JP2017015766A - Image display device - Google Patents

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JP2017015766A
JP2017015766A JP2015128977A JP2015128977A JP2017015766A JP 2017015766 A JP2017015766 A JP 2017015766A JP 2015128977 A JP2015128977 A JP 2015128977A JP 2015128977 A JP2015128977 A JP 2015128977A JP 2017015766 A JP2017015766 A JP 2017015766A
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齊藤 之人
Yukito Saito
之人 齊藤
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a low-reflection high-luminance image display device using an MEMS shutter device, which can achieve both of high front luminance and improved visibility by suppressing reflection of external light, and particularly, which gives high front luminance in a wide angle range while suppressing reflection of external light and can suppress color irregularity in a displayed image.SOLUTION: An image display device 10 includes a backlight 20 and an MEMS shutter device 34 having an opening 26 for transmitting light emitted from the backlight 20 and controlling the quantity of transmitted light by opening and closing the opening 26. The device has an absorption type polarizer 12 and a quarter-wave plate 14 successively disposed from a viewing side on the viewing side of the MEMS shutter device and has a reflection type polarizer 18 disposed on the backlight 20 side away from the quarter-wave plate 14.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)を用いた画像表示装置に係り、詳しくは、MEMSシャッタデバイスを用いた低反射高輝度な画像表示装置に関する。なお、本発明では、MEMSは、微小電気機械システムを指すものとして定義される。   The present invention relates to an image display apparatus using MEMS (Micro Electro Mechanical Systems), and more particularly, to an image display apparatus with low reflection and high brightness using a MEMS shutter device. In the present invention, MEMS is defined to refer to a microelectromechanical system.

近年、カラーフィルタを用いる液晶表示装置に対して、カラーフィルタを使用しない、MEMSシャッタデバイスを用いた画像表示装置(以下、MEMS表示装置という)提案されている(特許文献1,特許文献2)。
特許文献1および特許文献2に開示された従来のMEMS表示装置は、画素毎に、バックライトから出射された光を透過させる開口部とこの開口部を開閉するMEMSシャッタとを有するMEMSシャッタデバイスが設けられ、トランジスタを用いて高速でMEMSシャッタを開閉すると共に、その開閉時間の比率が調整されることによって、微小な単位時間当たりの透過光量が制御され、よって、各画素の輝度値が調整される。
こうして、このMEMS表示装置に、画像を表示することができる。
なお、このMEMS表示装置では、例えば、バックライトから時分割でRGBの光を出射し、画素毎のMEMSシャッタデバイスのMEMSシャッタで各色毎に開口部を開閉して、開口部を透過する各色の光量を制御し、当該画素の色を調整することにより、カラー画像を表示することができる。
In recent years, an image display device using a MEMS shutter device (hereinafter referred to as a MEMS display device) that does not use a color filter has been proposed for a liquid crystal display device using a color filter (Patent Document 1, Patent Document 2).
The conventional MEMS display device disclosed in Patent Literature 1 and Patent Literature 2 includes, for each pixel, a MEMS shutter device having an opening that transmits light emitted from a backlight and a MEMS shutter that opens and closes the opening. The MEMS shutter is opened and closed at high speed using a transistor, and the ratio of the opening and closing time is adjusted, so that the amount of transmitted light per minute unit is controlled, and thus the luminance value of each pixel is adjusted. The
Thus, an image can be displayed on the MEMS display device.
In this MEMS display device, for example, RGB light is emitted from the backlight in a time-sharing manner, and each color is transmitted through the opening by opening and closing each color with the MEMS shutter of the MEMS shutter device for each pixel. A color image can be displayed by controlling the amount of light and adjusting the color of the pixel.

また、このMEMS表示装置では、MEMSシャッタデバイスの開口部を反射板に設けることにより、バックライトから出射され、真直ぐに開口部に向かわなかった光も、反射板とバックライトとの間で跳ね返って開口部に向かわせ、開口部を透過させることができるので、液晶表示装置に比べて、バックライトから出射される光の利用効率が高いとしている。
また、このMEMS表示装置は、カラーフィルタを使用しないので、カラーフィルタを用いて白色光を分光する液晶表示装置に対して、バックライトから出射される光の利用効率がより高いとしている。
Further, in this MEMS display device, by providing the opening of the MEMS shutter device in the reflecting plate, the light emitted from the backlight and not directly directed to the opening is bounced between the reflecting plate and the backlight. Since the opening can be transmitted through the opening, the use efficiency of the light emitted from the backlight is higher than that of the liquid crystal display device.
In addition, since this MEMS display device does not use a color filter, the use efficiency of light emitted from the backlight is higher than that of a liquid crystal display device that separates white light using the color filter.

特表2008−533510号公報Special table 2008-533510 gazette 特開2014−182211号公報JP 2014-182221 A

ところで、画像表示装置のディスプレイ(表示)画面の高精細化が進行する中、MEMS表示装置にも、表示画面の高精細化が求められるようになってきた。
このため、上述した特許文献1および特許文献2に開示された従来のMEMS表示装置においても、表示画面の高精細化に伴って、MEMSシャッタデバイスの開口部の開口率が小さくなった。このため、従来のMEMS表示装置でも、開口部を形成する反射板、およびMEMSシャッタ等のシャッタ金属部の面積割合が増えたことにより、シャッタ金属部の視認側の金属表面での外光反射が増加し、増加した外光反射光により視認性が悪くなる問題が発生した。
By the way, as the display (display) screen of an image display device is becoming higher definition, the MEMS display device is also required to have a higher definition display screen.
For this reason, also in the conventional MEMS display devices disclosed in Patent Document 1 and Patent Document 2 described above, the aperture ratio of the opening portion of the MEMS shutter device has decreased with the increase in the definition of the display screen. For this reason, even in the conventional MEMS display device, the area ratio of the reflector metal forming the opening and the shutter metal part such as the MEMS shutter has increased, so that external light reflection on the metal surface on the viewing side of the shutter metal part is prevented. There has been a problem that visibility has deteriorated due to the increased reflected light from outside light.

従来のMEMS表示装置では、特に、反射光が目立つ斜め光の反射が、特に表示画像の視認性を悪化させていた。
さらに、MEMSシャッタデバイスを高精細化すると開口部のスリットがミクロン(μ)オーダとなり、反射光および透過光の回折の影響が無視できなくなってきた。その結果、従来のMEMS表示装置では、表示画像の虹ムラが発生するという問題があった。
In the conventional MEMS display device, particularly, the reflection of oblique light in which the reflected light is conspicuous particularly deteriorates the visibility of the display image.
Furthermore, when the MEMS shutter device is made high definition, the slit of the opening becomes on the order of microns (μ), and the influence of diffraction of reflected light and transmitted light cannot be ignored. As a result, the conventional MEMS display device has a problem that rainbow unevenness occurs in the display image.

本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解消し、表示画面の高精細化を図っても、光の高い利用効率を維持して高い正面輝度を保ちながら、外光反射を大きく抑えて視認性を上げることができ、高い正面輝度と外光反射抑制による視認性の向上とを両立させることができ、特に、外光反射を低く押さえたまま広い角度範囲で高い正面輝度を得ることができるMEMSシャッタデバイスを用いた低反射高輝度な画像表示装置を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、上記目的に加え、さらに、表示画面の高精細化を図っても、表示画像の色むらを抑える、またはなくすことができるMEMSシャッタデバイスを用いた画像表示装置を提供することにある。
The object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art and to suppress the reflection of outside light greatly while maintaining high front luminance and maintaining high light use efficiency even if the display screen is made high definition. Visibility can be improved, and both high front luminance and improved visibility by suppressing external light reflection can be achieved, and in particular, high front luminance can be obtained in a wide angle range while keeping external light reflection low. An object of the present invention is to provide an image display device having a low reflection and a high luminance using a MEMS shutter device that can be used.
In addition to the above object, another object of the present invention is to provide an image display device using a MEMS shutter device that can suppress or eliminate uneven color of a displayed image even if the display screen is further refined. Is to provide.

上記目的を達成するために、本発明の画像表示装置は、光を出射するバックライト、およびバックライトから出射された光を透過させる開口部を備え、開口部を開閉して開口部を透過する光の量を制御するMEMS(微小電気機械システム)シャッタデバイスを有する画像表示装置であって、MEMSシャッタデバイスの視認側に、視認側から順次配置される吸収型偏光子及び1/4波長板と、1/4波長板よりバックライト側に配置される反射型偏光子と、を有することを特徴とする。   In order to achieve the above object, an image display device of the present invention includes a backlight that emits light, and an opening that transmits light emitted from the backlight, and opens and closes the opening to transmit the opening. An image display apparatus having a MEMS (micro electro mechanical system) shutter device for controlling the amount of light, wherein an absorption polarizer and a quarter-wave plate are sequentially arranged on the viewing side of the MEMS shutter device from the viewing side And a reflective polarizer disposed on the backlight side of the quarter-wave plate.

ここで、反射型偏光子は、MEMSシャッタデバイスとバックライトとの間に配置されることが好ましい。
または、反射型偏光子は、MEMSシャッタデバイスと1/4波長板との間に配置されることが好ましい。
Here, the reflective polarizer is preferably disposed between the MEMS shutter device and the backlight.
Alternatively, the reflective polarizer is preferably disposed between the MEMS shutter device and the quarter wave plate.

また、反射型偏光子は、コレステリック液晶層によって構成されている、もしくは、バックライト側から順次配置される多層積層ポリマーフィルム、またはワイヤーグリッド偏光子と第2の1/4波長板とから構成されていることが好ましい。
また、コレステリック液晶層は、単層、または複層であることが好ましい。
また、MEMSシャッタデバイスの開口部の開口幅は、開口部の長手方向に沿って変化することが好ましく、また、開口幅は、開口部の長手方向に沿って一方向に連続的に狭くなるように変化することが好ましい。
The reflective polarizer is composed of a cholesteric liquid crystal layer, or is composed of a multilayer laminated polymer film or a wire grid polarizer and a second quarter-wave plate that are sequentially arranged from the backlight side. It is preferable.
The cholesteric liquid crystal layer is preferably a single layer or multiple layers.
The opening width of the opening of the MEMS shutter device preferably varies along the longitudinal direction of the opening, and the opening width continuously narrows in one direction along the longitudinal direction of the opening. It is preferable to change to.

また、さらに、反射型偏光子及びMEMSシャッタデバイスより視認側であって、1/4波長板よりバックライト側に配置される拡散フィルムを有することが好ましく、また、吸収型偏光子、1/4波長板、拡散フィルム、MEMSシャッタデバイス、および反射型偏光子は、視認側からバックライトに向かって順次配置されることが好ましい。   Furthermore, it is preferable to have a diffusion film disposed on the viewing side of the reflective polarizer and the MEMS shutter device and on the backlight side of the quarter-wave plate. It is preferable that the wave plate, the diffusion film, the MEMS shutter device, and the reflective polarizer are sequentially arranged from the viewing side toward the backlight.

また、MEMSシャッタデバイスは、開口部を覆い、バックライトから出射された光を遮断する第1の位置と、開口部を開放し、バックライトから出射された光を透過する第2の位置との間を移動するMEMSシャッタを有することが好ましい。   The MEMS shutter device includes a first position that covers the opening and blocks light emitted from the backlight, and a second position that opens the opening and transmits light emitted from the backlight. It is preferable to have a MEMS shutter that moves between them.

本発明によれば、表示画面の高精細化を図っても、光の高い利用効率を維持して高い正面輝度を保ちながら、外光反射を大きく抑えて視認性を上げることができるMEMSシャッタデバイスを用いた低反射高輝度な画像表示装置を提供することができる。
また、本発明によれば、高い正面輝度と外光反射抑制による視認性の向上とを両立させることができる。
また、本発明によれば、特に、外光反射を低く押さえたまま広い角度範囲で高い正面輝度を得ることができる。
また、本発明によれば、さらに、表示画面の高精細化を図っても、表示画像の色むらを抑える、またはなくすことができる。
Advantageous Effects of Invention According to the present invention, even when the display screen is made high-definition, the MEMS shutter device can increase visibility by largely suppressing external light reflection while maintaining high light use efficiency and maintaining high front luminance. It is possible to provide a low-reflection and high-brightness image display device using the above-mentioned.
Further, according to the present invention, it is possible to achieve both high front luminance and improved visibility by suppressing external light reflection.
In addition, according to the present invention, high front luminance can be obtained in a wide angle range while keeping external light reflection low.
Furthermore, according to the present invention, even if the display screen is further refined, the uneven color of the display image can be suppressed or eliminated.

本発明の一実施形態に係る画像表示装置の構成の一例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically an example of a structure of the image display apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 図1に示す画像表示装置のMEMSシャッタデバイスおよびバックライトからなるMEMS表示装置の構成を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically the structure of the MEMS display apparatus which consists of the MEMS shutter device and backlight of the image display apparatus shown in FIG. (A)および(B)は、それぞれ図2に示すMEMS表示装置のMEMSシャッタデバイスの異なる動作状態を模式的に示す断面図である。(A) And (B) is sectional drawing which shows typically the different operation state of the MEMS shutter device of the MEMS display apparatus shown in FIG. 2, respectively. (A)は、本発明の実施形態1に係る画像表示装置の一例を模式的に示す断面図であり、(B)は、(A)に示す画像表示装置のMEMSシャッタデバイスの反射板の開口部の形状を示す平面図である。(A) is sectional drawing which shows typically an example of the image display apparatus which concerns on Embodiment 1 of this invention, (B) is opening of the reflecting plate of the MEMS shutter device of the image display apparatus shown to (A). It is a top view which shows the shape of a part. 本発明の実施形態2に係る画像表示装置の一例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically an example of the image display apparatus which concerns on Embodiment 2 of this invention. (A)は、本発明の実施形態3に係る画像表示装置の一例を模式的に示す断面図であり、(B)は、(A)に示す画像表示装置のMEMSシャッタデバイスの反射板の開口部の形状を示す平面図である。(A) is sectional drawing which shows typically an example of the image display apparatus which concerns on Embodiment 3 of this invention, (B) is opening of the reflecting plate of the MEMS shutter device of the image display apparatus shown to (A). It is a top view which shows the shape of a part. 本発明の実施形態4に係る画像表示装置の一例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically an example of the image display apparatus which concerns on Embodiment 4 of this invention. 比較例の画像表示装置を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the image display apparatus of a comparative example.

以下に、本発明に係る画像表示装置、および画像表示装置の作製方法を添付の図面に示す好適実施形態を参照して詳細に説明する。   Hereinafter, an image display device and a method for manufacturing the image display device according to the present invention will be described in detail with reference to preferred embodiments shown in the accompanying drawings.

まず、本発明に係る画像表示装置について説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る画像表示装置の構成の一例を模式的に示す断面図である。
同図に示す画像表示装置10は、その視認側から順次配置される吸収型偏光子12と、1/4波長板14と、MEMSシャッタデバイス16、反射型偏光子18と、バックライト20とを有する。
First, an image display device according to the present invention will be described.
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of the configuration of an image display apparatus according to an embodiment of the present invention.
The image display apparatus 10 shown in the figure includes an absorption polarizer 12, a quarter-wave plate 14, a MEMS shutter device 16, a reflection polarizer 18, and a backlight 20 that are sequentially arranged from the viewing side. Have.

