JP2016201494A - Substrate processing apparatus, operational method for substrate processing apparatus, and storage medium - Google Patents

Substrate processing apparatus, operational method for substrate processing apparatus, and storage medium Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technology capable of detecting trouble in a substrate conveyance mechanism in such a manner that throughput reduction and increase of cost of manufacture can be prevented.SOLUTION: A substrate processing apparatus comprises a control part configured to execute the steps of: determining whether a positional displacement amount of a first substrate at the time when the substrate is received from a first placement part exceeds a threshold; acquiring time-series data of the positional displacement amounts of the first substrate and time-series data of positional displacement amounts of a second substrate at the time when a second substrate conveyance mechanism receives the substrate from a second placement part, the substrate being delivered by a first substrate conveyance mechanism in such a manner that the substrate is aligned; and determining the presence/absence of a correlation between the time-series data of the positional displacement amounts of the first substrate and the time-series data of the positional displacement amounts of the second substrate if it is determined that the positional displacement amount of the first substrate exceeds the threshold, and reporting a result of the determination on the presence/absence of the correlation.SELECTED DRAWING: Figure 11

Description

本発明は、処理する処理モジュールと基板の搬送機構と基板の載置部とを備えた基板処理装置、基板処理装置の運転方法及び当該基板搬送方法を実行するコンピュータプログラムを格納した記憶媒体に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus provided with a processing module to be processed, a substrate transport mechanism, and a substrate placement unit, a method for operating the substrate processing apparatus, and a storage medium storing a computer program for executing the substrate transport method.
半導体ウエハ(以下、ウエハと記載する)などの基板にレジストの塗布及び露光済みのレジストの現像を行う塗布、現像装置などの半導体製品を製造するための基板処理装置においては、複数のモジュールと、基板搬送機構と、が設けられる。基板搬送機構は、基板処理装置に複数設けられる場合があり、その場合、基板搬送機構に設けられる基板の保持部が、モジュール間で基板を所定の順番で受け渡すことにより、当該基板に順次処理が行われる。基板の保持部には特許文献1に記載されるように、保持された基板の位置を検出する位置検出部が設けられる場合がある。   In a substrate processing apparatus for manufacturing a semiconductor product such as a coating and developing apparatus for applying a resist and developing an exposed resist on a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), a plurality of modules; A substrate transfer mechanism. A plurality of substrate transport mechanisms may be provided in the substrate processing apparatus. In this case, the substrate holder provided in the substrate transport mechanism sequentially processes the substrates by passing the substrates in a predetermined order between the modules. Is done. As described in Patent Document 1, the substrate holding unit may be provided with a position detection unit that detects the position of the held substrate.
ところで、基板搬送機構を構成する部品の経時変化が起こり、モジュールから基板を受け取る保持部の位置が予め設定した位置からずれてしまう場合がある。その場合、保持部における本来の位置とは異なる位置に基板が保持されることになり、後段のモジュールに基板を受け渡すにあたり、当該後段のモジュールにおける基板が受け渡される位置が所定の位置からずれてしまい、処理が異常に行われてしまうことで、歩留りが低下してしまうおそれがある。 By the way, a change with time of components constituting the substrate transport mechanism may occur, and the position of the holding unit that receives the substrate from the module may deviate from a preset position. In that case, the substrate is held at a position different from the original position in the holding unit, and when the substrate is transferred to the subsequent module, the position where the substrate is transferred in the subsequent module is shifted from the predetermined position. If the process is abnormally performed, the yield may be reduced.
この異常な処理の具体的な一例としては、レジストが塗布されたウエハを回転させながら当該ウエハの周縁部に溶剤を供給して当該周縁部のレジストを除去する膜除去モジュールにて処理を行うにあたり、溶剤が供給される位置が所定の位置からずれて、所望の位置のレジストが除去されなかったり、所望の位置とは異なる位置のレジストが除去されてしまうことが挙げられる。 As a specific example of this abnormal processing, a film removal module that removes the resist at the peripheral portion by supplying a solvent to the peripheral portion of the wafer while rotating the resist-coated wafer is used as the processing. For example, the position where the solvent is supplied deviates from a predetermined position, and the resist at a desired position is not removed, or the resist at a position different from the desired position is removed.
また、例えば位置検出部により検出される基板の位置に応じてアラームが出力されるように設定されている場合、上記の部品の経時変化によらず、突発的に基板が本来の位置とは大きく外れた位置に保持された場合にもアラームが出力されることになる。その場合、本来は不必要な部品の経時変化についての確認を行うことになるため手間がかかる。 For example, when the alarm is set to be output according to the position of the board detected by the position detection unit, the board suddenly becomes larger than the original position regardless of the above-described change in the components. An alarm is also output when held at a position that is out of position. In that case, since it is necessary to confirm the time-dependent change of parts that are originally unnecessary, it is troublesome.
このような問題に対処するために、特許文献1には基板処理装置において、受け渡された基板の位置を所定の位置へ補正することができる位置補正用のモジュールを設けることが示されている。そして、この位置補正用のモジュールに基板を受け渡す前と、位置補正モジュールから基板を受け取った後との夫々における保持部に対する基板の位置を上記の位置検出部により検出することで、上記の基板搬送機構の不具合を検出することができる。しかし、このように半導体装置の生産に用いられない位置補正用のモジュールを設けること、及びこの位置補正用のモジュールに基板を搬送することは、装置の製造コストの上昇とスループットの低下とを招いてしまうおそれがある。 In order to cope with such a problem, Patent Document 1 discloses that a substrate correction apparatus is provided with a position correction module capable of correcting the position of a delivered substrate to a predetermined position. . Then, the position detection unit detects the position of the substrate relative to the holding unit before the substrate is delivered to the position correction module and after the substrate is received from the position correction module. A malfunction of the transport mechanism can be detected. However, providing a position correction module that is not used in the production of a semiconductor device and transporting a substrate to the position correction module increases the manufacturing cost of the device and decreases the throughput. There is a risk of it.
特開2013−162029号JP 2013-162029 A
本発明はこのような背景の下になされたものであり、その目的は、基板処理装置において、スループットの低下及び製造コストの上昇を防ぐことができるように基板搬送機構の不具合を検出することができる技術を提供することである。   The present invention has been made under such a background, and an object of the present invention is to detect a malfunction of a substrate transport mechanism in a substrate processing apparatus so as to prevent a decrease in throughput and an increase in manufacturing cost. It is to provide technology that can.
本発明の基板処理装置は、
前段の基板搬送機構から基板が受け渡される第1の載置部と、
前記第1の載置部上の基板を受け取り、基板を受け取った後の基板の位置ずれ量に基づいて、第2の載置部に基板の位置が合うように受け渡す第1の基板搬送機構と、
前記第2の載置部上の基板を受け取る第2の基板搬送機構と、
前記第1の基板搬送機構及び第2の基板搬送機構の少なくとも一方の搬送経路中において基板の受け渡しが行われ、基板を処理するための処理モジュールと、
前記第1の基板搬送機構及び第2の基板搬送機構に各々設けられ、基板を受け取ったときの基板の位置ずれ量を検出するための位置検出部と、
前記第1の基板搬送機構が第1の載置部から基板を受け取ったときの第1の基板の位置ずれ量が閾値を越えているか否かを判断するステップと、前記第1の基板の位置ずれ量の時系列データと前記第2の基板搬送機構が第2の載置部から基板を受け取ったときの第2の基板の位置ずれ量の時系列データとを取得するステップと、前記第1の基板の位置ずれ量が閾値を越えていると判断した時に、前記第1の基板の位置ずれ量の時系列データと前記第2の基板の位置ずれ量の時系列データとの間に相関関係があるか否かを判断し、相関関係の有無の判断結果を報知するステップと、を実行するように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする。
The substrate processing apparatus of the present invention comprises:
A first placement unit to which a substrate is delivered from the previous substrate transport mechanism;
A first substrate transport mechanism that receives a substrate on the first placement unit and delivers the substrate to the second placement unit so that the position of the substrate is aligned based on the positional deviation amount of the substrate after receiving the substrate. When,
A second substrate transport mechanism for receiving a substrate on the second placement unit;
A processing module for transferring the substrate and processing the substrate in a transfer path of at least one of the first substrate transfer mechanism and the second substrate transfer mechanism;
A position detection unit provided in each of the first substrate transport mechanism and the second substrate transport mechanism, for detecting the amount of positional deviation of the substrate when the substrate is received;
Determining whether the amount of positional deviation of the first substrate when the first substrate transport mechanism receives the substrate from the first placement unit exceeds a threshold; and the position of the first substrate. Obtaining time-series data of deviation amounts and time-series data of positional deviation amounts of the second substrate when the second substrate transport mechanism receives the substrate from the second placement unit; and When it is determined that the positional deviation amount of the substrate exceeds the threshold value, the correlation between the time-series data of the positional deviation amount of the first substrate and the time-series data of the positional deviation amount of the second substrate And a step of notifying whether or not there is a correlation, and notifying the result of determination of the presence or absence of a correlation, and a control unit that outputs a control signal so as to execute.
本発明によれば、第1の載置部上の基板を受け取り、基板を受け取った後の基板の位置ずれ量に基づいて、第2の載置部に基板の位置が合うように受け渡す第1の基板搬送機構と、第2の載置部上の基板を受け取る第2の基板搬送機構と、が設けられ、第1の基板搬送機構が第1の載置部から基板を受け取ったときの第1の基板の位置ずれ量の時系列データと、第2の基板搬送機構が第2の載置部から基板を受け取ったときの第2の基板の位置ずれ量の時系列データとに相関関係があるか否かが判断され、この判断結果が報知される。それによって、第1の基板搬送機構に不具合が起きていることが、基板処理装置のユーザーの知るところとなる。従って、背景技術の項目で述べた、このような不具合の有無を確認するための専用のモジュールに搬送する必要が無いし、当該専用のモジュールを設ける必要も無くなる。従って、基板処理装置のスループットの低下及び製造コストの上昇が抑えられるように、基板搬送機構の不具合を検出することができる。   According to the present invention, the substrate on the first placement unit is received, and the substrate is transferred to the second placement unit so that the position of the substrate is aligned based on the positional deviation amount of the substrate after receiving the substrate. A first substrate transport mechanism and a second substrate transport mechanism that receives a substrate on the second placement unit, and the first substrate transport mechanism receives a substrate from the first placement unit. Correlation between time-series data of the positional deviation amount of the first substrate and time-series data of the positional deviation amount of the second substrate when the second substrate transport mechanism receives the substrate from the second placement unit. It is determined whether or not there is, and the determination result is notified. As a result, it is known to the user of the substrate processing apparatus that a problem has occurred in the first substrate transport mechanism. Therefore, it is not necessary to transfer to a dedicated module for confirming the presence or absence of such a defect described in the background art item, and it is not necessary to provide the dedicated module. Therefore, it is possible to detect a defect in the substrate transport mechanism so that a decrease in throughput and an increase in manufacturing cost of the substrate processing apparatus can be suppressed.
本発明の基板処理装置の実施形態である塗布、現像装置を示す概観斜視図である。1 is a schematic perspective view showing a coating and developing apparatus which is an embodiment of a substrate processing apparatus of the present invention. 塗布、現像装置を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows a coating and developing apparatus. 塗布現像装置の内部を示す平面図である。It is a top view which shows the inside of a coating and developing apparatus. 搬送領域に設けられた搬送アームの構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the conveyance arm provided in the conveyance area | region. 第1の搬送アームを位置検出部と共に示す斜視図である。It is a perspective view which shows a 1st conveyance arm with a position detection part. 第1の搬送アームを位置検出部と共に示す平面図及び側面図である。It is the top view and side view which show a 1st conveyance arm with a position detection part. 第1の搬送アームのフォークを拡大して示す平面図である。It is a top view which expands and shows the fork of a 1st conveyance arm. 4個の検出部のいずれもウエハの切欠部を検出していないと判定される場合における、リニアイメージセンサ及びウエハを示す平面図である。It is a top view which shows a linear image sensor and a wafer in the case where it determines with none of the four detection parts detecting the notch part of a wafer. 4個の検出部のいずれかがウエハの切欠部を検出したと判定される場合における、リニアイメージセンサ及びウエハを示す平面図である。It is a top view which shows a linear image sensor and a wafer in the case of determining with any one of four detection parts having detected the notch part of the wafer. 受け渡しモジュールの構成の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of a structure of a delivery module. 塗布、現像装置に設けられる制御部の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the control part provided in a coating and developing apparatus. 各基板搬送機構による搬送と、ウエハの基準位置からのずれと、を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the conveyance by each board | substrate conveyance mechanism, and the shift | offset | difference from the reference position of a wafer. 基板搬送機構のウエハの受け取り位置のずれの変化の一例を示すグラフ図、である。It is a graph which shows an example of the change of the shift | offset | difference of the wafer receiving position of a board | substrate conveyance mechanism. 基板搬送機構間でのウエハの受け取り位置のずれの相関関係を検出するために作成されるグラフ図である。It is a graph created in order to detect the correlation of the shift | offset | difference of the receiving position of the wafer between board | substrate conveyance mechanisms. 基板搬送機構間でのウエハの受け取り位置のずれの相関関係を検出するために作成されるグラフ図である。It is a graph created in order to detect the correlation of the shift | offset | difference of the receiving position of the wafer between board | substrate conveyance mechanisms. 基板搬送機構の不具合を検出するフロー図である。It is a flowchart which detects the malfunction of a board | substrate conveyance mechanism.
