JP2017120866A - Solder bump-forming method - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solder bump-forming method which enables the formation of a minute solder bump while suppressing missing bump.SOLUTION: A solder bump-forming method according to the present invention is a method for forming solder bumps on a plurality of electrode pads 12 formed on a surface of a wiring board 1. The method comprises: a temporary resist film formation step for forming a temporary resist film 2 by coating the wiring board 1 with a photosensitive resin composition to form a coating film of which the haze value at 385 nm 65% or more, exposing the coating film to light and then developing the coating film, where the temporary resist film has an opening corresponding to each electrode pad 12 provided therein, an end portion of the opening is taper in sectional shape, and a taper angle θ in the sectional shape is 75° or smaller; a solder bump formation step for forming the solder bumps by filling a solder paste in each opening followed by a reflow process; and a temporary resist film delamination step for delaminating the temporary resist film 2 from the wiring board 1.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、はんだバンプの形成方法に関する。   The present invention relates to a method for forming solder bumps.

電子部品の高密度実装の要請から、電子部品の実装方法としては、ワイヤボンディング法によるフェイスアップ方式の実装方法から、はんだバンプを用いたフェイスダウン方式の実装方法へと変化している。はんだバンプを形成する方法として、従来では、いわゆるメッキ法や蒸着法などが採用されていた。ところが、これらの方法では、大掛かりで高価な設備を必要とするのに加え、はんだバンプの高さやはんだ組成の制御が難しいといった問題点があった。
これらの問題点を解決するために、ドライフィルムおよびソルダペーストを用いたはんだバンプの形成方法(いわゆるフィルム法)が提案されている(例えば、特許文献1)。
Due to the demand for high-density mounting of electronic components, the mounting method of electronic components has changed from a face-up mounting method using a wire bonding method to a face-down mounting method using solder bumps. Conventionally, a so-called plating method or vapor deposition method has been employed as a method for forming solder bumps. However, these methods have problems in that, in addition to requiring large and expensive equipment, it is difficult to control the height of the solder bumps and the solder composition.
In order to solve these problems, a solder bump forming method (so-called film method) using a dry film and a solder paste has been proposed (for example, Patent Document 1).

特開2000−208911号公報JP 2000-208911 A

電子部品の高密度実装の要請から、はんだバンプは微小化し、狭ピッチ化する傾向にある。そして、この要請に対応するために、フィルム法では、ドライフィルムの開口部をさらに微小化することが必要になる。しかしながら、特許文献1に記載の方法では、開口部の微小化が進むと、ソルダペーストが開口部に進入する時に完全に開口部内をソルダペーストで充填できず、適量の印刷量が得られない場合がある。また、印刷時にソルダペーストが開口部の底の電極に接触しない状態となることで、加熱時にフィルムの開口部に溶融はんだが詰まり、配線基板にはんだバンプが形成されないといういわゆるミッシングバンプが発生する。   Due to the demand for high-density mounting of electronic components, solder bumps tend to be miniaturized and narrow pitch. In order to meet this requirement, the film method requires further miniaturization of the opening of the dry film. However, in the method described in Patent Document 1, when the size of the opening advances, when the solder paste enters the opening, the inside of the opening cannot be completely filled with the solder paste, and an appropriate amount of printing cannot be obtained. There is. Further, since the solder paste is not in contact with the bottom electrode of the opening during printing, molten solder is clogged in the opening of the film during heating, and so-called missing bumps are generated in which solder bumps are not formed on the wiring board.

そこで、本発明は、ミッシングバンプを抑制しつつ、微小なはんだバンプを形成できるはんだバンプの形成方法を提供することを目的とする。   Then, an object of this invention is to provide the formation method of the solder bump which can form a minute solder bump, suppressing a missing bump.

前記課題を解決すべく、本発明は、以下のようなはんだバンプの形成方法を提供するものである。
本発明のはんだバンプの形成方法は、配線基板の表面に形成された複数の電極パッドにはんだバンプを形成するはんだバンプの形成方法であって、前記配線基板上に、感光性樹脂組成物を塗布して、385nmにおけるヘーズ値が65%以上である塗膜を形成し、前記塗膜を露光した後に現像することで、前記電極パッドに対応する開口部が設けられ、前記開口部の端部の断面形状がテーパー状であり、かつ、前記断面形状におけるテーパー角度が75°以下である一時レジスト膜を形成する一時レジスト膜形成工程と、前記開口部にソルダペーストを充填し、リフロー処理を施して、はんだバンプを形成するはんだバンプ形成工程と、前記配線基板から前記一時レジスト膜を剥離する一時レジスト膜剥離工程と、を備えることを特徴とする方法である。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides the following solder bump forming method.
The solder bump forming method of the present invention is a solder bump forming method for forming solder bumps on a plurality of electrode pads formed on the surface of a wiring board, and a photosensitive resin composition is applied onto the wiring board. Then, a coating film having a haze value at 385 nm of 65% or more is formed, and after developing the coating film, an opening corresponding to the electrode pad is provided, and an end of the opening is formed. A temporary resist film forming step of forming a temporary resist film having a tapered cross-sectional shape and a taper angle of 75 ° or less in the cross-sectional shape; and filling the opening with a solder paste and performing a reflow process. And a solder bump forming step for forming a solder bump, and a temporary resist film peeling step for peeling the temporary resist film from the wiring board. It is the law.

本発明のはんだバンプの形成方法においては、前記塗膜の385nmにおけるヘーズ値が75%以上であり、前記断面形状におけるテーパー角度が70°以下であることが好ましい。
本発明のはんだバンプの形成方法においては、前記塗膜の385nmにおけるヘーズ値が80%以上であり、前記断面形状におけるテーパー角度が60°以下であることが好ましい。
本発明のはんだバンプの形成方法においては、前記塗膜は、直描露光装置により露光することが好ましい。
In the method for forming a solder bump of the present invention, it is preferable that a haze value at 385 nm of the coating film is 75% or more and a taper angle in the cross-sectional shape is 70 ° or less.
In the method for forming a solder bump of the present invention, it is preferable that a haze value at 385 nm of the coating film is 80% or more and a taper angle in the cross-sectional shape is 60 ° or less.
In the method for forming solder bumps of the present invention, the coating film is preferably exposed by a direct drawing exposure apparatus.

本発明によれば、ミッシングバンプを抑制しつつ、微小なはんだバンプを形成できるはんだバンプの形成方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the formation method of the solder bump which can form a minute solder bump can be provided, suppressing a missing bump.

本発明に用いる配線基板を示す概略図である。It is the schematic which shows the wiring board used for this invention. 本発明において、配線基板上に感光性樹脂組成物の塗膜を形成した状態を示す概略図である。In this invention, it is the schematic which shows the state which formed the coating film of the photosensitive resin composition on the wiring board. 本発明において、感光性樹脂組成物の塗膜を露光している状態を示す概略図である。In this invention, it is the schematic which shows the state which has exposed the coating film of the photosensitive resin composition. 本発明において、露光処理後の塗膜に現像処理を施して開口部を設け、一時レジスト膜を形成した状態を示す概略図である。In this invention, it is the schematic which shows the state which gave the development process to the coating film after exposure processing, provided the opening part, and formed the temporary resist film. 本発明において、一時レジスト膜上からソルダペーストを充填する方法を示す概略図である。In this invention, it is the schematic which shows the method of filling a solder paste from the temporary resist film. 本発明において、開口部にソルダペーストを充填した状態を示す概略図である。In this invention, it is the schematic which shows the state which filled the solder paste in the opening part. 本発明において、リフロー処理を施して、はんだバンプを形成した状態を示す概略図である。In this invention, it is the schematic which shows the state which gave the reflow process and formed the solder bump. 本発明において、配線基板から一時レジスト膜を剥離した状態を示す概略図である。In this invention, it is the schematic which shows the state which peeled the temporary resist film from the wiring board.

以下、本発明の実施形態を、図面に基づいて説明する。本発明は実施形態の内容に限定されない。なお、図面においては、説明を容易にするために拡大または縮小をして図示した部分がある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The present invention is not limited to the contents of the embodiment. In the drawings, there are portions enlarged or reduced for easy explanation.

[はんだバンプの形成方法]
本実施形態のはんだバンプの形成方法は、図1〜図8に示すように、配線基板1の表面に形成された複数の電極パッド12にはんだバンプ3を形成するはんだバンプの形成方法であって、以下説明する一時レジスト膜形成工程、はんだバンプ形成工程、および、一時レジスト膜剥離工程を備える方法である。
まず、本実施形態のはんだバンプの形成方法に用いる配線基板について説明する。
[Method of forming solder bumps]
The method for forming solder bumps of this embodiment is a method for forming solder bumps in which solder bumps 3 are formed on a plurality of electrode pads 12 formed on the surface of a wiring board 1, as shown in FIGS. The method includes a temporary resist film forming step, a solder bump forming step, and a temporary resist film peeling step described below.
First, a wiring board used in the method for forming solder bumps of this embodiment will be described.

