電圧の35%未満、または、10%未満、または、5%未満の値まで減少される、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記磁石組立体が前記第1の位置から前記第2の位置へ移動する間、前記回転ターゲットに供給される電圧が、実質的にゼロである、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記磁石組立体が前記第1の位置から前記第2の位置へ移動する間、前記回転ターゲットに供給される電圧が、スパッタリングを停止させるしきい値まで減少される、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
- 経時的に変えられる前記電圧が方形波形を有し、前記電圧が、前記所定の第1の時間間隔の間、一定レベルを維持し、前記所定の第2の時間間隔の間、一定レベルを維持し、前記磁石組立体が前記第1の位置から前記第2の位置へ移動する間、減少される、請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記磁石組立体が前記第1の位置に配置される場合、前記磁石組立体(25)が15°と45°の間の絶対角に配置され、前記磁石組立体が前記第2の位置に配置される場合、前記磁石組立体が15°と45°の間の絶対角に配置される、請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。
- 所定の第3の時間間隔の間、前記平面(22)に対して非対称に位置合わせされる第3の位置に、前記少なくとも1つの磁石組立体を配置することと、
所定の第4の時間間隔の間、前記平面(22)に対して非対称に位置合わせされる第4の位置に、前記少なくとも1つの磁石組立体を配置することとをさらに含み、
前記第3の位置の角度と前記第4の位置の角度の絶対値が、前記第1の位置の角度と前記第2の位置の角度の絶対値よりも大きい、請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。 - 前記少なくとも1つの磁石組立体を前記第1の位置に配置する期間、および前記少なくとも1つの磁石組立体を前記第2の位置に配置する期間、前記電圧が第1の非ゼロ値に保たれ、
前記少なくとも1つの磁石組立体を前記第3の位置に配置する期間、および前記少なくとも1つの磁石組立体を前記第4の位置に配置する期間、前記電圧が第2の非ゼロ値に保たれ、
前記第1の非ゼロ値が前記第2の非ゼロ値よりも大きい、請求項10に記載の方法。 - 前記少なくとも1つの磁石組立体を前記第1の位置におよび前記第2の位置に配置することが、前記少なくとも1つの磁石組立体を前記第3の位置におよび前記第4の位置に配置することより前に行われる、請求項10または11に記載の方法。
- 前記第2の位置が前記平面において鏡映される前記第1の位置に対応し、かつ/または前記第4の位置が前記平面において鏡映される前記第3の位置に対応する、請求項10から12のいずれか一項に記載の方法。
- 前記所定の第1の時間間隔と前記所定の第2の時間間隔が同一であり、かつ/または前記所定の第3の時間間隔と前記所定の第4の時間間隔が同一である、請求項10から13のいずれか一項に記載の方法。
- 前記カソード組立体は、前記回転ターゲットがその上に取り付けられた回転シャフトを含み、前記方法が、
前記カソード組立体の動作中、前記回転シャフトを回転させること、を含む、請求項1から14のいずれか一項に記載の方法。
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US20160002770A1 (en) * | 2013-02-25 | 2016-01-07 | Fabio PIERALISI | Apparatus with neighboring sputter cathodes and method of operation thereof |
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WO2015199640A1 (en) * | 2014-06-23 | 2015-12-30 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a layer in a via or trench and products obtained thereby |
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CN107636195A (zh) * | 2015-06-05 | 2018-01-26 | 应用材料公司 | 溅射沉积源、溅射装置及其操作方法 |
CN112575301B (zh) * | 2016-04-21 | 2023-05-23 | 应用材料公司 | 用于涂布基板的方法及涂布机 |
CN108884558B (zh) | 2016-05-02 | 2022-03-08 | 应用材料公司 | 涂布基板的方法和用于涂布基板的涂布设备 |
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KR101760218B1 (ko) * | 2016-08-30 | 2017-07-20 | 전기표 | 수직진동 제트천공장치 및 방법, 그리고 수직진동 제트그라우팅 장치 및 방법 |
WO2018095514A1 (en) * | 2016-11-22 | 2018-05-31 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for layer deposition on a substrate |
CN107541712A (zh) * | 2017-10-11 | 2018-01-05 | 广东腾胜真空技术工程有限公司 | 一种双端进出的玻璃镀膜设备 |
JP7328744B2 (ja) * | 2018-07-31 | 2023-08-17 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置、および、電子デバイスの製造方法 |
KR20220106187A (ko) * | 2020-07-08 | 2022-07-28 | 가부시키가이샤 아루박 | 성막 방법 |
WO2022218592A1 (en) * | 2021-04-16 | 2022-10-20 | Evatec Ag | Sputtering apparatus for coating of 3d-objects |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1992001081A1 (en) * | 1990-07-06 | 1992-01-23 | The Boc Group, Inc. | Method and apparatus for co-sputtering and cross-sputtering homogeneous films |
JPH05214522A (ja) * | 1991-10-11 | 1993-08-24 | Boc Group Plc:The | スパッタリング方法及び装置 |
JPH1129866A (ja) * | 1997-07-11 | 1999-02-02 | Fujitsu Ltd | スパッタ装置 |
JP2000192239A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-07-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリング方法およびスパッタリング装置 |
US20020189939A1 (en) * | 2001-06-14 | 2002-12-19 | German John R. | Alternating current rotatable sputter cathode |
JP2005350768A (ja) * | 2004-05-05 | 2005-12-22 | Applied Films Gmbh & Co Kg | 回転可能なマグネトロンの大面積アセンブリを有するコーター |
JP2006083408A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | 真空成膜装置 |