(MEMS表示装置)
まず、MEMSシャッタデバイス16およびバックライト20から構成されるMEMS表示装置について説明する。
図2に、MEMS表示装置の構成を模式的に示す。図3(A)および(B)に、それぞれ図2に示すMEMS表示装置のMEMSシャッタデバイスの異なる動作状態を模式的に示す。
なお、図2では、1画素に対応してMEMSシャッタデバイス16とバックライト20とが示されているが、MEMSシャッタデバイス16は、多数の画素に対して画素ごとに設けられるものであり、バックライト20は多数の画素に対して共通に設けられるものである。
MEMS表示装置22は、特許文献1及び2等に開示されている構成を有するもので、MEMSシャッタデバイス16とバックライト20とを有する。
(MEMS display device)
First, a MEMS display device including the MEMS shutter device 16 and the backlight 20 will be described.
FIG. 2 schematically shows the configuration of the MEMS display device. 3A and 3B schematically show different operation states of the MEMS shutter device of the MEMS display device shown in FIG.
In FIG. 2, the MEMS shutter device 16 and the backlight 20 are shown corresponding to one pixel, but the MEMS shutter device 16 is provided for each pixel with respect to a large number of pixels. The light 20 is provided in common for many pixels.
The MEMS display device 22 has a configuration disclosed in Patent Documents 1 and 2 and the like, and includes a MEMS shutter device 16 and a backlight 20.

(バックライト)
図示例のバックライト20は、例えば、R(赤)G(緑)B(青)の3色の各色光を出射するLED(発光ダイオード。以下同じ)24(24Rと、24Gと、24B)とを有し、時分割でRGB各色の光を出射し、各画素のMEMSシャッタデバイス16の開口部26に向けて放射するように構成されている。
図示例では、LED24(24Rと、24Gと、24B)は、バックライト20側面に設けられており、側面から入射されたRGBの各色光は、並行に伝播して全画素領域に至り各画素において直交方向に向かい、バックライト20の上側表面から各画素毎にMEMS表示装置22に向けて出射される。
(Backlight)
The backlight 20 in the illustrated example includes, for example, LEDs (light emitting diodes, the same applies hereinafter) 24 (24R, 24G, and 24B) that emit light of three colors of R (red), G (green), and B (blue). And is configured to emit light of each color of RGB in a time division manner and radiate toward the opening 26 of the MEMS shutter device 16 of each pixel.
In the illustrated example, the LEDs 24 (24R, 24G, and 24B) are provided on the side surface of the backlight 20, and each color light of RGB incident from the side surface propagates in parallel to reach all the pixel regions, and in each pixel. In the orthogonal direction, the light is emitted from the upper surface of the backlight 20 toward the MEMS display device 22 for each pixel.

(MEMSシャッタデバイス)
図示例のMEMSシャッタデバイス16は、画素毎に、バックライト20から出射された光を透過させる開口部26を備える反射板28が取り付けられた透明基板30と、金属製の反射板28から所定の距離離間して透明基板30に金属製のばね32を介して移動可能に支持される金属製のMEMSシャッタ34とを有する。ここで、反射板28、ばね32およびMEMSシャッタ34は、シャッタ部35を形成し、各画素のシャッタ部35およびMEMSシャッタ34を駆動するための図示しないトランジスタおよび配線などは、金属製である。
MEMSシャッタ34は、各色の画素信号に応じた電気信号が与えられた図示しない駆動トランジスタ等によってばね32を変位させることで、反射板28の開口部26上を図中矢印方向に移動して開口部26を高速で開閉する。
図示例では、MEMSシャッタ34は、2つの開口窓36を有する金属製の板状部材で構成され、各開口窓36は、開口部26と同じ開口形状を有し、開口窓36の間のシャッタ領域38、および各開口窓36の外側のシャッタ領域38は、開口部26を覆って塞ぐことができる形状を有する。
(MEMS shutter device)
The MEMS shutter device 16 in the illustrated example includes a transparent substrate 30 to which a reflection plate 28 including an opening 26 that transmits light emitted from the backlight 20 is attached for each pixel, and a predetermined number of times from a metal reflection plate 28. A metallic MEMS shutter 34 that is supported by a transparent substrate 30 via a metal spring 32 so as to be spaced apart from each other. Here, the reflecting plate 28, the spring 32, and the MEMS shutter 34 form a shutter portion 35, and transistors and wirings (not shown) for driving the shutter portion 35 and the MEMS shutter 34 of each pixel are made of metal.
The MEMS shutter 34 moves on the opening 26 of the reflector 28 in the direction of the arrow in the figure by displacing the spring 32 by a driving transistor (not shown) to which an electrical signal corresponding to the pixel signal of each color is applied. The part 26 is opened and closed at high speed.
In the illustrated example, the MEMS shutter 34 is configured by a metal plate-like member having two opening windows 36, and each opening window 36 has the same opening shape as the opening 26, and the shutter between the opening windows 36. The region 38 and the shutter region 38 outside each opening window 36 have a shape that covers and covers the opening 26.

その結果、図3(A)に示すように、MEMSシャッタ34のシャッタ領域38が反射板28の開口部26の直上の第1の位置(シャッタ閉位置)にある時、開口部26を隙間なく覆い、バックライト20から出射された光を遮断する。
一方、図3(B)に示すように、MEMSシャッタ34が図3(A)に示す第1の位置から図中左側に移動し、MEMSシャッタ34の1つの開口窓36が反射板28の開口部26の直上の第2の位置(シャッタ開位置)にある時、開口部26を完全に開放し、バックライト20から出射された光を透過する。
MEMSシャッタデバイス16では、高速でMEMSシャッタ34が開閉されると共に、その開閉時間が制御されて透過光量が制御され、各色の輝度値が調整される。MEMS表示装置22の各画素において、各色の輝度値が制御されることにより、カラー画像を表示することができる。
As a result, as shown in FIG. 3A, when the shutter region 38 of the MEMS shutter 34 is at the first position (shutter closed position) immediately above the opening 26 of the reflector 28, the opening 26 is not spaced. Cover and block the light emitted from the backlight 20.
On the other hand, as shown in FIG. 3 (B), the MEMS shutter 34 moves from the first position shown in FIG. 3 (A) to the left side in the drawing, and one opening window 36 of the MEMS shutter 34 opens the reflector 28. When in the second position (shutter open position) immediately above the portion 26, the opening portion 26 is completely opened, and the light emitted from the backlight 20 is transmitted.
In the MEMS shutter device 16, the MEMS shutter 34 is opened and closed at a high speed, and the opening and closing time is controlled to control the amount of transmitted light, thereby adjusting the luminance value of each color. A color image can be displayed by controlling the luminance value of each color in each pixel of the MEMS display device 22.

このようなMEMS表示装置22のMEMSシャッタデバイス16は、従来公知の製造プロセス、例えば、特許文献1および2に開示された製造プロセスに従って製造すればよく、製造プロセスは、特に限定されない。
例えば、透明基板30上にシャッタ部35の開口部26を持つ反射板28、ばね32およびMEMSシャッタ34の型となるフォトレジストを形成し、このフォトレジスト上に金属膜を形成し、ドライエッチングを施すことにより、この金属膜を開口部26を持つ反射板28、ばね32およびMEMSシャッタ34の形状通りに削り取り、その後、それらの全面を絶縁膜で被覆することにより、これらを完成させて、MEMSシャッタデバイス16を完成させる。なお、この時、図示しない駆動トランジスタや配線等も形成されるのは勿論である。
The MEMS shutter device 16 of the MEMS display device 22 may be manufactured according to a conventionally known manufacturing process, for example, a manufacturing process disclosed in Patent Documents 1 and 2, and the manufacturing process is not particularly limited.
For example, a reflection plate 28 having an opening 26 of the shutter portion 35, a spring 32, and a photoresist serving as a MEMS shutter 34 are formed on the transparent substrate 30, a metal film is formed on the photoresist, and dry etching is performed. By applying this, the metal film is scraped off according to the shape of the reflector 28 having the opening 26, the spring 32, and the MEMS shutter 34, and thereafter, the entire surface thereof is covered with an insulating film, thereby completing the MEMS. The shutter device 16 is completed. At this time, it goes without saying that drive transistors, wirings, and the like (not shown) are also formed.

ここで用いられるMEMS形成用に用いられるフォトレジストとしては、特に制限はないが、従来公知のフォトレジストを用いることができる。例えば、本出願人の出願に係る特開2012−98557号公報、2012−181488号公報、および特開2012−208200号公報に開示のMEMS形成用レジストを挙げることができる。
例えば、MEMS形成用レジストとしては、(成分A)カルボキシ基又はフェノール性水酸基が酸分解性基で保護された残基を有するモノマー単位(a1)と、エポキシ基及び/又はオキセタニル基を有するモノマー単位(a2)と、もしくは、モノマー単位(a1)および(a2)にさらに、アミノ基、アミド基、イミド基、スルホンイミド基、スルホンアミド基、イミノ基、ウレタン結合及びウレイド結合よりなる群から選ばれた構造を有するモノマー単位(a3)と、を有する重合体、(成分B)光酸発生剤、並びに、(成分C)溶媒、を含む感光性樹脂組成物である。これらの感光性樹脂組成物は、それぞれMEMS構造部材用感光性樹脂組成物として、またはエッチングレジスト用感光性樹脂組成物として用いることができる。この感光性樹脂組成物は、ポジ型感光性樹脂組成物であることが好ましく、化学増幅型のポジ型感光性樹脂組成物(化学増幅ポジ型感光性樹脂組成物)であることが特に好ましい。
Although there is no restriction | limiting in particular as a photoresist used for MEMS formation used here, A conventionally well-known photoresist can be used. For example, the resist for forming MEMS disclosed in JP 2012-98557 A, 2012-181488, and JP 2012-208200 A related to the application of the present applicant can be given.
For example, as a resist for forming MEMS, (Component A) a monomer unit (a1) having a residue in which a carboxy group or a phenolic hydroxyl group is protected with an acid-decomposable group, and a monomer unit having an epoxy group and / or an oxetanyl group (A2) or the monomer unit (a1) and (a2) is further selected from the group consisting of an amino group, an amide group, an imide group, a sulfonimide group, a sulfonamide group, an imino group, a urethane bond and a ureido bond. A photosensitive resin composition comprising a polymer having a monomer unit (a3) having the above structure, (Component B) a photoacid generator, and (Component C) a solvent. These photosensitive resin compositions can be used as a photosensitive resin composition for MEMS structural members or as a photosensitive resin composition for etching resists, respectively. The photosensitive resin composition is preferably a positive photosensitive resin composition, particularly preferably a chemically amplified positive photosensitive resin composition (chemically amplified positive photosensitive resin composition).

また、これらのMEMS構造部材用レジストを用いた開口部26を持つ反射板28、ばね32およびMEMSシャッタ34等のMEMS構造部材は、これらの公報に開示のMEMS構造部材の作製方法などを参照して作製できる。
例えば、ポジ型感光性樹脂組成物から溶媒を除去し膜を形成する膜形成工程、この膜を活性光線によりパターン状に露光する露光工程、露光された膜を水性現像液により現像しパターンを形成する現像工程、及び、このパターンを加熱するベーク工程、を含むパターン作製方法により作製したパターンを構造体積層時の犠牲層として用いて構造体を作製する工程、及び、この犠牲層をプラズマ処理にて除去する工程、を含むMEMS構造体の作製方法に従って製造すればよい。
For the MEMS structural members such as the reflector 28 having the opening 26 using the resist for the MEMS structural member, the spring 32, and the MEMS shutter 34, refer to the manufacturing method of the MEMS structural member disclosed in these publications. Can be produced.
For example, a film forming process for removing the solvent from the positive photosensitive resin composition to form a film, an exposure process for exposing the film to a pattern with actinic rays, and developing the exposed film with an aqueous developer to form a pattern A step of producing a structure using a pattern produced by a pattern production method including a developing step and a baking step of heating the pattern as a sacrificial layer at the time of stacking the structure, and the sacrificial layer for plasma treatment It is sufficient to manufacture the MEMS structure according to the method for manufacturing the MEMS structure including the removing step.

(吸収型偏光子)
次に、本発明においては、図1に示すように、吸収型偏光子12は、最も視認側に配置される部材である。吸収型偏光子12は、光の特定の直線偏光成分を透過するものである。吸収型偏光子12は、このような機能を有する部材であればよい。
吸収型偏光子12の種類は、特に制限はなく、偏光膜の両面に保護フィルムが貼合された通常のものを用いることができる。偏光膜を利用することができ、例えば、ヨウ素系偏光膜、二色性染料を利用した染料系偏光膜、およびポリエン系偏光膜のいずれも用いることができる。ヨウ素系偏光膜、および染料系偏光膜は、一般に、ポリビニルアルコールにヨウ素または二色性染料を吸着させ、延伸することで作製される。
(Absorptive polarizer)
Next, in the present invention, as shown in FIG. 1, the absorption polarizer 12 is a member arranged on the most visible side. The absorptive polarizer 12 transmits a specific linearly polarized light component. The absorption polarizer 12 may be a member having such a function.
There is no restriction | limiting in particular in the kind of absorption type polarizer 12, The normal thing by which the protective film was bonded on both surfaces of the polarizing film can be used. A polarizing film can be used. For example, any of an iodine polarizing film, a dye polarizing film using a dichroic dye, and a polyene polarizing film can be used. The iodine-based polarizing film and the dye-based polarizing film are generally produced by adsorbing iodine or a dichroic dye to polyvinyl alcohol and stretching it.

(1/4波長板)
本発明においては、1/4波長板14は、λ/4板とも呼ばれ、図1に示すように、吸収型偏光子12よりバックライト20側に配置され、吸収型偏光子12と一体として用いられることが好ましい。この際、反射型偏光子としては、反射型円偏光板を用いることが好ましい。1/4波長板14は、入射する光の直交する偏光成分の間に位相差π/2(90度)を生じさせる複屈折素子であり、光を吸収することはなく、位相のみを変えるものであり、位相板、または位相差板とも呼ばれるものの1種である。
1/4波長板14は、直線偏光の光を円偏光の光に変換する、または逆に円偏光の光を直線偏光の光に変換するために用いられる部材である。
(¼ wavelength plate)
In the present invention, the quarter-wave plate 14 is also called a λ / 4 plate, and is disposed on the backlight 20 side of the absorption polarizer 12 and integrated with the absorption polarizer 12 as shown in FIG. It is preferable to be used. At this time, it is preferable to use a reflective circularly polarizing plate as the reflective polarizer. The quarter-wave plate 14 is a birefringent element that generates a phase difference π / 2 (90 degrees) between orthogonally polarized components of incident light, and does not absorb light but changes only the phase. It is a kind of what is also called a phase plate or a phase difference plate.
The quarter-wave plate 14 is a member used for converting linearly polarized light into circularly polarized light, or conversely, converting circularly polarized light into linearly polarized light.

本発明においては、1/4波長板14は、吸収型偏光子12との組み合わせにおいて円偏光板を構成する。
このような吸収型偏光子12および1/4波長板14からなる円偏光板は、視認側から表示画面に入射した外光が金属製反射板28の視認側金属表面で反射する反射光の透過を抑止すると共に、バックライト20から出射され、MEMSシャッタデバイス16の開口部26を透過した光を透過する機能を有する。
特に、斜め方向のリタデーションRthが0に近く(広視角)、逆分散特性を持つ円偏光板を用いることが好ましい。その理由は、このような円偏光板を用いることにより、斜め光でも反射光が色づかないからである。
In the present invention, the quarter wavelength plate 14 forms a circularly polarizing plate in combination with the absorption polarizer 12.
Such a circularly polarizing plate composed of the absorption polarizer 12 and the quarter-wave plate 14 transmits the reflected light that is reflected from the viewing-side metal surface of the metallic reflector 28 by the external light incident on the display screen from the viewing side. And has a function of transmitting light emitted from the backlight 20 and transmitted through the opening 26 of the MEMS shutter device 16.
In particular, it is preferable to use a circularly polarizing plate having an oblique retardation Rth close to 0 (wide viewing angle) and having reverse dispersion characteristics. The reason is that by using such a circularly polarizing plate, the reflected light is not colored even with oblique light.

