JP2016197120A - パッケージ化された半導体デバイスを試験するよう構成された高温セラミックソケット - Google Patents

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Abstract

【課題】高温に耐え、ソケット材料のはがれが原因の短絡を抑えた試験ソケットアッセンブリを提供する。【解決手段】一体成形ソケット46が、実質的に絶縁性材料から形成され、複数の導電性バネ36を受け入れるよう構成された複数の孔32を内部に形成される。一体成形ソケット46の各孔32は、導電性バネ36の内の別個のバネ36を収容する。試験ソケット46は、集積回路50のリード48を受け入れるよう構成された複数のピン10を備え、試験ソケット46のピン10は、各ピン10がバネ36に接触する状態で一体成形ソケット46の複数の孔32の中に延び、一体成形ソケット46は、複数のバネ36が回路基板40上の電気接点34および複数のピン10と電気的に相互接続するように複数の孔32を接点34に整列させるよう、回路基板40上に配置される。一体成形ソケット46は、実質的に、高温絶縁材料(セラミックなど)から形成される。【選択図】図3

Description

本発明は、一般に、パッケージ化された集積回路を試験するために受け入れるためのソケットに関し、特に、デュアル・インライン半導体パッケージすなわちDIPなどの半導体パッケージのリードを受け入れるための試験ソケットに関する。
集積半導体回路(IC)の製造では、最終的にパッケージ化されたICは、一般に、厳しい環境条件下でパラメトリック試験および信頼性試験を受ける。試験の際にICのリードを受け入れて保護するために、ソケットが準備される。通例、試験ソケットは、プリント回路基板(PCB)上に取り付けられ、PCBは、ICと試験装置との間の相互接続を提供する。
従来の試験ソケットを図1の分解図に示す。ICのリードを受けるための孔を有するピン10が、底部プレート12と上部プレート14との間に収容されている。各ピン10の直径は、底部プレート12を貫通する孔16内に収まるように下部で小さくなっており、孔16は、各ピン10の上端にあるフランジを受けるよう構成された直径の大きい凹部を備えている。ピンを底部プレート12に取り付けた後に、ネジ(図示せず)などの適切な留め具によって、底部プレート12に上部プレート14を取り付け、底部プレート12内にピンを保持する。上部プレート14には、ピン10の延長線上に延びる孔18が貫通しており、それらの孔18は、ICパッケージのリードを受け入れるよう構成されている。ただし、孔18は、ピン10のフランジよりも直径が小さく、それにより、ピン10は、上部プレート14と底部プレート12との間に保持される。
図2は、プリント回路基板(PCB)40に取り付けられたソケット(図1のソケットなど)を示す図である。PCB上に試験ソケットを組み込むために、ソケットのピン10は、PCB上の導電性パッド34に揃えて配列される。PCB40を貫通しホルダプレート30を介して底部プレート12および上部プレート14内に、いくつかのネジ38が通される。孔18内にIC50のリード48を挿入することで、ピン10およびバネ36を介してパッド34に電気接続することができる。
ソケットは、非導電性材料で被覆された導電性材料で形成されている。非導電性材料の被覆は、ICリード48が、他のICリード48と短絡することを防止する。
集積回路を試験する際に用いる試験ソケットアッセンブリが開示されている。一体成形(one−piece)ソケットが、実質的に絶縁性材料から形成され、複数の導電性バネを受け入れるよう構成された複数の孔を内部に形成される。一体成形ソケットの各孔は、導電性バネの内の別個のバネを収容する。試験ソケットは、集積回路のリードを受け入れるよう構成された複数のピンを備え、試験ソケットのピンは、各ピンがバネに接触する状態で一体成形ソケットの複数の孔の中に延び、一体成形ソケットは、複数のバネが回路基板上の電気接点および複数のピンと電気的に相互接続するように複数の孔を接点に整列させるよう、回路基板上に配置される。一体成形ソケットは、実質的に、高温絶縁材料(セラミックなど)から形成される。
従来の試験ソケットの分解図。
集積回路を試験するためにプリント回路基板に取り付けられた構成の図1の従来の試験ソケットを示す断面図。
改良されたソケットアッセンブリの断面図。
図3のソケットアッセンブリの斜視図。
発明者は、ソケットの過度の利用、また、製造上の制限により、上述したような試験ソケットの非導電性材料が剥がれ、ICリード間に意図しない短絡を引き起こすと認識していた。発明者は、また、ピンおよびバネを保持する3プレート構造の組み立てには時間が掛かることを認識していた。一態様によると、本発明のソケットは、セラミックなどの非導電性材料から形成される。別の態様によると、一体成形ソケットが提供されており、ソケットアッセンブリの製造性を高める(部品のコストおよび労力を低減する)と共に、信頼性および性能を改善する。
