JP2017089614A5 - - Google Patents
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- 230000001681 protective Effects 0.000 claims description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 25
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 1
Description
本発明の第1の態様は、点火コイル(10)の一次巻線(11)に接続されるスイッチング素子(20)と、
該スイッチング素子の動作制御をする制御回路部(3)と、
該制御回路部に電気接続し、該制御回路部を電気的に保護する保護素子(4)とを備え、
上記スイッチング素子と上記保護素子とを同一の半導体チップ(2)に形成してあり、
上記保護素子として、抵抗からなり、直流電源(13)から上記制御回路部への電流経路(8)上に配された保護抵抗(4 R )を備え、
上記保護抵抗に、該保護抵抗の絶縁耐圧よりも低い降伏電圧を有する抵抗保護用ツェナーダイオード(5)が並列接続しており、該抵抗保護用ツェナーダイオードは、上記スイッチング素子及び上記保護抵抗と共に上記半導体チップに形成されている、イグナイタ(1)にある。
また、本発明の第2の態様は、点火コイル(10)の一次巻線(11)に接続されるスイッチング素子(20)と、
該スイッチング素子の動作制御をする制御回路部(3)と、
該制御回路部に電気接続し、該制御回路部を電気的に保護する保護素子(4)とを備え、
上記スイッチング素子と上記保護素子とを同一の半導体チップ(2)に形成してあり、
上記保護素子として、抵抗からなり、直流電源(13)から上記制御回路部への電流経路(8)上に配された保護抵抗(4 R )を備え、
上記スイッチング素子はIGBT(20i)であり、上記半導体チップは、素子分離用のフィールド酸化膜(22)を備え、上記IGBTのゲート電極(23)及び上記保護抵抗はポリシリコンからなり、上記保護抵抗は上記フィールド酸化膜上に形成されており、
上記保護抵抗に、該保護抵抗の絶縁耐圧よりも低い降伏電圧を有する抵抗保護用ツェナーダイオードが並列接続しており、該抵抗保護用ツェナーダイオードは上記ポリシリコンからなり、かつ上記フィールド酸化膜上において上記保護抵抗に隣接する位置に形成されている、イグナイタにある。
また、本発明の第3の態様は、点火コイル(10)の一次巻線(11)に接続されるスイッチング素子(20)と、
該スイッチング素子の動作制御をする制御回路部(3)と、
該制御回路部に電気接続し、該制御回路部を電気的に保護する保護素子(4)とを備え、
上記スイッチング素子と上記保護素子とを同一の半導体チップ(2)に形成してあり、
上記保護素子として、抵抗からなり、直流電源(13)から上記制御回路部への電流経路(8)上に配された保護抵抗(4 R )を備え、
上記半導体チップを搭載した半導体チップ用リードフレーム(7s)と、上記制御回路部を搭載した制御回路用リードフレーム(7c)とをさらに備え、上記半導体チップ用リードフレームは上記制御回路用リードフレームよりも厚く形成されている、イグナイタにある。
また、本発明の第4の態様は、点火コイル(10)の一次巻線(11)に接続されるスイッチング素子(20)と、
該スイッチング素子の動作制御をする制御回路部(3)と、
該制御回路部に電気接続し、該制御回路部を電気的に保護する保護素子(4)とを備え、
上記スイッチング素子と上記保護素子とを同一の半導体チップ(2)に形成してあり、
上記保護素子として、上記制御回路部に加わる電圧を一定に保持する保護ツェナーダイオード(4 Z )を備え、
直流電源から上記半導体チップに加えられる印加電圧(V S )を検出するための電圧検出用抵抗(6)と、上記印加電圧が予め定められた値より高くなった場合に上記スイッチング素子を強制的にオフする過電圧保護回路(31)とを備える、イグナイタにある。
該スイッチング素子の動作制御をする制御回路部(3)と、
該制御回路部に電気接続し、該制御回路部を電気的に保護する保護素子(4)とを備え、
上記スイッチング素子と上記保護素子とを同一の半導体チップ(2)に形成してあり、
上記保護素子として、抵抗からなり、直流電源(13)から上記制御回路部への電流経路(8)上に配された保護抵抗(4 R )を備え、
上記保護抵抗に、該保護抵抗の絶縁耐圧よりも低い降伏電圧を有する抵抗保護用ツェナーダイオード(5)が並列接続しており、該抵抗保護用ツェナーダイオードは、上記スイッチング素子及び上記保護抵抗と共に上記半導体チップに形成されている、イグナイタ(1)にある。
また、本発明の第2の態様は、点火コイル(10)の一次巻線(11)に接続されるスイッチング素子(20)と、
該スイッチング素子の動作制御をする制御回路部(3)と、
該制御回路部に電気接続し、該制御回路部を電気的に保護する保護素子(4)とを備え、
上記スイッチング素子と上記保護素子とを同一の半導体チップ(2)に形成してあり、
上記保護素子として、抵抗からなり、直流電源(13)から上記制御回路部への電流経路(8)上に配された保護抵抗(4 R )を備え、