(配線基板)
配線基板1は、図1に示すように、絶縁基材11と、電極パッド12と、ソルダレジスト膜13とを備える。なお、配線基板1は、内部電極14および層間絶縁層15を備える積層基板であってもよい。電極パッド12は、内部電極14上に層間絶縁層15を介して設けられていてもよいが、ブラインドビアにて内部電極14と電気的に接続していてもよい。
絶縁基材11としては、適宜公知のものを用いることができ、ガラスエポキシ基材、ポリイミド基材、シリコン基材などが挙げられる。
電極パッド12は、配線基板1の表面に形成されるものであり、他の電子部品との電気的接続を図るためのものである。電極パッド12の材質は、特に限定されないが、銅、銀、スズ、金、ニッケル、パラジウムなどが挙げられる。電極パッド12は、単一層で形成されていてもよく、複数の材質を用いて複数層で形成されてもよい。
ソルダレジスト膜13は、配線基板1の表面に形成されるものであり、配線基板1の配線同士の短絡などを防止するものである。ソルダレジスト膜13としては、適宜公知のものを用いることができる。なお、ソルダレジスト膜13は、配線基板1の表面に半永久的に存在する永久レジストであり、以下説明する一時レジスト膜2とは相違する。
内部電極14上に層間絶縁層15としては、適宜公知のものを用いることができる。
(Wiring board)
As shown in FIG. 1, the wiring substrate 1 includes an insulating base material 11, an electrode pad 12, and a solder resist film 13. The wiring substrate 1 may be a multilayer substrate including the internal electrodes 14 and the interlayer insulating layer 15. The electrode pad 12 may be provided on the internal electrode 14 via the interlayer insulating layer 15, but may be electrically connected to the internal electrode 14 by a blind via.
As the insulating substrate 11, a known material can be used as appropriate, and examples thereof include a glass epoxy substrate, a polyimide substrate, and a silicon substrate.
The electrode pad 12 is formed on the surface of the wiring board 1 and is used for electrical connection with other electronic components. Although the material of the electrode pad 12 is not specifically limited, Copper, silver, tin, gold | metal | money, nickel, palladium etc. are mentioned. The electrode pad 12 may be formed of a single layer or may be formed of a plurality of layers using a plurality of materials.
The solder resist film 13 is formed on the surface of the wiring board 1 and prevents a short circuit between the wirings of the wiring board 1. As the solder resist film 13, a known one can be used as appropriate. Note that the solder resist film 13 is a permanent resist that exists semipermanently on the surface of the wiring substrate 1 and is different from the temporary resist film 2 described below.
As the interlayer insulating layer 15 on the internal electrode 14, a known one can be used as appropriate.

一時レジスト膜2は、本発明のはんだバンプの形成方法の実施中にのみ存在する、一時的なレジスト膜のことをいう。この一時レジスト膜2は、溶融はんだに対して一定の耐性を有するものであるとともに、はんだバンプを形成した後に剥離可能なものであることが必要となる。一時レジスト膜2は、以下説明する感光性樹脂組成物を用いて形成される。   The temporary resist film 2 refers to a temporary resist film that exists only during the execution of the solder bump forming method of the present invention. The temporary resist film 2 needs to have a certain resistance to the molten solder and be peelable after the solder bumps are formed. The temporary resist film 2 is formed using a photosensitive resin composition described below.

(一時レジスト膜形成工程)
一時レジスト膜形成工程においては、配線基板1上に、電極パッド12に対応する開口部21が設けられた一時レジスト膜2を形成する。具体的には、次に示すような方法で、電極パッド12に対応する開口部21が設けられた一時レジスト膜2を形成できる。
一時レジスト膜形成工程においては、まず、図2に示すように、配線基板1上の全面に感光性樹脂組成物を塗布し、その後予備乾燥をして、塗膜2aを形成する。
感光性樹脂組成物については、後述する。
塗膜2aの塗布方法としては、スクリーン印刷、スプレーコータ、バーコータ、アプリケータ、ブレードコータ、ナイフコータ、ロールコータ、およびグラビアコータなどが挙げられる。
予備乾燥の条件は、感光性樹脂組成物の種類に応じて異なり、特に限定されないが、例えば、60〜80℃程度の温度で15〜60分間程度加熱すればよい。このような予備乾燥により、感光性樹脂組成物中の溶剤などを揮散させて、タックフリーな塗膜2aを形成できる。
塗膜2aの厚みは、特に限定されないが、通常、5μm以上200μm以下であり、好ましくは、10μm以上70μm以下である。
(Temporary resist film formation process)
In the temporary resist film forming step, the temporary resist film 2 provided with openings 21 corresponding to the electrode pads 12 is formed on the wiring substrate 1. Specifically, the temporary resist film 2 provided with the opening 21 corresponding to the electrode pad 12 can be formed by the following method.
In the temporary resist film forming step, first, as shown in FIG. 2, a photosensitive resin composition is applied to the entire surface of the wiring substrate 1, and then preliminarily dried to form a coating film 2a.
The photosensitive resin composition will be described later.
Examples of the method for applying the coating film 2a include screen printing, spray coater, bar coater, applicator, blade coater, knife coater, roll coater, and gravure coater.
Preliminary drying conditions vary depending on the type of the photosensitive resin composition and are not particularly limited. For example, the preliminary drying may be performed at a temperature of about 60 to 80 ° C. for about 15 to 60 minutes. By such preliminary drying, the solvent and the like in the photosensitive resin composition are volatilized to form a tack-free coating film 2a.
Although the thickness of the coating film 2a is not specifically limited, Usually, it is 5 micrometers or more and 200 micrometers or less, Preferably, they are 10 micrometers or more and 70 micrometers or less.

本実施形態では、塗膜2aの385nmにおけるヘーズ値が65%以上であることが必要である。このヘーズ値が、開口部の端部の断面形状におけるテーパー角度を75°以下とすることができる。また、このテーパー角度をより小さくするという観点から、塗膜2aの385nmにおけるヘーズ値は、75%以上であることが好ましく、80%以上であることがより好ましい。   In the present embodiment, the haze value at 385 nm of the coating film 2a needs to be 65% or more. With this haze value, the taper angle in the cross-sectional shape of the end of the opening can be made 75 ° or less. Further, from the viewpoint of reducing the taper angle, the haze value at 385 nm of the coating film 2a is preferably 75% or more, and more preferably 80% or more.

なお、塗膜2aの385nmにおけるヘーズ値は、次のようにして、求めることができる。
すなわち、ガラス基板に感光性樹脂組成物を塗布し、乾燥したものを試料とする(塗布条件は、電子基板への塗布条件と同じ条件とする)。そして、日立分光光度計U−4100で積分球を使用して、得られた試料の積分球からの距離0mmと350mmにおける、波長385nmにおける透過率を、それぞれ測定する。そして、これらの測定値から、下記の数式(F1)により、ヘーズ値(%)を算出できる。
ヘーズ値(%)=[(T−T)/T]×100・・・(F1)
:積分球からの距離0mmにおける透過率
:積分球からの距離350mmにおける透過率
In addition, the haze value in 385 nm of the coating film 2a can be calculated | required as follows.
That is, a photosensitive resin composition is applied to a glass substrate and dried to obtain a sample (application conditions are the same as application conditions to an electronic substrate). Then, using an integrating sphere with a Hitachi spectrophotometer U-4100, the transmittance at a wavelength of 385 nm at a distance of 0 mm and 350 mm from the integrating sphere of the obtained sample is measured. And from these measured values, a haze value (%) can be calculated by the following mathematical formula (F1).
Haze value (%) = [(T total− T flat ) / T total ] × 100 (F1)
T total : transmittance at a distance of 0 mm from the integrating sphere T flat : transmittance at a distance of 350 mm from the integrating sphere

また、塗膜2aの385nmにおけるヘーズ値を上述した範囲に調整する方法としては、以下のような方法が挙げられる。
後述する感光性樹脂組成物の組成を変えることにより、ヘーズ値を調整できる。例えば、感光性樹脂組成物中にフィラーを添加すれば、ヘーズ値が大きくなる傾向にある。また、このフィラーの配合量を多くするほど、ヘーズ値が大きくなる傾向にある。さらに、感光性樹脂組成物中の消泡剤の種類や配合量などにより、ヘーズ値が変化する。
Moreover, the following methods are mentioned as a method of adjusting the haze value in 385 nm of the coating film 2a to the range mentioned above.
The haze value can be adjusted by changing the composition of the photosensitive resin composition described later. For example, if a filler is added to the photosensitive resin composition, the haze value tends to increase. Moreover, it exists in the tendency for a haze value to become large, so that the compounding quantity of this filler is increased. Further, the haze value varies depending on the type and blending amount of the antifoaming agent in the photosensitive resin composition.

一時レジスト膜形成工程においては、次に、図3に示すように、露光装置を用いて、塗膜2aを露光する。
ここで、露光装置は、特に限定されないが、テーパー角度をより精度よく調整するという観点から、直描露光装置を用いることが好ましい。
直描露光装置およびその光源としては、特に限定されないが、例えば、オーク社製の直描露光機「DiIMPACT Mms80」)およびショートアークUVランプ(波長300〜500nmの紫外線)の組み合わせ、日立ビアメカニクス社製の直描露光および波長405nmの紫外線レーザの組み合わせが挙げられる。
この露光工程における露光量は、感光性樹脂組成物の種類や露光装置の種類に応じて、適宜設定できる。例えば、露光量は、10mJ/cm以上500mJ/cm以下であることが好ましく、10mJ/cm以上200mJ/cm以下であることがより好ましい。
In the temporary resist film forming step, next, as shown in FIG. 3, the coating film 2a is exposed using an exposure apparatus.
Here, the exposure apparatus is not particularly limited, but a direct drawing exposure apparatus is preferably used from the viewpoint of adjusting the taper angle with higher accuracy.
The direct drawing exposure apparatus and the light source thereof are not particularly limited. For example, a combination of a direct drawing exposure machine “DiIMPACT Mms80” manufactured by Oak Co., Ltd.) and a short arc UV lamp (ultraviolet light having a wavelength of 300 to 500 nm), Hitachi Via Mechanics Co., Ltd. Examples include a combination of direct drawing exposure and ultraviolet laser having a wavelength of 405 nm.
The exposure amount in this exposure step can be appropriately set according to the type of photosensitive resin composition and the type of exposure apparatus. For example, the exposure amount is preferably at 10 mJ / cm 2 or more 500 mJ / cm 2 or less, more preferably 10 mJ / cm 2 or more 200 mJ / cm 2 or less.