[基板処理装置全体の説明]
本発明の基板処理装置を、塗布、現像装置に適用した実施形態について説明するが、まず塗布、現像装置の構成について図1〜図3を参照して説明する。この塗布、現像装置は、キャリアブロックB1と、処理ブロックB2と、インターフェイスブロックB3と、を直線状に接続して構成されている。インターフェイスブロックB3には、更に露光ステーションB4が接続されている。
[Description of the entire substrate processing apparatus]
An embodiment in which the substrate processing apparatus of the present invention is applied to a coating and developing apparatus will be described. First, the configuration of the coating and developing apparatus will be described with reference to FIGS. This coating and developing apparatus is configured by linearly connecting a carrier block B1, a processing block B2, and an interface block B3. An exposure station B4 is further connected to the interface block B3.
キャリアブロックB1は、円形の基板である例えば直径300mmのウエハWを複数枚収納する搬送容器であるキャリアCから装置内に搬入出する役割を有し、キャリアCの載置ステージ91と、蓋部92と、蓋部92を介してキャリアCからウエハWを搬送するための搬送アーム93と、を備えている。   The carrier block B1 has a role of carrying in and out of the apparatus from a carrier C which is a transfer container for storing a plurality of wafers W having a diameter of, for example, 300 mm, which is a circular substrate. 92 and a transfer arm 93 for transferring the wafer W from the carrier C via the lid 92.
処理ブロックB2はウエハWに液処理を行うための第1〜第6の単位ブロックD1〜D6が下から順に積層されて構成され、各単位ブロックD1〜D6は、概ね同じ構成である。図1において各単位ブロックD1〜D6に付したアルファベット文字は、処理種別を表示しており、BCTは反射防止膜形成処理、COTはウエハWにレジストを供給してレジスト膜を形成するレジスト膜形成処理、DEVは現像処理を表している。   The processing block B2 is configured by sequentially laminating first to sixth unit blocks D1 to D6 for performing liquid processing on the wafer W, and the unit blocks D1 to D6 have substantially the same configuration. In FIG. 1, the alphabetic characters given to the unit blocks D1 to D6 indicate the processing type, BCT is an antireflection film forming process, and COT is a resist film forming that supplies a resist to the wafer W to form a resist film. Processing and DEV represent development processing.
図3では、代表して単位ブロックD3の構成を示すと、単位ブロックD3には、キャリアブロックB1側からインターフェイスブロックB3へ向かう直線状の搬送領域R3を移動するメインアームA3と、液処理モジュール61(61a〜61d)を備えた液処理ユニット60と、ウエハWを加熱するための載置部である加熱プレートと、ウエハWを冷却するための冷却プレートを備えた加熱−冷却モジュール6(6a〜6f)を積層した棚ユニットU1〜U6と、を備えている。   In FIG. 3, the configuration of the unit block D3 is shown as a representative. The unit block D3 includes a main arm A3 that moves in a linear transfer region R3 from the carrier block B1 side to the interface block B3, and a liquid processing module 61. The heating-cooling module 6 (6a to 61d) provided with the liquid processing unit 60 having (61a to 61d), a heating plate that is a mounting unit for heating the wafer W, and a cooling plate for cooling the wafer W. And 6f) are stacked units U1 to U6.
搬送領域R3のキャリアブロックB1側には、互いに積層された複数のモジュールにより構成されている棚ユニットU7が設けられている。搬送アーム93とメインアームA3との間のウエハWの受け渡しは、棚ユニットU7の受け渡しモジュールTRSと前段の基板搬送機構に相当する搬送アーム94とを介して行なわれる。   On the carrier block B1 side of the transport region R3, a shelf unit U7 configured by a plurality of modules stacked on each other is provided. The transfer of the wafer W between the transfer arm 93 and the main arm A3 is performed via the transfer module TRS of the shelf unit U7 and the transfer arm 94 corresponding to the preceding substrate transfer mechanism.
単位ブロックD1、D2の液処理モジュール61は反射防止膜形成用の薬液を塗布するモジュール、単位ブロックD3、D4の液処理モジュール61はレジストを塗布するモジュール、単位ブロックD5、D6の液処理モジュール61は現像液を供給するモジュールであり、反射防止膜形成モジュール61、レジスト塗布モジュール61、現像モジュール61として夫々表記する場合がある。レジスト塗布モジュール61は、背景技術の項目で説明した、ウエハWの周縁部に溶剤を供給して不要なレジスト膜を除去する膜除去モジュールを兼用している。   The liquid processing module 61 of the unit blocks D1 and D2 is a module for applying a chemical solution for forming an antireflection film, the liquid processing module 61 of the unit blocks D3 and D4 is a module for applying a resist, and the liquid processing module 61 of the unit blocks D5 and D6. Is a module for supplying a developer, and may be referred to as an antireflection film forming module 61, a resist coating module 61, and a developing module 61, respectively. The resist coating module 61 also serves as a film removal module that removes an unnecessary resist film by supplying a solvent to the peripheral edge of the wafer W described in the background art section.
インターフェイスブロックB3は、処理ブロックB2と露光ステーションB4との間でウエハWの受け渡しを行うためのものであり、複数のモジュールが互いに積層された棚ユニットU8、U9、U10を備えている。なお図中95、96は夫々棚ユニットU8、U9間、棚ユニットU9、U10間でウエハWの受け渡しをするための第2の基板搬送機構に相当する搬送アームであり、図中97は、棚ユニットU8と露光ステーションB4との間でウエハWの受け渡しをするための第3の基板搬送機構に相当する搬送アームである。メインアームA1〜A6、搬送アーム93は基板搬送機構に相当するものであり、基板搬送機構を簡略化した表記としている。なお、モジュールとは、基板搬送機構を除いて、ウエハWを載置することができる場所であり、処理モジュールは載置されたウエハWを処理するモジュールである。   The interface block B3 is for transferring the wafer W between the processing block B2 and the exposure station B4, and includes shelf units U8, U9, and U10 in which a plurality of modules are stacked on each other. In the figure, reference numerals 95 and 96 denote transfer arms corresponding to a second substrate transfer mechanism for transferring the wafer W between the shelf units U8 and U9 and between the shelf units U9 and U10. This is a transfer arm corresponding to a third substrate transfer mechanism for transferring the wafer W between the unit U8 and the exposure station B4. The main arms A1 to A6 and the transfer arm 93 correspond to a substrate transfer mechanism, and the substrate transfer mechanism is simplified. The module is a place where the wafer W can be placed except for the substrate transfer mechanism, and the processing module is a module for processing the placed wafer W.
棚ユニットU7、U8、U9、U10に設けられているモジュールの具体例を挙げると、単位ブロックD1〜D6との間でのウエハWを受け渡す際に用いられる受け渡しモジュールTRS、複数枚のウエハWを一時的に保管するバッファモジュールBU、ウエハWの表面を疎水化する疎水化処理モジュールADHなどがある。説明を簡単にするため、前記疎水化処理モジュールADH、バッファモジュールBUについての図示は省略してある。   To give specific examples of modules provided in the shelf units U7, U8, U9, U10, a delivery module TRS used when delivering the wafer W to and from the unit blocks D1 to D6, a plurality of wafers W There are a buffer module BU that temporarily stores the surface of the wafer W, a hydrophobic processing module ADH that hydrophobizes the surface of the wafer W, and the like. In order to simplify the description, the hydrophobic treatment module ADH and the buffer module BU are not shown.
[塗布、現像装置の搬送フロー]
上記の塗布、現像装置におけるウエハWの搬送フローについて図3を参照しながら説明すると、ウエハWは、キャリアCから、搬送アーム93→棚ユニットU7の受け渡しモジュールTRS0の順で搬送され、単位ブロックD1、D2に振り分けられて搬送される。例えばウエハWを単位ブロックD1に受け渡す場合には、棚ユニットU7の受け渡しモジュールTRSのうち、単位ブロックD1に対応する受け渡しモジュールTRS1(メインアームA1によりウエハWの受け渡しが可能な受け渡しモジュール)に対して、TRS0からウエハWが受け渡される。またウエハWを単位ブロックD2に受け渡す場合には、棚ユニットU7の受け渡しモジュールTRSのうち、単位ブロックD2に対応する受け渡しモジュールTRS2に対して、TRS0からウエハWが受け渡される。これらのウエハWの受け渡しは、搬送アーム94により行われる。
[Conveying flow of coating and developing equipment]
The transfer flow of the wafer W in the coating and developing apparatus will be described with reference to FIG. 3. The wafer W is transferred from the carrier C in the order of the transfer arm 93 → the delivery module TRS0 of the shelf unit U7, and the unit block D1. , D2 is sorted and conveyed. For example, when the wafer W is transferred to the unit block D1, among the transfer modules TRS of the shelf unit U7, the transfer module TRS1 corresponding to the unit block D1 (the transfer module capable of transferring the wafer W by the main arm A1). Thus, the wafer W is delivered from TRS0. When the wafer W is transferred to the unit block D2, the wafer W is transferred from TRS0 to the transfer module TRS2 corresponding to the unit block D2 among the transfer modules TRS of the shelf unit U7. Delivery of these wafers W is performed by the transfer arm 94.
このように振り分けられたウエハWは、メインアームA1(メインアームA2)により、TRS1(TRS2)→反射防止膜形成モジュール61→加熱−冷却モジュール6→TRS1(TRS2)の順に搬送され、続いて搬送アーム94により単位ブロックD3に対応する受け渡しモジュールTRS3と、単位ブロックD4に対応する受け渡しモジュールTRS4とに振り分けられる。   The wafer W thus distributed is transferred by the main arm A1 (main arm A2) in the order of TRS1 (TRS2) → antireflection film forming module 61 → heating-cooling module 6 → TRS1 (TRS2). The arm 94 distributes the transfer module TRS3 corresponding to the unit block D3 and the transfer module TRS4 corresponding to the unit block D4.
受け渡しモジュールTRS3、TRS4に振り分けられたウエハWは、メインアームA3(メインアームA4)により、TRS3(TRS4)からレジスト塗布モジュール61に搬送されて、前記反射防止膜上にレジストが塗布され、ウエハW表面にレジスト膜が形成される。その後、ウエハWは、メインアームA3(メインアームA4)により、加熱−冷却モジュール6→棚ユニットU8の受け渡しモジュールTRS13(TRS14)の順で搬送される。当該受け渡しモジュールTRS13(TRS14)に搬送されたウエハWは、搬送アーム95により、棚ユニットU8の受け渡しモジュールTRS20に搬送された後、搬送アーム97により露光装置D4へ搬入され、前記レジスト膜が露光され、レジストパターンの潜像が形成される。   The wafer W distributed to the delivery modules TRS3 and TRS4 is transferred from TRS3 (TRS4) to the resist coating module 61 by the main arm A3 (main arm A4), and a resist is coated on the antireflection film. A resist film is formed on the surface. Thereafter, the wafer W is transferred by the main arm A3 (main arm A4) in the order of the heating-cooling module 6 → the delivery module TRS13 (TRS14) of the shelf unit U8. The wafer W transferred to the transfer module TRS13 (TRS14) is transferred to the transfer module TRS20 of the shelf unit U8 by the transfer arm 95, and then transferred to the exposure apparatus D4 by the transfer arm 97, and the resist film is exposed. A latent image of the resist pattern is formed.
露光後のウエハWは、搬送アーム97→棚ユニットU8の受け渡しモジュールTRS21の順で搬送された後、搬送アーム96により、棚ユニットU8において単位ブロックD5に対応する受け渡しモジュールTRS15と、単位ブロックD6に対応する受け渡しモジュールTRS16とに振り分けられる。このように受け渡しモジュールTRS15、TRS16に振り分けられたウエハWは、メインアームA5(メインアームA6)により、TRS15(TRS16)から加熱−冷却モジュール6→現像モジュール61の順に搬送され、加熱処理(PEB)と現像処理とを順に受け、レジスト膜にレジストパターンが形成される。その後、ウエハWは、メインアームA5(メインアームA6)により、棚ユニットU7の受け渡しモジュールTRS5(TRS6)に搬送され、搬送アーム94→棚ユニットの受け渡しモジュールTRS→搬送アーム93の順で搬送され、搬送アーム93によりキャリアCに戻される。   The wafer W after exposure is transferred in the order of the transfer arm 97 → the transfer module TRS21 of the shelf unit U8, and then transferred to the transfer module TRS15 corresponding to the unit block D5 and the unit block D6 in the shelf unit U8 by the transfer arm 96. It is distributed to the corresponding delivery module TRS16. The wafers W distributed to the delivery modules TRS15 and TRS16 in this way are transferred by the main arm A5 (main arm A6) from TRS15 (TRS16) to the heating-cooling module 6 → the developing module 61 in this order, and subjected to heat treatment (PEB). The resist pattern is formed on the resist film by sequentially receiving and developing processing. Thereafter, the wafer W is transferred by the main arm A5 (main arm A6) to the transfer module TRS5 (TRS6) of the shelf unit U7, and transferred in the order of the transfer arm 94 → the transfer module TRS of the shelf unit → the transfer arm 93. The carrier arm 93 returns the carrier C.
