JP2017083911A - リソグラフィ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】リソグラフィ装置は、オブジェクトに対して移動自在に配置された可動構造、可動構造に対して移動自在に配置されるパターニングデバイスホルダ、オブジェクトに対して可動構造を移動させるアクチュエータ、及び、可動構造に対してパターニングデバイスホルダを移動させるウルトラショートストロークアクチュエータを有するパターニングデバイス支持体と、基板を保持する基板支持体と、パターン付放射ビームを基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、基準オブジェクトに対する基板の所望の位置と実際の位置との差である基板位置の誤差を測定する位置測定システムと、基板位置の誤差に少なくとも部分的に基づいてアクチュエータとウルトラショートストロークアクチュエータとを移動させるコントローラと、を備える。
【選択図】図6
Description
[0001] 本出願は、2012年4月27日出願の米国仮出願第61/639,545号の利益を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
[0031] − 放射ビームB(例えばUV放射、DUV放射又はEUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
[0032] − パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
[0033] − 基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板Wを正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、
[0034] − パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ以上のダイを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSと、を備える。
[0045] 1.ステップモードにおいては、支持構造MT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち単一静的露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
[0046] 2.スキャンモードにおいては、支持構造MT及び基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Cに投影される(すなわち単一動的露光)。支持構造(例えばマスクテーブル)MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の(非スキャン方向における)幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の(スキャン方向における)高さが決まる。
[0047] 3.別のモードにおいては、支持構造MTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させるごとに、又はスキャン中に連続する放射パルス間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用できる。
Claims (28)
- 放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成できるパターニングデバイスを支持するパターニングデバイス支持体であって、オブジェクトに対して移動自在に配置された可動構造と、前記可動構造に対して移動自在に配置され前記パターニングデバイスを保持するパターニングデバイスホルダと、前記オブジェクトに対して前記可動構造を移動させるアクチュエータと、前記可動構造に対して前記パターニングデバイスホルダを移動させるウルトラショートストロークアクチュエータと、を有するパターニングデバイス支持体と、
基板を保持する基板支持体と、
前記パターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、
基準オブジェクトに対する前記基板の所望の位置と、前記基準オブジェクトに対する前記基板の実際の位置と、の差である基板位置の誤差を測定する位置測定システムと、
前記基板位置の誤差に少なくとも部分的に基づいて前記アクチュエータと前記ウルトラショートストロークアクチュエータとを移動させるコントローラと、
を備える、リソグラフィ装置。 - 前記位置測定システムが、前記オブジェクトに対する移動可能構造の所望の位置と前記オブジェクトに対する前記移動可能構造の実際の位置との差である前記移動可能構造の位置誤差をさらに測定する、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記コントローラが、さらに、前記移動可能構造の位置誤差に少なくとも部分的に基づいて前記アクチュエータを移動させる、請求項2に記載のリソグラフィ装置。
- 前記コントローラが、さらに、前記移動可能構造の位置誤差に少なくとも部分的に基づいて前記ウルトラショートストロークアクチュエータを移動させる、請求項2又は3に記載のリソグラフィ装置。
- 前記コントローラが、所定の大きさより下の周波数を有する前記位置誤差のコンポーネントに少なくとも部分的に基づいて前記アクチュエータを移動させ、前記所定の大きさより上の周波数を有する前記位置誤差のコンポーネントに少なくとも部分的に基づいて前記ウルトラショートストロークアクチュエータを移動させる、請求項1〜4のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
- 放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成できるパターニングデバイスを支持するパターニングデバイス支持体であって、オブジェクトに対して移動自在に配置された可動構造と、前記可動構造に対して移動自在に配置され前記パターニングデバイスを保持するパターニングデバイスホルダと、前記オブジェクトに対して前記可動構造を移動させるアクチュエータと、前記可動構造に対して前記パターニングデバイスホルダを移動させるウルトラショートストロークアクチュエータと、を有するパターニングデバイス支持体と、
基板を保持する基板支持体と、
前記パターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、
基準オブジェクトに対する前記基板の所望の位置と、前記基準オブジェクトに対する前記基板の実際の位置と、の差である基板位置の誤差を測定する位置測定システムと、
前記基板位置の誤差と、任意選択として前記可動構造に対する前記パターニングデバイスの測定された位置と、にのみ基づいて前記ウルトラショートストロークアクチュエータを移動させるコントローラと、
を備える、リソグラフィ装置。 - 前記コントローラが、前記可動構造に対する前記オブジェクトホルダの前記測定された位置に基づいてフィードバック方式で前記位置誤差信号に基づいて前記ウルトラショートストロークアクチュエータを移動させる、請求項6に記載のリソグラフィ装置。
- 前記コントローラが、前記基板位置の誤差に基づいて前記ウルトラショートストロークアクチュエータを開ループ方式で移動させる開ループ回路を備える、請求項6又は7に記載のリソグラフィ装置。