上記スイッチング素子はIGBT(20i)であり、上記半導体チップは、素子分離用のフィールド酸化膜(22)を備え、上記IGBTのゲート電極(23)及び上記保護抵抗はポリシリコンからなり、上記保護抵抗は上記フィールド酸化膜上に形成されており、
上記保護抵抗に、該保護抵抗の絶縁耐圧よりも低い降伏電圧を有する抵抗保護用ツェナーダイオードが並列接続しており、該抵抗保護用ツェナーダイオードは上記ポリシリコンからなり、かつ上記フィールド酸化膜上において上記保護抵抗に隣接する位置に形成されている、イグナイタにある。
また、本発明の第3の態様は、点火コイル(10)の一次巻線(11)に接続されるスイッチング素子(20)と、
該スイッチング素子の動作制御をする制御回路部(3)と、
該制御回路部に電気接続し、該制御回路部を電気的に保護する保護素子(4)とを備え、
上記スイッチング素子と上記保護素子とを同一の半導体チップ(2)に形成してあり、
上記保護素子として、抵抗からなり、直流電源(13)から上記制御回路部への電流経路(8)上に配された保護抵抗(4 R )を備え、
上記半導体チップを搭載した半導体チップ用リードフレーム(7s)と、上記制御回路部を搭載した制御回路用リードフレーム(7c)とをさらに備え、上記半導体チップ用リードフレームは上記制御回路用リードフレームよりも厚く形成されている、イグナイタにある。
また、本発明の第4の態様は、点火コイル(10)の一次巻線(11)に接続されるスイッチング素子(20)と、
該スイッチング素子の動作制御をする制御回路部(3)と、
該制御回路部に電気接続し、該制御回路部を電気的に保護する保護素子(4)とを備え、
上記スイッチング素子と上記保護素子とを同一の半導体チップ(2)に形成してあり、
上記保護素子として、上記制御回路部に加わる電圧を一定に保持する保護ツェナーダイオード(4 Z )を備え、
直流電源から上記半導体チップに加えられる印加電圧(V S )を検出するための電圧検出用抵抗(6)と、上記印加電圧が予め定められた値より高くなった場合に上記スイッチング素子を強制的にオフする過電圧保護回路(31)とを備える、イグナイタにある。
Claims (12)
- 点火コイル(10)の一次巻線(11)に接続されるスイッチング素子(20)と、
該スイッチング素子の動作制御をする制御回路部(3)と、
該制御回路部に電気接続し、該制御回路部を電気的に保護する保護素子(4)とを備え、
上記スイッチング素子と上記保護素子とを同一の半導体チップ(2)に形成してあり、
上記保護素子として、抵抗からなり、直流電源(13)から上記制御回路部への電流経路(8)上に配された保護抵抗(4 R )を備え、
上記保護抵抗に、該保護抵抗の絶縁耐圧よりも低い降伏電圧を有する抵抗保護用ツェナーダイオード(5)が並列接続しており、該抵抗保護用ツェナーダイオードは、上記スイッチング素子及び上記保護抵抗と共に上記半導体チップに形成されている、イグナイタ(1)。 - 点火コイル(10)の一次巻線(11)に接続されるスイッチング素子(20)と、
該スイッチング素子の動作制御をする制御回路部(3)と、
該制御回路部に電気接続し、該制御回路部を電気的に保護する保護素子(4)とを備え、
上記スイッチング素子と上記保護素子とを同一の半導体チップ(2)に形成してあり、
上記保護素子として、抵抗からなり、直流電源(13)から上記制御回路部への電流経路(8)上に配された保護抵抗(4 R )を備え、
上記スイッチング素子はIGBT(20i)であり、上記半導体チップは、素子分離用のフィールド酸化膜(22)を備え、上記IGBTのゲート電極(23)及び上記保護抵抗はポリシリコンからなり、上記保護抵抗は上記フィールド酸化膜上に形成されており、
上記保護抵抗に、該保護抵抗の絶縁耐圧よりも低い降伏電圧を有する抵抗保護用ツェナーダイオードが並列接続しており、該抵抗保護用ツェナーダイオードは上記ポリシリコンからなり、かつ上記フィールド酸化膜上において上記保護抵抗に隣接する位置に形成されている、イグナイタ。 - 点火コイル(10)の一次巻線(11)に接続されるスイッチング素子(20)と、
該スイッチング素子の動作制御をする制御回路部(3)と、
該制御回路部に電気接続し、該制御回路部を電気的に保護する保護素子(4)とを備え、
上記スイッチング素子と上記保護素子とを同一の半導体チップ(2)に形成してあり、
上記保護素子として、抵抗からなり、直流電源(13)から上記制御回路部への電流経路(8)上に配された保護抵抗(4 R )を備え、
上記半導体チップを搭載した半導体チップ用リードフレーム(7s)と、上記制御回路部を搭載した制御回路用リードフレーム(7c)とをさらに備え、上記半導体チップ用リードフレームは上記制御回路用リードフレームよりも厚く形成されている、イグナイタ。 - 点火コイル(10)の一次巻線(11)に接続されるスイッチング素子(20)と、
該スイッチング素子の動作制御をする制御回路部(3)と、
該制御回路部に電気接続し、該制御回路部を電気的に保護する保護素子(4)とを備え、
上記スイッチング素子と上記保護素子とを同一の半導体チップ(2)に形成してあり、
上記保護素子として、上記制御回路部に加わる電圧を一定に保持する保護ツェナーダイオード(4 Z )を備え、