ここで、図3を参照して、改良されたソケットアッセンブリの一例について説明する。図3によると、高温に耐えうる絶縁材料(セラミックなど)から形成されたソケット46が、PCB40上に配置されている。ソケット46は、PCB上の接点パッド34に整列された孔32を有する。孔32内には、ピン10と、例えば、非常に細く、金メッキされた、高温バネ線で形成されたつる巻きバネ36とが配置されている。バネ36は、ピン10と同等の直径を有するが、ソケットピンと確実に接触するようにピンの基部よりもやや小さい直径となっており、ソケットの孔32は、バネ36と接触するようにピンを受け入れるよう、ソケットピンよりもやや大きくなっている。ピン10およびバネ36は両方とも、ソケット46の本体の孔32内の所定の位置に保持される。
ソケット46は、ソケット30およびPCB40内を通って鋼鉄のナットプレート43にねじ込まれたいくつかのネジ41またはその他の適切な留め具によってPCB40に固定されている。ナットプレートがPCB40と電気的に短絡したりPCB40を機械的に摩耗させたりする可能性を最小限に抑えるために、PCB40とナットプレート43との間には、薄い絶縁材料42が設けられている。
このソケットアッセンブリを使用する際には、ソケットアッセンブリの孔32の中に、集積回路50(一部だけ図示)のリード48が受け入れられ、圧縮されたバネ36を介してパッド34と電気的に接続されたピン10に対して物理的に接触する。これらのソケットは、「非ZIF」であり、非ZIFとは、パッケージ化された被試験デバイスをソケットに挿入および/または取り外しする際に必要な挿入力がゼロではないこと(non-zero insertion force)を意味し、例えば、市販の道具を用いて、ある程度の物理的な力を掛けて、パッケージ化された被試験デバイスを着脱する。
ソケットアッセンブリには、例えば、300または600ミル幅のピンを最大で28ピン備えた単一のパッケージ化されたデバイスを挿入してもよいし、300または600ミル幅のピンを最大で14ピン備えた2つのより小さいパッケージを同じ向きまたは逆向きに直列に並べて挿入してもよい。また、600ミルのパッケージについて、直列に並べた2つの14ピン集積回路パッケージを並列に配置するものとしてもよい。これらは例示に過ぎず、多くの他の構成も可能である。
図4は、図3のソケットアッセンブリの斜視図であり、集積回路50のリード48が、ソケットアッセンブリの孔32内に受け入れられている。この斜視図から、3列の孔32が設けられていることがわかる。さらに、図4の斜視図によると、ソケットの両端部に段差が設けられている。両端の段差と、段差に設けられためくら穴とによって、例えば、より長いパッケージについても、ユーザがパッケージピンを切り取る必要なしに試験を行うことが可能である。さらに、従来のIC除去ツール(マイナスドライバなど)を段差の表面に当てることによって、被試験パッケージを取り除くことができる。
上述の3プレート構造と対照的に、本発明のソケットアッセンブリのソケットは、単一片から一体的に形成されるため、製造性が高くなる。さらに、実質的に絶縁材料から形成され、かつ、好ましくは高温に耐えうる材料から形成されるため、ソケットが原因となる短絡の可能性を最小限に抑えられる(例えば、絶縁材料の薄い被覆が剥がれた結果として起こる短絡など)。
ソケット46は、ソケット46およびPCB40内を通って鋼鉄のナットプレート43にねじ込まれたいくつかのネジ41またはその他の適切な留め具によってPCB40に固定されている。ナットプレートがPCB40と電気的に短絡したりPCB40を機械的に摩耗させたりする可能性を最小限に抑えるために、PCB40とナットプレート43との間には、薄い絶縁材料42が設けられている。
図4は、図3のソケットアッセンブリの斜視図であり、集積回路50のリード48が、ソケットアッセンブリの孔32内に受け入れられている。この斜視図から、3列の孔32が設けられていることがわかる。さらに、図4の斜視図によると、ソケットの両端部に段差52が設けられている。両端の段差52と、段差に設けられためくら穴とによって、例えば、より長いパッケージについても、ユーザがパッケージピンを切り取る必要なしに試験を行うことが可能である。さらに、従来のIC除去ツール(マイナスドライバなど)を段差の表面に当てることによって、被試験パッケージを取り除くことができる。
上述の3プレート構造と対照的に、本発明のソケットアッセンブリのソケットは、単一片から一体的に形成されるため、製造性が高くなる。さらに、実質的に絶縁材料から形成され、かつ、好ましくは高温に耐えうる材料から形成されるため、ソケットが原因となる短絡の可能性を最小限に抑えられる(例えば、絶縁材料の薄い被覆が剥がれた結果として起こる短絡など)。
なお、本発明は以下のような態様で実現することもできる。