一時レジスト膜形成工程においては、次いで、希アルカリ水溶液で非露光領域を除去することにより、露光後の塗膜2aを現像する。これにより、塗膜2aに開口部21を設けた一時レジスト膜2を形成できる。
現像方法としては、例えば、スプレー法、およびシャワー法などが挙げられる。
希アルカリ水溶液としては、例えば、0.5質量%以上5質量%以下の炭酸ナトリウム水溶液などが挙げられる。
In the temporary resist film forming step, the exposed film 2a is then developed by removing the non-exposed areas with a dilute alkaline aqueous solution. Thereby, the temporary resist film 2 which provided the opening part 21 in the coating film 2a can be formed.
Examples of the developing method include a spray method and a shower method.
Examples of the dilute alkaline aqueous solution include an aqueous sodium carbonate solution of 0.5 mass% to 5 mass%.

現像後の塗膜2aを、必要に応じて、熱処理(場合により、「ポストキュア」ともいう。)により硬化させて、一時レジスト膜2とソルダレジスト膜13との密着性を向上できる。なお、ポストキュアは行わなくてもよい。
ポストキュアを行う場合、熱処理条件としては、感光性樹脂組成物の種類に応じて異なり、特に限定されない。例えば、熱処理温度は、130℃以上170℃以下であることが好ましい。また、熱処理時間は、10分間以上30分間以下であることが好ましい。さらに、熱処理炉としては、熱風循環式の乾燥機などを採用できる。
The coated film 2 a after development can be cured by heat treatment (sometimes referred to as “post-cure”) as necessary to improve the adhesion between the temporary resist film 2 and the solder resist film 13. Note that post-cure need not be performed.
When performing the post cure, the heat treatment condition varies depending on the type of the photosensitive resin composition and is not particularly limited. For example, the heat treatment temperature is preferably 130 ° C. or higher and 170 ° C. or lower. Moreover, it is preferable that the heat processing time is 10 minutes or more and 30 minutes or less. Furthermore, as the heat treatment furnace, a hot-air circulating dryer or the like can be employed.

以上のようにして、図4に示すように、電極パッド12に対応する開口部21が設けられ、開口部21の端部の断面形状がテーパー状である一時レジスト膜2を形成できる。
本実施形態では、一時レジスト膜2の開口部21の端部の断面形状におけるテーパー角度θが、75°以下であることが必要である。このテーパー角度θが75°以下であれば、開口部21にソルダペースト3aを十分に充填することができる。また、ソルダペースト3aをより充填しやすくするという観点から、テーパー角度θは、70°以下であることが好ましく、60°以下であることがより好ましい。
なお、テーパー角度θは、図4に示すようにして、求めることができる。すなわち、一時レジスト膜2の開口部21の端部を観察し、一時レジスト膜2における開口部21の端部の上端から下端までの配線基板1の平面方向における距離x、および、一時レジスト膜2の厚みyを測定する。そして、これらxおよびyの値から、テーパー角度θを算出できる。
As described above, as shown in FIG. 4, the temporary resist film 2 in which the opening 21 corresponding to the electrode pad 12 is provided and the cross-sectional shape of the end of the opening 21 is tapered can be formed.
In the present embodiment, the taper angle θ in the cross-sectional shape of the end portion of the opening 21 of the temporary resist film 2 needs to be 75 ° or less. If the taper angle θ is 75 ° or less, the opening 21 can be sufficiently filled with the solder paste 3a. Further, from the viewpoint of facilitating the filling of the solder paste 3a, the taper angle θ is preferably 70 ° or less, and more preferably 60 ° or less.
The taper angle θ can be obtained as shown in FIG. That is, the end of the opening 21 of the temporary resist film 2 is observed, the distance x in the plane direction of the wiring substrate 1 from the upper end to the lower end of the end of the opening 21 in the temporary resist film 2, and the temporary resist film 2 The thickness y is measured. Then, the taper angle θ can be calculated from these x and y values.

(はんだバンプ形成工程)
はんだバンプ形成工程においては、先ず、一時レジスト膜2の開口部21にソルダペースト3aを充填する。
ソルダペースト3aとしては、公知のソルダペーストを適宜用いることができる。
ソルダペースト3aを充填する方法としては、例えば、スキージを用いた方法を採用できる。具体的には、図5に示すように、一時レジスト膜2上のソルダペースト3aおよびスキージ9を配置し、一時レジスト膜2上でスキージ9を滑らせながら移動させることで、図6に示すように、ソルダペースト3aを一時レジスト膜2の開口部21に充填できる。
(Solder bump formation process)
In the solder bump forming step, first, the solder paste 3a is filled into the opening 21 of the temporary resist film 2.
As the solder paste 3a, a known solder paste can be used as appropriate.
As a method for filling the solder paste 3a, for example, a method using a squeegee can be employed. Specifically, as shown in FIG. 5, the solder paste 3a and the squeegee 9 on the temporary resist film 2 are arranged, and the squeegee 9 is moved on the temporary resist film 2 while sliding, as shown in FIG. In addition, the solder paste 3 a can be filled in the opening 21 of the temporary resist film 2.

はんだバンプ形成工程においては、次に、リフロー処理を施して、図7に示すように、はんだバンプ3を形成する。
リフロー処理の条件は、はんだの融点に応じて適宜設定すればよい。例えば、Sn−Ag−Cu系のはんだ合金を用いる場合には、プリヒートを温度150〜200℃で60〜120秒間行い、ピーク温度を230〜270℃に設定すればよい。
In the solder bump forming step, next, a reflow process is performed to form solder bumps 3 as shown in FIG.
What is necessary is just to set the conditions of a reflow process suitably according to melting | fusing point of solder. For example, when using a Sn—Ag—Cu-based solder alloy, preheating may be performed at a temperature of 150 to 200 ° C. for 60 to 120 seconds, and a peak temperature may be set to 230 to 270 ° C.

(一時レジスト膜剥離工程)
一時レジスト膜剥離工程においては、図8に示すように、配線基板1から一時レジスト膜2を剥離する。
一時レジスト膜2を剥離する方法としては、アルカリ水溶液により一時レジスト膜2を溶解させて剥離する方法を採用できる。
アルカリ水溶液は、使用する感光性樹脂組成物に応じて適宜選択すればよい。このようなアルカリ水溶液としては、水酸化カリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液などが挙げられる。また、このようなアルカリ水溶液の濃度は、例えば1〜5質量%とすることが好ましい。
(Temporary resist film peeling process)
In the temporary resist film peeling step, the temporary resist film 2 is peeled from the wiring board 1 as shown in FIG.
As a method for removing the temporary resist film 2, a method in which the temporary resist film 2 is dissolved and removed with an alkaline aqueous solution can be employed.
What is necessary is just to select alkaline aqueous solution suitably according to the photosensitive resin composition to be used. Examples of such an alkaline aqueous solution include an aqueous potassium hydroxide solution and an aqueous sodium hydroxide solution. Moreover, it is preferable that the density | concentration of such alkaline aqueous solution shall be 1-5 mass%, for example.

(実施形態の効果)
以上のような実施形態によれば、次のような効果が得られる。
(1)塗膜2aの385nmにおけるヘーズ値を所定値以下に調整すれば、一時レジスト膜2における開口部21の端部の断面形状をテーパー状とし、テーパー角度θを75°以下とできる。さらに、塗膜2aの385nmにおけるヘーズ値を更に大きくしていくことで、テーパー角度θを更に小さくできる。このようにして、本実施形態によれば、一時レジスト膜2におけるテーパー角度θを、簡易な方法で調整できる。
(2)一時レジスト膜2におけるテーパー角度θを75°以下とすることで、一時レジスト膜2の開口部21の入り口はより大きくなる。そのため、ソルダペースト3aを充填しやすくなり、また、電極パッド12あたりのソルダペースト3aの量も多くできる。そして、電極パッド12が微小な場合でも、ミッシングバンプを十分に抑制できる。
(Effect of embodiment)
According to the above embodiment, the following effects can be obtained.
(1) If the haze value at 385 nm of the coating film 2a is adjusted to a predetermined value or less, the cross-sectional shape of the end portion of the opening 21 in the temporary resist film 2 can be tapered, and the taper angle θ can be 75 ° or less. Furthermore, the taper angle θ can be further reduced by further increasing the haze value at 385 nm of the coating film 2a. Thus, according to the present embodiment, the taper angle θ in the temporary resist film 2 can be adjusted by a simple method.
(2) By setting the taper angle θ in the temporary resist film 2 to 75 ° or less, the entrance of the opening 21 of the temporary resist film 2 becomes larger. Therefore, it becomes easy to fill the solder paste 3a, and the amount of the solder paste 3a per electrode pad 12 can be increased. Even when the electrode pad 12 is very small, the missing bump can be sufficiently suppressed.

