JP2016181654A - Wafer processing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって複数の領域が区画されるとともに該区画された領域にデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備え、デバイス領域に対応する裏面に凹部加工が施され外周余剰領域に対応する裏面に環状の補強部が形成されたウエーハにおける該環状の補強部を、貼着されているダイシングテープから破損させることなく効率よく除去することができるウエーハの加工方法に関する。 The present invention provides a device region in which a plurality of regions are defined by a plurality of division lines formed in a lattice pattern on the surface and a device is formed in the partitioned region, and an outer peripheral surplus region surrounding the device region. The annular reinforcing portion of the wafer in which the recess corresponding to the back surface corresponding to the device region is processed and the annular reinforcing portion is formed on the back surface corresponding to the outer peripheral surplus region is broken from the attached dicing tape. The present invention relates to a method of processing a wafer that can be efficiently removed without any trouble.
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列され分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。 In the semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are partitioned by lines to be divided on a surface of a substantially wafer-shaped semiconductor wafer, and devices such as IC and LSI are formed in the partitioned regions. Then, by cutting the semiconductor wafer along the planned dividing line, the region where the device is formed is divided to manufacture individual devices.
上述したように分割されるウエーハは、分割予定ラインに沿って切断する前に裏面を研削またはエッチングによって所定の仕上がり厚さに形成される。近年、電気機器の軽量化、小型化を達成するためにウエーハの厚さを５０μm以下に形成することが要求されている。
しかるに、ウエーハの厚さを５０μm以下に形成すると破損し易くなり、ウエーハの搬送等の取り扱いが困難になるという問題がある。
As described above, the wafer to be divided is formed to have a predetermined finished thickness by grinding or etching the back surface before cutting along the division line. In recent years, it has been required to form a wafer with a thickness of 50 μm or less in order to reduce the weight and size of electrical equipment.
However, if the thickness of the wafer is formed to be 50 μm or less, the wafer tends to be damaged, and there is a problem that handling such as transport of the wafer becomes difficult.
上述した問題を解消するために、ウエーハの裏面におけるデバイス領域に対応する領域を研削してデバイス領域の厚さを所定の仕上がり厚さに形成するとともに、ウエーハの裏面における外周部を残存させて環状の補強部を形成することにより、剛性を有するウエーハを形成することができるウエーハの加工方法が下記特許文献１に開示されている。 In order to solve the above-mentioned problems, the region corresponding to the device region on the back surface of the wafer is ground to form a thickness of the device region to a predetermined finish thickness, and the outer peripheral portion on the back surface of the wafer is left to be annular. Patent Document 1 below discloses a wafer processing method capable of forming a rigid wafer by forming the reinforcing portion.
上述したようにウエーハの裏面における外周部を残存させて環状の補強部が形成されたウエーハを個々のデバイスに分割する際には、ウエーハの裏面をダイシングテープに貼着して分割予定ラインに沿って切断するが、環状の補強部は不要となるためダイシングテープから環状の補強部を除去してデバイス領域のみをダイシングテープに残す工程が必要となる(例えば、特許文献２参照)。 As described above, when the wafer having the annular reinforcing portion formed by leaving the outer peripheral portion on the back surface of the wafer is divided into individual devices, the back surface of the wafer is adhered to the dicing tape and along the planned dividing line. However, since the annular reinforcing portion is not necessary, a step of removing the annular reinforcing portion from the dicing tape and leaving only the device region on the dicing tape is required (for example, see Patent Document 2).
ダイシングテープから環状の補強部を除去するために紫外線を照射することにより粘着力が低下するダイシングテープが用いられている。即ち、紫外線を照射することにより粘着力が低下するダイシングテープにウエーハの裏面を貼着し、ダイシングテープにおけるデバイス領域に対応する領域に遮光板を配置して、少なくとも外周余剰領域に対応する領域に紫外線を照射してダイシングテープの粘着力を低下させて環状の補強部をダイシングテープから剥離している。
しかるに、ダイシングテープの粘着力を低下させるためにダイシングテープの裏面側から紫外線を照射するが、ダイシングテープにおける環状の補強部の内周面に貼着された領域には紫外線を十分に照射することができず、環状の補強部を破損させることなく効率よく除去することが困難であるという問題がある。
In order to remove the annular reinforcing portion from the dicing tape, a dicing tape whose adhesive strength is reduced by irradiating ultraviolet rays is used. That is, the rear surface of the wafer is attached to a dicing tape whose adhesive strength is reduced by irradiating ultraviolet rays, and a light shielding plate is disposed in an area corresponding to the device area in the dicing tape, and at least in an area corresponding to the outer peripheral surplus area. The annular reinforcing portion is peeled off from the dicing tape by irradiating ultraviolet rays to reduce the adhesive strength of the dicing tape.
However, in order to reduce the adhesive strength of the dicing tape, ultraviolet rays are irradiated from the back surface side of the dicing tape, but sufficient irradiation of ultraviolet rays is applied to the region adhered to the inner peripheral surface of the annular reinforcing portion of the dicing tape. There is a problem that it is difficult to remove efficiently without damaging the annular reinforcing portion.
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、ウエーハの裏面におけるデバイス領域に対応する領域が所定の厚みに形成され外周部に環状の補強部を残存させたウエーハの裏面をダイシングテープに貼着した状態から、環状の補強部を破損させることなく効率よく除去することができるウエーハの加工方法を提供することである。 The present invention has been made in view of the above-described facts, and a wafer back surface, in which a region corresponding to a device region on the back surface of the wafer is formed to a predetermined thickness and an annular reinforcing portion remains on the outer peripheral portion, is pasted on a dicing tape. An object of the present invention is to provide a method for processing a wafer that can be efficiently removed from a worn state without damaging an annular reinforcing portion.