ところで、図8に示すように、吸収型偏光子12および1/4波長板14からなり、反射型偏光子を持たない比較例となる従来の画像表示装置60においては、視認側から表示画面に外光が入射すると、入射した外光は、MEMSシャッタデバイス16の開口部26を有する反射板28の視認側の金属表面によって鏡面反射されて、反射光として表示画面から放射される。このため、視認性が悪化することは、従来技術の問題点として上述した通りである。
これに対し、図1に示す本発明の画像表示装置10においては、視認側から表示画面に外光が入射すると、外光は、まず吸収型偏光子12に入射し、直線偏光の光に変換される。次に、変換された直線偏光は、1/4波長板14に入射し、位相差π/2(90度)を生じさせるように作用し、円偏光の光に変換される。変換された円偏光の光は、図8に示す画像表示装置60の場合と同様に、MEMSシャッタデバイス16の反射板28の視認側の金属表面によって鏡面反射される。この反射光は、再び、1/4波長板14に入射し、1/4波長板14が位相差π/2(90度)を生じさせるように作用し、直線偏光の光に変換される。
By the way, as shown in FIG. 8, in the conventional image display apparatus 60 which consists of the absorption type polarizer 12 and the quarter wavelength plate 14, and is a comparative example which does not have a reflection type polarizer, it is a display screen from a visual recognition side. When the external light is incident, the incident external light is specularly reflected by the metal surface on the viewing side of the reflector 28 having the opening 26 of the MEMS shutter device 16 and is emitted from the display screen as reflected light. For this reason, the deterioration of visibility is as described above as a problem of the prior art.
On the other hand, in the image display device 10 of the present invention shown in FIG. 1, when external light enters the display screen from the viewing side, the external light first enters the absorption polarizer 12 and is converted to linearly polarized light. Is done. Next, the converted linearly polarized light is incident on the quarter-wave plate 14, acts so as to generate a phase difference of π / 2 (90 degrees), and is converted into circularly polarized light. The converted circularly polarized light is specularly reflected by the metal surface on the viewing side of the reflection plate 28 of the MEMS shutter device 16 as in the case of the image display device 60 shown in FIG. This reflected light is incident on the quarter-wave plate 14 again, and the quarter-wave plate 14 acts so as to generate a phase difference π / 2 (90 degrees), and is converted into linearly polarized light.

なお、円偏光の光は、鏡面反射によって回転方向は変わらない性質があることから、1/4波長板14の2往復分の位相差が加算され、合計π(180度)の位相差が生じることになる。1/4波長板14を取りぬけ、位相差π(180度)が生じた直線偏光の反射光の偏光方位は、1/4波長板14に視認側から入射する外光の入射偏光方位、即ち、吸収型偏光子12によって変換された直線偏光の偏光方位に対しπ/2(90度)回転させられることになる。
これによって、反射光は、吸収型偏光子12に入射すると、吸収型偏光子12を通り抜けられることができない。
こうして、吸収型偏光子12および1/4波長板14からなる円偏光板は、外光に対しては光アイソレータとして機能し、外光反射を大きく抑えることができる。
Since circularly polarized light has the property that the direction of rotation does not change due to specular reflection, the phase difference for two round trips of the quarter-wave plate 14 is added, resulting in a total phase difference of π (180 degrees). It will be. The polarization direction of the linearly polarized reflected light having the phase difference π (180 degrees) that has been removed from the quarter wavelength plate 14 is the incident polarization direction of the external light incident on the quarter wavelength plate 14 from the viewing side, that is, , It is rotated by π / 2 (90 degrees) with respect to the polarization direction of the linearly polarized light converted by the absorption polarizer 12.
As a result, when the reflected light is incident on the absorbing polarizer 12, the reflected light cannot pass through the absorbing polarizer 12.
Thus, the circularly polarizing plate including the absorbing polarizer 12 and the quarter-wave plate 14 functions as an optical isolator for external light, and can greatly suppress external light reflection.

なお、本発明に用いられる1/4波長板14は、入射する光の直交する偏光成分の間に位相差π/2(90度)を生じさせることができ、吸収型偏光子12との組み合わせにおいて上述した機能を発揮することができれば、特に制限的ではなく、いかなる1/4波長板であっても良い。   The quarter-wave plate 14 used in the present invention can generate a phase difference of π / 2 (90 degrees) between orthogonal polarization components of incident light, and is combined with the absorption polarizer 12. As long as the function described above can be exhibited, any quarter wave plate may be used.

(反射型偏光子)
本発明に用いられる反射型偏光子18について説明する。
反射型偏光子18は、バックライトからの入射光の一部を透過し、一部を反射することで光利用効率を上げるものであり、1/4波長板14および吸収型偏光子12より、バックライト20側に配置されるものである。反射型偏光子18は、MEMSシャッタデバイス16より視認側、即ち、1/4波長板14とMEMSシャッタデバイス16との間に配置されていても良いし、MEMSシャッタデバイス16よりバックライト20側、即ち、バックライト20とMEMSシャッタデバイス16との間に配置されていても良い。
本発明においては、反射型偏光子18は、バックライト20側、即ち、バックライト20とMEMSシャッタデバイス16との間に配置されているのが好ましい。
本発明に用いられる反射型偏光子18は、上述した機能を有するものであれば、特に制限はなく、どのような反射型偏光子であっても良く、1つの部材からなるものでも、複数の部材からなるものであっても良い。反射型偏光子18としては、例えば、コレステリック液晶層などからなる反射型円偏光板、多層積層ポリマーフィルムからなる反射型直線偏光板(たとえば、DBEF(Dual Brightness Enhancement Film))および1/4波長板の組み合わせ、並びにワイヤーグリッド型偏光子および1/4波長板の組み合わせ等を挙げることができる。
(Reflective polarizer)
The reflective polarizer 18 used in the present invention will be described.
The reflective polarizer 18 transmits a part of the incident light from the backlight and reflects a part thereof to increase the light utilization efficiency. From the quarter-wave plate 14 and the absorption polarizer 12, It is arranged on the backlight 20 side. The reflective polarizer 18 may be disposed on the viewing side from the MEMS shutter device 16, that is, between the quarter-wave plate 14 and the MEMS shutter device 16, or on the backlight 20 side from the MEMS shutter device 16. That is, it may be disposed between the backlight 20 and the MEMS shutter device 16.
In the present invention, the reflective polarizer 18 is preferably disposed on the backlight 20 side, that is, between the backlight 20 and the MEMS shutter device 16.
The reflective polarizer 18 used in the present invention is not particularly limited as long as it has the above-described function, and may be any reflective polarizer and may be composed of a single member. It may consist of members. Examples of the reflective polarizer 18 include a reflective circularly polarizing plate made of a cholesteric liquid crystal layer, a reflective linearly polarizing plate made of a multilayer laminated polymer film (for example, DBEF (Dual Brightness Enhancement Film)), and a quarter wavelength plate. And a combination of a wire grid polarizer and a quarter-wave plate.

反射型偏光子18は、バックライト20からの出射光を視認側に配置される1/4波長板14および吸収型偏光子12を透過することができる偏光(円偏光)の光にする機能を有するものである。即ち、反射型偏光子18は、自ら出射した円偏光の光が、1/4波長板14に入射し、1/4波長板14においてπ/2(90度)位相差が生じるように直線偏光の光に変換された時、この直線偏光の光の偏光方位が吸収型偏光子12によって変換される直線偏光の偏光方位に一致するように、自身に入射するバックライト20からの出射光を右または左の特定の回転方向、例えば右回転方向の円偏光の光に変換して出射するものである。   The reflective polarizer 18 has a function of converting light emitted from the backlight 20 into polarized light (circularly polarized light) that can be transmitted through the quarter-wave plate 14 and the absorption polarizer 12 arranged on the viewing side. It is what you have. In other words, the reflective polarizer 18 is linearly polarized so that the circularly polarized light itself emitted enters the quarter-wave plate 14 and a π / 2 (90 degree) phase difference is generated in the quarter-wave plate 14. When the light emitted from the backlight 20 incident on the right is converted so that the direction of polarization of the linearly polarized light coincides with the direction of polarization of the linearly polarized light converted by the absorption polarizer 12. Alternatively, the light is converted into circularly polarized light in a specific rotation direction on the left, for example, in the right rotation direction, and emitted.

反射型偏光子18は、また、自身を透過できなかった上記特定の回転方向と異なる回転方向、例えば左回転方向の円偏光の光を、上記特定の回転方向、例えば右回転方向の円偏光の光に変換して出射できるようにする機能を有するものであることが好ましい。
即ち、反射型偏光子18は、入射したバックライト20の出射光の半分、または約半分の光を、上記特定の回転方向の円偏光の光に変換して出射させると共に、バックライト20の出射光の残りの半分、または約半分を、上記特定の回転方向と逆の回転方向の円偏光の光に変換して反射させ、バックライト20の出射面と反射型偏光子18の入射面との間において反射を繰り返し行わせ、反射型偏光子18の入射面の反射においては、逆回転方向の円偏光の光に変換することを繰り返し行わせて、最終的には、上記特定の回転方向の円偏光の光に変換して出射させるものであることが好ましい。
このような反射型偏光子18による光リサイクルにより、バックライト20の出射光の利用効率をより高めることができ、表示画面をより高輝度にすることができる。
The reflective polarizer 18 also transmits circularly polarized light in a rotational direction different from the specific rotational direction that could not pass through it, such as left rotational direction, and circularly polarized light in the specific rotational direction, such as right rotational direction. It is preferable to have a function of converting into light so that it can be emitted.
In other words, the reflective polarizer 18 converts half or approximately half of the incident light emitted from the backlight 20 into circularly polarized light in the specific rotation direction and emits the light. The remaining half or about half of the incident light is converted into circularly polarized light having a rotation direction opposite to the specific rotation direction and reflected, and the light is emitted between the exit surface of the backlight 20 and the incident surface of the reflective polarizer 18. In the reflection of the incident surface of the reflective polarizer 18, the light is repeatedly converted into circularly polarized light in the reverse rotation direction. Finally, the reflection in the specific rotation direction is performed. It is preferable that the light is converted into circularly polarized light and emitted.
By such light recycling by the reflective polarizer 18, the utilization efficiency of the emitted light from the backlight 20 can be further increased, and the display screen can be made brighter.

以下に、これらの反射型偏光子を用いる実施形態について説明する。
(実施形態1)
図4(A)は、本発明の実施形態1に係る画像表示装置の一例を模式的に示す断面図であり、図4(B)は、図4(A)に示す画像表示装置のMEMSシャッタデバイスの反射板の開口部の形状を示す平面図である。
図4(A)に示すように、画像表示装置10aは、反射型偏光子18として、コレステリック液晶層からなる反射型円偏光板40を有する。また、図4(B)に示すように、画像表示装置10aのMEMSシャッタデバイス16の反射板28の開口部26の開口幅は一定である。
本発明においては、MEMSシャッタデバイス16の開口部26の開口幅は、1μm〜20μmであるのが好ましく、5μm〜15μmであるのがより好ましい。
Hereinafter, embodiments using these reflective polarizers will be described.
(Embodiment 1)
4A is a cross-sectional view schematically showing an example of the image display apparatus according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 4B is a MEMS shutter of the image display apparatus shown in FIG. It is a top view which shows the shape of the opening part of the reflecting plate of a device.
As shown in FIG. 4A, the image display device 10a includes a reflective circularly polarizing plate 40 made of a cholesteric liquid crystal layer as the reflective polarizer 18. As shown in FIG. 4B, the opening width of the opening 26 of the reflecting plate 28 of the MEMS shutter device 16 of the image display device 10a is constant.
In the present invention, the opening width of the opening 26 of the MEMS shutter device 16 is preferably 1 μm to 20 μm, and more preferably 5 μm to 15 μm.

ここで、図4(A)に示す画像表示装置10aは、図1に示す画像表示装置10の反射型偏光子18として、反射型円偏光板40を用いるもので、他の構成は、図示が省略されているMEMSシャッタデバイス16のMEMSシャッタ34も含めて同一の構成を有するものであるので、同一の構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
(反射型円偏光板)
コレステリック液晶層からなる反射型円偏光板40は、円偏光の光を出射する単層のコレステリック液晶層を有するものであっても良いが、2層以上のコレステリック液晶層を積層したものであっても良い。単層のコレステリック液晶層は、可視光域に対応するコレステリック液晶層であるのが好ましく、対応する可視光域はできるだけ広いのが好ましい。コレステリック液晶層を形成するための液晶化合物としては、適宜なものを用いてよく、特に限定はないが、重合性液晶化合物を用いることが好ましい。
Here, the image display device 10a shown in FIG. 4A uses a reflective circularly polarizing plate 40 as the reflective polarizer 18 of the image display device 10 shown in FIG. Since the MEMS shutter 34 of the omitted MEMS shutter device 16 has the same configuration, the same components are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
(Reflective type circularly polarizing plate)
The reflective circularly polarizing plate 40 composed of a cholesteric liquid crystal layer may have a single cholesteric liquid crystal layer that emits circularly polarized light, but is a laminate of two or more cholesteric liquid crystal layers. Also good. The single-layer cholesteric liquid crystal layer is preferably a cholesteric liquid crystal layer corresponding to the visible light region, and the corresponding visible light region is preferably as wide as possible. As the liquid crystal compound for forming the cholesteric liquid crystal layer, an appropriate one may be used, and there is no particular limitation, but a polymerizable liquid crystal compound is preferably used.

また、複層積層のコレステリック液晶層としては、RGBの各色光にそれぞれ対応する3つのコレステリック液晶層を積層した3層積層コレステリック液晶層を用いることができる。
このような3層積層コレステリック液晶層からなる反射型円偏光板40は、B(青色)光の波長帯域に対応する430〜480nmの波長帯域に反射中心波長を有し、半値幅が150nm以下である反射率のピークを有し、円偏光を出射するコレステリック液晶相を固定してなる第一の光反射層と、G(緑色)光の波長帯域に対応する500〜600nmの波長帯域に反射中心波長を有し、半値幅が150nm以下である反射率のピークを有し、円偏光を出射するコレステリック液晶相を固定してなる第二の光反射層と、R(赤色)光の波長帯域に対応する600〜650nmの波長帯域に反射中心波長を有し、半値幅が150nm以下である反射率のピークを有し、円偏光を出射するコレステリック液晶相を固定してなる第三の光反射層を積層してなる反射型円偏光板であることが好ましい。
As the multi-layered cholesteric liquid crystal layer, a three-layer stacked cholesteric liquid crystal layer in which three cholesteric liquid crystal layers corresponding to RGB color lights are stacked can be used.
The reflective circularly polarizing plate 40 composed of such a three-layer laminated cholesteric liquid crystal layer has a reflection center wavelength in a wavelength band of 430 to 480 nm corresponding to the wavelength band of B (blue) light, and has a half width of 150 nm or less. A first light reflection layer having a peak of reflectivity and fixing a cholesteric liquid crystal phase emitting circularly polarized light, and a reflection center in a wavelength band of 500 to 600 nm corresponding to a wavelength band of G (green) light A second light-reflecting layer having a wavelength, having a reflectance peak with a half-width of 150 nm or less, and fixing a cholesteric liquid crystal phase emitting circularly polarized light; and a wavelength band of R (red) light A third light reflection layer having a reflection center wavelength in a corresponding wavelength band of 600 to 650 nm, a peak of reflectance having a half width of 150 nm or less, and a fixed cholesteric liquid crystal phase emitting circularly polarized light The It is preferably formed by a layer reflection type circular polarizing plate.