US20080047831A1 (en) * | 2006-08-24 | 2008-02-28 | Hendryk Richert | Segmented/modular magnet bars for sputtering target |
WO2009022184A2 (en) * | 2007-08-15 | 2009-02-19 | Gencoa Ltd | Low impedance plasma |
JP2009512788A (ja) * | 2005-10-24 | 2009-03-26 | ソレラス・リミテッド | 固定式又は可動磁石アセンブリと組み合わせて回転式ターゲットを組み込むカソード及び応用 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH024965A (ja) * | 1988-06-09 | 1990-01-09 | Hitachi Ltd | スパッタリングターゲットおよびそれを用いたマグネトロンスパッタ装置 |
JPH05263225A (ja) * | 1992-03-18 | 1993-10-12 | Asahi Glass Co Ltd | スパッタリング方法 |
US6365010B1 (en) * | 1998-11-06 | 2002-04-02 | Scivac | Sputtering apparatus and process for high rate coatings |
US20010050220A1 (en) * | 1999-11-16 | 2001-12-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for physical vapor deposition using modulated power |
TW573041B (en) * | 2002-02-07 | 2004-01-21 | Hannstar Display Corp | Method for improving performance of sputtering target |
CN2656432Y (zh) * | 2003-09-11 | 2004-11-17 | 深圳豪威真空光电子股份有限公司 | 旋转式磁控溅射靶 |
EP1722005B1 (de) * | 2005-05-13 | 2007-07-04 | Applied Materials GmbH & Co. KG | Verfahren zum Betreiben einer Sputterkathode mit einem Target |
JP2007126722A (ja) * | 2005-11-04 | 2007-05-24 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | マグネトロンスパッタリング装置用の磁石構造体およびカソード電極ユニット並びにマグネトロンスパッタリング装置 |
JP4721878B2 (ja) * | 2005-11-22 | 2011-07-13 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置 |
EP1880866A1 (en) * | 2006-07-19 | 2008-01-23 | Sicpa Holding S.A. | Oriented image coating on transparent substrate |
JP4937772B2 (ja) * | 2007-01-22 | 2012-05-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理方法 |
JP4960851B2 (ja) * | 2007-12-19 | 2012-06-27 | 株式会社アルバック | 磁石装置、マグネトロンスパッタ装置 |
US20100012481A1 (en) * | 2008-07-21 | 2010-01-21 | Guo G X | Deposition system having improved material utilization |
-
2009
- 2009-10-02 EP EP09172133A patent/EP2306489A1/en not_active Withdrawn
- 2009-10-09 US US12/577,073 patent/US20110079508A1/en not_active Abandoned
-
2010
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- 2010-10-01 TW TW104120776A patent/TWI567777B/zh active
- 2010-10-01 TW TW099133598A patent/TWI494969B/zh active
- 2010-10-01 TW TW104110304A patent/TWI578371B/zh active
-
2015
- 2015-03-04 JP JP2015042898A patent/JP5993974B2/ja active Active
- 2015-03-04 JP JP2015042897A patent/JP6104967B2/ja active Active
-
2017
- 2017-03-01 JP JP2017038029A patent/JP6385487B2/ja active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1992001081A1 (en) * | 1990-07-06 | 1992-01-23 | The Boc Group, Inc. | Method and apparatus for co-sputtering and cross-sputtering homogeneous films |
JPH05214522A (ja) * | 1991-10-11 | 1993-08-24 | Boc Group Plc:The | スパッタリング方法及び装置 |
JPH1129866A (ja) * | 1997-07-11 | 1999-02-02 | Fujitsu Ltd | スパッタ装置 |
JP2000192239A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-07-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリング方法およびスパッタリング装置 |
US20020189939A1 (en) * | 2001-06-14 | 2002-12-19 | German John R. | Alternating current rotatable sputter cathode |
JP2005350768A (ja) * | 2004-05-05 | 2005-12-22 | Applied Films Gmbh & Co Kg | 回転可能なマグネトロンの大面積アセンブリを有するコーター |
JP2006083408A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | 真空成膜装置 |
JP2009512788A (ja) * | 2005-10-24 | 2009-03-26 | ソレラス・リミテッド | 固定式又は可動磁石アセンブリと組み合わせて回転式ターゲットを組み込むカソード及び応用 |
US20080047831A1 (en) * | 2006-08-24 | 2008-02-28 | Hendryk Richert | Segmented/modular magnet bars for sputtering target |
WO2009022184A2 (en) * | 2007-08-15 | 2009-02-19 | Gencoa Ltd | Low impedance plasma |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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