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって複数の領域が区画されるとともに該区画された領域にデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備え、該デバイス領域に対応する裏面に凹部加工が施され該外周余剰領域に対応する裏面に環状の補強部が形成されたウエーハの加工方法であって、
紫外線の照射によって粘着力が低下するダイシングテープの表面にウエーハの裏面を貼着し該ダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するウエーハ支持工程と、
該ダイシングテープに貼着されたウエーハを、表面側から該デバイス領域と該外周余剰領域との境界部に沿って切断することにより該デバイス領域と該外周余剰領域とを分離する外周余剰領域分離工程と、
ウエーハの該デバイス領域に対応する領域の大きさと対応する大きさの遮光板を該ダイシングテープにおける該デバイス領域に対応する領域に配置し、該ダイシングテープの裏面側から紫外線を照射して少なくとも該外周余剰領域に対応する該ダイシングテープの粘着力を低下させ、該ダイシングテープから該環状の補強部を除去する環状の補強部除去工程と、を含み、
該環状の補強部除去工程においては、照射される紫外線を該遮光板の外周部に形成された反射面によってダイシングテープにおける該環状の補強部の内周面に貼着された領域に反射させる、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
In order to solve the above-mentioned main technical problem, according to the present invention, a plurality of regions are defined by a plurality of division lines formed in a lattice pattern on the surface, and a device region in which devices are formed in the partitioned regions And a peripheral surplus region surrounding the device region, a recess processing is performed on the back surface corresponding to the device region, and an annular reinforcing portion is formed on the back surface corresponding to the peripheral surplus region. And
A wafer support step in which the back surface of the wafer is attached to the surface of the dicing tape whose adhesive strength is reduced by irradiation with ultraviolet rays, and the outer peripheral portion of the dicing tape is supported by an annular frame;
Peripheral surplus region separation step of separating the device region and the perimeter surplus region by cutting the wafer adhered to the dicing tape along the boundary between the device region and the perimeter surplus region from the surface side When,
A light shielding plate having a size corresponding to the size of the device region of the wafer is disposed in a region corresponding to the device region of the dicing tape, and at least the outer periphery is irradiated with ultraviolet rays from the back side of the dicing tape. Reducing the adhesive force of the dicing tape corresponding to the surplus region, and removing the annular reinforcing portion from the dicing tape,
In the annular reinforcing portion removing step, the irradiated ultraviolet rays are reflected by the reflecting surface formed on the outer peripheral portion of the light shielding plate to a region attached to the inner peripheral surface of the annular reinforcing portion in the dicing tape.
A method for processing a wafer is provided.
上記遮光板の外周部に形成される反射面は、紫外線が照射される側に向かって縮径するテーパー面からなっている。
また、上記遮光板は、アルミニウムによって形成されている。
The reflection surface formed on the outer periphery of the light shielding plate is a tapered surface that is reduced in diameter toward the side irradiated with ultraviolet rays.
The light shielding plate is made of aluminum.
本発明によれば、紫外線の照射によって粘着力が低下するダイシングテープの表面にウエーハの裏面を貼着しダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するウエーハ支持工程と、ダイシングテープに貼着されたウエーハを、表面側からデバイス領域と外周余剰領域との境界部に沿って切断することによりデバイス領域と外周余剰領域とを分離する外周余剰領域分離工程と、ウエーハのデバイス領域に対応する領域の大きさと対応する大きさの遮光板を該ダイシングテープにおけるデバイス領域に対応する領域に配置し、ダイシングテープの裏面側から紫外線を照射して少なくとも該外周余剰領域に対応するダイシングテープの粘着力を低下させ、ダイシングテープから該環状の補強部を除去する環状の補強部除去工程とを含み、環状の補強部除去工程においては、照射される紫外線を遮光板の外周部に形成された反射面によってダイシングテープにおける環状の補強部の内周面に貼着された領域に反射させるので、紫外線の照射が困難であったダイシングテープにおける環状の補強部の内周面に貼着された領域にも十分に紫外線を照射することができ、外周余剰領域に対応するダイシングテープの粘着力を低下させることができる。従って、外周余剰領域が分離された環状の補強部を破損することなくダイシングテープから効率的に除去することができる。 According to the present invention, a wafer supporting step in which the back surface of the wafer is adhered to the surface of the dicing tape whose adhesive strength is reduced by the irradiation of ultraviolet light, and the outer peripheral portion of the dicing tape is supported by the annular frame, and is adhered to the dicing tape. And cutting the wafer along the boundary between the device region and the peripheral surplus region from the surface side to separate the device surplus region from the peripheral surplus region, and a region corresponding to the device region of the wafer. A light shielding plate of a size corresponding to the size is arranged in a region corresponding to the device region in the dicing tape, and ultraviolet light is irradiated from the back side of the dicing tape to reduce the adhesive strength of the dicing tape corresponding to at least the outer peripheral region. An annular reinforcing portion removing step for removing the annular reinforcing portion from the dicing tape. In the annular reinforcing portion removing step, the irradiated ultraviolet rays are reflected by the reflecting surface formed on the outer peripheral portion of the light shielding plate to the region attached to the inner peripheral surface of the annular reinforcing portion in the dicing tape. It is possible to sufficiently irradiate ultraviolet light even to the area pasted on the inner peripheral surface of the annular reinforcing portion in the dicing tape that was difficult to irradiate, and to reduce the adhesive strength of the dicing tape corresponding to the outer peripheral surplus area Can do. Therefore, the annular reinforcing portion from which the outer peripheral surplus region is separated can be efficiently removed from the dicing tape without being damaged.