[基板搬送機構(搬送アーム)の説明]
本実施形態の主要技術は、図11以下を用いて述べるように、搬送アームがウエハWを受け取った後において、搬送アーム上で検出したウエハWの位置ずれ量に基づいて、搬送アームの不具合を調べるものである。その説明の前に搬送アームがどのようにしてウエハWの位置ずれを検出し、ウエハWの位置ずれを補正するかについて述べておく。ウエハWの位置ずれ検出は、特開2012−64918に詳述されているが、本明細書においても、位置ずれ検出の手法の概略について述べておく。
[Description of substrate transfer mechanism (transfer arm)]
The main technique of the present embodiment is that, as will be described with reference to FIG. 11 and the subsequent drawings, after the transfer arm receives the wafer W, the defect of the transfer arm is determined based on the positional deviation amount of the wafer W detected on the transfer arm. It is something to check. Before the explanation, it will be described how the transfer arm detects the positional deviation of the wafer W and corrects the positional deviation of the wafer W. The positional deviation detection of the wafer W is described in detail in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-64918. In this specification, an outline of the positional deviation detection method will be described.
先ず、搬送アームの構成について図3中に示した搬送領域R3に設けられたメインアームA3を例に説明する。図4はメインアームA3と、メインアームA3によりウエハWが受け渡される処理モジュール群の斜視図を示しており、図5は、メインアームA3を示す。図4から図6に示すように、メインアームA3は、2枚のフォーク3(3A、3B)、基台31、回転機構32、進退機構33A、33B、昇降台34、基板位置検出部5(5A〜5D)を有する。なお、図3、図4では基板位置検出部5の表示を省略している。   First, the structure of the transfer arm will be described by taking the main arm A3 provided in the transfer region R3 shown in FIG. 3 as an example. 4 shows a perspective view of the main arm A3 and a processing module group to which the wafer W is transferred by the main arm A3. FIG. 5 shows the main arm A3. As shown in FIGS. 4 to 6, the main arm A3 includes two forks 3 (3A, 3B), a base 31, a rotation mechanism 32, advance / retreat mechanisms 33A, 33B, a lift table 34, and a substrate position detector 5 ( 5A-5D). 3 and 4, the display of the substrate position detector 5 is omitted.
2枚のフォーク3A、3Bは、上下に重なるように設けられている。基台31は、回転機構32により、鉛直軸周りに回転自在に設けられている。また、フォーク3A、3Bは、各々、その基端側がそれぞれ進退機構33A、33Bに支持されており、進退機構33A、33Bにより、基台31から進退自在に設けられている。   The two forks 3A and 3B are provided so as to overlap each other. The base 31 is provided by a rotation mechanism 32 so as to be rotatable around the vertical axis. Further, the forks 3A and 3B are respectively supported at their proximal ends by advance / retreat mechanisms 33A and 33B, and are provided so as to be able to advance and retract from the base 31 by the advance / retreat mechanisms 33A and 33B.
なお、フォーク3(3A、3B)は、本発明における保持部に相当する。また、2枚のフォーク3A、3Bは、上下に重なるように設けられている例に限定されるものではなく、2枚のフォーク3A、3Bが水平方向に並んで設けられていてもよい。また、フォーク3は、1枚のみであってもよく、あるいは、3枚以上が上下に重なるように、又は水平方向に並んで設けられていてもよい。   The forks 3 (3A, 3B) correspond to the holding portion in the present invention. In addition, the two forks 3A and 3B are not limited to the example provided so as to overlap each other, and the two forks 3A and 3B may be provided side by side in the horizontal direction. Further, the fork 3 may be only one, or three or more forks 3 may be provided so as to overlap each other in the vertical direction or arranged in the horizontal direction.
進退機構33A、33Bは、基台31内部に設けられた駆動機構であるモータにタイミングベルト等の伝達機構を用いて連結されており、基台31から進退自在に設けられたフォーク3A、3Bを進退駆動する。伝達機構としては、ボールネジ機構やタイミングベルトを用いた機構等、周知の構成を用いることができる。モータは、エンコーダに接続され、エンコーダのパルス数に応じて、後述の制御部90によりフォーク3A、3Bの位置が制御される。   The advance / retreat mechanisms 33A, 33B are connected to a motor, which is a drive mechanism provided inside the base 31, using a transmission mechanism such as a timing belt, and the forks 3A, 3B provided so as to be able to advance and retract from the base 31 are connected to the motors. Drive forward and backward. As the transmission mechanism, a known configuration such as a ball screw mechanism or a mechanism using a timing belt can be used. The motor is connected to the encoder, and the positions of the forks 3A and 3B are controlled by the control unit 90 described later according to the number of pulses of the encoder.
昇降台34は、図4に示すように、回転機構32の下方側に設けられ、上下方向(図4中Z軸方向)に直線状に延びる図示しないZ軸ガイドレールに沿って、昇降機構により昇降自在に設けられている。昇降機構としては、ボールネジ機構やタイミングベルトを用いた機構等、周知の構成を用いることができる。この例ではZ軸ガイドレール及び昇降機構は夫々カバー体35により覆われており、カバー体35は、搬送領域R3の伸長方向であるY軸方向に直線状に伸びるY軸ガイドレール36に沿って摺動移動する。このカバー体35を移動させる移動機構については、例えばモータと、当該モータの動力をカバー体に伝達するタイミングベルトと、により構成されている。当該モータについても、エンコーダに接続されており、エンコーダのパルス数に基づいて、後述の制御部90によりフォーク3A、3BのY方向における位置が特定される。   As shown in FIG. 4, the lifting platform 34 is provided on the lower side of the rotating mechanism 32, and is lifted by a lifting mechanism along a Z-axis guide rail (not shown) extending linearly in the vertical direction (Z-axis direction in FIG. 4). It can be moved up and down. As the elevating mechanism, a known configuration such as a ball screw mechanism or a mechanism using a timing belt can be used. In this example, the Z-axis guide rail and the elevating mechanism are each covered by a cover body 35, and the cover body 35 extends along a Y-axis guide rail 36 that extends linearly in the Y-axis direction that is the extension direction of the transport region R3. Slide and move. The moving mechanism that moves the cover body 35 includes, for example, a motor and a timing belt that transmits the power of the motor to the cover body. The motor is also connected to the encoder, and the position of the forks 3A and 3B in the Y direction is specified by the control unit 90 described later based on the number of pulses of the encoder.
次に、図5から図7を参照し、フォーク3についてさらに説明すると共に、基板位置検出部5についても説明する。図7は、フォーク3Aを拡大して示す平面図である。図7では、図示を容易にするため、フォーク3Aに対し、保持爪4(4A〜4D)を少し拡大して示している。図5から図7に示すように、フォーク3A、3Bは、基部から2又に分かれた先端部が円弧状に延出されるように構成され、搬送するウエハWの周囲を囲む。また、フォーク3A、3Bには、各々保持爪4が形成されている。保持爪4は、フォーク3A、3Bの内縁から各々内側に突出するとともに、内縁に沿って互いに間隔を隔てて設けられており、ウエハWの周縁部が載置されることによって当該ウエハWを保持する。保持爪4は3個以上が設けられ、図5〜図7の例では、4個の保持爪4A、4B、4C、4Dが設けられている。   Next, the fork 3 will be further described with reference to FIGS. 5 to 7, and the substrate position detection unit 5 will also be described. FIG. 7 is an enlarged plan view showing the fork 3A. In FIG. 7, the holding claws 4 (4A to 4D) are shown slightly enlarged with respect to the fork 3A for easy illustration. As shown in FIGS. 5 to 7, the forks 3 </ b> A and 3 </ b> B are configured such that the tip portion divided into two from the base portion extends in an arc shape and surrounds the periphery of the wafer W to be transferred. Further, holding claws 4 are formed on the forks 3A and 3B, respectively. The holding claws 4 protrude inward from the inner edges of the forks 3 </ b> A and 3 </ b> B and are spaced from each other along the inner edges, and hold the wafer W by placing the peripheral edge of the wafer W. To do. Three or more holding claws 4 are provided, and four holding claws 4A, 4B, 4C, and 4D are provided in the examples of FIGS.
保持爪4A〜4Dの各々には、真空吸着部41A〜41Dが設けられている。真空吸着部41A〜41Dは、保持爪4A〜4Dに設けられた吸着孔42A〜42Dを有している。図6(a)中43A、43Bは、フォーク3A、3Bに設けられた真空配管43A、43Bであり、当該真空配管43A、43Bを介して吸着孔42A〜42Dは、図示しない真空排気部に接続されている。このような構成により、真空吸着部41A〜41Dは、ウエハWの周縁部を真空吸着することができる。なお、後述の基板搬送機構の不具合の検出を行うためには、フォーク3に保持されたウエハWの位置のずれ量を検出できればよいため、当該フォーク3は、単にウエハWを載置する構造であってもよく、必ずしも真空吸着部を有する必要はない。   Each of the holding claws 4A to 4D is provided with vacuum suction portions 41A to 41D. The vacuum suction parts 41A to 41D have suction holes 42A to 42D provided in the holding claws 4A to 4D. In FIG. 6A, 43A and 43B are vacuum pipes 43A and 43B provided on the forks 3A and 3B, and the suction holes 42A to 42D are connected to a vacuum exhaust unit (not shown) via the vacuum pipes 43A and 43B. Has been. With such a configuration, the vacuum suction portions 41 </ b> A to 41 </ b> D can vacuum suction the peripheral portion of the wafer W. Note that in order to detect a defect in the substrate transfer mechanism described later, it is only necessary to detect the amount of displacement of the position of the wafer W held on the fork 3, and therefore the fork 3 simply has a structure for placing the wafer W thereon. There may be, and it does not necessarily need to have a vacuum suction part.
また、基板位置検出部5(5A〜5D)は、図5から図7に示すように4個設けられている。基板位置検出部5(5A〜5D)は、フォーク3A、3Bが後退したときにフォーク3A、3Bに保持されているウエハWの周縁部と平面視において重なり、且つ当該ウエハWの外周に沿って互いに間隔を隔てて設けられている。基板位置検出部5(5A〜5D)は、互いに対となる光源51(51A〜51D)と、例えば複数の受光素子が配列してなる受光部52と、により構成されている。光源51は例えばLED(Light Emitting Diode)により構成される。受光部52は、例えば上記の受光素子としてCCDを備え、リニアイメージセンサとして構成される。   Further, four substrate position detectors 5 (5A to 5D) are provided as shown in FIGS. The substrate position detection unit 5 (5A to 5D) overlaps with the peripheral edge of the wafer W held on the forks 3A and 3B in plan view when the forks 3A and 3B are retracted, and extends along the outer periphery of the wafer W. They are spaced from each other. The substrate position detection unit 5 (5A to 5D) includes a light source 51 (51A to 51D) that is paired with each other and a light receiving unit 52 in which a plurality of light receiving elements are arranged, for example. The light source 51 is configured by, for example, an LED (Light Emitting Diode). The light receiving unit 52 includes, for example, a CCD as the light receiving element, and is configured as a linear image sensor.
光源51はフォーク3A、3Bの下方に位置するように基台31に取り付けられ、受光部52が、支持部材53を介してフォーク3A、3Bの上方に位置するように基台31に取り付けられている。このように取り付けられることで、光源51(51A〜51D)と受光部52(52A〜52D)とは、後退しているフォーク3A、3Bが保持している各ウエハWを上下に挟む。   The light source 51 is attached to the base 31 so as to be positioned below the forks 3A, 3B, and the light receiving portion 52 is attached to the base 31 via the support member 53 so as to be positioned above the forks 3A, 3B. Yes. By being attached in this way, the light source 51 (51A to 51D) and the light receiving unit 52 (52A to 52D) sandwich the wafers W held by the retracted forks 3A and 3B vertically.
フォーク3A、3Bのうち、例えばフォーク3BはモジュールへのウエハWの搬送用のフォーク、フォーク3AはモジュールからのウエハWの受け取り用のフォークとして夫々用いられる。そして、フォーク3Aが受け取ったウエハWを保持し、且つ基台31を後退した状態で、光源51により下方から上方に向けて光が発光され、発光した光がフォーク3Aの上方に設けられている受光部52により受光される。この受光によって、受光部52を構成する各画素である各CCDから後述の制御部90に出力信号(位置検出データとする)が送信される。この位置検出データに基づいて、後述の制御部90は、受光した画素と受光しない画素との境界の位置を決定し、決定した境界の位置に基づいて、ウエハWの周縁部の位置を計測する。   Of the forks 3A, 3B, for example, the fork 3B is used as a fork for transferring the wafer W to the module, and the fork 3A is used as a fork for receiving the wafer W from the module. Then, with the wafer W received by the fork 3A and with the base 31 retracted, light is emitted from below to above by the light source 51, and the emitted light is provided above the fork 3A. Light is received by the light receiving unit 52. By this light reception, an output signal (referred to as position detection data) is transmitted from each CCD that is each pixel constituting the light receiving unit 52 to the control unit 90 described later. Based on the position detection data, the control unit 90 described later determines the position of the boundary between the received light pixel and the pixel that does not receive light, and measures the position of the peripheral edge of the wafer W based on the determined position of the boundary. .