3層積層コレステリック液晶層からなる反射型円偏光板40において、コレステリック液晶相を固定してなる光反射層は、右円偏光または左円偏光の少なくとも一方をその反射中心波長の近傍の波長帯域において反射することができる。また、第一の偏光状態(例えば、右円偏光)の光が反射型円偏光板40によって実質的に反射され、一方、第二の偏光状態(例えば、左円偏光)の光が実質的に反射型円偏光板40を透過し、反射型円偏光板40を透過した第二の偏光状態(例えば、左円偏光)の光は1/4波長板14によって直線偏光に変換され吸収型偏光子12を実質的に透過することができる。
ここで、反射型円偏光板40は、第一の光反射層、第二の光反射層、第三の光反射層を有することが好ましい。膜厚を薄くする観点から、反射型円偏光板40は、コレステリック液晶相を固定してなる層として第一の光反射層、第二の光反射層、第三の光反射層のみを有することが好ましく、すなわちその他のコレステリック液晶相を固定してなる層を有さないことが好ましい。
In the reflective circularly polarizing plate 40 composed of a three-layer laminated cholesteric liquid crystal layer, the light reflecting layer formed by fixing the cholesteric liquid crystal phase has at least one of right circularly polarized light and left circularly polarized light in a wavelength band near the reflection center wavelength. Can be reflected. Further, light in the first polarization state (for example, right circular polarization) is substantially reflected by the reflective circularly polarizing plate 40, while light in the second polarization state (for example, left circular polarization) is substantially reflected. Light in the second polarization state (for example, left circularly polarized light) that has passed through the reflective circularly polarizing plate 40 and has passed through the reflective circularly polarizing plate 40 is converted into linearly polarized light by the quarter-wave plate 14 and is an absorbing polarizer. 12 can be substantially transparent.
Here, the reflective circularly polarizing plate 40 preferably has a first light reflecting layer, a second light reflecting layer, and a third light reflecting layer. From the viewpoint of reducing the film thickness, the reflective circularly polarizing plate 40 has only the first light reflecting layer, the second light reflecting layer, and the third light reflecting layer as a layer formed by fixing the cholesteric liquid crystal phase. In other words, it is preferable not to have a layer formed by fixing other cholesteric liquid crystal phases.

第一の光反射層の反射中心波長は、430〜470nmの波長帯域にあることが好ましい。
第一の光反射層の反射率のピークの半値幅は120nm以下であることが好ましく、この反射率のピークの半値幅が110nm以下であることがより好ましく、この反射率のピークの半値幅が100nm以下であることが特に好ましい。
The reflection center wavelength of the first light reflection layer is preferably in the wavelength band of 430 to 470 nm.
The full width at half maximum of the reflectivity peak of the first light reflecting layer is preferably 120 nm or less, more preferably the full width at half maximum of this reflectivity peak is 110 nm or less, and the full width at half maximum of this reflectivity peak is The thickness is particularly preferably 100 nm or less.

第二の光反射層の反射中心波長は、520〜560nmの波長帯域にあることが好ましい。
第二の光反射層の反射率のピークの半値幅は120nm以下であることが好ましく、この反射率のピークの半値幅が110nm以下であることがより好ましく、この反射率のピークの半値幅が100nm以下であることが特に好ましい。
The reflection center wavelength of the second light reflection layer is preferably in the wavelength band of 520 to 560 nm.
The half width of the reflectance peak of the second light reflecting layer is preferably 120 nm or less, more preferably the half width of the reflectance peak is 110 nm or less, and the half width of the reflectance peak is The thickness is particularly preferably 100 nm or less.

第三の光反射層の反射中心波長は、610〜640nmの波長帯域にあることが好ましい。
第三の光反射層の反射率のピークの半値幅は120nm以下であることが好ましく、この反射率のピークの半値幅が110nm以下であることがより好ましく、この反射率のピークの半値幅が100nm以下であることが特に好ましい。
ピークを与える波長(すなわち反射中心波長)は、コレステリック液晶層のピッチまたは屈折率を変えることにより調整することができるが、ピッチを変えることはキラル剤の添加量を変えることによって容易に調整可能である。具体的には富士フイルム研究報告No.50(2005年)pp.60−63に詳細な記載がある。
The reflection center wavelength of the third light reflection layer is preferably in the wavelength band of 610 to 640 nm.
The full width at half maximum of the reflectivity peak of the third light reflecting layer is preferably 120 nm or less, more preferably the full width at half maximum of this reflectivity peak is 110 nm or less, and the full width at half maximum of this reflectivity peak is The thickness is particularly preferably 100 nm or less.
The wavelength that gives the peak (ie, the reflection center wavelength) can be adjusted by changing the pitch or refractive index of the cholesteric liquid crystal layer, but changing the pitch can be easily adjusted by changing the amount of chiral agent added. is there. Specifically, Fujifilm research report No. 50 (2005) pp. There is a detailed description in 60-63.

第一、第二、第三の光反射層の積層順について説明する。どの順番でも正面輝度を向上させることが出来る。しかし、斜め方位では第一、第二、第三の光反射層の影響で色づきが発生する。この理由は以下の2つである。1つ目の理由は、斜め方位において、光反射層の反射率のピーク波長は正面のピーク波長に対して短波側にシフトすることである。例えば、500〜600nmの波長帯域に反射中心波長を有する光反射層は、斜め方位では400〜500nmに波長帯域に中心波長がシフトする。もう1つの理由は、光反射層は反射しない波長領域においては負のCプレート(Rthでは正の位相差板)として作用するため、斜め方位ではリタデーションの影響で色づきが発生する。本発明者らは、本発明の構成においてこれらの色づきの理由を詳細に検討した結果、第一、第二、第三の光反射層の積層順によって、色づき抑止に最も好ましい配置順があることを見出した。すなわち、バックライトユニット(光源)側から見て、最も波長の小さい第一の光反射層を光源側に位置させ(Blue層:B)、次に最も波長の大きい第三の光反射層を位置させ(Red層:R)、次に中間の波長の第二の光反射層(Green層:G)を位置させるときに、最も好ましい。すなわち、バックライトユニット(光源)側から順に、BRG(第一の光反射層、第三の光反射層、第二の光反射層)の順となる。   The order of stacking the first, second, and third light reflecting layers will be described. Front brightness can be improved in any order. However, in the oblique orientation, coloring occurs due to the influence of the first, second, and third light reflecting layers. There are two reasons for this. The first reason is that the peak wavelength of the reflectance of the light reflecting layer shifts to the short wave side with respect to the front peak wavelength in the oblique direction. For example, a light reflection layer having a reflection center wavelength in the wavelength band of 500 to 600 nm shifts the center wavelength to the wavelength band from 400 to 500 nm in an oblique direction. Another reason is that the light reflecting layer acts as a negative C plate (positive retardation plate in Rth) in a wavelength region where the light reflecting layer does not reflect, so that coloring occurs due to retardation in an oblique direction. As a result of detailed examination of the reasons for these colorings in the configuration of the present invention, the present inventors have the most preferable arrangement order for suppressing coloring depending on the stacking order of the first, second, and third light reflecting layers. I found. That is, when viewed from the backlight unit (light source) side, the first light reflecting layer having the smallest wavelength is positioned on the light source side (Blue layer: B), and the third light reflecting layer having the next largest wavelength is positioned. (Red layer: R), and then the second light reflecting layer (Green layer: G) having an intermediate wavelength is most preferable. That is, in order from the backlight unit (light source) side, the order is BRG (first light reflecting layer, third light reflecting layer, second light reflecting layer).

第一、第二、第三の光反射層の積層順は、バックライトユニット側から順にBRG(第一の光反射層、第三の光反射層、第二の光反射層)、BGR(第一の光反射層、第二の光反射層、第三の光反射層)、GBR(第二の光反射層、第一の光反射層、第三の光反射層)、GRB(第二の光反射層、第三の光反射層、第一の光反射層)、RBG(第三の光反射層、第一の光反射層、第二の光反射層)またはRGB(第三の光反射層、第二の光反射層、第一の光反射層)という配置順のいずれかであり;
バックライトユニット側から順にBRG(第一の光反射層、第三の光反射層、第二の光反射層)、BGR(第一の光反射層、第二の光反射層、第三の光反射層)またはGBR(第二の光反射層、第一の光反射層、第三の光反射層)という配置順であることが好ましく;
バックライトユニット側から順にBRG(第一の光反射層、第三の光反射層、第二の光反射層)というという配置順であることがより好ましい。
The stacking order of the first, second, and third light reflecting layers is BRG (first light reflecting layer, third light reflecting layer, second light reflecting layer), BGR (first light reflecting layer) in order from the backlight unit side. One light reflecting layer, second light reflecting layer, third light reflecting layer), GBR (second light reflecting layer, first light reflecting layer, third light reflecting layer), GRB (second light reflecting layer) Light reflecting layer, third light reflecting layer, first light reflecting layer), RBG (third light reflecting layer, first light reflecting layer, second light reflecting layer) or RGB (third light reflecting layer) Layer, second light reflecting layer, first light reflecting layer);
BRG (first light reflecting layer, third light reflecting layer, second light reflecting layer), BGR (first light reflecting layer, second light reflecting layer, third light in order from the backlight unit side) The order of arrangement is preferably “reflective layer) or GBR (second light reflective layer, first light reflective layer, third light reflective layer);
More preferably, the arrangement order is BRG (first light reflecting layer, third light reflecting layer, second light reflecting layer) in order from the backlight unit side.

反射型円偏光板40に用いられるコレステリック液晶相を固定してなる光反射層の製造方法としては特に制限はないが、例えば、特開平1−133003号公報、特許3416302号、特許3363565号、特開平8−271731号公報に記載の方法を用いることができ、これらの公報の内容は本発明に組み込まれる。
以下、特開平8−271731号公報に記載の方法について説明する。
上記のコレステリック液晶層の重畳に際しては、同じ方向の円偏光を反射する組合せで用いることが好ましい。これにより各層で反射される円偏光の位相状態を揃えて各波長域で異なる偏光状態となることを防止でき、光の利用効率を高めることができる。
There is no particular limitation on the method for producing the light reflecting layer formed by fixing the cholesteric liquid crystal phase used in the reflective circularly polarizing plate 40. For example, JP-A-1-133003, JP-A-3416302, JP-A-3363565, The methods described in Kaihei 8-271731 can be used, and the contents of these publications are incorporated in the present invention.
The method described in JP-A-8-271731 will be described below.
In superimposing the cholesteric liquid crystal layers, it is preferable to use a combination that reflects circularly polarized light in the same direction. Thereby, it is possible to align the phase states of the circularly polarized light reflected by the respective layers and prevent different polarization states in the respective wavelength ranges, thereby increasing the light use efficiency.

(重合性液晶組成物)
上記の光反射層を形成するための重合性液晶組成物は、液晶化合物に加え、キラル剤、配向制御剤、重合開始剤、配向助剤などのその他の成分を含有していてもよい。
光反射層は、重合性液晶組成物を、λ/4板、他の光反射層、仮支持体、配向層などの他の層に塗布後、塗布膜を硬化して得ることができる。
(Polymerizable liquid crystal composition)
The polymerizable liquid crystal composition for forming the light reflection layer may contain other components such as a chiral agent, an alignment controller, a polymerization initiator, and an alignment aid in addition to the liquid crystal compound.
The light reflection layer can be obtained by applying the polymerizable liquid crystal composition to another layer such as a λ / 4 plate, another light reflection layer, a temporary support, or an alignment layer, and then curing the coating film.

(液晶化合物)
液晶化合物としては、棒状液晶化合物および円盤状液晶化合物が挙げられる。
棒状液晶化合物としては、アゾメチン類、アゾキシ類、シアノビフェニル類、シアノフェニルエステル類、安息香酸エステル類、シクロヘキサンカルボン酸フェニルエステル類、シアノフェニルシクロヘキサン類、シアノ置換フェニルピリミジン類、アルコキシ置換フェニルピリミジン類、フェニルジオキサン類、トラン類およびアルケニルシクロヘキシルベンゾニトリル類が好ましく用いられる。以上のような低分子液晶性分子だけではなく、高分子液晶性分子も用いることができる。
(Liquid crystal compound)
Examples of the liquid crystal compound include a rod-like liquid crystal compound and a disk-like liquid crystal compound.
Examples of the rod-like liquid crystal compound include azomethines, azoxys, cyanobiphenyls, cyanophenyl esters, benzoic acid esters, cyclohexanecarboxylic acid phenyl esters, cyanophenylcyclohexanes, cyano-substituted phenylpyrimidines, alkoxy-substituted phenylpyrimidines, Phenyldioxanes, tolanes and alkenylcyclohexylbenzonitriles are preferably used. In addition to the above low-molecular liquid crystalline molecules, high-molecular liquid crystalline molecules can also be used.

棒状液晶化合物を重合によって配向を固定することがより好ましく、重合性棒状液晶化合物としては、Makromol. Chem., 190巻、2255頁(1989年)、Advanced Materials 5巻、107頁(1993年)、米国特許4683327号公報、同5622648号公報、同5770107号公報、WO95/22586号公報、同95/24455号公報、同97/00600号公報、同98/23580号公報、同98/52905号公報、特開平1−272551号公報、同6−16616号公報、同7−110469号公報、同11−80081号公報、および特願2001−64627号公報などに記載の化合物を用いることができる。さらに棒状液晶化合物としては、例えば、特表平11−513019号公報や特開2007−279688号公報に記載のものも好ましく用いることができる。   It is more preferable to fix the orientation of the rod-like liquid crystal compound by polymerization, and examples of the polymerizable rod-like liquid crystal compound include those described in Makromol. Chem. 190, 2255 (1989), Advanced Materials 5, 107 (1993), US Pat. Nos. 4,683,327, 5,622,648 and 5,770,107, WO 95/22586, 95/24455. Publication No. 97/00600, No. 98/23580, No. 98/52905, JP-A-1-272551, No. 6-16616, No. 7-110469, No. 11-80081 The compounds described in the gazette and Japanese Patent Application No. 2001-64627 can be used. Further, as the rod-like liquid crystal compound, for example, those described in JP-T-11-513019 and JP-A-2007-279688 can be preferably used.

円盤状液晶化合物としては、例えば、特開2007−108732号公報や特開2010−244038号公報に記載のものを好ましく用いることができるが、これらに限定されない。   As the discotic liquid crystal compound, for example, those described in JP-A-2007-108732 and JP-A-2010-244038 can be preferably used, but are not limited thereto.

<広帯域光反射層の作製>
上記の光反射層の反射帯域を広げ、広帯域にする方法としては、高Δn液晶化合物の使用や、ピッチグラジエント法が挙げられる。
Δnは、液晶化合物の複屈折であり、たとえば棒状液晶化合物の場合、その化合物の短軸および長軸方向それぞれの屈折率の値の差である。
コレステリック液晶相を固定してなる光反射層に用いる液晶化合物は、0.06≦Δn≦0.5程度が実用的(特表2011−510915号公報に記載の高Δn液晶材料を使用できる)であり、半値幅で15nmから150nmに相当する。また、高Δn液晶化合物としては、特許3999400号公報、特許4053782号公報、特許4947676号公報等に記載の化合物が挙げられるが、本発明に対してはこれらに限定されない。Δnの測定方法は、特許4053782号公報の段落〔0112〕や、特許4947676号公報の段落〔0142〕等の方法を参照できる。
半値幅200nm以下を制御して作製する場合、単一のピッチではなく、コレステリックの螺旋方向でピッチ数が徐々に変化することで、広い半値幅を実現できるピッチグラジエント法を用いることができる。ピッチとは上記のコレステリック液晶相における螺旋構造のピッチ長Pであり、液晶化合物の分子層の配向方向が360度回転したときの分子層の厚さをいう。
<Preparation of broadband light reflection layer>
Examples of a method for widening the reflection band of the light reflection layer to make it a wide band include use of a high Δn liquid crystal compound and a pitch gradient method.
Δn is the birefringence of the liquid crystal compound. For example, in the case of a rod-like liquid crystal compound, it is the difference in refractive index between the minor axis and the major axis of the compound.
The liquid crystal compound used in the light reflecting layer formed by fixing the cholesteric liquid crystal phase is practically about 0.06 ≦ Δn ≦ 0.5 (the high Δn liquid crystal material described in JP 2011-510915 A can be used). Yes, corresponding to 15 to 150 nm in half width. Further, examples of the high Δn liquid crystal compound include compounds described in Japanese Patent No. 3999400, Japanese Patent No. 4053782, Japanese Patent No. 4947676, and the like, but are not limited thereto. The method of paragraph [0112] of Japanese Patent No. 40537882 and paragraph [0142] of Japanese Patent No. 4947676 can be referred to for the method of measuring Δn.
When manufacturing by controlling the half-value width of 200 nm or less, a pitch gradient method that can realize a wide half-value width can be used by gradually changing the number of pitches in the cholesteric spiral direction instead of a single pitch. The pitch is the pitch length P of the helical structure in the cholesteric liquid crystal phase, and means the thickness of the molecular layer when the orientation direction of the molecular layer of the liquid crystal compound is rotated 360 degrees.