以下、本発明によるウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１には本発明によるウエーハの加工方法によって加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、例えば厚さが７００μmのシリコンウエーハからなっており、表面２ａに複数の分割予定ライン２１が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン２１によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス２２が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ２は、デバイス２２が形成されているデバイス領域２３と、該デバイス領域２３を囲繞する外周余剰領域２４を備えている。
DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of a wafer processing method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor wafer as a wafer processed by the wafer processing method according to the present invention. A semiconductor wafer 2 shown in FIG. 1 is made of, for example, a silicon wafer having a thickness of 700 μm. A plurality of division lines 21 are formed in a lattice shape on the surface 2a, and are partitioned by the plurality of division lines 21. Devices 22 such as ICs and LSIs are formed in the plurality of regions. The semiconductor wafer 2 configured as described above includes a device region 23 in which the device 22 is formed, and an outer peripheral surplus region 24 surrounding the device region 23.
先ず、上述した半導体ウエーハ２のデバイス領域２３に対応する裏面に凹部加工を施して外周余剰領域２４に対応する裏面に環状の補強部を形成する加工方法の一実施形態について説明する。
この加工方法を実施するためには、図２に示すように半導体ウエーハ２の表面２ａにデバイス２２を保護するための保護部材としての保護テープ３を貼着する（保護部材貼着工程）。従って、半導体ウエーハ２の裏面２bが露出する形態となる。
First, an embodiment of a processing method in which a recess processing is performed on the back surface corresponding to the device region 23 of the semiconductor wafer 2 to form an annular reinforcing portion on the back surface corresponding to the outer peripheral surplus region 24 will be described.
In order to carry out this processing method, a protective tape 3 as a protective member for protecting the device 22 is attached to the surface 2a of the semiconductor wafer 2 as shown in FIG. 2 (protective member attaching step). Accordingly, the back surface 2b of the semiconductor wafer 2 is exposed.
上述した保護部材貼着工程を実施したならば、半導体ウエーハ２のデバイス領域２３に対応する裏面に凹部加工を施して該外周余剰領域２４に対応する裏面に環状の補強部を形成する裏面研削工程を実施する。この裏面研削工程は、図３に示す研削装置によって実施する。図３に示す研削装置４は、被加工物としてのウエーハを保持するチャックテーブル４１と、該チャックテーブル４１に保持されたウエーハの加工面を研削する研削手段４２を具備している。チャックテーブル４１は、上面にウエーハを吸引保持し図３において矢印４１aで示す方向に回転せしめられる。研削手段４２は、スピンドルハウジング４２１と、該スピンドルハウジング４２１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル４２２と、該回転スピンドル４２２の下端に装着されたマウンター４２３と、該マウンター４２３の下面に取り付けられた研削ホイール４２４とを具備している。この研削ホイール４２４は、円板状の基台４２５と、該基台４２５の下面に環状に装着された研削砥石４２６とからなっており、基台４２５がマウンター４２３の下面に取り付けられている。 If the above-described protective member attaching step is performed, a back surface grinding step of forming a concave reinforcing portion on the back surface corresponding to the outer peripheral surplus region 24 by forming a recess on the back surface corresponding to the device region 23 of the semiconductor wafer 2. To implement. This back grinding process is performed by a grinding apparatus shown in FIG. The grinding apparatus 4 shown in FIG. 3 includes a chuck table 41 that holds a wafer as a workpiece, and a grinding means 42 that grinds the processed surface of the wafer held on the chuck table 41. The chuck table 41 sucks and holds the wafer on its upper surface and is rotated in the direction indicated by the arrow 41a in FIG. The grinding means 42 includes a spindle housing 421, a rotating spindle 422 that is rotatably supported by the spindle housing 421 and rotated by a rotation driving mechanism (not shown), a mounter 423 attached to the lower end of the rotating spindle 422, and the mounter And a grinding wheel 424 attached to the lower surface of 423. The grinding wheel 424 includes a disk-shaped base 425 and a grinding wheel 426 that is annularly mounted on the lower surface of the base 425, and the base 425 is attached to the lower surface of the mounter 423.
上述した研削装置４を用いて裏面研削工程を実施するには、チャックテーブル４１の上面（保持面）に図示しないウエーハ搬入手段によって搬送された上記半導体ウエーハ２の保護部材３側を載置し、半導体ウエーハ２をチャックテーブル４１上に吸引保持する。ここで、チャックテーブル４１に保持された半導体ウエーハ２と研削ホイール４２４を構成する環状の研削砥石４２６の関係について、図４を参照して説明する。チャックテーブル４１の回転中心P1と環状の研削砥石４２６の回転中心P2は偏芯しており、環状の研削砥石４２６の外径は、半導体ウエーハ２のデバイス領域２３と外周余剰領域２４との境界線２５の直径より小さく境界線２５の半径より大きい寸法に設定され、環状の研削砥石４２６がチャックテーブル４１の回転中心P1（半導体ウエーハ２の中心）を通過するようになっている。 In order to perform the back surface grinding process using the grinding apparatus 4 described above, the protective member 3 side of the semiconductor wafer 2 conveyed by the wafer carry-in means (not shown) is placed on the upper surface (holding surface) of the chuck table 41, The semiconductor wafer 2 is sucked and held on the chuck table 41. Here, the relationship between the semiconductor wafer 2 held on the chuck table 41 and the annular grinding wheel 426 constituting the grinding wheel 424 will be described with reference to FIG. The rotation center P 1 of the chuck table 41 and the rotation center P 2 of the annular grinding wheel 426 are eccentric, and the outer diameter of the annular grinding wheel 426 is the boundary line between the device region 23 and the outer peripheral surplus region 24 of the semiconductor wafer 2. The diameter is set to be smaller than the diameter of 25 and larger than the radius of the boundary line 25, and the annular grinding wheel 426 passes through the rotation center P 1 (the center of the semiconductor wafer 2) of the chuck table 41.