(感光性樹脂組成物)
次に、本実施形態に用いる感光性樹脂組成物について説明する。
本実施形態に用いる感光性樹脂組成物は、(A)カルボキシル基含有感光性樹脂と、(B)光重合開始剤と、(C)反応性希釈剤とを含有し、必要に応じて、(D)エポキシ化合物を含有するものである。
(Photosensitive resin composition)
Next, the photosensitive resin composition used for this embodiment is demonstrated.
The photosensitive resin composition used in the present embodiment contains (A) a carboxyl group-containing photosensitive resin, (B) a photopolymerization initiator, and (C) a reactive diluent. D) An epoxy compound is contained.

((A)成分)
本実施形態に用いる(A)カルボキシル基含有感光性樹脂は、特に限定されず、例えば、感光性の不飽和二重結合を1個以上有する感光性のカルボキシル基含有樹脂が挙げられる。カルボキシル基含有感光性樹脂としては、1分子中にエポキシ基を2個以上有する多官能性エポキシ樹脂のエポキシ基の少なくとも一部に、アクリル酸やメタクリル酸(以下、「(メタ)アクリル酸」ということがある。)のラジカル重合性不飽和モノカルボン酸を反応させて、エポキシ(メタ)アクリレートなどのラジカル重合性不飽和モノカルボン酸化エポキシ樹脂を得た後に、生成した水酸基にさらに多塩基酸またはその無水物を反応させて得られる、多塩基酸変性エポキシ(メタ)アクリレートなどの多塩基酸変性ラジカル重合性不飽和モノカルボン酸化エポキシ樹脂が挙げられる。
((A) component)
The (A) carboxyl group-containing photosensitive resin used in the present embodiment is not particularly limited, and examples thereof include a photosensitive carboxyl group-containing resin having one or more photosensitive unsaturated double bonds. As a carboxyl group-containing photosensitive resin, acrylic acid or methacrylic acid (hereinafter referred to as “(meth) acrylic acid”) is included in at least a part of the epoxy group of the multifunctional epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. And a radical polymerizable unsaturated monocarboxylic acid epoxy resin such as epoxy (meth) acrylate, and then a polybasic acid or a polybasic acid in addition to the resulting hydroxyl group. Polybasic acid-modified radically polymerizable unsaturated monocarboxylic oxide epoxy resin such as polybasic acid-modified epoxy (meth) acrylate obtained by reacting the anhydride.

前記多官能性エポキシ樹脂は、2官能以上のエポキシ樹脂であればいずれでも使用可能である。また、エポキシ当量は、特に限定されないが、例えば、1000以下であり、好ましくは100以上500以下である。多官能性エポキシ樹脂には、例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ゴム変性エポキシ樹脂(例えば、シリコーン変性エポキシ樹脂など)、ε−カプロラクトン変性エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂(例えば、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ビスフェノールAD型などのエポキシ樹脂)、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(例えば、о−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂)、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、環状脂肪族多官能エポキシ樹脂、グリシジルエステル型多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型多官能エポキシ樹脂、複素環式多官能エポキシ樹脂、ビスフェノール変性ノボラック型エポキシ樹脂、多官能変性ノボラック型エポキシ樹脂、および、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物型エポキシ樹脂などが挙げられる。また、これらの樹脂にBr、Cl等のハロゲン原子を導入したものも使用可能である。   Any polyfunctional epoxy resin can be used as long as it is a bifunctional or higher functional epoxy resin. Moreover, although an epoxy equivalent is not specifically limited, For example, it is 1000 or less, Preferably it is 100 or more and 500 or less. Examples of the polyfunctional epoxy resin include biphenyl type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, rubber-modified epoxy resin (for example, silicone-modified epoxy resin), ε-caprolactone-modified epoxy resin, phenol novolac. Type epoxy resin (for example, epoxy resin such as bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol AD type), cresol novolac type epoxy resin (for example, о-cresol novolac type epoxy resin), bisphenol A novolak type epoxy resin, cyclic aliphatic Multifunctional epoxy resin, Glycidyl ester type polyfunctional epoxy resin, Glycidylamine type polyfunctional epoxy resin, Heterocyclic polyfunctional epoxy resin, Bisphenol modified novolac type epoxy resin, Multifunctional modified epoxy resin Examples thereof include a borak type epoxy resin and a condensate type epoxy resin of a phenol and an aromatic aldehyde having a phenolic hydroxyl group. Moreover, what introduce | transduced halogen atoms, such as Br and Cl, to these resin can also be used.

ラジカル重合性不飽和モノカルボン酸は、特に限定されず、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、桂皮酸などが挙げられる。これらの中でも、アクリル酸、メタクリル酸が好ましい。エポキシ樹脂とラジカル重合性不飽和モノカルボン酸との反応方法は特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂とラジカル重合性不飽和モノカルボン酸とを適当な希釈剤中で加熱することにより反応させることができる。   The radically polymerizable unsaturated monocarboxylic acid is not particularly limited, and examples thereof include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, and cinnamic acid. Among these, acrylic acid and methacrylic acid are preferable. The reaction method of the epoxy resin and the radically polymerizable unsaturated monocarboxylic acid is not particularly limited. For example, the epoxy resin and the radically polymerizable unsaturated monocarboxylic acid can be reacted by heating in an appropriate diluent. it can.

多塩基酸、多塩基酸無水物は、前記エポキシ樹脂とラジカル重合性不飽和モノカルボン酸との反応により生成した水酸基に反応することで、樹脂に遊離のカルボキシル基を導入させるものである。多塩基酸又はその無水物は特に限定されず、飽和、不飽和のいずれも使用可能である。多塩基酸には、コハク酸、マレイン酸、アジピン酸、クエン酸、フタル酸、テトラヒドロフタル酸、3−メチルテトラヒドロフタル酸、4−メチルテトラヒドロフタル酸、3−エチルテトラヒドロフタル酸、4−エチルテトラヒドロフタル酸、ヘキサヒドロフタル酸、3−メチルヘキサヒドロフタル酸、4−メチルヘキサヒドロフタル酸、3−エチルヘキサヒドロフタル酸、4−エチルヘキサヒドロフタル酸、メチルテトラヒドロフタル酸、メチルヘキサヒドロフタル酸、エンドメチレンテトラヒドロフタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロフタル酸、トリメリット酸、ピロメリット酸およびジグリコール酸などが挙げられ、多塩基酸無水物としては、これらの無水物が挙げられる。これらの化合物は単独で使用してもよく、2種以上混合して使用してもよい。   The polybasic acid and the polybasic acid anhydride are those for introducing a free carboxyl group into the resin by reacting with the hydroxyl group generated by the reaction of the epoxy resin and the radical polymerizable unsaturated monocarboxylic acid. The polybasic acid or its anhydride is not particularly limited, and either saturated or unsaturated can be used. Polybasic acids include succinic acid, maleic acid, adipic acid, citric acid, phthalic acid, tetrahydrophthalic acid, 3-methyltetrahydrophthalic acid, 4-methyltetrahydrophthalic acid, 3-ethyltetrahydrophthalic acid, 4-ethyltetrahydro Phthalic acid, hexahydrophthalic acid, 3-methylhexahydrophthalic acid, 4-methylhexahydrophthalic acid, 3-ethylhexahydrophthalic acid, 4-ethylhexahydrophthalic acid, methyltetrahydrophthalic acid, methylhexahydrophthalic acid , Endomethylenetetrahydrophthalic acid, methylendomethylenetetrahydrophthalic acid, trimellitic acid, pyromellitic acid, diglycolic acid, and the like. Examples of polybasic acid anhydrides include these anhydrides. These compounds may be used alone or in combination of two or more.

上記した多塩基酸変性不飽和モノカルボン酸化エポキシ樹脂もカルボキシル基含有感光性樹脂として使用できる。また、必要に応じて、上記した多塩基酸変性不飽和モノカルボン酸化エポキシ樹脂のカルボキシル基に、1つ以上のラジカル重合性不飽和基とエポキシ基とを有するグリシジル化合物を反応させることにより、ラジカル重合性不飽和基を更に導入して、感光性をより向上させたカルボキシル基含有感光性樹脂としてもよい。   The polybasic acid-modified unsaturated monocarboxylic oxide epoxy resin described above can also be used as a carboxyl group-containing photosensitive resin. Further, if necessary, by reacting the carboxyl group of the polybasic acid-modified unsaturated monocarboxylic oxide epoxy resin with a glycidyl compound having one or more radical polymerizable unsaturated groups and an epoxy group, a radical is obtained. It is good also as a carboxyl group-containing photosensitive resin which introduce | transduced the polymerizable unsaturated group further and improved photosensitivity.

この感光性をより向上させたカルボキシル基含有感光性樹脂は、前記グリシジル化合物の反応によって、ラジカル重合性不飽和基が多塩基酸変性不飽和モノカルボン酸化エポキシ樹脂骨格の側鎖に結合することから、光重合反応性が高く、優れた感光特性を有することができる樹脂となる。1つ以上のラジカル重合性不飽和基とエポキシ基とを有する化合物としては、特に限定されないが、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールトリアクリレートモノグリシジルエーテルなどが挙げられる。なお、グリシジル基は1分子中に複数有していてもよい。上記した1つ以上のラジカル重合性不飽和基とエポキシ基とを有する化合物は、単独で使用してもよく、2種以上を混合して使用してもよい。   In this carboxyl group-containing photosensitive resin with improved photosensitivity, the radical polymerizable unsaturated group is bonded to the side chain of the polybasic acid-modified unsaturated monocarboxylic oxide epoxy resin skeleton by the reaction of the glycidyl compound. It becomes a resin having high photopolymerization reactivity and having excellent photosensitive properties. The compound having one or more radically polymerizable unsaturated groups and an epoxy group is not particularly limited, and examples thereof include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, allyl glycidyl ether, and pentaerythritol triacrylate monoglycidyl ether. In addition, you may have multiple glycidyl groups in 1 molecule. The above-mentioned compound having one or more radically polymerizable unsaturated groups and an epoxy group may be used alone or in combination of two or more.