- 前記開ループ回路が、前記基板位置誤差信号の倍増係数を1〜0.2の間で設定する倍増器を備える、請求項8に記載のリソグラフィ装置。
- 放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成できるパターニングデバイスを支持するパターニングデバイス支持体であって、オブジェクトに対して移動自在に配置された可動構造と、前記可動構造に対して移動自在に配置され前記パターニングデバイスを保持するパターニングデバイスホルダと、前記オブジェクトに対して前記可動構造を移動させるアクチュエータと、前記可動構造に対して前記パターニングデバイスホルダを移動させるウルトラショートストロークアクチュエータと、を有するパターニングデバイス支持体と、
基板を保持する基板支持体と、
前記パターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、
前記可動構造に対する前記パターニングデバイスホルダ及び/又は前記パターニングデバイスの位置を測定する位置測定システムと、
位置誤差信号と、前記位置測定システムによって測定された前記パターニングデバイスホルダ及び/又はパターニングデバイスの位置と、に基づいて前記ウルトラショートストロークアクチュエータを移動させるコントローラと、
を備える、リソグラフィ装置。 - 前記コントローラが、前記位置測定システムによって測定された前記パターニングデバイスホルダ及び/又はパターニングデバイスの位置に基づいてフィードバック方式で前記位置誤差信号に基づいて前記ウルトラショートストロークアクチュエータを移動させる、請求項10に記載のリソグラフィ装置。
- 前記コントローラが、前記位置誤差信号に基づいて前記ウルトラショートストロークアクチュエータを開ループ方式で移動させる開ループ回路を備える、請求項10又は11に記載のリソグラフィ装置。
- 前記開ループ回路が、前記位置誤差信号の倍増係数を1〜0.2の間で設定する倍増器を備える、請求項12に記載のリソグラフィ装置。
- 放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成できるパターニングデバイスを支持するパターニングデバイス支持体であって、オブジェクトに対して移動自在に配置された可動構造と、前記可動構造に対して移動自在に配置され前記パターニングデバイスを保持するパターニングデバイスホルダと、前記オブジェクトに対して前記可動構造を移動させるアクチュエータと、前記可動構造に対して前記パターニングデバイスホルダを移動させるウルトラショートストロークアクチュエータと、を有するパターニングデバイス支持体と、
基板を保持する基板支持体と、
前記パターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、
位置誤差信号に基づいて前記ウルトラショートストロークアクチュエータを移動させる開ループコントローラと、
を備える、リソグラフィ装置。 - 前記開ループ回路が、前記位置誤差信号の倍増係数を1〜0.2の間で設定する倍増器を備える、請求項14に記載のリソグラフィ装置。
- 前記位置誤差信号が、基準オブジェクトに対する前記基板の所望の位置と前記基準オブジェクトに対する前記基板の実際の位置との差を含む、請求項10〜15のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記位置誤差信号が、前記オブジェクトに対する前記可動構造の所望の位置と前記オブジェクトに対する前記可動構造の実際の位置との差を含む、請求項10〜16のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
- 放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成できるパターニングデバイスを支持するパターニングデバイス支持体であって、オブジェクトに対して移動自在に配置された可動構造と、前記可動構造に対して移動自在に配置され前記パターニングデバイスを保持するパターニングデバイスホルダと、前記オブジェクトに対して前記可動構造を移動させるアクチュエータと、前記可動構造に対してパターニングデバイスホルダを移動させるウルトラショートストロークアクチュエータと、を有するパターニングデバイス支持体と、
基板を保持する基板支持体と、
前記パターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、
前記投影システムの下流側で前記パターン付放射ビームの位置を測定する透過イメージセンサと、
前記ウルトラショートストロークアクチュエータへの印加制御信号の大きさとその結果としての前記パターン付放射ビーム及び/又はパターニングデバイスホルダ及び/又はパターニングデバイスの位置の変化との関係を決定するキャリブレータと、
を備える、リソグラフィ装置。 - 前記透過イメージセンサが、前記基板支持体上に搭載されている、請求項18に記載のリソグラフィ装置。
- 決定された関係に基づいて少なくとも部分的にフィードフォワード方式で前記ウルトラショートストロークアクチュエータを移動させるコントローラをさらに備える、請求項18又は19に記載のリソグラフィ装置。
- 放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成できるパターニングデバイスを支持するパターニングデバイス支持体と、
基板を保持する基板支持体と、
前記パターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、を備え、
前記パターニングデバイス支持体が、
オブジェクトに対して移動自在に配置された可動構造と、
前記可動構造に対して移動自在に配置され前記パターニングデバイスを保持するパターニングデバイスホルダと、
前記オブジェクトに対して前記可動構造を移動させるアクチュエータと、
前記可動構造に対して前記パターニングデバイスホルダを移動させるとともに、前記パターニングデバイスホルダの周縁の少なくとも一部を囲んで配置された複数のアクチュエータを有する、ウルトラショートストロークアクチュエータと、
を備える、リソグラフィ装置。 - 前記ウルトラショートストロークアクチュエータの複数のアクチュエータの各々の個別の運動を制御するコントローラをさらに備える、請求項21に記載のリソグラフィ装置。
- 前記コントローラが、前記複数のアクチュエータの各々の運動を制御してパターニングデバイスに印加された不均等な熱負荷による前記パターニングデバイスの変形を補償する、請求項21又は22に記載のリソグラフィ装置。
- 前記パターニングデバイス上にトルク又は力を作用させるパターニングデバイスアクチュエータをさらに備え、
前記コントローラが、複数のアクチュエータの各々の運動を制御して前記パターニングデバイスアクチュエータによって前記パターニングデバイス上に作用された前記トルク又は力に起因する前記パターニングデバイスと前記パターニングデバイスホルダとの間の力を低減する、請求項21〜23のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。 - リソグラフィ装置であって、
放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成できるパターニングデバイスを支持するパターニングデバイス支持体であって、オブジェクトに対して移動自在に配置された可動構造と、前記可動構造に対して移動自在に配置され前記パターニングデバイスを保持するパターニングデバイスホルダと、前記オブジェクトに対して前記可動構造を移動させるアクチュエータと、前記可動構造に対して前記パターニングデバイスホルダを移動させるウルトラショートストロークアクチュエータと、を有するパターニングデバイス支持体と、