次に、図３および図４に示すようにチャックテーブル４１を矢印４１aで示す方向に３００ｒｐｍで回転しつつ、研削ホイール４２４を矢印４２４aで示す方向に６０００ｒｐｍで回転せしめるとともに、研削ホイール４２４を下方に移動して研削砥石４２６を半導体ウエーハ２の裏面に接触させる。そして、研削ホイール４２４を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。この結果、半導体ウエーハ２の裏面には、図５に示すようにデバイス領域２３に対応する領域が研削除去されて所定厚さ（例えば３０μm）の円形状の凹部２３bに形成されるとともに、外周余剰領域２４に対応する領域が図示の実施形態においては厚さ６７０μm残存されて環状の補強部２４bに形成される（裏面研削工程）。 Next, as shown in FIGS. 3 and 4, while rotating the chuck table 41 in the direction indicated by arrow 41a at 300 rpm, the grinding wheel 424 is rotated in the direction indicated by arrow 424a at 6000 rpm, and the grinding wheel 424 is moved downward. The grinding wheel 426 is moved to contact the back surface of the semiconductor wafer 2. Then, the grinding wheel 424 is ground and fed downward by a predetermined amount at a predetermined grinding feed speed. As a result, on the back surface of the semiconductor wafer 2, a region corresponding to the device region 23 is ground and removed to form a circular recess 23b having a predetermined thickness (for example, 30 μm) as shown in FIG. In the illustrated embodiment, a region corresponding to the region 24 remains in a thickness of 670 μm and is formed in the annular reinforcing portion 24b (back surface grinding step).
次に、上述した裏面研削工程が実施された半導体ウエーハ２に本発明によるウエーハの加工方法を実施するには、先ず、紫外線の照射によって粘着力が低下するダイシングテープの表面に半導体ウエーハ２の裏面を貼着しダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するウエーハ支持工程を実施する。即ち、図６の(a)に示すように環状のフレーム５の内側開口部を覆うように外周部が装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなるダイシングテープ６の表面６aには、図示の実施形態においては紫外線を照射することによって硬化し粘着力が低下する粘着剤が塗布されている。なお、紫外線を照射することによって粘着力が低下するダイシングテープとしては、例えば古河工業（株）が製造販売するUCシリーズを用いることができる。このように形成されたダイシングテープ６の表面６aに半導体ウエーハ２の裏面２bを貼着する。従って、図６の(b)に示すようにダイシングテープ６の表面６aに貼着された半導体ウエーハ２は、表面２aが上側となる。そして、保護テープ３を剥離する。 Next, in order to carry out the wafer processing method according to the present invention on the semiconductor wafer 2 on which the above-described back grinding process has been performed, first, the back surface of the semiconductor wafer 2 is placed on the surface of the dicing tape whose adhesive strength is reduced by irradiation with ultraviolet rays. And a wafer supporting step of supporting the outer peripheral portion of the dicing tape with an annular frame. That is, as shown in FIG. 6 (a), the surface 6a of the dicing tape 6 made of a synthetic resin sheet such as polyolefin having an outer peripheral portion attached so as to cover the inner opening of the annular frame 5 is illustrated on the surface 6a. In the form, a pressure-sensitive adhesive that hardens and decreases its adhesive strength when irradiated with ultraviolet rays is applied. In addition, as a dicing tape whose adhesive strength is reduced by irradiating with ultraviolet rays, for example, UC series manufactured and sold by Furukawa Industry Co., Ltd. can be used. The back surface 2b of the semiconductor wafer 2 is adhered to the front surface 6a of the dicing tape 6 formed in this way. Accordingly, as shown in FIG. 6B, the semiconductor wafer 2 adhered to the surface 6a of the dicing tape 6 has the surface 2a on the upper side. Then, the protective tape 3 is peeled off.
上述したウエーハ支持工程を実施したならば、ダイシングテープ６に貼着された半導体ウエーハ２を、表面側からデバイス領域２３と外周余剰領域２４との境界部に沿って切断することによりデバイス領域２３と外周余剰領域２４とを分離する外周余剰領域分離工程を実施する。この外周余剰領域分離工程は、図７に示す切削装置７を用いて実施する。図７に示す切削装置７は、被加工物を保持するチャックテーブル７１と、切削ブレード７２１を備えた切削手段７２と、撮像手段７３を具備している。チャックテーブル７１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない切削送り手段によって図７において矢印Ｘで示す切削送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。なお、チャックテーブル７１の上面には、図８の(a)および(b)に示すように上記半導体ウエーハ２の裏面に形成された円形状の凹部２３bが嵌合する段部が形成されている。この切削装置７によって分割溝形成工程を実施するには、チャックテーブル７１上に半導体ウエーハ２の裏面２bが貼着されたダイシングテープ６側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ２をチャックテーブル７１上に保持する。従って、チャックテーブル７１上に吸引保持された半導体ウエーハ２は、表面２aが上側となる。なお、図７においてはダイシングテープ６が装着された環状のフレーム５を省いて示しているが、環状のフレーム５はチャックテーブル７１に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。 If the wafer support process described above is performed, the semiconductor wafer 2 adhered to the dicing tape 6 is cut along the boundary between the device region 23 and the outer peripheral surplus region 24 from the front surface side to form the device region 23. An outer peripheral surplus region separation step for separating the outer peripheral surplus region 24 is performed. This outer periphery excess area | region isolation | separation process is implemented using the cutting device 7 shown in FIG. A cutting apparatus 7 shown in FIG. 7 includes a chuck table 71 that holds a workpiece, a cutting unit 72 that includes a cutting blade 721, and an imaging unit 73. The chuck table 71 is configured to suck and hold the workpiece. The chuck table 71 is moved in a cutting feed direction indicated by an arrow X in FIG. 7 by a cutting feed means (not shown) and is indicated by an arrow Y by an index feed means (not shown). It can be moved in the index feed direction shown. Note that, on the upper surface of the chuck table 71, as shown in FIGS. 8 (a) and 8 (b), a stepped portion is formed in which a circular recess 23b formed on the back surface of the semiconductor wafer 2 is fitted. . In order to perform the dividing groove forming process by the cutting device 7, the dicing tape 6 side on which the back surface 2 b of the semiconductor wafer 2 is adhered is placed on the chuck table 71. Then, the semiconductor wafer 2 is held on the chuck table 71 by operating a suction means (not shown). Therefore, the surface 2a of the semiconductor wafer 2 sucked and held on the chuck table 71 is on the upper side. In FIG. 7, the annular frame 5 on which the dicing tape 6 is mounted is omitted, but the annular frame 5 is held by an appropriate frame holding means provided on the chuck table 71.