カルボキシル基含有感光性樹脂の酸価は、特に限定されないが、例えば、確実なアルカリ現像の点から、30mgKOH/g以上であることが好ましく、40mgKOH/gが特に好ましい。一方、この酸価は、アルカリ現像液による露光部の溶解防止の点から、200mgKOH/g以下であることが好ましく、150mgKOH/g以下であることが特に好ましい。   The acid value of the carboxyl group-containing photosensitive resin is not particularly limited. For example, it is preferably 30 mgKOH / g or more, particularly preferably 40 mgKOH / g, from the viewpoint of reliable alkali development. On the other hand, the acid value is preferably 200 mgKOH / g or less, and particularly preferably 150 mgKOH / g or less, from the viewpoint of preventing dissolution of the exposed area with an alkali developer.

また、カルボキシル基含有感光性樹脂の質量平均分子量は、特に限定されないが、例えば、硬化物の強靭性および指触乾燥性の点から、3000以上であることが好ましく、5000以上であることが特に好ましい。一方、この質量平均分子量は、円滑なアルカリ現像性の点から、200000以下であることが好ましく、50000以下であることが特に好ましい。   Further, the mass average molecular weight of the carboxyl group-containing photosensitive resin is not particularly limited, but for example, is preferably 3000 or more, and particularly preferably 5000 or more, from the viewpoint of toughness of the cured product and dryness to touch. preferable. On the other hand, the mass average molecular weight is preferably 200000 or less, particularly preferably 50000 or less, from the viewpoint of smooth alkali developability.

カルボキシル基含有感光性樹脂として市販されているものには、例えば、サイクロマー(ACA)Z−251(ダイセル・オルネクス社製)、ZCR−1601H、ZAR−2000、ZFR−1122、FLX−2089(以上、日本化薬社製)、リポキシSP−4621(昭和電工社製)が挙げられる。これらの樹脂は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を混合して使用してもよい。   Examples of commercially available carboxyl group-containing photosensitive resins include cyclomer (ACA) Z-251 (manufactured by Daicel Ornex Co., Ltd.), ZCR-1601H, ZAR-2000, ZFR-1122, FLX-2089 (and above). , Nippon Kayaku Co., Ltd.) and Lipoxy SP-4621 (Showa Denko). These resins may be used alone or in combination of two or more.

((B)成分)
本実施形態に用いる(B)光重合開始剤としては、特に限定されず、適宜公知のものを使用できる。この光重合開始剤としては、α−ヒドロキシケトン系光重合開始剤、および、1分子中に2つ以上のカルバゾール骨格を有するオキシムエステル系光重合開始剤などが挙げられる。
α−ヒドロキシケトン系光重合開始剤としては、1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン、1−[4−(2−ヒドロキシエトキシ)−フェニル]−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−プロパン−1−オン、および、2−ヒドロキシ−1−{4−[4−(2−ヒドロキシ−2
−メチル−プロピオニル)−ベンジル]−フェニル}−2−メチル−プロパン−1−オン
が挙げられる。これらは1種を単独で使用してもよく2種以上を混合して使用してもよい。また、α−ヒドロキシケトン系光重合開始剤として市販されているものとしては、例えば、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製のイルガキュア184、ダロキュア1173、イルガキュア2959、およびイルガキュア127が挙げられる。
((B) component)
The (B) photopolymerization initiator used in the present embodiment is not particularly limited, and known ones can be used as appropriate. Examples of the photopolymerization initiator include an α-hydroxyketone photopolymerization initiator and an oxime ester photopolymerization initiator having two or more carbazole skeletons in one molecule.
Examples of the α-hydroxyketone photopolymerization initiator include 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one, and 1- [4- (2-hydroxyethoxy). ) -Phenyl] -2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one and 2-hydroxy-1- {4- [4- (2-hydroxy-2)
-Methyl-propionyl) -benzyl] -phenyl} -2-methyl-propan-1-one. These may be used alone or in combination of two or more. Examples of commercially available α-hydroxyketone photopolymerization initiators include Irgacure 184, Darocur 1173, Irgacure 2959, and Irgacure 127 manufactured by Ciba Specialty Chemicals.

オキシムエステル系光重合開始剤としては、1,8−オクタンジオン,1,8−ビス[9−エチル−6−ニトロ−9H−カルバゾール−3−イル]−,1,8−ビス(O−アセチルオキシム)、および、9−(2−エチルヘキシル)−(9−エチル−6−ニトロ−9H−カルバゾール−3−イル)−(4−((1−メトキシプロパン−2−イル)オキシ)−2−メチルフェニル)メタノン−O−アセチルオキシムなどが挙げられる。   Examples of the oxime ester photopolymerization initiator include 1,8-octanedione, 1,8-bis [9-ethyl-6-nitro-9H-carbazol-3-yl]-, 1,8-bis (O-acetyl). Oxime) and 9- (2-ethylhexyl)-(9-ethyl-6-nitro-9H-carbazol-3-yl)-(4-((1-methoxypropan-2-yl) oxy) -2- And methylphenyl) methanone-O-acetyloxime.

光重合開始剤の配合量は、特に限定されず、例えば、カルボキシル基含有感光性樹脂100質量部に対して、着色剤が含まれる塗膜でも感光性と解像性を確実に向上させる点から、0.2質量部以上であることが好ましく、はんだ耐熱性の点から、0.4質量部以上であることがより好ましく、耐金めっき性の点から、0.6質量部以上であることが特に好ましい。一方、光重合開始剤の配合量は、カルボキシル基含有感光性樹脂100質量部に対して、塗膜からのアウトガス低減の点から、4.0質量部以下であることが好ましく、ラインの寸法精度の点から、3.0質量部以下であることがより好ましく、明度の低下を確実に防止する点から、2.0質量部以下であることが特に好ましい。   The blending amount of the photopolymerization initiator is not particularly limited. For example, the photosensitivity and resolution can be reliably improved even in a coating film containing a colorant with respect to 100 parts by mass of the carboxyl group-containing photosensitive resin. It is preferably 0.2 parts by mass or more, more preferably 0.4 parts by mass or more from the viewpoint of solder heat resistance, and 0.6 parts by mass or more from the viewpoint of gold plating resistance. Is particularly preferred. On the other hand, the blending amount of the photopolymerization initiator is preferably 4.0 parts by mass or less from the viewpoint of reducing outgas from the coating film with respect to 100 parts by mass of the carboxyl group-containing photosensitive resin. From this point, it is more preferably 3.0 parts by mass or less, and particularly preferably 2.0 parts by mass or less from the viewpoint of reliably preventing a decrease in brightness.

((C)成分)
本実施形態に用いる(C)反応性希釈剤は、例えば、光重合性モノマーであり、1分子当たり少なくとも1つの重合性二重結合を有する化合物である。反応性希釈剤は、感光性樹脂組成物の光硬化性を向上できる。
((C) component)
The (C) reactive diluent used in this embodiment is, for example, a photopolymerizable monomer and a compound having at least one polymerizable double bond per molecule. The reactive diluent can improve the photocurability of the photosensitive resin composition.

反応性希釈剤としては、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、フェノキシエチル(メタ)アクリレート、ジエチレングルコールモノ(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピル(メタ)アクリルレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールアジペートジ(メタ)アクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニルジ(メタ)アクリレート、カプロラクトン変性ジシクロペンテニルジ(メタ)アクリレート、エチレンオキサイド変性燐酸ジ(メタ)アクリレート、アリル化シクロヘキシルジ(メタ)アクリレート、イソシアヌレートジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、プロピレンオキシド変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、トリス(アクリロキシエチル)イソシアヌレート、プロピオン酸変性ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、および、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレートが挙げられる。これらは1種を単独で使用してもよく、2種以上を混合して使用してもよい。   Examples of reactive diluents include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, phenoxyethyl (meth) acrylate, diethylene glycol mono (meth) acrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl (meth) acrylate, 1,4 -Butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol adipate di (meth) acrylate, hydroxypivalic acid Neopentyl glycol di (meth) acrylate, dicyclopentanyl di (meth) acrylate, caprolactone modified dicyclopentenyl di (meth) acrylate, ethylene oxide modified phosphoric acid di (meth) acrylate, Rilylated cyclohexyl di (meth) acrylate, isocyanurate di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, ditrimethylolpropane tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) Acrylate, propylene oxide modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tris (acryloxyethyl) isocyanurate, propionic acid modified dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, and caprolactone modified dipenta Examples include erythritol hexa (meth) acrylate. These may be used individually by 1 type, and may mix and use 2 or more types.