基板を保持する基板支持体と、
前記パターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、を備え、
前記ウルトラショートストロークアクチュエータが、前記パターニングデバイスホルダと前記可動構造との間に接着されている、リソグラフィ装置。 - 前記ウルトラショートストロークアクチュエータの剛性が、前記アクチュエータの剛性よりも実質的に大きい、請求項1〜25のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記ウルトラショートストロークアクチュエータが、圧電アクチュエータである、請求項1〜26のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記圧電アクチュエータが、せん断アクチュエータである、請求項27に記載のリソグラフィ装置。
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---|---|---|---|---|
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EP3394676B1 (en) * | 2015-12-21 | 2020-09-09 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus having an active base frame support |
US10416572B2 (en) | 2016-08-04 | 2019-09-17 | Asml Netherlands B.V. | Positioning system, method to position, lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN110716391A (zh) * | 2018-07-11 | 2020-01-21 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 大尺寸基板曝光机 |
EP3611770A1 (en) * | 2018-08-16 | 2020-02-19 | ASML Netherlands B.V. | Piezoelectric actuator, actuator system, substrate support and lithographic apparatus including the actuator |
JP7222660B2 (ja) * | 2018-10-30 | 2023-02-15 | キヤノン株式会社 | ステージ装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01172796A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-07 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 微動ステージ |
JPH0729801A (ja) * | 1993-07-14 | 1995-01-31 | Nikon Corp | 走査型投影露光装置 |
JPH07321024A (ja) * | 1994-05-25 | 1995-12-08 | Canon Inc | 位置決め方法およびその装置ならびにこれらを用いた露光装置 |
JPH088159A (ja) * | 1994-06-17 | 1996-01-12 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
JPH1012513A (ja) * | 1996-06-19 | 1998-01-16 | Canon Inc | 走査型投影露光装置 |
JP2003068640A (ja) * | 2001-06-13 | 2003-03-07 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ投影装置、デバイス製造方法、該方法により製造されたデバイス、測定方法 |
JP2006024939A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
US20060033903A1 (en) * | 2004-08-13 | 2006-02-16 | Nikon Corporation | Moving mechanism with high bandwidth response and low force transmissibility |
JP2009194384A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Asml Netherlands Bv | 可動サポート、位置制御システム、リソグラフィ装置、および、交換可能オブジェクトの位置を制御する方法 |
JP2012505447A (ja) * | 2008-10-09 | 2012-03-01 | ニューカッスル イノベイション リミテッド | 位置決めシステムおよび方法 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5699145A (en) * | 1993-07-14 | 1997-12-16 | Nikon Corporation | Scanning type exposure apparatus |
JPH08124203A (ja) * | 1994-10-24 | 1996-05-17 | Olympus Optical Co Ltd | 半導体レーザパワー制御装置 |
JPH10125594A (ja) * | 1996-10-22 | 1998-05-15 | Nikon Corp | ステージ制御装置及び露光装置 |
JP3634563B2 (ja) * | 1997-05-09 | 2005-03-30 | キヤノン株式会社 | 露光方法および装置並びにデバイス製造方法 |
JP4274578B2 (ja) * | 1998-02-19 | 2009-06-10 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置 |
TW504605B (en) | 1999-12-03 | 2002-10-01 | Asm Lithography Bv | Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using the same, the device and mask |
AU1554901A (en) | 1999-12-16 | 2001-06-25 | Nikon Corporation | Exposure method and exposure apparatus |
JP3938655B2 (ja) * | 2000-08-25 | 2007-06-27 | 東レエンジニアリング株式会社 | アライメント装置 |
TW497013B (en) * | 2000-09-07 | 2002-08-01 | Asm Lithography Bv | Method for calibrating a lithographic projection apparatus and apparatus capable of applying such a method |
