JP2017119783A - 研磨液組成物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】酸化セリウム粒子Aと水とを含有し、ゼータ電位が、−90mV以上0mV未満であり、酸化セリウム粒子Aの凹部指数が、1.000以上1.035以下である、研磨液組成物。又は、少なくとも酸化セリウム粒子Aと水とアニオン性基を有する化合物Bとを配合してなり、酸化セリウム粒子Aの凹部指数が、1.000以上1.035以下であり、化合物Bの含有量が、酸化セリウム粒子Aの表面積に対して6.0×10-5g/m2以上3.8×10-1g/m2以下である、研磨液組成物。前記凹部指数は、前記粒子Aの周囲長Sと包絡周囲長Lとの比(S/L)の平均値である。
【選択図】図1
Description
本開示に係る研磨液組成物は、研磨砥粒として酸化セリウム粒子A(以下、単に「粒子A」ともいう)を含有する。粒子Aは、例えば、沈降法により製造できる。沈降法としては、例えば、特表2010−505735号公報等に記載の方法を採用することができる。
本開示に係る研磨液組成物は、研磨速度の確保及び研磨選択性の向上、並びに残留砥粒の低減の観点から、研磨助剤として、アニオン性基を有する化合物Bを含有することが好ましい。化合物Bは、研磨液組成物のゼータ電位を負にすること、粒子Aの表面に吸着して粒子Aのゼータ電位を負にすること、又は、研磨液組成物及び粒子Aのゼータ電位を負にすること、が可能である。
検出器:ショーデックスRI SE−61示差屈折率検出器
カラム:東ソー株式会社製のG4000PWXLとG2500PWXLを直列につないだものを使用した。
溶離液:0.2Mリン酸緩衝液/アセトニトリル=90/10(容量比)で0.5g/100mLの濃度に調整し、20μLを用いた。
カラム温度:40℃
流速:1.0mL/min
標準ポリマー:分子量が既知の単分散ポリエチレングリコール
本開示に係る研磨液組成物は、媒体として水を含有する。該水は、半導体基板の品質向上の観点から、イオン交換水、蒸留水、超純水等の水からなるとより好ましい。本開示に係る研磨液組成物における水の含有量は、粒子A、水、必要に応じて添加される化合物B及び下記任意成分の質量の合計を100質量%とすると、粒子A、化合物B及び任意成分を除いた残余とすることができる。
本開示に係る研磨液組成物は、研磨速度の確保及び研磨選択性向上の効果を損なわない範囲で、その他の成分を含有することができる。その他の成分としては、pH調整剤、化合物B以外の研磨助剤等が挙げられる。さらに、その他の成分としては、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、研磨速度向上剤、界面活性剤、高分子化合物等が挙げられる。これらの任意成分の含有量は、被研磨膜の研磨速度確保の観点から、0.001質量%以上が好ましく、0.0025質量%以上がより好ましく、0.01質量%以上が更に好ましく、研磨選択性の向上の観点から、1質量%以下が好ましく、0.5質量%以下がより好ましく、0.1質量%以下が更に好ましい。
本開示に係る研磨液組成物は、粒子A及び水を含むスラリーと、更に所望により、化合物B及びその他の任意成分を公知の方法で配合する工程を含む製造方法によって製造できる。例えば、本開示に係る研磨液組成物は、粒子A及び水、必要に応じて化合物B及びその他の任意成分を配合してなるものである。したがって、本開示は、粒子Aと水とを含有する、研磨液組成物の製造に用いられる酸化セリウムスラリー(以下、本開示に係るスラリーともいう)に関する。そして、本開示に係るスラリーは、化合物Bを含有することができる。本開示において「配合する」とは、粒子A及び水、並びに必要に応じて化合物B及びその他の任意成分を同時に又は順に混合することを含む。混合する順序は特に限定されない。前記配合は、例えば、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の混合器を用いて行うことができる。本開示に係る研磨液組成物の製造方法における各成分の配合量は、上述した本開示に係る研磨液組成物中の各成分の含有量と同じとすることができる。
本開示に係る研磨液組成物が研磨の対象とする被研磨膜としては、例えば、酸化珪素膜が挙げられる。したがって、本開示に係る研磨液組成物は、半導体基板の素子分離構造を形成する工程で行われる研磨に好適に使用できる。
本開示は、研磨液組成物を製造するためのキットであって、前記粒子Aを含有する分散液が容器に収納された容器入り粒子A分散液を含む、研磨液キットに関する。本開示に係る研磨液キットは、前記容器入り粒子A分散液とは別の容器に収納された前記化合物Bをさらに含むことができる。本開示によれば、研磨速度の確保及び研磨選択性の向上が可能な研磨液組成物が得られうる研磨液キットを提供できる。