反応性希釈剤の配合量は特に限定されず、例えば、カルボキシル基含有感光性樹脂100質量部に対して、2質量部以上500質量部以下であることが好ましく、10質量部以上300質量部以下であることが特に好ましい。   The compounding quantity of a reactive diluent is not specifically limited, For example, it is preferable that it is 2 mass parts or more and 500 mass parts or less with respect to 100 mass parts of carboxyl group-containing photosensitive resin, and 10 mass parts or more and 300 mass parts or less. It is particularly preferred that

((D)成分)
本実施形態に用いる(D)エポキシ化合物は、エポキシ基を有する化合物である。このエポキシ化合物により、アルカリ可溶性透明樹脂組成物の硬化物の架橋密度を上げることができる。
エポキシ化合物には、例えば、エポキシ樹脂を挙げられる。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(例えば、ビスフェノールA型液状エポキシ樹脂、ビスフェノールA型変性柔軟性エポキシ樹脂、核水添ビスフェノールA型液状エポキシ樹脂)、ノボラック型エポキシ樹脂(例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、p−tert−ブチルフェノールノボラック型)、ビスフェノールF型やビスフェノールS型エポキシ樹脂(ビスフェノールFやビスフェノールSにエピクロルヒドリンを反応させて得られたエポキシ樹脂)、脂環式エポキシ樹脂(シクロヘキセンオキシド基、トリシクロデカンオキシド基、シクロペンテンオキシド基などを有する脂環式エポキシ樹脂)、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、および、アダマンタン型エポキシ樹脂が挙げられる。
((D) component)
The (D) epoxy compound used in the present embodiment is a compound having an epoxy group. By this epoxy compound, the crosslinking density of the cured product of the alkali-soluble transparent resin composition can be increased.
Examples of the epoxy compound include an epoxy resin. Examples of the epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin (for example, bisphenol A type liquid epoxy resin, bisphenol A type modified flexible epoxy resin, nuclear hydrogenated bisphenol A type liquid epoxy resin), and novolak type epoxy resin (for example, phenol). Novolac type epoxy resin, o-cresol novolak type epoxy resin, p-tert-butylphenol novolak type), bisphenol F type and bisphenol S type epoxy resin (epoxy resin obtained by reacting bisphenol F and bisphenol S with epichlorohydrin), An alicyclic epoxy resin (an alicyclic epoxy resin having a cyclohexene oxide group, a tricyclodecane oxide group, a cyclopentene oxide group, etc.), a dicyclopentadiene type epoxy resin, and Adamantane type epoxy resins.

エポキシ化合物の配合量は、カルボキシル基含有感光性樹脂100質量部に対して、十分な硬化性を得る点から、1質量部以上75質量部以下であることが好ましく、10質量部以上50質量部以下であることがより好ましい。   The compounding amount of the epoxy compound is preferably 1 part by mass or more and 75 parts by mass or less from the viewpoint of obtaining sufficient curability with respect to 100 parts by mass of the carboxyl group-containing photosensitive resin. The following is more preferable.

((E)成分)
本実施形態に用いる感光性樹脂組成物には、上記した(A)成分〜(D)成分の他に、必要に応じて、(E)消泡剤を配合してもよい。
消泡剤としては、特に限定されないが、例えば、シリコーン系、炭化水素系、アクリル系などの消泡剤が挙げられる。これらは1種を単独で使用してもよく、2種以上を混合して使用してもよい。
このような消泡剤を用いる場合、その配合量としては、消泡性およびヘーズ値を所定範囲に調整するという観点から、カルボキシル基含有感光性樹脂100質量部に対して、0.01質量部以上10質量部以下であることが好ましく、0.05質量部以上5質量部以下であることがより好ましい。
((E) component)
In addition to the components (A) to (D) described above, (E) an antifoaming agent may be blended in the photosensitive resin composition used in the present embodiment, if necessary.
Although it does not specifically limit as an antifoamer, For example, antifoamers, such as a silicone type, a hydrocarbon type, an acrylic type, are mentioned. These may be used individually by 1 type, and may mix and use 2 or more types.
In the case of using such an antifoaming agent, the blending amount thereof is 0.01 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the carboxyl group-containing photosensitive resin from the viewpoint of adjusting the defoaming property and the haze value to a predetermined range. The amount is preferably 10 parts by mass or less, and more preferably 0.05 parts by mass or more and 5 parts by mass or less.

((F)成分)
本実施形態に用いる感光性樹脂組成物には、上記した(A)成分〜(E)成分の他に、必要に応じて、(F)フィラーを配合してもよい。
フィラーとしては、硫酸バリウム、シリカ、アルミナ、タルク、およびマイカなどが挙げられる。これらは1種を単独で使用してもよく、2種以上を混合して使用してもよい。
このようなフィラーを用いる場合、その配合量としては、ヘーズ値を所定範囲に調整するという観点から、カルボキシル基含有感光性樹脂100質量部に対して、1質量部以上100質量部以下であることが好ましく、5質量部以上50質量部以下であることがより好ましい。
((F) component)
In addition to the above-described components (A) to (E), the photosensitive resin composition used in the present embodiment may contain a filler (F) as necessary.
Examples of the filler include barium sulfate, silica, alumina, talc, and mica. These may be used individually by 1 type, and may mix and use 2 or more types.
When such a filler is used, the blending amount thereof is 1 part by mass or more and 100 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the carboxyl group-containing photosensitive resin from the viewpoint of adjusting the haze value to a predetermined range. Is preferably 5 parts by mass or more and 50 parts by mass or less.

本実施形態に用いる感光性樹脂組成物には、上記した(A)成分〜(F)成分の他に、必要に応じて、種々の添加成分、例えば、溶剤、着色剤、潜在性硬化剤、酸化防止剤、カップリング剤および他の添加剤(例えば、メルカプトカルボン酸エステル)などを、適宜配合してもよい。   In the photosensitive resin composition used in the present embodiment, in addition to the above-described components (A) to (F), various additive components, for example, a solvent, a colorant, a latent curing agent, You may mix | blend antioxidant, a coupling agent, other additives (for example, mercaptocarboxylic acid ester) etc. suitably.

溶剤(非反応性希釈剤)は、感光性樹脂組成物の粘度や乾燥性を調整するためのものである。溶剤としては、ケトン類(例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン)、芳香族炭化水素類(例えば、トルエン、キシレン)、アルコール類(例えば、メタノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール)、脂環式炭化水素類(例えば、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン)、石油系溶剤類(例えば、石油エーテル、石油ナフサ)、セロソルブ類(例えば、セロソルブ、ブチルセロソルブ)、(例えば、カルビトール、ブチルカルビトール)、および、エステル類(例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、エチルジグリコールアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート)などが挙げられる。これらは1種を単独で使用してもよく、2種以上を混合して使用してもよい。
溶剤の配合量としては、カルボキシル基含有感光性樹脂100質量部に対して、1質量部以上200質量部以下であることが好ましく、5質量部以上50質量部以下であることがより好ましい。これらの配合量が前記範囲内であれば、得られる感光性樹脂組成物の諸特性に影響を与えずに、感光性樹脂組成物の粘度や乾燥性を調整できる。
The solvent (non-reactive diluent) is for adjusting the viscosity and drying property of the photosensitive resin composition. Solvents include ketones (eg, methyl ethyl ketone, cyclohexanone), aromatic hydrocarbons (eg, toluene, xylene), alcohols (eg, methanol, isopropanol, cyclohexanol), alicyclic hydrocarbons (eg, cyclohexane) , Methylcyclohexane), petroleum-based solvents (eg, petroleum ether, petroleum naphtha), cellosolves (eg, cellosolve, butylcellosolve), (eg, carbitol, butylcarbitol), and esters (eg, ethyl acetate, Butyl acetate, cellosolve acetate, butyl cellosolve acetate, carbitol acetate, butyl carbitol acetate, ethyl diglycol acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol Roh ether acetate) and the like. These may be used individually by 1 type, and may mix and use 2 or more types.
As a compounding quantity of a solvent, it is preferable that it is 1 to 200 mass parts with respect to 100 mass parts of carboxyl group-containing photosensitive resin, and it is more preferable that it is 5 to 50 mass parts. If these compounding quantities are in the said range, the viscosity and drying property of the photosensitive resin composition can be adjusted, without affecting the various characteristics of the obtained photosensitive resin composition.

着色剤は、顔料、色素など、特に限定されず、また、白色着色剤、青色着色剤、黄色着色剤、黒色着色剤など、いずれも使用可能である。着色剤としては、例えば、白色着色剤である酸化チタン、黒色着色剤であるカーボンブラック、アセチレンブラックなどの無機系着色剤や、フタロシアニングリーン、フタロシアニンブルー、リオノールブルーなどのフタロシアニン系、アントラキノン系などの有機系着色剤などが挙げられる。これらは1種を単独で使用してもよく、2種以上混合して使用してもよい。
潜在性硬化剤としては、例えば、ジシアンジアミド(DICY)およびその誘導体、メラミンおよびその誘導体が挙げられる。
酸化防止剤およびカップリング剤としては、適宜公知のものを使用できる。
The colorant is not particularly limited, such as a pigment or a dye, and any of a white colorant, a blue colorant, a yellow colorant, and a black colorant can be used. Examples of the colorant include inorganic colorants such as titanium oxide as a white colorant, carbon black as a black colorant, and acetylene black, phthalocyanine types such as phthalocyanine green, phthalocyanine blue, and lionol blue, anthraquinone types, and the like. Organic colorants and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
Examples of the latent curing agent include dicyandiamide (DICY) and its derivatives, melamine and its derivatives.
Known antioxidants and coupling agents can be used as appropriate.