適用例1
集積回路を試験する際に用いる試験ソケットアッセンブリであって、
実質的に絶縁材料から形成され、複数の導電性バネを受け入れるよう構成された複数の孔を形成された一体成形ソケットと、
前記複数の導電性バネであって、各孔が、前記複数の導電性バネの個別のバネを収容する、前記複数の導電性バネと、
集積回路のリードを受け入れるよう構成された複数のピンを備えた試験ソケットと、
を備え、
前記試験ソケットの前記ピンは、各ピンがバネに接触する状態で前記一体成形ソケットの前記複数の孔の中に延び、
前記一体成形ソケットは、前記複数のバネが回路基板上の電気接点および前記複数のピンと電気的に相互接続するように前記複数の孔を前記接点に対して配置させるよう、前記回路基板上に配置される、試験ソケットアッセンブリ。

適用例2
適用例1の試験ソケットアッセンブリであって、さらに、前記試験ソケットアッセンブリを前記回路基板に固定する留め具を備える、試験ソケットアッセンブリ。

適用例3
適用例1または2の試験ソケットアッセンブリであって、前記一体成形ソケットは、実質的に、高温絶縁材料から形成される、試験ソケットアッセンブリ。

適用例4
適用例1または2の試験ソケットアッセンブリであって、前記一体成形ソケットは、実質的に、セラミックから形成される、試験ソケットアッセンブリ。

適用例5
集積回路を試験する際に用いる試験アッセンブリであって、
a)試験装置に接続可能な複数のパッドを有する回路基板と、
b)試験ソケットアッセンブリと、
を備え、
前記試験ソケットアッセンブリは、
実質的に絶縁材料から形成され、複数の導電性バネを受け入れるよう構成された複数の孔を形成された一体成形ソケットであって、
前記複数の導電性バネであって、各孔が、前記複数の導電性バネの個別のバネを収容する、前記複数の導電性バネと、
集積回路のリードを受け入れるよう構成された複数のピンを備えた試験ソケットと、
を備え、
前記試験ソケットの前記ピンは、各ピンがバネに接触する状態で前記一体成形ソケットの前記複数の孔の中に延び、
前記一体成形ソケットは、前記複数のバネが回路基板上の電気接点および前記複数のピンと電気的に相互接続するように前記複数の孔を前記接点に対して配置させるよう、前記回路基板上に配置される、試験アッセンブリ。

適用例6
適用例5の試験ソケットアッセンブリであって、前記一体成形ソケットは、実質的に、高温絶縁材料から形成される、試験ソケットアッセンブリ。

適用例7
適用例5の試験ソケットアッセンブリであって、前記一体成形ソケットは、実質的に、セラミックから形成される、試験ソケットアッセンブリ。

適用例8
試験ソケットアッセンブリを形成するための方法であって、
実質的に絶縁材料から形成され、それぞれ導電性バネを収容する複数の孔を形成された一体成形ソケットを準備する工程と、
集積回路のリードを受け入れるよう構成された複数のピンを備えた試験ソケットを準備する工程と、
前記試験ソケットの前記ピンが前記一体成形ソケットの前記複数の孔内に延びて、各ピンがバネに接触するように、前記試験ソケットを前記一体成形ソケットに接合させる工程と、
前記複数のバネが回路基板上の電気接点および前記複数のピンと電気的に相互接続するように前記複数の孔を前記接点に対して配置させるよう、前記一体成形ソケットを前記回路基板上に配置する工程と、
を備える、方法。

適用例9
適用例8の方法であって、
前記一体成形ソケットを前記回路基板上に配置する工程は、留め具を用いて前記一体成形ソケットを前記回路基板上に固定する工程を含む、方法。