制御部90は、計測したウエハWの周縁部の位置から、フォーク3Aにおける本来のウエハWの保持位置(基準保持位置とする)に対する実際にウエハWが保持された位置のずれ量を算出することができる。以下、このずれ量の算出方法について述べる。図8に示すように、4個の受光部52A〜52Dの延在する方向とY軸とのなす角をθ1、θ2、θ3、θ4とする。図8に示すように、基準保持位置における受光部52上のウエハWの周縁部の位置を、それぞれa点、b点、c点、d点とする。また、フォーク3Aに保持されているウエハWがずれているときの位置をずれ位置とし、ずれ位置における受光部52上のウエハWの周縁部の位置を、それぞれa´点、b´点、c´点、d´点とする。   The control unit 90 calculates a deviation amount of the position where the wafer W is actually held with respect to the original holding position of the wafer W (referred to as a reference holding position) on the fork 3A from the measured position of the peripheral edge of the wafer W. Can do. Hereinafter, a method of calculating the deviation amount will be described. As shown in FIG. 8, the angles formed by the extending directions of the four light receiving portions 52A to 52D and the Y axis are θ1, θ2, θ3, and θ4. As shown in FIG. 8, the positions of the peripheral edge of the wafer W on the light receiving unit 52 at the reference holding position are a point, b point, c point, and d point, respectively. Further, the position when the wafer W held on the fork 3A is displaced is defined as a displacement position, and the positions of the peripheral edge of the wafer W on the light receiving unit 52 at the displacement position are a ′ point, b ′ point, and c, respectively. Let '′, d ′.
各受光部52における、a点、b点、c点、d点とa´点、b´点、c´点、d´点との距離をΔa、Δb、Δc、Δdとする。このとき、Δa、Δb、Δc、Δdは、
Δa[mm]={(a'点の画素数)−(a点の画素数)}×画素間隔[mm] (1)
Δb[mm]={(b'点の画素数)−(b点の画素数)}×画素間隔[mm] (2)
Δc[mm]={(c'点の画素数)−(c点の画素数)}×画素間隔[mm] (3)
Δd[mm]={(d'点の画素数)−(d点の画素数)}×画素間隔[mm] (4)
なお、a点の画素数とは、受光部52のウエハWの中心側における始点からa点までにおける画素の数を意味する。
The distances between the points a, b, c, d and the points a ′, b ′, c ′, d ′ in each light receiving part 52 are denoted by Δa, Δb, Δc, Δd. At this time, Δa, Δb, Δc, Δd are
Δa [mm] = {(number of pixels at point a ′) − (number of pixels at point a)} × pixel interval [mm] (1)
Δb [mm] = {(number of pixels at point b ′) − (number of pixels at point b)} × pixel interval [mm] (2)
Δc [mm] = {(number of pixels at point c ′) − (number of pixels at point c)} × pixel interval [mm] (3)
Δd [mm] = {(number of pixels at point d ′) − (number of pixels at point d)} × pixel interval [mm] (4)
Note that the number of pixels at point a means the number of pixels from the start point to point a on the center side of the wafer W of the light receiving unit 52.
すると、a点〜d点、a´点〜d´点の座標は、次のように表される。
a点 (X1,Y1)=(X−Rsinθ1,Y−Rcosθ1) (5) a'点 (X1',Y1')=(X1−Δasinθ1,Y1−Δacosθ1)
=(X−(R+Δa)sinθ1,Y−(R+Δa)cosθ1) (6) b点 (X2,Y2)=(X−Rsinθ2,Y+Rcosθ2) (7) b'点 (X2',Y2')=(X2−Δbsinθ2,Y2+Δbcosθ2)
=(X−(R+Δb)sinθ2,Y+(R+Δb)cosθ2) (8) c点 (X3,Y3)=(X+Rsinθ3,Y+Rcosθ3) (9) c'点 (X3',Y3')=(X3+Δcsinθ3,Y3+Δccosθ3)
=(X+(R+Δc)sinθ3,Y+(R+Δc)cosθ3) (10) d点 (X4,Y4)=(X+Rsinθ4,Y−Rcosθ4) (11) d'点 (X4',Y4')=(X4+Δdsinθ4,Y4−Δdcosθ4)
=(X+(R+Δd)sinθ4,Y−(R+Δd)cosθ4) (12) 従って、式(6)、式(8)、式(10)、式(12)により、a´点(X1´,Y1´)、b´点(X2´,Y2´)、c´点(X3´,Y3´)、d´点(X4´,Y4´)の座標を求めることができる。
Then, the coordinates of the points a to d and the points a ′ to d ′ are expressed as follows.
Point a (X1, Y1) = (X−Rsin θ1, Y−Rcos θ1) (5) Point a ′ (X1 ′, Y1 ′) = (X1−Δasin θ1, Y1−Δacos θ1)
= (X− (R + Δa) sin θ1, Y− (R + Δa) cos θ1) (6) b point (X2, Y2) = (X−Rsin θ2, Y + Rcos θ2) (7) b ′ point (X2 ′, Y2 ′) = (X2 -Δbsinθ2, Y2 + Δbcosθ2)
= (X− (R + Δb) sin θ2, Y + (R + Δb) cos θ2) (8) c point (X3, Y3) = (X + Rsin θ3, Y + Rcos θ3) (9) c ′ point (X3 ′, Y3 ′) = (X3 + Δcsin θ3, Y3 + Δccos θ3)
= (X + (R + Δc) sin θ3, Y + (R + Δc) cos θ3) (10) d point (X4, Y4) = (X + Rsin θ4, Y−Rcos θ4) (11) d ′ point (X4 ′, Y4 ′) = (X4 + Δdsin θ4, Y4 −Δdcos θ4)
= (X + (R + Δd) sin θ4, Y− (R + Δd) cos θ4) (12) Therefore, according to the equations (6), (8), (10), and (12), the a ′ point (X1 ′, Y1 ′ ), B ′ point (X2 ′, Y2 ′), c ′ point (X3 ′, Y3 ′), and d ′ point (X4 ′, Y4 ′).
次に、a´点、b´点、c´点、d´点のうちいずれか3点からずれ位置におけるウエハWの中心位置o´の座標(X´、Y´)を算出する。
例えば、a´点(X1´,Y1´)、b´点(X2´,Y2´)、c´点(X3´,Y3´)の3点からずれ位置における中心位置o´の座標(X´、Y´)を算出する式は、下記式(13)
及び下記式(14)
に示される。
また、半径R´は、中心位置o´の座標(X´,Y´)とa´点(X1´,Y1´)、b´点(X2´,Y2´)、c´点(X3´,Y3´)の各座標より、下記式(15)
により求められる。
Next, the coordinates (X ′, Y ′) of the center position o ′ of the wafer W at the position shifted from any three of the points a ′, b ′, c ′, and d ′ are calculated.
For example, the coordinates (X ′) of the center position o ′ at the shifted position from the three points a ′ (X1 ′, Y1 ′), b ′ (X2 ′, Y2 ′), and c ′ (X3 ′, Y3 ′). , Y ′) is calculated using the following formula (13):
And the following formula (14)
Shown in
Further, the radius R ′ includes the coordinates (X ′, Y ′) of the center position o ′, the points a ′ (X1 ′, Y1 ′), the points b ′ (X2 ′, Y2 ′), the points c ′ (X3 ′, From each coordinate of Y3 '), the following formula (15)
Is required.
また、a´点、b´点、c´点、d´点のうち、前述した3点(a´点、b´点、c´点)と異なる3点の組み合わせ、例えば(a´点、b´点、d´点)、(a´点、c´点、d´点)、(b´点、c´点、d´点)を抽出し、その3点に対応して、中心位置o´の座標(X´、Y´)及び、半径R´を算出しておく。   Also, among the a ′ point, b ′ point, c ′ point, and d ′ point, a combination of three points different from the above-mentioned three points (a ′ point, b ′ point, c ′ point), for example, (a ′ point, b 'point, d' point), (a 'point, c' point, d 'point), (b' point, c 'point, d' point) are extracted, and the center position corresponding to the three points The coordinates (X ′, Y ′) of o ′ and the radius R ′ are calculated in advance.
次に、4個の受光部52A〜52DのいずれかがウエハWの周縁部における切欠きが設けられた部分(切欠部)WNを検出したか否かを判定する。そしてa´点、b´点、c´点、d´点のうち、いずれかの3点の組み合わせに対応して算出した中心位置o´の座標(X´、Y´)及び、半径R´について、判定を行う。   Next, it is determined whether any of the four light receiving parts 52A to 52D has detected a part (notch part) WN provided with a notch in the peripheral part of the wafer W. The coordinates (X ′, Y ′) of the center position o ′ calculated corresponding to the combination of any three of the points a ′, b ′, c ′, and d ′, and the radius R ′ The determination is made.
まず、いずれかの3点の組み合わせに対応する半径R´が、ウエハWの既知の半径であるRと略等しいかを判定する。図8に示すように、ウエハWのノッチ(切欠部)WNが、平面視において、a´点、b´点、c´点、d´点のいずれの近傍にもないときは、a´点、b´点、c´点、d´点のうち、いずれの3点の組み合わせに対応して算出した半径R´も半径Rと略等しくなる。このときは、4個の受光部52A〜52DのいずれもウエハWの切欠部WNを検出していないと判定される。このときは、4個の受光部52A〜52Dのうち、いずれの3個の受光部52の検出値を選択してもよい。   First, it is determined whether a radius R ′ corresponding to any combination of three points is substantially equal to R, which is a known radius of the wafer W. As shown in FIG. 8, when the notch (notch) WN of the wafer W is not near any of the points a ′, b ′, c ′, and d ′ in the plan view, the point a ′. , B ′ point, c ′ point, and d ′ point, the radius R ′ calculated corresponding to the combination of any three points is also substantially equal to the radius R. At this time, it is determined that none of the four light receiving parts 52A to 52D has detected the notch WN of the wafer W. At this time, the detection values of any three light receiving units 52 among the four light receiving units 52A to 52D may be selected.
一方、図9に示すように、ウエハWのノッチ(切欠部)WNが、平面視において、a´点、b´点、c´点、d´点のいずれかの近傍にあるときは、その近傍にある点を除いた3点の組み合わせに対応して算出した半径R´は半径Rと略等しくなる。しかし、その近傍にある点を含む3点の組み合わせに対応して算出した半径R´は、半径Rと異なる。このときは、4個の受光部52A〜52DのいずれかがウエハWの切欠部を検出したと判定される。図9に示す例では、ウエハWのノッチ(切欠部)WNが平面視においてb´点の近傍にある。このときは4個の受光部52A〜52Dのうち、ウエハWの切欠部WNを検出した受光部52以外の3個の受光部52の検出値を選択する。図9に示す例では、3個の受光部52A、52C、52Dの検出値を選択する。   On the other hand, as shown in FIG. 9, when the notch (notch) WN of the wafer W is in the vicinity of any of the points a ′, b ′, c ′, and d ′ in plan view, The radius R ′ calculated corresponding to the combination of the three points excluding the points in the vicinity is substantially equal to the radius R. However, the radius R ′ calculated corresponding to the combination of the three points including the points in the vicinity thereof is different from the radius R. At this time, it is determined that any one of the four light receiving portions 52A to 52D has detected the cutout portion of the wafer W. In the example shown in FIG. 9, the notch (notch) WN of the wafer W is in the vicinity of the point b ′ in plan view. At this time, among the four light receiving parts 52A to 52D, the detection values of the three light receiving parts 52 other than the light receiving part 52 that has detected the notch WN of the wafer W are selected. In the example shown in FIG. 9, the detection values of the three light receiving parts 52A, 52C, and 52D are selected.
次に、算出した中心位置o´の座標(X´、Y´)と、基準保持位置oにおけるウエハWの座標o(X、Y)との間のずれ量(ΔX、ΔY)を求める。ウエハWの切欠部WNを検出した受光部(図9に示す例では、52B)以外のリニアイメージセンサ(図9に示す例では、52A、52C、52D)の検出値に基づいて、ずれ量(ΔX、ΔY)を算出する。ずれ量(ΔX,ΔY)は、
ΔX[mm]=X´−X (16)
ΔY[mm]=Y´−Y (17)
により算出する。
Next, a deviation amount (ΔX, ΔY) between the calculated coordinates (X ′, Y ′) of the center position o ′ and the coordinates o (X, Y) of the wafer W at the reference holding position o is obtained. Based on the detection value of a linear image sensor (52A, 52C, 52D in the example shown in FIG. 9) other than the light receiving part (52B in the example shown in FIG. 9) that has detected the notch WN of the wafer W, the deviation amount ( ΔX, ΔY) is calculated. The deviation (ΔX, ΔY) is
ΔX [mm] = X′−X (16)
ΔY [mm] = Y′−Y (17)
Calculated by
このようにずれ量(ΔX、ΔY)が計算されると、メインアームA3が次のモジュールにウエハWを搬送するときには、このずれ量分、次のモジュールにウエハWを受け渡す際のフォーク3の位置が補正され、当該ウエハWが次のモジュールの予め設定された位置(基準載置位置)に載置されるように当該メインアームA3の動作が制御される。   When the deviation amounts (ΔX, ΔY) are calculated in this way, when the main arm A3 transports the wafer W to the next module, the deviation of the fork 3 when the wafer W is transferred to the next module by the deviation amount. The position is corrected, and the operation of the main arm A3 is controlled so that the wafer W is placed at a preset position (reference placement position) of the next module.