次に、図７に示すようにチャックテーブル７１を撮像手段７３の直下に位置付ける。そして、撮像手段７３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２の切削すべき領域を検出するアライメント工程を実行する。即ち撮像手段７３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２のデバイス領域２３と外周余剰領域２４との境界部（環状の補強部２４bの内周）と切削ブレード７２１との位置合わせを行うためのアライメント作業を遂行する。 Next, as shown in FIG. 7, the chuck table 71 is positioned directly below the imaging means 73. Then, an alignment process for detecting an area to be cut of the semiconductor wafer 2 is executed by the imaging means 73 and a control means (not shown). That is, the image pickup means 73 and the control means (not shown) align the boundary between the device region 23 of the semiconductor wafer 2 and the outer peripheral surplus region 24 (the inner periphery of the annular reinforcing portion 24b) and the cutting blade 721. Carry out the work.
以上のようにしてチャックテーブル７１上に保持されている半導体ウエーハ２の切削すべき領域を検出するアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル７１を切削領域に移動する。そして、切削手段７２の切削ブレード７２１をチャックテーブル７１に保持された半導体ウエーハ２のデバイス領域２３と外周余剰領域２４との境界部（環状の補強部２４bの内周）の直上に位置付ける。そして、図８の(a)に示すように切削ブレード７２１を矢印７２１aで示す方向に回転しつつ２点鎖線で示す待機位置から下方に切り込み送りし、実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、切削ブレード７２１の外周縁がダイシングテープ６に達する位置に設定されている。 When the alignment for detecting the area to be cut of the semiconductor wafer 2 held on the chuck table 71 is performed as described above, the chuck table 71 holding the semiconductor wafer 2 is moved to the cutting area. Then, the cutting blade 721 of the cutting means 72 is positioned immediately above the boundary between the device region 23 of the semiconductor wafer 2 held on the chuck table 71 and the outer peripheral surplus region 24 (the inner periphery of the annular reinforcing portion 24b). Then, as shown in FIG. 8 (a), the cutting blade 721 is rotated in the direction indicated by the arrow 721a and cut downward from the standby position indicated by the two-dot chain line, and is moved to a predetermined cutting feed position as indicated by the solid line. Position. This cutting feed position is set to a position where the outer peripheral edge of the cutting blade 721 reaches the dicing tape 6.
次に、上述したように切削ブレード７２１を矢印７２１aで示す方向に回転しつつチャックテーブル７１を図８の(a)において矢印７１aで示す方向に回転せしめる。そして、チャックテーブル７１が１回転することにより、図８の(b)および(c)に示すようにチャックテーブル７１に保持された半導体ウエーハ２はデバイス領域２３と外周余剰領域２４との境界部（環状の補強部２４bの内周）に沿って形成された環状の切削溝２７によって切断され、デバイス領域２３と外周余剰領域２４とが分離される（外周余剰領域分離工程）。 Next, as described above, the chuck table 71 is rotated in the direction indicated by the arrow 71a in FIG. 8A while rotating the cutting blade 721 in the direction indicated by the arrow 721a. Then, as the chuck table 71 rotates once, the semiconductor wafer 2 held on the chuck table 71 has a boundary portion between the device region 23 and the outer peripheral surplus region 24 (see FIGS. 8B and 8C). It is cut by an annular cutting groove 27 formed along the inner periphery of the annular reinforcing portion 24b, and the device region 23 and the outer peripheral surplus region 24 are separated (peripheral surplus region separating step).
上述した外周余剰領域分離工程を実施したならば、半導体ウエーハ２のデバイス領域２３に対応する領域の大きさと対応する大きさの遮光板をダイシングテープ６におけるデバイス領域２３に対応する領域に配置し、ダイシングテープ６の裏面側から紫外線を照射して少なくとも外周余剰領域２４に対応するダイシングテープ６の粘着力を低下させ、ダイシングテープ６から環状の補強部２４bを除去する環状の補強部除去工程を実施する。この環状の補強部除去工程は、図９に示す環状の補強部除去装置８を用いて実施する。図９に示す環状の補強部除去装置８は、透明体からなる支持部材８１と、該支持部材８１の中心部に配設された遮光板８２と、支持部材８１の裏面側から紫外線を照射する紫外線照射器８３とからなっている。支持部材８１は、円形状のガラス板によって形成され、上記環状のフレーム５より大きい外径を有している。このように形成された支持部材８１の外周部上面には、少なくとも上記環状のフレーム５が載置される領域に環状の遮光マスク８１１が形成されている。上記遮光板８２は、図示の実施形態においてはアルミニウムによって円形状に形成されている、この遮光板８２は、図１０に示すように上面８２１が半導体ウエーハ２のデバイス領域２３に対応する外径を有しており、外周部には下面８２２（後述する紫外線が照射される側)に向かって縮径するテーパー面からなる反射面８２３が形成されている。上記紫外線照射器８３は、環状に形成され透明体からなる支持部材８１の下側に配設されている。 If the outer peripheral surplus region separation step described above is performed, a light shielding plate having a size corresponding to the size of the region corresponding to the device region 23 of the semiconductor wafer 2 is arranged in the region corresponding to the device region 23 in the dicing tape 6; An annular reinforcing portion removing step of removing the annular reinforcing portion 24b from the dicing tape 6 by reducing the adhesive strength of the dicing tape 6 corresponding to at least the outer peripheral surplus region 24 by irradiating ultraviolet rays from the back side of the dicing tape 6 is performed. To do. This annular reinforcing portion removing step is carried out using an annular reinforcing portion removing device 8 shown in FIG. The annular reinforcing portion removing device 8 shown in FIG. 9 irradiates ultraviolet rays from a support member 81 made of a transparent body, a light shielding plate 82 disposed at the center of the support member 81, and the back side of the support member 81. An ultraviolet irradiator 83 is included. The support member 81 is formed of a circular glass plate and has an outer diameter larger than that of the annular frame 5. On the upper surface of the outer peripheral portion of the support member 81 formed in this way, an annular light shielding mask 811 is formed at least in a region where the annular frame 5 is placed. In the illustrated embodiment, the light shielding plate 82 is formed in a circular shape with aluminum. As shown in FIG. 10, the light shielding plate 82 has an upper surface 821 having an outer diameter corresponding to the device region 23 of the semiconductor wafer 2. And a reflecting surface 823 formed of a tapered surface whose diameter is reduced toward a lower surface 822 (a side irradiated with ultraviolet rays to be described later). The ultraviolet irradiator 83 is arranged below the support member 81 formed in a ring shape and made of a transparent body.