半値幅拡大及び、ピッチグラジエントでの膜厚低減(薄手化)の観点で、Δnは、好ましくは0.16以上、より好ましくは0.2以上、更に好ましくは0.3以上、特に好ましくは現状、工業化されている液晶のΔn上限である0.5程度である。ただし、今後、さらなる高Δn液晶化合物が開発されれば、原理的に本発明に適用可能であり、より薄手化が可能である。
輝度性能の観点で、Δnが0.156である液晶化合物を用いる場合であって、ピッチグラジエント帯域400〜600nmを少なくとも有する場合は、広帯域ピッチグラジエント層の膜厚は6μm以上が好ましく、8μm以上がより好ましく、10μm以上が更に好ましくはである。Δnが0.3である液晶化合物を用いる場合であって、ピッチグラジエント帯域400〜600nmを少なくとも有する場合は、膜厚は2μm以上が好ましく、3μm以上がより好ましく、4μm以上が更に好ましく、5μm以上が特に好ましい。
From the viewpoints of half-width expansion and film thickness reduction (thinning) with a pitch gradient, Δn is preferably 0.16 or more, more preferably 0.2 or more, still more preferably 0.3 or more, and particularly preferably the present situation. The upper limit of Δn of the industrialized liquid crystal is about 0.5. However, if further high Δn liquid crystal compounds are developed in the future, they can be applied to the present invention in principle and can be made thinner.
In the case of using a liquid crystal compound having a Δn of 0.156 from the viewpoint of luminance performance, and having at least a pitch gradient band of 400 to 600 nm, the film thickness of the wideband pitch gradient layer is preferably 6 μm or more, and 8 μm or more. More preferably, 10 μm or more is even more preferable. In the case of using a liquid crystal compound having Δn of 0.3 and having at least a pitch gradient band of 400 to 600 nm, the film thickness is preferably 2 μm or more, more preferably 3 μm or more, further preferably 4 μm or more, and 5 μm or more. Is particularly preferred.

液晶のΔn分散について各波長での分散が少ないことが好ましいことが知られている。好ましくはΔn(450/550比)≦1.6、より好ましくは、Δn(450/550比)≦1.4、更に好ましくはΔn(450/550比)≦1.2以下、特に好ましくはΔn(450/550比)≦1.1である。   It is known that it is preferable that the Δn dispersion of the liquid crystal has a small dispersion at each wavelength. Preferably Δn (450/550 ratio) ≦ 1.6, more preferably Δn (450/550 ratio) ≦ 1.4, more preferably Δn (450/550 ratio) ≦ 1.2, particularly preferably Δn. (450/550 ratio) ≦ 1.1.

ピッチグラジエント法では、コレステリック液晶相の螺旋方向(通常膜厚方向)でピッチを徐々に変化させることで、広い半値幅を実現できる。ピッチグラジエント法を適用した光反射層においては、ピッチは、膜厚方向で連続的に変化していることが好ましい。また、ピッチグラジエント法を適用した光反射層においては、層の片面から他方の面に向かって、ピッチが連続的に増加しているか、または連続的に減少していることが好ましい。ピッチグラジエント法は、液晶層の厚さ方向で螺旋を形成しない化合物濃度を液晶層の厚さ方向で連続的に変化させる、またはキラル剤の濃度を液晶層の厚さ方向で連続的に変化させる、または、光異性化部分を有するキラル剤を用い、光反射層形成時に、キラル剤の光異性化部分をUV照射などで異性化させることで、キラル剤のHTP(ヘリカルツイスティングパワー)を変化させることにより達成される。この光異性化部分としては、ビニレン基や、アゾ基などが好ましい。
ピッチグラジエント法は(Nature 378、467−469 1995)や特許4990426号公報、特開2005−265896公報などの記載のものが適用できる。また、特許4570377号に記載の、螺旋を形成せずフッ化アルキル基を有する化合物を利用することもできる。
以上のような積層タイプのコレステリック液晶層からなる反射型円偏光板40としては、本出願人の出願に係るPCT/JP2015/053904号明細書に記載されたものも用いることができる。
In the pitch gradient method, a wide half-value width can be realized by gradually changing the pitch in the spiral direction (normal film thickness direction) of the cholesteric liquid crystal phase. In the light reflection layer to which the pitch gradient method is applied, it is preferable that the pitch continuously changes in the film thickness direction. Moreover, in the light reflection layer to which the pitch gradient method is applied, it is preferable that the pitch continuously increases or decreases continuously from one surface of the layer to the other surface. In the pitch gradient method, the concentration of a compound that does not form a spiral in the thickness direction of the liquid crystal layer is continuously changed in the thickness direction of the liquid crystal layer, or the concentration of the chiral agent is continuously changed in the thickness direction of the liquid crystal layer. Alternatively, use a chiral agent with a photoisomerization moiety, and change the HTP (helical twisting power) of the chiral agent by isomerizing the photoisomerization part of the chiral agent with UV irradiation etc. when forming the light reflection layer. To achieve this. As this photoisomerization moiety, a vinylene group, an azo group, or the like is preferable.
As the pitch gradient method, those described in (Nature 378, 467-469 1995), Japanese Patent No. 4990426, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-265896, and the like can be applied. Moreover, the compound which does not form a helix and has a fluorinated alkyl group as described in Japanese Patent No. 4570377 can also be used.
As the reflection-type circularly polarizing plate 40 composed of the laminated type cholesteric liquid crystal layer as described above, the one described in the specification of PCT / JP2015 / 053904 according to the applicant's application can also be used.

(実施形態2)
図5は、本発明の実施形態2に係る画像表示装置の一例を模式的に示す断面図である。
図5に示す実施形態2の画像表示装置10bは、図1に示す画像表示装置10の反射型偏光子18として、1/4波長板42と直線偏光型の多層積層ポリマーフィルム(DBEF)44との組み合わせからなる反射型偏光子を用いるもので、他の構成は、図示が省略されているMEMSシャッタデバイス16のMEMSシャッタ34および反射板28の開口部26の開口幅も含めて同一であるので、その説明を省略する。
反射型偏光子18の1/4波長板42は、1/4波長板12と基本的に同様の構造および機能を有するものである。
(Embodiment 2)
FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing an example of an image display apparatus according to Embodiment 2 of the present invention.
An image display device 10b according to the second embodiment illustrated in FIG. 5 includes a quarter-wave plate 42 and a linearly polarized multilayer multilayer polymer film (DBEF) 44 as the reflective polarizer 18 of the image display device 10 illustrated in FIG. The other configuration is the same including the opening width of the opening portion 26 of the MEMS shutter device 16 and the reflecting plate 28 of the MEMS shutter device 16 (not shown). The description is omitted.
The quarter-wave plate 42 of the reflective polarizer 18 has basically the same structure and function as the quarter-wave plate 12.

多層積層ポリマーフィルム44は、その表面に入射する入射光の一部を反射させて偏光させると共に、入射光の残りは、透過させる複屈折干渉偏光子からなるものである。この複屈折干渉偏光子は、第1平面に垂直な第2平面内の第1および第2の高分子物質間の屈折率不整合とは異なる第1平面内の第1および第2の高分子物質間の屈折率不整合を生成させるために十分に相違するそれぞれ0でない応力光学係数を有する第1および第2の高分子物質の多重交互配向層を含むものである。このような複屈折干渉偏光子は、特開平4−268505号公報に開示されたものを用いることができる。   The multilayer laminated polymer film 44 is made of a birefringent interference polarizer that reflects and polarizes a part of incident light incident on the surface thereof and transmits the remainder of the incident light. The birefringent interference polarizer includes first and second polymers in a first plane different from the refractive index mismatch between the first and second polymer materials in a second plane perpendicular to the first plane. It includes multiple alternating orientation layers of first and second polymeric materials each having a non-zero stress optical coefficient that are sufficiently different to produce a refractive index mismatch between the materials. As such a birefringence interference polarizer, the one disclosed in JP-A-4-268505 can be used.

ここで、バックライト20からの出射光は、多層積層ポリマーフィルム44に入射して、半分または約半分の光が直線偏光(P偏光:P波)の光に変換されて透過し、残りの半分または約半分の光は異なる直線偏光(S偏光:S波)の光となって反射される。多層積層ポリマーフィルム44の入射面で反射されたS偏光の光は、バックライト20の出射表面で反射されて再び多層積層ポリマーフィルム44に入射し、多層積層ポリマーフィルム44の入射面でP波となって再び反射される。この反射されたP偏光の光は、再度バックライト20の出射表面で反射されて再び多層積層ポリマーフィルム44に入射して、多層積層ポリマーフィルム44を透過する。このように、多層積層ポリマーフィルム44は、反射した直線偏光の光の反射を繰り返してリサイクルし、最終的に透過させて、光の利用効率を向上させ、表示輝度を高くすることができる。
一方、多層積層ポリマーフィルム44を透過したP偏光の光は、1/4波長板42に入射し、1/4波長板14および吸収型偏光子12を透過できる円偏光の光に変換された後、1/4波長板14に入射し、吸収型偏光子12の偏光方位に一致する偏光方位を持つ直線偏光に戻されて、吸収型偏光子12に入射し、吸収型偏光子12を透過する。
こうして、多層積層ポリマーフィルム44と1/4波長板42の組み合わせからなる反射型偏光子18は、1/4波長板14および吸収型偏光子12の組み合わせによる外交の低反射を阻害することなく維持したまま、広い角度範囲で高い輝度を得ることができる。
Here, the light emitted from the backlight 20 enters the multilayer laminated polymer film 44, and half or approximately half of the light is converted into linearly polarized light (P-polarized light: P-wave) and transmitted, and the remaining half. Alternatively, about half of the light is reflected as different linearly polarized light (S-polarized light: S-wave). The S-polarized light reflected by the incident surface of the multilayer laminated polymer film 44 is reflected by the exit surface of the backlight 20 and enters the multilayer laminated polymer film 44 again. It is reflected again. The reflected P-polarized light is reflected again from the emission surface of the backlight 20, enters the multilayer laminated polymer film 44 again, and passes through the multilayer laminated polymer film 44. As described above, the multilayer laminated polymer film 44 can be repeatedly recycled by reflecting the reflected linearly polarized light and finally transmitted to improve the light utilization efficiency and increase the display luminance.
On the other hand, the P-polarized light transmitted through the multilayer laminated polymer film 44 enters the quarter-wave plate 42 and is converted into circularly-polarized light that can be transmitted through the quarter-wave plate 14 and the absorption polarizer 12. , Is incident on the quarter-wave plate 14, is converted back to linearly polarized light having a polarization orientation that matches the polarization orientation of the absorption polarizer 12, enters the absorption polarizer 12, and passes through the absorption polarizer 12. .
Thus, the reflective polarizer 18 comprising the combination of the multilayer laminated polymer film 44 and the quarter wavelength plate 42 is maintained without impeding the low diplomatic reflection due to the combination of the quarter wavelength plate 14 and the absorbing polarizer 12. Thus, high luminance can be obtained in a wide angle range.

なお、本実施形態2の画像表示装置10bにおいては、反射型偏光子18の多層積層ポリマーフィルム44の代わりに、同じく直線偏光型のワイヤーグリッド型偏光子を用いても良い。
ワイヤーグリッド型偏光子は、ワイヤーの配列周期が波長より短い場合、ワイヤーグリッドに平行するように偏光された光(例えば、S偏光;S波)を反射させ、直交するように偏光された光(例えば、S偏光;電磁波)を透過させることができる。
このようなワイヤーグリッド型偏光子としては、特開2001−330728号公報および特開2006−84776号公報等に開示されたワイヤーグリッド型偏光子を用いることができる。
In the image display device 10b of the second embodiment, a linearly polarized wire grid polarizer may be used instead of the multilayer laminated polymer film 44 of the reflective polarizer 18.
When the arrangement period of the wires is shorter than the wavelength, the wire grid polarizer reflects light polarized so as to be parallel to the wire grid (for example, S-polarized light; S-wave), and is polarized so as to be orthogonal ( For example, S polarized light (electromagnetic wave) can be transmitted.
As such a wire grid type polarizer, the wire grid type polarizer disclosed in JP 2001-330728 A and JP 2006-84776 A can be used.

例えば、特定の波長範囲にある光を透過させない基板と、基板の表裏両面に設けられたフォトレジスト層とを有し、フォトレジスト層には、基板の表裏両面で互いに平行の関係となるように複数の凹凸による平行線パターンが形成されており、基板の表裏両面に形成された凹凸による平行線パターンの凸部頂上およびその近傍にのみアルミニウムなどの金属を蒸着して、基板の表裏両面にワイヤーグリットが形成されているワイヤーグリット型偏光子を挙げることができる。
このようなワイヤーグリット型偏光子は、複数の平行基板を透過しない波長範囲にある光を用いて、光の干渉よって複数の平行線パターンを基板の一方の面に露光させた後、さらに一方の面に設けられた平行線パターンと平行となるように他方の面に光の干渉よって複数の平行線パターンを露光させて現像し、基板の表裏両面に複数の凹凸による平行線パターンを形成させ、基板の表裏両面に形成された凹凸による平行線パターンの凸部頂上及びその近傍にのみ金属を蒸着させてワイヤーグリットを形成することにより製造することができる。
For example, it has a substrate that does not transmit light in a specific wavelength range and a photoresist layer provided on both the front and back sides of the substrate, and the photoresist layer has a parallel relationship with each other on both the front and back sides of the substrate. A parallel line pattern is formed by multiple irregularities, and a metal such as aluminum is vapor-deposited only on and near the tops of the convex portions of the parallel line pattern formed on the front and back surfaces of the substrate, and the wires are formed on both surfaces of the substrate. The wire grit type | mold polarizer in which the grit is formed can be mentioned.
Such a wire grid polarizer uses light in a wavelength range that does not transmit through a plurality of parallel substrates, and after exposing a plurality of parallel line patterns on one surface of the substrate by light interference, A plurality of parallel line patterns are exposed and developed by light interference on the other surface so as to be parallel to the parallel line pattern provided on the surface, and a parallel line pattern with a plurality of irregularities is formed on both front and back surfaces of the substrate, It can be manufactured by forming a wire grit by depositing a metal only on and near the top of the convex portion of the parallel line pattern formed by the unevenness formed on both the front and back surfaces of the substrate.

また、基板と、基板上に、シリコン(Si)、SiO2、クォーツガラス、ニッケル(Ni)、プラチナ(Pt)、クロム(Cr)、高分子物質等の材質の型により形成されて金属格子の周期が120nm以下である金属格子パターンが含まれるワイヤーグリッド型偏光子をあげることできる。
このようなワイヤーグリット型偏光子は、まず、型を製作し、基板上に金属薄膜とポリマーを所定の順序で形成し、次に、型を利用してポリマーを成形して、成形されたポリマーを利用して金属薄膜をエッチングして金属格子パターンを形成した後、ポリマーを除去してワイヤーグリッド型偏光子を製造することができる。
In addition, the periodicity of the metal lattice formed on the substrate and on the substrate is made of a material type such as silicon (Si), SiO2, quartz glass, nickel (Ni), platinum (Pt), chromium (Cr), or a polymer material. A wire grid type polarizer including a metal lattice pattern having a thickness of 120 nm or less can be given.
In such a wire grid polarizer, first, a mold is manufactured, a metal thin film and a polymer are formed on a substrate in a predetermined order, and then the polymer is molded using the mold, and the molded polymer is formed. After forming the metal lattice pattern by etching the metal thin film using the polymer, the polymer can be removed to manufacture a wire grid polarizer.