メインアームA3以外の基板搬送機構についても簡単に説明しておくと、メインアームA1、A2、A4〜A6は、メインアームA3と同様に構成されている。搬送アーム94〜97は、カバー35がY軸方向に移動しないことを除いてメインアームA3と同様に構成されている。搬送アーム93は、Y軸方向の代わりにY軸と直交するようにカバー35が横方向に移動することを除いてメインアームA3と同様に構成されている。各搬送アームでもメインアームA3と同様、上記のようにずれ量(ΔX、ΔY)に応じて、モジュールへのウエハWの搬送が制御される。また、前段の搬送アームでこのようなずれ量が計算されると、当該前段の搬送アームにより一のモジュールにウエハWが受け渡された後、後段の搬送アームが一のモジュールからウエハWを受け取る際には、このずれ量分、後段の搬送アームのフォーク3が受け取りを行う位置が補正され、当該フォーク3の基準保持位置にウエハWが保持されるように、後段の搬送アームの動作が制御される。この搬送の具体例については後述する。以上のずれ量の演算及びそれに基づいた各搬送アームの動作の制御は、制御部90により行われる   Briefly describing the substrate transfer mechanism other than the main arm A3, the main arms A1, A2, A4 to A6 are configured in the same manner as the main arm A3. The transport arms 94 to 97 are configured in the same manner as the main arm A3 except that the cover 35 does not move in the Y-axis direction. The transport arm 93 is configured in the same manner as the main arm A3 except that the cover 35 moves laterally so as to be orthogonal to the Y axis instead of the Y axis direction. In each transfer arm, similarly to the main arm A3, the transfer of the wafer W to the module is controlled according to the shift amount (ΔX, ΔY) as described above. Further, when such a deviation amount is calculated by the preceding transfer arm, after the wafer W is transferred to one module by the preceding transfer arm, the subsequent transfer arm receives the wafer W from the one module. At this time, the position at which the fork 3 of the subsequent transfer arm receives is corrected by this amount of deviation, and the operation of the subsequent transfer arm is controlled so that the wafer W is held at the reference holding position of the fork 3. Is done. A specific example of this conveyance will be described later. The above-described calculation of the deviation amount and the control of the operation of each transfer arm based on the calculation are performed by the control unit 90.
ところで、既述のように、各搬送アームによりウエハWが受け渡される受け渡しモジュールTRSの一例を図10に示しておく。受け渡しモジュールTRSは、ウエハWが載置される円形のプレート98を備え、このプレート98には、既述の各搬送アームのフォーク3の保持爪4に対応する切り欠き99が形成されている。フォーク3が基台31を前進した状態で昇降するときに、保持爪4は切り欠き99を通過することによって、プレート98とフォーク3との間でウエハWの受け渡しが行われる。なお、この受け渡しモジュールTRSは、載置されたウエハWを温度調整するための液体の流路がプレート98に形成されることで、温調モジュールSCPLとして構成される場合があるが、図1〜図3では説明の複雑化を防ぐために、受け渡しモジュールTRSと温調モジュールSCPLとを区別せずに示している。また、受け渡しモジュールTRSはウエハWを一時的に載置できればよいため、プレート98の代わりに先端にウエハWが載置される垂直な3本のピンを備えるように構成されてもよい。   Incidentally, as described above, an example of the transfer module TRS in which the wafer W is transferred by each transfer arm is shown in FIG. The delivery module TRS includes a circular plate 98 on which the wafer W is placed. The plate 98 has a notch 99 corresponding to the holding claw 4 of the fork 3 of each transfer arm described above. When the fork 3 moves up and down with the base 31 advanced, the holding claw 4 passes through the notch 99, whereby the wafer W is transferred between the plate 98 and the fork 3. The delivery module TRS may be configured as a temperature control module SCPL by forming a liquid flow path for adjusting the temperature of the mounted wafer W in the plate 98. In FIG. 3, the delivery module TRS and the temperature control module SCPL are shown without distinction in order to prevent the explanation from becoming complicated. Further, since the transfer module TRS only needs to be able to temporarily place the wafer W, the delivery module TRS may be configured to include three vertical pins on which the wafer W is placed instead of the plate 98.
[基板搬送機構(搬送アーム)の不具合の検出]
続いて、塗布、現像装置1に設けられる制御部90について説明する。制御部90はコンピュータであり、プログラムを備えている。プログラムは既述のウエハWの搬送及び各モジュールにおけるウエハWの処理と、後述する搬送アームの不具合の検出と、が行えるように塗布、現像装置1の各部に制御信号を送信する。このプログラムは、コンピュータの記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、MO(光磁気ディスク)及びメモリーカードなどの記憶媒体に格納されて制御部90にインストールされる。
[Detection of defects in substrate transfer mechanism (transfer arm)]
Next, the control unit 90 provided in the coating and developing apparatus 1 will be described. The control unit 90 is a computer and includes a program. The program transmits a control signal to each part of the coating and developing apparatus 1 so that the transfer of the wafer W and the processing of the wafer W in each module as described above and the detection of a defect of the transfer arm described later can be performed. The program is stored in a storage medium such as a flexible disk, a compact disk, a hard disk, an MO (magneto-optical disk), and a memory card, and installed in the control unit 90.
搬送アームの不具合の一例について示しておくと、既述のメインアームA1〜A6のカバー体35をY軸方向に移動させるためのベルトが延びたり、当該ベルトの張力の低下が起きたりした場合に、実際のカバー体35の位置が、例えば設定上のカバー体35の位置に対してY軸方向の一方側に次第にずれていく。このカバー体35の位置ずれによって、メインアームA1〜A6のフォーク3について、実際の位置が設定上の位置からY軸方向の一方側に次第にずれていくことになる。このようなY軸方向におけるフォーク3の位置ずれを、上記のプログラムは不具合として監視することができる。   An example of the trouble of the transfer arm will be described when a belt for moving the cover body 35 of the main arms A1 to A6 described above in the Y-axis direction is extended or the tension of the belt is lowered. For example, the actual position of the cover body 35 gradually shifts to one side in the Y-axis direction with respect to the position of the cover body 35 on the setting. Due to the positional shift of the cover body 35, the actual position of the forks 3 of the main arms A1 to A6 gradually shifts from the set position to one side in the Y-axis direction. The above program can monitor such a displacement of the fork 3 in the Y-axis direction as a malfunction.
このメインアームA1〜A6の不具合の検出は、当該メインアームA1〜A6、既述の搬送フローにおいてメインアームA1〜A6の次にウエハWの受け渡しを行う搬送アーム、及び当該搬送フローにおいてさらにその次にウエハWが受け渡しを行う搬送アームの各基板位置検出部5から制御部90に送信される基板位置検出データに基づいて行われる。具体的に、メインアームA3の不具合の検出については、当該メインアームA3、搬送アーム95、97の基板位置検出データに基づいて行われる。図11の模式図に示すように、上記のプログラムは、これらの基板位置検出データに基づいて位置ずれを監視するための位置ずれデータ収集部71、位置ずれ量演算部72、位置合わせ指示部73、相関データ作成部74、及び不具合判定部75を含んでいる。   The failure detection of the main arms A1 to A6 is performed by detecting the main arms A1 to A6, the transfer arm that delivers the wafer W next to the main arms A1 to A6 in the transfer flow described above, and further in the transfer flow. The wafer W is transferred based on the substrate position detection data transmitted from the substrate position detection unit 5 of the transfer arm to which the wafer W is transferred to the control unit 90. Specifically, the detection of the malfunction of the main arm A3 is performed based on the substrate position detection data of the main arm A3 and the transfer arms 95 and 97. As shown in the schematic diagram of FIG. 11, the program described above includes a misregistration data collection unit 71, a misregistration amount calculation unit 72, and an alignment instruction unit 73 for monitoring misregistration based on these substrate position detection data. , A correlation data creation unit 74 and a defect determination unit 75 are included.
ここで、上記のプログラムを構成する各部の役割について説明するために、メインアームA3のフォーク3がY軸方向に位置ずれした場合において、メインアームA3及び搬送アーム95の受け渡し先の各モジュールにおけるウエハWの載置状態、及びメインアームA3、搬送アーム95、97におけるウエハWの保持状態を、図12の模式図を参照して説明する。各モジュール間でのウエハWの搬送は既述の搬送フローに従って行われるものとし、各モジュールにおいてウエハWが本来載置されるように設定された位置を基準載置位置として説明する。また、上記のY軸方向についてキャリアブロックB1側を−側、露光ステーションB4側を+側とし、ここではメインアームA3のフォーク3は+Y軸方向に位置ずれしているものとする。さらに、ここではメインアームA3以外の基板搬送機構について位置ずれは起きていないものとする。なお図示の便宜上、この図12と上記の図11とでは、搬送アーム95、97のフォーク3の形状を図3に示す形状とは異なる形状に示している。   Here, in order to explain the role of each part constituting the above program, when the fork 3 of the main arm A3 is displaced in the Y-axis direction, the wafer in each module to which the main arm A3 and the transfer arm 95 are transferred The mounting state of W and the holding state of the wafer W in the main arm A3 and the transfer arms 95 and 97 will be described with reference to the schematic diagram of FIG. It is assumed that the transfer of the wafer W between the modules is performed according to the transfer flow described above, and a position where the wafer W is originally set in each module will be described as a reference mounting position. Further, in the Y-axis direction, it is assumed that the carrier block B1 side is the negative side and the exposure station B4 side is the positive side, and here the fork 3 of the main arm A3 is displaced in the + Y-axis direction. Furthermore, it is assumed here that no positional deviation has occurred in the substrate transport mechanism other than the main arm A3. For convenience of illustration, in FIG. 12 and FIG. 11 described above, the shape of the forks 3 of the transfer arms 95 and 97 is different from the shape shown in FIG.
図12に示すように、搬送アーム94のフォーク3の基準保持位置に保持されたウエハWが棚ユニットU7の受け渡しモジュールTRS3に搬送されて基準載置位置に載置される。上記のようにメインアームA3のフォーク3が+Y方向へ位置ずれしていることにより、このずれ分、本来ウエハWを受け取る位置よりも+Y方向寄りの位置で、当該メインアームA3のフォーク3が受け渡しモジュールTRS3からウエハWを受け取る。それによって図に示すように、当該メインアームA3において基準保持位置よりもフォーク3の先端側にウエハWが保持される。図中、メインアームA3のフォーク3の基準保持位置に載置された場合のウエハWの中心をO1、位置ずれが起きていることで実際に保持されるウエハWの中心をP1として示している。   As shown in FIG. 12, the wafer W held at the reference holding position of the fork 3 of the transfer arm 94 is transferred to the delivery module TRS3 of the shelf unit U7 and mounted at the reference mounting position. Since the fork 3 of the main arm A3 is displaced in the + Y direction as described above, the fork 3 of the main arm A3 is delivered at a position closer to the + Y direction than the position where the wafer W is originally received. The wafer W is received from the module TRS3. As a result, as shown in the drawing, the wafer W is held on the front end side of the fork 3 from the reference holding position in the main arm A3. In the figure, the center of the wafer W when it is placed at the reference holding position of the fork 3 of the main arm A3 is shown as O1, and the center of the wafer W that is actually held by the positional deviation is shown as P1. .
図8、図9で説明したように、実際のウエハWの中心P1が設定上のウエハWの中心O1に対してずれていることについては、メインアームA3の基板位置検出部5により検出できるため、このずれが補償されるようにメインアームA3のフォーク3がレジスト塗布モジュール5へ前進し、ウエハWを受け渡す。ただし、上記のフォーク3の+Y方向への位置ずれによって、このずれ量に対応する分、レジスト塗布モジュール5の基準載置位置よりも+Y方向にずれた位置にウエハWが載置される。図中、レジスト塗布モジュール5の基準載置位置に載置された場合のウエハWの中心をO2、位置ずれが起きていることで実際にレジスト塗布モジュール5に載置されるウエハWの中心をP2として示している。   As described with reference to FIGS. 8 and 9, the fact that the center P1 of the actual wafer W is shifted from the center O1 of the set wafer W can be detected by the substrate position detection unit 5 of the main arm A3. Then, the fork 3 of the main arm A3 advances to the resist coating module 5 so as to compensate for this deviation, and delivers the wafer W. However, due to the positional deviation of the fork 3 in the + Y direction, the wafer W is placed at a position shifted in the + Y direction from the reference placement position of the resist coating module 5 by an amount corresponding to the deviation amount. In the figure, the center of the wafer W when it is placed at the reference placement position of the resist coating module 5 is O2, and the center of the wafer W that is actually placed on the resist coating module 5 due to the positional deviation has occurred. Shown as P2.
このレジスト塗布モジュール5からメインアームA3がウエハWを受け取るときには、レジスト塗布モジュール5の基準載置位置より+Y方向にずれて載置されたウエハWを、このずれ量に対応する分+Y方向に位置ずれしているフォーク3で受け取るため、当該フォーク3の基準保持位置にウエハWが保持される。図中、第3の単位ブロックD3の加熱−冷却モジュール6へのウエハWの受け渡しについては省略しているが、レジスト塗布モジュール5の受け渡しと同様である。即ち、メインアームA3のフォーク3の+Y方向への位置ずれ分、モジュールの基準載置位置より+Y方向にずれてウエハWが受け渡され、フォーク3がモジュールからウエハWを受け取るときには、当該フォーク3の基準保持位置にウエハWが保持される。 When the main arm A3 receives the wafer W from the resist coating module 5, the wafer W placed with a deviation in the + Y direction from the reference placement position of the resist coating module 5 is positioned in the + Y direction corresponding to the deviation amount. The wafer W is held at the reference holding position of the fork 3 because the fork 3 is displaced. In the drawing, the delivery of the wafer W to the heating-cooling module 6 of the third unit block D3 is omitted, but it is the same as the delivery of the resist coating module 5. That is, when the fork 3 receives the wafer W from the module when the fork 3 receives the wafer W from the module, the main arm A3 is shifted in the + Y direction from the reference mounting position of the module by the position shift of the fork 3 in the + Y direction. The wafer W is held at the reference holding position.