上述した環状の補強部除去装置８を用いて上記環状の補強部除去工程を実施するには、環状のフレーム５および該環状のフレーム５に装着され半導体ウエーハ２が貼着されているダイシングテープ６を支持部材８１の上面に載置する。このとき、図１０に示すように支持部材８１の上面に配設された遮光板８２の上面がダイシングテープ６における半導体ウエーハ２のデバイス領域２３に対応する領域に配置されるように位置付ける。そして、図１０には省略したが環状のフレーム５が支持部材８１の外周部上面に形成された環状の遮光マスク８１１上に載置される。次に、紫外線照射器８３を作動して支持部材８１の下側（ダイシングテープ６の裏面側）から紫外線を照射する(紫外線照射工程)。この結果、ダイシングテープ６における少なくとも外周余剰領域２４に対応する領域に紫外線が照射され、該領域のダイシングテープ６の粘着力が低下せしめられる。このとき、図１０に示すように遮光板８２の外周部に形成されたテーパー面からなる反射面８２３に照射された紫外線は、矢印で示すようにダイシングテープ６における環状の補強部２４bの内周面に貼着された領域に反射される。従って、紫外線照射器８３によって照射しただけでは紫外線の照射が困難であったダイシングテープ６における環状の補強部２４bの内周面に貼着された領域にも十分に紫外線を照射することができ、該領域の粘着力を低下させることができる。 In order to perform the annular reinforcing portion removing step using the annular reinforcing portion removing device 8 described above, the annular frame 5 and the dicing tape 6 attached to the annular frame 5 and having the semiconductor wafer 2 attached thereto are attached. Is placed on the upper surface of the support member 81. At this time, as shown in FIG. 10, the upper surface of the light shielding plate 82 disposed on the upper surface of the support member 81 is positioned so as to be disposed in an area corresponding to the device area 23 of the semiconductor wafer 2 in the dicing tape 6. Although not shown in FIG. 10, the annular frame 5 is placed on an annular light shielding mask 811 formed on the upper surface of the outer peripheral portion of the support member 81. Next, the ultraviolet irradiator 83 is operated to irradiate ultraviolet rays from below the support member 81 (the back side of the dicing tape 6) (ultraviolet irradiation step). As a result, at least a region corresponding to the outer peripheral surplus region 24 in the dicing tape 6 is irradiated with ultraviolet rays, and the adhesive force of the dicing tape 6 in the region is reduced. At this time, as shown in FIG. 10, the ultraviolet rays applied to the reflecting surface 823 formed of a tapered surface formed on the outer peripheral portion of the light shielding plate 82 are reflected on the inner periphery of the annular reinforcing portion 24b in the dicing tape 6 as indicated by an arrow. Reflected in the area pasted on the surface. Therefore, it is possible to sufficiently irradiate the region pasted on the inner peripheral surface of the annular reinforcing portion 24b in the dicing tape 6 that has been difficult to irradiate with ultraviolet rays only by irradiating with the ultraviolet irradiator 83, The adhesive strength of the region can be reduced.
このようにして、紫外線照射工程を実施することによってダイシングテープ６における環状の補強部２４bの内周面に貼着された領域を含む外周余剰領域２４に対応する領域の粘着力が低下しているので、デバイス領域２３と分離された外周余剰領域２４からなる環状の補強部２４bは図１１に示すようにダイシングテープ６から容易に剥離することができる(剥離工程)。従って、ダイシングテープ６に貼着されている環状の補強部２４bは、破損することなくダイシングテープ６から効率的に除去される。 Thus, the adhesive force of the area | region corresponding to the outer periphery excess area | region 24 including the area | region affixed on the internal peripheral surface of the cyclic | annular reinforcement part 24b in the dicing tape 6 is falling by implementing an ultraviolet irradiation process. Therefore, the annular reinforcing portion 24b including the outer peripheral surplus region 24 separated from the device region 23 can be easily peeled from the dicing tape 6 as shown in FIG. 11 (peeling step). Accordingly, the annular reinforcing portion 24b attached to the dicing tape 6 is efficiently removed from the dicing tape 6 without being damaged.