本開示は、本開示に係る研磨液組成物を用いて被研磨膜を研磨する工程(以下、「本開示に係る研磨液組成物を用いた研磨工程」ともいう)を含む、半導体基板の製造方法(以下、「本開示に係る半導体基板の製造方法」ともいう。)に関する。本開示に係る半導体基板の製造方法によれば、研磨工程における研磨速度を確保しつつ、研磨選択性を向上できるため、基板品質が向上した半導体基板を効率よく製造できるという効果が奏されうる。
本開示は、本開示に係る研磨液組成物を用いた研磨工程を含む、基板の研磨方法(以下、本開示に係る研磨方法ともいう)に関する。
ゼータ電位が、−90mV以上0mV未満であり、
前記酸化セリウム粒子Aの凹部指数が、1.000以上1.035以下であり、
前記凹部指数は、前記粒子Aの周囲長Sと包絡周囲長Lとの比(S/L)の平均値である、研磨液組成物。
<3> 化合物Bの含有量が、酸化セリウム粒子Aの表面積に対して、6.0×10-5g/m2以上3.8×10-1g/m2以下である、<2>に記載の研磨液組成物。
<4> 少なくとも酸化セリウム粒子Aと、水と、アニオン性基を有する化合物Bとを配合してなる研磨液組成物であって、
前記酸化セリウム粒子Aの凹部指数が、1.000以上1.035以下であり、
前記化合物Bの含有量が、前記酸化セリウム粒子Aの表面積に対して6.0×10-5g/m2以上3.8×10-1g/m2以下であり、
前記凹部指数は、前記粒子Aの周囲長Sと包絡周囲長Lとの比(S/L)の平均値である、研磨液組成物。
<5> 化合物Bが、好ましくはポリアクリル酸アンモニウム塩、ポリメタクリル酸アンモニウム塩及びポリスチレンスルホン酸アンモニウム塩から選ばれる少なくとも1種である、<2>から<4>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<6> 化合物Bの重量平均分子量は、好ましくは1000以上、より好ましくは10000以上、更に好ましくは20000以上である、<2>から<5>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<7> 化合物Bの重量平均分子量は、好ましくは550万以下、より好ましくは100万以下、更に好ましくは10万以下である、<2>から<6>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<8> 化合物Bの含有量は、好ましくは0.001質量%以上、より好ましくは0.01質量%以上、更に好ましくは0.1質量%以上である、<2>から<7>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<9> 化合物Bの含有量は、好ましくは1.0質量%以下、より好ましくは0.8質量%以下、更に好ましくは0.6質量%以下である、<2>から<8>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<10> 粒子Aと化合物Bとの質量比(B/A)は、好ましくは0.002以上、より好ましくは0.02以上、更に好ましくは0.2以上である、<2>から<9>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<11> 粒子Aと化合物Bとの質量比(B/A)は、好ましくは2.0以下、より好ましくは1.6以下、更に好ましくは1.1以下である、<2>から<10>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<12> 化合物Bの含有量は、粒子Aの表面積に対して、6.0×10-5g/m2以上が好ましく、2.1×10-4g/m2以上がより好ましく、5.1×10-4g/m2以上が更に好ましい、<2>から<11>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<13> 化合物Bの含有量は、粒子Aの表面積に対して、3.8×10-1g/m2以下が好ましく、1.8×10-1g/m2以下がより好ましく、1.3×10-1g/m2以下が更に好ましい、<2>から<12>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<14> 粒子Aの凹部指数は、1,000以上であり、1.010以上が好ましく、1.015以上がより好ましい、<1>から<13>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<15> 