これらの着色剤、潜在性硬化剤、酸化防止剤、カップリング剤および他の添加剤を用いる場合、その配合量としては、カルボキシル基含有感光性樹脂100質量部に対して、0.01質量部以上10質量部以下であることが好ましく、0.05質量部以上5質量部以下であることがより好ましい。これらの配合量が前記下限未満では、それぞれの添加剤の効果を奏しにくくなる傾向にあり、他方、前記上限を超えると、得られる感光性樹脂組成物の諸特性が低下する傾向にある。   When using these colorants, latent curing agents, antioxidants, coupling agents and other additives, the blending amount is 0.01 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the carboxyl group-containing photosensitive resin. The amount is preferably 10 parts by mass or less, and more preferably 0.05 parts by mass or more and 5 parts by mass or less. If the blending amount is less than the lower limit, the effects of the respective additives tend to be difficult to achieve. On the other hand, if the upper limit is exceeded, various characteristics of the resulting photosensitive resin composition tend to be lowered.

上記した本実施形態の感光性樹脂組成物の製造方法は、特定の方法に限定されない。例えば、上記各成分を所定割合で配合後、室温にて、三本ロール、ボールミル、サンドミルなどの混練手段、またはスーパーミキサー、プラネタリーミキサーなどの攪拌手段により混練または混合して製造することができる。また、前記混練または混合の前に、必要に応じて、予備混練または予備混合してもよい。   The manufacturing method of the photosensitive resin composition of this embodiment mentioned above is not limited to a specific method. For example, after blending each of the above components in a predetermined ratio, it can be produced by mixing or mixing at room temperature with a kneading means such as a three roll, ball mill, or sand mill, or a stirring means such as a super mixer or a planetary mixer. . Further, prior to the kneading or mixing, if necessary, preliminary kneading or premixing may be performed.

[実施形態の変形]
本発明は前述の実施形態に限定されず、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良などは本発明に含まれる。
例えば、前述の実施形態では、一時レジスト膜形成工程において直描露光装置にて塗膜を露光したが、これに限定されない。例えば、予備乾燥後の感光性樹脂組成物の塗膜上に、回路パターンのランド以外を透光性にしたパターンを有するフォトマスクを密着させ、その上から紫外線を照射して露光してもよい。
[Modification of Embodiment]
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and modifications, improvements, and the like within the scope that can achieve the object of the present invention are included in the present invention.
For example, in the above-described embodiment, the coating film is exposed by the direct drawing exposure apparatus in the temporary resist film forming step, but the present invention is not limited to this. For example, a photomask having a light-transmitting pattern other than the circuit pattern land may be brought into close contact with the pre-dried coating film of the photosensitive resin composition, and exposed to ultraviolet rays from above. .

次に、本発明を実施例および比較例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。   EXAMPLES Next, although an Example and a comparative example demonstrate this invention further in detail, this invention is not limited at all by these examples.

((A)成分)
カルボキシル基含有感光性樹脂:商品名「リポキシSP−4621」、昭和電工社製、固形分は62.5質量%
((B)成分)
光重合開始剤:9−(2−エチルヘキシル)−(9−エチル−6−ニトロ−9H−カルバゾール−3−イル)−(4−((1−メトキシプロパン−2−イル)オキシ)−2−メチルフェニル)メタノン−O−アセチルオキシム、商品名「NCI−831」、ADEKA社製
((C)成分)
反応性希釈剤:ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、商品名「Miramer M600」、MIWON社製
((E)成分)
消泡剤A:シリコーン系消泡剤、商品名「KS−66」、信越化学工業社製
消泡剤B:商品名「フローレン AC−1180HF」、共栄社化学社製
((F)成分)
フィラーA:硫酸バリウム、商品名「硫酸バリウムB−30」、堺化学工業社製
フィラーB:シリカ、商品名「ACEMATT OK−412」、エボニックデグサジャパン社製
(他の成分)
添加剤:商品名「トリメチロールプロパントリスチオプロピオネート(TMTP)」、淀化学社製
溶剤A:ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、商品名「EDGAC」、三洋化成品社製
溶剤B:炭化水素系溶剤、商品名「ソルベッソ S−150」、安藤パラケミー社製
((A) component)
Carboxyl group-containing photosensitive resin: trade name “Lipoxy SP-4621”, manufactured by Showa Denko KK, solid content: 62.5% by mass
((B) component)
Photopolymerization initiator: 9- (2-ethylhexyl)-(9-ethyl-6-nitro-9H-carbazol-3-yl)-(4-((1-methoxypropan-2-yl) oxy) -2- Methylphenyl) methanone-O-acetyloxime, trade name “NCI-831”, manufactured by ADEKA (component (C))
Reactive diluent: Dipentaerythritol hexaacrylate, trade name “Miramer M600”, manufactured by MIWON (component (E))
Antifoaming agent A: silicone-based antifoaming agent, trade name “KS-66”, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. antifoaming agent B: trade name “Floren AC-1180HF”, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd. (component (F))
Filler A: Barium sulfate, trade name “Barium sulfate B-30”, Sakai Chemical Industry filler B: Silica, trade name “ACEMATT OK-412”, Evonik Degussa Japan (other components)
Additives: Trade name “Trimethylolpropane tristhiopropionate (TMTP)”, Sakai Chemical Co., Ltd. solvent A: Diethylene glycol monomethyl ether acetate, trade name “EDGAC”, Sanyo Chemicals Co., Ltd. solvent B: Hydrocarbon solvent, Product name "Solvesso S-150", manufactured by Ando Parachemy

[実施例1]
まず、以下に示す条件の配線基板を準備した。
電極パッドの直径:60μmと100μmの2種類
電極パッドのピッチ:100μm
絶縁基材:ガラス繊維強化エポキシ樹脂製(FR−5)
絶縁基材の厚み:0.2mm
導体の厚み:18μm
次に、カルボキシル基含有感光性樹脂40質量部、光重合開始剤0.4質量部、反応性希釈剤7質量部、消泡剤A1.6質量部、フィラーA10質量部、フィラーB1.5質量部、添加剤0.6質量部、溶剤A15質量部および溶剤B15質量部を容器に投入し、攪拌機にて予備混合した後、3本ロールを用いて室温にて混合し分散させて感光性樹脂組成物を得た。
そして、配線基板を、希硫酸(5質量%)により表面処理後、スクリーン印刷法にて、得られた感光性樹脂組成物を塗布した。塗布後、BOX炉にて80℃で20分の予備乾燥を行った。予備乾燥後、塗膜上に露光装置(オーク社製直描露光機「DiIMPACT Mms80」)にて、ショートアークUVランプ(波長300〜500nmの紫外線)を用い、露光量15mJ/cmにて直描露光をした。露光後、1質量%の炭酸ナトリウム水溶液を用いて、現像温度30℃、現像圧力0.2MPaのスプレー圧にて現像して、基板上に一時レジスト膜を形成した。一時レジスト膜の厚みは、40μmであった。
次に、一時レジスト膜の開口部に、ソルダペースト(タムラ製作所社製、合金組成が96.5%Sn、3%Ag、0.5%Cuのもの)を充填し、このソルダペーストにリフロー処理(プリヒートを温度150〜200℃で60〜120秒間行い、ピーク温度を240℃)を施して、はんだバンプを形成した。
その後、一時レジスト膜を3%水酸化カリウム水溶液(温度50℃)により溶解させて、一時レジスト膜2を除去した。このようにして、配線基板の電極パッド上に、複数のはんだバンプが形成されたバンプ付配線基板を作製した。
[Example 1]
First, a wiring board having the following conditions was prepared.
Electrode pad diameter: 60 μm and 100 μm 2 types of electrode pad pitch: 100 μm
Insulation substrate: Made of glass fiber reinforced epoxy resin (FR-5)
Insulating base material thickness: 0.2mm
Conductor thickness: 18 μm
Next, carboxyl group-containing photosensitive resin 40 parts by mass, photopolymerization initiator 0.4 parts by mass, reactive diluent 7 parts by mass, antifoaming agent A 1.6 parts by mass, filler A 10 parts by mass, filler B 1.5 parts by mass. Part, 0.6 parts by weight of additive, 15 parts by weight of solvent A and 15 parts by weight of solvent B are premixed in a stirrer, and then mixed and dispersed at room temperature using a three-roller to obtain a photosensitive resin. A composition was obtained.
Then, the surface of the wiring board was treated with dilute sulfuric acid (5% by mass), and the obtained photosensitive resin composition was applied by a screen printing method. After coating, preliminary drying was performed at 80 ° C. for 20 minutes in a BOX furnace. After preliminary drying, using a short arc UV lamp (ultraviolet light having a wavelength of 300 to 500 nm) with an exposure apparatus (Oak direct drawing exposure machine “DiIMPACT Mms80”), an exposure amount of 15 mJ / cm 2 is directly applied on the coating film. Drawing exposure. After the exposure, development was performed using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution at a development temperature of 30 ° C. and a spray pressure of a development pressure of 0.2 MPa to form a temporary resist film on the substrate. The thickness of the temporary resist film was 40 μm.
Next, solder paste (made by Tamura Corporation, alloy composition 96.5% Sn, 3% Ag, 0.5% Cu) is filled in the opening of the temporary resist film, and the solder paste is subjected to reflow treatment. (Preheating was performed at a temperature of 150 to 200 ° C. for 60 to 120 seconds, and a peak temperature was 240 ° C.) to form solder bumps.
Thereafter, the temporary resist film was dissolved with a 3% aqueous potassium hydroxide solution (temperature: 50 ° C.) to remove the temporary resist film 2. In this manner, a bumped wiring board in which a plurality of solder bumps were formed on the electrode pads of the wiring board was produced.