次に、環状の補強部２４bが除去された半導体ウエーハ２のデバイス領域２３を分割予定ライン２１に沿って切断し、デバイス領域２３を個々のデバイス２２に分割する分割工程を実施する。この分割工程は、図１２に示す切削装置７０を用いて実施する。なお、図１２に示す切削装置７０は、上記図７に示す切削装置７と同様の構成であり、チャックテーブル７１０の上面である保持面が平面である以外は切削装置７の構成部材と同一であるため、同一部材には同一符号を付して説明は省略する。
この切削装置７０を用いて分割工程を実施するには、チャックテーブル７１０上に上記環状の補強部除去工程が実施された半導体ウエーハ２のデバイス領域２３の裏面２bが貼着されたダイシングテープ６側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ２のデバイス領域２３をチャックテーブル７１０上に保持する。従って、チャックテーブル７１０上に吸引保持された半導体ウエーハ２のデバイス領域２３は、表面２aが上側となる。なお、図１２においてはダイシングテープ６が装着された環状のフレーム５を省いて示しているが、環状のフレーム５はチャックテーブル７１０に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。
Next, a dividing step is performed in which the device region 23 of the semiconductor wafer 2 from which the annular reinforcing portion 24 b has been removed is cut along the planned dividing line 21 to divide the device region 23 into individual devices 22. This dividing step is performed using a cutting device 70 shown in FIG. The cutting device 70 shown in FIG. 12 has the same configuration as the cutting device 7 shown in FIG. 7, and is the same as the constituent members of the cutting device 7 except that the holding surface, which is the upper surface of the chuck table 710, is a flat surface. Therefore, the same members are denoted by the same reference numerals and the description thereof is omitted.
In order to carry out the dividing step using this cutting device 70, the dicing tape 6 side on which the back surface 2b of the device region 23 of the semiconductor wafer 2 on which the annular reinforcing portion removing step has been carried out is attached on the chuck table 710. Is placed. Then, the device region 23 of the semiconductor wafer 2 is held on the chuck table 710 by operating a suction unit (not shown). Accordingly, the surface 2 a of the device region 23 of the semiconductor wafer 2 sucked and held on the chuck table 710 is on the upper side. In FIG. 12, the annular frame 5 on which the dicing tape 6 is mounted is omitted, but the annular frame 5 is held by an appropriate frame holding means disposed on the chuck table 710.
このようにして、半導体ウエーハ２のデバイス領域２３を吸引保持したチャックテーブル７１０は、図示しない切削送り手段によって撮像手段７３の直下に位置付けられる。チャックテーブル７１０が撮像手段７３の直下に位置付けられると、撮像手段７３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２の分割溝を形成すべき切削領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段７３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されている分割予定ライン２１と、切削ブレード７２１との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に延びる分割予定ライン２１に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。 In this manner, the chuck table 710 that sucks and holds the device region 23 of the semiconductor wafer 2 is positioned directly below the imaging unit 73 by a cutting feed unit (not shown). When the chuck table 710 is positioned immediately below the image pickup means 73, an alignment operation for detecting a cutting region in which the division grooves of the semiconductor wafer 2 are to be formed is executed by the image pickup means 73 and a control means (not shown). That is, the imaging unit 73 and a control unit (not shown) execute image processing such as pattern matching for aligning the division line 21 formed in a predetermined direction of the semiconductor wafer 2 with the cutting blade 721, Align the cutting area (alignment process). In addition, the alignment of the cutting region is similarly performed on the division line 21 that is formed in the semiconductor wafer 2 and extends in a direction orthogonal to the predetermined direction.
以上のようにしてチャックテーブル７１０上に保持されている半導体ウエーハ２のデバイス領域２３の切削領域のアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ２のデバイス領域２３を保持したチャックテーブル７１０を切削領域の切削開始位置に移動する。このとき、図１３の(a)に示すように半導体ウエーハ２のデバイス領域２３は所定の分割予定ライン２１の一端（図１３の(a)において左端）が切削ブレード７２１の直下より所定量右側に位置するように位置付けられる。そして、切削ブレード７２１を図１３の(a)において矢印７２１aで示す方向に所定の回転速度で回転し、２点鎖線で示す待機位置から図示しない切り込み送り手段によって図１３の(a)において実線で示すように下方に所定量切り込み送りする。この切り込み送り位置は、図１３の(a)および図１３の(c)に示すように切削ブレード７２１の下端が半導体ウエーハ２のデバイス領域２３の裏面に貼着されたダイシングテープ６に達する位置に設定されている。 If the cutting area alignment of the device area 23 of the semiconductor wafer 2 held on the chuck table 710 is performed as described above, the chuck table 710 holding the device area 23 of the semiconductor wafer 2 is moved to the cutting area. Move to the cutting start position. At this time, as shown in FIG. 13A, in the device region 23 of the semiconductor wafer 2, one end of the predetermined division line 21 (left end in FIG. 13A) is on the right side by a predetermined amount from directly below the cutting blade 721. Positioned to be located. Then, the cutting blade 721 is rotated at a predetermined rotational speed in a direction indicated by an arrow 721a in FIG. 13A, and a solid line in FIG. As shown, it cuts and feeds a predetermined amount downward. This cutting feed position is a position where the lower end of the cutting blade 721 reaches the dicing tape 6 adhered to the back surface of the device region 23 of the semiconductor wafer 2 as shown in FIGS. 13 (a) and 13 (c). Is set.
上述したように切削ブレード７２１の切り込み送りを実施したならば、切削ブレード７２１を図１３の(a)において矢印７２１aで示す方向に所定の回転速度で回転しつつ、チャックテーブル７１０を図１３の(a)において矢印Ｘ１で示す方向に所定の切削送り速度で移動せしめる。そして、チャックテーブル７１０に保持された半導体ウエーハ２の右端が切削ブレード７２１の直下を通過したらチャックテーブル７１０の移動を停止する。このようにチャックテーブル７１０を切削送りすることにより、図１３の(d)で示すように半導体ウエーハ２のデバイス領域２３は分割予定ライン２１に沿って裏面に達する切削溝２８が形成され切断される(切削工程)。 If cutting feed of the cutting blade 721 is performed as described above, the chuck table 710 is rotated in the direction indicated by the arrow 721a in FIG. In a), it is moved at a predetermined cutting feed speed in the direction indicated by the arrow X1. When the right end of the semiconductor wafer 2 held on the chuck table 710 passes directly under the cutting blade 721, the movement of the chuck table 710 is stopped. By cutting and feeding the chuck table 710 as described above, the device region 23 of the semiconductor wafer 2 is cut along the division line 21 so as to reach the back surface as shown in FIG. 13 (d). (Cutting process).