(実施形態3)
図6(A)は、本発明の実施形態3に係る画像表示装置の一例を模式的に示す断面図であり、図6(B)は、図6(A)に示す画像表示装置のMEMSシャッタデバイスの反射板の開口部の形状を示す平面図である。
図6(A)および(B)に示すように、画像表示装置10cは、図4(A)および(B)に示す画像表示装置10aと、図6(B)に示すMEMSシャッタデバイス16の反射板48の開口部46の形状が、図4(B)に示す反射板28の開口部26と異なる以外は、同一の構成を有するものであるので、同一の構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
(Embodiment 3)
6A is a cross-sectional view schematically showing an example of an image display device according to Embodiment 3 of the present invention, and FIG. 6B is a MEMS shutter of the image display device shown in FIG. 6A. It is a top view which shows the shape of the opening part of the reflecting plate of a device.
As shown in FIGS. 6A and 6B, the image display device 10c includes the image display device 10a shown in FIGS. 4A and 4B and the reflection of the MEMS shutter device 16 shown in FIG. 6B. Since the shape of the opening 46 of the plate 48 is the same as that of the opening 26 of the reflecting plate 28 shown in FIG. 4B, it has the same configuration. The description is omitted.

図6(B)に示すように、画像表示装置10aのMEMSシャッタデバイス16の反射板48の開口部46の開口幅は一定ではなく、開口部46の長手方向に沿って一方向に連続的に狭くなるように変化している。
図示例では、反射板48の開口部46の開口形状を台形にして、開口部46の開口幅を、両側とも長手方向に沿って一方向に連続的に狭くなるように変化させているが、片側のみ変化するものであっても良いし、少なくとも一方が、段階的に変化するものであっても良いし、曲線的に変化するものであっても良いし、狭くなったり広くなったりしても良いし、全くランダムに変化するものであっても良いが、連続的に変化するのが好ましい。
As shown in FIG. 6B, the opening width of the opening 46 of the reflector 48 of the MEMS shutter device 16 of the image display device 10a is not constant, but continuously in one direction along the longitudinal direction of the opening 46. It is changing to become narrower.
In the illustrated example, the opening shape of the opening 46 of the reflecting plate 48 is trapezoidal, and the opening width of the opening 46 is changed so that both sides continuously narrow in one direction along the longitudinal direction. It may change only on one side, or at least one of them may change in stages, change in a curve, narrow or wide Or may change at random, but it is preferable to change continuously.

本発明においては、反射板48の開口部46の開口幅は、1μm〜20μmであるのが好ましく、2μm〜15μmであるのがより好ましい。
また、開口部46の開口幅の最大幅と最小幅の差は、可視光領域の波長幅に応じて設定するのが好ましく、1μm〜10μmであるのが好ましく、1μm〜5μmであるのがより好ましい。
本発明においては、反射板48の開口部46の開口幅を一定ではなく、変化させることにより、開口部46の開口幅による回折角の波長依存性が緩和され、虹ムラ等の色ムラを抑えることができる。
In the present invention, the opening width of the opening 46 of the reflecting plate 48 is preferably 1 μm to 20 μm, and more preferably 2 μm to 15 μm.
Further, the difference between the maximum width and the minimum width of the opening width of the opening 46 is preferably set according to the wavelength width of the visible light region, preferably 1 μm to 10 μm, and more preferably 1 μm to 5 μm. preferable.
In the present invention, by changing the opening width of the opening 46 of the reflecting plate 48 instead of being constant, the wavelength dependence of the diffraction angle due to the opening width of the opening 46 is alleviated and color unevenness such as rainbow unevenness is suppressed. be able to.

(実施形態4)
図7は、本発明の実施形態3に係る画像表示装置の一例を模式的に示す断面図である。
図7に示すように、画像表示装置10dは、図4(A)に示す画像表示装置10aと、1/4波長板14とMEMSシャッタデバイス16との間に、拡散フィルム50が配置されている以外は、同一の構成を有するものであるので、同一の構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
拡散フィルム50は、反射型円偏光板40(18)及びMEMSシャッタデバイス16より視認側であって、1/4波長板14よりはバックライト20側に配置される必要がある。例えば、反射型円偏光板40が、MEMSシャッタデバイス16より視認側に配置されている場合には、反射型円偏光板40と1/4波長板14との間に配置される必要がある。
(Embodiment 4)
FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing an example of an image display apparatus according to Embodiment 3 of the present invention.
As shown in FIG. 7, in the image display device 10d, the diffusion film 50 is disposed between the image display device 10a shown in FIG. 4A, the quarter-wave plate 14 and the MEMS shutter device 16. Other than the above, since they have the same configuration, the same components are given the same numbers, and the description thereof is omitted.
The diffusion film 50 needs to be arranged on the viewing side from the reflective circularly polarizing plate 40 (18) and the MEMS shutter device 16 and on the backlight 20 side from the quarter-wave plate 14. For example, when the reflective circularly polarizing plate 40 is disposed on the viewing side from the MEMS shutter device 16, it is necessary to be disposed between the reflective circularly polarizing plate 40 and the quarter wavelength plate 14.

拡散フィルム50は、開口部46の開口幅に起因する虹ムラなどの色ムラを緩和できれば、特に制限的ではなく、どのようなものであっても良いが、反射型円偏光板40による円偏光を解消しないものが好ましい。
例えば、偏光解消度の度合いとフィルムの濁度とは、関連があると言えるので、拡散フィルムの50の偏光解消度の度合いを、フィルムの濁度を表わすヘイズ値に換算した場合、拡散フィルムの50のヘイズ値は、30%〜95%であるのが好ましい。
なお、厳密には、拡散フィルムの50の偏光解消度とヘイズ値で表すのがよい。この場合、拡散フィルムの50の偏光解消度は、好ましくは0.4以下、さらに好ましくは0.2以下である。
また、偏光解消度は、Depolarization Indexとも呼ばれ、Axometrics社のAxoscanで測定することができる。
本発明の画像表示装置は、基本的に以上のように構成される。
The diffusion film 50 is not particularly limited as long as color unevenness such as rainbow unevenness due to the opening width of the opening 46 can be alleviated. Those that do not solve the problem are preferred.
For example, since it can be said that the degree of depolarization and the turbidity of the film are related, when the degree of depolarization of 50 of the diffusion film is converted into a haze value representing the turbidity of the film, The haze value of 50 is preferably 30% to 95%.
Strictly speaking, the depolarization degree and the haze value of 50 of the diffusion film are good. In this case, the degree of depolarization 50 of the diffusion film is preferably 0.4 or less, more preferably 0.2 or less.
The degree of depolarization is also called Depolarization Index, and can be measured with Axoscan from Axometrics.
The image display device of the present invention is basically configured as described above.

本発明の画像表示装置を実施例に基づいて具体的に説明する。
(実施例1)
実施例1として、図4(A)及び(B)に示す実施形態1の構成の画像表示装置10aを作製するに先立ち、画像表示装置10aの各構成要素を以下のように作製した。
The image display apparatus of the present invention will be specifically described based on examples.
Example 1
As Example 1, prior to manufacturing the image display device 10a having the configuration of Embodiment 1 shown in FIGS. 4A and 4B, each component of the image display device 10a was manufactured as follows.

(MEMSシャッタデバイス16の作製)
先ず、特開2012−208200号公報の実施例に記載の方法に従い、実施例1で得られた感光性樹脂組成物を犠牲層として用い、特表2008−533510号公報に記載の方法によりMEMSシャッタデバイス16を作製した。開口部26の幅は15μmになるように作成した。
(バックライト20の準備)
市販の液晶テレビ(東芝製 REGZA(登録商標) 50Z9X)を分解し、バックライトユニットを取り出し、光出射側に向かって、反射板、光源、拡散板の順に配置されるように組み立てた後、バックライト20とした。
(Production of MEMS shutter device 16)
First, in accordance with the method described in Examples of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-208200, the photosensitive resin composition obtained in Example 1 was used as a sacrificial layer, and the MEMS shutter was manufactured by the method described in Japanese Translation of PCT International Publication No. 2008-533510. Device 16 was fabricated. The width of the opening 26 was made to be 15 μm.
(Preparation of backlight 20)
After disassembling a commercially available liquid crystal television (REGZA (registered trademark) 50Z9X manufactured by Toshiba), taking out the backlight unit and assembling it in the order of the reflector, light source, and diffuser toward the light output side, Light 20 was used.

(吸収型偏光子12の準備)
次に、特開2006−293275号公報の[0219]〜[0220]と同様にして、吸収型偏光子12を製造した。
(λ/4板14の準備)
特開2003−262727号公報の[0020]〜[0033]と同様にして、広帯域λ/4板14を準備した。広帯域λ/4板14は、基材の上に2層の液晶性材料を塗布、重合後に、基材から剥離して得られた。
得られた広帯域λ/4板14のRe(450)は110nm、Re(550)は135nm、Re(630)は140nm、膜厚は1.6μmであった。
得られた広帯域λ/4板14と、上記にて製造した吸収型偏光子12を、屈折率1.47のアクリル系接着剤を用いて貼り合わせた。
(Preparation of absorption polarizer 12)
Next, the absorptive polarizer 12 was manufactured in the same manner as [0219] to [0220] of JP-A-2006-293275.
(Preparation of λ / 4 plate 14)
A broadband λ / 4 plate 14 was prepared in the same manner as [0020] to [0033] of JP-A-2003-262727. The broadband λ / 4 plate 14 was obtained by applying two layers of liquid crystal material on a base material and peeling it from the base material after polymerization.
The obtained broadband λ / 4 plate 14 had Re (450) of 110 nm, Re (550) of 135 nm, Re (630) of 140 nm, and a film thickness of 1.6 μm.
The obtained broadband λ / 4 plate 14 and the absorptive polarizer 12 produced above were bonded together using an acrylic adhesive having a refractive index of 1.47.

(単層コレステリック液晶層からなる反射型円偏光板40(18)の準備)
まず、特許4570377号公報[0065]に記載の手順で光学活性部位を有する末端フッ化アルキル基含有重合体(化合物A)を得た。具体的には、以下のように化合物Aを得た。
コンデンサー、温度計、攪拌機及び滴下ロートを備えた四つ口フラスコに、フッ素系溶媒AK−225(旭硝子社製、1,1,1,2,2‐ペンタフルオロ‐3,3‐ジクロロプロパン:1,1,2,2,3‐ペンタフルオロ‐1,3‐ジクロロプロパン=1:1.35(モル比)の混合溶媒))50質量部、下記構造の光学活性を有する反応性キラル剤(化合物7、式中*は光学活性部位を示す)5.22質量部を仕込み、反応容器を45℃に調温し、次いで過酸化ジペルフルオロ−2−メチル−3−オキサヘキサノイル/AK225の10質量%溶液6.58質量部を5分かけて滴下した。滴下終了後、45℃、5時間、窒素気流中で反応させ、その後生成物を5mlに濃縮し、ヘキサンで再沈澱を行い、乾燥することにより光学活性部位を有する末端フッ化アルキル基含有重合体(化合物A)3.5質量部(収率60%)を得た。
得られた重合体の分子量をGPCを用いTHF(テトラヒドロフラン)を展開溶媒として測定したところ、Mn=4,000(Mw/Mn=1.77)であり、フッ素含有量を測定したところフッ素含有量は5.89質量%であった。
(Preparation of reflective circularly polarizing plate 40 (18) comprising a single layer cholesteric liquid crystal layer)
First, a terminal fluorinated alkyl group-containing polymer (compound A) having an optically active site was obtained by the procedure described in Japanese Patent No. 4570377 [0065]. Specifically, Compound A was obtained as follows.
To a four-necked flask equipped with a condenser, a thermometer, a stirrer, and a dropping funnel, a fluorinated solvent AK-225 (Asahi Glass Co., Ltd., 1,1,1,2,2-pentafluoro-3,3-dichloropropane: 1 , 1,2,2,3-pentafluoro-1,3-dichloropropane = 1: 1.35 (molar ratio) mixed solvent)) 50 parts by mass, a reactive chiral agent (compound) having optical activity of the following structure 7. In the formula, * indicates an optically active site) 5.22 parts by mass are charged, the reaction vessel is heated to 45 ° C., and then 10 mass of diperfluoro-2-methyl-3-oxahexanoyl peroxide / AK225 6.58 parts by mass of a% solution was added dropwise over 5 minutes. After completion of dropping, the reaction is carried out in a nitrogen stream at 45 ° C. for 5 hours, and then the product is concentrated to 5 ml, reprecipitated with hexane, and dried to contain a terminal fluorinated alkyl group-containing polymer. (Compound A) 3.5 parts by mass (yield 60%) was obtained.
When the molecular weight of the obtained polymer was measured using GPC and THF (tetrahydrofuran) as a developing solvent, Mn = 4,000 (Mw / Mn = 1.77), and the fluorine content was measured to determine the fluorine content. Was 5.89% by mass.

<コレステリック液晶層(A)形成のための組成物>
化合物8 8.2質量部
化合物9 0.3質量部
先に作製した光学活性部位を有する末端フッ化アルキル基含有重合体(化合物A)
1.9質量部
メチルエチルケトン 24.0質量部
<Composition for forming cholesteric liquid crystal layer (A)>
Compound 8 8.2 parts by mass of Compound 9 0.3 parts by mass of a terminal fluorinated alkyl group-containing polymer having an optically active site prepared earlier (Compound A)
1.9 parts by mass Methyl ethyl ketone 24.0 parts by mass

化合物7
Compound 7

このコレステリック液晶層(A)の断面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、層法線方向に螺旋軸を有し、コレステリックピッチが連続的に変化した構造を有していた。ここで、コレステリックピッチについて、コレステリック液晶層の断面を走査型電子顕微鏡で観察した際に、明部と暗部の繰り返し二回分(明暗明暗)の層法線方向の幅を1ピッチとカウントする。
コレステリックピッチが小さい面側をx面、大きい面側をy面と定義すると、計測されたコレステリックのピッチから計算した結果は、x面側付近のコレステリックの反射波長が410nm、y面側近傍のコレステリックの反射波長が700nmであった。
When the cross section of the cholesteric liquid crystal layer (A) was observed with a scanning electron microscope, it had a structure having a helical axis in the normal direction of the layer and a continuously changing cholesteric pitch. Here, regarding the cholesteric pitch, when the cross section of the cholesteric liquid crystal layer is observed with a scanning electron microscope, the width in the layer normal direction of the light portion and the dark portion repeated twice (brightness, darkness, and darkness) is counted as one pitch.
If the surface side with a small cholesteric pitch is defined as the x plane and the surface with the large surface is defined as the y plane, the result calculated from the measured cholesteric pitch is that the cholesteric reflection wavelength near the x plane is 410 nm, and the cholesteric near the y plane is The reflection wavelength of was 700 nm.

(MEMSディスプレイの作製)
こうして準備されたバックライト20、単層コレステリック液晶層からなる反射型円偏光板40(18)、MEMSシャッタデバイス16、λ/4波長板14、および吸収型偏光子12をこの順に組み立て、実施例1のMEMSディスプレイとして図4(A)および(B)に示す構成の画像表示装置10aを作製した。作製された画像表示装置10aの構成を表1に示す。
(Production of MEMS display)
The backlight 20 thus prepared, the reflective circularly polarizing plate 40 (18) composed of a single-layer cholesteric liquid crystal layer, the MEMS shutter device 16, the λ / 4 wavelength plate 14, and the absorptive polarizer 12 are assembled in this order. An image display device 10a having the configuration shown in FIGS. 4A and 4B was manufactured as one MEMS display. Table 1 shows the configuration of the manufactured image display device 10a.