直流電源から上記半導体チップに加えられる印加電圧(V S )を検出するための電圧検出用抵抗(6)と、上記印加電圧が予め定められた値より高くなった場合に上記スイッチング素子を強制的にオフする過電圧保護回路(31)とを備える、イグナイタ。 - 上記保護素子として、抵抗からなり、直流電源(13)から上記制御回路部への電流経路(8)上に配された保護抵抗(4 R )をさらに備える、請求項4に記載のイグナイタ。
- 上記直流電源に並列接続されるコンデンサ(16)を備える、請求項1、2、3、5のいずれか一項に記載のイグナイタ。
- 上記スイッチング素子はIGBT(20i)であり、上記半導体チップは、素子分離用のフィールド酸化膜(22)を備え、上記IGBTのゲート電極(23)及び上記保護抵抗はポリシリコンからなり、上記保護抵抗は上記フィールド酸化膜上に形成されている、請求項1又は3に記載のイグナイタ。
- 上記スイッチング素子はIGBTであり、上記半導体チップは、素子分離用のフィールド酸化膜を備え、上記IGBTのゲート電極及び上記保護ツェナーダイオードはポリシリコンからなり、上記保護ツェナーダイオードは上記フィールド酸化膜上に形成されている、請求項4に記載のイグナイタ。
- 上記半導体チップは、グランドに接続されたチップ内接地部(28)を備え、上記保護ツェナーダイオードの低電位側端子(48)を上記チップ内接地部に電気接続してある、請求項4又は8に記載のイグナイタ。
- 上記制御回路部は、グランドに接続された制御回路内接地部(36)を備え、上記保護ツェナーダイオードの低電位側端子を上記制御回路内接地部に電気接続してある、請求項4又は8に記載のイグナイタ。
- 上記電圧検出用抵抗は上記半導体チップに形成されている、請求項4、8〜10のいずれか一項に記載のイグナイタ。
- 上記電圧検出用抵抗は、上記半導体チップとは別体に設けられている、請求項4、8〜10のいずれか一項に記載のイグナイタ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201680064496.6A CN108350848B (zh) | 2015-11-04 | 2016-10-07 | 点火器 |
DE112016005060.7T DE112016005060B4 (de) | 2015-11-04 | 2016-10-07 | Zündvorrichtung |
PCT/JP2016/079967 WO2017077814A1 (ja) | 2015-11-04 | 2016-10-07 | イグナイタ |
US15/773,284 US10443557B2 (en) | 2015-11-04 | 2016-10-07 | Igniter |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015216898 | 2015-11-04 | ||
JP2015216898 | 2015-11-04 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017089614A JP2017089614A (ja) | 2017-05-25 |
JP2017089614A5 true JP2017089614A5 (ja) | 2018-02-15 |
JP6376188B2 JP6376188B2 (ja) | 2018-08-22 |
Family
ID=58767488
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016165699A Active JP6376188B2 (ja) | 2015-11-04 | 2016-08-26 | イグナイタ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10443557B2 (ja) |
JP (1) | JP6376188B2 (ja) |
CN (1) | CN108350848B (ja) |
DE (1) | DE112016005060B4 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10907607B2 (en) * | 2019-04-24 | 2021-02-02 | Semiconductor Components Industries, Llc | Circuit and method for controlling a coil current during a soft shut down |
JP2021136241A (ja) | 2020-02-21 | 2021-09-13 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
DE112022002122T5 (de) * | 2021-05-13 | 2024-04-11 | Rohm Co., Ltd. | Halbleiterbauelement |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2339896B2 (de) * | 1973-08-07 | 1977-12-08 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Zuendeinrichtung fuer brennkraftmaschinen |