[実施例2〜4]
表1に示す組成に従い各材料を配合した以外は実施例1と同様にして、感光性樹脂組成物およびバンプ付配線基板を得た。
[比較例1および2]
表1に示す組成に従い各材料を配合した以外は実施例1と同様にして、感光性樹脂組成物およびバンプ付配線基板を得た。
[Examples 2 to 4]
A photosensitive resin composition and a bumped wiring board were obtained in the same manner as in Example 1 except that each material was blended according to the composition shown in Table 1.
[Comparative Examples 1 and 2]
A photosensitive resin composition and a bumped wiring board were obtained in the same manner as in Example 1 except that each material was blended according to the composition shown in Table 1.

<はんだバンプの形成方法の評価>
はんだバンプの形成方法の評価(ヘーズ値、テーパー角度、ミッシングバンプ、ボイド面積率)を以下のような方法で行った。得られた結果を表1に示す。
(1)ヘーズ値
ガラス基板に感光性樹脂組成物を塗布し、乾燥したものを試料とする(塗布条件は、基板への塗布条件と同じで、硬化後の一時レジスト膜の厚みが40μmとなるように設定した)。そして、日立分光光度計U−4100で積分球を使用して、得られた試料の積分球からの距離0mmと350mmにおける、波長385nmにおける透過率を測定する。そして、これらの測定値から、下記の数式(F1)により、ヘーズ値(%)を算出した。
ヘーズ値(%)=[(T−T)/T]×100・・・(F1)
:積分球からの距離0mmにおける透過率
:積分球からの距離350mmにおける透過率
(2)テーパー角度
一時レジスト膜における開口部の端部の断面形状におけるテーパー角度θを、図4に示すようにして、測定した。すなわち、得られた一時レジスト膜における開口部の端部を電子顕微鏡にて観察し、一時レジスト膜における開口部の端部の上端から下端までの基板の平面方向における距離x、および、一時レジスト膜の厚みyを測定した。そして、これらxおよびyの値から、テーパー角度θを算出した。なお、測定は、3回行い、その平均値をテーパー角度θとした。
(3)ミッシングバンプ
バンプ付配線基板を試料とし、CARTON光学社製の実体顕微鏡DSZ−44Fを用いて、倍率20でミッシングバンプの有無を確認した。なお、電極パッドの直径が60μmの100μmの箇所をそれぞれ観察した。そして、以下の判定基準に従い、ミッシングバンプを評価した。
○:ミッシングバンプが無い。
△:ミッシングバンプが若干有る。
×:ミッシングバンプが有る。
(4)ボイド面積率
バンプ付配線基板を試料とし、直径が60μmの電極パッド上のはんだバンプを、X線透過装置(製品名:XD7600 Diamond、Nordson Corporation社製)を用いて観察し、下式に定めるボイド面積率を算出した。
ボイド面積率[%]=SP/SV×100
SP:X線透過画像によるはんだバンプ全体面積
SV:X線透過画像によるはんだバンプ中のボイド部分面積
<Evaluation of solder bump formation method>
Evaluation of the solder bump formation method (haze value, taper angle, missing bump, void area ratio) was performed by the following method. The obtained results are shown in Table 1.
(1) Haze value A photosensitive resin composition is applied to a glass substrate and dried to obtain a sample (the application conditions are the same as the application conditions to the substrate, and the thickness of the cured temporary resist film is 40 μm) Set). And the transmittance | permeability in wavelength 385nm is measured in the distance 0mm and 350mm of the obtained sample from the integrating sphere using the integrating sphere with Hitachi spectrophotometer U-4100. And haze value (%) was computed from these measured values by the following numerical formula (F1).
Haze value (%) = [(T total− T flat ) / T total ] × 100 (F1)
T total : transmittance at a distance of 0 mm from the integrating sphere T flat : transmittance at a distance of 350 mm from the integrating sphere (2) taper angle The taper angle θ in the cross-sectional shape of the end of the opening in the temporary resist film is shown in FIG. Measurements were made as indicated. That is, the end of the opening in the obtained temporary resist film is observed with an electron microscope, the distance x in the planar direction of the substrate from the upper end to the lower end of the end of the opening in the temporary resist film, and the temporary resist film The thickness y was measured. The taper angle θ was calculated from these x and y values. The measurement was performed three times, and the average value was defined as the taper angle θ.
(3) Missing bumps Using a bumped wiring board as a sample, the presence of missing bumps was confirmed at a magnification of 20 using a stereo microscope DSZ-44F manufactured by CARTON OPTICAL. In addition, each 100-micrometer location where the diameter of an electrode pad is 60 micrometers was observed. And the missing bump was evaluated according to the following criteria.
○: There is no missing bump.
Δ: There are some missing bumps.
X: There are missing bumps.
(4) Void area ratio Using a bumped wiring board as a sample, a solder bump on an electrode pad having a diameter of 60 μm was observed using an X-ray transmission device (product name: XD7600 Diamond, manufactured by Nordson Corporation). The void area ratio determined in (1) was calculated.
Void area ratio [%] = SP / SV × 100
SP: Total area of solder bumps by X-ray transmission image SV: Area of void part in solder bumps by X-ray transmission image

Figure 2017120866
Figure 2017120866

表1に示す結果からも明らかなように、本発明のはんだバンプの形成方法を用いた場合(実施例1〜4)には、電極パッドの直径が60μmと小さい場合にも、ミッシングバンプを抑制しつつ、微小なはんだバンプを形成できることが確認された。
これに対し、一時レジスト膜におけるテーパー角度θが大き過ぎる場合には(比較例1および2)、ミッシングバンプが発生しやすく、また、ボイド面積率が大きいことが分かった。
As is apparent from the results shown in Table 1, when the solder bump forming method of the present invention is used (Examples 1 to 4), the missing bump is suppressed even when the electrode pad diameter is as small as 60 μm. However, it was confirmed that minute solder bumps can be formed.
On the other hand, when the taper angle θ in the temporary resist film is too large (Comparative Examples 1 and 2), it was found that missing bumps are likely to occur and the void area ratio is large.

本発明のはんだバンプの形成方法は、実装基板を作製する技術として有用である。   The solder bump forming method of the present invention is useful as a technique for producing a mounting substrate.

1…配線基板
2…一時レジスト膜
21…開口部
2a…塗膜
3…はんだバンプ
3a…ソルダペースト
θ…テーパー角度
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wiring board 2 ... Temporary resist film 21 ... Opening part 2a ... Coating film 3 ... Solder bump 3a ... Solder paste (theta) ... Taper angle

Claims (4)

配線基板の表面に形成された複数の電極パッドにはんだバンプを形成するはんだバンプの形成方法であって、
前記配線基板上に、感光性樹脂組成物を塗布して、385nmにおけるヘーズ値が65%以上である塗膜を形成し、前記塗膜を露光した後に現像することで、前記電極パッドに対応する開口部が設けられ、前記開口部の端部の断面形状がテーパー状であり、かつ、前記断面形状におけるテーパー角度が75°以下である一時レジスト膜を形成する一時レジスト膜形成工程と、
前記開口部にソルダペーストを充填し、リフロー処理を施して、はんだバンプを形成するはんだバンプ形成工程と、
前記配線基板から前記一時レジスト膜を剥離する一時レジスト膜剥離工程と、
を備えることを特徴とするはんだバンプの形成方法。
A solder bump forming method for forming solder bumps on a plurality of electrode pads formed on a surface of a wiring board,
A photosensitive resin composition is applied onto the wiring substrate to form a coating film having a haze value of 385 nm or more at 65% or more, and the coating film is exposed and developed to correspond to the electrode pad. A temporary resist film forming step in which an opening is provided, a cross-sectional shape of an end of the opening is tapered, and a temporary resist film having a taper angle of 75 ° or less in the cross-sectional shape is formed;
A solder bump forming step of filling the opening with a solder paste, performing a reflow process, and forming a solder bump;
A temporary resist film peeling step for peeling the temporary resist film from the wiring board;
A method for forming solder bumps, comprising:
請求項1に記載のはんだバンプの形成方法において、
前記塗膜の385nmにおけるヘーズ値が75%以上であり、
前記断面形状におけるテーパー角度が70°以下である
ことを特徴とするはんだバンプの形成方法。
In the formation method of the solder bump of Claim 1,
The haze value at 385 nm of the coating film is 75% or more,
The taper angle in the said cross-sectional shape is 70 degrees or less. The formation method of the solder bump characterized by the above-mentioned.
請求項1に記載のはんだバンプの形成方法において、
前記塗膜の385nmにおけるヘーズ値が80%以上であり、
前記断面形状におけるテーパー角度が60°以下である
ことを特徴とするはんだバンプの形成方法。
In the formation method of the solder bump of Claim 1,
The haze value at 385 nm of the coating film is 80% or more,
The taper angle in the said cross-sectional shape is 60 degrees or less. The formation method of the solder bump characterized by the above-mentioned.
請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載のはんだバンプの形成方法において、
前記塗膜は、直描露光装置により露光する
ことを特徴とするはんだバンプの形成方法。
In the formation method of the solder bump of any one of Claims 1-3,
The method for forming a solder bump, wherein the coating film is exposed by a direct drawing exposure apparatus.
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