適用例10
適用例8または9の方法であって、前記一体成形ソケットは、実質的に、高温絶縁材料から形成される、方法。

適用例11
適用例8または9の方法であって、前記一体成形ソケットは、実質的に、セラミックから形成される、方法。

Claims (11)

  1. 集積回路を試験する際に用いる試験ソケットアッセンブリであって、
    実質的に絶縁材料から形成され、複数の導電性バネを受け入れるよう構成された複数の孔を形成された一体成形ソケットと、
    前記複数の導電性バネであって、各孔が、前記複数の導電性バネの個別のバネを収容する、前記複数の導電性バネと、
    集積回路のリードを受け入れるよう構成された複数のピンを備えた試験ソケットと、
    を備え、
    前記試験ソケットの前記ピンは、各ピンがバネに接触する状態で前記一体成形ソケットの前記複数の孔の中に延び、
    前記一体成形ソケットは、前記複数のバネが回路基板上の電気接点および前記複数のピンと電気的に相互接続するように前記複数の孔を前記接点に対して配置させるよう、前記回路基板上に配置される、試験ソケットアッセンブリ。
  2. 請求項1に記載の試験ソケットアッセンブリであって、さらに、前記試験ソケットアッセンブリを前記回路基板に固定する留め具を備える、試験ソケットアッセンブリ。
  3. 請求項1または2に記載の試験ソケットアッセンブリであって、前記一体成形ソケットは、実質的に、高温絶縁材料から形成される、試験ソケットアッセンブリ。
  4. 請求項1または2に記載の試験ソケットアッセンブリであって、前記一体成形ソケットは、実質的に、セラミックから形成される、試験ソケットアッセンブリ。
  5. 集積回路を試験する際に用いる試験アッセンブリであって、
    a)試験装置に接続可能な複数のパッドを有する回路基板と、
    b)試験ソケットアッセンブリと、
    を備え、
    前記試験ソケットアッセンブリは、
    実質的に絶縁材料から形成され、複数の導電性バネを受け入れるよう構成された複数の孔を形成された一体成形ソケットであって、
    前記複数の導電性バネであって、各孔が、前記複数の導電性バネの個別のバネを収容する、前記複数の導電性バネと、
    集積回路のリードを受け入れるよう構成された複数のピンを備えた試験ソケットと、
    を備え、
    前記試験ソケットの前記ピンは、各ピンがバネに接触する状態で前記一体成形ソケットの前記複数の孔の中に延び、
    前記一体成形ソケットは、前記複数のバネが回路基板上の電気接点および前記複数のピンと電気的に相互接続するように前記複数の孔を前記接点に対して配置させるよう、前記回路基板上に配置される、試験アッセンブリ。
  6. 請求項5に記載の試験ソケットアッセンブリであって、前記一体成形ソケットは、実質的に、高温絶縁材料から形成される、試験ソケットアッセンブリ。
  7. 請求項5に記載の試験ソケットアッセンブリであって、前記一体成形ソケットは、実質的に、セラミックから形成される、試験ソケットアッセンブリ。
  8. 試験ソケットアッセンブリを形成するための方法であって、
    実質的に絶縁材料から形成され、それぞれ導電性バネを収容する複数の孔を形成された一体成形ソケットを準備する工程と、
    集積回路のリードを受け入れるよう構成された複数のピンを備えた試験ソケットを準備する工程と、
    前記試験ソケットの前記ピンが前記一体成形ソケットの前記複数の孔内に延びて、各ピンがバネに接触するように、前記試験ソケットを前記一体成形ソケットに接合させる工程と、
    前記複数のバネが回路基板上の電気接点および前記複数のピンと電気的に相互接続するように前記複数の孔を前記接点に対して配置させるよう、前記一体成形ソケットを前記回路基板上に配置する工程と、
    を備える、方法。
  9. 請求項8に記載の方法であって、
    前記一体成形ソケットを前記回路基板上に配置する工程は、留め具を用いて前記一体成形ソケットを前記回路基板上に固定する工程を含む、方法。
  10. 請求項8または9に記載の方法であって、前記一体成形ソケットは、実質的に、高温絶縁材料から形成される、方法。
  11. 請求項8または9に記載の方法であって、前記一体成形ソケットは、実質的に、セラミックから形成される、方法。
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