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JP2004343075A (ja) | 2003-04-14 | 2004-12-02 | Asml Netherlands Bv | 投影システム及びその使用方法 |
US20050134816A1 (en) * | 2003-12-22 | 2005-06-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, method of exposing a substrate, method of measurement, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7256866B2 (en) * | 2004-10-12 | 2007-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7411657B2 (en) * | 2004-11-17 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2006308709A (ja) | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Tohoku Univ | 顕微鏡ステージ、および、焦点位置計測装置と共焦点顕微鏡システム |
US7576832B2 (en) | 2006-05-04 | 2009-08-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI334164B (en) | 2006-06-07 | 2010-12-01 | Ind Tech Res Inst | Method of manufacturing nitride semiconductor substrate and composite material substrate |
DE102006044285A1 (de) | 2006-08-14 | 2008-02-21 | Physik Instrumente (Pi) Gmbh & Co. Kg | Verstelleinrichtung mit hoher Positionsauflösung, auch im Nano- oder Subnanometerbereich |
US8174671B2 (en) * | 2007-06-21 | 2012-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and method for controlling a support structure |
US8144310B2 (en) * | 2008-04-14 | 2012-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Positioning system, lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8599359B2 (en) | 2008-12-19 | 2013-12-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method |
JP5191939B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2013-05-08 | スタンレー電気株式会社 | 光偏向器用アクチュエータ装置 |
NL2004847A (en) * | 2009-06-30 | 2011-01-04 | Asml Holding Nv | Method for controlling the position of a movable object, a control system for controlling a positioning device, and a lithographic apparatus. |
NL2006190A (en) | 2010-03-11 | 2011-09-13 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
US9081307B2 (en) | 2010-07-09 | 2015-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Variable reluctance device, stage apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI542952B (zh) | 2010-12-02 | 2016-07-21 | Asml控股公司 | 圖案化裝置支撐件 |
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-
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01172796A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-07 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 微動ステージ |
JPH0729801A (ja) * | 1993-07-14 | 1995-01-31 | Nikon Corp | 走査型投影露光装置 |
JPH07321024A (ja) * | 1994-05-25 | 1995-12-08 | Canon Inc | 位置決め方法およびその装置ならびにこれらを用いた露光装置 |
JPH088159A (ja) * | 1994-06-17 | 1996-01-12 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
JPH1012513A (ja) * | 1996-06-19 | 1998-01-16 | Canon Inc | 走査型投影露光装置 |
JP2003068640A (ja) * | 2001-06-13 | 2003-03-07 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ投影装置、デバイス製造方法、該方法により製造されたデバイス、測定方法 |
JP2006024939A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
US20060033903A1 (en) * | 2004-08-13 | 2006-02-16 | Nikon Corporation | Moving mechanism with high bandwidth response and low force transmissibility |
JP2009194384A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Asml Netherlands Bv | 可動サポート、位置制御システム、リソグラフィ装置、および、交換可能オブジェクトの位置を制御する方法 |
JP2012505447A (ja) * | 2008-10-09 | 2012-03-01 | ニューカッスル イノベイション リミテッド | 位置決めシステムおよび方法 |
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