そして、棚ユニットU8の受け渡しモジュールTRS13へは、フォーク3が+Y方向へ位置ずれしている分だけ、基準載置位置よりも+Y方向側にずれるようにウエハWが受け渡される。図中、受け渡しモジュールTRS13の基準載置位置に載置されたときのウエハWの中心をO3、実際に受け渡しモジュールTRS13に載置されるウエハWの中心をP3として夫々示している。   Then, the wafer W is delivered to the delivery module TRS13 of the shelf unit U8 so that the fork 3 is displaced in the + Y direction so that the fork 3 is displaced in the + Y direction from the reference placement position. In the figure, the center of the wafer W when it is placed at the reference placement position of the delivery module TRS13 is shown as O3, and the center of the wafer W that is actually placed on the delivery module TRS13 is shown as P3.
そして、このように基準載置位置からずれて受け渡しモジュールTRS13に載置されたことで、当該受け渡しモジュールTRS13からウエハWを受け取る搬送アーム95のフォーク3には、上記の中心O3と中心P3とのずれ量の分、基準保持位置よりも+Y方向にずれてウエハWが保持される。図中O4、P4は、搬送アーム95のフォーク3の基準保持位置に載置された場合のウエハWの中心、実際に搬送アーム95のフォーク3に載置されたウエハWの中心を夫々示している。この中心O4に対する中心P4のずれは、搬送アーム95の基板位置検出部5により検出されるので、搬送アーム95が受け渡しモジュールTRS20にウエハWを受け渡すときには、このずれに対応する分、搬送アーム95の基台31上におけるフォーク3の前進量と搬送アーム95の回転機構32による当該フォーク3の前進する方向とが調整されることで、受け渡しモジュールTRS20の基準載置位置にウエハWが受け渡される。   The fork 3 of the transfer arm 95 that receives the wafer W from the delivery module TRS13 is placed on the fork 3 of the center O3 and the center P3 by being shifted from the reference placement position and placed on the delivery module TRS13. The wafer W is held by being shifted in the + Y direction from the reference holding position by the amount of deviation. In the figure, O4 and P4 indicate the center of the wafer W when placed on the reference holding position of the fork 3 of the transfer arm 95, and the center of the wafer W actually placed on the fork 3 of the transfer arm 95, respectively. Yes. The shift of the center P4 with respect to the center O4 is detected by the substrate position detection unit 5 of the transfer arm 95. Therefore, when the transfer arm 95 delivers the wafer W to the transfer module TRS20, the transfer arm 95 corresponds to this shift. By adjusting the amount of advance of the fork 3 on the base 31 and the direction of advance of the fork 3 by the rotation mechanism 32 of the transfer arm 95, the wafer W is delivered to the reference placement position of the delivery module TRS20. .
そして、この受け渡しモジュールTRS20からウエハWを受け取る搬送アーム97のフォーク3は、既述のように基準載置位置に載置されたウエハWを受け取り、当該フォーク3の基準保持位置にウエハWが保持される。従って、この搬送アーム97のフォーク3の基準保持位置に保持された場合のウエハWの中心をO5、実際に当該保持部に保持されたウエハWの中心をP5とすると、これら中心O5、P5が互いに一致することになる。   The fork 3 of the transfer arm 97 that receives the wafer W from the delivery module TRS20 receives the wafer W placed at the reference placement position as described above, and the wafer W is held at the reference holding position of the fork 3. Is done. Accordingly, when the center of the wafer W when held at the reference holding position of the fork 3 of the transfer arm 97 is O5 and the center of the wafer W actually held by the holding unit is P5, the centers O5 and P5 are It will match each other.
メインアームA3のフォーク3について、+Y方向に位置ずれが起きた例を説明したが、−Y軸方向に位置ずれが起きた場合には上記の例で+Y方向にずれて保持または載置されるものとして説明したウエハWが、−Y方向にずれて保持または載置されることになる。このようにメインアームA3のフォーク3についてY方向への位置ずれが起きると、このずれ量に応じて、メインアームA3及び搬送アーム95による受け渡し先のモジュールで、ウエハWは基準載置位置からずれて載置されると共に、搬送アーム95のフォーク3では基準保持位置からずれて保持される。そして、搬送アーム97のフォーク3に保持される際には、メインアームA3のフォーク3の位置ずれの影響が解消され、当該搬送アーム97のフォーク3の基準保持位置にウエハWが保持される。上記のプログラムは、このような各部でのウエハWの位置ずれの関係を用いて、メインアームA3のフォーク3の位置ずれを検出する。   The example in which the fork 3 of the main arm A3 is displaced in the + Y direction has been described. However, when the displacement occurs in the -Y axis direction, the fork 3 is held or placed in the + Y direction in the above example. The wafer W described as being is held or placed while being shifted in the −Y direction. When the main arm A3 is displaced in the Y direction with respect to the fork 3 in this way, the wafer W is displaced from the reference mounting position in the transfer destination module by the main arm A3 and the transfer arm 95 according to the amount of displacement. The fork 3 of the transfer arm 95 is held out of the reference holding position. When the fork 3 of the transfer arm 97 is held, the influence of the position shift of the fork 3 of the main arm A 3 is eliminated, and the wafer W is held at the reference holding position of the fork 3 of the transfer arm 97. The above program detects the positional deviation of the fork 3 of the main arm A3 using the positional deviation relationship of the wafer W in each part.
図11に戻って、制御部90のプログラムを構成する各部について改めて説明する。位置ずれデータ収集部71は、メインアームA3、搬送アーム95、97の基板位置検出部5から夫々位置検出データを取得する。位置ずれ量演算部72は、位置ずれデータ収集部71によって、取得された位置検出データに基づいて、図8、図9で説明したフォーク3上のウエハWの位置ずれ(ΔX、ΔY)を算出する。   Returning to FIG. 11, each part constituting the program of the control unit 90 will be described again. The positional deviation data collection unit 71 acquires position detection data from the substrate position detection unit 5 of the main arm A3 and the transfer arms 95 and 97, respectively. The positional deviation amount calculation unit 72 calculates the positional deviation (ΔX, ΔY) of the wafer W on the fork 3 described with reference to FIGS. 8 and 9 based on the position detection data acquired by the positional deviation data collection unit 71. To do.
ところで、メインアームA3が受け渡しモジュールTRS3からウエハWを受け取ったときの位置ずれΔXは、図12で説明した基準保持位置のウエハWの中心O1と実際のウエハWの中心P1とのずれ量(メインアームA3の受け取り位置ずれ量とする)である。搬送アーム95が受け渡しモジュールTRS13からウエハWを受け取ったときの位置ずれΔYは、図12で説明した基準保持位置のウエハWの中心O4と実際のウエハWの中心P4とのずれ量(搬送アーム95の受け取り位置ずれ量とする)である。搬送アーム97が、受け渡しモジュールTRS20からウエハWを受け取ったときの位置ずれΔYは、図12で説明した基準保持位置のウエハWの中心O5と実際のウエハWの中心P5とのずれ量(搬送アーム95の受け取り位置ずれ量とする)である。つまり、位置ずれ量演算部72は、これらの搬送アームの受け取り位置ずれ量を算出する。   By the way, the positional deviation ΔX when the main arm A3 receives the wafer W from the delivery module TRS3 is a deviation amount between the center O1 of the wafer W at the reference holding position and the actual center P1 of the wafer W described in FIG. The receiving position deviation amount of the arm A3). The positional deviation ΔY when the transfer arm 95 receives the wafer W from the transfer module TRS13 is the amount of deviation between the center O4 of the wafer W at the reference holding position and the actual center P4 of the wafer W described with reference to FIG. Of receiving position deviation). The positional deviation ΔY when the transfer arm 97 receives the wafer W from the delivery module TRS20 is the amount of deviation between the center O5 of the wafer W at the reference holding position and the actual center P5 of the wafer W described in FIG. 95). That is, the positional deviation amount calculation unit 72 calculates the reception positional deviation amount of these transfer arms.
位置合わせ指示部73は、位置ずれ演算部72によって算出されたフォーク3上のウエハWの位置ずれ(ΔX、ΔY)に基づいて、既述したように、ウエハWがフォーク3の基準保持位置、各モジュールの基準載置位置に夫々受け渡されるように、各搬送アームの動作を制御する。   Based on the positional deviation (ΔX, ΔY) of the wafer W on the fork 3 calculated by the positional deviation computing unit 72, the alignment instruction unit 73, as described above, the wafer W is in the reference holding position of the fork 3, The operation of each transfer arm is controlled so as to be transferred to the reference placement position of each module.
相関データ作成部74は、位置ずれ演算部72によって算出されたメインアームA3、搬送アーム95、搬送アーム97についての受け取り位置ずれ量について、夫々予め設定された期間、例えば1週間に取得された平均値を算出し、この平均値を時系列で並べて、当該平均値の推移を示す時系列データを作成する。図13のグラフは、メインアームA3についての受け取り位置ずれ量の時系列データの一例を示している。グラフにおいて、縦軸はメインアームA3の受け取り位置ずれ量の平均値(単位:mm)を示しており、横軸はメインアームA3のフォーク3の位置ずれの検出を開始した基準時刻から経過した週を示している。図示は省略するが、搬送アーム95、97についてもメインアームA3と同様に、受け取り位置の平均値の推移についての時系列データが作成される。なお、メインアームA3の受け取り位置ずれ量は、第1の基板の受け取り位置ずれ量、搬送アーム95の受け取り位置ずれ量は、第2の基板の受け取り位置ずれ量、搬送アーム97の受け取り位置ずれ量は第3の基板の受け取り位置ずれ量に夫々相当する。   The correlation data creation unit 74 calculates an average obtained for a predetermined period, for example, one week, with respect to the received positional deviation amounts for the main arm A3, the conveyance arm 95, and the conveyance arm 97 calculated by the positional deviation calculation unit 72. A value is calculated, the average values are arranged in time series, and time series data indicating the transition of the average value is created. The graph of FIG. 13 shows an example of time-series data of the receiving position deviation amount for the main arm A3. In the graph, the vertical axis represents the average value (unit: mm) of the receiving position deviation amount of the main arm A3, and the horizontal axis represents the week elapsed from the reference time when the detection of the positional deviation of the fork 3 of the main arm A3 was started. Is shown. Although illustration is omitted, time series data on the transition of the average value of the receiving positions is created for the transfer arms 95 and 97 as well as the main arm A3. The receiving position shift amount of the main arm A3 is the receiving position shift amount of the first substrate, the receiving position shift amount of the transfer arm 95 is the receiving position shift amount of the second substrate, and the receiving position shift amount of the transfer arm 97. Corresponds to the receiving position shift amount of the third substrate.
また、相関データ作成部74は、そのように作成した時系列データを用いて、図14、図15に示すようなメインアームA3の受け取り位置ずれ量と搬送アーム95の受け取り位置ずれ量との相関データ、搬送アーム95の受け取り位置ずれ量と搬送アーム97の受け取り位置ずれ量との相関データを夫々作成する。   Further, the correlation data creation unit 74 uses the time series data created in this way to correlate the reception position deviation amount of the main arm A3 and the reception position deviation amount of the transport arm 95 as shown in FIGS. Data and correlation data of the receiving position deviation amount of the transfer arm 95 and the receiving position deviation amount of the transfer arm 97 are respectively created.
図14のグラフの横軸(X軸)、縦軸(Y軸)は、夫々メインアームA3の受け取り位置ずれ量(単位:mm)、搬送アーム95の受け取り位置ずれ量(単位:mm)を夫々示している。グラフ中のプロットは、互いに同じ週に取得されたメインアームA3についての位置ずれ量の平均値及び搬送アーム95の位置ずれ量の平均値に従って付されている。相関データ作成部74は、このように付されたプロット群から、メインアームA3の受け取り位置ずれ量と搬送アーム95の受け取り位置ずれ量との相関係数を算出する。つまり、グラフ中のプロット群を一次関数として近似し、当該一次関数の傾きの大きさを算出する。   The horizontal axis (X axis) and the vertical axis (Y axis) of the graph of FIG. 14 respectively indicate the receiving position deviation amount (unit: mm) of the main arm A3 and the receiving position deviation amount (unit: mm) of the transfer arm 95, respectively. Show. The plots in the graph are attached according to the average value of the amount of positional deviation for the main arm A3 and the average value of the amount of positional deviation of the transfer arm 95 acquired in the same week. The correlation data creation unit 74 calculates a correlation coefficient between the reception position deviation amount of the main arm A3 and the reception position deviation amount of the transport arm 95 from the plot group attached in this way. That is, a plot group in the graph is approximated as a linear function, and the magnitude of the slope of the linear function is calculated.
