JP2017059567A5 - - Google Patents
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Claims (6)
- 処理室と、前記処理室を加熱する加熱源と、前記処理室へプロセスガスを導入するガス導入ラインとを有する炉本体と、
凹凸パターンを含み炭化珪素層からなる第１の表面を有する基板をそれぞれ支持する複数のトレイと、
前記処理室に設置され、前記第１の表面と垂直な方向に５ｍｍ以上の第１の間隙をあけて、かつ、前記複数のトレイ各々の周縁部と前記処理室の内壁との間に前記第１の間隙よりも大きい第２の間隙をあけて、前記複数のトレイを支持する支持部材と
を具備する熱処理炉。 - 請求項１に記載の熱処理炉であって、
前記支持部材は、前記複数のトレイ各々の周縁部を部分的に支持する複数の支持柱を有する
熱処理炉。 - 請求項１に記載の熱処理炉であって、
前記第１の間隙は１０ｍｍ以上である
熱処理炉。 - 基板の表面を形成する炭化珪素層にエッチング処理により凹凸パターンを形成し、
エッチング済みの前記基板を複数のトレイ上にそれぞれ配置し、
熱処理炉の処理室に、前記複数のトレイを、前記基板と垂直な方向に５ｍｍ以上の第１の間隙をあけて、かつ、前記複数のトレイ各々の周縁部と前記処理室の内壁との間に前記第１の間隙よりも大きい第２の間隙をあけて設置し、
前記処理室内で前記複数のトレイ上の基板を熱処理する
半導体基板の製造方法。 - 請求項４に記載の半導体基板の製造方法であって、
前記基板は、１５００℃以上２０００℃以下の温度で熱処理される
半導体基板の製造方法。 - 請求項４に記載の半導体基板の製造方法であって、
前記第１の間隙は１０ｍｍ以上である
半導体基板の製造方法。
Priority Applications (1)
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| JP2015180473A JP2017059567A (ja) | 2015-09-14 | 2015-09-14 | 熱処理炉及び半導体基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2015180473A JP2017059567A (ja) | 2015-09-14 | 2015-09-14 | 熱処理炉及び半導体基板の製造方法 |
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| JP2017059567A JP2017059567A (ja) | 2017-03-23 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2015180473A Pending JP2017059567A (ja) | 2015-09-14 | 2015-09-14 | 熱処理炉及び半導体基板の製造方法 |
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