粒子Aの凹部指数は、1.035以下であり、1.030以下が好ましく、1.025以下がより好ましく、1.020以下が更に好ましい、<1>から<14>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<16> 粒子Aの水性媒体中でのゼータ電位は、好ましくは0mV未満、より好ましくは−30mV以下、更に好ましくは−60mV以下である、<1>から<15>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<17> 粒子Aの水性媒体中でのゼータ電位は、好ましくは−90mV以上、より好ましくは−80mV以上、更に好ましくは−70mVである、<1>から<16>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<18> 粒子Aの平均一次粒子径は、好ましくは15nm以上、より好ましくは20nm以上、更に好ましくは40nm以上である、<1>から<17>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<19> 粒子Aの平均一次粒子径は、好ましくは300nm以下、より好ましくは200nm以下、更に好ましくは150nm以下である、<1>から<18>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<20> 粒子Aの含有量は、好ましくは0.001質量%以上、より好ましくは0.01質量%以上、更に好ましくは0.05質量%以上である、<1>から<19>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<21> 粒子Aの含有量は、好ましくは1.0質量%以下、より好ましくは0.80質量%以下、更に好ましくは0.60質量%以下である。<1>から<20>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<22> pHは、好ましくは2.5以上、より好ましくは3.0以上、更に好ましくは3.5以上、更により好ましくは4.0以上、更により好ましくは5.5以上である、<1>から<21>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<23> pHは、好ましくは8.5以下、より好ましくは8.0以下、更に好ましくは7.5以下である、<1>から<22>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<24> pHが、好ましくは2.5以上8.5以下である、<1>から<23>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<25> 研磨液組成物のゼータ電位は、好ましくは負(0mV未満)、より好ましくは−51mV以下、更に好ましくは−70mV以下、更に好ましくは−75mV以下、更に好ましくは−77mV以下、更に好ましくは−78mV以下である、<1>から<24>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<26> 研磨液組成物のゼータ電位は、好ましくは−90mV以上、より好ましくは−85mV以上、更に好ましくは−82mV以上、更に好ましくは−80mV以上である、<1>から<27>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<27> 酸化セリウム粒子Aと、水と、を含有するスラリーであって、
前記酸化セリウム粒子Aの凹部指数が、1.000以上1.035であり、
前記凹部指数は、該粒子Aの周囲長Sと包絡周囲長Lとの比(S/L)の平均値である、研磨液組成物の製造に用いられる酸化セリウムスラリー。
<28> 好ましくはアニオン性基を有する化合物Bをさらに含有する、<27>に記載のスラリー。
<29> <1>から<26>のいずれかに記載の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を含む、半導体基板の製造方法。
<30> 研磨時間は、好ましくは10秒以上、より好ましくは20秒以上である、<29>に記載の半導体基板の製造方法。
<31> 研磨時間は、好ましくは3分以下、より好ましくは2分以下、更に好ましくは1分以下である、<29>又は<30>に記載の半導体基板の製造方法。
<32> 被研磨膜の研磨速度は、好ましくは600nm/分以下、より好ましくは500nm/分以下、更に好ましくは400nm/分以下である、<29>から<31>のいずれかに記載の半導体基板の製造方法。