また、図15のグラフの横軸(X軸)、縦軸(Y軸)は、夫々搬送アーム95の受け取り位置ずれ量(単位:mm)、搬送アーム97の受け取り位置ずれ量(単位:mm)である。グラフ中のプロットは、互いに同じ週に取得された搬送アーム95についての位置ずれ量の平均値及び搬送アーム97の位置ずれ量の平均値に従って付されている。相関データ作成部74は、このように付されたプロット群から、搬送アーム95の受け取り位置ずれ量と搬送アーム97の受け取り位置ずれ量との相関係数を算出する。つまり、図14のグラフと同じく、図15のプロット群を一次関数として近似したときの当該一次関数の傾きの大きさを算出する。また、不具合判定部75は、後述するメインアームA3の不具合の検出フロー中の各判定を行ったり、後述のタイマーのリセットやアラームの出力などを行う。   Further, the horizontal axis (X axis) and the vertical axis (Y axis) of the graph of FIG. 15 indicate the receiving position deviation amount (unit: mm) of the transfer arm 95 and the receiving position deviation amount (unit: mm) of the transfer arm 97, respectively. It is. The plots in the graph are attached according to the average value of the positional deviation amount and the average value of the positional deviation amount of the transfer arm 97 acquired for the transfer arm 95 acquired in the same week. The correlation data creation unit 74 calculates a correlation coefficient between the reception position deviation amount of the transfer arm 95 and the reception position deviation amount of the conveyance arm 97 from the plot group attached in this way. That is, as in the graph of FIG. 14, the magnitude of the slope of the linear function when the plot group of FIG. 15 is approximated as a linear function is calculated. In addition, the defect determination unit 75 performs each determination in a defect detection flow of the main arm A3 described later, resets a timer described later, outputs an alarm, and the like.
続いて、図16に示すメインアームA3の不具合の検出フローについて説明する。先ず、制御部90に設けられる図示しないタイマーがリセットされると共に、当該タイマーによる時間計測が開始される(ステップS1)。その一方で、既述したように塗布、現像装置における各搬送アームが動作し、既述した搬送フローに沿ってウエハWが搬送され、処理が行われる(ステップS2)。このように各搬送アームが動作することに並行して、既述したメインアームA3、搬送アーム95、97について、ウエハWの受け取り位置ずれ量が取得される。   Next, a detection flow for a malfunction of the main arm A3 shown in FIG. 16 will be described. First, a timer (not shown) provided in the control unit 90 is reset and time measurement by the timer is started (step S1). On the other hand, each transfer arm in the coating and developing apparatus operates as described above, and the wafer W is transferred along the transfer flow described above, and processing is performed (step S2). In parallel with the movement of the respective transfer arms in this manner, the receiving position deviation amount of the wafer W is acquired for the main arm A3 and the transfer arms 95 and 97 described above.
このようなウエハWの搬送及び処理と、受け取り位置ずれ量の取得とに並行して、上記のタイマーがリセットされてから1週間経過したか否かが判定され(ステップS3)、1週間経過していないと判定された場合は、引き続きステップS2以降の動作が行われる。ステップS3でタイマーのリセットから1週間経過したと判定された場合は、この1週間に取得されたメインアームA3の受け取り位置ずれ量の平均値、搬送アーム95の受け取り位置ずれ量の平均値、搬送アーム97の受け取り位置ずれ量の平均値、が夫々算出され、これらの新たに算出された各平均値によって図13で説明した各搬送アームのずれ量の時系列データが更新される(ステップS4)。そして、新たに算出されたメインアームA3の受け取り位置ずれ量の平均値と、検出フローを開始してから最初の一週間経過時に取得されたメインアームA3の受け取り位置ずれ量の平均値との差分が算出され、この差分値がしきい値を超えているか否か判定される(ステップS5)。しきい値を越えていないと判定された場合は、ステップS1以降のステップが実行される。   In parallel with the transfer and processing of the wafer W and the acquisition of the receiving position deviation amount, it is determined whether or not one week has passed since the timer was reset (step S3), and one week passed. If it is determined that it is not, the operation after step S2 is continued. If it is determined in step S3 that one week has elapsed since the timer was reset, the average value of the receiving position deviation amount of the main arm A3, the average value of the receiving position deviation amount of the transfer arm 95, and the conveyance value acquired in this week. The average value of the receiving position deviation amount of the arm 97 is calculated, and the time series data of the deviation amount of each transfer arm described with reference to FIG. 13 is updated by these newly calculated average values (step S4). . Then, the difference between the newly calculated average value of the receiving position deviation amount of the main arm A3 and the average value of the receiving position deviation amount of the main arm A3 acquired when the first week has elapsed since the start of the detection flow. Is calculated, and it is determined whether or not the difference value exceeds a threshold value (step S5). If it is determined that the threshold value is not exceeded, the steps after step S1 are executed.
ステップS5でしきい値を越えたと判定された場合、メインアームA3の受け取り位置ずれ量の平均値の時系列データと、搬送アーム95の受け取り位置ずれ量の平均値の時系列データとから、図14で説明した相関データが作成される。そして、この相関データから、メインアームA3の受け取り位置ずれ量と搬送アーム95の受け取り位置ずれ量との相関係数が算出され、この相関係数に基づいてメインアームA3の受け取り位置ずれ量と搬送アーム95の受け取り位置ずれ量との間に相関が有るか否かが判定される(ステップS6)。   If it is determined in step S5 that the threshold value has been exceeded, the time series data of the average value of the receiving position deviation of the main arm A3 and the time series data of the average value of the receiving position deviation of the transfer arm 95 are The correlation data described in 14 is created. Then, a correlation coefficient between the reception position deviation amount of the main arm A3 and the reception position deviation amount of the transfer arm 95 is calculated from the correlation data, and the reception position deviation amount of the main arm A3 and the transfer amount are calculated based on the correlation coefficient. It is determined whether or not there is a correlation with the receiving position shift amount of the arm 95 (step S6).
このステップS6では、例えば相関係数が0.7より小さい場合は相関が無いと判定され、そのように判定されると、ステップS1以降のステップが実行される。一方、このステップS6において、相関係数が0.7以上である場合は相関が有ると判定される。そのように判定されると、搬送アーム95の受け取り位置ずれ量の平均値の時系列データと、搬送アーム97の受け取り位置ずれ量の平均値の時系列データとから、図15で説明した相関データが作成される。そして、この相関データから、搬送アーム95の受け取り位置ずれ量と搬送アーム97の受け取り位置ずれ量との相関係数が算出され、この相関係数に基づいて搬送アーム95の受け取り位置ずれ量と搬送アーム97の受け取り位置ずれ量との間に相関が有るか否かが判定される(ステップS7)。   In this step S6, for example, when the correlation coefficient is smaller than 0.7, it is determined that there is no correlation, and when it is determined as such, the steps after step S1 are executed. On the other hand, in this step S6, when the correlation coefficient is 0.7 or more, it is determined that there is a correlation. If so, the correlation data described in FIG. 15 is obtained from the time-series data of the average value of the receiving position deviation of the transfer arm 95 and the time-series data of the average value of the receiving position deviation of the transfer arm 97. Is created. Then, from this correlation data, a correlation coefficient between the reception position deviation amount of the transfer arm 95 and the reception position deviation amount of the transfer arm 97 is calculated, and the reception position deviation amount of the transfer arm 95 and the transfer amount are calculated based on this correlation coefficient. It is determined whether or not there is a correlation with the receiving position deviation amount of the arm 97 (step S7).
このステップS7では、例えば相関係数が0.7以上である場合は相関が有ると判定され、ステップS1以降のステップが実行される。そして、ステップS7で相関係数が0.7より小さい場合は相関が無いと判定される。このように判定されるということは、図12で説明したように、メインアームA3のフォーク3の位置のずれが次第に大きくなっている可能性が高いため、当該メインアームA3のメンテナンスが必要である旨を示すアラームが、制御部90を構成する表示部に表示されたり、制御部90を構成するスピーカーから音声出力され、塗布、現像装置1のユーザーに報知される(ステップS8)。   In this step S7, for example, when the correlation coefficient is 0.7 or more, it is determined that there is a correlation, and the steps after step S1 are executed. If the correlation coefficient is smaller than 0.7 in step S7, it is determined that there is no correlation. This determination means that there is a high possibility that the displacement of the position of the fork 3 of the main arm A3 is gradually increased as described with reference to FIG. 12, and therefore maintenance of the main arm A3 is necessary. An alarm indicating this is displayed on the display unit constituting the control unit 90, or is outputted as a sound from a speaker constituting the control unit 90, and is notified to the user of the coating and developing apparatus 1 (step S8).
この塗布、現像装置1によれば、受け渡しモジュールTRS3上のウエハWを受け取り、この受け取った後のウエハWのフォーク3の基準保持位置に対する位置ずれ量に基づいて、ウエハWが受け渡しモジュールTRS13の基準載置位置に受け渡されるように当該ウエハWの搬送を行うメインアームA3と、受け渡しモジュールTRS13上のウエハWを受け取る搬送アーム95と、メインアームA3が受け渡しモジュールTRS3上からウエハWを受け取ったときの位置ずれ量の時系列データと搬送アーム95が受け渡しモジュールTRS13からウエハWを受け取ったときの位置ずれ量の時系列データとに相関関係があるか否かを判断する制御部90と、が設けられ、この判断結果に基づいてメインアームA3に不具合があることを示すアラームが出力される。従って、このようなメインアームA3の不具合の有無を確認するために、背景技術の項目で述べた専用のモジュールにウエハWを搬送する必要が無いし、当該専用のモジュールを設ける必要も無くなる。従って、塗布、現像装置1におけるスループットの低下及び製造コストの上昇を抑えることができる。   According to this coating and developing apparatus 1, the wafer W is received on the transfer module TRS3, and the wafer W is transferred to the reference module of the transfer module TRS13 on the basis of the positional deviation amount of the wafer W with respect to the reference holding position of the fork 3. When the main arm A3 that transfers the wafer W to be transferred to the mounting position, the transfer arm 95 that receives the wafer W on the transfer module TRS13, and the main arm A3 receives the wafer W from the transfer module TRS3 A controller 90 for determining whether or not there is a correlation between the time-series data of the positional deviation amount and the time-series data of the positional deviation amount when the transfer arm 95 receives the wafer W from the transfer module TRS13. Based on this determination result, it is indicated that the main arm A3 is defective. An alarm is output. Therefore, it is not necessary to transfer the wafer W to the dedicated module described in the section of the background art, and it is not necessary to provide the dedicated module in order to confirm the presence / absence of the malfunction of the main arm A3. Therefore, a decrease in throughput and an increase in manufacturing cost in the coating and developing apparatus 1 can be suppressed.
さらに、上記のメインアームA3の不具合の検出は、搬送アーム95が受け渡しモジュールTRS13からウエハWを受け取ったときの位置ずれ量の時系列データと、搬送アーム95から受け渡しモジュールTRS20に受け渡されたウエハWを基準保持位置に保持するように動作が制御される搬送アーム97がウエハWを受け取ったときの位置ずれ量の時系列データとの相関関係に基づいて行われる。このように検出を行うことで、より精度高く不具合の検出を行うことができる。   Further, the above-described failure of the main arm A3 is detected by detecting time-series data of the amount of displacement when the transfer arm 95 receives the wafer W from the transfer module TRS13, and the wafer transferred from the transfer arm 95 to the transfer module TRS20. The transfer arm 97 whose operation is controlled so as to hold W at the reference holding position is performed based on the correlation with the time-series data of the positional deviation amount when the wafer W is received. By detecting in this way, it is possible to detect a defect with higher accuracy.
ところで、上記の例では処理モジュールとは別体の受け渡しモジュールTRS13により第2の載置部が構成されているが、第2の載置部は処理モジュールの載置部を兼用していてもよい。即ち、処理モジュールから搬送アーム95がウエハWを受け取り、その受け取り時において検出される位置ずれから、既述のずれ量の平均値についての時系列データが取得される構成であってもよい。また、上記の説明では、各プログラムを構成する各部は、メインアームA3について位置ずれの検出を行うように説明しているが、他のメインアームAについても当該メインアームA、メインアームAの次にウエハWが受け渡される基板搬送機構、さらにその次にウエハWが受け渡される基板搬送機構から取得される位置検出データに基づいて、メインアームA3と同様に位置ずれの監視を行うようにすることができる。さらに、上記の例では、メインアームA3について、Y軸方向におけるフォーク3の位置ずれを検出しているが、そのようにY軸方向のずれを検出することには限られず、水平方向においてY軸と直交する方向におけるフォーク3の位置ずれを検出するようにしてもよい。また、メインアームA以外の他の基板搬送機構についてもメインアームAと同様にして位置ずれの監視を行ってもよい。   In the above example, the second placement unit is configured by the transfer module TRS13 that is separate from the processing module. However, the second placement unit may also serve as the placement unit of the processing module. . That is, the structure may be such that the transfer arm 95 receives the wafer W from the processing module, and the time-series data about the average value of the above-described deviation amount is acquired from the positional deviation detected at the time of receipt. Further, in the above description, each part constituting each program is described so as to detect misalignment with respect to the main arm A3. However, with respect to the other main arms A, the main arm A and the next to the main arm A are also described. Based on the position detection data acquired from the substrate transfer mechanism to which the wafer W is transferred and the substrate transfer mechanism to which the wafer W is transferred next, the position shift is monitored in the same manner as the main arm A3. be able to. Furthermore, in the above example, the position shift of the fork 3 in the Y-axis direction is detected for the main arm A3, but it is not limited to detecting such a shift in the Y-axis direction. The position shift of the fork 3 in the direction orthogonal to the direction may be detected. Further, misregistration may be monitored in the same manner as the main arm A for other substrate transport mechanisms other than the main arm A.