こうして作製された実施例1の画像表示装置10aの評価を以下の3項目について行った。その結果を表1に示す。
(外光反射)
外光反射を評価する特性として、特開2010−8475の〔0040〕に記載の方法を参考に、3人の研究員が明所での文字視認性(900ルクス環境下)を官能評価した。3人の研究員の評価が一致しなかった場合には多数決とした。
A:外光反射による文字のぼやけがなく視認性に問題がない。
B:文字ボケは気にならないレベル(許容)。
C:外光反射によって文字がぼやけてしまい視認性に問題があるレベル。
Evaluation of the image display device 10a of Example 1 manufactured in this way was performed for the following three items. The results are shown in Table 1.
(External light reflection)
As a characteristic for evaluating external light reflection, three researchers conducted a sensory evaluation of character visibility in a light place (under 900 lux environment) with reference to the method described in JP-A-2010-8475 [0040]. If the evaluations of the three researchers did not agree, a majority decision was made.
A: There is no blur of characters due to external light reflection, and there is no problem in visibility.
B: Character blurring level (acceptable).
C: A level in which characters are blurred due to external light reflection and there is a problem in visibility.

(正面輝度)
輝度計(TOPCON社製SR3)を用いて白表示時の正面輝度を測定した。比較例の輝度を100%としたときの相対輝度を評価指標とした。
A:95%以上:優れる
B:90%以上95%未満:やや劣る(許容)
C:90%未満::劣る
(虹ムラ)
白表示時に視角を振ったときに認められる虹の様に見えるムラ(虹ムラ)を3人の研究員が目視評価した。3人の研究員の評価が一致しなかった場合には多数決とした。
A:虹ムラは観察されない。
B:虹ムラはやや観察されるが気にならないレベル(許容)。
C:虹ムラが目立ち問題になるレベル。
(Front brightness)
The front luminance during white display was measured using a luminance meter (SR3 manufactured by TOPCON). The relative luminance when the luminance of the comparative example was 100% was used as an evaluation index.
A: 95% or more: Excellent B: 90% or more and less than 95%: Slightly inferior (allowable)
C: Less than 90% :: Inferior (rainbow unevenness)
Three researchers visually evaluated the rainbow-like unevenness (rainbow unevenness) observed when the viewing angle was swung during white display. If the evaluations of the three researchers did not agree, a majority decision was made.
A: Rainbow unevenness is not observed.
B: A level at which rainbow unevenness is slightly observed but not worrisome (acceptable).
C: Level at which rainbow unevenness becomes a conspicuous problem.

(比較例1)
比較例1として、実施例1の画像表示装置10aの作製の際に準備されたバックライト20、およびMEMSシャッタデバイス16を組み立て、図8に示す構成の画像表示装置60を作製した。その構成を表1に示す。
比較例1の画像表示装置60を実施例1と同様に上記3項目について評価した。その結果を表1に示す。
(Comparative Example 1)
As Comparative Example 1, the backlight 20 and the MEMS shutter device 16 prepared when the image display device 10a of Example 1 was manufactured were assembled, and the image display device 60 having the configuration shown in FIG. 8 was manufactured. The configuration is shown in Table 1.
The image display device 60 of Comparative Example 1 was evaluated for the above three items in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

(実施例2)
実施例2として、図4(A)に示す実施形態1の構成の画像表示装置10aの反射型円偏光板40(18)として、実施例1の単層コレステリック液晶層の代わりに複層積層コレステリック液晶層を持つ光学シートを準備して用いた。
(複層積層コレステリック液晶層からなる光学シートの準備)
(Example 2)
As Example 2, as a reflective circularly polarizing plate 40 (18) of the image display device 10a having the configuration of Embodiment 1 shown in FIG. 4A, a multilayer laminated cholesteric instead of the single-layer cholesteric liquid crystal layer of Example 1 is used. An optical sheet having a liquid crystal layer was prepared and used.
(Preparation of optical sheet consisting of multilayer cholesteric liquid crystal layer)

<支持体の作製(セルロースアシレートドープの作製)>
下記組成物をミキシングタンクに投入し攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液を調製してセルロースアシレートドープを調液した。
――――――――――――――――――――――――――――――――
セルロースアセテート溶液組成
――――――――――――――――――――――――――――――――
セルロースアセテート(置換度2.88) 100質量部
P−1 12質量部
紫外線吸収剤(UV−1) 1.8質量部
紫外線吸収剤(UV−2) 0.8質量部
L−1 3質量部
メチレンクロライド 501.1質量部
メタノール 74.9質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――
P−1は、トリフェニルホスフェート(TPP)/ビフェニルジフェニルホスフェート(BDP)=2/1(質量比)の混合物である。
<Production of support (production of cellulose acylate dope)>
The following composition was put into a mixing tank and stirred to dissolve each component, and a cellulose acetate solution was prepared to prepare a cellulose acylate dope.
――――――――――――――――――――――――――――――――
Cellulose acetate solution composition ――――――――――――――――――――――――――――――――
Cellulose acetate (substitution degree 2.88) 100 parts by mass P-1 12 parts by mass UV absorber (UV-1) 1.8 parts by mass UV absorber (UV-2) 0.8 parts by mass L-1 3 parts by mass Methylene chloride 501.1 parts by mass Methanol 74.9 parts by mass ――――――――――――――――――――――――――――――――
P-1 is a mixture of triphenyl phosphate (TPP) / biphenyl diphenyl phosphate (BDP) = 2/1 (mass ratio).

更に、下記のマット剤分散液を、セルロースアシレートドープ100質量部に対して3.6質量部加えた。
(マット剤分散液)
シリカ粒子分散液(平均粒径16nm) 0.7質量部
メチレンクロライド(第1溶媒) 75.5質量部
メタノール(第2溶媒) 6.5質量部
上記ドープ 17.3質量部
Furthermore, 3.6 parts by mass of the following matting agent dispersion was added to 100 parts by mass of the cellulose acylate dope.
(Matting agent dispersion)
Silica particle dispersion (average particle size 16 nm) 0.7 parts by mass Methylene chloride (first solvent) 75.5 parts by mass Methanol (second solvent) 6.5 parts by mass The above dope 17.3 parts by mass

(セルロースアシレートフィルムの作製)
セルロースアシレートドープを流延口から20℃のドラム上に流延した。溶媒含有率略20質量%の状態で剥ぎ取り、フィルムの幅方向の両端をテンタークリップで固定しつつ乾燥した。その後、熱処理装置のロール間を搬送することにより、さらに乾燥し、15μmの膜厚を有するセルロースアシレートフィルム(CTA1)を作製した。
(Preparation of cellulose acylate film)
The cellulose acylate dope was cast on a drum at 20 ° C. from the casting port. It peeled off in the state of solvent content rate of about 20 mass%, and it dried, fixing the both ends of the width direction of a film with a tenter clip. Then, it dried further by conveying between the rolls of a heat processing apparatus, and produced the cellulose acylate film (CTA1) which has a film thickness of 15 micrometers.

前述CTA1の支持体の表面に、以下の手順でアルカリ鹸化処理を実施した。
(アルカリ鹸化処理)
温度60℃の誘電式加熱ロールを通過させ、フィルム表面温度を40℃に昇温した。その後、フィルム片面に下記に示す組成のアルカリ溶液を、バーコーターを用いて塗布量10ml/mで塗布し、105℃に加熱した。加熱したフィルムを(株)ノリタケカンパニーリミテド製のスチーム式遠赤外ヒーターの下に、10秒間搬送した。続いて、同じくバーコーターを用いて、純水を3ml/m塗布した。さらに、ファウンテンコーターによる水洗とエアナイフによる水切りを3回繰り返した後に、70℃の乾燥ゾーンに10秒間搬送して乾燥し、アルカリ鹸化処理したフィルムを作製した。
The surface of the CTA1 support was subjected to alkali saponification treatment according to the following procedure.
(Alkaline saponification treatment)
The film was passed through a dielectric heating roll having a temperature of 60 ° C., and the film surface temperature was raised to 40 ° C. Thereafter, an alkali solution having the composition shown below was applied to one side of the film using a bar coater at a coating amount of 10 ml / m 2 and heated to 105 ° C. The heated film was conveyed for 10 seconds under a steam far-infrared heater manufactured by Noritake Company Limited. Subsequently, 3 ml / m 2 of pure water was applied using the same bar coater. Further, washing with a fountain coater and draining with an air knife were repeated three times, and then the film was transported to a drying zone at 70 ° C. for 10 seconds and dried to produce an alkali saponified film.

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アルカリ溶液組成
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水酸化カリウム 4.7質量部
水 15.8質量部
イソプロパノール 63.7質量部
界面活性剤SF−1:C1429O(CH2CH2O)20H 1.0質量部
プロピレングリコール 14.8質量部
──────────────────────────────────
──────────────────────────────────
Alkaline solution composition ──────────────────────────────────
Potassium hydroxide 4.7 parts by weight Water 15.8 parts by weight Isopropanol 63.7 parts by weight Surfactant SF-1: C 14 H 29 O (CH 2 CH 2 O) 20 H 1.0 part by weight Propylene glycol 14. 8 parts by mass ──────────────────────────────────

(配向膜の形成)
上記のように作製したTGH1の塗布型偏光子面とは逆の表面に、下記の組成の配向膜塗布液を#12のワイヤーバーで連続的に塗布した。60℃の温風で60秒、更に100℃の温風で120秒乾燥した。得られた塗布膜に連続的にラビング処理を施しTGH−Y フィルムを得た。このとき、長尺状のフィルムの長手方向と搬送方向は平行であり、フィルム長手方向とラビングローラーの回転軸とのなす角度を略45°とした。
──────────────────────────────────
配向膜塗布液の組成
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変性ポリビニルアルコール1 10質量部
水 371質量部
メタノール 119質量部
グルタルアルデヒド 0.5質量部
光重合開始剤(イルガキュアー2959、BASF社製) 0.3質量部
──────────────────────────────────
(Formation of alignment film)
On the surface opposite to the coating type polarizer surface of TGH1 produced as described above, an alignment film coating solution having the following composition was continuously applied with a # 12 wire bar. Drying was performed with warm air of 60 ° C. for 60 seconds, and further with warm air of 100 ° C. for 120 seconds. The obtained coating film was continuously rubbed to obtain a TGH-Y film. At this time, the longitudinal direction of the long film and the transport direction were parallel, and the angle formed by the longitudinal direction of the film and the rotation axis of the rubbing roller was about 45 °.
──────────────────────────────────
Composition of alignment film coating solution ──────────────────────────────────
Modified polyvinyl alcohol 1 10 parts by weight Water 371 parts by weight Methanol 119 parts by weight Glutaraldehyde 0.5 parts by weight Photopolymerization initiator (Irgacure 2959, manufactured by BASF) 0.3 parts by weight ───────── ────────────────────────

<円盤状液晶化合物を用いた、λ/4板の形成>
配向膜を形成した、TGH−Y上に下記の組成の円盤状液晶化合物を含む塗布液A1を#3.2のワイヤーバーで連続的に塗布した。フィルムの搬送速度(V)は40m/minとした。塗布液の溶媒の乾燥及び円盤状液晶化合物の配向熟成のために、60℃の温風で80秒間加熱した。続いて、60℃にてUV照射を行い、液晶化合物の配向を固定化し光学異方性層を形成した。このとき、UV照射量は300mJ/cm2とした。なお、このフィルムをTGH−ZAとした。
──────────────────────────────────
円盤状液晶化合物を含む塗布液A1
――――――――――――――――――――――――――――――――――
円盤状液晶化合物(化合物101) 80質量部
円盤状液晶化合物(化合物102) 20質量部
配向助剤1 0.9質量部
配向助剤2 0.1質量部
メガファックF444(DIC社製) 0.12質量部
重合開始剤1 3質量部
メチルエチルケトン 301質量部
──────────────────────────────────
<Formation of λ / 4 plate using discotic liquid crystal compound>
A coating liquid A1 containing a discotic liquid crystal compound having the following composition was continuously applied on TGH-Y on which an alignment film was formed, with a wire bar of # 3.2. The conveyance speed (V) of the film was 40 m / min. In order to dry the solvent of the coating solution and to mature the alignment of the discotic liquid crystal compound, it was heated with hot air at 60 ° C. for 80 seconds. Subsequently, UV irradiation was performed at 60 ° C. to fix the orientation of the liquid crystal compound and form an optically anisotropic layer. At this time, the UV irradiation amount was 300 mJ / cm 2 . This film was designated as TGH-ZA.
──────────────────────────────────
Coating liquid A1 containing discotic liquid crystal compound
――――――――――――――――――――――――――――――――――
Discotic liquid crystal compound (Compound 101) 80 parts by mass Discotic liquid crystal compound (Compound 102) 20 parts by mass Alignment aid 1 0.9 parts by mass Alignment aid 2 0.1 parts by mass Megafac F444 (manufactured by DIC) 0. 12 parts by weight polymerization initiator 1 3 parts by weight methyl ethyl ketone 301 parts by weight ──────────────────────────────────

<円盤状液晶化合物を用いた、コレステリック液晶層の形成>
上記の方法で作製したTGH−ZAのλ/4板表面に、下記の方法で液晶化合物として円盤状液晶化合物を用いたコレステリック液晶相を固定してなる光反射層として、第一の光反射層を形成した。フィルムの搬送速度(V)は30m/minとした。
下記の組成の円盤状液晶化合物を含む塗布液B1を上記作製した配向膜の表面に3.05μmの膜厚になるように調整し、連続的に塗布した。
続いて、113℃で2分間加熱熟成を行って、均一な配向状態を得た。
アイグラ社製のメタルハライドランプを用いて窒素雰囲気下にて、紫外線照射して、光反射層を形成した。このとき、UV照射量は200mJ/cm2とした。作製したフィルムをTGH−ZBとした。
<Formation of cholesteric liquid crystal layer using discotic liquid crystal compound>
A first light reflecting layer as a light reflecting layer obtained by fixing a cholesteric liquid crystal phase using a discotic liquid crystal compound as a liquid crystal compound by the following method on the surface of a λ / 4 plate of TGH-ZA produced by the above method Formed. The conveyance speed (V) of the film was 30 m / min.
A coating liquid B1 containing a discotic liquid crystal compound having the following composition was adjusted to a thickness of 3.05 μm on the surface of the prepared alignment film and continuously applied.
Subsequently, heat aging was performed at 113 ° C. for 2 minutes to obtain a uniform alignment state.
A light reflection layer was formed by irradiating with ultraviolet rays in a nitrogen atmosphere using a metal halide lamp manufactured by Aigra. At this time, the UV irradiation amount was 200 mJ / cm 2. The produced film was designated as TGH-ZB.