次に、切削ブレード７２１を図１３の(b)において矢印Z2で示すように上昇させて２点鎖線で示す待機位置に位置付け、チャックテーブル７１０を図１３の(b)において矢印Ｘ２で示す方向に移動して、図１３の(a)に示す位置に戻す。そして、チャックテーブル７１０を紙面に垂直な方向（割り出し送り方向）に分割予定ライン２１の間隔に相当する量だけ割り出し送りし、次に切削すべき分割予定ライン２１を切削ブレード７２１と対応する位置に位置付ける。このようにして、次の分割予定ライン２１を切削ブレード７２１と対応する位置に位置付けたならば、上述した切削工程を実施する。そして、上述した切削工程を半導体ウエーハ２のデバイス領域２３に形成された全ての分割予定ライン２１に沿って実施する。この結果、半導体ウエーハ２は分割予定ライン２１に沿って切断され、個々のデバイス２２に分割される（分割工程）。 Next, the cutting blade 721 is raised as shown by an arrow Z2 in FIG. 13B and positioned at a standby position shown by a two-dot chain line, and the chuck table 710 is moved in the direction shown by an arrow X2 in FIG. It moves and returns to the position shown in FIG. Then, the chuck table 710 is indexed and fed in the direction perpendicular to the paper surface (index feed direction) by an amount corresponding to the interval between the scheduled division lines 21, and the next scheduled division line 21 to be cut is placed at a position corresponding to the cutting blade 721. Position. Thus, if the next division | segmentation scheduled line 21 is located in the position corresponding to the cutting blade 721, the cutting process mentioned above will be implemented. Then, the above-described cutting process is performed along all the planned division lines 21 formed in the device region 23 of the semiconductor wafer 2. As a result, the semiconductor wafer 2 is cut along the division line 21 and divided into individual devices 22 (dividing step).
上述した分割工程を実施され個々に分割されたデバイス２２は、ダイシングテープ６から剥離してピックアップするピックアップ工程に搬送される。 The devices 22 that have been subjected to the above-described dividing process and are individually divided are transported to the pick-up process in which they are separated from the dicing tape 6 and picked up.
２：半導体ウエーハ
２１：分割予定ライン
２２：デバイス
２３：デバイス領域
２４：外周余剰領域
３：保護テープ
４：研削装置
４１：研削装置のチャックテーブル
４２：研削手段
４２４：研削ホイール
５：環状のフレーム
６：ダイシングテープ
７：切削装置
７１：切削装置のチャックテーブル
７２：切削手段
７２１：切削ブレード
８：環状の補強部除去装置
８１：支持部材
８１１：遮光マスク
８２：遮光板
８２３：反射面
８３：紫外線照射器
2: Semiconductor wafer 21: Scheduled division line 22: Device 23: Device region 24: Surplus outer peripheral region 3: Protective tape 4: Grinding device 41: Grinding device chuck table 42: Grinding means 424: Grinding wheel 5: Annular frame 6 : Dicing tape 7: Cutting device 71: Chuck table 72 of cutting device: Cutting means 721: Cutting blade 8: Annular reinforcing portion removing device 81: Support member 811: Light shielding mask 82: Light shielding plate 823: Reflecting surface 83: UV irradiation vessel
Claims (3)
紫外線の照射によって粘着力が低下するダイシングテープの表面にウエーハの裏面を貼着し該ダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するウエーハ支持工程と、
該ダイシングテープに貼着されたウエーハを、表面側から該デバイス領域と該外周余剰領域との境界部に沿って切断することにより該デバイス領域と該外周余剰領域とを分離する外周余剰領域分離工程と、
ウエーハの該デバイス領域に対応する領域の大きさと対応する大きさの遮光板を該ダイシングテープにおける該デバイス領域に対応する領域に配置し、該ダイシングテープの裏面側から紫外線を照射して少なくとも該外周余剰領域に対応する該ダイシングテープの粘着力を低下させ、該ダイシングテープから該環状の補強部を除去する環状の補強部除去工程と、を含み、
該環状の補強部除去工程においては、照射される紫外線を該遮光板の外周部に形成された反射面によってダイシングテープにおける該環状の補強部の内周面に貼着された領域に反射させる、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。 A plurality of regions are defined by a plurality of division lines formed in a lattice pattern on the surface, and a device region in which a device is formed in the partitioned region and an outer peripheral surplus region surrounding the device region, A wafer processing method in which a recess processing is performed on the back surface corresponding to the device region, and an annular reinforcing portion is formed on the back surface corresponding to the outer peripheral surplus region,
A wafer support step in which the back surface of the wafer is attached to the surface of the dicing tape whose adhesive strength is reduced by irradiation with ultraviolet rays, and the outer peripheral portion of the dicing tape is supported by an annular frame;
Peripheral surplus region separation step of separating the device region and the perimeter surplus region by cutting the wafer adhered to the dicing tape along the boundary between the device region and the perimeter surplus region from the surface side When,
A light shielding plate having a size corresponding to the size of the device region of the wafer is disposed in a region corresponding to the device region of the dicing tape, and at least the outer periphery is irradiated with ultraviolet rays from the back side of the dicing tape. Reducing the adhesive force of the dicing tape corresponding to the surplus region, and removing the annular reinforcing portion from the dicing tape,
In the annular reinforcing portion removing step, the irradiated ultraviolet rays are reflected by the reflecting surface formed on the outer peripheral portion of the light shielding plate to a region attached to the inner peripheral surface of the annular reinforcing portion in the dicing tape.
A method for processing a wafer.
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