JPS5278186A (en) | 1975-12-24 | 1977-07-01 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Slicing machine |
JPS62152077U (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-26 | ||
JPS62291475A (ja) * | 1986-06-11 | 1987-12-18 | Mitsubishi Electric Corp | 内燃機関停止装置 |
JPH0427170U (ja) * | 1990-06-29 | 1992-03-04 | ||
JPH0427170A (ja) | 1990-05-23 | 1992-01-30 | Ricoh Co Ltd | 光起電力素子 |
JP3194680B2 (ja) | 1994-12-15 | 2001-07-30 | 三菱電機株式会社 | 内燃機関の失火検出装置 |
JP3205247B2 (ja) * | 1996-02-23 | 2001-09-04 | 株式会社日立製作所 | 内燃機関用点火装置 |
US5992401A (en) * | 1997-09-10 | 1999-11-30 | Outboard Marine Corporation | Capacitive discharge ignition for an internal combustion engine |
JP3484123B2 (ja) * | 2000-01-12 | 2004-01-06 | 株式会社日立製作所 | 内燃機関用点火装置 |
DE10062892A1 (de) * | 2000-12-16 | 2002-07-11 | Bosch Gmbh Robert | Zündeinrichtung für Brennkraftmaschinen |
JP3762231B2 (ja) * | 2001-02-08 | 2006-04-05 | 株式会社日立製作所 | 内燃機関用点火装置 |
JP4375146B2 (ja) * | 2004-07-13 | 2009-12-02 | 株式会社デンソー | 点火装置のイグナイタ |
JP4924705B2 (ja) | 2009-04-15 | 2012-04-25 | 株式会社デンソー | 内燃機関点火装置 |
JP5278186B2 (ja) | 2009-06-17 | 2013-09-04 | 株式会社デンソー | 内燃機関点火装置 |
JP2011074905A (ja) | 2009-10-02 | 2011-04-14 | Hanshin Electric Co Ltd | 内燃機関用の点火イグナイタ |
JP5714280B2 (ja) | 2010-09-17 | 2015-05-07 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 半導体装置 |
JP5644541B2 (ja) | 2011-01-25 | 2014-12-24 | 株式会社デンソー | 半導体装置とその製造方法 |
CN104350275B (zh) | 2012-08-30 | 2017-09-22 | 富士电机株式会社 | 点火器、点火器的控制方法以及内燃机用点火装置 |
JP5884694B2 (ja) | 2012-09-20 | 2016-03-15 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP6282008B2 (ja) | 2014-05-20 | 2018-02-21 | 株式会社松本義肢製作所 | 四足動物用首ホールドカラー |
JP2016165699A (ja) | 2015-03-10 | 2016-09-15 | 株式会社ガイアテック | 洗浄廃水処理用プール、それを使用した洗浄廃水処理装置および洗浄廃水の処理方法 |
JP6565244B2 (ja) | 2015-03-20 | 2019-08-28 | 富士電機株式会社 | イグナイタ用半導体装置、イグナイタシステム及び点火コイルユニット |
JP6610073B2 (ja) * | 2015-08-07 | 2019-11-27 | 株式会社デンソー | 点火装置 |
-
2016
- 2016-08-26 JP JP2016165699A patent/JP6376188B2/ja active Active
- 2016-10-07 CN CN201680064496.6A patent/CN108350848B/zh active Active
- 2016-10-07 DE DE112016005060.7T patent/DE112016005060B4/de active Active
- 2016-10-07 US US15/773,284 patent/US10443557B2/en active Active
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