<33> 被研磨膜の研磨速度は、好ましくは30nm/分以上、より好ましくは50nm/分以上、更に好ましくは100nm/分以上である、<29>から<32>のいずれかに記載の半導体基板の製造方法。
<34> 研磨ストッパ膜の研磨速度は、好ましくは80nm/分以下、より好ましくは40nm/分以下、更に好ましくは15nm/分以下である、<29>から<33>のいずれかに記載の半導体基板の製造方法。
<35> 研磨速度比(被研磨膜の研磨速度/研磨ストッパ膜の研磨速度)は、好ましくは4.8以上、より好ましくは10.0以上、更に好ましくは20.0以上である、<29>から<34>のいずれかに記載の半導体基板の製造方法。
<36> <1>から<26>のいずれかに記載の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を含み、前記被研磨基板は、半導体基板の製造に用いられる基板である、基板の研磨方法。
<37> 研磨液組成物を製造するためのキットであって、
酸化セリウム粒子Aを含有する分散液が容器に収納された容器入り粒子A分散液を含み、
前記酸化セリウム粒子Aの凹部指数が、1.000以上1.035以下であり、
前記凹部指数は、該粒子Aの周囲長Sと包絡周囲長Lとの比(S/L)の平均値である、
研磨液キット。
<38> 好ましくは前記容器入り粒子A分散液とは別の容器に収納されたアニオン性基を有する化合物Bをさらに含む、<37>に記載の研磨液キット。
水と砥粒(粒子A)と添加剤(化合物B)とを下記表1の含有量となるように混合して実施例1〜11及び比較例1〜6の研磨液組成物を得た。研磨液組成物のpHは、1N塩酸水溶液もしくは1Nアンモニウム水溶液を用いて調整した。実施例1〜11及び比較例1〜6の研磨液組成物のpHは6であった。
・粒子A1:凹部指数1.017、平均一次粒径82nm、BET比表面積10.2m2/g(図2参照)
・粒子A2:凹部指数1.025、平均一次粒径82nm、BET比表面積10.5m2/g
・粒子A3:凹部指数1.042、平均一次粒径70nm、BET比表面積11.8m2/g(図3参照)
・化合物B1:ポリアクリル酸アンモニウム塩(重量平均分子量23,000)
・化合物B2:ポリメタクリル酸アンモニウム塩(重量平均分子量30,000)
・化合物B3:ポリスチレンスルホン酸アンモニウム塩(重量平均分子量10,000)
・化合物B4:ポリジアリルジメチルアンモニウムクロリド(重量平均分子量5,000)
化合物B1〜B3は、アニオン性基を有する化合物である。
研磨液組成物の25℃におけるpH値は、pHメータ(東亜電波工業株式会社、HM−30G)を用いて測定した値であり、電極の研磨液組成物への浸漬後1分後の数値である。
粒子Aの平均一次粒径(nm)は、下記BET(窒素吸着)法によって得られる比表面積S(m2/g)を用い、セリア粒子の真密度を7.2g/cm3として算出した。
比表面積は、セリア粒子A分散液を120℃で3時間熱風乾燥した後、メノウ乳鉢で細かく粉砕しサンプルを得た。測定直前に120℃の雰囲気下で15分間乾燥した後、比表面積測定装置(マイクロメリティック自動比表面積測定装置 フローソーブIII2305、島津製作所製)を用いて窒素吸着法(BET法)により測定した。
粒子Aの一次粒子の包絡周囲長及び周囲長は、電子顕微鏡(日立製作所社製、「S−4800」)により得られる画像を用いて測定した。包絡周囲長は、画像解析ソフト(Mitani corporation製 WinROOF 2013)を用いて、粒子Aの一次粒子の輪郭の凸部分と同数の頂点を持ち、該輪郭全てを内包する多角形の周囲長から算出した。粒子A50個について前記測定を行い、周囲長と包絡周囲長との比(周囲長/包絡周囲長)の平均値を凹部指数とした。凹部指数の値が小さいほど、粒子Aの一次粒子の表面に凹部が少ないことを示す。
アジレントテクノロジーズ社製「ゼータプローブ」を用いて以下の条件で測定した。
・測定温度:25±2℃
・測定試料:研磨液組成物
・Density Ratio:7.13g/ml
[試験片の作成]
シリコンウェーハの片面に、TEOS−プラズマCVD法で厚さ2000nmの酸化珪素膜(酸化膜)を形成したものから、40mm×40mmの正方形片を切り出し、酸化膜試験片を得た。
研磨装置として、定盤径300mmのムサシノ電子社製「MA−300」を用いた。また、研磨パッドとしては、ニッタ・ハース社製の硬質ウレタンパッド「IC−1000/Sub400」を用いた。前記研磨装置の定盤に、前記研磨パッドを貼り付けた。前記試験片をホルダーにセットし、試験片の酸化珪素膜を形成した面が下になるように(酸化膜が研磨パッドに面するように)ホルダーを研磨パッドに載せた。さらに、試験片にかかる荷重が300g重/cm2となるように、錘をホルダーに載せた。研磨パッドを貼り付け