また、本発明の適用例としては、塗布、現像装置に限られない。例えば、基板に薬液を供給して絶縁膜の形成を行うモジュールを備えた処理装置や、基板にドライエッチング処理を行うモジュールを備えた処理装置や、処理ガスの供給によって基板にCVDやALDなどを行う成膜処理を行うモジュールを備えた処理装置や、複数の基板を互いに貼り合わせる接着剤を塗布するモジュールを備えた処理装置などにも適用することが可能である。   Further, the application example of the present invention is not limited to the coating and developing apparatus. For example, a processing apparatus having a module for supplying a chemical solution to the substrate to form an insulating film, a processing apparatus having a module for performing a dry etching process on the substrate, CVD, ALD, etc. on the substrate by supplying a processing gas. The present invention can also be applied to a processing apparatus including a module for performing a film forming process, a processing apparatus including a module for applying an adhesive that bonds a plurality of substrates to each other, and the like.
A1〜A6 メインアーム
TRS 受け渡しモジュール
W ウエハ
1 塗布、現像装置
3 フォーク
5 位置検出部
61 液処理モジュール
90 制御部
95、97 搬送アーム
A1 to A6 Main arm TRS Delivery module W Wafer 1 Coating / developing device 3 Fork 5 Position detection unit 61 Liquid processing module 90 Control unit 95, 97 Transfer arm

Claims (11)

  1. 前段の基板搬送機構から基板が受け渡される第1の載置部と、
    前記第1の載置部上の基板を受け取り、基板を受け取った後の基板の位置ずれ量に基づいて、第2の載置部に基板の位置が合うように受け渡す第1の基板搬送機構と、
    前記第2の載置部上の基板を受け取る第2の基板搬送機構と、
    前記第1の基板搬送機構及び第2の基板搬送機構の少なくとも一方の搬送経路中において基板の受け渡しが行われ、基板を処理するための処理モジュールと、
    前記第1の基板搬送機構及び第2の基板搬送機構に各々設けられ、基板を受け取ったときの基板の位置ずれ量を検出するための位置検出部と、
    前記第1の基板搬送機構が第1の載置部から基板を受け取ったときの第1の基板の位置ずれ量が閾値を越えているか否かを判断するステップと、前記第1の基板の位置ずれ量の時系列データと前記第2の基板搬送機構が第2の載置部から基板を受け取ったときの第2の基板の位置ずれ量の時系列データとを取得するステップと、前記第1の基板の位置ずれ量が閾値を越えていると判断した時に、前記第1の基板の位置ずれ量の時系列データと前記第2の基板の位置ずれ量の時系列データとの間に相関関係があるか否かを判断し、相関関係の有無の判断結果を報知するステップと、を実行するように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
    A first placement unit to which a substrate is delivered from the previous substrate transport mechanism;
    A first substrate transport mechanism that receives a substrate on the first placement unit and delivers the substrate to the second placement unit so that the position of the substrate is aligned based on the positional deviation amount of the substrate after receiving the substrate. When,
    A second substrate transport mechanism for receiving a substrate on the second placement unit;
    A processing module for transferring the substrate and processing the substrate in a transfer path of at least one of the first substrate transfer mechanism and the second substrate transfer mechanism;
    A position detection unit provided in each of the first substrate transport mechanism and the second substrate transport mechanism, for detecting the amount of positional deviation of the substrate when the substrate is received;
    Determining whether the amount of positional deviation of the first substrate when the first substrate transport mechanism receives the substrate from the first placement unit exceeds a threshold; and the position of the first substrate. Obtaining time-series data of deviation amounts and time-series data of positional deviation amounts of the second substrate when the second substrate transport mechanism receives the substrate from the second placement unit; and When it is determined that the positional deviation amount of the substrate exceeds the threshold value, the correlation between the time-series data of the positional deviation amount of the first substrate and the time-series data of the positional deviation amount of the second substrate And a controller that outputs a control signal so as to execute the step of determining whether or not there is a correlation and notifying the determination result of the presence or absence of the correlation.
  2. 前記閾値と比較される第1の基板の位置ずれ量は、予め設定した期間における位置ずれ量の平均値に基づいて算出される値であることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the amount of positional deviation of the first substrate compared with the threshold value is a value calculated based on an average value of positional deviation amounts during a preset period.
  3. 前記第1の基板の位置ずれ量の時系列データ及び第2の基板の位置ずれ量の時系列データは、予め設定した期間における位置ずれ量の平均値を時系列で並べたデータであることを特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置。   The time-series data of the positional deviation amount of the first substrate and the time-series data of the positional deviation amount of the second substrate are data in which an average value of the positional deviation amounts in a preset period is arranged in time series. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus is characterized.
  4. 前記相関関係があるか否かの判断は、前記第1の基板の位置ずれ量と第2の基板の位置ずれ量とを夫々X軸、Y軸にとり、前記第1の基板の位置ずれ量の時系列データと前記第2の基板の位置ずれ量の時系列データとの間で対応するデータをプロットして得られたプロット群を一次関数として近似したときに、一次関数の傾きの大きさに基づいて行われることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The determination as to whether or not there is a correlation is made by taking the amount of positional deviation of the first substrate and the amount of positional deviation of the second substrate on the X axis and Y axis, respectively, and determining the positional deviation amount of the first substrate. When the plot group obtained by plotting the corresponding data between the time series data and the time series data of the positional deviation amount of the second substrate is approximated as a linear function, the slope of the linear function is obtained. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus is performed based on the determination.
  5. 前記第2の基板搬送機構から基板が受け渡される第3の載置部と、
    前記第3の載置部上の基板を受け取る第3の基板搬送機構と、
    前記第3の基板搬送機構に設けられ、基板を受け取ったときの基板の位置ずれ量を検出するための位置検出部と、を備え、
    前記第2の基板搬送機構は、基板の受け取った後の基板の位置ずれ量に基づいて、前記第3の載置部に当該基板の位置が合うように受け渡すように制御され、
    前記制御部により実行されるステップ群は、前記相関関係の有無の判断結果により相関関係が無いと判断された時に、前記第2の基板の位置ずれ量の時系列データと、前記第3の基板搬送機構が第3の載置部から基板を受け取った後の第3の基板の位置ずれ量の時系列データと、の間に相関関係があるか否かを判断し、相関関係の有無の判断結果を報知するステップを含むことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
    A third placement unit to which a substrate is delivered from the second substrate transport mechanism;
    A third substrate transport mechanism for receiving a substrate on the third placement unit;
    A position detection unit provided in the third substrate transport mechanism for detecting the amount of positional deviation of the substrate when the substrate is received;
    The second substrate transport mechanism is controlled to deliver the substrate to the third placement unit so that the position of the substrate is aligned based on the amount of positional deviation of the substrate after receiving the substrate,
    The step group executed by the control unit includes the time series data of the positional deviation amount of the second substrate and the third substrate when it is determined that there is no correlation based on the determination result of the presence or absence of the correlation. It is determined whether or not there is a correlation with the time series data of the positional deviation amount of the third substrate after the transport mechanism receives the substrate from the third placement unit, and the determination of the presence or absence of the correlation The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a step of notifying a result.
  6. 前記第2の基板の位置ずれ量の時系列データ及び第3の基板の位置ずれ量の時系列データは、予め設定した期間における位置ずれ量の平均値を時系列で並べたデータであることを特徴とする請求項5記載の基板処理装置。   The time-series data of the positional deviation amount of the second substrate and the time-series data of the positional deviation amount of the third substrate are data in which an average value of the positional deviation amounts in a preset period is arranged in time series. 6. The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein:
  7. 前記相関関係があるか否かの判断は、前記第2の基板の位置ずれ量と第3の基板の位置ずれ量とを夫々X軸、Y軸にとり、前記第2の基板の位置ずれ量の時系列データと前記第3の基板の位置ずれ量の時系列データとの間で対応するデータをプロットして得られたプロット群を一次関数として近似したときに、一次関数の傾きの大きさに基づいて行われることを特徴とする請求項5または6に記載の基板処理装置。   The determination as to whether or not there is a correlation is made by taking the amount of positional deviation of the second substrate and the amount of positional deviation of the third substrate on the X axis and Y axis, respectively, and calculating the positional deviation amount of the second substrate. When a plot group obtained by plotting corresponding data between the time series data and the time series data of the positional deviation amount of the third substrate is approximated as a linear function, the slope of the linear function is obtained. 7. The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the substrate processing apparatus is performed based on the above.
  8. 前記基板は円形であり、
    前記第1の基板搬送機構及び第2の基板搬送機構の各々は、基台と、前記基台に対して進退自在に設けられ、基板の裏面を保持する保持部と、を備え、
    前記位置検出部は、前記保持部が後退し基板を保持した状態でいるときに、前記保持部が保持している前記基板の周縁部の位置を、それぞれ異なる位置で検出する第1の検出部、第2の検出部及び第3の検出部を備え、
    前記第1〜第3の検出部の検出結果は、基板の中心位置の位置ずれ量を求めるために用いられることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一項に記載の基板処理装置。
    The substrate is circular;
    Each of the first substrate transport mechanism and the second substrate transport mechanism includes a base, and a holding portion that is provided so as to be movable forward and backward with respect to the base and holds the back surface of the substrate.
    The position detection unit is a first detection unit that detects the position of the peripheral edge of the substrate held by the holding unit at different positions when the holding unit is retracted and holds the substrate. , Including a second detection unit and a third detection unit,
    8. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein detection results of the first to third detection units are used to obtain a displacement amount of a center position of the substrate. 9.
  9. 前段の基板搬送機構から基板を第1の載置部に受け渡す工程と、
    第1の基板搬送機構が前記第1の載置部上の基板を受け取り、基板の位置ずれ量を検出すると共に、基板の位置ずれ量に基づいて第1の基板搬送機構が第2の載置部に基板の位置が合うように受け渡す工程と、
    第2の基板搬送機構が前記第2の載置部上の基板を受け取る工程と、
    前記第1の基板搬送機構及び第2の基板搬送機構の少なくとも一方により、基板を処理するための処理モジュールに対して基板の受け渡しを行う工程と、
    前記第1の基板搬送機構が第1の載置部から基板を受け取ったときの第1の基板の位置ずれ量が閾値を越えているか否かを判断する工程と、
    前記第1の基板の位置ずれ量の時系列データと前記第2の基板搬送機構が第2の載置部から基板を受け取ったときの第2の基板の位置ずれ量の時系列データとを取得する工程と、
    前記第1の基板の位置ずれ量が閾値を越えていると判断した時に、前記第1の基板の位置ずれ量の時系列データと前記第2の基板の位置ずれ量の時系列データとの間に相関関係があるか否かを判断し、相関関係の有無の判断結果を報知する工程と、を含むことを特徴とする基板処理装置の運転方法。
    A step of transferring the substrate from the substrate transport mechanism in the previous stage to the first placement unit;
    The first substrate transport mechanism receives the substrate on the first placement unit, detects the amount of substrate displacement, and the first substrate transport mechanism performs the second placement based on the substrate displacement amount. A process of delivering the substrate so that the position of the substrate matches the part,
    Receiving a substrate on the second placement unit by a second substrate transport mechanism;
    A step of delivering a substrate to a processing module for processing a substrate by at least one of the first substrate transport mechanism and the second substrate transport mechanism;
    Determining whether the amount of positional deviation of the first substrate when the first substrate transport mechanism receives the substrate from the first placement unit exceeds a threshold;
    Obtaining time-series data of the positional deviation amount of the first substrate and time-series data of the positional deviation amount of the second substrate when the second substrate transport mechanism receives the substrate from the second placement unit. And a process of
    When it is determined that the positional deviation amount of the first substrate exceeds a threshold value, the time series data of the positional deviation amount of the first substrate and the time series data of the positional deviation amount of the second substrate And a step of determining whether or not there is a correlation and notifying the determination result of the presence or absence of the correlation.
  10. 前記第2の基板搬送機構が、前記第2の載置部上の基板を受け取った後の基板の位置ずれ量に基づいて、当該基板を第3の載置部に基板の位置が合うように受け渡す工程と、
    第3の基板搬送機構が第3の載置部上の基板を受け取る工程と、
    前記相関関係の有無の判断結果により相関関係が無いと判断された時に、前記第2の基板の位置ずれ量の時系列データと、前記第3の基板搬送機構が第3の載置部から基板を受け取った後の第3の基板の位置ずれ量の時系列データと、の間に相関関係があるか否かを判断し、相関関係の有無の判断結果を報知する工程と、を含むことを特徴とする請求項9記載の基板処理装置の運転方法。
    Based on the positional deviation amount of the substrate after the second substrate transport mechanism has received the substrate on the second placement unit, the substrate is aligned with the third placement unit. The delivery process,
    Receiving a substrate on the third placement unit by the third substrate transport mechanism;
    When it is determined that there is no correlation based on the determination result of the presence / absence of the correlation, the time-series data of the positional deviation amount of the second substrate and the third substrate transport mechanism from the third placement unit to the substrate And determining whether or not there is a correlation with the time-series data of the positional deviation amount of the third substrate after receiving the signal, and notifying the determination result of the presence or absence of the correlation. The operation method of the substrate processing apparatus according to claim 9, wherein:
  11. 基板の載置部と、当該基板に処理を行う処理モジュールと、前記載置部と前記処理モジュールとの間で基板を搬送する基板搬送機構と、を備えた基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶する記憶媒体において、
    前記コンピュータプログラムは、請求項9または10記載の基板処理装置の運転方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
    A computer program used for a substrate processing apparatus, comprising: a substrate placement unit; a processing module that performs processing on the substrate; and a substrate transport mechanism that transports a substrate between the placement unit and the processing module. In a storage medium for storing,
    11. A storage medium characterized in that the computer program includes a set of steps so as to execute the substrate processing apparatus operating method according to claim 9 or 10.
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