JP2017098787A - 伝送線路 - Google Patents
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Abstract
Description
[伝送線路]
まず、図1〜図3を参照して、本実施の形態にかかる伝送線路10について説明する。図1は、I型メタル構造体を集積した伝送線路を示す断面図である。図2は、H型メタル構造体を集積した伝送線路を示す断面図である。図3は、スクエア型メタル構造体を集積した伝送線路を示す断面図である。なお、これら断面図はいずれも信号伝搬方向と直交する方向における断面図である。また、本実施の形態の各図において、紙面右側をx軸方向とし、紙面上側をy軸方向とし、紙面向こう側をz軸方向とする。
本実施の形態は、多層誘電体層11を構成する層間メタルおよび金属ビアから形成された、I型メタル構造体、H型メタル構造体、スクエア型メタル構造体や、これら組み合わせ、さらにはこれらの一部を変形した構造からなるメタル構造体14を、多層誘電体層11内に、具体的には、多層誘電体層内11であって、信号導体13と接地導体12との間に生じる電界に影響を与える位置に、配置したものである。
また、本発明を適用する伝送線路10としては、マイクロストリップ線路に限定されるものではなく、コプレーナ線路やカップラーなどの他の受動素子であってもよい。
このように、本実施の形態は、多層誘電体層11の上面または下面に信号導体13と接地導体とが形成されてなる伝送線路10において、多層誘電体層11を構成する層間メタルおよび金属ビアから形成されたメタル構造体14を、多層誘電体層11内に配置したものである。
また、信号導体13を含む伝送線路10の寸法を一定としても伝送線路10の特性インピーダンスを設計可能であり、また、2つの信号導体13間距離が一定であっても、信号導体13間のカップリングを強くしたり抑制したりすることができる。
以上、実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細には、本発明のスコープ内で当業者が理解しうる様々な変更をすることができる。また、各実施形態については、矛盾しない範囲で任意に組み合わせて実施することができる。
Claims (7)
- 多層誘電体層の上面または下面に信号導体と接地導体とが形成されてなる伝送線路であって、
前記多層誘電体層を構成する層間メタルおよび金属ビアから形成されたメタル構造体が、前記多層誘電体層内に配置されていることを特徴とする伝送線路。 - 請求項1に記載の伝送線路において、
前記メタル構造体は、前記多層誘電体層内であって、前記信号導体と前記接地導体との間に生じる電界に影響を与える位置に配置されていることを特徴とする伝送線路。 - 請求項1または請求項2に記載の伝送線路において、
前記メタル構造体は、上面視において前記信号導体と対向する位置に配置されていることを特徴とする伝送線路。 - 請求項1または請求項2に記載の伝送線路において、
前記メタル構造体は、上面視において前記信号導体の真下または前記信号導体と一部重なる位置に配置されていることを特徴とする伝送線路。 - 請求項1〜請求項4のいずれかに記載の伝送線路において、
前記メタル構造体は、電気的にはいずれにも接続されていない浮遊状態にあることを特徴とする伝送線路。 - 請求項1〜請求項5のいずれかに記載の伝送線路において、
前記メタル構造体は、I型メタル構造体、H型メタル構造体、またはスクエア型メタル構造体、あるいはこれら構造体の組み合わせからなることを特徴とする伝送線路。 - 請求項1〜請求項6のいずれかに記載の伝送線路において、
前記伝送線路は、全体として、マイクロストリップ線路、コプレーナ線路、またはカップラーからなることを特徴とする伝送線路。
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JPH10145112A (ja) * | 1996-11-14 | 1998-05-29 | Toshiba Corp | 配線基板 |
JP2014220727A (ja) * | 2013-05-10 | 2014-11-20 | 日本電信電話株式会社 | 高周波伝送線路 |
US20150070110A1 (en) * | 2012-04-24 | 2015-03-12 | Universite Joseph Fourier | Slow-wave radiofrequency propagation line |
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