た定盤の中心に、研磨液組成物を50mL/分の速度で滴下しながら、定盤及びホルダーのそれぞれを同じ回転方向に90r/分で1分間回転させて、酸化膜試験片の研磨を行った。研磨後、超純水を用いて洗浄し、乾燥して、酸化膜試験片を後述の光干渉式膜厚測定装置による測定対象とした。
酸化膜の研磨速度(nm/分)
=[研磨前の酸化膜厚さ(nm)−研磨後の酸化膜厚さ(nm)]/研磨時間(分)
試験片として酸化珪素膜試験片の代わりに窒化珪素膜試験片を用いること以外は、前記[酸化珪素膜の研磨速度の測定]と同様に、窒化珪素膜(窒化膜)の研磨、膜厚の測定及び研磨速度の算出を行った。窒化膜の研磨速度を下記表1に示した。
窒化珪素膜の研磨速度に対する酸化珪素膜の研磨速度の比を研磨速度比とし、下記式により算出し、下記表1に示した。研磨速度比の値が大きいほど、研磨選択性が高いことを示す。
研磨速度比=酸化珪素膜の研磨速度(nm/分)/窒化珪素膜の研磨速度(nm/分)
研磨後の酸化膜試験片を測定試料とし、微小部蛍光X線分析装置(HORIBA社製「XGT−5000」)を用いて、以下の条件で測定した。
測定時間 :60秒
XGT径 :100um
パルス処理時間 :P3
X線管電圧 :30kV
管電流 :0.22mA
得られたCeの蛍光X線強度(単位:cps)を、残留砥粒量とした。
Claims (12)
- 酸化セリウム粒子Aと、水と、を含有する研磨液組成物であって、
ゼータ電位が、−90mV以上0mV未満であり、
前記酸化セリウム粒子Aの凹部指数が、1.000以上1.035以下であり、
前記凹部指数は、前記粒子Aの周囲長Sと包絡周囲長Lとの比(S/L)の平均値である、研磨液組成物。 - アニオン性基を有する化合物Bをさらに含有する、請求項1に記載の研磨液組成物。
- 前記化合物Bの含有量が、酸化セリウム粒子Aの表面積に対して6.0×10-5g/m2以上3.8×10-1g/m2以下である、請求項2に記載の研磨液組成物。
- 少なくとも酸化セリウム粒子Aと、水と、アニオン性基を有する化合物Bとを配合してなる研磨液組成物であって、
前記酸化セリウム粒子Aの凹部指数が、1.000以上1.035以下であり、
前記化合物Bの含有量が、前記酸化セリウム粒子Aの表面積に対して6.0×10-5g/m2以上3.8×10-1g/m2以下であり、
前記凹部指数は、前記粒子Aの周囲長Sと包絡周囲長Lとの比(S/L)の平均値である、研磨液組成物。 - 前記化合物Bが、ポリアクリル酸アンモニウム塩、ポリメタクリル酸アンモニウム塩及びポリスチレンスルホン酸アンモニウム塩から選ばれる少なくとも1種である、請求項2から4のいずれかに記載の研磨液組成物。
- pHが、2.5以上8.5以下である、請求項1から5のいずれかに記載の研磨液組成物。
- 請求項1から6のいずれかに記載の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を含む、半導体基板の製造方法。
- 請求項1から6のいずれかに記載の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を含み、前記被研磨基板は、半導体基板の製造に用いられる基板である、基板の研磨方法。
- 酸化セリウム粒子Aと、水と、を含有するスラリーであって、
前記酸化セリウム粒子Aの凹部指数が、1.000以上1.035であり、
前記凹部指数は、該粒子Aの周囲長Sと包絡周囲長Lとの比(S/L)の平均値である、研磨液組成物の製造に用いられる酸化セリウムスラリー。 - アニオン性基を有する化合物Bをさらに含有する、請求項9に記載のスラリー。
- 研磨液組成物を製造するためのキットであって、
酸化セリウム粒子Aを含有する分散液が容器に収納された容器入り粒子A分散液を含み、
前記酸化セリウム粒子Aの凹部指数が、1.000以上1.035以下であり、
前記凹部指数は、該粒子Aの周囲長Sと包絡周囲長Lとの比(S/L)の平均値である、
研磨液キット。 - 前記容器入り粒子A分散液とは別の容器に収納されたアニオン性基を有する化合物Bをさらに含む、請求項11に記載の研磨液キット。
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JP6618355B2 (ja) | 2019-12-11 |
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