──────────────────────────────────
円盤状液晶化合物を含む塗布液(B1)の組成
――――――――――――――――――――――――――――――――――
円盤状液晶化合物(化合物101) 80質量部
円盤状液晶化合物(化合物102) 20質量部
重合性モノマー1 2質量部
メガファックF444(DIC社製) 0.15質量部
重合開始剤1 3質量部
キラル剤1 5質量部
メチルエチルケトン 214質量部
シクロヘキサノン 66質量部
tertブチルアルコール 50質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――――
──────────────────────────────────
Composition of coating liquid (B1) containing discotic liquid crystal compound ――――――――――――――――――――――――――――――――――
Discotic liquid crystal compound (Compound 101) 80 parts by mass Discotic liquid crystal compound (Compound 102) 20 parts by mass Polymerizable monomer 1 2 parts by mass Megafac F444 (manufactured by DIC) 0.15 parts by mass Polymerization initiator 1 3 parts by mass chiral Agent 1 5 parts by weight methyl ethyl ketone 214 parts by weight cyclohexanone 66 parts by weight tert butyl alcohol 50 parts by weight ――――――――――――――――――――――――――――――― ―――

キラル剤1
Chiral agent 1

<高Δn棒状液晶化合物を用いた、ピッチグラジエントコレステリック液晶層の形成>
上記の方法で作製したTGH−ZBの円盤状液晶からなるコレステリック液晶層の上に、下記の組成の棒状液晶化合物を含む塗布液B4を5μmの膜厚になるように調整し、連続的に塗布した。フィルムの搬送速度(V)は20m/minとした。
塗布液の溶媒の乾燥及び棒状液晶化合物の配向熟成のために、110℃の温風で120秒間加熱した。続いて、100℃にて照射量20mJ/cm2でUV照射した。更にその後、配向再熟成として、80℃の温風で120秒加熱した。続いて、70℃にて照射量350mJ/cm2でUV照射し、光反射層を形成した。
<Formation of Pitch Gradient Cholesteric Liquid Crystal Layer Using High Δn Rod-shaped Liquid Crystal Compound>
On the cholesteric liquid crystal layer composed of the TGH-ZB disc-like liquid crystal produced by the above method, the coating liquid B4 containing a rod-like liquid crystal compound having the following composition is adjusted to a film thickness of 5 μm and continuously applied. did. The conveyance speed (V) of the film was 20 m / min.
In order to dry the solvent of the coating solution and to mature the alignment of the rod-like liquid crystal compound, it was heated with a warm air of 110 ° C. for 120 seconds. Subsequently, UV irradiation was performed at 100 ° C. with an irradiation amount of 20 mJ / cm 2. Thereafter, as orientation ripening, heating was performed with warm air at 80 ° C. for 120 seconds. Subsequently, UV irradiation was performed at 70 ° C. with an irradiation amount of 350 mJ / cm 2 to form a light reflection layer.

――――――――――――――――――――――――――――――――――
棒状液晶化合物を含む塗布液B4
――――――――――――――――――――――――――――――――――
棒状液晶化合物204 100質量部
多官能モノマーA−TMMT(新中村化学工業(株)社製 1質量部
重合開始剤1 4質量部
界面活性剤2 0.05質量部
界面活性剤3 0.01質量部
キラル剤2 3.5質量部
メチルエチルケトン 200質量部
シクロヘキサノン 20質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――――
――――――――――――――――――――――――――――――――――
Coating liquid B4 containing a rod-like liquid crystal compound
――――――――――――――――――――――――――――――――――
Rod-shaped liquid crystal compound 204 100 parts by mass polyfunctional monomer A-TMMT (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. 1 part by weight polymerization initiator 1 4 parts by weight surfactant 2 0.05 parts by weight surfactant 3 0.01 parts by weight Part chiral agent 2 3.5 parts by weight methyl ethyl ketone 200 parts by weight cyclohexanone 20 parts by weight ――――――――――――――――――――――――――――――――― -

棒状液晶化合物204
Rod-shaped liquid crystal compound 204

キラル剤2
Chiral agent 2

以上の手順で、ピッチグラジエントコレステリック液晶層(5μm)、円盤状液晶化合物を用いたコレステリック液晶層(3μm)、λ/4層(1μm)、PVA配向膜(0.5μm)、TAC(15μm)、PVA配向膜(0.5μm)、塗布型偏光子(0.2μm)をこの順で有する実施例2に用いる光学シートを得た。   By the above procedure, a pitch gradient cholesteric liquid crystal layer (5 μm), a cholesteric liquid crystal layer using a discotic liquid crystal compound (3 μm), a λ / 4 layer (1 μm), a PVA alignment film (0.5 μm), TAC (15 μm), An optical sheet used in Example 2 having a PVA alignment film (0.5 μm) and a coating type polarizer (0.2 μm) in this order was obtained.

こうして得られた複層積層コレステリック液晶層を持つ光学シートを実施例1の単層コレステリック液晶層の代わりに反射型円偏光板40(18)として用い、実施例1と同様にして実施例2の画像表示装置10aを作製した.その構成を表1に示す。
実施例2の画像表示装置10aを実施例1と同様に3項目について評価した。その結果を表1に示す。
The optical sheet having the multilayered cholesteric liquid crystal layer thus obtained was used as the reflective circularly polarizing plate 40 (18) instead of the single-layer cholesteric liquid crystal layer of Example 1, and the same as in Example 1 was used. An image display device 10a was produced. The configuration is shown in Table 1.
The image display device 10a of Example 2 was evaluated for three items as in Example 1. The results are shown in Table 1.

(実施例3)
実施例3として、図5に示す実施形態2の構成の画像表示装置10bの反射型偏光子18を構成する1/4波長板42と多層積層ポリマーフィルム(DBEF)44との組み合わせを準備した。1/4波長板42として、実施例1で準備した1/4波長板14と同じものを用いた。
反射型偏光子18として、多層積層ポリマーフィルム44であるDBEFとλ/4波長板42とを積層したものを用いた。
こうして得られた反射型偏光子18を用い、実施例1と同様にして図5に示す実施例3の画像表示装置10bを作製した.その構成を表1に示す。
実施例3の画像表示装置10bを実施例1と同様に上記3項目について評価した。その結果を表1に示す。
(Example 3)
As Example 3, a combination of a quarter-wave plate 42 and a multilayer laminated polymer film (DBEF) 44 constituting the reflective polarizer 18 of the image display device 10b having the configuration of Embodiment 2 shown in FIG. 5 was prepared. As the quarter-wave plate 42, the same one as the quarter-wave plate 14 prepared in Example 1 was used.
As the reflective polarizer 18, a laminate of DBEF, which is a multilayer laminated polymer film 44, and a λ / 4 wavelength plate 42 was used.
Using the reflective polarizer 18 thus obtained, an image display device 10b of Example 3 shown in FIG. The configuration is shown in Table 1.
The image display device 10b of Example 3 was evaluated for the above three items in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

(実施例4)
実施例4として、図5に示す実施形態2の構成の画像表示装置10bの反射型偏光子40(18)として、実施例3の多層積層ポリマーフィルム(DBEF)44の代わりにワイヤーグリッド型偏光子を準備して用いた。
反射型偏光子18として、ワイヤーグリッド型偏光子(商品名:ワイヤーグリッド偏光フィルタ50×50、エドモンドオプティクス社製)と前述のλ/4波長板42を積層したものを用いた。
こうして得られたワイヤーグリッド型偏光子とλ/4波長板42とを積層した反射型偏光子18を用い、実施例1と同様にして図5に示す実施例4の画像表示装置10bを作製した.その構成を表1に示す。
実施例4の画像表示装置10bを実施例1と同様に上記3項目について評価した。その結果を表1に示す。
Example 4
As Example 4, as a reflective polarizer 40 (18) of the image display device 10b having the configuration of Embodiment 2 shown in FIG. 5, a wire grid polarizer instead of the multilayer laminated polymer film (DBEF) 44 of Example 3 is used. Was prepared and used.
As the reflective polarizer 18, a laminate of a wire grid polarizer (trade name: wire grid polarization filter 50 × 50, manufactured by Edmund Optics) and the aforementioned λ / 4 wavelength plate 42 was used.
Using the reflective polarizer 18 in which the wire grid polarizer thus obtained and the λ / 4 wavelength plate 42 were laminated, the image display device 10b of Example 4 shown in FIG. . The configuration is shown in Table 1.
The image display device 10b of Example 4 was evaluated for the above three items in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

(実施例5)
実施例5として、図6(A)および(B)に示す実施形態3の構成の画像表示装置10cの開口幅が14〜16μmで一方向に連続的に変化する台形状の開口部46を持つ反射板48を有するMEMSシャッタデバイス16を準備した。
こうして得られたMEMSシャッタデバイス16を用い、実施例1と同様にして図6(A)および(B)に示す実施例5の画像表示装置10cを作製した。その構成を表1に示す。
実施例5の画像表示装置10cを実施例1と同様に上記3項目について評価した。その結果を表1に示す。
(Example 5)
As Example 5, the image display device 10c having the configuration of the third embodiment shown in FIGS. 6A and 6B has a trapezoidal opening 46 that continuously changes in one direction at 14 to 16 μm. A MEMS shutter device 16 having a reflector 48 was prepared.
Using the MEMS shutter device 16 thus obtained, an image display device 10c of Example 5 shown in FIGS. 6A and 6B was produced in the same manner as Example 1. The configuration is shown in Table 1.
The image display device 10c of Example 5 was evaluated for the above three items as in Example 1. The results are shown in Table 1.

(実施例6)
実施例6として、図7に示す実施形態4の構成の画像表示装置10dの拡散フィルム50を準備して用いた。
(拡散フィルム50の準備)
散乱フィルム50として、富士フイルム社製:CV−UA03を用いた。JIS−K7136に準じ日本電色工業(株)製ヘーズメーターNDH4000で、フィルムのヘイズを測定したところ75%であった。
こうして得られた拡散フィルム50を用い、実施例1と同様にして図7に示す実施例6の画像表示装置10dを作製した.その構成を表1に示す。
実施例6の画像表示装置10dを実施例1と同様に上記3項目について評価した。その結果を表1に示す。
(Example 6)
As Example 6, the diffusion film 50 of the image display device 10d having the configuration of Embodiment 4 shown in FIG. 7 was prepared and used.
(Preparation of diffusion film 50)
As the scattering film 50, FUJIFILM Corporation CV-UA03 was used. When the haze of the film was measured with a haze meter NDH4000 manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd. according to JIS-K7136, it was 75%.
Using the diffusion film 50 thus obtained, an image display device 10d of Example 6 shown in FIG. The configuration is shown in Table 1.
The image display device 10d of Example 6 was evaluated for the above three items in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

表1から明らかなように、比較例1では、正面輝度の評価はAであるが、外光反射の評価がCであるのに対し、実施例1〜3、5および6では、外光反射および正面輝度の評価が全て共にAであり、実施例4でも、正面輝度の評価はBであるが外光反射の評価はAであり、いずれの実施例でも、外光反射の抑止による視認性の向上と正面輝度の向上を両立させることで来ていることが分かる。
また、実施例5および6では、更に、虹ムラの評価も共にAであり、さらなる視認性の向上が図れていることが分かる。
以上の結果から、本発明の効果は明らかである。
As is clear from Table 1, in Comparative Example 1, the front luminance evaluation is A, but the external light reflection evaluation is C, whereas in Examples 1-3, 5 and 6, the external light reflection is In all of the examples, the evaluation of front luminance is A, and in Example 4, the evaluation of front luminance is B, but the evaluation of external light reflection is A. In any of these examples, the visibility due to the suppression of external light reflection is It can be seen that the improvement is achieved by balancing the improvement of the brightness and the front luminance.
In Examples 5 and 6, the evaluation of rainbow unevenness is also A, indicating that the visibility is further improved.
From the above results, the effect of the present invention is clear.

以上、本発明の画像表示装置についての種々の実施形態および実施例を挙げて詳細に説明したが、本発明は、これらの実施形態および実施例に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良又は変更をしてもよいのはもちろんである。   As described above, various embodiments and examples of the image display device of the present invention have been described in detail. However, the present invention is not limited to these embodiments and examples, and does not depart from the gist of the present invention. Of course, various improvements or changes may be made.

10、10a,10b,10c,10d 画像表示装置
12 吸収型偏光子
14,42 1/4波長板
16 MEMSシャッタデバイス
18 反射型偏光子
20 バックライト
22 MEMS表示装置
24、24R、24G、24B LED
26、46 開口部
28、48 反射板
30 透明基板
32 ばね
34 MEMSシャッタ
35 シャッタ部
36 開口窓
38 シャッタ領域
40 反射型円偏光板
44 多層積層ポリマーフィルム(DBEF)
50 拡散フィルム
10, 10a, 10b, 10c, 10d Image display device 12 Absorption-type polarizer 14, 42 1/4 wavelength plate 16 MEMS shutter device 18 Reflection-type polarizer 20 Backlight 22 MEMS display devices 24, 24R, 24G, 24B LED
26, 46 Openings 28, 48 Reflector 30 Transparent substrate 32 Spring 34 MEMS shutter 35 Shutter 36 Open window 38 Shutter region 40 Reflective circularly polarizing plate 44 Multilayer laminated polymer film (DBEF)
50 diffusion film

Claims (10)

光を出射するバックライト、および該バックライトから出射された光を透過させる開口部を備え、該開口部を開閉して前記開口部を透過する光の量を制御するMEMSシャッタデバイスを有する画像表示装置であって、
前記MEMSシャッタデバイスの視認側に、視認側から順次配置される吸収型偏光子及び1/4波長板と、
該1/4波長板より前記バックライト側に配置される反射型偏光子と、を有することを特徴とする画像表示装置。
An image display having a backlight that emits light, and a MEMS shutter device that includes an opening that transmits light emitted from the backlight, and that controls the amount of light that opens and closes the opening and transmits the light. A device,
An absorptive polarizer and a quarter-wave plate sequentially arranged from the viewing side on the viewing side of the MEMS shutter device;
And a reflective polarizer disposed on the backlight side of the quarter-wave plate.
前記反射型偏光子は、前記MEMSシャッタデバイスと前記バックライトとの間に配置される請求項1に記載の画像表示装置。   The image display apparatus according to claim 1, wherein the reflective polarizer is disposed between the MEMS shutter device and the backlight. 前記反射型偏光子は、前記MEMSシャッタデバイスと前記1/4波長板との間に配置される請求項1に記載の画像表示装置。   The image display apparatus according to claim 1, wherein the reflective polarizer is disposed between the MEMS shutter device and the quarter-wave plate. 前記反射型偏光子は、コレステリック液晶層によって構成されている、もしくは、前記バックライト側から順次配置される多層積層ポリマーフィルムからなる、またはワイヤーグリッド偏光子と第2の1/4波長板とから構成されている請求項1〜3のいずれか1項に記載の画像表示装置。   The reflective polarizer is composed of a cholesteric liquid crystal layer, or is composed of a multilayer laminated polymer film sequentially arranged from the backlight side, or from a wire grid polarizer and a second quarter-wave plate. The image display device according to claim 1, wherein the image display device is configured. 前記コレステリック液晶層は、単層、または複層である請求項4に記載の画像表示装置。   The image display device according to claim 4, wherein the cholesteric liquid crystal layer is a single layer or a multilayer. 前記MEMSシャッタデバイスの前記開口部の開口幅は、前記開口部の長手方向に沿って変化する請求項1〜5のいずれか1項に記載の画像表示装置。   The image display apparatus according to claim 1, wherein an opening width of the opening of the MEMS shutter device changes along a longitudinal direction of the opening. 前記開口幅は、前記開口部の長手方向に沿って一方向に連続的に狭くなるように変化する請求項6に記載の画像表示装置。   The image display device according to claim 6, wherein the opening width changes so as to continuously narrow in one direction along a longitudinal direction of the opening. さらに、前記反射型偏光子及び前記MEMSシャッタデバイスより前記視認側であって、前記1/4波長板より前記バックライト側に配置される拡散フィルムを有する請求項1〜5のいずれか1項に記載の画像表示装置。   Furthermore, it has the diffusion film arrange | positioned at the said visual recognition side from the said reflection type polarizer and the said MEMS shutter device, and the said backlight side from the said quarter wave plate. The image display device described. 前記吸収型偏光子、前記1/4波長板、前記拡散フィルム、前記MEMSシャッタデバイス、および前記反射型偏光子は、前記視認側から前記バックライトに向かって順次配置される請求項8に記載の画像表示装置。   The said absorption type polarizer, the said 1/4 wavelength plate, the said diffuser film, the said MEMS shutter device, and the said reflection type polarizer are sequentially arrange | positioned toward the said backlight from the said visual recognition side. Image display device. 前記MEMSシャッタデバイスは、前記開口部を覆い、前記バックライトから出射された光を遮断する第1の位置と、前記開口部を開放し、前記バックライトから出射された光を透過する第2の位置との間を移動するMEMSシャッタを有する請求項1〜9のいずれか1項に記載の画像表示装置。   The MEMS shutter device has a first position that covers the opening and blocks light emitted from the backlight, and a second position that opens the opening and transmits light emitted from the backlight. The image display device according to claim 1, further comprising a MEMS shutter that moves between positions.
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